CN115602758B - 硅片制绒后不良片的处理方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种硅片制绒后不良片的处理方法，包括如下步骤：将硅片制绒后不良片置于第一清洗液中进行第一清洗；将第一清洗后的硅片制绒后不良片置于第二清洗液中进行第二清洗；其中，第一清洗液为含有双氧水的碱溶液，第二清洗液为含有氢氟酸和臭氧的酸溶液。本发明的硅片制绒后不良片的处理方法可以在硅片厚度不发生较大减薄、不对绒面结构造成较大影响的情况下，获得良好的返工清洗效果，并且处理工艺比较简单。

Description

硅片制绒后不良片的处理方法
技术领域
本发明涉及太阳电池技术领域，特别是涉及一种硅片制绒后不良片的处理方法。
背景技术
异质结电池，又称HJT电池(Hereto-junction with Intrinsic Thin-layer)，被誉为PERC电池(Passivated Emitter and Rear Cell)之后最有前景的太阳能电池技术。HJT电池有着高效率和高发电量的天然优势，与目前主流的PERC技术相比，HJT电池目前最大的问题是成本较高。因此，目前HJT电池产业在持续努力、不断提升HJT电池的转换效率的同时，降低制造成本、提升投产性价比已成为首要任务。
在异质结电池片制备过程中，电池片需要经过制绒清洗→CVD镀膜→PVD镀膜→丝网→测试，其制造工艺流程较短，电池片只需要2.5小时左右制作完成，较常规PERC和TOPCon(Tunnel Oxide Passivated Contact solar cell)需要8～10小时节省时间较多。
产线长时间作业生产后，因制绒药液末期异常、制绒后在制超时氧化、机械异常等原因，常常导致硅片制绒后不良片数量较多、硅片制绒后的隔离比例偏高的问题。对于制绒后不良片的问题，如果处理不当将导致硅料的直接报废，增加整体硅料成本，进而增加生产成本。因此，有必要提供一种针对制绒后不良片的返工处理方法。
发明内容
基于此，有必要提供一种不会对硅片的厚度和绒面结构造成较大影响、返工效果好、工艺简单的硅片制绒后不良片的处理方法。
根据本发明的一个方面，提供了一种硅片制绒后不良片的处理方法，包括如下步骤：
将硅片制绒后不良片置于第一清洗液中进行第一清洗；及
将第一清洗后的所述硅片制绒后不良片置于第二清洗液中进行第二清洗；
其中，所述第一清洗液为含有双氧水的碱溶液，所述第二清洗液为含有氢氟酸和臭氧的酸溶液。
在其中一些实施例中，所述第一清洗液按体积份数计包括如下组分：质量浓度为20％～30％的氢氧化钠1份、质量浓度为30％～40％的双氧水9份～12份、水38份～41份。
在其中一些实施例中，所述第一清洗的温度为60℃～72℃，时间为220s～285s。
在其中一些实施例中，所述第二清洗液按体积份数计包括如下组分：质量浓度为30％～40％的盐酸1份、质量浓度为45％～55％的氢氟酸13份～15份、水1000份～1200份；且所述第二清洗液中所述臭氧的浓度为40ppm～50ppm。
在其中一些实施例中，所述第二清洗的温度为23℃～26℃，时间为160s～220s。
在其中一些实施例中，在所述第二清洗之后，所述处理方法还包括将所述硅片制绒后不良片置于第三清洗液中进行第三清洗的步骤，所述第三清洗液为含有氢氟酸的水溶液。
在其中一些实施例中，所述第三清洗液按体积份数计包括如下组分：质量浓度为45％～55％的氢氟酸1份、水9份～13份。
在其中一些实施例中，所述第三清洗的温度为23℃～26℃，时间为120s～180s。
在其中一些实施例中，在所述第一清洗之后，且在所述第二清洗之前，所述处理方法还包括对所述硅片制绒后不良片进行第一鼓泡水洗的步骤。
在其中一些实施例中，在所述第二清洗之后，且在所述第三清洗之前，所述处理方法还包括对所述硅片制绒后不良片进行第二鼓泡水洗的步骤。
在其中一些实施例中，在所述第三清洗之后，所述处理方法还包括对所述硅片制绒后不良片依次进行不鼓泡水洗、慢提拉脱水和干燥的步骤。
与现有技术相比，本发明具有如下有益效果：
通过采用含有双氧水的碱溶液对硅片制绒后不良片进行第一清洗，利用双氧水在碱性溶液中的皂化作用，可以对硅片制绒后不良片上的带液残留、部分反应不良硅片、硅片上残留的碱结晶等进行强清洗；之后采用含有氢氟酸和臭氧的酸溶液对硅片制绒后不良片进行第二清洗，利用氢氟酸和臭氧的配合，可以对硅片的绒面不均匀等缺陷进行去除和修复，提高硅片的绒面均匀性和硅片表面洁净度。通过上述的强氧化清洗与酸清洗相结合的方式，可以在硅片厚度不发生较大减薄、不对绒面结构造成不利影响的情况下，获得良好的返工清洗效果，并且该处理方法工艺较为简单。
附图说明
图1为本发明一实施方式的处理方法的流程图；
图2为硅片制绒后不良片的照片；
图3为硅片制绒后不良片经本发明一实施方式的处理方法处理后的照片。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，对本发明的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似改进，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。除非另有特别说明，本发明中用到的各种原材料、试剂、仪器和设备等均可通过市场购买得到或者可通过现有方法制备得到。
由于制绒药液末期异常、制绒后在制超时氧化、机械异常等原因，常常导致硅片制绒后不良片数量较多、硅片制绒后的隔离比例偏高的问题。本领域中，对于沉积非晶硅层、透明导电薄膜(TCO)或制作金属电极后的不良片的处理，通常是利用具有刻蚀、剥离作用的药液刻蚀反应掉非晶硅、TCO等，同时也会刻蚀掉部分硅基厚度，并且需要重新进行制绒清洗，对于硅片的减薄较为严重，硅片的厚度将下降5μm～10μm。
针对上述问题，本发明提供了一种能够有效对硅片制绒后(未进行镀膜)的不良片进行返工的处理方法，该处理方法不仅具有良好的返工处理效果，而且不会对硅片的厚度和原有的绒面结构造成较大影响、处理工艺较为简单。
请参阅图1，本发明一实施方式提供了一种硅片制绒后不良片的处理方法，包括如下步骤S1和步骤S8：
步骤S1：将硅片制绒后不良片置于第一清洗液中进行第一清洗。硅片制绒后不良片的照片如图2所示。
在其中一些实施例中，该第一清洗液为含有双氧水的碱溶液。
硅片制绒后不良片上没有进行镀膜(非晶硅薄膜、透明导电薄膜等)处理，硅片表面主要以硅料的绒面结构为主，制绒后不良类型主要是氧化发黑、药液结晶残留或者绒面不均匀色差等异常。
本发明通过将上述硅片制绒后不良片置于含有双氧水的碱溶液中进行第一清洗处理，利用双氧水在碱性溶液中的皂化作用，对硅片制绒后不良片上的带液残留、部分反应不良硅片、硅片上残留的碱结晶等进行强清洗，能够有效提高硅片制绒后不良片的清洁度。
在其中一些实施例中，第一清洗液按照体积份数计包括如下组分：质量浓度为20％～30％的氢氧化钠1份、质量浓度为30％～40％的双氧水9份～12份、水38份～41份。如此，第一清洗液中采用高配比的双氧水，具有获得良好的皂化作用，提高对于硅片制绒后不良片的清洗效果。
在其中一些实施例中，第一清洗的温度设置为60℃～72℃，第一清洗的时间设置为220s～285s。在此清洗温度和清洗时间条件下，对硅片制绒后不良片具有良好的清洗效果。
可以理解，第一清洗的温度可以为但不限于60℃、62℃、64℃、66℃、68℃、70℃、72℃。第一清洗的时间可以为但不限于220s、230s、240s、250s、260s、270s、280s、285s。
步骤S2：对第一清洗后的硅片制绒后不良片进行第一鼓泡水洗。
在利用第一清洗液对硅片制绒后不良片进行第一清洗之后，本发明对硅片制绒后不良片进行第一鼓泡水洗，以去除第一清洗后硅片制绒后不良片表面的残留颗粒物质和残留药液。
在其中一些实施例中，第一鼓泡水洗的时间为120s～155s。在上述时间内进行鼓泡水洗，可以确保第一清洗后硅片制绒后不良片表面的残留颗粒物质和残留药液充分去除。可理解，第一鼓泡水洗的时间可以为但不限于120s、125s、130s、135s、140s、145s、150s、155s。
步骤S3：将第一鼓泡水洗后的硅片制绒后不良片置于第二清洗液中进行第二清洗。
在其中一些实施例中，第二清洗液为含有氢氟酸和臭氧的酸溶液。
利用臭氧可以氧化硅片制绒后不良片的表面，酸性溶液可以加快臭氧分解氧化不均匀绒面金字塔。通过第二清洗液中氢氟酸和臭氧的配合，可以将氧化发黑、反应超时导致的绒面不均匀等缺陷进行去除和修复，从而提高硅片的绒面结构均匀性和硅片表面洁净度。硅与臭氧以及氧化硅与氢氟酸的反应方程式如下：
Si+2O3＝SiO2+3O2
SiO2+4HF＝SiF4↑+2H2O
在其中一些实施例中，第二清洗液按照体积份数计包括如下组分：质量浓度为30％～40％的盐酸1份、质量浓度为45％～55％的氢氟酸13份～15份、水1000份～1200份；并且，在该第二清洗液中臭氧的浓度为40ppm～50ppm。该第二清洗液中的臭氧可以采用向配制好的盐酸、氢氟酸和水的混合液中通入臭氧气体的形式添加。
通过在第二清洗液中采用高浓度的臭氧，可以对硅片的表面进行有效的氧化；采用低配比用量的盐酸，可以更好地加快臭氧对不均匀绒面金字塔的分解氧化；第二清洗液中高浓度臭氧和高浓度氢氟酸相配合，可以对硅片表面的绒面不均匀进行更好的去除和修复。
在其中一些实施例中，第二清洗的温度设置为23℃～26℃，第二清洗的时间设置为160s～220s。在上述的清洗温度和清洗时间条件下，可以进一步提高硅片表面的绒面结构均匀性和硅片表面洁净度。
可以理解，第二清洗的温度可以为但不限于23℃、24℃、25℃、26℃。第二清洗的时间可以为但不限于160s、170s、180s、190s、200s、210s、220s。
步骤S4：对第二清洗后的硅片制绒后不良片进行第二鼓泡水洗。
在利用第二清洗液对硅片制绒后不良片进行第二清洗之后，本发明对硅片制绒后不良片进行第二鼓泡水洗，以去除第二清洗后硅片制绒后不良片表面的残留颗粒物质和残留药液。
在其中一些实施例中，第二鼓泡水洗的时间为130s～180s。在上述时间内进行鼓泡水洗，可以确保第二清洗后硅片制绒后不良片表面的残留颗粒物质和残留药液充分去除。可理解，第二鼓泡水洗的时间可以为但不限于130s、135s、140s、145s、150s、155s、160s、165s、170s、175s、180s。
步骤S5：将第二鼓泡水洗后的硅片制绒后不良片置于第三清洗液中进行第三清洗。
在其中一些实施例中，第三清洗液为含有氢氟酸的水溶液。
如此，利用氢氟酸和硅片表面的氧化硅之间的反应，可以大大减少硅片制绒后不良片表面的氧化层残留，同时可以增强硅片表面的疏水性，为后续的慢提拉脱水步骤和干燥步骤起到铺垫作用。
在其中一些实施例中，第三清洗液按照体积份数计包括如下组分：质量浓度为45％～55％的氢氟酸1份、水9份～13份。如此，可以有效去除硅片表面的氧化层、增强硅片表面的疏水性。
在其中一些实施例中，第三清洗的温度设置为23℃～26℃，第三清洗的时间设置为120s～180s。在上述的清洗温度和清洗时间条件下，可以进一步提高对硅片表面氧化层的去除效果、进一步增强硅片表面疏水性。
可以理解，第三清洗的温度可以为但不限于23℃、24℃、25℃、26℃。第三清洗的时间可以为但不限于120s、130s、140s、150s、160s、170s、180s。
步骤S6：对第三清洗后的硅片制绒后不良片进行不鼓泡水洗。
在利用第三清洗液对硅片制绒后不良片进行第三清洗之后，本发明对硅片制绒后不良片进行不鼓泡水洗，以去除第三清洗后硅片制绒后不良片表面的残留颗粒物质和残留药液。
在其中一些实施例中，不鼓泡水洗的时间为200s～240s。在上述时间内进行不鼓泡水洗，可以确保第三清洗后硅片制绒后不良片表面的残留颗粒物质和残留药液充分去除。可理解，不鼓泡水洗的时间可以为但不限于200s、205s、210s、215s、220s、225s、230s、235s、240s。
步骤S7：对不鼓泡水洗后的硅片制绒后不良片进行慢提拉脱水。
在其中一些实施例中，慢提拉脱水的具体步骤为：先将硅片制绒后不良片在23℃～26℃温度下进行不鼓泡清洗30s～40s，然后将硅片制绒后不良片进行慢提拉缓慢提升。通过将硅片制绒后不良片从水中缓慢提起，可以使硅片表面吸附的液体量降低，使清洗过的硅片缓慢脱水，清洁度更高，且不会留下水痕。
可以理解，将硅片提升之前，对硅片进行不鼓泡清洗的温度可以为但不限于23℃、24℃、25℃、26℃。不鼓泡清洗的时间可以为但不限于30s、32s、34s、36s、38s、40s。
步骤S8：对慢提拉脱水后的硅片制绒后不良片进行干燥。经步骤S1至步骤S8处理后的硅片如图3所示。
在其中一些实施例中，将慢提拉脱水后的硅片制绒后不良片送入烘干槽中，利用氮气的干燥和排水性，对硅片进行干燥，减少硅片表面的带液残留。
在其中一些实施例中，干燥步骤的温度设置为55℃～68℃。在此温度下进行氮气干燥，可以提高烘干效率，进一步减少硅片带液残留。可以理解，干燥步骤的温度可以为但不限于55℃、56℃、57℃、58℃、59℃、60℃、61℃、62℃、63℃、64℃、65℃、66℃、67℃、68℃。
通过本发明的处理方法处理后的硅片制绒后不良片，可以作为制绒清洗后的正常片投入到沉积非晶硅薄膜的镀膜工序中，无需重新进行制绒处理。即，对于硅片制绒后不良片的太阳电池生产整体工艺流程为：硅片制绒清洗→硅片制绒后不良片处理→CVD镀膜(非晶硅薄膜)→PVD镀膜(透明导电薄膜)→丝网印刷电极→测试。
总体而言，本发明通过采用含有双氧水的碱溶液对硅片制绒后不良片进行第一清洗，利用双氧水在碱性溶液中的皂化作用，可以对硅片制绒后不良片上的带液残留、部分反应不良硅片、硅片上残留的碱结晶等进行强清洗；采用含有氢氟酸和臭氧的酸溶液对硅片制绒后不良片进行第二清洗，利用氢氟酸和臭氧的配合，可以对硅片的绒面不均匀等缺陷进行去除和修复，提高硅片的绒面均匀性和硅片表面洁净度。通过上述的强氧化清洗+酸清洗的方式，可以在硅片厚度不发生较大减薄、不对绒面结构造成不利影响的情况下，获得良好的返工清洗效果，使得处理后的硅片制绒后不良片能够流入正常生产流程中重新利用，无需重新进行制绒处理。
进一步地，通过采用含有氢氟酸的水溶液对硅片进行钝化处理(第三清洗)，可以进一步去除硅片表面氧化层、增强硅片表面疏水性，有利于后续脱水干燥，减少硅片表面带液残留。
下面将结合具体实施例和对比例对本发明作进一步说明，但不应将其理解为对本发明保护范围的限制。
实施例1：
一种硅片制绒后不良片的处理方法，包括如下步骤：
1)将硅片制绒后不良片置于第一清洗液中进行第一清洗处理；
其中，硅片制绒后不良片是指对硅片进行制绒清洗之后、沉积非晶硅薄膜之前，出现氧化发黑、药液结晶残留或者绒面不均匀色差的硅片。
第一清洗液按体积份数计由以下组分组成：质量浓度为30％的氢氧化钠1份、质量浓度为35％的双氧水9份、水38份。第一清洗的温度为60℃，第一清洗的时间为235s。
2)对第一清洗后的硅片制绒后不良片进行第一鼓泡水洗135s；
3)将第一鼓泡水洗后的硅片制绒后不良片置于第二清洗液中进行第二清洗；
其中，第二清洗液按照体积份数计由如下组分组成：质量浓度为36％的盐酸1份、质量浓度为50％的氢氟酸13份、水1050份；并且该第二清洗液中臭氧的浓度为40ppm。第二清洗的温度为25℃，第二清洗的时间为200s。
4)对第二清洗后的硅片制绒后不良片进行第二鼓泡水洗135s；
5)将第二鼓泡水洗后的硅片制绒后不良片置于第三清洗液中进行第三清洗；
其中，第三清洗液按照体积份数计由如下组分组成：质量浓度为50％的氢氟酸1份、水9份。第三清洗的温度为25℃，第三清洗的时间为120s。
6)对第三清洗后的硅片制绒后不良片进行不鼓泡水洗200s；
7)对不鼓泡水洗后的硅片制绒后不良片进行慢提拉脱水；
具体地，先将硅片制绒后不良片在25℃温度下进行不鼓泡清洗30s，然后将硅片制绒后不良片进行慢提拉缓慢提升。
8)对慢提拉脱水后的硅片制绒后不良片进行干燥；
具体地，将慢提拉脱水后的硅片制绒后不良片送入烘干槽中，利用氮气的干燥和排水性，对硅片进行干燥，干燥步骤的温度为55℃。
通过本实施例处理后的硅片制绒后不良片的不良比例大幅减少。以原制绒工序的良率计算，经本实施例处理后不良比例由1.92％降至0.03％左右。硅片制绒后不良片经处理后得到有效修复，原有绒面结构未损失，降低了制绒异常的影响程度，使处理后的电池片恢复正常，电性能与正常电池片无明显差异，电池效率与正常电池片基本持平。
实施例2：
一种硅片制绒后不良片的处理方法，包括如下步骤：
1)将硅片制绒后不良片置于第一清洗液中进行第一清洗处理；
其中，硅片制绒后不良片是指对硅片进行制绒清洗之后、沉积非晶硅薄膜之前，出现氧化发黑、药液结晶残留或者绒面不均匀色差的硅片。
第一清洗液按体积份数计由以下组分组成：质量浓度为30％的氢氧化钠1份、质量浓度为35％的双氧水10份、水40份。第一清洗的温度为60℃，第一清洗的时间为235s。
2)对第一清洗后的硅片制绒后不良片进行第一鼓泡水洗135s；
3)将第一鼓泡水洗后的硅片制绒后不良片置于第二清洗液中进行第二清洗；
其中，第二清洗液按照体积份数计由如下组分组成：质量浓度为36％的盐酸1份、质量浓度为50％的氢氟酸15份、水1000份；并且该第二清洗液中臭氧的浓度为45ppm。第二清洗的温度为25℃，第二清洗的时间为200s。
4)对第二清洗后的硅片制绒后不良片进行第二鼓泡水洗135s；
5)将第二鼓泡水洗后的硅片制绒后不良片置于第三清洗液中进行第三清洗；
其中，第三清洗液按照体积份数计由如下组分组成：质量浓度为50％的氢氟酸1份、水10份。第三清洗的温度为25℃，第三清洗的时间为120s。
6)对第三清洗后的硅片制绒后不良片进行不鼓泡水洗235s；
7)对不鼓泡水洗后的硅片制绒后不良片进行慢提拉脱水；
具体地，先将硅片制绒后不良片在25℃温度下进行不鼓泡清洗35s，然后将硅片制绒后不良片进行慢提拉缓慢提升。
8)对慢提拉脱水后的硅片制绒后不良片进行干燥；
具体地，将慢提拉脱水后的硅片制绒后不良片送入烘干槽中，利用氮气的干燥和排水性，对硅片进行干燥，干燥步骤的温度为60℃。
通过本实施例处理后的硅片制绒后不良片的不良比例大幅减少。以原制绒工序的良率计算，经本实施例处理后不良比例由1.84％降至0.01％左右。硅片制绒后不良片经处理后基本可全部还原修复，使处理后的电池片绒面和洁净度恢复正常，电性能与正常电池片无明显差异，电池效率与正常电池片基本持平。
对比例1：
一种硅片制绒后不良片的处理方法，包括如下步骤：
1)将硅片制绒后不良片置于第一清洗液中进行第一清洗处理；
其中，硅片制绒后不良片是指对硅片进行制绒清洗之后、沉积非晶硅薄膜之前，出现氧化发黑、药液结晶残留或者绒面不均匀色差的硅片。
第一清洗液按体积份数计由以下组分组成：质量浓度为46％的氢氧化钠3份、质量浓度为35％的双氧水8份、水35份。第一清洗的温度为60℃，第一清洗的时间为235s。
2)对第一清洗后的硅片制绒后不良片进行第一鼓泡水洗135s；
3)将第一鼓泡水洗后的硅片制绒后不良片置于第二清洗液中进行第二清洗；
其中，第二清洗液按照体积份数计由如下组分组成：质量浓度为36％的盐酸1份、质量浓度为50％的氢氟酸13份、水1050份；并且该第二清洗液中臭氧的浓度为25ppm。第二清洗的温度为25℃，第二清洗的时间为200s。
4)对第二清洗后的硅片制绒后不良片进行第二鼓泡水洗135s；
5)将第二鼓泡水洗后的硅片制绒后不良片置于第三清洗液中进行第三清洗；
其中，第三清洗液按照体积份数计由如下组分组成：质量浓度为50％的氢氟酸1份、水15份。第三清洗的温度为25℃，第三清洗的时间为120s。
6)对第三清洗后的硅片制绒后不良片进行不鼓泡水洗135s；
7)对不鼓泡水洗后的硅片制绒后不良片进行慢提拉脱水；
具体地，先将硅片制绒后不良片在25℃温度下进行不鼓泡清洗200s，然后将硅片制绒后不良片进行慢提拉缓慢提升。
8)对慢提拉脱水后的硅片制绒后不良片进行干燥；
具体地，将慢提拉脱水后的硅片制绒后不良片送入烘干槽中，利用氮气的干燥和排水性，对硅片进行干燥，干燥步骤的温度为55℃。
通过本对比例处理后的硅片制绒后不良片的不良比例未得到改善。其主要原因在于，第一清洗中使用质量浓度为46％的氢氧化钠3份，浓度和份数偏高，导致不良片的刻蚀达3μm～5μm，使电池片转换效率下降，而且更容易产生制程碎片；并且，第二清洗液中臭氧的浓度为25ppm，浓度偏低，对电池片上的氧化和绒面的修复效果减弱。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种硅片制绒后不良片的处理方法，其特征在于，包括如下步骤：
将硅片制绒后不良片置于第一清洗液中进行第一清洗；及
将第一清洗后的所述硅片制绒后不良片置于第二清洗液中进行第二清洗；
其中，所述第一清洗液为含有双氧水的碱溶液，所述第二清洗液为含有氢氟酸和臭氧的酸溶液。
2.根据权利要求1所述的硅片制绒后不良片的处理方法，其特征在于，所述第一清洗液按体积份数计包括如下组分：质量浓度为20％～30％的氢氧化钠1份、质量浓度为30％～40％的双氧水9份～12份、水38份～41份。
3.根据权利要求1所述的硅片制绒后不良片的处理方法，其特征在于，所述第一清洗的温度为60℃～72℃，时间为220s～285s。
4.根据权利要求1所述的硅片制绒后不良片的处理方法，其特征在于，所述第二清洗液按体积份数计包括如下组分：质量浓度为30％～40％的盐酸1份、质量浓度为45％～55％的氢氟酸13份～15份、水1000份～1200份；且所述第二清洗液中所述臭氧的浓度为40ppm～50ppm。
5.根据权利要求1所述的硅片制绒后不良片的处理方法，其特征在于，所述第二清洗的温度为23℃～26℃，时间为160s～220s。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的硅片制绒后不良片的处理方法，其特征在于，在所述第二清洗之后，所述处理方法还包括将所述硅片制绒后不良片置于第三清洗液中进行第三清洗的步骤，所述第三清洗液为含有氢氟酸的水溶液。
7.根据权利要求6所述的硅片制绒后不良片的处理方法，其特征在于，所述第三清洗液按体积份数计包括如下组分：质量浓度为45％～55％的氢氟酸1份、水9份～13份。
8.根据权利要求6所述的硅片制绒后不良片的处理方法，其特征在于，所述第三清洗的温度为23℃～26℃，时间为120s～180s。
9.根据权利要求6所述的硅片制绒后不良片的处理方法，其特征在于，在所述第一清洗之后，且在所述第二清洗之前，所述处理方法还包括对所述硅片制绒后不良片进行第一鼓泡水洗的步骤；和/或
在所述第二清洗之后，且在所述第三清洗之前，所述处理方法还包括对所述硅片制绒后不良片进行第二鼓泡水洗的步骤。
10.根据权利要求6所述的硅片制绒后不良片的处理方法，其特征在于，在所述第三清洗之后，所述处理方法还包括对所述硅片制绒后不良片依次进行不鼓泡水洗、慢提拉脱水和干燥的步骤。
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