CN115478256B - 输送装置以及成膜装置 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及输送装置以及成膜装置。提供一种能够在输送对象物的输送路径上进行其定位的技术。本发明的输送装置具备:腔室,其形成维持为真空的输送空间;输送部件,其在所述腔室内将输送对象物在输送方向上进行输送;第一限制部件,其限制相对于所述输送方向的所述输送对象物的宽度方向的一方的位置;第二限制部件,其限制所述输送对象物的所述宽度方向的另一方的位置;以及移动部件,其使所述第一限制部件和所述第二限制部件中的至少任一方的限制部件在所述宽度方向上移动,将所述输送对象物在所述宽度方向上进行定位。

Description

输送装置以及成膜装置
技术领域
本发明涉及输送装置以及成膜装置。
背景技术
已知有在对输送对象物进行处理时进行输送对象物的对准的技术。例如,在专利文献1中公开了如下技术:在基板与掩模的对准时,通过机器人将基板向装料室(日文:仕込室)输送并对其进行预对准。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2014-70242号公报
发明内容
发明要解决的课题
在直列型的成膜装置中,保持基板的基板载体和掩模在规定的输送路径中循环地输送。在这样输送路径固定的装置中,若在离开输送路径的地方进行输送对象物的预对准,则效率降低。
本发明提供一种能够在输送对象物的输送路径上进行其定位的技术。
用于解决课题的方案
根据本发明,提供一种输送装置,其中,具备:
腔室,其形成维持为真空的输送空间;
输送部件,其在所述腔室内将输送对象物在输送方向上进行输送;
第一限制部件,其限制相对于所述输送方向的所述输送对象物的宽度方向的一方的位置;
第二限制部件,其限制所述输送对象物的所述宽度方向的另一方的位置;以及
移动部件,其使所述第一限制部件和所述第二限制部件中的至少任一方的限制部件在所述宽度方向上移动,将所述输送对象物在所述宽度方向上进行定位。
另外,根据本发明,提供一种成膜装置,所述成膜装置是在基板上进行成膜的直列型的成膜装置,其中,
包括上述输送装置,
所述基板和掩模保持于基板载体,
所述输送装置输送所述掩模。
发明的效果
根据本发明,能够提供一种能够在输送对象物的输送路径上进行其定位的技术。
附图说明
图1是本发明的一实施方式的成膜装置的布局图。
图2是蒸镀装置的说明图。
图3是对准装置的说明图。
图4是表示各辊的配置例的图。
图5是输送单元的说明图。
图6是表示载体导向单元、掩模导向单元、掩模支承单元以及掩模保持单元的周边的构造的说明图。
图7的(A)~(C)是输送装置的动作说明图。
图8的(A)~(C)是输送装置的动作说明图。
图9是说明预对准以及对准动作的流程图。
图10是掩模的预对准时的导辊的位置说明图。
图11的(A)是有机EL显示装置的整体图,(B)是表示1个像素的截面构造的图。
附图标记说明
1成膜装置,4输送装置,40腔室,41载体输送单元,42掩模输送单元,431限制单元,441限制单元,434移动单元,444移动单元。
具体实施方式
以下,参照附图对实施方式进行详细说明。此外,以下的实施方式并不限定权利要求书的发明。虽然在实施方式中记载了多个特征,但不一定这多个特征全部是发明所必需的,另外,多个特征也可以任意地组合。并且,在附图中,对相同或同样的结构标注相同的附图标记,省略重复的说明。
<成膜装置的概要>
图1是本发明的一实施方式的成膜装置1的布局图。此外,在各图中,箭头Z表示上下方向(重力方向),箭头X和箭头Y表示相互正交的水平方向。成膜装置1是在基板G上对蒸镀物质进行成膜的装置,使用掩模M形成规定的图案的蒸镀物质的薄膜。特别是,本实施方式的成膜装置1是能够执行一边进行基板G的输送一边通过蒸镀装置在基板G上对蒸镀物质进行蒸镀的成膜方法的直列型的成膜装置。
由成膜装置1进行成膜的基板G的材质能够适当选择玻璃、树脂、金属等材料,优选使用在玻璃上形成有聚酰亚胺等树脂层的基板。作为蒸镀物质,是有机材料、无机材料(金属、金属氧化物等)等物质。成膜装置1例如能够应用于制造显示装置(平板显示器等)、薄膜太阳能电池、有机光电转换元件(有机薄膜拍摄元件)等电子器件或光学元件等的制造装置,特别是能够应用于制造有机EL面板的制造装置。
成膜装置1包括使用基板载体100输送基板G和掩模M的装置。基板载体100例如具备保持基板G的机构和保持掩模M的机构。保持基板G的机构例如是静电吸盘,保持掩模M的机构例如是磁性吸附吸盘。掩模M以与基板G重叠的方式保持于基板载体100,基板G保持在基板载体100与掩模M之间。基板载体100、基板G以及掩模M为板状的形态,以水平姿势进行输送。
掩模M和基板载体100在图1的箭头所示的方向上循环地输送,反复利用于多个基板G。基板G从成膜装置1的外部送入到基板送入室100。基板G从基板送入室110向装入室111输送。基板载体100从载体室120输送到装入室111,基板G在装入室111中重叠并保持于基板载体100。保持有基板G的基板载体100在图1中表示为基板载体100G。
基板载体100G输送到准备室112。掩模M从掩模室121输送到准备室112,掩模M和基板载体100G成为上下排列的状态。基板载体100G和掩模M从准备室112向对准装置113输送。在对准装置113中进行基板100与掩模M的X-Y方向的对位,掩模M以与基板100重叠的方式保持于基板载体100G。保持有基板G和掩模M的基板载体100在图1中表示为基板载体100GM。
基板载体100GM从对准装置113输送到蒸镀装置114A。在此在基板G上对蒸镀物质进行成膜。之后,基板载体100GM经过返回室115输送到蒸镀装置115B。在此也在基板G上对蒸镀物质进行成膜。保持有成膜完毕的基板G的基板载体100GM在分离室116将掩模M从基板载体100上下分离。分离的掩模M在输送室117向掩模室121输送,基板载体100G向分离室118输送。在分离室118,成膜完毕的基板G从基板载体100分离,基板G向送出室119输送,基板载体100向载体室120输送。成膜完毕的基板G从送出室119向成膜装置1的外部送出。通过反复以上的处理而依次进行成膜处理。
<蒸镀装置>
图2是蒸镀装置114A的说明图。此外,蒸镀装置114B也具有与蒸镀装置114A同样的结构。蒸镀装置114A具备输送腔室2和多个源腔室3,该输送腔室2形成对保持有基板G和掩模M的基板载体100进行输送的输送空间2a。多个源腔室3在X方向上排列配置,输送空间2a位于这些源腔室3的上方。
输送空间2a在使用时维持为真空,在其X方向的一端部设置有送入口2b,在另一端部设置有送出口2c。保持有基板G和掩模M的基板载体100从送入口2b送入到输送空间2a内,在处理后从送出口2c向外部送出。在送入口2b及送出口2c设置有闸阀(未图示)。
在输送空间2a中设置有在X方向上排列的多个输送辊2d。该输送辊2d的列在Y方向上分离地配置有两列,从下方支承掩模M。各输送辊2d绕Y方向的旋转轴旋转。对于基板载体100,其Y方向的两端部载置于两列的输送辊2d的列,通过输送辊2d的旋转而在X方向上以水平姿势进行输送。
在输送空间2a中还设置有在X方向上排列的多个导辊2e。该导辊2e的列在Y方向上分离地配置有两列,导辊2e限制掩模M的Y方向的位置。导辊2e以其周面与掩模M的Y方向的侧部相向的方式配置,各导辊2e绕Z轴方向的旋转轴自由旋转。
各源腔室3a内形成在使用时维持为真空的内部空间。源腔室3a具有在上部形成有开口部的箱形,输送空间2a与源腔室3a的内部空间经由开口部连通。在各源腔室3a设置有向上方放出蒸镀物质的蒸镀源3a。本实施方式的蒸镀源3a是所谓的线源,在Y方向上延伸设置。蒸镀源3a具备收容蒸镀物质的原材料的坩埚、对坩埚进行加热的加热器等,对原材料进行加热而将作为其蒸气的蒸镀物质向输送空间2a放出。
蒸镀装置114A一边在输送腔室2内输送保持有基板G和掩模M的基板载体100,一边通过蒸镀源3a在基板G上对蒸镀物质进行蒸镀。在本实施方式中,多个源腔室3配置在基板载体100的输送方向上。在从3个源腔室3放出不同种类的蒸镀物质的情况下,能够在基板G上连续地对不同的蒸镀物质进行蒸镀。此外,源腔室3的数量不限于3个,可以为1个或者2个,也可以为4个以上。
<对准装置>
参照图3和图4对对准装置113的结构进行说明。图3是对准装置113的说明图,图4是表示对准装置113内的掩模M的周围的辊的配置例的图。图4表示通过止动件49使掩模M在X方向上停止在规定的位置的状态。止动件49在与掩模M抵接的位置和不与掩模M抵接的位置之间位移自如。
对准装置113包括输送装置4、脚部5以及对准单元6。输送装置4经由脚部5设置于工厂等的地面。输送装置4包括腔室40、载体输送单元41、掩模输送单元42、载体导向单元43、掩模导向单元44、掩模支承单元45、升降单元46、掩模保持单元47以及升降单元48。
腔室40是形成维持为真空的输送空间40a的箱形的构件。保持有基板G的基板载体100在输送空间40a内通过载体输送单元41在X方向上进行输送,掩模M在输送空间40a内在基板载体100的下方通过掩模输送单元42在X方向上进行输送。
在本实施方式的情况下,载体输送单元41是辊式输送机。但是,载体输送单元41也可以是磁悬浮式的输送单元等其他种类的输送单元。载体输送单元41在Y方向上分离地设置有两组。
各载体输送单元41包括在X方向上排列的多个输送辊411、多个驱动轴412以及多个驱动单元413。通过两组载体输送单元41,输送辊411的列在Y方向上分离地配置有两列,从下方支承基板载体100。各输送辊411经由在Y方向上延伸的驱动轴412与驱动单元413连接,各输送辊411的周面与基板载体100的Y方向的端部的底面接触。各驱动单元413以驱动轴412为旋转轴,经由驱动轴412使输送辊411绕Y方向的旋转轴旋转。
在本实施方式的情况下,掩模输送单元42是辊式输送机。但是,掩模输送单元42也可以是磁悬浮式的输送单元等其他种类的输送单元。掩模输送单元42在Y方向上分离地设置有两组。
各掩模输送单元42包括在X方向上排列的多个输送辊421、多个驱动轴422以及多个驱动单元423。通过两组掩模输送单元42,如图4所示,输送辊421的列在Y方向上分离地配置有两列,从下方支承掩模M。各输送辊421经由在Y方向上延伸的驱动轴422与驱动单元423连接,各输送辊421的周面与掩模M的Y方向的端部的底面接触。各驱动单元423以驱动轴422为旋转轴,经由驱动轴422使输送辊421绕Y方向的旋转轴旋转。
图5是载体输送单元41的驱动单元413以及掩模输送单元42的驱动单元423的详细图。在本实施方式中,为了避免在对准时输送辊411与基板载体100干涉,输送辊411构成为能够在Y方向上位移。具体而言,构成为通过滑动机构414使驱动单元413、驱动轴412以及输送辊411能够一体地在Y方向上位移。通过该位移,输送辊421能够在实线所示的输送位置和避免与基板载体100的干涉的比输送位置靠外侧的退避位置之间变更位置。
驱动单元413包括马达413a作为其驱动源,马达413a的输出轴与驱动轴412连结。通过将驱动源配置在腔室40的外部,能够减少腔室40内的颗粒的产生。通过马达413a的驱动而使输送辊411旋转。驱动轴412通过形成于腔室40的侧壁的开口部40d而在腔室40的内外延伸设置。为了将开口部40d相对于腔室40外的环境密封,在驱动单元413与腔室40的侧壁之间设置有密封构造413b。密封构造413b包括能够在Y方向上伸缩的筒状且波纹状的密封构件。
驱动单元423包括马达423a作为其驱动源,马达423a的输出轴与驱动轴422连结。通过将驱动源配置在腔室40的外部,能够减少腔室40内的颗粒的产生。通过马达423a的驱动而使输送辊421旋转。驱动轴422通过形成于腔室40的侧壁的开口部40e而在腔室40的内外延伸设置。输送辊421不同于输送辊411,不需要其位移。因此,驱动单元423的位置是固定的位置。在开口部40e插入有驱动单元423的衬套部,相对于腔室40外的环境密封。
回到图3和图4。载体导向单元43进行导向,以避免由载体输送单元41输送的基板载体100的位置在Y方向上偏移。在本实施方式的情况下,载体导向单元43在Y方向上分离地设置有两组,通过这两组的载体导向单元43,规定基板载体100的输送路径的Y方向的宽度。
各载体导向单元43包括多个限制单元431和多个移动单元434。多个限制单元431沿着X方向分离地配置,在基板载体100的输送中,限制相对于输送方向(X方向)的基板载体100的宽度方向(在本实施方式的情况下为Y方向)的位置。在本实施方式的情况下,限制单元431包括导辊432和将导辊432支承为绕Z方向的轴旋转自如的支承构件433。导辊432具有与基板载体100的侧部相向的周面,自由旋转自如地支承于支承构件433。当基板载体100斜行时,基板载体100与导辊432抵接,从而基板载体100的Y方向的位置被限制。导辊432在X方向上位于与卡合部101、臂构件60错开的位置。
若基板载体100与导辊432之间的间隙过大,则基板载体100的输送精度变差,若间隙过小,则基板载体100与导辊432的干涉频发而容易产生颗粒。移动单元434是使限制单元431在基板载体100的宽度方向(在本实施方式的情况下为Y方向)上移动而能够变更其位置的单元。通过移动单元434,调节限制单元431的位置,从而能够适当地设定位于Y方向的适当的位置的基板载体100与导辊432之间的间隙。
本实施方式的移动单元434包括驱动轴435和驱动单元436。驱动轴435在Y方向上延伸设置,将限制单元431和驱动单元436连接。驱动单元436包括使驱动轴435与限制单元431一起在Y方向上移动的致动器。详细情况将后述。
掩模导向单元44进行导向,以避免由掩模输送单元42输送的掩模M的位置在Y方向上偏移。在本实施方式的情况下,掩模导向单元44在Y方向上分离地设置有两组,通过这两组掩模导向单元44,规定掩模M的输送路径的Y方向的宽度。
此外,在本实施方式中,在对准后,保持有基板G的基板载体100重叠在掩模M上,基板载体100除了基板G之外还保持掩模M。基板G、掩模M以及基板载体100的层叠体(参照图2)在对准装置113中由输送单元42输送,通过掩模导向单元44限制Y方向的位置。
各掩模导向单元44包括多个限制单元441和多个移动单元444。多个限制单元441沿着X方向分离地配置,在基板载体100的输送中,限制相对于输送方向(X方向)的基板载体100的宽度方向(在本实施方式的情况下为Y方向)的位置。在本实施方式的情况下,限制单元441包括导辊442和将导辊442支承为绕Z方向的轴旋转自如的支承构件443。导辊442具有与掩模M的侧部相向的周面,自由旋转自如地支承于支承构件443。如图4所示,导辊442的列沿着X方向,且在Y方向上分离地配置有两列。当掩模M斜行时,掩模M与导辊442抵接,从而掩模M的Y方向的位置被限制。
若掩模M与导辊442之间的间隙过大,则掩模M的输送精度变差,若间隙过小,则掩模M与导辊442的干涉频发而容易产生颗粒。移动单元444是使限制单元441在掩模M的宽度方向(在本实施方式的情况下为Y方向)上移动而能够变更其位置的单元。通过移动单元444,调节限制单元441的位置,从而能够适当地设定位于Y方向的适当的位置的掩模M与导辊442之间的间隙。
另外,移动单元444能够分别独立地控制。即,能够独立地进行各导辊442相对于掩模M的侧面的位置调整。在掩模M的预对准中,使限制单元441移动而将掩模M在宽度方向(在本实施方式的情况下为Y方向)上定位,但此时,如图10所示,将成为掩模M的基准位置的单侧列的导辊442(位置固定的导辊)的X方向上的最前方及最后方的导辊442-A配置在与剩余的导辊442相比在Y方向上靠近掩模M的侧面距离t(例如比其他辊突出0.5mm的位置)的位置。由此,在后述的掩模M向基准位置的推压时掩模M的姿势稳定。该距离t(突出量)根据掩模M的尺寸、要求精度等而适当调整。关于这些预对准动作将后述。
本实施方式的移动单元444包括驱动轴445和驱动单元446。驱动轴445在Y方向上延伸设置,将限制单元441和驱动单元446连接。驱动单元446包括使驱动轴445与限制单元441一起在Y方向上移动的致动器。详细情况将后述。
掩模支承单元45在基于移动单元444的掩模M的移动时(掩模M的预对准时)从掩模M的下方支承掩模M。掩模支承单元45具备能够在基于移动单元444的掩模M的移动方向(Y方向)上旋转的旋转体451和将旋转体451支承为能够自由旋转的支承构件452。在本实施方式的情况下,旋转体451是能够绕Y方向的轴旋转的辊。但是,旋转体451也可以是被支承为在任意的方向上自由旋转自如的球体(球形辊等)。
在支承有掩模M时,抑制因掩模M的自重而导致的旋转体451的弹性变形在减少掩模M与旋转体451的接触面积来防止颗粒的产生这点上有利。在这一点上若旋转体451的周面由比掩模M硬的材料形成则有利。例如,旋转体451可以以不锈钢为母材,在表面施加DLC涂层。母材也可以是硬度比不锈钢硬的材料。
掩模支承单元45在Y方向上分离地设置有两组。在各组中,支承构件452可以相对于一个旋转体451设置一个,也可以相对于两个旋转体451设置一个。如图4所示,在本实施方式中设置有合计四个旋转体451,四个旋转体构成了在X方向上分离的两列的辊列。
升降单元46使掩模支承单元45在支承位置和退避位置之间升降。图3示出了掩模支承单元45位于退避位置的状态。升降单元46的详细情况将后述。
掩模保持单元47在对准动作中保持进行了预对准的掩模M。掩模保持单元47具备保持台47和支承保持台47的支承构件472。保持台47例如通过磁性吸附或夹紧机构来保持掩模M。升降单元48使掩模保持单元47在保持位置和退避位置之间升降。图3示出了掩模保持单元47位于退避位置的状态。升降单元48的详细情况将后述。
接着,对准单元6是在输送空间40a内进行保持于基板载体100的基板G与掩模M在X-Y平面的对位、并使基板载体100下降到掩模M上而使掩模M也保持于基板载体100的机构。
对准单元6具备使基板载体100在输送空间40a内升降的升降单元6A、使升降单元6A在X-Y平面上移动的移动单元6B、以及多个测量单元65。升降单元6A包括在Z方向上延伸设置的多个臂构件60、支承多个臂构件60的升降台62、以及使升降台62升降的驱动单元63。
多个臂构件60在X方向及Y方向上分离地配置,经由形成于腔室40的顶壁的开口部40b而在腔室40的内外延伸设置。为了将开口部40b相对于装置外的环境密封,在臂构件60与腔室40的顶壁之间设置有密封构造60a。密封构造60a包括能够在X方向上伸缩的筒状且波纹状的密封构件。
臂构件60在其下端部具有爪状的卡合部60a。卡合部60a从下方与形成于基板载体100的侧部的卡合部101抵接,从而成为基板载体100载置于多个臂构件60的卡合部60a的状态。
驱动单元63例如具有滚珠丝杠机构,沿着滚珠丝杠轴63a使升降台62升降。通过升降台62的升降,能够使载置于多个臂构件60的卡合部60a的基板载体100升降。
移动单元6B经由多个支柱64与驱动单元63连接,通过使驱动单元63在X方向、Y方向、θ方向上位移而能够使整个升降单元6A,也就是说,能够使基板载体100在X方向、Y方向、θ方向上位移。移动单元6B例如包括固定于腔室40的底板、位于底板的上方并立设有多个支柱64的可动板、配置在底板与可动板之间并使可动板相对于底板位移的多个致动器。
多个测量单元65测量保持于基板载体100的基板G和掩模M的位置偏移。本实施方式的测量单元65是拍摄图像的拍摄装置(相机),经由形成于腔室40的顶壁的透过部40c对输送空间40a内的基板G和掩模M进行拍摄。在基板G和掩模M分别形成有对准标记,测量单元65对这些对准标记进行拍摄。然后,能够根据基板G和掩模M的各对准标记的位置来运算基板G和掩模M的X方向、Y方向以及θ方向的位置偏移量。
此外,当基板载体100和掩模M在Y方向上斜行地输送时,基板G与掩模M的位置偏移量大,另外,各对准标记有时无法收入到测量单元65的视野内。但是,在本实施方式中,基板载体100和掩模M在由各导向单元43、44限制Y方向的位置的同时进行输送,且掩模M通过后述的预对准进行定位,因此,能够防止基板载体100和掩模M在Y方向上斜行地输送。因此,即使在对准前基板G与掩模M的位置偏移量也小,另外,能够将各对准标记收入到测量单元65的视野内。即,通过提高保持有基板G的基板载体100和掩模M的各输送精度,也能够提高对准精度。
说明对准装置113的对准动作。首先,如图3所示,在配置有臂构件60、输送辊411、限制单元431以及限制单元441的状态下,将保持有基板G的基板载体100和掩模M输送到输送空间40a内,在规定位置停止输送。之后,掩模M通过后述的预对准进行定位,保持在掩模保持单元47的保持台471上。
升降单元6A使臂构件60上升,将基板载体100从输送辊411抬起。输送辊411向退避位置(图5)移动。升降单元6A使臂构件60下降,使基板载体100向基板G接近掩模M的位置下降。
通过多个测量单元65对基板G和掩模M的各对准标记进行测量,运算基板G和掩模M的X方向、Y方向以及θ方向的位置偏移量。根据运算结果来驱动移动单元6B,进行基板G与掩模M的对位。升降单元6A使臂构件60下降,使基板载体100下降以使基板G与掩模M重叠。此外,在掩模M形成有避免与卡合部60a的干涉的凹部,在使臂构件60下降时卡合部60a进入凹部。之后,通过基板载体100来保持掩模M。
将掩模M从掩模保持台471移载到输送辊421之后,使输送辊421旋转,将保持有基板G和掩模M的基板载体100向对准装置113外输送。
<移动单元和升降单元>
对移动单元434以及移动单元444、升降单元46以及升降单元48的结构进行说明。图6是表示载体导向单元43、掩模导向单元44、掩模支承单元45以及掩模保持单元47的周边的构造的说明图。
移动单元434的驱动轴435通过形成于腔室40的侧壁的开口部40f而在腔室40的内外延伸设置。为了将开口部40f相对于腔室40外的环境密封,在驱动轴435与腔室40的侧壁之间设置有密封构造437。密封构造437包括能够在Y方向上伸缩的筒状且波纹状的密封构件。驱动单元436具备电动缸436a,其杆部经由接头部438与驱动轴435连结。通过将作为驱动源的电动缸436a配置在腔室40的外部,能够减少腔室40内的颗粒的产生。接头部438例如是浮动接头,是容许杆部与驱动轴435的位置偏移的接头。电动缸436a能够控制伸缩量。
根据以上的结构,通过调整限制单元431的位置,能够适当地设定位于Y方向的适当的位置的基板载体100与导辊432之间的间隙。此外,在本实施方式中,在Y方向的两侧的各限制单元431分别设置移动单元434而能够调整它们的位置,但也可以使Y方向的一侧的限制单元431的位置固定,仅使另一侧的限制单元431能够调整位置。
移动单元444的驱动轴445通过形成于腔室40的侧壁的开口部40g而在腔室40的内外延伸设置。为了将开口部40g相对于腔室40外的环境密封,在驱动轴445与腔室40的侧壁之间设置有密封构造447。密封构造447包括能够在Y方向上伸缩的筒状且波纹状的密封构件。驱动单元446具备电动缸446a,其杆部经由接头部448与驱动轴445连结。通过将作为驱动源的电动缸436a配置在腔室40的外部,能够减少腔室40内的颗粒的产生。接头部448例如是浮动接头,是容许杆部与驱动轴445的位置偏移的接头。电动缸446a能够控制伸缩量。
根据以上的结构,通过调整限制单元441的位置,能够适当地设定位于Y方向的适当的位置的掩模M与导辊442之间的间隙。此外,在本实施方式中,在Y方向的两侧的各限制单元441分别设置移动单元444而能够调整它们的位置,但也可以使Y方向的一侧的限制单元441的位置固定,仅使另一侧的限制单元441能够调整位置。
升降单元46使掩模支承单元45在图6中实线所示的退避位置(下降位置)和虚线所示的支承位置(上升位置)之间升降。支承位置是在比输送辊421上的位置高的位置支承掩模M的位置,掩模支承单元45在从退避位置向支承位置的上升过程中从输送辊421抬起掩模M。
升降单元46包括驱动单元461、升降轴462、固定于升降轴462的上端部的抵接构件463以及引导构件464。驱动单元461包括成为升降单元46的驱动源的致动器(例如电动缸),使升降轴462在Z方向上移动。通过将升降单元46的驱动源配置在腔室40的外部,能够减少腔室40内的颗粒的产生。
升降轴462通过形成于腔室40的底壁的开口部40h而在腔室40的内外延伸设置。为了将开口部40h相对于腔室40外的环境密封,在升降轴462与腔室40的底壁之间设置有密封构造465。密封构造465包括能够在Y方向上伸缩的筒状且波纹状的密封构件。
抵接构件463是与支承构件452的底面抵接的构件,具有半球形状。虽然也能够采用将升降轴462固定于支承构件452的结构,但通过如本实施方式这样采用仅使半球形状的抵接构件463的球面与支承构件452的底面抵接而不将两者固定的构造,支承构件452在水平方向上不被升降轴462约束。这对于因内部为真空状态或大气压状态而引起的腔室40的变形有利。从耐磨损性的观点出发,抵接构件463例如也可以是淬火后的不锈钢那样较硬的材料。
引导构件464是在腔室40内沿Z方向立设在底壁上的轨道状的构件。支承构件452具有与引导构件464卡合的卡合部,引导掩模支承单元45的Z方向的移动。
升降单元48使掩模保持单元47在图6中实线所示的退避位置(下降位置)和虚线所示的保持位置(上升位置)之间升降。保持位置是在比支承单元45的支承位置稍微高的位置保持掩模M的位置,掩模保持单元47在从退避位置向保持位置的上升过程中从掩模支承单元45抬起掩模M。
升降单元48包括驱动单元481、升降轴482、固定于升降轴482的上端部的抵接构件483以及引导构件484。驱动单元481包括成为升降单元48的驱动源的致动器(例如电动缸),使升降轴482在Z方向上移动。通过将升降单元48的驱动源配置在腔室40的外部,能够减少腔室40内的颗粒的产生。
升降轴482通过形成于腔室40的底壁的开口部40i而在腔室40的内外延伸设置。为了将开口部40i相对于腔室40外的环境密封,在升降轴482与腔室40的底壁之间设置有密封构造485。密封构造485包括能够在Y方向上伸缩的筒状且波纹状的密封构件。
抵接构件483是与支承构件472的底面抵接的构件,具有半球形状。虽然也能够采用将升降轴482固定于支承构件472的结构,但通过如本实施方式这样采用仅使半球形状的抵接构件483的球面与支承构件472的底面抵接而不将两者固定的构造,支承构件472在水平方向上不被升降轴482约束。这对于因内部为真空状态或大气压状态而引起的腔室40的变形有利。
引导构件484是在腔室40内沿Z方向立设在底壁上的轨道状的构件。支承构件472具有与引导构件484卡合的卡合部,引导掩模保持单元47的Z方向的移动。
<预对准>
参照图7的(A)~图8的(C)、图9以及图10对掩模M的预对准动作进行说明。图9是表示掩模M的预对准以及对准动作的流程图,图10是表示导辊442的配置例的图。以下的S1~S12表示图9的流程图的各步骤。
图7的(A)表示掩模M输送至X方向的规定位置(图4的通过止动件49而停止的位置)的状态(图9的S1)。之后,如图7的(B)所示,使掩模支承单元45上升到支承位置,将掩模M从输送辊421向旋转体451移载(图9的S2)。掩模M离开输送辊421。
接下来,如图7的(C)所示,使位于掩模M的Y方向的两侧的限制单元441及移动单元444中的一侧(在图7的(C)的例子中为左侧)的移动单元444驱动,将一侧的限制单元441向掩模M侧移动。另一方的限制单元441的位置以在X方向上排列的状态不动,即处于位置固定的状态。掩模M在Y方向上被朝向图7的(C)中位于右侧的限制单元441推动,进行位置调整。此时,支承掩模M的旋转体451随着掩模M的移动而在Y方向上旋转。通过旋转体451进行旋转,能够防止掩模M发生摩擦和因摩擦导致的颗粒的产生。掩模M与图7的(C)中位于右侧的限制单元441抵接而进行Y方向的定位,进行预对准动作。
另外,此时,为了推压掩模M的单侧列(图10的右侧的列)的导辊442的移动,利用移动单元444的位置控制,将导辊442向掩模M的基准位置推压。此时,也可以检测相反侧的列(图10的左侧的列)的导辊442受到的负荷。检测也可以通过驱动相反侧的列(图10的左侧的列)的导辊442的移动单元444利用负荷控制(使力或转矩输出的控制)来进行。然后,能够以负荷达到目标值的方式(例如在超过阈值时),判定为掩模M被推压到基准位置。此时的相反侧的列(图10的左侧的列)的导辊442受到的负荷可以通过传感器来检测移动单元444所负担的载荷(力或转矩),另外,也可以根据驱动单元446的驱动电流变化来进行检测。
另外,此时,如图10所示,若在成为掩模M的基准位置的、位置固定的单侧列(图10的左侧的列)的导辊442中,仅将X方向上的两端的导辊442-A调整到与其他导辊442相比在Y方向上突出规定量t(在本实施例中为0.5mm)的位置,则对掩模M的两端部进行推压,因此姿势稳定。规定量t能够根据掩模M的尺寸等来选择。负荷的检测对象也可以仅为导辊442-A。
此外,该预对准动作进行至确认对准标记已进入到测量单元65的相机视角内位置为止(图9的S3、S4)。
之后,如图8的(A)所示,使掩模保持单元47上升到与旋转体451相同高度的保持位置以使掩模M不移动(图9的S5),使掩模M处于由旋转体451和掩模保持单元47的保持台471支承的状态(图9的S6)。接下来,如图8的(B)所示,通过对应的移动单元444使位于掩模M的Y方向的两侧的各限制单元441向离开掩模M的方向移动(图9的S7)。由此,防止因掩模M的侧面与限制单元441摩擦而导致的颗粒的产生。
然后,如图8的(C)所示,通过升降单元46使掩模支承单元45下降到退避位置,使该旋转体451离开掩模M,掩模M成为由保持台471保持的状态(图9的S8)。
这样,掩模M的预对准完成。之后,通过对准装置113的对准单元6,进行基板G与掩模M的对准(图9的S9),在保持台471上基板G和基板载体100重叠于掩模M,掩模M保持于基板载体100(图9的S10)。解除掩模保持单元47对掩模M的保持并使掩模保持单元47下降到退避位置(图9的S11),在该过程中掩模M移载到输送辊421。移载后,使输送辊421旋转,能够将保持有基板G和掩模M的基板载体100送出(图9的S12)。
如以上这样,在本实施方式中,能够在掩模M的输送路径上进行其定位(预对准),能够连续地进行掩模M的定位和输送。因此,能够提高作业效率。另外,掩模M的Y方向的定位在使掩模M离开输送辊421的状态下进行,且以掩模M由旋转体451支承的方式进行,因此,能够避免掩模M产生摩擦。
<输送装置的其他结构例>
在图3~图8的(C)的例子中,说明了对准装置113中的输送装置4,但输送装置4的结构也能够应用于其他装置或腔室。另外,作为设为预对准的对象的输送对象物,例示了掩模M,但也能够应用于基板G。
在图3~图8的(C)的例子中,采用了使输送辊421的Z方向的位置固定而使旋转体451在Z方向上升降的结构,但相反,也可以采用使旋转体451的Z方向的位置固定而使输送辊421在Z方向上升降的结构。同样地,采用了使输送辊421的Z方向的位置固定而使掩模保持台471在Z方向上升降的结构,但相反,也可以采用使掩模保持台471的Z方向的位置固定而使输送辊421在Z方向上升降的结构。
在图3~图8的(C)的例子中,在预对准时,仅使相对于掩模M位于Y方向的两侧的限制单元441中的一侧的限制单元441移动,但也可以使两侧的限制单元441向相互靠近的方向移动。
另外,相对于一个移动单元434的限制单元431的数量可以为一个,也可以为多个。在多个的情况下,该多个限制单元431通过一个移动单元434同时移动。同样地,相对于一个移动单元444的限制单元441的数量可以为一个,也可以为多个。在多个的情况下,该多个限制单元441通过一个移动单元444同时移动。
<电子器件>
下面,说明电子器件的一例。以下,作为电子器件的例子,例示有机EL显示装置的结构。
首先,对要制造的有机EL显示装置进行说明。图11的(A)是有机EL显示装置500的整体图,图11的(B)是表示1个像素的截面构造的图。
如图11的(A)所示,在有机EL显示装置500的显示区域51呈矩阵状地配置有多个具备多个发光元件的像素52。详细情况之后说明,但发光元件分别具有具备被一对电极夹持的有机层的构造。
此外,在此所说的像素是指,能够在显示区域51显示所期望的颜色的最小单位。在彩色有机EL显示装置的情况下,由显示互不相同的发光的第1发光元件52R、第2发光元件52G、第3发光元件52B这多个副像素的组合构成像素52。像素52往往由红色(R)发光元件、绿色(G)发光元件以及蓝色(B)发光元件这3种副像素的组合构成,但不限定于此。像素52只要包含至少1种副像素即可,优选包含2种以上的副像素,更优选包含3种以上的副像素。作为构成像素52的副像素,例如也可以是红色(R)发光元件、绿色(G)发光元件、蓝色(B)发光元件以及黄色(Y)发光元件这4种副像素的组合。
图11的(B)是图11的(A)的A-B线的局部剖视示意图。像素52具有由在基板53上具备第1电极(阳极)54、空穴传输层55、红色层56R·绿色层56G·蓝色层56B中的任一个、电子传输层57以及第2电极(阴极)58的有机EL元件构成的多个副像素。其中,空穴传输层55、红色层56R、绿色层56G、蓝色层56B、电子传输层57相当于有机层。红色层56R、绿色层56G、蓝色层56B分别形成为与发出红色、绿色、蓝色的发光元件(有时也记述为有机EL元件)对应的图案。
另外,第1电极54按照每个发光元件分离地形成。空穴传输层55、电子传输层57以及第2电极58可以遍及多个发光元件52R、52G、52B共通地形成,也可以按照每个发光元件形成。即,也可以如图11的(B)所示,空穴传输层55遍及多个副像素区域作为共通的层形成之后红色层56R、绿色层56G、蓝色层56B按照每个副像素区域分离地形成,然后在此之上电子传输层57和第2电极58遍及多个副像素区域作为共通的层形成。
此外,为了防止接近的第1电极54之间的短路,在第1电极54间设置有绝缘层59。并且,由于有机EL层会因水分、氧而劣化,因此,设置有用于保护有机EL元件不受水分、氧的影响的保护层600。
在图11的(B)中用一个层示出了空穴传输层55、电子传输层57,但也可以根据有机EL显示元件的构造,由具有空穴阻挡层、电子阻挡层的多个层形成。另外,也可以在第1电极54与空穴传输层55之间形成具有能带构造的空穴注入层,以能够使空穴从第1电极54顺利地向空穴传输层55注入。同样地,也可以在第2电极58与电子传输层57之间也形成电子注入层。
红色层56R、绿色层56G、蓝色层56B分别可以由单一的发光层形成,也可以通过层叠多个层而形成。例如,也可以将红色层56R由2层构成,将上侧的层由红色的发光层形成,将下侧的层由空穴传输层或电子阻挡层形成。或者,也可以将下侧的层由红色的发光层形成,将上侧的层由电子传输层或空穴阻挡层形成。通过这样在发光层的下侧或上侧设置层,调整发光层中的发光位置,调整光程长度,从而具有提高发光元件的色纯度的效果。
此外,在此示出了红色层56R的例子,但绿色层56G、蓝色层56B也可以采用同样的构造。另外,层叠数也可以为2层以上。并且,可以将发光层和电子阻挡层这样不同材料的层层叠,也可以例如将发光层层叠2层以上等将相同材料的层层叠。
在这样的电子器件的制造中,能够应用上述的成膜装置1,该制造方法能够包括输送基板G的输送工序和通过蒸镀装置114A、114B在输送的基板G上蒸镀各层的至少任一个层的蒸镀工序。
发明不限定于上述实施方式,能够在不脱离发明的精神及范围的情况下进行各种变更及变形。因此,为了公开发明的范围而附上权利要求。

Claims (8)

1.一种输送装置,其特征在于,具备:
腔室,其形成维持为真空的输送空间;
输送部件,其在所述腔室内将输送对象物在输送方向上进行输送;
第一限制部件,其限制相对于所述输送方向的所述输送对象物的宽度方向的一方的位置;
第二限制部件,其限制所述输送对象物的所述宽度方向的另一方的位置;以及
移动部件,其使所述第一限制部件和所述第二限制部件中的至少任一方的限制部件在所述宽度方向上移动,将所述输送对象物在所述宽度方向上进行定位,
所述第一限制部件沿着所述输送方向设置有多个,
所述第二限制部件沿着所述输送方向设置有多个,
所述移动部件具备:
第一移动部件,其使所述第一限制部件在所述宽度方向上移动;以及
第二移动部件,其使所述第二限制部件在所述宽度方向上移动,
在所述输送对象物的定位中,所述第一限制部件和所述第二限制部件中的一方的位置固定,另一方在所述宽度方向上移动,
位置固定的所述一方的限制部件中的位于所述输送方向上的最前方及最后方的限制部件配置在比剩余的限制部件靠近所述输送对象物的位置。
2.根据权利要求1所述的输送装置,其特征在于,
具备在基于所述移动部件的所述输送对象物的移动时支承所述输送对象物的支承部件,
所述支承部件具备能够在基于所述移动部件的所述输送对象物的移动方向上自由旋转的旋转体。
3.根据权利要求2所述的输送装置,其特征在于,
所述输送部件从下方支承并输送所述输送对象物,
具备使所述输送部件或所述支承部件升降的升降部件。
4.根据权利要求3所述的输送装置,其特征在于,
所述移动部件在通过所述升降部件将所述输送对象物从所述输送部件抬起并支承于所述支承部件的状态下,使所述至少任一方的限制部件在所述宽度方向上移动。
5.根据权利要求1所述的输送装置,其特征在于,
对移动的所述另一方的限制部件的移动进行控制,以使位置固定的所述一方的限制部件从所述输送对象物受到的负荷达到目标值。
6.根据权利要求1所述的输送装置,其特征在于,
所述移动部件具备配置在所述腔室的外部的驱动源,
所述输送部件具备配置在所述腔室内的输送辊和配置在所述腔室外的驱动源。
7.根据权利要求1所述的输送装置,其特征在于,
所述输送对象物是与基板重叠的掩模,
所述第一限制部件和所述第二限制部件具备导辊,所述导辊具有与所述掩模的侧部相向的周面。
8.一种成膜装置,所述成膜装置是在基板上进行成膜的直列型的成膜装置,其特征在于,
包括权利要求1~7中任一项所述的输送装置,
所述基板和掩模保持于基板载体,
所述输送装置输送所述掩模。
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Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005116878A (ja) * 2003-10-09 2005-04-28 Toshiba Corp 基板支持方法および基板支持装置
JP2008265995A (ja) * 2007-04-24 2008-11-06 Sharp Corp 基板搬送装置及びこれを用いた基板処理装置
JP2009019243A (ja) * 2007-07-12 2009-01-29 Hitachi Displays Ltd 蒸着方法および蒸着装置
KR20090128765A (ko) * 2008-06-11 2009-12-16 세메스 주식회사 기판 이송 장치 및 그의 사이드 롤러 구동 방법
CN102046840A (zh) * 2008-03-25 2011-05-04 奥宝科技Lt太阳能有限公司 处理装置及处理方法
KR20130053848A (ko) * 2011-11-16 2013-05-24 주식회사 케이씨텍 대면적 기판의 이송장치

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101201702B1 (ko) * 2012-08-22 2012-11-15 에스엔유 프리시젼 주식회사 가이드 롤러 장치
JP2014070242A (ja) 2012-09-28 2014-04-21 Hitachi High-Technologies Corp 真空蒸着装置及び真空蒸着方法
WO2019192679A1 (en) * 2018-04-03 2019-10-10 Applied Materials, Inc. Apparatus and vacuum system for carrier alignment in a vacuum chamber, and method of aligning a carrier

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005116878A (ja) * 2003-10-09 2005-04-28 Toshiba Corp 基板支持方法および基板支持装置
JP2008265995A (ja) * 2007-04-24 2008-11-06 Sharp Corp 基板搬送装置及びこれを用いた基板処理装置
JP2009019243A (ja) * 2007-07-12 2009-01-29 Hitachi Displays Ltd 蒸着方法および蒸着装置
CN102046840A (zh) * 2008-03-25 2011-05-04 奥宝科技Lt太阳能有限公司 处理装置及处理方法
KR20090128765A (ko) * 2008-06-11 2009-12-16 세메스 주식회사 기판 이송 장치 및 그의 사이드 롤러 구동 방법
KR20130053848A (ko) * 2011-11-16 2013-05-24 주식회사 케이씨텍 대면적 기판의 이송장치

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