JP2012212487A - メモリシステム - Google Patents
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Abstract
実施形態は、信頼性を向上可能なメモリシステムを提供する。
【解決手段】
本実施形態のメモリシステムによれば、複数のワード線と、複数のビット線と、制御ゲートに前記ワード線が接続され、ドレイン端に前記ビット線が接続されたメモリセルと、複数の前記メモリセルを含むページ、複数の前記ページを含むブロックを有するメモリセルアレイと、前記ページごとに不良の前記ビットの個数が第1閾値以下である良ブロックに関するデータが保持された記憶領域とを備え、前記第1閾値は、不良ブロックか否かの判定に用いる第2閾値よりも小さいことを特徴とする。
【選択図】図1
Description
する部分には共通する参照符号を付す。また、図面の寸法比率は、図示の比率に限定されるものではない。
[メモリシステムの構成]
本実施形態のメモリシステムの構成について、図1のブロック図を用いて説明する。図1に示すように、メモリシステムは、NAND型フラッシュメモリ100と、フラッシュコントローラ200を有する。このフラッシュコントローラ200は、例えばホストシステム(外部)から受けたコマンドに基づき、NAND型フラッシュメモリ100を制御する。
まず、NAND型フラッシュメモリ100について、図2のブロック図を用いて説明する。
入出力制御回路10は、フラッシュコントローラ200とNAND型フラッシュメモリ100との間のデータの入出力を制御する機能を有する。入出力制御回路10は、ステータスレジスタ13、アドレスレジスタ14、コマンドレジスタ15、データレジスタ21と電気的に接続される。入出力制御回路10は、例えば図1に示す8個の入出力端子I/O1…I/O8を介してフラッシュコントローラ200から入力されるコマンド、アドレス等をコマンドレジスタ15、アドレスレジスタ14等に転送する。
ロジック制御回路11は、入出力制御回路10、主制御回路24と電気的に接続される。 ロジック制御回路11は、フラッシュコントローラ200から入力される各種制御信号、例えば、チップイネーブル信号/CE、アドレスラッチイネーブル信号ALE、コマンドラッチイネーブル信号CLE、ライトイネーブル信号/WE、リードイネーブル信号/RE、ライトプロテクト信号/WPを受けて、これら各信号の組み合わせに基づき、入出力制御回路10、主制御回路24を制御する。
レディー/ビジー制御回路12は、主制御回路24と電気的に接続されており、主制御回路24の動作状態を示す信号が入力される。レディー/ビジー制御回路12は、この信号を受けて、主制御回路24の動作状態(書き込み、読み出し、消去などの各動作状態)に基づき、レディー/ビジー信号RY//BY(BYの反転信号)をフラッシュコントローラ200に出力する。例えば、NAND型フラッシュメモリ100が書き込み、読み出し、消去などの内部動作を行っているとき、RY//BY=“0”(ビジー)となり、これら内部動作が終了すると、RY//BY=“1”(レディー)となる。
ステータスレジスタ13は、入出力制御回路10と主制御回路24と電気的に接続される。ステータスレジスタ13は、NAND型フラッシュメモリ100の起動時(パワーオンリード時)に、メモリセルアレイ23内のROMFUSE領域(図示略)に格納されている各種パラメータ情報などを取り込み、一時的に保持する。
アドレスレジスタ14は、入出力制御回路10と、ロウアドレスバッファ17と、カラムバッファ19と電気的に接続される。アドレスレジスタ14は、入出力制御回路10を介して入力されるアドレスを一時的に保持し、ロウアドレスバッファ17、及びカラムバッファ19に転送する。
コマンドレジスタ15は、入出力制御回路10と、主制御回路24と電気的に接続される。コマンドレジスタ15は、入出力制御回路10を介して入力されるコマンド(書き込みコマンド、読み出しコマンド、消去コマンド、ステータスリードコマンドなど)を一時的に保持し、主制御回路24に転送する。
高電圧生成回路16は、主制御回路24と電気的に接続されており、主制御回路24の状態に基づき、書き込み、読み出し、消去などの各動作において必要となる高電圧を生成し、ロウデコーダ18、センスアンプ22、及びメモリセルアレイ23に転送する。
ロウアドレスバッファ17は、アドレスレジスタ14とロウアドレスデコーダ(ロウデコーダともいう)18と電気的に接続される。ロウアドレスバッファ17は、アドレスレジスタ14から入力されるロウアドレスを一時的に保持し、ロウアドレスデコーダ18に転送する。
ロウアドレスデコーダ18は、ロウアドレスバッファ17と、メモリセルアレイ23と電気的に接続される。ロウアドレスデコーダ18は、ワード線WLを介してメモリセルアレイ23内のメモリセルに接続される。ロウアドレスデコーダ18は、ロウアドレスバッファ17を介して入力されるロウアドレスに基づきワード線WLを制御する。具体的には、ワード線WLに対して、書き込み、読み出し動作に必要な電圧を印加する。
カラムバッファ19は、アドレスレジスタ14と、カラムデコーダ20と電気的に接続される。カラムバッファ19は、アドレスレジスタ14を介して入力されるカラムアドレスを一時的に保持し、カラムデコーダ20に転送する。
カラムデコーダ20は、カラムバッファ19と、センスアンプ22と電気的に接続される。カラムデコーダ20は、センスアンプ22のカラム選択を制御する機能を有する。
データレジスタ21は、入出力制御回路10と、センスアンプ22と電気的に接続される。データレジスタ21は、入出力制御回路10から入力された書き込みデータ、またはセンスアンプ22により入力された読み出しデータを一時的に保持する。
センスアンプ22は、カラムデコーダ20と、データレジスタ21と、メモリセルアレイ23と電気的に接続される。センスアンプ22は、ビット線BLの電位を検知するためのセンス動作、書き込み及び消去後のベリファイ読み出しのためのセンス動作を行う機能を有する。
メモリセルアレイ23は、ロウアドレスデコーダ18と、センスアンプ22と電気的に接続される。メモリセルアレイ23について、図3の回路図を用いて説明する。図3に示すように、メモリセルアレイ23は、複数の不揮発性のメモリセルM0〜Mnを含んだブロック(図示略)を複数個、備える。この複数のブロックのそれぞれは、マトリックス状に配置された複数のNANDストリングNSを有する。このNANDストリングNSは、複数の不揮発性のメモリセルM0〜Mn(なお、メモリセルを総称する場合には、メモリセルMと記載する)と、選択トランジスタST1、ST2を含む。図3に示すように、(n+1)個(nは0以上の整数)のメモリセルM0〜Mnは、選択トランジスタST1、ST2間に、その電流経路が直列接続されるようにして配置される。直列接続されたメモリセルMnの一端側のドレイン領域は選択トランジスタST1のソース領域に接続され、メモリセルM0の他端側のソース領域は選択トランジスタST2のドレイン領域に接続されている。また、メモリセルMは、隣接するもの同士でソース、ドレインを共有している。
次に、本実施形態のメモリシステムの動作方法について、図4及び図5のフローチャート図を用いて説明する。説明の便宜上、テスト工程でのメモリシステムの動作方法と、データの書き込みシーケンスでのメモリシステムの動作方法を分けて説明する。
図4に示すように、まず、ステップS1で、NAND型フラッシュメモリ100内の各ブロックが不良ブロックであるか否かを判定するテストを実行する。
図5は、通常データよりも重要な用途に用いるデータ(例えば、管理データ)、通常データより信頼性が要求されるデータの書き込みシーケンスでのメモリシステムの動作を示すフローチャート図である。なお、本実施形態のメモリシステムの動作方法では、通常データを書き込む場合のメモリシステムの動作は省略する。
以上より、実施形態は、信頼性を向上可能なメモリシステムを提供できる。以下、具体的に説明する。
次に、第2実施形態のメモリシステムについて、図7及び図8を用いて説明する。第2実施形態のメモリシステムは、第1実施形態に対して、アドレスレジスタ14とカラムバッファ19またはロウアドレスバッファ17との間に、良ブロックアドレス判定回路30を設ける点で異なり、その他の構成は同様であり詳細な説明は省略する。
200…フラッシュコントローラ
NS…NANDストリング
M0〜Mn…メモリセル
ST1,ST2…選択トランジスタ
Claims (5)
- 複数のワード線と、
複数のビット線と、
制御ゲートに前記ワード線が接続され、ドレイン端に前記ビット線が接続されたメモリセルと、
複数の前記メモリセルを含むページ、複数の前記ページを含むブロックを有するメモリセルアレイと、
前記ページごとに不良の前記ビットの個数が第1閾値以下である良ブロックに関するデータが保持された記憶領域と
を備え、
前記第1閾値は、不良ブロックか否かの判定に用いる第2閾値よりも小さいことを特徴とするメモリシステム。 - 良ブロックか否かを判定するテスト時に、テスト対象のブロック内の前記ページごとに前記不良のビットの個数が前記第1閾値以下であるかを判定する主制御回路をさらに備えることを特徴とする請求項1記載のメモリシステム。
- 前記複数のワード線、前記複数のビット線、前記メモリセルアレイ、前記記憶領域は、半導体メモリ内に設けられて、
前記半導体メモリを制御するフラッシュコントローラをさらに備え、
書き込み動作時に、前記良ブロックに関するデータをフラッシュメモリコントローラに読み出すことを特徴とする請求項1又は請求項2記載のメモリシステム。 - 前記メモリセルアレイに通常データより信頼性が要求される特定データを書き込むとき、前記フラッシュコントローラは、特定データを前記良ブロックに書き込むよう、前記半導体メモリを制御することを特徴とする請求項3記載のメモリシステム。
- 前記メモリセルアレイは、2値データを保持する領域と多値データを保持する領域とを有し、
前記2値データを保持する領域に書き込んだのちに、前記多値データを保持する領域に書き込む書き込み動作を実行するとき、前記フラッシュコントローラは、前記2値データを保持する領域として前記良ブロックを指定することを特徴とするメモリシステム。
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