CN115472714A - 不良太阳电池返工方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种不良太阳电池返工方法。该不良太阳电池返工方法包括如下步骤：将太阳电池置于第一清洗液中进行第一清洗，以去除镀铜层，第一清洗液中包括氧化剂和强酸；将太阳电池置于第二清洗液中进行第二清洗，以去除太阳电池中的透明导电膜层，第二清洗液包括强酸和氢氟酸；将太阳电池置于第三清洗液中进行第三清洗，以去除太阳电池中的非晶硅层，第三清洗液包括强碱。该返工方法不仅能够有效去除硅片表面已经形成的各层或掺杂元素，还不会在该硅片表面残留杂质，使其可供重复利用。因此该不良电池的返工方法还能够有效降低由于镀铜不良带来的成本增加的问题，提升一次返工的良率。
Description
技术领域
本发明涉及太阳电池技术领域，尤其涉及一种不良太阳电池返工方法。
背景技术
异质结电池(Heterojunction with Intrinsic Thinfilm，HJT)在近几年得到了突飞猛进的发展。相比于目前作为主流的发射极和背面钝化电池(Passivated Emitterand Rear Cell，PERC)，异质结电池在效率方面更具有优势，但是存在制造成本较高的问题，因而尚未得到大规模商业化应用。
异质结电池的主要成本来自于其表面的双面银浆。为了降低异质结电池的生产成本，目前存在一些使用镀铜来代替导电银浆作为导电电极的技术，其有望使得异质结电池的非硅成本得到大幅下降，进而促进异质结电池的大规模商业化应用。但同时，在通过镀铜的方式制备太阳电池的栅线时，也会带来额外的不良电池片的问题，例如电镀前的包边不良品以及电镀中的显影不良品等，这也会导致成本的增加。现有技术中仍然缺少对于镀铜不良太阳电池的有效且低成本的返工方法。
发明内容
基于此，为了降低由于镀铜带来的电池不良的问题，有必要提供一种不良太阳电池返工方法。
根据本申请的一个实施例，一种不良太阳电池返工方法，太阳电池包括镀铜层，所述返工方法包括如下步骤：
将所述太阳电池置于第一清洗液中进行第一清洗，以去除所述镀铜层，所述第一清洗液中包括氧化剂和强酸；
将所述太阳电池置于第二清洗液中进行第二清洗，以去除所述太阳电池中的透明导电膜层，所述第二清洗液包括强酸和氢氟酸；
将所述太阳电池置于第三清洗液中进行第三清洗，以去除所述太阳电池中的非晶硅层，所述第三清洗液包括强碱。
在其中一个实施例中，所述第一清洗液中包括质量分数为7g/L～40g/L的过氧化氢，所述第一清洗液中包括质量分数为4g/L～20g/L的强酸。
在其中一个实施例中，在将所述太阳电池置于第一清洗液中进行清洗的过程中，将所述太阳电池浸没于所述第一清洗液中保持600s～1200s。
在其中一个实施例中，在将所述太阳电池进行第一清洗液之前，还包括将所述太阳电池置于清洗蓝具以及将所述清洗蓝具浸没于所述第一清洗液中的步骤。
在其中一个实施例中，所述第二清洗液包括质量分数为5％～15％的强酸和质量分数为10％～20％的氢氟酸。
在其中一个实施例中，在将所述太阳电池进行第二清洗时，将所述太阳电池浸没于所述第二清洗液中清洗200s～600s。
在其中一个实施例中，所述第三清洗液包括质量分数为5％～15％的强碱。
在其中一个实施例中，在将所述太阳电池进行第三清洗时，将所述不良电池浸没于所述第三清洗液中清洗200s～600s。
在其中一个实施例中，在对所述太阳电池进行第三清洗之前，还包括将所述太阳置于清洁液中进行清洗的步骤，所述清洁液包括质量分数为5％～10％的强碱和质量分数为5％～10％的过氧化氢。
在其中一个实施例中，在对所述太阳电池进行第二清洗之前，还包括将所述太阳电池置于水中并进行鼓泡清洗的步骤。
在其中一个实施例中，在对所述太阳电池进行第二清洗之后及第三清洗之前，还包括将所述太阳电池置于水中并进行鼓泡清洗的步骤。
于上述实施例提供的不良太阳电池返工方法，采用第一清洗液去除镀铜层、采用第二清洗液去除透明导电膜层以及采用第三清洗液去除非晶硅层，将镀铜不良的太阳电池返工到初始硅片状态，在彻底去除不良镀铜层的同时残留在太阳电池片上的铜离子。该返工方法不仅能够有效去除硅片表面已经形成的各层或掺杂元素，还不会在该硅片表面残留杂质，使其可供重复利用。因此该不良电池的返工方法还能够有效降低由于镀铜不良带来的成本增加的问题，提升一次返工的良率。
上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，并可依照说明书的内容予以实施，以下以本发明的较佳实施例并配合附图详细说明如后。
附图说明
图1为本申请一实施例中待返工的异质结太阳电池的结构示意图；
图2为本申请一实施例中的不良电池的返工方法的步骤示意图。
具体实施方式
为了便于理解本申请，下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的首选实施例。但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本申请的公开内容更加透彻全面。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本申请。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
应当明白，当元件或层被称为“在...上”、“与...相邻”、“连接到”或“耦合到”其它元件或层时，其可以直接地在其它元件或层上、与之相邻、连接或耦合到其它元件或层，或者可以存在居间的元件或层。相反，当元件被称为“直接在...上”、“与...直接相邻”、“直接连接到”或“直接耦合到”其它元件或层时，则不存在居间的元件或层。应当明白，尽管可使用术语第一、第二、第三等描述各种元件、部件、区、层和/或部分，这些元件、部件、区、层和/或部分不应当被这些术语限制。这些术语仅仅用来区分一个元件、部件、区、层或部分与另一个元件、部件、区、层或部分。因此，在不脱离本申请教导之下，下面讨论的第一元件、部件、区、层或部分可表示为第二元件、部件、区、层或部分。
在此使用的术语的目的仅在于描述具体实施例并且不作为本申请的限制。在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也意图包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应明白术语“组成”和/或“包括”，当在该说明书中使用时，确定所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或更多其它的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或组的存在或添加。在此使用时，术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。
本申请的一个实施例提供了一种不良太阳电池的返工方法，太阳电池包括镀铜层，该不良太阳电池的返工方法包括如下步骤：将太阳电池置于第一清洗液中进行第一清洗，以去除镀铜层，第一清洗液中包括氧化剂和强酸；将太阳电池置于第二清洗液中进行第二清洗，以去除太阳电池中的透明导电膜层，第二清洗液包括强酸和氢氟酸；将太阳电池置于第三清洗液中进行第三清洗，以去除太阳电池中的非晶硅层，第三清洗液包括强碱。
传统技术在对镀铜不良的太阳电池返工处理的过程中，总是采用腐蚀去除镀铜层的方法，并将去除镀铜层后的太阳电池片进行补镀。本申请的发明人经过研究后发现，去除镀铜层后进行补镀的方法虽然解决了镀铜层存在的不良问题，但是却往往导致去除镀铜层过程中的铜离子残留在太阳电池片上，进而显著影响太阳电池片的效率。要获得可供重复利用的硅片的主要难点在于需要保证硅片表面不引入新的损伤以及残留新的杂质元素。
该不良电池的返工方法的主要技术构思在于去除附着在不良电池的衬底的正面和背面上的各层，包括本征非晶硅层、掺杂非晶硅层、透明导电膜层和镀铜层，以获得可供重复利用的硅片。于上述实施例提供的不良太阳电池返工方法，采用第一清洗液去除镀铜层、采用第二清洗液去除透明导电膜层以及采用第三清洗液去除非晶硅层，将镀铜不良的太阳电池返工到初始硅片状态，在彻底去除不良镀铜层的同时残留在太阳电池片上的铜离子。该返工方法不仅能够有效去除硅片表面已经形成的各层或掺杂元素，还不会在该硅片表面残留杂质，使其可供重复利用。因此该不良电池的返工方法还能够有效降低由于镀铜不良带来的成本增加的问题，提升一次返工的良率。
上述太阳电池镀铜层的清除方法能够应用于异质结太阳电池的表面镀铜的清除。图1示出了一种异质结太阳电池的结构示意图。参照图1所示，该异质结太阳电池具有衬底110，该异质结太阳电池的衬底110的正面上依次层叠设置有正面本征非晶硅层111、正面掺杂非晶硅层112、正面透明导电膜层113和正面镀铜层114，该异质结太阳电池的衬底的背面上依次层叠设置有背面本征非晶硅层121、背面掺杂非晶硅层122、背面透明导电膜层123和背面镀铜层124。上述太阳电池镀铜层的清除方法能够在不损伤其他各层的情况下去除太阳电池中的正面镀铜层114和背面镀铜层124。其中，衬底110为硅片。
其中，第一清洗液的主要作用是在不损伤硅片衬底以及不在硅片衬底上残留杂质元素的前提下，去除表面的镀铜层。在该实施例的一些具体示例中，第一清洗液中包括质量分数为7g/L～40g/L的过氧化氢，第一清洗液中包括质量分数为4g/L～20g/L的强酸。在该用量范围内的过氧化氢和强酸，能够有效清洗铜种子层及铜离子，确保在完全去除镀铜层的情况下，尽可能减少铜离子的残留。
其中，可选地，第一清洗液中的强酸可选自盐酸、硫酸和硝酸中的一种或多种。例如，第一清洗液中的强酸可选自硫酸。
在该实施例的一些具体示例中，在将太阳电池置于第一清洗液中进行清洗的过程中，将太阳电池浸没于第一清洗液中保持600s～1200s。将太阳电池置于第一清洗液中保持600s～1200s，有助于使得太阳电池表面的镀铜层被有效去除，便于后续其它层的去除。
在该实施例的一个具体示例中，在将太阳电池置于第一清洗液之前，还包括将太阳电池置于清洗蓝具中以及将盛有太阳电池的蓝具置于第一清洗液中的步骤。通过将太阳电池置于蓝具中，能够避免操作人员直接手动接触太阳电池从而对绒面及非晶硅表面造成损伤的情况。
第二清洗液的主要作用是在保证硅片衬底不受损伤的前提下，去除硅片表面的透明导电膜层。通常透明导电膜层的材料可以包括氧化铟锡和掺铝氧化锌等，其能够被第二清洗液较为有效地去除。通过去除透明导电膜层，能够有效解决吸附于透明导电膜层表面的铜离子以及嵌入透明导电膜层中的铜离子，避免铜离子对于太阳电池表面带来的损伤。在该实施例的一个具体示例中，第二清洗液包括质量分数为5％～15％的强酸和质量分数为10％～20％的氢氟酸。
其中，第二清洗液中的强酸可以是无机强酸，具体地，第二清洗液中的强酸可选自盐酸和硫酸中的一种或多种。例如，第二清洗液中的强酸可选自盐酸。
在其中一个具体示例中，在将太阳电池进行第二清洗时，将太阳电池浸没于第二清洗液中清洗200s～600s。
在其中一个具体示例中，在对太阳电池进行第二清洗之前，还包括将去除表面镀铜层后的太阳电池置于水中并进行鼓泡清洗的步骤。鼓泡清洗的作用是去除太阳电池表面残留的药液。
其中，第一清洗和第二清洗之间应该分次进行，使得铜离子残留于透明导电膜层表面，再通过第二清洗去除透明导电膜层，以彻底去除铜离子，防止铜离子残留。
在其中一个具体示例中，在对不良电池进行第二清洗之后及第三清洗之前，还包括将不良电池置于水中并进行鼓泡清洗的步骤。
第三清洗液的主要作用是在保证硅片衬底不受损伤以及不在硅片衬底上残留杂质元素的前提下，去除硅片表面的掺杂非晶硅层和本征非晶硅层。其中的掺杂非晶硅层中带有掺杂元素，在清洗过程中非晶硅层被去除但硼元素可能存在残留。
在其中一些具体示例中，采用包括质量分数为5％～15％的强碱作为第三清洗液，能够在去除非晶硅层的同时去除硼元素等杂质。另外，在实际的操作过程中，第三清洗液可能会进一步与位于本征非晶硅层下的硅片衬底反应，但是这并不会影响到硅片衬底的可重复利用性。
在其中一个具体示例中，第三清洗液中的强碱为金属氢氧化物，具体地，第三清洗液中的强碱可选自氢氧化钠或氢氧化钾。
在其中一个具体示例中，在将太阳电池进行第三清洗时，将不良电池浸没于第三清洗液中清洗200s～600s。
在其中一个具体示例中，在对太阳电池进行第三清洗之前，还包括将太阳电池置于清洁液中进行清洗的步骤，清洁液包括强碱和过氧化氢，强碱的浓度为5％～10％，过氧化氢的浓度为5％～10％。在清洁液中清洗的主要作用是去除不良电池表面附着的油墨等有机污染物。
可选地，清洁液中的强碱可以包括氢氧化钠和氢氧化钾中的一种或两种。
在一些已有的清洗方式中通过常规退火等工艺以修复太阳电池在返工过程中产生的晶格缺陷，但是这种方式无法修复太阳电池在返工过程中太阳电池片表面的损伤。该太阳电池镀铜层的清除方法能够较为有效地避免操作人员对太阳电池可能造成的损伤。
上述不良太阳电池返工方法可以参照如图2示出的步骤S1～S6进行，具体过程如下。
步骤S1，将表面镀铜的太阳电池置于第一清洗液中清洗。
其中，先将不良太阳电池置于用于盛装不良电池的蓝具中，该蓝具应当能够供第一清洗液渗入。
其中，第一清洗液中过氧化氢的质量分数为，硫酸的质量分数为。
其中，在将不良电池置于第一清洗液的过程中，将电池片浸没于第一清洗液中保持600s～1200s。
步骤S2，将去除镀铜层的太阳电池置于水中进行清洗。
其中，在完成第一清洗液的清洗过程之后，可以将第一清洗液从清洗容器中排出，再加入去离子水浸没不良电池，同时鼓入气体，进行鼓泡清洗。
步骤S3，将太阳电池置于第二清洗液中进行第二清洗，将太阳电池置于清洁液中进行清洗。
其中，第二清洗液包括质量分数为5％～15％的强酸和质量分数为10％～20％的氢氟酸。具体地，强酸是盐酸。
其中，在对不良电池进行第二清洗时，将不良电池浸没于第二清洗液中清洗200s～600s。
在进行第二清洗之后，将第二清洗液从清洗容器中排出，再加入清洁液对不良电池进行清洗。
其中，清洁液包括强碱和过氧化氢，强碱的浓度为5％～10％，过氧化氢的浓度为5％～10％。采用清洁液清洗的时长为200s～600s。
可以理解，上述利用第二清洗液进行清洗和利用清洁液进行清洗的先后顺序可以调换，例如先利用清洁液进行清洗，再采用第二清洗液进行清洗。
步骤S4，将太阳电池置于水中进行清洗。
其中，在完成第二清洗和清洁液的清洗过程之后，可以将第二清洗液从清洗容器中排出，再加入去离子水浸没不良电池，同时鼓入气体，进行鼓泡清洗。
步骤S5，将太阳电池置于第三清洗液中进行第三清洗。
其中，第三清洗液包括质量分数为5％～15％的强碱。具体地，强碱是氢氧化钾。
其中，在对不良电池进行第三清洗时，将不良电池浸没于第三清洗液中清洗200s～600s。
步骤S6，将太阳电池置于水中进行水洗。
其中，在完成第三清洗的清洗过程之后，可以将第三清洗液从清洗容器中排出，再加入去离子水浸没不良电池，同时鼓入气体，进行鼓泡清洗。
通过上述步骤S1～S6，可以获得将不良电池返工为可供重复利用的硅片，该硅片后续可以按照正常流程重新制作为太阳电池。
为了便于理解上述实施例中不良电池的返工方法的优点，请参照如下示出的各实施例及对比例。如无特别说明，实施例及对比例中所用的原料可通过市场购买得到。
实施例1
准备镀铜导致不良的异质结太阳电池，插入至清洗花篮中，该太阳电池的硅片厚度为135μm。
将过氧化氢和硫酸加水配制为第一清洗液，控制该第一清洗液中过氧化氢的质量浓度为20g/L，硫酸的质量浓度为10g/L，将第一清洗液加入清洗容器中，将清洗花篮浸没于第一清洗液中清洗900s；排出第一清洗液，加入去离子水进行鼓泡水洗1200s；
将盐酸和氢氟酸加水配制为第二清洗液，控制其中盐酸的质量分数为10％，氢氟酸的质量分数为10％；排出去离子水，加入第二清洗液，将清洗花篮浸没于第二清洗液中600s；排出第二清洗液，加入去离子水进行鼓泡水洗1200s；
将氢氧化钾加水配制为第三清洗液，氢氧化钾的质量分数为10％；排出去离子水，加入第三清洗液，将清洗花篮浸没于第三清洗液中700s；排出第三清洗液，加入去离子水进行鼓泡水洗1200s；
取出最后所得的硅片在氮气环境中烘干。
实施例2
准备镀铜导致不良的异质结太阳电池，插入至清洗花篮中，该太阳电池的硅片厚度为135μm。
将过氧化氢和硫酸加水配制为第一清洗液，控制该第一清洗液中过氧化氢的质量浓度为40g/L，硫酸的质量浓度为20g/L，将第一清洗液加入清洗容器中，将清洗花篮浸没于第一清洗液中清洗900s；排出第一清洗液，加入去离子水进行鼓泡水洗1200s；
将盐酸和氢氟酸加水配制为第二清洗液，控制其中盐酸的质量分数为10％，氢氟酸的质量分数为10％；排出去离子水，加入第二清洗液，将清洗花篮浸没于第二清洗液中600s；排出第二清洗液，加入去离子水进行鼓泡水洗1200s；
将氢氧化钾加水配制为第三清洗液，氢氧化钾的质量分数为10％；排出去离子水，加入第三清洗液，将清洗花篮浸没于第三清洗液中700s；排出第三清洗液，加入去离子水进行鼓泡水洗1200s；
取出最后所得的硅片在氮气环境中烘干。
实施例3
准备镀铜导致不良的异质结太阳电池，插入至清洗花篮中，该太阳电池的硅片厚度为135μm。
将过氧化氢和硫酸加水配制为第一清洗液，控制该第一清洗液中过氧化氢的质量浓度为30g/L，硫酸的质量浓度为10g/L，将第一清洗液加入清洗容器中，将清洗花篮浸没于第一清洗液中清洗900s；排出第一清洗液，加入去离子水进行鼓泡水洗1200s；
将盐酸和氢氟酸加水配制为第二清洗液，控制其中盐酸的质量分数为10％，氢氟酸的质量分数为10％；排出去离子水，加入第二清洗液，将清洗花篮浸没于第二清洗液中600s；将氢氧化钾、过氧化氢加水配制为清洁液，氢氧化钾的质量分数为7％，过氧化氢的质量分数为7％，排出第二清洗液，加入清洁液，将清洗花篮浸没于清洁液中600s；
排出清洁液，加入去离子水进行鼓泡水洗1200s；
将氢氧化钾加水配制为第三清洗液，氢氧化钾的质量分数为10％；排出去离子水，加入第三清洗液，将清洗花篮浸没于第三清洗液中700s；排出第三清洗液，加入去离子水进行鼓泡水洗1200s；
取出最后所得的硅片在氮气环境中烘干。
对比例1
准备镀铜导致不良的异质结太阳电池，插入至清洗花篮中，该太阳电池的硅片厚度为135μm。
将过氧化氢和硫酸加水配制为第一清洗液，控制该第一清洗液中过氧化氢的质量分数为20g/L，硫酸的质量分数为10g/L，将第一清洗液加入清洗容器中，将清洗花篮浸没于第一清洗液中清洗900s；排出第一清洗液，加入去离子水进行鼓泡水洗1200s。
取出所得的硅片在氮气环境中烘干。
只进行表面镀铜的清洗，无法去除在电镀过程中带来的非晶硅损伤、划伤、以及Cu离子去除等问题，无法完全达到返工变废为宝的目的。返工良率大打折扣。
对比例2
准备镀铜导致不良的异质结太阳电池，插入至清洗花篮中，该太阳电池的硅片厚度为135μm。
将过氧化氢和硫酸加水配制为第一清洗液，控制该第一清洗液中过氧化氢的质量分数为20g/L，硫酸的质量分数为10g/L，将第一清洗液加入清洗容器中，将清洗花篮浸没于第一清洗液中清洗900s；排出第一清洗液，加入去离子水进行鼓泡水洗1200s；
将盐酸和氢氟酸加水配制为第二清洗液，控制其中盐酸的质量分数为10％，氢氟酸的质量分数为10％；排出去离子水，加入第二清洗液，将清洗花篮浸没于第二清洗液中600s；排出第二清洗液，加入去离子水进行鼓泡水洗1200s。
取出所得的硅片在氮气环境中烘干。
实验例：取各实施例及对比例最后所得的硅片，随机抽取并进行EDS分析以测试其表面成分，结果如表1，表1中的0表示未检出该元素。
表1：清洗后硅片表面元素分布情况
| 表面元素 | 硅 | 碳 | 硼 | 金属 |
| 实施例1 | 93.05％ | 6.95％ | 0 | 0 |
| 实施例2 | 92.5％ | 7.5％ | 0 | 0 |
| 实施例3 | 90.3％ | 9.7％ | 0 | 0 |
| 对比例1 | 0 | 1.5％ | 0 | 98.5％ |
| 对比例2 | 97.3％ | 2.1％ | 0.6％ | 0 |
参照表1所示，实施例1～实施例3中最终的硅片表面均无硼元素或金属元素残留。对比例1中仅采用了第一清洗液去除镀铜层，其表面残留了大量的金属元素，对比例2中在去除镀铜层后还去除了透明导电膜层，其表面虽然基本无金属残留，但仍存在硼元素残留。并且，在去除透明导电膜层的过程中还会对非晶硅层表面带来损伤，因此对比例2中所得的硅片并不适合重新投入生产。
请注意，上述实施例仅出于说明性目的而不意味对本申请的限制。
应该理解的是，除非本文中有明确的说明，的步骤的执行并没有严格的顺序限制，这些步骤可以以其它的顺序执行。而且，的步骤的至少一部分步骤可以包括多个子步骤或者多个阶段，这些子步骤或者阶段并不必然是在同一时刻执行完成，而是可以在不同的时刻执行，这些子步骤或者阶段的执行顺序也不必然是依次进行，而是可以与其它步骤或者其它步骤的子步骤或者阶段的至少一部分轮流或者交替地执行。
本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可。
以上实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
Claims (10)
1.一种不良太阳电池返工方法，其特征在于，所述太阳电池包括镀铜层，所述返工方法包括如下步骤：
将所述太阳电池置于第一清洗液中进行第一清洗，以去除所述镀铜层，所述第一清洗液中包括氧化剂和强酸；
将所述太阳电池置于第二清洗液中进行第二清洗，以去除所述太阳电池中的透明导电膜层，所述第二清洗液包括强酸和氢氟酸；
将所述太阳电池置于第三清洗液中进行第三清洗，以去除所述太阳电池中的非晶硅层，所述第三清洗液包括强碱。
2.根据权利要求1所述的不良太阳电池返工方法，其特征在于，所述第一清洗液中包括质量分数为7g/L～40g/L的过氧化氢，所述第一清洗液中包括质量分数为4g/L～20g/L的强酸。
3.根据权利要求2所述的不良太阳电池返工方法，其特征在于，在将所述太阳电池置于第一清洗液中进行清洗的过程中，将所述太阳电池浸没于所述第一清洗液中保持600s～1200s。
4.根据权利要求1所述的不良太阳电池返工方法，其特征在于，在将所述太阳电池进行第一清洗液之前，还包括将所述太阳电池置于清洗蓝具以及将所述清洗蓝具浸没于所述第一清洗液中的步骤。
5.根据权利要求1～4任一项所述的不良太阳电池返工方法，其特征在于，所述第二清洗液包括质量分数为5％～15％的强酸和质量分数为10％～20％的氢氟酸。
6.根据权利要求5所述的不良太阳电池返工方法，其特征在于，在将所述太阳电池进行第二清洗时，将所述太阳电池浸没于所述第二清洗液中清洗200s～600s。
7.根据权利要求1～4任一项所述的不良太阳电池返工方法，其特征在于，所述第三清洗液包括质量分数为5％～15％的强碱。
8.根据权利要求7所述的不良太阳电池返工方法，其特征在于，在将所述太阳电池进行第三清洗时，将所述不良电池浸没于所述第三清洗液中清洗200s～600s。
9.根据权利要求1～4任一项所述的不良太阳电池返工方法，其特征在于，在对所述太阳电池进行第三清洗之前，还包括将所述太阳置于清洁液中进行清洗的步骤，所述清洁液包括质量分数为5％～10％的强碱和质量分数为5％～10％的过氧化氢。
10.根据权利要求1～4任一项所述的不良太阳电池返工方法，其特征在于，
在对所述太阳电池进行第二清洗之前，还包括将所述太阳电池置于水中并进行鼓泡清洗的步骤；和/或
在对所述太阳电池进行第二清洗之后及第三清洗之前，还包括将所述太阳电池置于水中并进行鼓泡清洗的步骤。
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