CN115477939A - 有机电致发光组合物、有机电致发光器件以及包含其的显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种有机电致发光组合物、有机电致发光器件以及包含其的显示装置。所述有机电致发光组合物包含：第一主体材料，选自如下式I所示的N型有机半导体材料：第二主体材料，选自P型有机半导体材料。该技术方案可以至少解决磷光器件中Dexter能量传递较多、TTA和TPQ的发生，从而导致大电流密度下效率滚降严重的问题。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域。更具体地，涉及一种有机电致发光组合物、有机电致发光器件以及包含其的显示装置。
背景技术
目前的磷光器件，发光层为主体和磷光客体的组合，其中主体材料为空穴型主体(P型)和电子型主体的组合，P型主体和N型主体可以形成激基复合物。在电致激发下，电子和空穴在主体上复合形成激子，激子从主体通过能量传递到磷光客体(Dopant)上，然后再通过Dopant辐射跃迁发光。因此主体材料的选择，对于提高器件性能至关重要，尤其是对于降低效率滚降(Roll-off)方面。
首先，主体材料的选择影响主体向Dopant的能量传递效率。激基复合物主体由于其较小的ΔEst，三线态(T1)激子能够通过反向系间窜越到单线态(S1)，从而通过Forster能量传递到磷光客体，抑制主客体的Dexter能量传递。目前，主体材料多数为较平面的结构，这会导致反向系间穿越(RISC)过程不充分，Dexter能量传递较多。
其次，主体材料的选择影响空穴和电子的传输平衡和复合区域。磷光器件体系的激子复合区域集中在Prime侧，容易导致TTA和TPQ的发生，从而导致大电流密度下效率滚降严重。
优化载流子传输平衡，使激子复合区域被拓宽并向发光层移动
发明内容
基于以上事实，本发明提供一种有机电致发光组合物、有机电致发光器件以及包含其的显示装置，可以至少解决磷光器件中Dexter能量传递较多、TTA和TPQ的发生，从而导致大电流密度下效率滚降严重的问题。
第一方面，本发明提供一种有机电致发光组合物，包含：
第一主体材料，选自如下式I所示的N型有机半导体材料：
其中：
X1、X2和X3独立的选自CR9或N，且至少有一个为N；
Y1和Y2独立的选自单键、H、O、S、Se、C＝O、S(＝O)2、CR10R11、SiR10R11、NR10、PR10、P(＝O)R10、BR10中的任意一种；
A1、A2、A3、A4独立的选自经取代或未经取代的芳香环、经取代或未经取代的芳香杂环、经取代或未经取代的芳香稠杂环；
R1、R2、R3、R4、R9、R10、R11各自独立的选自氢、氚、卤素原子、腈基、硝基、羟基、羰基、酯基、酰亚胺级、酰胺基、经取代或未经取代的烷基、经取代或未经取代的环烷基、经取代或未经取代的烷氧基、经取代或未经取代的芳氧基、经取代或未经取代的烷基硫基、经取代或未经取代的芳基硫基、经取代或未经取代的烷基磺酰基、经取代或未经取代的芳基磺酰基、经取代或未经取代的稀基、经取代或未经取代的甲硅烷基、经取代或未经取代的硼基、经取代或未经取代的胺基、经取代或未经取代的芳基膦基、经取代或未经取代的氧化磷基、经取代或未经取代的芳基、经取代或未经取代的杂芳基、经取代或未经取代的杂环基，且其可选择的与相邻基团键合以形成环；
n1选自0-3的整数，n2-n4独立的选自0-4的整数；
L1、L2、L3各自独立的选自单键、取代或未取代的碳原子数1-30的烷基链、取代或未取代的碳原子数6-30的亚芳基、取代或未取代的碳原子数6-30的亚杂芳基；
Ar选自取代或未取代的芳基、取代或未取代的杂芳基；
第二主体材料，选自P型有机半导体材料。
可选地，当在电或光的作用下时，所述N型有机半导体材料与P型有机半导体材料形成激基复合物，所述
可选地，所述P型有机半导体材料的结构中含有吲哚稠合的给电子基团。
可选地，所述P型有机半导体材料具有如下式II所示的结构：
其中：
A3和A4独立的选自经取代或未经取代的芳香环、经取代或未经取代的芳香杂环、经取代或未经取代的芳香稠杂环；
R5、R6、R7、R8各自独立的选自氢、氚、卤素原子、腈基、硝基、羟基、羰基、酯基、酰亚胺级、酰胺基、经取代或未经取代的烷基、经取代或未经取代的环烷基、经取代或未经取代的烷氧基、经取代或未经取代的芳氧基、经取代或未经取代的烷基硫基、经取代或未经取代的芳基硫基、经取代或未经取代的烷基磺酰基、经取代或未经取代的芳基磺酰基、经取代或未经取代的稀基、经取代或未经取代的甲硅烷基、经取代或未经取代的硼基、经取代或未经取代的胺基、经取代或未经取代的芳基膦基、经取代或未经取代的氧化磷基、经取代或未经取代的芳基、经取代或未经取代的杂芳基、经取代或未经取代的杂环基，且其可选择的与相邻基团键合以形成环；
n5-n8独立的选自0-4的整数。
可选地，所述P型有机半导体材料的结构中还含有立体的烷基类取代基。
可选地，所述N型有机半导体材料与P型有机半导体材料的质量比为2:8-8:2。
可选地，所述N型有机半导体材料的重组能为0.16-0.40之间；所述P型有机半导体材料的重组能为0.10-0.30之间。
可选地，所述N型有机半导体材料的HOMO能级与所述P型有机半导体材料的LUMO能级差值的绝对值在2.3eV-3.3eV之间。
可选地，所述P型有机半导体材料的T1能级在1.8eV-2.7eV之间。
可选地，所述N型有机半导体材料的T1能级在1.9eV-2.8eV之间。
可选地，所述激基复合物的ΔEst在0-0.25eV之间。
第二方面，本发明提供一种有机电致发光器件，所述有机电致发光器件中的至少一层功能层含有如上第二方面提供的有机电致发光组合物。
可选地，所述功能层为主体层，所述主体层中包含主体材料和客体材料；其中，所述主体材料由所述有机电致发光组合物组成。
第三方面，本发明提供一种显示装置，包括如上第三方面提供的有机电致发光器件。
本发明的有益效果如下：
本发明提供的有机电致发光组合物中，N型有机半导体材料的结构中在吸电子基上相连至少两个大立体结构金刚烷和螺环类；P型有机半导体材料具有吲哚稠合的给电子基团，这种特殊结构的搭配可以增大前线轨道间的距离，从而使形成的激基复合物具有小的ΔEst，较高的RISC，同时立体结构的引入可以抑制Dexter能量传递，加强Forster能量传递，从而降低三线态激子浓度，减少三线态-三线态激子湮灭(TTA)，和三线态-极化子猝灭(TPQ)，来改善使用其的有机电致发光器件的效率Roll off。此外，本发明组合物中，在N型主体吸电子基团上引入的两个独特的大立体结构，可以有效的降低分子的共轭性，从而降低磷光有机电致发光器件主体的电子迁移率，电子迁移率的降低可以调节激子复合区域向发光层内部移动，拓宽激子复合区域，从而减少发光层和Prime界面的电荷和激子堆积，减少TTA和TPQ，来进一步改善效率Roll off，提升器件效率。
附图说明
下面结合附图对本发明的具体实施方式作进一步详细的说明。
图1示出发明人的某个技术方案及本申请实施例有机电致发光器件发光层中能量传递示意图。
图2示出发明人的某个有机电致发光器件方案中激子密度与距离Prime侧距离的关系。
图3示出空穴传输能量转变示意图。
图4示出激基复合物HOMO分布片段平面与LUMO分布片段平面之间的距离示意图。
具体实施方式
为了更清楚地说明本发明，下面结合优选实施例和附图对本发明做进一步的说明。附图中相似的部件以相同的附图标记进行表示。本领域技术人员应当理解，下面所具体描述的内容是说明性的而非限制性的，不应以此限制本发明的保护范围。
针对发光层为双主体和磷光客体的组合的磷光器件的方案存在效率滚降的问题，本实施例提供了一种有机电致发光组合物、有机电致发光器件以及包含其的显示装置。
本发明的一个实施例提供一种有机电致发光组合物，包含：
第一主体材料，选自具有如下式I所示的结构的N型有机半导体材料：
其中：
X1、X2和X3独立的选自CR9或N，且至少有一个为N；
Y1和Y2独立的选自单键、H、O、S、Se、C＝O、S(＝O)2、CR10R11、SiR10R11、NR10、PR10、P(＝O)R10、BR10中的任意一种；
A1、A2、A3、A4独立的选自经取代或未经取代的芳香环、经取代或未经取代的芳香杂环、经取代或未经取代的芳香稠杂环；
R1、R2、R3、R4、R9、R10、R11各自独立的选自氢、氚、卤素原子、腈基、硝基、羟基、羰基、酯基、酰亚胺级、酰胺基、经取代或未经取代的烷基、经取代或未经取代的环烷基、经取代或未经取代的烷氧基、经取代或未经取代的芳氧基、经取代或未经取代的烷基硫基、经取代或未经取代的芳基硫基、经取代或未经取代的烷基磺酰基、经取代或未经取代的芳基磺酰基、经取代或未经取代的稀基、经取代或未经取代的甲硅烷基、经取代或未经取代的硼基、经取代或未经取代的胺基、经取代或未经取代的芳基膦基、经取代或未经取代的氧化磷基、经取代或未经取代的芳基、经取代或未经取代的杂芳基、经取代或未经取代的杂环基，且其可选择的与相邻基团键合以形成环；
n1选自0-3的整数，n2-n4独立的选自0-4的整数；
L1、L2、L3各自独立的选自单键、取代或未取代的碳原子数1-30的烷基链、取代或未取代的碳原子数6-30的亚芳基、取代或未取代的碳原子数6-30的亚杂芳基；
Ar选自取代或未取代的芳基、取代或未取代的杂芳基；
第二主体材料，选自P型有机半导体材料。
本实施例中有机电致发光组合物中，通过对主体材料分子设计，控制激基复合物的HOMO与LUMO之间间距，增大激基复合物主体的前线轨道距离，降低N型组分电子迁移率，以提高有机电致发光器件中能量传递效率，优化载流子传输平衡，调节激子复合区域，使激子复合区域被拓宽并向发光层移动，从而减少TTA和TPQ，改善使用其的磷光有机电致发光器件中出现的效率滚降的现象。
如图1所示，在发明人的某个技术方案中，P型有机半导体材料主体和N型有机半导体材料主体不含有较大立体片段，如金刚烷、螺芴、螺氧杂蒽等，分子平面性较好，形成激基复合物后HOMO与LUMO的距离较近，ΔEst较大，不利于激基复合物主体的反向系间穿越，主体到客体Dexter能量传递较多；本实施例中，通过在主体上引入大立体结构，尤其是在N型有机半导体材料主体上同时引入金刚烷和螺环结构，可以增加激基复合物主体HOMO与LUMO的间距r，从而减小ΔEst，抑制主客体间的Dexter能量传递，加强Forster能量传递，从而降低三线态激子密度，降低TTA和TPQ效应，改善效率滚降。
附图2示出了上述发明人的某个技术方案中有机电致发光器件中激子密度与距离Prime侧距离的关系。图中，横坐标为距离Prime侧的距离，单位是
纵坐标为激子密度，(发光层往阳极侧相邻的是Prime层，发光层往阴极侧相邻的是HBL)，此图说明发明人的该有机电致发光器件的技术方案中，距离Prime大于
以后激子密度极低，激子大多分布在发光层靠近Prime层那
中(发光层
)，激子复合区域为发光层靠近Prime侧，所以此时在N型有机半导体材料中引入大立体结构来降低共轭，降低电子迁移率，可以平衡载流子，使激子复合区域向发光层内部移动，从而降低TTA和TPQ，改善效率滚降。
在一些实施方式中，当在电或光的作用下时，所述N型有机半导体材料与P型有机半导体材料形成激基复合物，所述
在一些实施方式中，所述N型有机半导体材料具有如下式之一所示的结构：
在一些实施方式中，所述P型有机半导体材料的结构中含有吲哚稠合的给电子基团。
在一些具体实施方式中，所述P型有机半导体材料具有如下式II所示的结构：
其中：
A3和A4独立的选自经取代或未经取代的芳香环、经取代或未经取代的芳香杂环、经取代或未经取代的芳香稠杂环；
R5、R6、R7、R8各自独立的选自氢、氚、卤素原子、腈基、硝基、羟基、羰基、酯基、酰亚胺级、酰胺基、经取代或未经取代的烷基、经取代或未经取代的环烷基、经取代或未经取代的烷氧基、经取代或未经取代的芳氧基、经取代或未经取代的烷基硫基、经取代或未经取代的芳基硫基、经取代或未经取代的烷基磺酰基、经取代或未经取代的芳基磺酰基、经取代或未经取代的稀基、经取代或未经取代的甲硅烷基、经取代或未经取代的硼基、经取代或未经取代的胺基、经取代或未经取代的芳基膦基、经取代或未经取代的氧化磷基、经取代或未经取代的芳基、经取代或未经取代的杂芳基、经取代或未经取代的杂环基，且其可选择的与相邻基团键合以形成环；
n5-n8独立的选自0-4的整数。
该P型有机半导体材料具有高的空穴迁移率，且在主体材料上引入大立体结构可以增加前线轨道的距离，减小形成的激基复合物的ΔEst，抑制主客体间的Dexter能量传递，加强Forster能量传递，从而降低三线态激子密度，降低三线态-三线态激子湮灭(TTA)和三线态-极化子猝灭(TPQ)效应，改善效率滚降。
在又一些实施方式中，所述P型有机半导体材料的结构中还含有立体的烷基类取代基。
在一些实施方式中，所述P型有机半导体材料具有如下式之一所示的结构：
在一些实施方式中，所述N型有机半导体材料与P型有机半导体材料的质量比为2:8-8:2。示例性的，两者的质量比包括但不限于3:7-7:3、4:6-6:4、5:5等。
在Marcus理论中，电荷转移速率K为：
其中，ΔG0为反应自由能的变化，对蛙跳模型，ΔG0＝0；V称为传输积分或电荷转移积分；λ称为重组能，即ROE(reorganization energy))，重组能包含内重组能和外重组能两部分，但在晶体和无定型薄膜的载流子传输过程中，外重组能很小可忽略，本文所述λ和ROE均为内重组能；
λ的计算：
①空穴传输
如图3所示，λhole＝λ(Ⅰ)+λ(II)＝(E3-E1)+(E2-E4)，
其中，在中性状态结构下算中性状态的能量E1，在中性状态结构下算阳离子状态的能量E2，在阳离子状态结构下算中性状态的能量E3，在阳离子状态结构下算阳离子状态的能量E4；
②电子传输
与空穴传输同理，λelectron＝λ(III)+λ(IV)＝(E6-E1)+(E5-E7)；
其中，在中性状态结构下算中性状态的能量E1，在中性状态结构下算阴离子状态的能量E5，在阴离子状态结构下算中性状态的能量E6，在阴离子状态结构下算阴离子状态的能量E7；
由Marcus理论可知，重组能λ越小则K越大，故进行OLED材料分子设计时希望获得小的λ，同时要考虑电荷传输的平衡，因此要根据器件综合考虑发光层材料的ROE。
在一些实施方式中，所述N型有机半导体材料的重组能ROE为0.16-0.40之间；所述P型有机半导体材料的重组能ROE为0.10-0.30之间。
在一些实施方式中，所述N型有机半导体材料的HOMO能级与所述P型有机半导体材料的LUMO能级差值的绝对值在2.3eV-3.6eV之间。
在一些实施方式中，所述P型有机半导体材料的T1能级在1.8eV-2.7eV之间。
在一些实施方式中，所述N型有机半导体材料的T1能级在1.9eV-2.8eV之间。
在一些实施方式中，所述激基复合物的ΔEst在0-0.25eV之间。
本发明的又一个实施例提供一种有机电致发光器件，所述有机电致发光器件中的至少一层功能层含有如上所述的有机电致发光组合物。
在一些实施方式中，所述功能层为主体层，所述主体层中包含主体材料和客体材料；其中，所述主体材料由所述有机电致发光组合物组成。
本公开中的有机电致发光器件为磷光器件。
本发明的又一个实施例提供一种显示装置，该显示装置中包含如上实施例中所述的有机电致发光器件。
以下结合一些具体实施例对本发明的技术方案进行说明：
需要说明的是，如无特殊说明，本实施方式中所用材料均可市售商购获得，下述各实施例及对比例中，用到的一些材料性能如下表1所示。
表1
| 材料 | HOMO/eV | LUMO/eV | S1/eV | T1/eV | ROE |
| N-1 | 5.76 | 2.73 | 2.83 | 2.15 | 0.24 |
| N-9 | 5.85 | 2.82 | 2.87 | 2.18 | 0.25 |
| N-23 | 5.85 | 2.82 | 2.80 | 2.18 | 0.21 |
| N-31 | 5.65 | 2.60 | 2.88 | 2.19 | 0.23 |
| N-com1 | 5.77 | 2.75 | 2.76 | 2.16 | 0.19 |
| P-1 | 5.32 | 2.38 | 3.03 | 2.06 | 0.23 |
| P-9 | 5.33 | 2.37 | 3.00 | 2.26 | 0.24 |
| P-29 | 5.35 | 2.38 | 2.85 | 2.15 | 0.24 |
| P-35 | 5.32 | 2.36 | 3.01 | 2.24 | 0.19 |
| P-com1 | 5.28 | 2.27 | 2.83 | 2.18 | 0.17 |
其中，N-com1与P-com1的结构式如下：
常见激基复合物主体中，激基复合物的HOMO在P型分子上，激基复合物的LUMO在N型分子上，具体到本发明，激基复合物的HOMO电子云分布在P型分子的稠合片段，激基复合物的LUMO电子云主要分布在吖嗪及其邻近片段，HOMO与LUMO的间距r是指：激基复合物HOMO分布片段平面与LUMO分布片段平面之间的距离，具体示意图如图4所示。当在N型或P型分子上引入大立体基团时，有利于增大r，从而有利于减小激基复合物的ΔEst。
下述各实施例及对比例中，发光层中HOMO与LUMO间距如表2所示。
表2
如无特殊说明，本发明实施例中使用的原料均可通过市售或本领域常规技术制备得到，在此不赘述。
各实施例及对比例的有机电致发光器件的结构如下表3所示：
表3
| 编号 | HIL | HTL | EBL | EML | HBL | ETL | EIL |
| 实施例1 | √ | √ | √ | N-1∶P-1(5∶5)∶RD(2％) | √ | √ | √ |
| 实施例2 | √ | √ | √ | N-9∶P-9(5∶5)∶RD(2％) | √ | √ | √ |
| 实施例3 | √ | √ | √ | N-23∶P-29(5∶5)∶RD(2％) | √ | √ | √ |
| 实施例4 | √ | √ | √ | N-31∶P-35(5∶5)∶RD(2％) | √ | √ | √ |
| 实施例5 | √ | √ | √ | N-9∶P-9(4∶6)∶RD(2％) | √ | √ | √ |
| 实施例6 | √ | √ | √ | N-9∶P-9(6∶4)∶RD(2％) | √ | √ | √ |
| 对比例1 | √ | √ | √ | N-com1∶P-1(5∶5)∶RD(2％) | √ | √ | √ |
| 对比例2 | √ | √ | √ | N-1∶P-com1(5∶5)∶RD(2％) | √ | √ | √ |
| 对比例3 | √ | √ | √ | N-com1∶P-com1(5∶5)∶RD(2％) | √ | √ | √ |
其中，上表3中，发光层(EML)中主体材料为N型有机半导体材料和P型有机半导体材料，两者的比例是质量比，RD为客体材料，其添加量是相对于主体材料总质量的百分含量。
其中，上述其他各功能层的材质具体为：
上述有机电致发光器件的制备：
将事先制备好的ITO基板进行清洗并烘干；在阳极上依次开始蒸镀HIL材料，HTL材料，R-Prime(EBL)材料；之后蒸镀EML层材料；在发光层上蒸镀HBL材料，ETL材料，EIL(LiF)材料；之后再蒸镀阴极。
器件结构为：HIL(5nm)/HTL(100nm)/EBL(60nm)/N-1∶P-1∶RD(40nm)/HBL(5nm)/ETL(30nm)/LiF(1nm)/Al(150nm)。
在室温条件下，测试20mA/cm2的电流密度下的IVL(电流-电压-亮度)和寿命特性，LT95是指亮度降低到原亮度95％时所用的时间，测试上述各有机电致发光器件实施例及对比例制备得到的有机电致发光器件的IVL和寿命。
得到的结果如下表4所示。
表4
| 编号 | V | Cd | ClEx | CIEy | LT95 | 效率roll-off |
| 实施例1 | 101％ | 103％ | 0.68 | 0.31 | 102％ | 6.2％ |
| 实施例2 | 102％ | 102％ | 0.68 | 0.31 | 102％ | 6.3％ |
| 实施例3 | 101％ | 104％ | 0.68 | 0.31 | 103％ | 6.0％ |
| 实施例4 | 100％ | 102％ | 0.68 | 0.31 | 101％ | 6.7％ |
| 实施例5 | 101％ | 104％ | 0.68 | 0.31 | 103％ | 6.1％ |
| 实施例6 | 102％ | 101％ | 0.68 | 0.31 | 101％ | 7.1％ |
| 对比例1 | 101％ | 98％ | 0.68 | 0.31 | 100％ | 10.8％ |
| 对比例2 | 102％ | 101％ | 0.68 | 0.31 | 101％ | 9.8％ |
| 对比例3 | 100％ | 100％ | 0.68 | 0.31 | 100％ | 11.3％ |
显然，本发明的上述实施例仅仅是为清楚地说明本发明所作的举例，而并非是对本发明的实施方式的限定，对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动，这里无法对所有的实施方式予以穷举，凡是属于本发明的技术方案所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明的保护范围之列。
Claims (13)
1.一种有机电致发光组合物，其特征在于，包含：
第一主体材料，选自如下式I所示的N型有机半导体材料：
其中：
X1、X2和X3独立的选自CR9或N，且至少有一个为N；
Y1和Y2独立的选自单键、H、O、S、Se、C＝O、S(＝O)2、CR10R11、SiR10R11、NR10、PR10、P(＝O)R10、BR10中的任意一种；
A1、A2、A3、A4独立的选自经取代或未经取代的芳香环、经取代或未经取代的芳香杂环、经取代或未经取代的芳香稠杂环；
R1、R2、R3、R4、R9、R10、R11各自独立的选自氢、氚、卤素原子、腈基、硝基、羟基、羰基、酯基、酰亚胺级、酰胺基、经取代或未经取代的烷基、经取代或未经取代的环烷基、经取代或未经取代的烷氧基、经取代或未经取代的芳氧基、经取代或未经取代的烷基硫基、经取代或未经取代的芳基硫基、经取代或未经取代的烷基磺酰基、经取代或未经取代的芳基磺酰基、经取代或未经取代的稀基、经取代或未经取代的甲硅烷基、经取代或未经取代的硼基、经取代或未经取代的胺基、经取代或未经取代的芳基膦基、经取代或未经取代的氧化磷基、经取代或未经取代的芳基、经取代或未经取代的杂芳基、经取代或未经取代的杂环基，且其可选择的与相邻基团键合以形成环；
n1选自0-3的整数，n2-n4独立的选自0-4的整数；
L1、L2、L3各自独立的选自单键、取代或未取代的碳原子数1-30的烷基链、取代或未取代的碳原子数6-30的亚芳基、取代或未取代的碳原子数6-30的亚杂芳基；
Ar选自取代或未取代的芳基、取代或未取代的杂芳基；
第二主体材料，选自P型有机半导体材料。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光组合物，其特征在于，当在电或光的作用下时，所述N型有机半导体材料与P型有机半导体材料形成激基复合物，所述
3.根据权利要求1所述的有机电致发光组合物，其特征在于，所述P型有机半导体材料的结构中含有吲哚稠合的给电子基团。
4.根据权利要求3所述的有机电致发光组合物，其特征在于，所述P型有机半导体材料具有如下式II所示的结构：
其中：
A3和A4独立的选自经取代或未经取代的芳香环、经取代或未经取代的芳香杂环、经取代或未经取代的芳香稠杂环；
R5、R6、R7、R8各自独立的选自氢、氚、卤素原子、腈基、硝基、羟基、羰基、酯基、酰亚胺级、酰胺基、经取代或未经取代的烷基、经取代或未经取代的环烷基、经取代或未经取代的烷氧基、经取代或未经取代的芳氧基、经取代或未经取代的烷基硫基、经取代或未经取代的芳基硫基、经取代或未经取代的烷基磺酰基、经取代或未经取代的芳基磺酰基、经取代或未经取代的稀基、经取代或未经取代的甲硅烷基、经取代或未经取代的硼基、经取代或未经取代的胺基、经取代或未经取代的芳基膦基、经取代或未经取代的氧化磷基、经取代或未经取代的芳基、经取代或未经取代的杂芳基、经取代或未经取代的杂环基，且其可选择的与相邻基团键合以形成环；
n5-n8独立的选自0-4的整数。
5.根据权利要求3或4所述有机电致发光组合物，其特征在于，所述P型有机半导体材料的结构中还含有立体的烷基类取代基。
6.根据权利要求1所述的有机电致发光组合物，其特征在于，所述N型有机半导体材料与P型有机半导体材料的质量比为2:8-8:2。
7.根据权利要求1所述的有机电致发光组合物，其特征在于，所述N型有机半导体材料的重组能为0.16-0.40之间；所述P型有机半导体材料的重组能为0.10-0.30之间。
8.根据权利要求1所述的有机电致发光组合物，其特征在于，所述N型有机半导体材料的HOMO能级与所述P型有机半导体材料的LUMO能级差值的绝对值在2.3eV-3.6eV之间。
9.根据权利要求1所述的有机电致发光组合物，其特征在于，所述P型有机半导体材料的T1能级在1.8eV-2.7eV之间；所述N型有机半导体材料的T1能级在1.9eV-2.8eV之间。
10.根据权利要求1所述的有机电致发光组合物，其特征在于，所述激基复合物的ΔEst在0-0.25eV之间。
11.一种有机电致发光器件，其特征在于，所述有机电致发光器件中的至少一层功能层含有如权利要求1-10任一项所述的有机电致发光组合物。
12.根据权利要求11所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述功能层为主体层，所述主体层中包含主体材料和客体材料；其中，所述主体材料由所述有机电致发光组合物组成。
13.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求11-12任一项所述的有机电致发光器件。
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