CN115466856B - 还原吸附-氧化法从含锗光纤废料中回收锗的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种还原吸附‑氧化法从含锗光纤废料中回收锗的方法,属于资源再生技术领域,包括一次破碎球磨—还原吸附焙烧联合氧化焙烧—二次球磨—通氯蒸馏等过程,该方法能够有效破除硅对锗的包裹,从来极大的提高锗的回收率,从原料到四氯化锗,锗的回收率大于97%;该方法具有锗的回收率更高、流程更简单等优点。

Description

还原吸附-氧化法从含锗光纤废料中回收锗的方法
技术领域
本发明属于资源再生技术领域,具体涉及还原吸附-氧化法从含锗光纤料中回收高值的稀散金属锗的方法。
背景技术
光纤通讯已经取代了传统的有线电缆通讯,而光导纤维生产必须掺锗才能具有通讯优势。而锗是一种稀散稀有金属,地质储量有限,用途广,价值高。因此从各种再生资源中回收锗具有重要的社会经济效益。据统计,近年锗在光导纤维中的应用已占全世界用量的42%-45%,因此废料也就越来越多。光导纤维废料中又含有大量的锗。在生产光棒时锗的化合物与硅的化合物一道反应后,锗被大量的二氧化硅胶体吸附或包裹,这种废料用一般的工业酸反应几乎无法提炼锗,要提炼锗必须打破二氧化硅胶体的保护,用碱处理后直接蒸馏效果仍不理想,回收率都在90%以下。因此合理回收综合利用光导纤维废料中的锗已成为很重要的课题。
常见含锗光纤废料的回收方法如下:
1、高温还原挥发法:即在此物料中加入碳粉,混合均匀,放在炉内加热到600-800℃,并通入惰性气体或使加热炉减压,使锗以GeO形态挥发出来,用捕集器捕集GeO。该工艺设备比较复杂,且过程难以控制。
2、氢氟酸浸出法(如CN103667693A 一种从髙硅原料中提取锗方法等):由于二氧化硅的包裹,先用氢氟酸浸出,破坏二氧化硅对锗的包裹,然后对浸出液调pH值后用栲胶沉淀锗,烘干焙烧后氯化蒸馏提锗。该工艺锗浸出率高,但生产链比较长,成本比较高,且由于过程中使用了大量的氢氟酸,无论是浸出设备还是蒸馏设备,都会被严重腐蚀。
3、单纯加碱焙烧蒸馏法:将此物料加纯碱拌匀,高温焙烧破碎后直接蒸馏。该工艺蒸馏酸耗大,锗回收率低于80%,不经济。
4、氧压浸出法(如CN106834753A一种从高硅高铁低品位含锗物料中提取锗的方法等):通过将高硅高铁低品位含锗物料与硫酸和助浸剂混合后,加入到高压反应釜中,通入含氧气体,调整氧分压,进行氧压酸浸,所得物料经固液分离,得到含锗酸浸液,加入铁粉、明胶,得到净化溶液,再进行萃取和反萃取,最后经煅烧后可得到锗含量大于30%的精锗矿。缺点是设备复杂,需要使用高压釜浸出,安全上要求高。
另外,专利CN109439909A采用硫化挥发技术从含硅锗的光纤生产废料中富集分离锗,获得硫化锗或硫化锗与二氧化锗的混合物,再进行氧化焙烧或直接进行硫酸氧化浸出,再从浸出液中用常规方法回收锗,但该方法存在焙烧温度高,烟尘硫含量高污染环境等问题。专利CN110386606A中加入金属盐并调节pH值进行沉硅和沉锗工序,但该方法在沉硅过程中有大量锗也随着硅一起沉淀,使得锗的回收率低,没有充分利用锗资源,且引入了杂质离子。
针对上述的专利技术的缺陷,本技术方案提供一种锗回收率更高、流程更简单的新技术方案。
发明内容
本发明的目的是为了解决现有技术中存在的缺点,而提出的。
为实现上述目的,本发明采用了如下技术方案:
一种还原吸附-氧化法从含锗光纤废料中回收锗的方法,包括以下步骤:
S1:一次破碎球磨:将含锗光纤废料破碎球磨,得到含锗光纤粉;
S2:还原吸附焙烧联合氧化焙烧:将石墨粉、铁粉和S1所得的含锗光纤粉、搅拌均匀后放入电转窑中进行一阶段低速旋转还原吸附焙烧;再通入空气进行二阶段中速旋转氧化焙烧,得到氧化物料;
S3:二次球磨:将S2所得氧化物料进行球磨,得氧化粉料;
S4:通氯蒸馏:将S3中得到的氧化粉料投入蒸馏釜中,加入工业盐酸,并通氯气进行蒸馏,得到四氯化锗。优选地,在S1中破碎球磨后的含锗光纤粉200-250目过筛。
优选地,在S2中所述的各物料的重量配比为:含锗光纤粉:石墨粉:铁粉=1:0.1-0.2:0.15-0.25;且所述石墨粉100目过筛,所述铁粉100目过筛;一阶段低速旋转还原吸附焙烧所述电转窑旋转速度为0.05~0.1转/分钟,温度820~860℃,时间6~8小时;所述电转窑旋转速度为0.2~0.4转/分钟,温度650~700℃,时间4~6小时。
优选地,在S4中,二次球磨后的物料过筛80-100目。
优选地,步骤S4还包括如下子步骤:
S4-1:在蒸馏釜中投入S3中得到的氧化粉料,并关闭蒸馏釜盖;
S4-2:向蒸馏釜内加入工业盐酸并搅拌20分钟;
S4-3:缓慢通入氯气;
S4-4:通氯气15分钟后开始升温至85~95℃常规蒸馏;待无四氯化锗产生后蒸馏结束。
优选地,在S4中,加入工业盐酸的重量比为: S3中得到的氧化粉料:工业盐酸=1:8。
优选地,所述工业盐酸中氯化氢的离子浓度大于10mol/L。
优选地,在S4-4中,蒸馏全程持续通氯气。
与现有技术相比,本发明的有益效果为:本发明采用还原吸附和氧化法对含锗光纤废料进行转化,从而大幅提高锗的回收率。采用上述方法的优点在于球磨后的物料与石墨、铁粉混合后在高温下反应,氧化锗被还原成锗和一氧化锗粉后并被铁粉所吸附和聚集,从而破除了硅对锗的包裹,接着通过氧化将低价态锗氧化成易溶于盐酸的高价态锗;还原吸附联合氧化后的物料在后续蒸馏中反应速度快,且锗的回收率高,从原料到四氯化锗,锗的回收率大于97%,且回收流程简单,易于实现,回收成本低,安全系数高。
具体实施方式
为使对本发明的目的、构造、特征、及其功能有进一步的了解,兹配合实施例详细说明如下。
本发明提供了一种还原吸附-氧化法从含锗光纤废料中回收锗的方法,包括以下步骤:
S1:一次破碎球磨:将含锗光纤废料破碎球磨,得到含锗光纤粉;
S2:还原吸附焙烧联合氧化焙烧:将石墨粉、铁粉和S1所得的含锗光纤粉、搅拌均匀后放入电转窑中进行一阶段低速旋转还原吸附焙烧;再通入空气进行二阶段中速旋转氧化焙烧,得到氧化物料;
S3:二次球磨:将S2所得氧化物料进行球磨,得氧化粉料;
S4:通氯蒸馏:将S3中得到的氧化粉料投入蒸馏釜中,加入工业盐酸,并通氯气进行蒸馏,得到四氯化锗。
本发明的目标产物为四氯化锗,其可作为产品直接出售。当然,四氯化锗也可用现有技术中的常规工艺继续生产制得高纯二氧化锗、还原锗锭或区熔锗锭等产品,此处不再赘述。
本发明在S1中通过破碎球磨,能增大光纤物料的表面积,从而提高后续的还原-吸附过程的效果。
S2步骤中的高温还原-吸附焙烧,利用石墨粉(有效成分碳)将氧化锗还原成为锗或者一氧化锗;由于锗有很强的亲铁性,锗或者一氧化锗会被铁粉吸附并聚集在一起,从而能有效破除硅对锗的包裹,实现硅与锗的分离,便于后续对锗的回收。
需要说明的是,含锗光纤主要成分是二氧化硅和二氧化锗,高温还原时,氧化硅基本不反应,碳把二氧化锗还原为一氧化锗和锗单质,同时因为铁对锗的亲和性好,高温下一氧化锗和锗生成后被铁吸附,从而使锗离开氧化硅的包裹。经过还原过程分离成了氧化硅、铁、锗、一氧化锗以及少量残余的碳的混合物。
其中锗还原过程中涉及的化学方程式为:
2C+O2=2CO
GeO2+CO=GeO+CO2
GeO2+C=GeO+CO2
GeO2+2C=Ge+CO
S2步骤的氧化焙烧,将物料中的铁、锗和一氧化锗大部分的氧化成为氧化铁、一氧化锗和二氧化锗;并将物料中残留的碳等有机物氧化除去。
氧化的好处一是可以减少蒸馏过程中加酸过程中氢气的产生,杜绝爆炸的隐患;二是氧化后的锗利于后续的锗的回收,且能有效提高锗的回收率。
S2步骤中创新的采用了二段还原吸附联合氧化法,在电转窑中分步连续的同时实现了先还原吸附后氧化的过程,因为流程连续、在同一设备中完成,首先减少了中间物料转运的时间,同时由还原吸附到氧化焙烧是逐级升温的过程,经过还原吸附后直接进行氧化焙烧,一方面减少了物料转送过程中热量的流失,便于快速升温,另一方面缩短了氧化焙烧的时间,实现有效的节能的同时降本增效。
另外,将还原吸附步骤放在电转窑中进行,通过边低速旋转边焙烧,能够在焙烧的过程中始终保持物料处于均匀混合状态,使焙烧更加充分,且在旋转过程中有效提高了物料之间的松散度,便于焙烧过程中产生的气体向外逸散,且在旋转过程中更便于热量的传递,有效提高还原吸附焙烧的速度和效率。
S3步骤的二次球磨,目的是使氧化后物料达到一定的粒度要求,以确保后续反应高速高效。
S4步骤中,将物料中锗氧化物与盐酸反应产生四氯化锗,四氯化锗的沸点为83-84℃,在蒸馏的85~95℃的温度下蒸发出去再冷凝得到粗四氯化锗;通氯气的目的是将物料中少量的低价锗氧化为+4价,以确保锗可以大部分的反应生成四氯化锗。
优选地,在S1中破碎球磨后的含锗光纤粉200-250目过筛。
优选地,在S2中所述的各物料的重量配比为:含锗光纤粉:石墨粉:铁粉=1:0.1-0.2:0.15-0.25;且所述石墨粉100目过筛,所述铁粉100目过筛;一阶段低速旋转还原吸附焙烧所述电转窑旋转速度为0.05~0.1转/分钟,温度820~860℃,时间6~8小时;所述电转窑旋转速度为0.2~0.4转/分钟,温度650~700℃,时间4~6小时。
优选地,在S3中,二次球磨后的物料过筛80-100目。
优选地,步骤S4还包括如下子步骤:
S4-1:在蒸馏釜中投入S4中得到的氧化粉料,并关闭蒸馏釜盖;
S4-2:向蒸馏釜内加入工业盐酸并搅拌20分钟,使工业盐酸与物料混合均匀,同时盐酸与氧化铁发生反应;
S4-3:缓慢通入氯气;
S4-4:通氯气15分钟后开始升温至85~95℃常规蒸馏;待无四氯化锗产生后蒸馏结束。
优选地,在S4中,加入工业盐酸的重量比为:S3中得到的氧化粉料:工业盐酸=1:8。
优选地,所述工业盐酸中氯化氢的离子浓度大于10mol/L。
优选地,在S4-4中,蒸馏全程持续通氯气。
工业盐酸与氧化物料搅拌均匀后,通入氯气起到氧化作用,把氧化焙烧过程中少量没有彻底氧化的一氧化锗和单质锗氧化为正4价锗。同时也可以把铁和盐酸反应生成的氯化亚铁氧化为三氯化铁,三氯化铁具有氧化性,还可以起到氧化一氧化锗和锗的作用,从而进一步促进一氧化锗和锗的氧化,提高锗的氧化速度和氧化率,实现对锗的更好的氧化效果。
实施例1
一种还原吸附-氧化法从含锗光纤废料中回收锗的方法,包括如下步骤:
S1:一次破碎球磨:将含锗光纤废料破碎球磨,并过筛200目,得到含锗光纤粉。
S2:还原吸附焙烧联合氧化焙烧:将石墨粉、铁粉和S1所得的含锗光纤粉按照重量配比0.1:0.15:1混合并搅拌均匀后装入放入电转窑中;其中,石墨粉100目过筛,铁粉100目过筛;电转窑转速0.05转/分钟,在820℃高温下还原焙烧6小时;将电转窑转速调为0.2转/分钟,并通入空气在650℃下进行氧化焙烧,焙烧时间4小时,得到氧化物料。
S3:二次球磨:将S3所得氧化物料进行球磨,并过筛80目,得到氧化粉料。
S4:通氯蒸馏:将S4步骤中得到的氧化粉料投入到蒸馏釜中,关闭蒸馏釜盖后加入工业盐酸(氯化氢的离子浓度大于10mol/L,按照氧化粉料与工业盐酸的重量配比1:8加入工业盐酸,加完工业盐酸后先搅拌20分钟再缓慢通入氯气;通氯气15分钟后开始升温至85-95℃常规蒸馏,得到四氯化锗。
本实施例锗的回收率为97.5%。
备注:锗的回收率=100%*氯化蒸馏产出四氯化锗中的锗金属量/含锗光纤废料中的锗金属量
实施例2
一种还原吸附-氧化法从含锗光纤废料中回收锗的方法,包括如下步骤:
S1:一次破碎球磨:将含锗光纤废料破碎球磨,并过筛200目,得到含锗光纤粉。
S2:还原吸附焙烧联合氧化焙烧:将石墨粉、铁粉和S1所得的含锗光纤粉按照重量配比0.15:0.2:1混合并搅拌均匀后装入放入电转窑中;其中,石墨粉100目过筛,铁粉100目过筛;电转窑转速0.08转/分钟,在820℃高温下还原焙烧6小时;将电转窑转速调为0.3转/分钟,并通入空气在675℃下进行氧化焙烧,焙烧时间5小时,得到氧化物料。
S3:二次球磨:将S3所得氧化物料进行球磨,并过筛100目,得到氧化粉料。
S4:通氯蒸馏:将S4步骤中得到的氧化粉料投入到蒸馏釜中,关闭蒸馏釜盖后加入工业盐酸(氯化氢的离子浓度大于10mol/L),按照氧化粉料与工业盐酸的重量配比1:8加入工业盐酸,加完工业盐酸后先搅拌20分钟再缓慢通入氯气;通氯气15分钟后开始升温至85-95℃常规蒸馏,得到四氯化锗。
本实施例锗的回收率为98.2%。
实施例3
一种还原吸附-氧化法从含锗光纤废料中回收锗的方法,包括如下步骤:
S1:一次破碎球磨:将含锗光纤废料破碎球磨,并过筛200目,得到含锗光纤粉。
S2:还原吸附焙烧联合氧化焙烧:将石墨粉、铁粉和S1所得的含锗光纤粉按照重量配比0.20:0.25:1混合并搅拌均匀后装入电转窑中;其中,石墨粉100目过筛,铁粉100目过筛;电转窑转速0.1转/分钟,在860℃高温下还原焙烧8小时;将电转窑转速调为0.4转/分钟,并通入空气在700℃下进行氧化焙烧,焙烧时间6小时,得到氧化物料。
S3:二次球磨:将S3所得氧化物料进行球磨,并过筛100目,得到氧化粉料。
S4:通氯蒸馏:将S4步骤中得到的氧化粉料投入到蒸馏釜中,关闭蒸馏釜盖后加入工业盐酸(酸度大于10N),按照氧化粉料与工业盐酸的重量配比1:8加入工业盐酸,加完工业盐酸后先搅拌20分钟再缓慢通入氯气;通氯气15分钟后开始升温至85-95℃常规蒸馏,得到。
本实施例锗的回收率达到98.9%。
由上所述,本发明的一种还原吸附-氧化法从含锗光纤废料中回收锗的方法,采用还原吸附联合氧化法对含锗光纤废料进行转化,从而大幅提高锗的回收率。采用上述方法的优点在于球磨后的物料与石墨、铁粉混合后在高温下反应,氧化锗被还原成锗和一氧化锗粉后并被铁粉所吸附和聚集,从而破除了硅对锗的包裹,再通过氧化和二次球磨,转化的物料在后续蒸馏中反应速度快,且回收率高,从原料到四氯化锗,锗的回收率大于97%,且回收流程简单,易于实现,回收成本低,安全系数高。
本发明已由上述相关实施例加以描述,然而上述实施例仅为实施本发明的范例。必需指出的是,已揭露的实施例并未限制本发明的范围。相反地,在不脱离本发明的精神和范围内所作的更动与润饰,均属本发明的专利保护范围。

Claims (7)

1.一种还原吸附-氧化法从含锗光纤废料中回收锗的方法,其特征在于:包括以下步骤:
S1:一次破碎球磨:将含锗光纤废料破碎球磨,得到含锗光纤粉;
S2:还原吸附焙烧联合氧化焙烧:将石墨粉、铁粉和S1所得的含锗光纤粉、搅拌均匀后放入电转窑中进行一阶段低速旋转还原吸附焙烧;再通入空气进行二阶段中速旋转氧化焙烧,得到氧化物料;
S3:二次球磨:将S2所得氧化物料进行球磨,得氧化粉料;
S4:通氯蒸馏:将S3中得到的氧化粉料投入蒸馏釜中,加入工业盐酸,并通氯气进行蒸馏,得到四氯化锗;
在S2中所述的各物料的重量配比为:含锗光纤粉:石墨粉:铁粉=1:0.1-0.2:0.15-0.25;且所述石墨粉100目过筛,所述铁粉100目过筛;一阶段低速旋转还原吸附焙烧所述电转窑旋转速度为0.05~0.1转/分钟,温度820~860℃,时间6~8小时;二阶段中速旋转氧化焙烧,电转窑旋转速度为0.2~0.4转/分钟,温度650~700℃,时间4~6小时。
2.如权利要求1所述的还原吸附-氧化法从含锗光纤废料中回收锗的方法,其特征在于:在S1中破碎球磨后的含锗光纤粉200-250目过筛。
3.如权利要求1所述的还原吸附-氧化法从含锗光纤废料中回收锗的方法,其特征在于:在S3中,二次球磨后的物料过筛80-100目。
4.如权利要求1所述的还原吸附-氧化法从含锗光纤废料中回收锗的方法,其特征在于:步骤S4还包括如下子步骤:
S4-1:在蒸馏釜中投入S3中得到的氧化粉料,并关闭蒸馏釜盖;
S4-2:向蒸馏釜内加入工业盐酸并搅拌20分钟;
S4-3:缓慢通入氯气;
S4-4:通氯气15分钟后开始升温至85~95℃常规蒸馏;待无四氯化锗产生后蒸馏结束。
5.如权利要求1所述的还原吸附-氧化法从含锗光纤废料中回收锗的方法,其特征在于:在S4中,加入工业盐酸的重量比为: S3中得到的氧化粉料:工业盐酸=1:8。
6.如权利要求1所述的还原吸附-氧化法从含锗光纤废料中回收锗的方法,其特征在于:所述工业盐酸中氯化氢的离子浓度大于10mol/L。
7.如权利要求4所述的还原吸附-氧化法从含锗光纤废料中回收锗的方法,其特征在于:在S4-4中,蒸馏全程持续通氯气。
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