CN115472206A - 存储器的坏块检测方法、测试设备及存储介质 - Google Patents
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- 238000012360 testing method Methods 0.000 title claims abstract description 165
- 238000001514 detection method Methods 0.000 title claims abstract description 111
- 238000003860 storage Methods 0.000 title claims abstract description 33
- 230000004044 response Effects 0.000 claims abstract description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- 238000004590 computer program Methods 0.000 claims description 6
- 230000032683 aging Effects 0.000 abstract description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000006870 function Effects 0.000 description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 238000013528 artificial neural network Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 230000002431 foraging effect Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000011056 performance test Methods 0.000 description 1
- 230000001960 triggered effect Effects 0.000 description 1
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/04—Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
- G11C29/06—Acceleration testing
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/04—Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
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Abstract
本申请公开一种存储器的坏块检测方法、测试设备及存储介质，涉及半导体技术领域，旨在解决老化测试的测试时间较长的问题。本申请提供的坏块检测方法包括：从被测存储器的坏块表中获取被测存储器的第一坏块信息；响应于第一模式指令，向被测存储器提供第一编程阈值电压，第一编程阈值电压处于被测存储器的第一编程阈值电压区间；响应于坏块检测指令，对被测存储器的存储芯片中的块进行检测操作，检测操作包括以下至少一种操作：擦除操作、编程操作和读取操作；获取检测结果，并根据检测结果获取被测存储器的第二坏块信息。
Description
技术领域
本申请涉及半导体技术领域，具体涉及一种存储器的坏块检测方法、测试设备及存储介质。
背景技术
存储器有一定的失效概率，其失效概率与使用次数之间的关系符合浴缸曲线(又称U型曲线)的特性，即开始使用时存储器的失效概率高，当经过一定使用次数后失效概率大幅降低，直到接近或达到其使用寿命后，存储器的失效概率又会升高。目前，一般通过老化(burn in)测试来加速存储器失效的过程，从而筛选出良品。老化测试的方案是给被测存储器供给电源信号和测试信号，在高低温或常温下让被测存储器连续不间断地工作一定的时间，由此来加速被测存储器的失效过程。然而，老化测试一般使用随机模式(randompattern)对被测存储器提供多种不同的编程阈值电压，导致编程或擦除(P/E)循环次数多，测试时间较长。
发明内容
鉴于此，本申请提供一种存储器的坏块检测方法、测试设备及存储介质，以减少循环次数，从而减少测试时间。
本申请第一方面提供一种存储器的坏块检测方法，坏块检测方法包括：从被测存储器的坏块表中获取被测存储器的第一坏块信息；响应于第一模式指令，向被测存储器提供第一编程阈值电压，第一编程阈值电压处于被测存储器的第一编程阈值电压区间；响应于坏块检测指令，对被测存储器的存储芯片中的块进行检测操作，检测操作包括以下至少一种操作：擦除操作、编程操作和读取操作；获取检测结果，并根据检测结果获取被测存储器的第二坏块信息。
采用本申请实施例的坏块检测方法，将状态模式设置为输出第一编程阈值电压的模式，在擦除或编程或读取(E/P/R)循环中仅提供第一编程阈值电压，而不必提供其他编程阈值电压，从而可以省略提供其他编程阈值电压的测试过程，减少E/P/R循环次数，进而减少测试时间，提升测试效率。
在其中一种实施方式中，第一编程阈值电压区间为被测存储器的最大编程阈值电压区间。
采用本申请实施例的坏块检测方法，提供处于最大编程阈值电压区间的最大编程阈值电压可使每个存储单元的电子数量达到最大取值范围，从而使被测存储器的隧穿氧化层(tunnel oxide)和电荷捕获层(charge trap)的应力(stress)达到最大取值范围，进而可加速存储器失效的过程，减少测试时间。
本申请第二方面提供一种测试设备，测试设备包括处理器和存储器，当处理器执行存储于存储器中的计算机程序或代码时，实现本申请实施例的坏块检测方法。
本申请第三方面提供一种存储介质，用于存储计算机程序或代码，当计算机程序或代码被处理器执行时，实现本申请实施例的坏块检测方法。
可以理解，本申请第二方面提供的测试设备和第三方面提供的存储介质均与本申请第一方面提供的坏块检测方法的具体实施方式和有益效果大致相同，此处不再赘述。
附图说明
图1是三层式储存的编程阈值电压的概率密度分布示意图。
图2是本申请提供的测试系统的结构示意图。
图3是图2中的控制逻辑电路的结构示意图。
图4是本申请提供的坏块检测方法的流程图。
图5是本申请一个实施例的坏块检测方法的流程图。
图6是对比试验中实施例的流程图。
图7是图6的实施例的检测结果示意图。
图8是对比试验中对比例的流程图。
图9是图8的对比例的检测结果示意图。
主要元件符号说明
测试系统 10
测试设备 100
处理器 110
存储器 120
被测存储器 200
存储器单元阵列 210
解码器 220
页缓冲器 230
输入/输出缓冲器 240
控制逻辑电路 250
输入/输出控制电路 251
状态寄存器 252
地址寄存器 253
指令寄存器 254
存储芯片控制电路 255
电压生成器 256
坏块表 257
标志生成器 258
具体实施方式
需要说明的是，本申请实施例中“至少一个”是指一个或者多个，“多个”是指两个或多于两个。“和/或”，描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B的情况，其中A，B可以是单数或者复数。本申请的说明书和权利要求书及附图中的术语“第一”、“第二”、“第三”、“第四”等(如果存在)是用于区别类似的对象，而不是用于描述特定的顺序或先后次序。
另外需要说明的是，本申请实施例中公开的方法或流程图所示出的方法，包括用于实现方法的一个或多个步骤，在不脱离权利要求的范围的情况下，多个步骤的执行顺序可以彼此互换，其中某些步骤也可以被删除。
下面对本申请实施例中的部分技术术语进行说明。
1，坏块(Bad Block，BB)
坏块是指在固态硬盘(Solid State Drives，SSD)与非门闪存(Nand flash)中出现某些flash区域不能进行擦除和编程操作，称这样的一个单位区域为一个坏块。而由于Nand flash中的读取和编程操作是以页(page)为单位，擦除操作是以块(block)为单位，且编程操作之前必须要先进行擦除操作。因此，一个最小的可操作单位即为一个block，整个block中产生任何不可修复的位错误，就认为这个块是坏块。
在本文中，坏块包括初始坏块和新增坏块，初始坏块是指在存储器出厂时已经被厂商标识的坏块，新增坏块是指在存储器的使用过程中产生的坏块。
2，坏块表(Bad Block Table，BBT)
厂商在存储器出厂时建立一个坏块表，坏块表用于标记坏块。扫描厂商指定地址所对应的字节(byte)是否有0xFF标志，若没有0xFF标志，则为坏块。
厂商在生产制程中使用备用区域(Spare Area，SA)来标识坏块，在读取Nandflash的所有备用区域时创建坏块表，坏块表被保存在某个好块中。当重启Nand flash时，坏块表被加载到内存中。
3，存储颗粒
固态硬盘采用存储颗粒来进行存储，根据密度差异存储颗粒可被分为以下类型：单层式储存(Single-Level Cell，SLC)、双层式储存(Multi-Level Cell，MLC)、三层式储存(Trinary-Level Cell，TLC)、四层式储存(Quad-Level Cell，QLC)、五层式储存(Penta-Level Cell，PLC)。
其中，SLC的存储单元的容量为1bit/cell，即每个存储单元可存储1bit信息，具有2个状态位(0和1)。MLC的存储单元的容量为2bit/cell，即每个存储单元可存储2bit信息，具有4个状态位(00、01、10和11)。TLC的存储单元的容量为3bit/cell，即每个存储单元可存储3bit信息，具有8个状态位(000、001、010、011、100、101、110和111)。QLC的存储单元的容量为4bit/cell，即每个存储单元可存储4bit信息，具有16个状态位。PLC的存储单元的容量为5bit/cell，即每个存储单元可存储5bit信息，具有32个状态位。
每个状态位对应一定的编程阈值电压区间，编程阈值电压区间是指编程阈值电压的取值范围，编程阈值电压是在对存储器进行擦除操作、编程操作或读取操作时向存储器提供的电压。
以TLC为例，如图1所示，TLC的8个状态位对应8个不同的编程阈值电压区间(E、L1、L2、L3、L4、L5、L6和L7)。其中，状态位111对应编程阈值电压区间E，状态位110对应编程阈值电压区间L1，状态位100对应编程阈值电压区间L2，状态位000对应编程阈值电压区间L3，状态位010对应编程阈值电压区间L4，状态位011对应编程阈值电压区间L5，状态位001对应编程阈值电压区间L6，状态位101对应编程阈值电压区间L7。由图1可知，从编程阈值电压区间E到编程阈值电压区间L7，编程阈值电压的取值逐渐增大，编程阈值电压区间L7是TLC的最大编程阈值电压区间。
可以理解，存储颗粒的存储单元的容量越高，说明其单位面积的容量就越高，导致不同的电压状态也会越多。
4，状态模式
状态模式是指在对存储器进行擦除操作、编程操作或读取操作之前向存储器提供预设的编程阈值电压的模式。状态模式包括一个或多个状态位。
继续以TLC为例，目前对TLC类型的存储器进行老化测试时，状态模式通常设置为随机模式(random pattern)，例如pattern(000，001，010，011，100，101，110，111)，即提供8个不同的编程阈值电压。
随机模式对被测存储器提供多种不同的编程阈值电压，导致编程或擦除(P/E)循环次数多，测试时间较长。
基于此，本申请提供一种存储器的坏块检测方法、测试设备及存储介质，将状态模式设置为输出第一编程阈值电压的模式，在编程或擦除(P/E)循环中仅提供第一编程阈值电压，而不必提供其他编程阈值电压，从而可以省略提供其他编程阈值电压的测试过程，减少P/E循环次数，进而减少测试时间，提升测试效率。
下面对本申请提供的测试系统进行简要说明。
图2是本申请提供的测试系统10的结构示意图。
可参阅图2，测试系统10包括测试设备100和被测存储器200。测试设备100用于对被测存储器200进行性能测试，例如老化测试。测试设备100可向被测存储器200发送坏块检测指令，并从被测存储器200接收检测结果。其中，坏块检测指令包括擦除指令、编程指令和读取指令。测试设备100可根据检测结果确定所检测的存储芯片中的块是否为坏块。
测试设备100可以包括处理器110和存储器120。其中，处理器110可以运行存储于存储器120中的计算机程序或代码，实现本申请实施例的坏块检测方法。
处理器110可以包括一个或多个处理单元。例如，处理器110可以包括，但不限于，应用处理器(Application Processor，AP)、调制解调处理器、图形处理器(GraphicsProcessing Unit，GPU)、图像信号处理器(Image Signal Processor，ISP)、控制器、视频编解码器、数字信号处理器(Digital Signal Processor，DSP)、基带处理器、神经网络处理器(Neural-Network Processing Unit，NPU)等。其中，不同的处理单元可以是独立的器件，也可以集成在一个或多个处理器中。
处理器110中还可以设置存储器，用于存储指令和数据。在一些实施例中，处理器110中的存储器为高速缓冲存储器。该存储器可以保存处理器110刚用过或循环使用的指令或数据。如果处理器110需要再次使用该指令或数据，可从所述存储器中直接调用。
在一些实施例中，处理器110可以包括一个或多个接口。接口可以包括，但不限于，集成电路(Inter-Integrated Circuit，I2C)接口、集成电路内置音频(Inter-IntegratedCircuit Sound，I2S)接口、脉冲编码调制(Pulse Code Modulation，PCM)接口、通用异步收发传输器(Universal Asynchronous Receiver/Transmitter，UART)接口、移动产业处理器接口(Mobile Industry Processor Interface，MIPI)、通用输入输出(General-PurposeInput/Output，GPIO)接口、用户标识模块(Subscriber Identity Module，SIM)接口、通用串行总线(Universal Serial Bus，USB)接口等。
可以理解，本申请实施例示意的各模块间的接口连接关系，只是示意性说明，并不构成对测试设备100的结构限定。在本申请另一些实施例中，测试设备100也可以采用上述实施例中不同的接口连接方式，或多种接口连接方式的组合。
存储器120可以包括测试设备100存储器接口和内部存储器。其中，测试设备100存储器接口可以用于连接测试设备100存储卡，例如Micro SD卡，实现扩展测试设备100的存储能力。测试设备100存储卡通过测试设备100存储器接口与处理器110通信，实现数据存储功能。内部存储器可以用于存储计算机可执行程序代码，所述可执行程序代码包括指令。内部存储器可以包括存储程序区和存储数据区。其中，存储程序区可存储操作系统，至少一个功能所需的应用程序(例如声音播放功能，图像播放功能等)等。存储数据区可存储测试设备100使用过程中所创建的数据(例如音频数据，电话本等)等。此外，内部存储器可以包括高速随机存取存储器，还可以包括非易失性存储器，例如至少一个磁盘存储器件、闪存器件或通用闪存存储器(Universal Flash Storage，UFS)等。处理器110通过运行存储在内部存储器的指令，和/或存储在设置于处理器110中的存储器的指令，执行测试设备100的各种功能应用以及数据处理，例如实现本申请实施例的坏块检测方法。
被测存储器200可以包括存储器单元阵列210、解码器220、页缓冲器230、输入/输出(I/O)缓冲器240和控制逻辑电路250。
其中，存储器单元阵列210可通过字线、串选择线和地选择线与解码器220连接。存储器单元阵列210可通过位线连接页缓冲器230。存储器单元阵列210可包括多个块，每个块可包括多个Nand单元串。
解码器220可响应于地址信号而选择存储器单元阵列210中的一个块。解码器220可将与状态模式对应的字线电压提供给所选择的块的字线。此外，解码器220可将选择信号提供给串选择线或地选择线以选择块。
页缓冲器230可根据状态模式用作写入驱动器或感测放大器。在编程操作中，页缓冲器230可将与被编程的数据对应的位线电压供应给与存储器单元阵列210相关联的选择的位线。在读取操作中，页缓冲器230可通过位线感测存储在选择的存储单元中的数据。页缓冲器230可对感测的数据进行锁存，并且可将锁存的数据输出到测试设备100。
在编程操作中，输入/输出缓冲器240可将写入数据信号传送到页缓冲器230。在读取操作中，输入/输出缓冲器240可将从页缓冲器230获取的读取数据信号输出到测试设备100。输入/输出缓冲器240可将从测试设备100接收的指令信号和地址信号传送到控制逻辑电路250或解码器220。
控制逻辑电路250可响应于指令信号、指令锁存使能信号、地址锁存使能信号或写入使能信号而控制解码器220和页缓冲器230。
具体而言，如图3所示，控制逻辑电路250可包括输入/输出(I/O)控制电路251、状态寄存器252、地址寄存器253、指令寄存器254、存储芯片控制电路255、电压生成器256、坏块表257和标志生成器258。
其中，I/O控制电路251可从测试设备100接收对被测存储器200进行操作的信号，例如指令信号、地址信号或数据信号。此外，I/O控制电路251可向测试设备100通知被测存储器200的状态。
状态寄存器252可从存储芯片控制电路255接收信号，并且可将接收的信号输出到I/O控制电路251。地址寄存器253可从I/O控制电路251接收地址信号，并且可将接收的信号输出到坏块表257。指令寄存器254可从I/O控制电路251接收指令信号，并且可将接收的信号输出到存储芯片控制电路255。
存储芯片控制电路255可接收从测试设备100获取的信号，例如指令锁存使能信号、地址锁存使能信号和写入锁存使能信号。存储芯片控制电路255可根据从测试设备100获取的信号来控制存储芯片。此外，存储芯片控制电路255可将一个或多个控制信号输出到电压生成器256。
电压生成器256可从存储芯片控制电路255接收控制信号，基于接收的控制信号生成电压，并将生成的电压输出到存储芯片。可以理解，在坏块检测过程中，由电压生成器256生成的电压的电平可以是一致的或基本一致的(诸如通过一致地在例如2％或5％范围内变化)。
坏块表257可接收从地址寄存器253输出的地址信号。坏块表257可存储被测存储器200的坏块信息。坏块表257可读取与接收的地址信号对应的坏块信息。当将坏块表257的坏块信息与地址信号进行比较的结果指示坏块时，坏块表257可输出坏块标志信号。
标志生成器258可接收由坏块表257生成的坏块标志信号，基于坏块标志信号生成指示存储芯片的坏块信息的标志信号，并将标志信号输出到测试设备100。
可以理解，本申请实施例示意的结构并不构成对测试设备100和被测存储器200的具体限定。在本申请另一些实施例中，测试设备100和被测存储器200可以包括比图示更多或更少的部件，或者组合某些部件，或者拆分某些部件，或者不同的部件布置。图示的部件可以以硬件，软件或软件和硬件的组合实现。
在本文中，被测存储器200是非易失性存储器。被测存储器200可以包括，但不限于只读存储器(Read-Only Memory，ROM)、可编程只读存储器(Programmable Read-OnlyMemory，PROM)、电可改写只读存储器(Electrically Alterable Read Only Memory，EAROM)、可擦除可编程只读存储器(Erasable Programmable Read Only Memory，EPROM)、电可擦除可编程只读存储器(Electrically Erasable Programmable Read Only Memory，EEPROM)或闪存存储器(Flash memory)等。
下面对本申请提供的坏块检测方法进行说明。
可参阅图4，坏块检测方法应用于测试设备100，测试设备100对被测存储器200进行测试。如图4所示，坏块检测方法可以包括以下步骤：
S401，从被测存储器200的坏块表中获取被测存储器200的第一坏块信息。
其中，第一坏块信息是指初始坏块的信息。第一坏块信息包括初始坏块的数目和地址。
S402，响应于第一模式指令，向被测存储器200提供第一编程阈值电压。
其中，第一模式指令用于选择第一状态模式，第一状态模式用于向被测存储器200提供第一编程阈值电压，第一编程阈值电压处于被测存储器200的第一编程阈值电压区间。第一编程阈值电压区间的下限值大于或等于被测存储器200的编程阈值电压的平均值。
在一些实施例中，第一编程阈值电压区间为被测存储器200的最大编程阈值电压区间。
可以理解，测试设备100可以包括控制面板，用户可通过触摸或点击控制面板上的模式选择控件，从而触发第一模式指令。
在一些实施例中，第一模式指令包括被测存储器200的第一状态位，第一状态位对应被测存储器200的第一编程阈值电压区间。
继续以TLC为例，可再次参阅图1，对TLC类型的被测存储器200进行老化测试时，测试设备100响应于用户触发的第一模式指令，将状态模式设置为第一状态模式，从而可向被测存储器200提供第一编程阈值电压区间的电压。例如，将状态模式设置为pattern(101)，从而可向被测存储器200提供最大编程阈值电压区间(L7)的电压。又例如，将状态模式设置为pattern(001)，从而可向被测存储器200提供编程阈值电压区间L6的电压。又例如，将状态模式设置为pattern(011)，从而可向被测存储器200提供编程阈值电压区间L5的电压。
S403，响应于坏块检测指令，对被测存储器200的存储芯片中的块进行检测操作。
其中，坏块检测指令用于对被测存储器200的存储芯片中的块进行检测操作，检测操作包括以下至少一种操作：擦除操作、编程操作和读取操作。
可以理解，用户可通过触摸或点击测试设备100的控制面板上的坏块检测控件，从而触发坏块检测指令。
在一些实施例中，坏块检测指令包括擦除指令、编程指令和读取指令，擦除指令用于对被测存储器200的存储芯片中的块进行擦除操作，编程指令用于对被测存储器200的存储芯片中的块进行编程操作，读取指令用于对被测存储器200的存储芯片中的块进行读取操作。
S404，获取检测结果，并根据检测结果获取被测存储器200的第二坏块信息。
其中，第二坏块信息是指新增坏块的信息。第二坏块信息包括新增坏块的数目和地址。
在本实施例中，检测结果可包括返回值。测试设备100在对被测存储器200的存储芯片中的块进行检测操作之后，被测存储器200会产生返回值。例如，当检测出坏块时，返回值为1；当没有检测出坏块时，返回值为0。测试设备100可以根据从被测存储器200获取的返回值来确定所检测的块是否为坏块。
在一些实施例中，检测结果还包括通过(pass)或错误(false)。当确定所检测的块为坏块时，测试设备100展示检测结果为false。当确定所检测的块不为坏块时，测试设备100展示检测结果为pass。
下面通过一个具体实施例对本申请提供的坏块检测方法进行详细说明。
如图5所示，坏块检测方法具体可以包括以下步骤：
S501，从被测存储器200的坏块表中获取被测存储器200的第一坏块信息。
S502，响应于第一模式指令，向被测存储器200提供第一编程阈值电压。
可以理解，步骤S501至S502的具体实施方式与图4所示的步骤S401至S402相同，此处不再赘述。
S503，响应于第一擦除指令，对被测存储器200的存储芯片中的第一块进行擦除操作。
其中，第一擦除指令用于对被测存储器200的存储芯片中的第一块进行擦除操作。
S504，获取对第一块进行擦除操作的第一检测结果。
其中，第一检测结果可包括第一返回值或第二返回值。第一返回值用于说明第一块为坏块。第二返回值用于说明第一块不为坏块。
在一些实施例中，第一返回值为1，第二返回值为0。
在另一些实施例中，第一返回值为0，第二返回值为1。
S505，根据第一检测结果确定第一块是否为坏块。
可以理解，当测试设备100接收到第一返回值时，可确定第一块为坏块。当测试设备100接收到第二返回值时，可确定第一块不为坏块。
在本实施例中，若第一块为坏块，则依次执行步骤S506至S509；若否，则依次执行步骤S510至S512。
S506，在坏块表中标记第一块为坏块。
在本实施例中，当确定第一块为坏块时，测试设备100在坏块表中标记第一块为坏块，新增第一块的信息，例如记录第一块的地址，并将坏块的数目加1。
S507，响应于第二擦除指令，对被测存储器200的存储芯片中的第二块进行擦除操作。
其中，第二擦除指令用于对被测存储器200的存储芯片中的第二块进行擦除操作。
在本实施例中，测试设备100轮询被测存储器200的存储芯片中的块，在确定第一块为坏块之后，对第二块进行擦除操作。
S508，获取对第二块进行擦除操作的第二检测结果。
S509，根据第二检测结果确定第二块是否为坏块。
可以理解，步骤S508至S509的具体实施方式与步骤S504至S505大致相同，此处不再赘述。
S510，响应于第一编程指令，对第一块进行编程操作。
其中，第一编程指令用于对第一块进行编程操作。
在本实施例中，当确定第一块不为坏块时，测试设备100接着对第一块进行编程操作。
S511，获取对第一块进行编程操作的第三检测结果。
S512，根据第三检测结果确定第一块是否为坏块。
可以理解，步骤S511至S512的具体实施方式与步骤S504至S505大致相同，此处不再赘述。
在本实施例中，若第一块为坏块，则依次执行步骤S506至S509；若否，则依次执行步骤S513至S515。
S513，响应于第一读取指令，对第一块进行读取操作。
其中，第一读取指令用于对第一块进行读取操作。
在本实施例中，当确定第一块不为坏块时，测试设备100接着对第一块进行读取操作。
S514，获取对第一块进行读取操作的第四检测结果。
S515，根据第四检测结果确定第一块是否为坏块。
可以理解，步骤S514至S515的具体实施方式与步骤S504至S505大致相同，此处不再赘述。
在本实施例中，若第一块为坏块，则依次执行步骤S506至S509；若否，则依次执行步骤S503至S505。
可以理解，在本实施例中，测试设备100轮询被测存储器200的存储芯片中的块，依次对各个块进行以下检测操作：擦除操作、编程操作和读取操作。在完成每一次检测操作之后，被测存储器200都会产生返回值。测试设备100根据返回值获取检测结果，再根据检测结果确定所检测的块是否为坏块。
具体而言，在一些实施例中，测试设备100可先对第一块进行擦除操作、编程操作和读取操作，再对第二块进行擦除操作、编程操作和读取操作。在对所有的块都完成擦除操作、编程操作和读取操作之后，再重新对第一块进行擦除操作、编程操作和读取操作。
举例而言，测试设备100在对第一块完成擦除操作之后，若第一块为坏块，则不再对第一块进行编程操作，而是接着对第二块进行擦除操作。若第一块不为坏块，则继续对第一块进行编程操作。在对第一块完成编程操作之后，若第一块为坏块，则不再对第一块进行读取操作，而是接着对第二块进行擦除操作。若第一块不为坏块，则继续对第一块进行读取操作。在对第一块完成读取操作之后，若第一块为坏块，则接着对第二块进行擦除操作。若第一块不为坏块，则重新对第一块进行擦除操作。
在另一些实施例中，测试设备100也可先对所有的块依次进行擦除操作，再对所有的块依次进行编程操作，接着对所有的块依次进行读取操作。在对所有的块都完成读取操作之后，再重新对所有的块依次进行擦除操作。
举例而言，测试设备100在对第一块完成擦除操作之后，不论第一块是否为坏块，接着对第二块进行擦除操作。在对所有的块都完成擦除操作之后，若第一块为坏块，则不再对第一块进行编程操作，而是接着对第二块进行编程操作。若第一块不为坏块，则对第一块进行编程操作。在对第一块完成编程操作之后，不论第一块是否为坏块，接着对第二块进行编程操作。在对所有的块都完成编程操作之后，若第一块为坏块，则不再对第一块进行读取操作，而是接着对第二块进行读取操作。若第一块不为坏块，则对第一块进行读取操作。在对第一块完成读取操作之后，不论第一块是否为坏块，接着对第二块进行读取操作，直至对所有的块都完成读取操作。在对所有的块都完成读取操作之后，若第一块为坏块，则重新对第二块进行擦除操作。若第一块不为坏块，则重新对第一块进行擦除操作。
在本实施例中，测试设备100可依预设的循环次数依次对各个块进行循环检测操作，从而获取被测存储器200的新增坏块信息。
下面以测试设备100在相同的测试环境下对TLC类型的被测存储器200进行老化测试的对比试验为例，对本申请提供的坏块检测方法的技术效果进行说明。
实施例
实施例采用本申请提供的坏块检测方法，如图6所示，实施例包括以下步骤：
S601，测试设备100检查被测存储器200的坏块表，从坏块表中获取被测存储器200的初始坏块信息。
S602，测试设备100响应于芯片选择指令，选择被测存储器200中一定数目的存储芯片(例如10颗)。
S603，测试设备100响应于第一模式指令，向被测存储器200提供最大编程阈值电压区间(L7)的第一编程阈值电压。
S604，测试设备100响应于坏块检测指令，依预设的循环次数(例如20次)对所选择的存储芯片中的各个块依次进行擦除操作、编程操作和读取操作。
S605，测试设备100获取检测结果，并根据检测结果获取被测存储器200的新增坏块信息。
如图7所示，从实施例的检测结果可知，在循环次数达到6次之后，不再产生新增坏块，说明在第6次循环时新增坏块的数目达到饱和状态。
对比例
对比例没有采用本申请提供的坏块检测方法，如图8所示，对比例包括以下步骤：
S801，测试设备100检查被测存储器200的坏块表，从坏块表中获取被测存储器200的初始坏块信息。
S802，测试设备100响应于芯片选择指令，选择被测存储器200中一定数目的存储芯片(例如10颗)。
S803，测试设备100响应于随机模式指令，向被测存储器200随机提供8个不同的编程阈值电压区间(E、L1、L2、L3、L4、L5、L6和L7)的编程阈值电压。
S804，测试设备100响应于坏块检测指令，依预设的循环次数(例如20次)对所选择的存储芯片中的各个块依次进行擦除操作、编程操作和读取操作。
S805，测试设备100获取检测结果，并根据检测结果获取被测存储器200的新增坏块信息。
如图9所示，从对比例的检测结果可知，在循环次数达到14次之后，不再产生新增坏块，说明在第14次循环时新增坏块的数目达到饱和状态。
从实施例和对比例的检测结果可知，测试设备100在相同的测试环境下对TLC类型的被测存储器200进行老化测试，实施例在第6次循环时新增坏块的数目达到饱和状态，而对比例在第14次循环时新增坏块的数目才达到饱和状态。可见，采用本申请提供的坏块检测方法进行老化测试，可以减少检测操作的循环次数，进而减少测试时间，提升测试效率。
本申请还提供一种存储介质，用于存储计算机程序或代码，当所述计算机程序或代码被处理器执行时，实现本申请实施例的坏块检测方法。
存储介质包括在用于存储信息(诸如计算机可读指令、数据结构、程序模块或其它数据)的任何方法或技术中实施的易失性和非易失性、可移除和不可移除介质。存储介质包括，但不限于，随机存取存储器(Random Access Memory，RAM)、只读存储器(Read-OnlyMemory，ROM)、带电可擦可编程只读存储器(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory，EEPROM)、闪存或其它存储器、只读光盘(Compact Disc Read-Only Memory，CD-ROM)、数字通用光盘(Digital Versatile Disc，DVD)或其它光盘存储、磁盒、磁带、磁盘存储或其它磁存储装置、或者可以用于存储期望的信息并且可以被计算机访问的任何其它的介质。
上面结合附图对本申请实施例作了详细说明，但是本申请不限于上述实施例，在所属技术领域普通技术人员所具备的知识范围内，还可以在不脱离本申请宗旨的前提下做出各种变化。
Claims (11)
1.一种存储器的坏块检测方法，其特征在于，所述坏块检测方法包括：
从被测存储器的坏块表中获取所述被测存储器的第一坏块信息；
响应于第一模式指令，向所述被测存储器提供第一编程阈值电压，所述第一编程阈值电压处于所述被测存储器的第一编程阈值电压区间；
响应于坏块检测指令，对所述被测存储器的存储芯片中的块进行检测操作，所述检测操作包括以下至少一种操作：擦除操作、编程操作和读取操作；
获取检测结果，并根据所述检测结果获取所述被测存储器的第二坏块信息。
2.如权利要求1所述的坏块检测方法，其特征在于，所述第一模式指令包括所述被测存储器的第一状态位，所述第一状态位对应所述被测存储器的第一编程阈值电压区间。
3.如权利要求1所述的坏块检测方法，其特征在于，所述第一编程阈值电压区间为所述被测存储器的最大编程阈值电压区间。
4.如权利要求1所述的坏块检测方法，其特征在于，所述坏块检测指令包括擦除指令、编程指令和读取指令，所述擦除指令用于对所述被测存储器的存储芯片中的块进行擦除操作，所述编程指令用于对所述被测存储器的存储芯片中的块进行编程操作，所述读取指令用于对所述被测存储器的存储芯片中的块进行读取操作。
5.如权利要求4所述的坏块检测方法，其特征在于，所述响应于坏块检测指令，对所述被测存储器的存储芯片中的块进行检测操作，及获取检测结果，并根据所述检测结果获取所述被测存储器的第二坏块信息，包括：
响应于第一擦除指令，对所述被测存储器的存储芯片中的第一块进行擦除操作；
获取对所述第一块进行擦除操作的第一检测结果；
根据所述第一检测结果确定所述第一块是否为坏块。
6.如权利要求5所述的坏块检测方法，其特征在于，所述坏块检测方法还包括：
若所述第一块为坏块，则在所述坏块表中标记所述第一块为坏块；
响应于第二擦除指令，对所述被测存储器的存储芯片中的第二块进行擦除操作；
获取对所述第二块进行擦除操作的第二检测结果；
根据所述第二检测结果确定所述第二块是否为坏块。
7.如权利要求5所述的坏块检测方法，其特征在于，所述坏块检测方法还包括：
若所述第一块不为坏块，则响应于第一编程指令，对所述第一块进行编程操作；
获取对所述第一块进行编程操作的第三检测结果；
根据所述第三检测结果确定所述第一块是否为坏块。
8.如权利要求7所述的坏块检测方法，其特征在于，所述坏块检测方法还包括：
若所述第一块为坏块，则在所述坏块表中标记所述第一块为坏块；
响应于第二擦除指令，对所述被测存储器的存储芯片中的第二块进行擦除操作；
获取对所述第二块进行擦除操作的第二检测结果；
根据所述第二检测结果确定所述第二块是否为坏块。
9.如权利要求7所述的坏块检测方法，其特征在于，所述坏块检测方法还包括：
若所述第一块不为坏块，则响应于第一读取指令，对所述第一块进行读取操作；
获取对所述第一块进行读取操作的第四检测结果；
根据所述第四检测结果确定所述第一块是否为坏块。
10.一种测试设备，所述测试设备包括处理器和存储器，其特征在于，当所述处理器执行存储于所述存储器中的计算机程序或代码时，实现如权利要求1至9中任一项所述的坏块检测方法。
11.一种存储介质，用于存储计算机程序或代码，其特征在于，当所述计算机程序或代码被处理器执行时，实现如权利要求1至9中任一项所述的坏块检测方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202210882623.0A CN115472206B (zh) | 2022-07-26 | 2022-07-26 | 存储器的坏块检测方法、测试设备及存储介质 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN202210882623.0A CN115472206B (zh) | 2022-07-26 | 2022-07-26 | 存储器的坏块检测方法、测试设备及存储介质 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN115472206A true CN115472206A (zh) | 2022-12-13 |
| CN115472206B CN115472206B (zh) | 2023-11-21 |
Family
ID=84366190
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202210882623.0A Active CN115472206B (zh) | 2022-07-26 | 2022-07-26 | 存储器的坏块检测方法、测试设备及存储介质 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN115472206B (zh) |
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| CN115472206B (zh) | 2023-11-21 |
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