CN115377202A - 显示面板及其制作方法、显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种显示面板及其制作方法、显示装置。显示面板还包括：基板、有源层、第一金属层以及第二金属层；有源层设置于基板上，并包括多个驱动有源部，每一驱动有源部包括导体子层与第一半导体子层；第一金属层设置于有源层远离基板的一侧，并包括多个驱动栅极，一驱动栅极对应位于一驱动有源部远离基板的一侧；第二金属层设置于第一金属层远离有源层的一侧，并包括多个驱动源极和多个驱动漏极；其中，导体子层包括间隔设置的第一导体子部和第二导体子部，第一半导体子层至少连接于第一导体子部与第二导体子部之间。本发明可以实现具有超短沟道的驱动晶体管，并提高驱动晶体管的稳定性和驱动效果。

Description

显示面板及其制作方法、显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及其制作方法、及具有该显示面板的显示装置。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)、微型发光二极管(Micro LED)以及迷你发光二极管（Mini LED）等显示技术都是采用电流驱动显示的新兴显示技术。
其中，在OLED、Micro LED以及Mini LED等显示器件中，通过驱动晶体管传输电信号至有机发光层或者LED芯片中，以实现显示器件的发光。因此，驱动晶体管需要具有较大的电流通过能力，而现有的驱动晶体管中常采用氧化物半导体材料作为有源层，若需要提高驱动晶体管的电流通过能力，则需要提高氧化物半导体材料的迁移率，但是氧化物半导体材料提高迁移率的同时会使得稳定性下降，导致驱动晶体管的稳定性和迁移率无法均衡，并不能有效提高驱动晶体管的电流通过能力。
发明内容
本发明实施例提供一种显示面板及其制作方法，能够实现具有短沟道的驱动晶体管，提高驱动晶体管的电流通过能力。
本发明实施例提供一种显示面板，所述显示面板包括多个驱动晶体管，各所述驱动晶体管包括驱动有源部、驱动栅极以及与所述驱动有源部搭接的驱动源极和驱动漏极；
所述显示面板还包括：
基板；
有源层，设置于所述基板上，并包括多个所述驱动有源部，每一所述驱动有源部包括导体子层与第一半导体子层；
第一金属层，设置于所述有源层远离所述基板的一侧，并包括多个所述驱动栅极，一所述驱动栅极对应位于一所述驱动有源部远离所述基板的一侧；
第二金属层，设置于所述第一金属层远离所述有源层的一侧，并包括多个所述驱动源极和多个所述驱动漏极；
其中，在每一所述驱动有源部中，所述导体子层包括间隔设置的第一导体子部和第二导体子部，所述第一半导体子层至少连接于所述第一导体子部与所述第二导体子部之间。
在本发明的一种实施例中，各所述驱动有源部包括源极接触区、漏极接触区以及位于所述源极接触区和所述漏极接触区之间的沟道区，所述导体子层还包括设置于所述第一导体子部与所述第二导体子部之间并位于所述沟道区内的隔断槽；
其中，所述第一半导体子层至少填充于所述隔断槽内，至少所述第一导体子部延伸至所述源极接触区，至少所述第二导体子部延伸至所述漏极接触区。
在本发明的一种实施例中，所述显示面板还包括设置于所述第一金属层远离所述有源层一侧的第二金属层，所述第二金属层包括多个所述驱动源极和多个所述驱动漏极，且一所述驱动源极与一所述驱动有源部位于所述源极接触区内的部分电性连接，一所述驱动漏极与一所述驱动有源部位于所述漏极接触区内的部分电性连接。
在本发明的一种实施例中，一所述驱动源极与对应的一所述驱动有源部的所述第一导体子部电性连接，一所述驱动漏极与对应的一所述驱动有源部的所述第二导体子部电性连接。
在本发明的一种实施例中，所述第一半导体子层填充于所述隔断槽内并部分延伸至所述源极接触区和所述漏极接触区内，所述第一半导体子层包括至少设置于所述源极接触区内并位于所述第一导体子部远离所述基板一侧的源极接触子部、以及至少设置于所述漏极接触区内并位于所述第二导体子部远离所述基板一侧的漏极接触子部，且所述源极接触子部与所述第一导体子部电性连接，所述漏极接触子部与所述第二导体子部电性连接。
在本发明的一种实施例中，一所述驱动源极与对应的一所述驱动有源部的所述源极接触子部电性连接，一所述驱动漏极与对应的一所述驱动有源部的所述漏极接触子部电性连接。
在本发明的一种实施例中，在同一所述驱动有源部中，所述隔断槽沿第一方向上的长度小于所述源极接触子部和所述漏极接触子部之间的距离，且所述第一方向为所述源极接触子部指向所述漏极接触子部的方向。
在本发明的一种实施例中，所述隔断槽沿所述第一方向上的长度小于或等于3微米。
在本发明的一种实施例中，一所述驱动有源部的所述隔断槽在所述基板上的正投影位于对应的一所述驱动栅极在所述基板上的正投影的覆盖范围以内。
在本发明的一种实施例中，所述显示面板还包括多个开关晶体管，一所述开关晶体管与一所述驱动晶体管电性连接，各所述开关晶体管包括开关有源部、开关栅极以及与所述开关有源部搭接的开关源极和开关漏极；
其中，所述有源层还包括多个所述开关有源部，所述第一金属层还包括多个所述开关栅极，所述第二金属层还包括多个所述开关源极、多个所述开关漏极以及多个扫描线，所述开关有源部包括第二半导体子层，一所述开关栅极对应位于一所述开关有源部远离所述基板的一侧，一所述扫描线对应位于一所述开关栅极远离对应的一所述开关有源部的一侧。
根据本发明的上述目的，本发明实施例还提供一种显示面板的制作方法，所述显示面板包括多个驱动晶体管，各所述驱动晶体管包括驱动有源部、驱动栅极以及与所述驱动有源部搭接的驱动源极和驱动漏极；
所述显示面板的制作方法包括以下步骤：
提供基板；
在所述基板上形成有源层，所述有源层包括多个所述驱动有源部，每一所述驱动有源部包括导体子层与第一半导体子层，其中，在每一所述驱动有源部中，所述导体子层包括间隔的第一导体子部和第二导体子部，所述第一半导体子层至少连接于所述第一导体子部与所述第二导体子部之间；
在所述有源层远离所述基板的一侧形成第一金属层，所述第一金属层包括多个所述驱动栅极，一所述驱动栅极对应位于一所述驱动有源部远离所述基板的一侧；
在所述第一金属层远离所述有源层的一侧形成第二金属层，所述第二金属层包括多个所述驱动源极和多个所述驱动漏极。
根据本发明的上述目的，本发明实施例还提供一种显示装置，所述显示装置包括所述显示面板以及装置主体，所述装置主体与所述显示面板组合为一体。
本发明的有益效果：本发明通过在驱动有源部中设置导体子层和第一半导体子层，且导体子层包括间隔设置的第一导体子部和第二导体子部，且第一半导体子层至少连接于第一导体子部和第二导体子部之间，进而驱动有源部可以在第一导体子部和第二导体子部之间的间隔区域内形成沟道，可以通过导体子层的精确光刻得到更小尺寸的沟道，以得到具有超短沟道的驱动晶体管，有效提高驱动晶体管的电流通过能力；此外，本发明中驱动栅极位于驱动有源部远离基板的一侧，进而防止驱动栅极远离驱动有源部一侧的膜层中的离子扩散到驱动有源部中而导致驱动有源部的电性受到影响，可以提高驱动晶体管的稳定性和驱动效果。
附图说明
下面结合附图，通过对本发明的具体实施方式详细描述，将使本发明的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1为本发明实施例提供的显示面板的一种结构示意图；
图2为本发明实施例提供的一种3T1C的像素驱动电路示意图；
图3为本发明实施例提供的显示面板的另一种结构示意图；
图4为本发明实施例提供的显示面板的另一种结构示意图；
图5为本发明实施例提供的显示面板的制作方法流程图；
图6至图12为本发明实施例提供的显示面板的制作过程结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本发明的不同结构。为了简化本发明的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本发明。此外，本发明可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本发明提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
本发明实施例提供一种显示面板，请参照图1，该显示面板包括多个驱动晶体管T1，各驱动晶体管T1包括驱动有源部21、驱动栅极31以及与驱动有源部21搭接的驱动源极41和驱动漏极42。
此外，显示面板还包括基板10、有源层、第一金属层30以及第二金属层40；其中，有源层设置于基板10上，并包括多个驱动有源部21，每一驱动有源部21包括导体子层22和第一半导体子层23；第一金属层30设置于有源层远离基板10的一侧，并包括多个驱动栅极31，一驱动栅极31对应位于一驱动有源部21远离基板10的一侧；第二金属层40设置于第一金属层30远离有源层的一侧，并包括多个驱动源极41和多个驱动漏极42。
进一步地，在每一驱动有源部21中，导体子层22包括间隔设置的第一导体子部221和第二导体子部222，第一半导体子层23至少连接于第一导体子部221和第二导体子部222之间。
在实施应用过程中，本发明实施例通过在驱动有源部21中设置导体子层22和第一半导体子层23，且导体子层22包括间隔设置的第一导体子部221和第二导体子部222，且第一半导体子层23至少连接于第一导体子部221和第二导体子部222之间，而驱动有源部21可以在第一导体子部221和第二导体子部222之间的间隔区域内形成沟道，进而可以通过导体子层22的精确光刻得到更小尺寸的沟道，以得到具有超短沟道的驱动晶体管T1，有效提高驱动晶体管T1的电流通过能力；此外，本发明中驱动栅极31位于驱动有源部21远离基板10的一侧，进而防止驱动栅极31远离驱动有源部21一侧的膜层中的离子扩散到驱动有源部21中而导致驱动有源部21的电性受到影响，可以提高驱动晶体管T1的稳定性和驱动效果。
请继续参照图1，在本发明的一种实施例中，本发明实施例提供的显示面板包括多个驱动晶体管T1以及多个开关晶体管T2，且一驱动晶体管T1与一开关晶体管T2电性连接。需要说明的是，各驱动晶体管T1包括驱动有源部21、驱动栅极31以及与驱动有源部21搭接的驱动源极41和驱动漏极42；各开关晶体管T2包括开关有源部24、开关栅极32以及与开关有源部24搭接的开关源极43和开关漏极44。
进一步地，该显示面板还包括基板10、设置于基板10上的第三金属层、设置于基板10上并覆盖第三金属层的缓冲层61、设置于缓冲层61上的有源层、设置于有源层上的栅极绝缘层、设置于栅极绝缘层上的第一金属层30、设置于缓冲层61上并覆盖有源层、栅极绝缘层以及第一金属层30的层间介质层64、设置于层间介质层64上的第二金属层40、设置于层间介质层64上并覆盖第二金属层40的钝化层65。
其中，第三金属层包括遮光部51、第一电源信号线52、数据线53以及第二电源信号线54。
有源层包括多个驱动有源部21和多个开关有源部24，其中，每一个驱动有源部21皆对应位于一个遮光部51的上方。
栅极绝缘层包括多个驱动栅极绝缘部62以及多个开关栅极绝缘部63，每一个驱动栅极绝缘部62对应位于一个驱动有源部21上，每一个开关栅极绝缘部63对应位于一个开关有源部24上。
第一金属层30包括多个驱动栅极31和多个开关栅极32，且每一个驱动栅极31对应位于一个驱动栅极绝缘部62远离对应的一个驱动有源部21的一侧，每一个开关栅极32对应位于一个开关栅极绝缘部63远离对应的一个开关有源部24的一侧。
第二金属层40包括多个驱动源极41、多个驱动漏极42、多个开关源极43、多个开关漏极44、多个扫描线45以及转接部46；一个驱动源极41、一个驱动漏极42与一个驱动有源部21、一个驱动栅极31相对应，并构成一个驱动晶体管T1，其中，驱动源极41和驱动漏极42通过穿过层间介质层64的过孔与驱动有源部21的两侧搭接；一个开关源极43、一个开关漏极44与一个开关有源部24、一个开关栅极32相对应，并构成一个开关晶体管T2，其中，开关源极43和开关漏极44通过穿过层间介质层64的过孔与开关有源部24的两侧搭接。
此外，驱动源极41穿过层间介质层64和缓冲层61与遮光部51搭接，以为遮光部51提供稳定电压，以改善驱动晶体管T1的输出特性曲线的饱和特性。
第四金属层包括第一电极件71以及第二电极件72，第一电极件71通过穿过钝化层65的过孔与驱动源极41搭接，第二电极件72通过穿过钝化层65的过孔与转接部46搭接。
具体地，各驱动有源部21包括导体子层22和第一半导体子层23，在每一驱动有源部21中，导体子层22包括相间隔的第一导体子部221和第二导体子部222、以及位于第一导体子部221和第二导体子部222之间的隔断槽223，而第一半导体子层23至少连接于第一导体子部221和第二导体子部222之间，在本发明实施例中，第一半导体子层23至少填充于隔断槽223内。
进一步地，各驱动有源部21包括源极接触区201、漏极接触区202以及位于源极接触区201和漏极接触区202之间的沟道区203，其中，至少第一导体子部221延伸至源极接触区201内，至少第二导体子部222延伸至漏极接触区202内，隔断槽223位于沟道区203内；且在本发明实施例中，每一个驱动源极41与对应的一个驱动有源部21位于源极接触区201内的部分电性连接，每一个驱动漏极42与对应的一个驱动有源部21位于漏极接触区202内的部分电性连接。
在本实施例中，第一半导体子层23包括源极接触子部231、漏极接触子部232以及连接于源极接触子部231和漏极接触子部232之间的中间连接部233；其中，中间连接部233填充于隔断槽223内并部分延伸至第一导体子部221远离基板10的一侧以及部分延伸至第二导体子部222远离基板10的一侧，源极接触子部231至少设置于源极接触区201内并位于第一导体子部221远离基板10的一侧，漏极接触子部232至少设置于漏极接触区202内并位于第二导体子部222远离基板10的一侧。
可以理解的是，源极接触子部231和漏极接触子部232为驱动有源部21进行导体化的部分，而中间连接部233连接于第一导体子部221和第二导体子部222之间并保持半导体特性，且源极接触子部231与第一导体子部221电性连接，漏极接触子部232与第二导体子部222电性连接。
在本实施例中，驱动源极41穿过层间介质层64与源极接触子部231搭接，驱动漏极42穿过层间介质层64与漏极接触子部232搭接。进而驱动源极41通过源极接触子部231电性连接于第一导体子部221，驱动漏极42通过漏极接触子部232电性连接于第二导体子部222，而第一导体子部221与第二导体子部222在隔断槽223处通过中间连接部233连接，由于中间连接部233具有半导体特性，进而可以通过驱动栅极31加载电压，使得中间连接部233位于隔断槽223处的部分形成电流通道，进而使得驱动源极41与驱动漏极42之间实现电信号的传输。
需要说明的是，在本发明实施例中，各驱动有源部21的中间连接部233在基板10上的正投影位于对应的驱动栅极31在基板10上的正投影的覆盖范围以内，且一驱动有源部21的隔断槽223在基板10上的正投影位于对应的一驱动栅极31在基板10上的正投影的覆盖范围以内。在同一驱动有源部21中，隔断槽223沿第一方向上的长度小于源极接触子部231和漏极接触子部232之间的距离，且第一方向为源极接触子部231指向漏极接触子部232的方向。进一步地，隔断槽223沿第一方向上的长度小于或等于3微米，且小于或等于2微米。
优选的，隔断槽223沿第一方向上的长度大于或等于2微米，且小于或等于2.5微米，驱动栅极31沿第一方向上的长度大于或等于6微米，且小于或等于8微米。
承上，本发明实施例中通过在驱动有源部21中设置间隔的第一导体子部221和第二导体子部222，且中间连接部233连接于第一导体子部221和第二导体子部222之间，进而驱动有源部21可以在第一导体子部221和第二导体子部222之间的间隔区域内形成沟道，而导体子层22可以通过光刻工艺进行精确图案化处理，进而可以通过导体子层22的精确光刻得到更小尺寸的沟道，以得到具有超短沟道的驱动晶体管T1，在本发明实施例中，可以将驱动晶体管T1的沟道长度减小到3微米以内，相对于现有技术中，沟道长度一般与栅极长度差不多，一般为8微米左右。进而本发明实施例可以有效提高驱动晶体管T1的电流通过能力，可将驱动晶体管T1的电流通过能力提升220%至300%。此外，本发明实施例中驱动栅极31位于驱动有源部21远离基板10的一侧，进而防止驱动栅极31远离驱动有源部21一侧的膜层中的离子扩散到驱动有源部21中而导致驱动有源部21电性受到影响，可以提高驱动晶体管T1的稳定性和驱动效果。进一步地，本发明实施例可以减小驱动晶体管T1的沟道长度，进而可以减小驱动晶体管T1的尺寸，节省更多的空间，以设置更多数量的像素，提高显示面板的分辨率。
进一步地，每一个开关晶体管T2与一个驱动晶体管T1电性连接，每一个开关晶体管T2包括设置于有源层中的开关有源部24、设置于第一金属层30中的开关栅极32、设置于第二金属层40中的开关源极43和开关漏极44。其中，开关有源部24包括第二半导体子层，而开关栅极32位于开关栅极绝缘部63远离对应的开关有源部24的一侧，开关源极43和开关漏极44通过穿过层间介质层64的过孔与开关有源部24的两侧搭接，且上述结构可参照常规工艺实现，在此不在赘述。
在本发明实施例中，第二金属层40还包括多个扫描线45，而每一个扫描线45对应位于一个开关栅极32远离对应的一个开关有源部24的一侧，进而开关有源部24远离基板10的一侧具有开关栅极32和扫描线45两侧金属结构，可以有效防止扫描线45远离基板10一侧的膜层中的离子扩散至开关有源部24中例如氢离子，避免开关有源部24的电性受到影响，提高开关晶体管T2的驱动稳定性。
进一步地，下面对本发明实施例中的驱动晶体管T1和开关晶体管T2的电路连接结构进行描述，请结合图1和图2，本发明实施例提供的显示面板可适用3T1C架构的像素驱动电路。
具体地，开关晶体管T2的开关漏极44连接于数据线53、开关源极43连接于驱动晶体管T1的驱动栅极31以及开关栅极32连接于扫描线45，驱动晶体管T1的驱动漏极42连接于第一电源信号线52、驱动源极41连接于第一电极件71，进而可将第一电源信号线52中的电信号传输至第一电极件71中。显示面板还包括感测晶体管T3，且感测晶体管T3的栅极连接于感测信号线，感测晶体管T3的源极连接于驱动晶体管T1的驱动源极41，感测晶体管T3的漏极可连接于检测模块，以检测通入第一电极件71的实际电流值，以生成补偿电压。而第二电源信号线54通过转接部46将电信号传输至第二电极件72中。且上述过程可参照常规3T1C的像素驱动电路原理进行工作，在此不再赘述。
需要说明的是，在本发明实施例中，驱动源极41和驱动漏极42的位置可进行互换，以及开关源极43和开关漏极44的位置也可进行互换，可根据实际需求进行选择，在此不作限定。
在本发明实施例提供的显示面板可用于OLED显示器、Micro LED显示器以及MiniLED显示器，当该显示面板用于OLED显示器时，第一电极件71可为OLED发光器件中的阳极，而第二电极件72可为显示面板中位于非显示区内的信号端子，并连接于OLED发光器件中的阴极；当该显示面板用于Micro LED显示器或Mini LED显示器时，第一电极件71可连接于LED芯片的正极，而第二电极件72可连接于LED芯片的负极。
综上所述，本发明实施例通过在驱动有源部21中设置导体子层22和第一半导体子层23，且导体子层22包括间隔设置的第一导体子部221和第二导体子部222，且第一半导体子层23至少连接于第一导体子部221和第二导体子部222之间，而驱动有源部21可以在第一导体子部221和第二导体子部222之间的间隔区域内形成沟道，进而可以通过导体子层22的精确光刻得到更小尺寸的沟道，以得到具有超短沟道的驱动晶体管T1，有效提高驱动晶体管T1的电流通过能力；此外，本发明中驱动栅极31位于驱动有源部21远离基板10的一侧，进而防止驱动栅极31远离驱动有源部21一侧的膜层中的离子扩散到驱动有源部21中而导致驱动有源部21电性受到影响，可以提高驱动晶体管T1的稳定性和驱动效果。
在本发明的另一种实施例中，请参照图3，本实施例与上一个实施例的区别之处在于，第一导体子部221在源极接触区201内的端部位于第一半导体子层23远离隔断槽223的一侧，第二导体子部222在漏极接触区202内的端部位于第一半导体子层23远离隔断槽223的一侧；而驱动源极41穿过层间介质层64与第一导体子部221电性连接，驱动漏极42穿过层间介质层64与第二导体子部222电性连接。
此外，第一半导体子层23至少填充于隔断槽223内，并部分延伸至第一导体子部221远离基板10的一侧，以及延伸至第二导体子部222远离基板10的一侧，且第一半导体子层23可部分延伸至源极接触区201内和漏极接触区202内，或者位于源极接触区201外和位于漏极接触区202外，在此不作限定。
在本发明实施例中，本发明实施例通过在驱动有源部21中设置导体子层22和第一半导体子层23，且导体子层22包括间隔设置的第一导体子部221和第二导体子部222，且第一半导体子层23至少连接于第一导体子部221和第二导体子部222之间，而驱动有源部21可以在第一导体子部221和第二导体子部222之间的间隔区域内形成沟道，进而可以通过导体子层22的精确光刻得到更小尺寸的沟道，以得到具有超短沟道的驱动晶体管T1，有效提高驱动晶体管T1的电流通过能力；此外，本发明中驱动栅极31位于驱动有源部21远离基板10的一侧，进而防止驱动栅极31远离驱动有源部21一侧的膜层中的离子扩散到驱动有源部21中而导致驱动有源部21电性受到影响，可以提高驱动晶体管T1的稳定性和驱动效果。且相对于上一实施例，在本实施例中，第一半导体子层23的两端不需要与驱动源极41和驱动漏极42进行连接，进而第一半导体子层23不需要进行导体化，可简化工艺和降低成本。
在本发明的另一种实施例中，请参照图4，本实施例与第一个实施例的区别之处在于，第三金属层包括多个底部栅极55、第一电源信号线52、数据线53以及第二电源信号线54。
其中，每一个底部栅极55对应位于一个驱动有源部21和基板10之间，且每一个底部栅极55可与对应的一个驱动栅极31保持同电位。
承上，本发明实施例通过在驱动有源部21中设置导体子层22和第一半导体子层23，且导体子层22包括间隔设置的第一导体子部221和第二导体子部222，且第一半导体子层23至少连接于第一导体子部221和第二导体子部222之间，而驱动有源部21可以在第一导体子部221和第二导体子部222之间的间隔区域内形成沟道，进而可以通过导体子层22的精确光刻得到更小尺寸的沟道，以得到具有超短沟道的驱动晶体管T1，有效提高驱动晶体管T1的电流通过能力；此外，本发明中驱动栅极31位于驱动有源部21远离基板10的一侧，进而防止驱动栅极31远离驱动有源部21一侧的膜层中的离子扩散到驱动有源部21中而导致驱动有源部21电性受到影响，可以提高驱动晶体管T1的稳定性和驱动效果。
另外，本发明实施例还提供一种上述实施例所述的显示面板的制作方法，请结合图1、图5以及图6至图12，该显示面板包括多个驱动晶体管T1，各驱动晶体管T1包括驱动有源部21、驱动栅极31以及与驱动有源部21搭接的驱动源极41和驱动漏极42；
显示面板的制作方法包括以下步骤：
S10、提供基板10。
提供基板10，且基板10可为玻璃基板或者聚酰亚胺柔性基板，在此不作限定。
S20、在基板10上形成有源层，有源层包括多个驱动有源部21，每一驱动有源部21包括导体子层22与第一半导体子层23，其中，在每一驱动有源部21中，导体子层22包括间隔的第一导体子部221和第二导体子部222，第一半导体子层23至少连接于第一导体子部221与第二导体子部222之间。
在基板10上形成第一金属材料层，并对第一金属材料层进行图案化处理，以得到第三金属层，第三金属层包括多个遮光部51、第一电源信号线52、数据线53以及第二电源信号线54。
可选的，第一金属材料层的材料可包括Mo、或Mo/Al、或Mo/Cu、或MoTi/Cu、或IZO/Cu、或Mo/Cu/MoTiNi、或Ni/Cu/Ni、或MoTiNi/Cu/MoTiNi、或NiCr/Cu/NiCr、或CuNb等。
在第三金属层上形成缓冲层61，且缓冲层61覆盖多个遮光部51、第一电源信号线52、数据线53以及第二电源信号线54。
可选的，缓冲层61的材料可包括SiOx、或SiNx、或SiNx/SiOx、或SiNOx等。
在缓冲层61上形成有源层，且有源层包括多个驱动有源部21和多个开关有源部24，每一个驱动有源部21皆对应位于一个遮光部51上方，具体包括：
先在缓冲层61上形成导体材料层，并对导体材料层进行图案化处理，以得到导体子层22，且各导体子层22包括相间隔的第一导体子部221和第二导体子部222、以及位于第一导体子部221和第二导体子部222之间的隔断槽223。
可选的，导体材料层的材料可包括ITO、IZO、AZO、Mo、Ti以及MoTi中的至少一者。
接着，在缓冲层61上形成半导体材料层，并对半导体材料进行图案化处理，以得到第一半导体子层23和第二半导体层；其中，第一半导体子层23至少连接于第一导体子部221和第二导体子部222之间，在本发明实施例中，第一半导体子层23填充于隔断槽223内，并部分延伸至第一导体子部221远离基板10的一侧、以及部分延伸至第二导体子部222远离基板10的一侧。
可选的，半导体材料层的材料可包括IGZO、IGTO、IGZO、IGO、IZO以及AIZO中的至少一者。
其中，导体子层22与第一半导体子层23层叠以形成驱动有源部21，第二半导体子层形成开关有源部24。
需要说明的是，在本发明实施例中，可采用光刻工艺得到导体子层22，且光刻工艺可以精确控制导体子层22的图案化，进而可以精确控制隔断槽223沿第一导体子部221指向第二导体子部222的方向上的长度，使得该长度变得更小，以得到具有超短沟道的驱动晶体管T1。
可选的，隔断槽223沿第一导体子部221指向第二导体子部222的方向上的长度小于或等于3微米，且小于或等于2微米。
优选的，隔断槽223沿第一导体子部221指向第二导体子部222的方向上的长度大于或等于2微米，且小于或等于2.5微米。
S30、在有源层远离基板10的一侧形成第一金属层30，第一金属层30包括多个驱动栅极31，一驱动栅极31对应位于一驱动有源部21远离基板10的一侧。
在有源层上形成绝缘材料层，然后在绝缘材料层上形成栅极金属层。
可选的，绝缘材料层的材料可包括SiOx、或SiNx、或Al2O3/SiNx/SiOx、或SiOx/SiNx/SiOx等；栅极金属层的材料可包括Mo、或Mo/Al、或Mo/Cu、或Mo/Cu/IZO、或IZO/Cu/IZO、或Mo/Cu/ITO、或Ni/Cu/Ni、或MoTiNi/Cu/MoTiNi、或NiCr/Cu/NiCr或CuNb等。
接着，对栅极金属层进行图案化处理，以得到第一金属层30，且第一金属层30包括多个驱动栅极31和多个开关栅极32，其中，一个驱动栅极31对应位于一个驱动有源部21远离基板10的一侧一个开关栅极32对应位于一个开关有源部24远离基板10的一侧。
S40、在第一金属层30远离有源层的一侧形成第二金属层40，第二金属层40包括多个驱动源极41和多个驱动漏极42。
承上，采用各驱动栅极31和各开关栅极32进行自对准对绝缘材料层进行图案化处理，以得到位于驱动栅极31和驱动有源部21之间的驱动栅极绝缘部62和位于开关栅极32和开关有源部24之间的开关栅极绝缘部63。
接着，对驱动有源部21和开关有源部24需要与源漏极搭接的位置进行导体化处理。需要说明的是，驱动有源部21包括源极接触区201、漏极接触区202以及位于源极接触区201和漏极接触区202之间的沟道区203，而在本发明实施例中，第一导体子部221延伸至源极接触区201内，第二导体子部222延伸至漏极接触区202内，而第一半导体子层23包括至少设置于源极接触区201内并位于第一导体子部221远离基板10的一侧的源极接触子部231、以及至少设置于漏极接触区202内并位于第二导体子部222远离基板10的一侧的漏极接触子部232，且源极接触子部231和漏极接触子部232为半导体材料经过导体化处理得到。
在第一金属层30上形成层间介质层64，并对层间介质层64和缓冲层61进行图案化处理，以得到多个过孔。
可选的，层间介质层64的材料可包括SiOx、SiNx以及SiNOx中的至少一者。
在层间介质层64上形成源漏极金属层，并对源漏极金属层进行图案化处理，以得到第二金属层40，第二金属层40包括多个驱动源极41、多个驱动漏极42、多个开关源极43、多个开关漏极44、多个扫描线45以及转接部46；其中，一个驱动源极41、一个驱动漏极42与一个驱动栅极31、一个驱动有源部21相对应，以形成一个驱动晶体管T1，且驱动源极41通过穿过层间介质层64的过孔与源极接触子部231电性连接、以及通过穿过层间介质层64和缓冲层61的过孔与遮光部51电性连接，驱动漏极42通过穿过层间介质层64的过孔与漏极接触子部232电性连接、以及通过穿过层间介质层64和缓冲层61的过孔与第一电源信号线52电性连接；开关源极43通过穿过层间介质层64的过孔与开关有源部24电性连接，开关漏极44通过穿过层间介质层64的过孔与开关有源部24电性连接、以及通过穿过层间介质层64和缓冲层61的过孔与数据线53电性连接。
在第二金属层40上形成钝化层65，并对钝化层65进行图案化处理，以得到多个过孔。
可选的，钝化层65的材料可包括SiOx、SiNx以及SiNOx中的至少一者。
在钝化层65上形成电极金属材料层，并对电极金属材料进行图案化处理，以得到第四金属层，第四金属层包括第一电极件71以及第二电极件72，且第一电极件71通过穿过钝化层65的过孔与驱动源极41电性连接，第二电极件72通过穿过钝化层65的过孔与转接部46电性连接。
综上所述，本发明实施例通过在驱动有源部21中设置导体子层22和第一半导体子层23，且导体子层22包括间隔设置的第一导体子部221和第二导体子部222，且第一半导体子层23至少连接于第一导体子部221和第二导体子部222之间，而驱动有源部21可以在第一导体子部221和第二导体子部222之间的间隔区域内形成沟道，进而可以通过导体子层22的精确光刻得到更小尺寸的沟道，以得到具有超短沟道的驱动晶体管T1，有效提高驱动晶体管T1的电流通过能力；此外，本发明中驱动栅极31位于驱动有源部21远离基板10的一侧，进而防止驱动栅极31远离驱动有源部21一侧的膜层中的离子扩散到驱动有源部21中而导致驱动有源部21电性受到影响，可以提高驱动晶体管T1的稳定性和驱动效果。
另外，本发明实施例还提供一种显示装置，该显示装置包括显示面板以及装置主体，装置主体与显示面板组合为一体。
在本发明实施例中，该显示面板可为上述实施例中所述的显示面板，而装置主体可包括框体以及驱动模组等。
该显示装置可以为手机、平板、电视等显示终端，在此不作限定。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
以上对本发明实施例所提供的一种显示面板及其制作方法、显示装置进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例的技术方案的范围。

Claims (12)

1.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括多个驱动晶体管，各所述驱动晶体管包括驱动有源部、驱动栅极以及与所述驱动有源部搭接的驱动源极和驱动漏极；
所述显示面板还包括：
基板；
有源层，设置于所述基板上，并包括多个所述驱动有源部，每一所述驱动有源部包括导体子层与第一半导体子层；
第一金属层，设置于所述有源层远离所述基板的一侧，并包括多个所述驱动栅极，一所述驱动栅极对应位于一所述驱动有源部远离所述基板的一侧；
第二金属层，设置于所述第一金属层远离所述有源层的一侧，并包括多个所述驱动源极和多个所述驱动漏极；
其中，在每一所述驱动有源部中，所述导体子层包括间隔设置的第一导体子部和第二导体子部，所述第一半导体子层至少连接于所述第一导体子部与所述第二导体子部之间。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，各所述驱动有源部包括源极接触区、漏极接触区以及位于所述源极接触区和所述漏极接触区之间的沟道区，所述导体子层还包括设置于所述第一导体子部与所述第二导体子部之间并位于所述沟道区内的隔断槽；
其中，所述第一半导体子层至少填充于所述隔断槽内，至少所述第一导体子部延伸至所述源极接触区，至少所述第二导体子部延伸至所述漏极接触区。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，一所述驱动源极与对应的一所述驱动有源部的所述第一导体子部电性连接，一所述驱动漏极与对应的一所述驱动有源部的所述第二导体子部电性连接。
4.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，一所述驱动源极与一所述驱动有源部位于所述源极接触区内的部分电性连接，一所述驱动漏极与一所述驱动有源部位于所述漏极接触区内的部分电性连接。
5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述第一半导体子层填充于所述隔断槽内并部分延伸至所述源极接触区和所述漏极接触区内，所述第一半导体子层包括至少设置于所述源极接触区内并位于所述第一导体子部远离所述基板一侧的源极接触子部、以及至少设置于所述漏极接触区内并位于所述第二导体子部远离所述基板一侧的漏极接触子部，且所述源极接触子部与所述第一导体子部电性连接，所述漏极接触子部与所述第二导体子部电性连接。
6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，一所述驱动源极与对应的一所述驱动有源部的所述源极接触子部电性连接，一所述驱动漏极与对应的一所述驱动有源部的所述漏极接触子部电性连接。
7.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，在同一所述驱动有源部中，所述隔断槽沿第一方向上的长度小于所述源极接触子部和所述漏极接触子部之间的距离，且所述第一方向为所述源极接触子部指向所述漏极接触子部的方向。
8.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述隔断槽沿所述第一方向上的长度小于或等于3微米。
9.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，一所述驱动有源部的所述隔断槽在所述基板上的正投影位于对应的一所述驱动栅极在所述基板上的正投影的覆盖范围以内。
10.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括多个开关晶体管，一所述开关晶体管与一所述驱动晶体管电性连接，各所述开关晶体管包括开关有源部、开关栅极以及与所述开关有源部搭接的开关源极和开关漏极；
其中，所述有源层还包括多个所述开关有源部，所述第一金属层还包括多个所述开关栅极，所述第二金属层还包括多个所述开关源极、多个所述开关漏极以及多个扫描线，所述开关有源部包括第二半导体子层，一所述开关栅极对应位于一所述开关有源部远离所述基板的一侧，一所述扫描线对应位于一所述开关栅极远离对应的一所述开关有源部的一侧。
11.一种显示面板的制作方法，其特征在于，所述显示面板包括多个驱动晶体管，各所述驱动晶体管包括驱动有源部、驱动栅极以及与所述驱动有源部搭接的驱动源极和驱动漏极；
所述显示面板的制作方法包括以下步骤：
提供基板；
在所述基板上形成有源层，所述有源层包括多个所述驱动有源部，每一所述驱动有源部包括导体子层与第一半导体子层，其中，在每一所述驱动有源部中，所述导体子层包括间隔的第一导体子部和第二导体子部，所述第一半导体子层至少连接于所述第一导体子部与所述第二导体子部之间；
在所述有源层远离所述基板的一侧形成第一金属层，所述第一金属层包括多个所述驱动栅极，一所述驱动栅极对应位于一所述驱动有源部远离所述基板的一侧；
在所述第一金属层远离所述有源层的一侧形成第二金属层，所述第二金属层包括多个所述驱动源极和多个所述驱动漏极。
12.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括如权利要求1至10任一项所述的显示面板以及装置主体，所述装置主体与所述显示面板组合为一体。
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