CN115367742A - 一种双卤素原子掺杂石墨烯的制备方法 - Google Patents
一种双卤素原子掺杂石墨烯的制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN115367742A CN115367742A CN202210184665.7A CN202210184665A CN115367742A CN 115367742 A CN115367742 A CN 115367742A CN 202210184665 A CN202210184665 A CN 202210184665A CN 115367742 A CN115367742 A CN 115367742A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- halogen
- double
- doped graphene
- graphene
- ammonium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 58
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 44
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 10
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 239000007770 graphite material Substances 0.000 claims abstract description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 10
- -1 halogen ammonium salt Chemical class 0.000 claims abstract description 8
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 claims abstract description 5
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims abstract description 3
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims description 11
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000004108 freeze drying Methods 0.000 claims description 5
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 5
- 239000006228 supernatant Substances 0.000 claims description 5
- 238000009210 therapy by ultrasound Methods 0.000 claims description 5
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonia chloride Chemical compound [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 3
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 claims description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000000967 suction filtration Methods 0.000 claims description 3
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical compound S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- SWLVFNYSXGMGBS-UHFFFAOYSA-N ammonium bromide Chemical compound [NH4+].[Br-] SWLVFNYSXGMGBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 235000019270 ammonium chloride Nutrition 0.000 claims description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 abstract description 4
- 230000007847 structural defect Effects 0.000 abstract description 3
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 abstract description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 abstract 1
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 abstract 1
- 238000011031 large-scale manufacturing process Methods 0.000 abstract 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HXELGNKCCDGMMN-UHFFFAOYSA-N [F].[Cl] Chemical compound [F].[Cl] HXELGNKCCDGMMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 2
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 2
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017855 NH 4 F Inorganic materials 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001237 Raman spectrum Methods 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 238000009776 industrial production Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 230000002195 synergetic effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
- C01B32/15—Nano-sized carbon materials
- C01B32/182—Graphene
- C01B32/184—Preparation
- C01B32/19—Preparation by exfoliation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B2204/00—Structure or properties of graphene
- C01B2204/20—Graphene characterized by its properties
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
Abstract
本发明涉及碳材料技术领域,具体涉及双卤素原子掺杂石墨烯及其制备方法。该方法包括以下步骤:将石墨材料作为工作电极,在硫酸和卤素铵盐的混合溶液中,采用恒电压技术施加外部电压对石墨材料进行电解剥离;再将电解产物进行固液分离和干燥处理即得到双卤素原子掺杂石墨烯。本发明利用常规化工原料,快速、直接、高收率的制备双卤素原子掺杂石墨烯。原料成本低廉,制备方法具有可扩展性,便于大规模生产,且产品具有丰富的孔隙和结构缺陷,大的边缘尺寸,有利于获得更加优异的性能。
Description
技术领域
本发明涉及碳材料技术领域,具体涉及双卤素原子掺杂石墨烯及其制备方法。
背景技术
石墨烯是从石墨材料中剥离出来的由碳原子组成的二维纳米材料。石墨烯具有极高的机械强度、出色的导电和导热性能,在化学、物理、材料、电子等多个领域显示了广阔的应用前景。但是,石墨烯由于高的比表面积容易发生团聚,导致其应用受到限制。杂原子对石墨烯的掺杂可以改进其电子结构、扩大石墨烯层间距、产生丰富的结构缺陷和活性位点,从而减少石墨烯的团聚并且提高其性能。目前报道的主要有氮、硼、硫、磷和氟等杂原子掺杂的石墨烯,双杂原子对石墨烯的掺杂可以产生协同效应,更大程度的优化石墨烯电子结构,大幅度增加结构缺陷,实现其性能的进一步提升,尤其是引入具有高电负性和半径更大的卤素原子,可以更有效的改进石墨烯性能和避免石墨烯的团聚问题。然而,将半径较大的双卤素原子同时引入到石墨烯晶格中仍是一个巨大的挑战,目前尚未见报道。
发明内容
本发明的目的在于通过一步高效的电化学剥离石墨方法制备双卤素原子掺杂石墨烯。提供以石墨为原料,采用恒电压技术,在电解液中剥离石墨制备双卤素原子掺杂石墨烯的方法。
本发明的方案是:
(1)石墨材料作为工作电极,铂作为对电极。
(2)在硫酸和卤素铵盐的混合溶液中,采用恒电压技术对石墨材料进行电化学剥离。
(3)对电化学剥离后的溶液进行洗涤、超声和静置处理,对上层清液进行冷冻干燥处理,得到双卤素原子掺杂石墨烯。
作为优选的技术方案,所述步骤(1)中石墨材料为石墨棒、石墨片或石墨纸。
作为优选的技术方案,所述步骤(2)中硫酸和卤素铵盐的混合溶液,其中硫酸浓度为 0.01~2 mol/L,卤素铵盐浓度为 0.001~2mol/L,所述卤素铵盐选自氟化铵、氯化铵、溴化铵中的任意两种。
作为优选的技术方案,所述步骤(2)中恒电压技术电解剥离石墨材料所用电压为5~15V,电解剥离时间为5~100min,反应温度为0~80℃。
作为优选的技术方案,所述步骤(3)中用去离子水抽滤清洗 3~10 次,在室温下超声 10~60 min,静置10~60小时,取上层清液进行冷冻干燥,得到双卤素原子掺杂石墨烯,回收下层沉淀可二次用于压制石墨原料。
作为优选的技术方案,所述的双卤素原子掺杂石墨烯,其特征在于:双卤素的原子含量在0~10%范围内,氧的原子含量在5~40%范围内,碳的原子含量在50~95%范围内。
作为优选的技术方案,所述的双卤素原子掺杂石墨烯,其特征在于:所述石墨烯为多孔结构,孔尺寸在0.5~15nm。
本发明的优点:
1、采用绿色简便温和的条件制备出高质量的双卤素原子掺杂石墨烯,避免了传统异原子掺杂石墨烯制备方法中危险试剂的使用,制备成本低,工艺简单,能够实现快速、直接、高效的制备双卤素原子掺杂石墨烯,适用于大规模工业化生产。
2、具有极好的普适性,卤素原子掺杂种类及含量可调可控。
3、双卤素原子掺杂石墨烯具有大的边缘尺寸,具有原子级别的厚度,丰富的多孔结构和缺陷,有利于展现出更加优异的性能。
附图说明
图1为实施例1制备的氟氯掺杂石墨烯的扫描电子显微镜图片。
图2为实施例1制备的氟氯掺杂石墨烯的球差电镜图片。
图3为实施例1制备的氟氯掺杂石墨烯的X射线能量色散光谱。
图4为实施例1制备的氟氯掺杂石墨烯的拉曼光谱。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明作进一步的描述。所描述的实施例及其结果仅用于说明本发明。而不应当也不会限制权利要求书中所详细描述的本发明。
实施例1:
一种氟氯掺杂石墨烯的制备方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:
(1)将薄片厚度为1.5mm的石墨片作为工作电极,铂片作为对电极;
(2)在室温25℃下,在0.1mol/L H2SO4 + 0.02mol/L NH4F + 0.01mol/L NH4Cl混合溶液中,施加10V电压,电解时间30min;
(3)将上述溶液用去离子水抽滤清洗5遍,在室温下超声30min,静置48h,对上层清液进行冷冻干燥,得到具有多孔结构的氟氯掺杂石墨烯,如图1-4所示。
以上显示和描述了本发明的基本原理、主要特征及本发明的优点。本行业的技术人员应该了解,本发明不受上述实施例的限制,上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理,在不脱离本发明精神和范围的前提下,本发明还会有各种变化和改进,这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内,本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界。
Claims (7)
1.一种双卤素原子掺杂石墨烯的制备方法,该方法包括以下步骤:
(1)将石墨材料作为工作电极,铂作为对电极。
(2)在硫酸和卤素铵盐的混合溶液中,采用恒电压技术对石墨材料进行电化学剥离。
(3)对电化学剥离后的溶液进行洗涤、超声和静置处理,对上层清液进行冷冻干燥处理,得到双卤素原子掺杂石墨烯。
2.根据权利要求 1 所述的方法,其特征在于,所述步骤(1)中石墨材料为石墨棒、石墨片或石墨纸。
3.根据权利要求 1 所述的方法,其特征在于,所述步骤(2)中硫酸和卤素铵盐的混合溶液,其中硫酸浓度为 0.01~2 mol/L,卤素铵盐浓度为 0.001~2mol/L,所述卤素铵盐选自氟化铵、氯化铵、溴化铵中的任意两种。
4.根据权利要求 1 所述的方法,其特征在于,所述步骤(2)中的恒电压技术所用电压为5~15 V,电解剥离时间为5~100min,反应温度为0~80 ℃。
5.根据权利要求 1 所述的方法,其特征在于,所述步骤(3)中用去离子水抽滤清洗 3~10 次,在室温下超声 10~60 min,静置10~60小时,取上层清液进行冷冻干燥,得到双卤素原子掺杂石墨烯。
6.根据权利要求1所述的双卤素原子掺杂石墨烯,其特征在于:双卤素的原子总含量在0~10%范围内,氧的原子含量在5~40%范围内,碳的原子含量在50~95%范围内。
7.根据权利要求1所述的双卤素原子掺杂石墨烯,其特征在于:所述石墨烯为多孔结构,孔尺寸在0.5~15nm。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202210184665.7A CN115367742A (zh) | 2022-02-28 | 2022-02-28 | 一种双卤素原子掺杂石墨烯的制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202210184665.7A CN115367742A (zh) | 2022-02-28 | 2022-02-28 | 一种双卤素原子掺杂石墨烯的制备方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN115367742A true CN115367742A (zh) | 2022-11-22 |
Family
ID=84060398
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202210184665.7A Pending CN115367742A (zh) | 2022-02-28 | 2022-02-28 | 一种双卤素原子掺杂石墨烯的制备方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN115367742A (zh) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20180190986A1 (en) * | 2015-06-30 | 2018-07-05 | Albemarle Corporation | Halogenated graphene nanoplatelets, and production and uses thereof |
CN109081333A (zh) * | 2017-12-05 | 2018-12-25 | 中国科学院大连化学物理研究所 | 一种电化学剥离制备氟掺杂石墨烯的方法 |
CN109607521A (zh) * | 2019-02-20 | 2019-04-12 | 宁波石墨烯创新中心有限公司 | 一种掺杂石墨烯材料及其制备方法和应用 |
-
2022
- 2022-02-28 CN CN202210184665.7A patent/CN115367742A/zh active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20180190986A1 (en) * | 2015-06-30 | 2018-07-05 | Albemarle Corporation | Halogenated graphene nanoplatelets, and production and uses thereof |
CN109081333A (zh) * | 2017-12-05 | 2018-12-25 | 中国科学院大连化学物理研究所 | 一种电化学剥离制备氟掺杂石墨烯的方法 |
CN109607521A (zh) * | 2019-02-20 | 2019-04-12 | 宁波石墨烯创新中心有限公司 | 一种掺杂石墨烯材料及其制备方法和应用 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
郑水林 等编著: "《石墨烯材料的基础及其在能源领域的应用》", 中国建材工业出版社 * |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN108117065B (zh) | 一种采用交替电流剥离制备石墨烯的方法 | |
CN106219515B (zh) | 具有特殊交联空球状氮掺杂碳材料的合成方法 | |
CN108840327B (zh) | 一种制备氮掺杂石墨烯材料的电化学方法 | |
CN109306498B (zh) | 一种二维超薄二硫化铌纳米片的制备方法及产品和应用 | |
CN107235485B (zh) | 石墨烯的制备方法 | |
CN114604864B (zh) | 一种限域电化学法剥离石墨类材料制备石墨烯的方法 | |
CN108658064B (zh) | 一种氮掺杂石墨烯及其制备方法 | |
CN108394895A (zh) | 一种大片径氧化石墨烯纳米薄片的制备方法 | |
CN111217361B (zh) | 一种电化学阴极剥离制备石墨烯纳米片的方法 | |
CN114477252A (zh) | 一种Al2O3纳米片的制备及其修饰方法 | |
CN111048324A (zh) | 一种二氧化锰—多孔碳复合材料及其制备方法和应用 | |
CN114229964B (zh) | 一种以Ti4O7为基底的表面刻蚀和氟化的阳极制备方法及应用 | |
CN107235487B (zh) | 石墨烯的制备方法 | |
CN113479868A (zh) | 一种有机酸铵熔盐双极电化学剥离制备石墨烯的方法 | |
CN115367742A (zh) | 一种双卤素原子掺杂石墨烯的制备方法 | |
CN108190874B (zh) | 一种制备功能化石墨烯的装置及方法 | |
CN110629242A (zh) | 一种分散多壁碳纳米管的方法 | |
CN113148988B (zh) | 一种氮原子掺杂的石墨烯量子点的制备方法 | |
CN114408906A (zh) | 一种煤系石墨纯化同时制备氟化石墨烯的方法 | |
CN111477460B (zh) | 镧掺杂的三氧化钼及其制备方法、超级电容器电极和超级电容器 | |
CN109594097B (zh) | 在电场和超声场耦合作用下制备石墨烯量子点的方法 | |
CN109346334B (zh) | 一种二氧化钛和二氧化锰复合材料及其制备方法 | |
CN106629674B (zh) | 一种氧化还原制备石墨烯的方法 | |
CN110642244A (zh) | 一种石墨烯及氧化石墨烯的制备方法 | |
CN114408909B (zh) | 一种电化学剥离石墨制备石墨烯的方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20240122 Address after: Room 1503, Building 3, Long'ao Tianjie Square, No. 1577 Long'ao North Road, Jinan Area, China (Shandong) Pilot Free Trade Zone, Jinan City, Shandong Province, 250101 Applicant after: Shandong Jihua Information Technology Co.,Ltd. Country or region after: China Address before: No. 336, West Road, South Xin Zhuang, Shandong, Shandong Applicant before: University of Jinan Country or region before: China |
|
TA01 | Transfer of patent application right |