CN115312626A - 太阳电池及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种太阳电池及其制备方法，其中制备方法包括如下步骤：提供具有导电氧化物薄膜的太阳电池基片；利用含有硫酸和过氧化氢的第一药液对导电氧化物薄膜进行氧化清洗；利用含有碱和过氧化氢的第二药液对经过氧化清洗后的导电氧化物薄膜进行碱中和处理；在经碱中和处理后的导电氧化物薄膜上制备电极。本发明的制备方法能够有效去除掉导电氧化物薄膜表面附着的金属颗粒杂质、黄色粉尘、灰尘杂质等，很好地解决物理气相沉积镀膜后电池片表面脏污严重的问题，使电池片表面的洁净度得到提升，同时避免了粉尘和杂质对丝网印刷电极良率的影响，使电池片表面脏污的不良率大幅降低，同时电池片的转换效率也得到一定程度的提升。
Description
技术领域
本发明涉及异质结太阳电池技术领域，特别是涉及一种太阳电池及其制备方法。
背景技术
异质结电池(Hereto-junction with Intrinsic Thin-layer，HJT)，被誉为PERC(Passivated Emitter and Rear Cell)之后最有前景的太阳能电池技术。HJT电池技术有着高效率和高发电量的天然优势，和目前主流的PERC技术相比，HJT电池目前最大的问题是成本较高。
因此，HJT电池产业在持续努力不断提升HJT转换效率的同时，降低制造成本以提升投产性价比已成为首要任务。
在异质结太阳电池片制备过程中，电池片需要经过制绒清洗→CVD(化学气相沉积)镀膜→PVD(物理气相沉积)镀膜→丝网→测试，其制造工艺流程较短，异质结电池片只需要2.5小时的生产周期，较常规PERC电池和TOPCon(Tunnel Oxide Passivated Contact)电池需要8～10小时的生产周期，节省时间较多。
然而，传统生产工艺制备的异质结太阳电池片仍然存在表面脏污不良比例较大、电池片的效率较低的问题。因此，有必要对现有的生产工艺进行进一步改进，以改善电池片表面脏污不良、提高电池片效率。
发明内容
基于此，有必要提供一种能够有效改善太阳电池表面脏污不良、提高电池片效率的太阳电池及其制备方法。
根据本发明的一个方面，提供了一种太阳电池的制备方法，包括如下步骤：
提供具有导电氧化物薄膜的太阳电池基片；
利用含有硫酸和过氧化氢的第一药液对所述导电氧化物薄膜进行氧化清洗；
利用含有碱和过氧化氢的第二药液对经过氧化清洗后的所述导电氧化物薄膜进行碱中和处理；以及
在经所述碱中和处理后的所述导电氧化物薄膜上制备电极。
在其中一些实施例中，所述第一药液主要由质量含量96％～98％的硫酸、质量含量30％～40％的过氧化氢溶液和水按照体积比1：(8～10)：(85～95)混合形成。
在其中一些实施例中，所述氧化清洗，包括如下步骤：
将所述太阳电池基片浸入所述第一药液中，在30℃～50℃温度下清洗50s～120s。
在其中一些实施例中，所述第二药液主要由质量含量35％～45％的氢氧化钠、质量含量30％～40％的过氧化氢溶液和水按照体积比1：(2～5)：(25～30)混合形成。
在其中一些实施例中，所述碱中和处理，包括如下步骤：
将经过氧化清洗后的所述太阳电池基片浸入所述第二药液中，在30℃～40℃温度下清洗30s～50s。
在其中一些实施例中，在所述氧化清洗之后，所述碱中和处理之前，所述制备方法还包括将所述太阳电池基片置于水中进行鼓泡水洗30s～50s的步骤。
在其中一些实施例中，在所述碱中和处理之后，所述制备电极之前，所述制备方法还包括将所述太阳电池基片置于水中在30℃～50℃温度下不鼓泡清洗20s～35s的步骤。
在其中一些实施例中，在所述不鼓泡清洗之后，所述制备电极之前，所述制备方法还包括将所述太阳电池基片依次进行慢提拉脱水和在50℃～65℃下干燥的步骤。
在其中一些实施例中，所述太阳电池基片的制备方法，包括如下步骤：
在单晶硅衬底上形成非晶硅层；以及
在所述非晶硅层上形成所述导电氧化物薄膜。
根据本发明的另一方面，提供了一种太阳电池，所述太阳电池通过本发明上述的太阳电池的制备方法制备得到。
在其中一些实施例中，所述太阳电池包括：
单晶硅衬底；
非晶硅层，设于所述单晶硅衬底的至少一个表面上；
导电氧化物薄膜，设于所述非晶硅层背离所述非晶硅层一侧的表面上；以及
电极，设于所述导电氧化物薄膜背离所述非晶硅层一侧的表面上。
与现有技术相比，本发明具有如下有益效果：
本发明的制备方法通过对具有导电氧化物薄膜的太阳电池基片先利用含有硫酸和过氧化氢的第一药液进行氧化清洗，再利用含有碱和过氧化氢的第二药液进行减中和处理，可以有效地去除掉导电氧化物薄膜表面的金属颗粒杂质和粉尘等脏污，有效地改善太阳电池片的表面脏污不良，提高太阳电池片的产品良率；同时，通过去除掉导电氧化物薄膜表面的金属颗粒杂质和粉尘之后，可以有效降低太阳电池片的遮光面积，从而提升电池片的转换效率。
附图说明
图1为异质结太阳电池的结构示意图；
图2为清洗之前的异质结太阳电池基片的照片；
图3为清洗之后的异质结太阳电池基片的照片。
附图标记说明：
10、异质结太阳电池；11、单晶硅衬底；12、本征非晶硅层；13a、n型掺杂非晶硅层；13b、p型掺杂非晶硅层；14、导电氧化物薄膜；15、电极。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，对本发明的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似改进，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。除非另有特别说明，本发明中用到的各种原材料、试剂、仪器和设备等均可通过市场购买得到或者可通过现有方法制备得到。
传统生产工艺制备的异质结太阳电池片存在表面脏污不良的比例较大，且电池片的效率较低的问题。通过发明人研究发现，导致上述问题的主要原因在于：在导电氧化物薄膜的镀膜过程中，是通过高能量粒子轰击靶材，使靶材发生溅射，溅射出的靶材沉积到基片上形成薄膜；经过长时间的使用，镀膜设备中运转电池片的载板、运输机构部件等会发生磨损，产生一些金属颗粒和黄色的粉尘，这些颗粒和粉尘在导电氧化物薄膜镀膜过程中会飘落在导电氧化物薄膜上；使得在形成导电氧化物薄膜之后，在导电氧化物薄膜的表面会附着一些杂质颗粒和粉尘，造成电池片表面脏污不良；而且，在丝网印刷制备电极时会频繁产生节点、粗栅等印刷不良；并且颗粒和粉尘会遮挡电池片表面积，影响电池片对光线的吸收，从而影响电池片的转换效率。
一般常规电池片(如PERC电池)经过700℃～800℃高温烧结后，导电氧化物薄膜表面的有机物和颗粒杂质灰尘等会燃烧并抽走去除掉大部分；然而，异质结太阳电池丝网印刷制备电极工序的最高温度不超过230℃，无法去除掉电池片导电氧化物薄膜表面的有机物、颗粒杂质和灰尘。
为了解决上述问题，本发明的一些实施方式提供了一种异质结太阳电池10的制备方法。该异质结太阳电池10的结构如图1所示。该制备方法包括如下步骤S100至步骤S600。
步骤S100：将单晶硅衬底11进行制绒处理。
首先在制绒清洗机台设备上，对n型的单晶硅衬底11进行制绒清洗的一系列操作，使单晶硅衬底11的正面和背面形成金字塔型的绒面陷光结构，从而减少单晶硅衬底11对光线的反射率，提高光利用率。
步骤S200：在单晶硅衬底11上形成本征非晶硅层12。
在经过制绒处理后的单晶硅衬底11的正面和背面分别沉积一层本征非晶硅层12。具体地，可以采用CVD(化学气相沉积)或PECVD(Plasma Enhanced Chemical VaporDeposition，等离子体增强化学气相沉积)等方法在单晶硅衬底11的正面和背面沉积上述的本征非晶硅层12。
步骤S300：在本征非晶硅层12上形成掺杂非晶硅层。
具体来说，在正面的本征非晶硅层12上沉积形成一层n型掺杂非晶硅层13a；在背面的本征非晶硅层12上沉积形成一层p型掺杂非晶硅层13b。同样地，该n型掺杂非晶硅层13a和p型掺杂非晶硅层13b，可以采用CVD或PECVD等方法形成。
步骤S400：在掺杂非晶硅层上形成导电氧化物薄膜14，得到异质结太阳电池基片。
通过物理气相沉积在正面的n型掺杂非晶硅层13a上和背面的p型掺杂非晶硅层13b上分别形成一层导电氧化物薄膜14，从而得到具有导电氧化物薄膜14的异质结太阳电池基片。一般地，该导电氧化物薄膜14采用ITO(氧化铟锡)薄膜。
步骤S500：对异质结太阳电池基片上的导电氧化物薄膜14进行清洗。
在其中一些实施例中，首先利用含有硫酸和过氧化氢的第一药液，对具导电氧化物薄膜14的异质结太阳电池基片进行氧化清洗；然后利用含有碱和过氧化氢的第二药液，对经过氧化清洗后的导电氧化物薄膜14进行碱中和处理。
传统生产工艺在沉积导电氧化物薄膜14之后，在导电氧化物薄膜14的表面会附着一些金属颗粒和粉尘，造成电池片表面脏污不良；且增大电池片的遮光面积，导致电池片的效率降低。本发明通过对具有导电氧化物薄膜14的异质结太阳电池基片先利用上述的第一药液进行氧化清洗，再利用上述第二药液进行减中和处理，可以有效地去除掉导电氧化物薄膜14表面的金属颗粒杂质和粉尘，改善电池片的表面脏污不良，提高产品良率；同时，去除掉导电氧化物薄膜14表面的颗粒杂质和粉尘之后，可以降低电池片的遮光面积，从而提升电池片的效率。
具体来说，首先采用含有硫酸和过氧化氢的第一药液，对具有导电氧化物薄膜14的异质结太阳电池基片进行氧化清洗，利用硫酸与活泼金属的反应，可以有效地将导电氧化物薄膜14上附着的金属杂质进行反应去除；同时，利用过氧化氢的强氧化性可以去除导电氧化物薄膜14上的一些粉尘杂质。通过硫酸与过氧化氢的共同作用，可以有效地导电氧化物薄膜14上的大部分杂质颗粒和常见活泼金属粉末和杂质，使清洗后的电池基片的导电氧化物薄膜14表面洁净度更高。
稀硫酸和活泼金属的反应方程式如下：
Fe+H2SO4＝FeSO4+H2↑
Zn+H2SO4＝ZnSO4+H2↑
Mg+H2SO4＝MgSO4+H2↑
2Al+3H2SO4＝Al2(SO4)3+3H2↑
进一步地，通过采用含有碱和过氧化氢的第二药液，对经过氧化清洗后的导电氧化物薄膜14进行碱中和处理，在碱和过氧化氢的共同作用下，可以进一步去除掉导电氧化物薄膜14表面的有机脏污、金属颗粒物和金属杂质等，并利用碱可以对导电氧化物薄膜14上残留的酸进行碱中和，进一步提高电池片的清洁度。通过上述的氧化清洗与碱中和处理相结合的清洗方法，可以有效地去除导电氧化物薄膜14表面的颗粒杂质和粉尘等脏污，提高导电氧化物薄膜14表面的洁净度，从而改善电池片的表面脏污不良，提高电池片良率，减小电池片的遮光面积，提升电池片的效率。
此外，由于导电氧化物薄膜14一般为ITO薄膜，其耐磨性和耐酸碱化学腐蚀性(除HF外)均较好，且膜层硬度较高。本发明采用含有硫酸和过氧化氢的第一药液和含有碱和过氧化氢的第二药液对导电氧化物薄膜14进行清洗时，并不会对导电氧化物薄膜14造成损伤。
在其中一些实施例中，第一药液由质量含量为96％～98％的浓硫酸、质量含量为30％～40％的过氧化氢溶液和水按照体积比1：(8～10)：(85～95)的比例进行混合配制而成。研究发现，通过采用上述方案对第一药液中的硫酸、过氧化氢和水进行合理配比，所形成的第一药液可以更加有效地提高对导电氧化物薄膜14表面脏污的清洗效果。
具体地，为了避免浓硫酸吸水剧烈放热而造成溶液飞溅和过氧化氢分解，在配置该第一药液时，药液的补加顺序为先加水，然后加浓硫酸，最后加过氧化氢水溶液。这样，可以对浓硫酸进行安全合理稀释，并保持配置过程中药液成分配比不发生较大变化。
在其中一些实施例中，采用含有硫酸和过氧化氢的第一药液，对具有导电氧化物薄膜14的异质结太阳电池基片进行氧化清洗，其具体步骤为：将沉积导电氧化物薄膜14之后的异质结太阳电池基片，浸入到上述的第一药液中，在30℃～50℃温度条件下对导电氧化物薄膜14的表面进行清洗，清洗的时间控制在50s～120s。
可以理解，对导电氧化物薄膜14的表面进行清洗时第一药液的温度可以为但不局限于30℃、32℃、34℃、36℃、38℃、40℃、42℃、44℃、46℃、48℃、50℃；清洗的时间可以为但不局限于50s、60s、70s、80s、90s、100s、110s、120s。
具体地，在一个氧化清洗槽中加入上述的第一药液，该氧化清洗槽的容积为210L～230L，一次性可生产4篮共400片电池片。将具有导电氧化物薄膜14的异质结太阳电池基片浸入该氧化清洗槽的第一药液中进行氧化清洗。
在氧化清洗完成之后，再将异质结太阳电池基片置于水中进行鼓泡水洗30s～50s，从而去除掉导电氧化物薄膜14表面上残留的颗粒物质和部分药液。
在鼓泡水洗之后，再将异质结太阳电池基片置于含有碱和过氧化氢的第二药液中进行碱中和处理。其中，第二药液由质量含量为35％～45％的氢氧化钠、质量含量为30％～40％的过氧化氢溶液和水按照体积比1：(2～5)：(25～30)混合配制而成。通过对第二药液中碱、过氧化氢和水进行合理配比，可以更好地提高电池片表面脏污的去除效果。通过采用上述成分的第二药液，可以有效去除导电氧化物薄膜14表面的有机脏污、颗粒物和金属杂质等，并利用氢氧化钠对残留的酸进行碱中和，提高硅片的清洁度。
在其中一些实施例中，将异质结太阳电池基片置于含有碱和过氧化氢的第二药液中进行碱中和处理，其具体步骤如下：将经过氧化清洗和鼓泡水洗之后的异质结太阳电池基片浸入到第二药液中，在30℃～40℃的温度条件下清洗30s～50s。
可以理解，清洗时第二药液的温度可以为但不局限于30℃、31℃、32℃、33℃、34℃、35℃、36℃、37℃、38℃、39℃、40℃；清洗的时间可以为但不局限于30s、32s、34s、36s、38s、40s、42s、44s、46s、48s、50s。
具体地，在一个碱中和处理槽中加入上述的第二药液，碱中和处理槽的容积设计为210L～230L，一次性生产4篮共400片电池片。将经过氧化清洗和鼓泡水洗之后的异质结太阳电池基片浸入该碱中和处理槽的第二药液中进行碱中和处理。
进一步地，在对异质结太阳电池基片进行上述的碱中和处理之后，还将该异质结太阳电池基片置于水中，在30℃～50℃的温度条件下，在不鼓泡的情况下进行清洗20s～35s；以去除掉导电氧化物薄膜14表面上的第二药液。
然后，将异质结太阳电池基片置于慢提拉水槽中，进行慢提拉缓慢提升，通过把花篮(用于放置电池片的载具)从水中缓慢提起以使电池片表面吸附的液体量降低，使清洗过的电池片缓慢脱水，提高清洁度高，且不会留下水痕。
在慢提拉脱水完成之后，再将电池片转入烘干槽中，利用氮气的干燥和排水性，对电池片导电氧化物薄膜14表面上的水进行去除。烘干温度设置为50℃～65℃。
通过上述的整个清洗方法，能够有效地去除掉导电氧化物薄膜14表面附着的金属颗粒杂质、黄色粉尘、灰尘杂质和其他有害物质。采用上述清洗方法清洗前的异质结太阳电池基片的照片如图2所示，清洗后的异质结太阳电池基片的照片如图3所示。由图2和图3可以看出，经过上述的清洗处理之后，能够明显去除掉导电氧化物薄膜14表面的脏污。
步骤S600：在导电氧化物薄膜14上制备电极15。
在对导电氧化物薄膜14进行清洗之后，可以通过丝网印刷在导电氧化物薄膜14上制备银栅线电极15，也可以通过电镀铜的方式在导电氧化物薄膜14上制备形成铜电极。从而制备得到完整的异质结太阳电池10。
本发明所制备的异质结太阳电池10的结构如图1所示。由图1可见，该异质结太阳电池10包括n型的单晶硅衬底11、本征非晶硅层12、n型掺杂非晶硅层13a、p型掺杂非晶硅层13b、导电氧化物薄膜14和电极15。
其中，在n型的单晶硅衬底11的正面(即图1中单晶硅衬底11的上表面)上设置有本征非晶硅层12，在单晶硅衬底11的背面(即图1中单晶硅衬底11的下表面)上同样设置有本征非晶硅层12，在正面的本征非晶硅层12上设置有n型掺杂非晶硅层13a，在背面的本征非晶硅层12上设置有p型掺杂非晶硅层13b，在n型掺杂非晶硅层13a和p型掺杂非晶硅层13b上分别设置有导电氧化物薄膜14，在两个导电氧化物薄膜14上均设置有电极15。
总体而言，本发明通过在沉积导电氧化物薄膜14之后，采用上述的第一药液对导电氧化物薄膜14进行氧化清洗，水洗，采用上述的第二药液对导电氧化物薄膜14进行碱中和处理，水洗，慢提拉脱水，烘干的清洗方法；能够完全去除掉导电氧化物薄膜14表面附着的金属颗粒杂质、黄色粉尘、灰尘杂质和其他有害物质，很好地解决了物理气相沉积镀膜后电池片表面脏污严重的问题，使电池片表面的洁净度得到提升，同时避免了粉尘和杂质对丝网印刷电极良率的影响，使电池片表面脏污的不良率大幅降低，同时电池片的转换效率也得到一定程度的提升。
下面将结合具体实施例和对比例对本发明作进一步说明，但不应将其理解为对本发明保护范围的限制。
实施例1：
一种异质结太阳电池10的制备方法，包括如下步骤：
将n型的单晶硅衬底11在制绒清洗机台设备中进行制绒处理。
通过CVD在制绒后的单晶硅衬底11的正面和背面分别沉积本征非晶硅层12；通过CVD在正面的本征非晶硅层12上沉积n型掺杂非晶硅层13a，在背面的本征非晶硅层12上沉积p型掺杂非晶硅层13b，通过PVD在n型掺杂非晶硅层13a和p型掺杂非晶硅层13b上分别沉积导电氧化物薄膜14，得到异质结太阳电池基片。
采用含有硫酸和过氧化氢的第一药液对具有导电氧化物薄膜14的异质结太阳电池基片进行氧化清洗。其中，该第一药液由质量含量为98％的浓硫酸、质量含量为35％的过氧化氢溶液和水按照体积比1：9：88的比例混合配制而成。第一药液的温度为45℃，清洗的时间为70s。
在氧化清洗完成之后，将异质结太阳电池基片置于水中进行鼓泡水洗35s。
在鼓泡水洗之后，再将异质结太阳电池基片置于含有碱和过氧化氢的第二药液中进行碱中和处理。其中，第二药液由质量含量为45％的氢氧化钠、质量含量为40％的过氧化氢溶液和水按照体积比1：4：25混合配制而成。第二药液的温度为35℃，清洗的时间为45s。
将异质结太阳电池基片置于水中，在35℃的温度条件下，在不鼓泡的情况下进行清洗35s。
将异质结太阳电池基片置于慢提拉水槽中，进行慢提拉缓慢提升脱水；再将电池片转入烘干槽中，利用氮气的干燥和排水性，对电池片导电氧化物薄膜14表面上的水进行去除。其中，烘干温度设置为65℃。
通过丝网印刷在导电氧化物薄膜14上制备银栅线电极15，形成异质结太阳电池10。
对所制备的异质结太阳电池10的产品良率进行测试，观察异质结太阳电池10中导电氧化物薄膜14上的表面脏污情况。导电氧化物薄膜14上表面脏污不良的比例如表1所示。对所制备的异质结太阳电池10的电化学性能进行测试，测试方法为通过模拟太阳光照射，利用IV测试仪光致电原理，在标准条件下对电池片的不良缺陷和发电能力进行测试，测试结果如表1所示。
实施例2：
采用含有硫酸和过氧化氢的第一药液对具有导电氧化物薄膜14的异质结太阳电池基片进行氧化清洗。其中，该第一药液由质量含量为97％的浓硫酸、质量含量为40％的过氧化氢溶液和水按照体积比1：10：95的比例混合配制而成。第一药液的温度为50℃，清洗的时间为100s。
在氧化清洗完成之后，将异质结太阳电池基片置于水中进行鼓泡水洗35s。
在鼓泡水洗之后，再将异质结太阳电池基片置于含有碱和过氧化氢的第二药液中进行碱中和处理。其中，第二药液由质量含量为45％的氢氧化钠、质量含量为40％的过氧化氢溶液和水按照体积比1：5：30混合配制而成。第二药液的温度为40℃，清洗的时间为50s。
将异质结太阳电池基片置于水中，在35℃的温度条件下，在不鼓泡的情况下进行清洗35s。
将异质结太阳电池基片置于慢提拉水槽中，进行慢提拉缓慢提升脱水；再将电池片转入烘干槽中，利用氮气的干燥和排水性，对电池片导电氧化物薄膜14表面上的水进行去除。其中，烘干温度设置为60℃。
通过丝网印刷在导电氧化物薄膜14上制备银栅线电极15，形成异质结太阳电池10。
对所制备的异质结太阳电池10的产品良率进行测试，观察异质结太阳电池10中导电氧化物薄膜14上的表面脏污情况。导电氧化物薄膜14上表面脏污不良的比例如表1所示。对所制备的异质结太阳电池10的电化学性能进行测试，测试方法与实施例1相同，测试结果如表1所示。
对比例1：
该对比例采用常规的异质结太阳电池10的生产工艺。即与实施例1相比，只是不对具有积导电氧化物薄膜14的异质结太阳电池基片进行氧化清洗、水洗、碱中和处理、水洗、慢提拉脱水和干燥的一些列清洗操作。而是在沉积导电氧化物薄膜14之后，在导电氧化物薄膜14上制备电极15。
对该对比例所制备的异质结太阳电池10的产品良率进行测试，观察异质结太阳电池10中导电氧化物薄膜14上的表面脏污情况。导电氧化物薄膜14上表面脏污不良的比例如表1所示。对所制备的异质结太阳电池10的电池效率进行测试，测试方法与实施例1相同，测试结果如表1所示。
表1各实施例和对比例的不良比例和电化学性能测试数据
由表1可见，本发明实施例1和实施例2所制备的异质结太阳电池10的表面脏污不良占比明显低于传统方法制备的电池片。实施例1和实施例2的电池片的电性能也得到一定程度的提升。其中，转换效率较传统方法制备的电池片提升约0.06％，短路电流提升0.01A左右，开路电压和填充因子也略有提升。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (11)
1.一种太阳电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供具有导电氧化物薄膜的太阳电池基片；
利用含有硫酸和过氧化氢的第一药液对所述导电氧化物薄膜进行氧化清洗；
利用含有碱和过氧化氢的第二药液对经过氧化清洗后的所述导电氧化物薄膜进行碱中和处理；以及
在经所述碱中和处理后的所述导电氧化物薄膜上制备电极。
2.根据权利要求1所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，所述第一药液主要由质量含量96％～98％的硫酸、质量含量30％～40％的过氧化氢溶液和水按照体积比1：(8～10)：(85～95)混合形成。
3.根据权利要求1所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，所述氧化清洗，包括如下步骤：
将所述太阳电池基片浸入所述第一药液中，在30℃～50℃温度下清洗50s～120s。
4.根据权利要求1所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，所述第二药液主要由质量含量35％～45％的氢氧化钠、质量含量30％～40％的过氧化氢溶液和水按照体积比1：(2～5)：(25～30)混合形成。
5.根据权利要求1所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，所述碱中和处理，包括如下步骤：
将经过氧化清洗后的所述太阳电池基片浸入所述第二药液中，在30℃～40℃温度下清洗30s～50s。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，在所述氧化清洗之后，所述碱中和处理之前，所述制备方法还包括将所述太阳电池基片置于水中进行鼓泡水洗30s～50s的步骤。
7.根据权利要求1至5中任一项所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，在所述碱中和处理之后，所述制备电极之前，所述制备方法还包括将所述太阳电池基片置于水中在30℃～50℃温度下不鼓泡清洗20s～35s的步骤。
8.根据权利要求7所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，在所述不鼓泡清洗之后，所述制备电极之前，所述制备方法还包括将所述太阳电池基片依次进行慢提拉脱水和在50℃～65℃下干燥的步骤。
9.根据权利要求1至5、7中任一项所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，所述太阳电池基片的制备方法，包括如下步骤：
在单晶硅衬底上形成非晶硅层；以及
在所述非晶硅层上形成所述导电氧化物薄膜。
10.一种太阳电池，其特征在于，所述太阳电池通过权利要求1至9中任一项所述的太阳电池的制备方法制备得到。
11.根据权利要求10所述的太阳电池，其特征在于，包括：
单晶硅衬底；
非晶硅层，设于所述单晶硅衬底的至少一个表面上；
导电氧化物薄膜，设于所述非晶硅层背离所述非晶硅层一侧的表面上；以及
电极，设于所述导电氧化物薄膜背离所述非晶硅层一侧的表面上。
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