CN115335986A - 电子装置 - Google Patents
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Abstract
电子装置具备:具有在厚度方向上相互分隔的基板主面以及基板背面的基板;具有元件主面且在上述元件主面上形成有第一主面电极的电子元件;形成在上述基板主面上且传送用于控制上述电子元件的控制信号的配线部;具有在上述厚度方向上相互分隔的主面以及背面且上述背面与上述配线部接合的导通部件;配置在上述基板主面上的导电性的第一引线;与上述导电部件的上述主面和上述第一主面电极接合的第一连接部件。上述第一引线包括从上述配线部分隔且接合了上述电子元件的第一垫部。上述配线部与上述第一主面电极经由上述导通部件以及上述第一连接部件相互导通。
Description
技术领域
本发明涉及电子装置。
背景技术
作为多种电子装置之一,存在称为IPM(Intelligent Power Module)的装置。该电子装置具备电子元件、控制元件、引线框(参照专利文献1)。电子元件是进行电力控制的功率半导体元件。控制元件控制电子元件。引线框支撑电子元件以及控制元件且提供用于这些元件的导通路径。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2020-4893号公报
发明内容
发明所要解决的课题
一般来说,输入控制元件或从控制元件输出的控制信号的数量越多,就越需要增加连接于控制元件的导通路径的数量。可是,伴随电子装置的高集成化,难以在小的空间由一直以来金属制的引线框构成导通路径。实际上,引线框由于通过使用模具的冲压加工、蚀刻而形成、加工,因此难以细线化、高密度化。
鉴于上述情况,本发明的课题在于提供能够实现进一步高集成化的电子装置。
用于解决课题的方案
由本发明的一方案提供的电子装置具备:具有在厚度方向上相互分隔的基板主面以及基板背面的基板;具有元件主面且在上述元件主面上形成有第一主面电极的电子元件;形成在上述基板主面上且传送用于控制上述电子元件的控制信号的配线部;具有在上述厚度方向上相互分隔的主面以及背面且上述背面与上述配线部接合的导通部件;配置在上述基板主面上的导电性的第一引线;以及与上述导电部件的上述主面和上述第一主面电极接合的第一连接部件。上述第一引线包括从上述配线部分隔且接合了上述电子元件的第一垫部。上述配线部与上述第一主面电极经由上述导通部件以及上述第一连接部件相互导通。
发明效果
根据本发明的电子装置,相比于以前可实现高集成化。
附图说明
图1是表示第一实施方式的电子装置的立体图。
图2是表示第一实施方式的电子装置的俯视图。
图3是表示第一实施方式的电子装置的俯视图,用假想线表示树脂部件。
图4是表示第一实施方式的电子装置的仰视图。
图5是表示第一实施方式的电子装置的侧视图(左侧视图)。
图6是沿图3的VI-VI线的剖视图。
图7是沿图3的VII-VII线的剖视图。
图8是将图7的一部分放大的主要部分放大剖视图。
图9是沿图3的IX-IX线的剖视图。
图10是表示第二实施方式的电子装置的俯视图,用假想线表示树脂部件。
图11是沿图10的XI-XI线的剖视图。
具体实施方式
关于本发明的电子装置的优选实施方式,在以下参照附图进行说明。
图1~图9表示第一实施方式的电子装置A1。电子装置A1具备基板1、配线部2、两个电子元件3、两个控制元件4、多个从动元件5、多根引线6、多个第一连接部件71、多个第二连接部件72、多个第三连接部件73以及树脂部件8。多根引线6包括多根第一引线61、多根第二引线62、多根第三引线63以及多根第四引线64。电子装置A1例如是IPM(Intelligent PowerModule),但本发明并不限于此。电子装置A1使用于冷气机、电机控制设备等的用途。
图1是表示电子装置A1的立体图。图2是表示电子装置A1的俯视图。图3是与图2对应的俯视图,用假想线(双点划线)表示树脂部件8。图4是表示电子装置A1的仰视图。图5是表示电子装置A1的侧视图(左侧视图)。图6是沿图3的VI-VI线的剖视图。图7是沿图3的VII-VII线的剖视图。图8是将图7的一部分放大的主要部分放大剖视图。图9是沿图3的IX-IX线的剖视图。在图9中,省略第一连接部件71以及第三连接部件73。
为了便于说明,参照相互正交的三个方向(x方向、y方向、z方向)。z方向与电子装置A1的厚度方向对应。x方向以及y方向被包含于电子装置A1的俯视图(如图3)。在区别x方向上的两个方向时,将一个称为x1方向,将另一个称为x2方向。关于y1方向以及y2方向、及z1方向以及z2方向也相同。于是,在本发明中,有时也使用称为“俯视”这样的措辞表述(沿)z方向观察的情况。
如从图4以及图6等中理解,基板1是z方向的尺寸(厚度)相比较于x方向或y方向的尺寸相对小的形状。在图示的示例中,基板1是在俯视中x方向长的矩形形状。基板1的厚度例如是0.1mm以上且1mm以下,但本发明并不限于此。基板1的各尺寸(长度、宽度、厚度)并未特别限定。基板1由绝缘性的材料构成。另外,作为基板1的材料优选例如热传导率比树脂部件8高的材料。例如,基板1由陶瓷形成。作为陶瓷的示例具有氧化铝(Al2O3)、氮化硅(SiN)、氮化铝(AlN)、氧化锆氧化铝等。
基板1具有基板主面11以及基板背面12。基板主面11以及基板背面12在z方向上相互分隔。基板主面11朝向z2方向,基板背面12朝向z1方向。基板主面11以及基板背面12分别是正交于z方向的平坦面,但本发明并不限于此。在基板主面11上形成配线部2且搭载多根第一引线61、多根第三引线63以及多个电子部件。在多个电子部件中包括两个电子元件3以及两个控制元件4。基板背面12从树脂部件8露出。基板主面11以及基板背面12分别例如是俯视矩形形状。不限定基板1的俯视形状。
配线部2形成在基板主面11上。配线部2由导电性材料形成。配线部2的构成材料例如是银(Ag)或Ag合金(例如Ag-Pt、AgPd等)。该构成材料可以代替Ag或Ag合金而是铜(Cu)或Cu合金、或金(Au)或Au合金等。配线部2在印刷了包含上述构成材料的浆材料之后,通过烧制该浆材料而形成,但本发明并不限于此。配线部2是向各控制元件4的导通路径。在配线部2中流经用于控制各电子元件3的各种控制信号。控制信号包括驱动信号、检测信号等。驱动信号是用于控制电子元件3的驱动的信号。检测信号是用于检测电子元件3的动作状态(例如电压值、电流值等)的信号。
如图3所示,配线部2包括多个垫部21以及多个连接配线22。多个垫部21分别是俯视矩形形状。多个垫部21相互分隔。多个垫部21是接合其他部件的部分。在电子装置A1中,在多个垫部21上接合多个导通部件29、多个控制元件4、多个从动元件5、多根第三引线63、多根第四引线64以及多个第三连接部件73。多根连接配线22以电子装置A1的导通路径为所期望的电路结构的方式将多个垫部21之间连接。
多个导通部件29分别是例如长方体状的块状材料,是俯视矩形形状。各导通部件29例如由Cu形成。可以代替Cu使用其他的导电性材料。例如,既可以是Cu以外的金属,也可以是掺杂杂质而提高导电性的半导体材料(例如Si等)。
多个导通部件29分别具有主面291以及背面292。主面291以及背面292在z方向上相互分隔。主面291朝向z2方向,背面292朝向z1方向。主面291以及背面292分别是正交于z方向的平坦面,但本发明并不限于此。在主面291上接合第一连接部件71。由此,导通部件29导通于第一连接部件71。
各导通部件29、导通于该导通部件29的电子元件3在与z方向正交的正交方向上排列。在图3所示的示例中,该正交方向相当于在俯视中将这些导通的第一连接部件71延伸的方向。主面291例如在该正交方向上观察与电子元件3重合。导通部件29的厚度(z方向的尺寸)比配线部2的厚度与第一引线61的厚度的差大。优选主面291与电子元件3的主面(上述元件主面31)重合。主面291可以在z方向上位于比各电子元件3靠上方(z2方向)。
各导通部件29通过导电性接合材料(省略图示)接合于各垫部21(配线部2)。作为该导电性接合材料例如能使用焊锡、金属浆(银浆或铜浆等)或烧结金属(烧结银等)。在各导通部件29接合于各垫部21的状态下,背面292与各垫部21对置。各导通部件29与各垫部21的接合方法可以是超声波焊接、激光焊接等的其他方法。在图3所示的示例中,各导通部件29在俯视中比接合了该导通部件29的垫部21大。代替此,导通部件29既可以是与垫部21相同的大小(包括实质性相同的情况),也可以比该垫部21小。
两个电子元件3分别配置在各第一引线61(第一垫部611)上。在区分两个电子元件3的情况下,将一个作为电子元件3a,将另一个作为电子元件3b。各电子元件3例如是控制电力的功率晶体管。各电子元件3是例如由SiC(碳化硅)基板形成的MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)。并且,各电子元件3可以改变为SiC基板而是由Si基板形成的MOSFET,也可以包含例如IGBT元件。或者,可以是包含GaN(氮化镓)的MOSFET。电子装置A1具备两个电子元件3,但电子元件3的数量并不限定,根据电子元件A1的要求而适当地变更。
各电子元件3具有元件主面31以及元件背面32。元件主面31以及元件背面32在z方向上互相分隔。元件主面31朝向z2方向,元件背面32朝向z1方向。元件主面31以及元件背面32分别是平坦的,但本发明并不限于此。在各电子元件3中,在元件主面31上形成第一主面电极311以及第二主面电极312。第一主面电极311与第二主面电极312相互分隔。在俯视中,第二主面电极312比第一主面电极311大。在各第一主面电极311上接合各第一连接部件71的一端。在各第二主面电极312上接合各第二连接部件72的一端。在各电子元件3中,在元件背面32上形成背面电极321。背面电极321形成于元件背面32的整面(或实质性的整面)。各背面电极321接合于第一引线61(第一垫部611)。在用MOSFET构成各电子元件3的示例中,第一主面电极311例如是栅极电极,第二主面电极312例如是源极电极,背面电极321例如是漏极电极。
电子元件3a从控制元件4(后述的控制元件4a)向第一主面电极311输入驱动信号,根据输入的驱动信号进行开关动作(即,切换导通状态与切断状态)。在导通状态下,电流从背面电极321(漏极电极)向第二主面电极312(源极电极)流动,在切断状态下,不流经这样的电流。
电子元件3b也与电子元件3a相同,从控制元件4(后述的控制元件4b)向第一主面电极311输入驱动信号,根据输入的驱动信号切换导通状态与切断状态。
两个保护元件39分别是用于防止向各电子元件3施加逆电压的元件。各保护元件39例如是二极管。各保护元件39配置在各第一引线61(第一垫部611)上。各保护元件39反并列地与各电子元件3连接。保护元件39包括主面电极391以及背面电极392。主面电极391形成于保护元件39的主面(朝向z2方向的面),背面电极392形成于保护元件39的背面(朝向z1方向的面)。在主面电极391上接合各第二连接部件72,通过各第二连接部件72导通主面电极391与第二主面电极312。背面电极392接合于各第一引线61,通过各第一引线61导通背面电极392与背面电极321。在各保护元件39是二极管的情况下,主面电极391是正极电极,背面电极392是负极电极。电子装置A1可以不具备保护元件39。
两个控制元件4分别控制各电子元件3的驱动。各控制元件4分别配置在基板主面11上。在区分两个控制元件4的情况下,将一个作为控制元件4a,将另一个作为控制元件4b。
控制元件4a控制电子元件3a的驱动。控制元件4a通过向电子元件3a的第一主面电极311(栅极电极)输入驱动信号(例如栅极电压),控制电子元件3a的开关动作。在控制元件4a上接合多个第三连接部件73的各个。控制元件4a通过各第三连接部件73、配线部2、导通部件29以及第一连接部件71导通于电子元件3a的第一主面电极311。因此,从控制元件4a输出的驱动信号通过各第三连接部件73、配线部2、导通部件29以及第一连接部件71向电子元件3a的第一主面电极311输入。如图9所示,控制元件4a的上表面(朝向z2方向的面)位于比各电子元件3的元件主面31靠z1方向。控制元件4a的上表面在z2方向上位于与例如后述的第一垫部611上表面(朝向z2方向的面)相同(或实质性相同)的位置。
控制元件4b控制电子元件3b的驱动。控制元件4b通过向电子元件3b的第一主面电极311(栅极电极)输入驱动信号(例如栅极电压),控制电子元件3b的开关动作。在本实施方式中,控制元件4b与树脂封装401以及多个连接端子402一起构成控制装置40。控制装置40是SOP(Small Outline Package)型的封装。控制装置40的封装类型并不限于SOP型,例如可以是QFP(Quad Flat Package)型、SOJ(Small Outline J-lead Package)型、QFN(QuadFlatpack No Lead)型、SON(Small-Outline No lead)型等的其他类型的封装。树脂封装401例如由环氧树脂形成,覆盖控制元件4b。多个连接端子402从树脂封装401突出,在树脂封装401的内部与控制元件4b导通。控制元件4b的各连接端子402通过导电性接合材料(例如焊锡、金属浆或烧结金属等)导通接合于各垫部21(配线部21)。控制元件4b通过配线部2、导通部件29以及第一连接部件71导通于电子元件3a的第一主面电极311。因此,从控制元件4b输出的驱动信号通过配线部2、导通部件29以及第一连接部件71向电子元件3b的第一主面电极311输入。
多个从动元件5分别配置在基板1的基板主面11上,接合于各垫部21(配线部2)。多个从动元件5例如是电阻、电容器、线圈、二极管等。在多个从动元件5中包括热敏电阻5a。
热敏电阻5a导通接合于配线部2的两个垫部21。各垫部21分别通过配线部2导通于互不相同的两根第三引线63。热敏电阻5a通过向该两根第三引线63之间施加电压而输出与周围的温度相应的电流。
多根引线6分别由包含金属的材料构成。各引线6优选热传导率比基板1高。各引线6例如由铜(Cu)、不锈钢、铁(Fe)、无氧铜、或这些金属的合金(如Cu-Sn合金、Cu-Zr合金、Cu-Fe合金等)构成。在各引线6的表面可以实施电镀(如镀镍)。多根引线6例如既可以通过向金属板推压模具的冲压加工而形成,也可以通过蚀刻金属板而形成。各引线6的厚度(z方向的尺寸)并未特别限定,例如是0.4mm以上且0.8mm以下。多根引线6相互分隔。各引线6包括被树脂部件8覆盖的部分和从树脂部件8露出的部分。
多根第一引线6分别被树脂部件8以及基板1支撑。各第一引线61包括第一垫部611以及第一端子部612。在各第一引线61中,第一垫部611与第一端子部612导通。
各第一垫部611被树脂部件8覆盖。各第一垫部611配置在基板1的基板主面11上,在俯视中,与基板1重合。各第一垫部611通过接合件(省略图示)接合于基板主面11。为了提高各第一垫部611与基板1的接合强度,可以在接合各第一垫部611的基板主面11上设置金属层。该金属层通过为与配线部2相同的材料,能够与配线部2的形成一起一并地形成该金属层。
在各第一垫部611上搭载一对电子元件3以及保护元件39。在各第一垫部611上通过导电性接合材料(省略图示)导通接合有各电子元件3的背面电极321(漏极电极)以及各保护元件39的背面电极392(负极电极)。该导电性接合材料例如是焊锡、金属浆、或烧结金属。由此,导通各电子元件3的背面电极321与各保护元件39的背面电极392。各电子元件3的元件背面32以及各保护元件39的背面(朝向z1方向的面)与各第一垫部611对置。如图8所示,各第一垫部611的厚度(z方向的尺寸)T2比配线部2的厚度(z方向的尺寸)T1大。
各第一端子部612从树脂部件8露出。各第一端子部612向z2方向弯曲。各第一端子部612是电子装置A1的外部端子。由于各第一垫部611导通于各电子元件3的背面电极321,因此在各第一端子部612中流经各电子元件3的漏极电流。
多根第二引线62分别被树脂部件8支撑。各第二引线62包括第二垫部621以及第二端子部622。在各第二引线62中,第二垫部621与第二端子部622导通。
各第二垫部621被树脂部件8覆盖。各第二垫部621在俯视中不与基板1重合。在各第二垫部621上分别接合多个第二连接部件72。接合于各第二垫部621的各第二连接部件72接合于各电子元件3的第二主面电极312。由此,各第二垫部621通过各第二连接部件72导通于各电子元件3的第二主面电极312(源极电极)。
各第二端子部622从树脂部件8露出。各第二端子部622向z2方向弯曲。各第二端子部622是电子装置A1的外部端子。由于第二垫部621导通于各电子元件3的第二主面电极312(源极电极),因此在第二端子部622中流经各电子元件3的源极电流。
多根第三引线63分别被树脂部件8以及基板1支撑。各第三引线63包括第三垫部631以及第三端子部632。在各第三引线63中导通第三垫部631与第三端子部632。
各第三垫部631被树脂部件8覆盖。各第三垫部631配置在基板1的基板主面11上,在俯视中与基板1重合。各第三垫部631通过导电性接合材料(省略图示)导通接合于配线部2的各垫部21。接合各第三垫部631的各垫部21通过各连接配线22导通于各控制元件4。因此,各第三垫部631通过配线部2导通于各控制元件4。
各第三端子部632从树脂部件8露出。各第三端子部632向z2方向弯曲。各第三端子部632是电子装置A1的外部端子。由于各第三垫部631导通于各控制元件4,因此各第三端子部632是向各控制元件4的各种控制信号的输入端子或来自各控制元件4的各种控制信号的输出端子。
多根第四引线64分别被树脂部件8以及基板1支撑。各第四引线64包括第四垫部641以及第四端子部642。在各第四引线64中导通第四垫部641与第四端子部642。
各第四垫部641被树脂部件8覆盖。各第四垫部641配置在基板1的基板主面11上,在俯视中与基板1重合。各第四垫部641通过导电性接合材料(省略图示)导通接合于配线部2的各垫部21。接合各第四垫部641的各垫部21通过各连接配线22导通于各热敏电阻5a。由此,各第四垫部641通过配线部2与各热敏电阻5a导通。
各第四端子部642从树脂部件8露出。各第四端子部642向z2方向弯曲。各第四端子部642在x方向上观察与各第三端子部632重合。各第四端子部642是电子装置A1的外部端子。由于各第四垫部641导通于热敏电阻5a,因此各第四端子部642是温度检测端子。
在图3所示的示例中,相对于两个电子元件3的各个设置一根第一引线61以及一根第二引线62。即,电子装置A1具备两根第一引线61与两根第二引线62。电子元件3的数量越增加,则第一引线61的数量以及第二引线62的数量也越增加。同样,电子装置A1具备4根第四引线64(相对于两个热敏电阻5a分别设置两根第四引线64)。
多个第一连接部件71、多个第二连接部件72、多个第三连接部件73以及第四连接部件74分别导通相互分隔的两个部件。在图示的示例中,多个第一连接部件71、多个第二连接部件72、多个第三连接部件73、及第四连接部件74分布是金属丝(接合线)。
多个第一连接部件71分别接合于各电子元件3的第一主面电极311(栅极电极)与各导通部件29的主面291,导通各电子元件3的第一主面电极311和导通部件29。各第一连接部件71例如由Au构成,但也可以由Cu、Al构成。各第一连接部件71的线径及第一连接部件71的个数并不限于图3所示的示例。
各第一连接部件71包括一对接合部711、712以及线状部713。接合部711是接合于第一主面电极311的部位。接合部712是接合于导通部件29的主面291的部位。线状部713是连接一对接合部711、712的部位。线状部713从一对接合部711、712的各个延伸。
各第一连接部件71例如接合部711形成得比接合部712靠前。在图7以及图8所示的示例中,各第一连接部件71通过使用毛细管的线接合装置形成。具体的说,接合部711通过球接合形成,接合部712通过切线接合形成。接合部711是“先行接合部”的一例,接合部712是“后行接合部”的一例。与本实施方式不同,也可以接合部712先于接合部711形成。在该情况下,接合部712由球接合而形成,接合部711由切线接合而形成。另外,各第一连接部件71可代替毛细管而通过使用楔形工具的线接合装置而形成。该情况下,接合部711以及接合部712分别由楔形接合而形成。
多个第二连接部件72分别接合于电子元件3的第二主面电极312(源极电极)、第二引线62的第二垫部621,导通第二主面电极312与第二引线62。多个第二连接部件72分别接合于电子元件3的第二主面电极312(源极电极)、保护元件39的主面电极391(正极电极),导通第二主面电极312与主面电极391。各第二连接部件72例如由Al、Cu、或Au形成,但本发明并不限于此。各第二连接部件72的线径以及第二连接部件72的根数并不限于图3所示的示例。
如图6所示,各第二连接部件72包括一对接合部721、722、中间接合部723以及两个线状部724。接合部721是接合于第二主面电极312的部位。接合部722是接合于第二引线62的第二垫部621的部位。中间接合部723是接合于保护元件39的主面电极391的部位。两个线状部724的一个是连接接合部721与中间接合部723的部位,另一个是连接接合部722与中间接合部723的部位。
在图3以及图6所示的示例中,通过一个第二连接部件72相互导通第二主面电极312(电子元件3)、主面电极391(保护元件39)、第二垫部621(第二引线62),但本发明并不限于此。例如,代替各第二连接部件72可以单独设置导通第二主面电极312与主面电极391的金属丝、导通主面电极391与第二垫部621的金属丝。代替各第二连接部件72可以设置导通第二主面电极312与第二垫部621的金属丝、导通第二主面电极312与主面电极391的金属丝。
多个第三连接部件73分别接合于控制元件4a与配线部2的各垫部21,导通控制元件4与配线部2。各第三连接部件73例如由Au、Cu、Al形成。各第三连接部件73的线径以及第三连接部件73的根数并不限于图3所示的示例。
第四连接部件74接合于电子元件3b的第二主面电极312与导通部件29的主面291,导通第二主面电极312与导通部件29。由于该导通部件29导通于配线部2,因此在配线部2中传送用于检测流经电子元件3b的第二主面电极312的电流(如源极电流)的检测信号。第四连接部件74例如由Au、Cu或Al形成。第四连接部件74的线径不限于图3所示的示例。另外,可以使用多个第四连接部件74。第四连接部件74与各第一连接部件71相同,接合于第二主面电极312的部位先于接合于主面291的部位形成。这些的形成顺序可以相反。第四连接部件74既可以由使用毛细管的线接合装置形成,也可以通过使用楔形工具的线接合装置形成。
树脂部件8覆盖基板1(除基板背面12)、配线部2、两个电子元件3、两个控制元件4(控制装置40)、多个从动元件5、多根引线6的各自的一部分、多个第一连接部件71、多个第二连接部件72、多个第三连接部件73以及第四连接部件74。作为树脂部件8的构成材料能采用例如环氧树脂、硅胶等的绝缘材料。树脂材料8例如由模制成型而形成。
树脂部件8具备树脂主面81、树脂背面82以及多个树脂侧面831~834。树脂主面81以及树脂背面82在z方向上相互分隔。树脂主面81朝向z2方向,树脂背面82朝向z1方向。树脂主面81以及树脂背面82分别是正交于z2方向的平坦面,但本发明并不限于此。基板背面12从树脂背面82露出。在本实施方式中,如图6、图7以及图9所示,基板背面12与树脂背面82是同一面,但本发明并不限于此。多个树脂侧面831~834分别连接于树脂主面81以及树脂背面82。两个树脂侧面831、832在x方向上相互分隔。树脂侧面831朝向x1方向,树脂侧面832朝向x2方向。两个树脂侧面833、834在y方向上相互分隔。树脂侧面833朝向y1方向,树脂侧面834朝向y2方向。在图示的示例中,各树脂侧面831~834在z方向的中央(或中央附近)弯曲,但本发明并不限于此。例如,各树脂侧面831~834既可以作为整体是平坦的,也可以具有预定的曲率而弯曲。
在电子装置A1中,多根第一引线61以及多根第二引线62分别从树脂侧面833突出,多根第三引线63以及多根第四引线64分别从树脂侧面834突出。即,导通于各电子元件3的电力用端子、导通于各控制元件4的控制信号用端子从相互相反的侧面突出。
以下,关于电子装置A1的作用效果进行说明。
电子装置A1具备形成于基板1(基板主面11)的配线部2。配线部2构成传送用于控制各电子元件3的控制信号(例如驱动信号)的路径。详细的说,例如,相对于电子元件3的驱动信号从控制元件4输出,通过配线部2、导通部件29以及第一连接部件71向第一主面电极311输入。配线部2例如在用预定的图案在基板1上印刷银浆之后,通过对其进行烧制而形成。根据该结构,与由金属的引线框构成传送路径的情况不同,可实现该传送路径的细线化、高密度化。因此,在电子装置A1中可实现高集成化。
电子装置A1具备与配线部2导通的导通部件29。另外,使用第一连接部件71导通电子元件3(的第一主面电极311)和导通部件29(的主面291)。一般来说,用接合线构成的第一连接部件71的电感成分相对大,成为噪音产生的原因。相对于此,在电子装置A1中,不是将第一连接部件71直接接合于配线部2,而是接合于用块状材料构成的导通部件29(具有比第一连接部件71小的电感成分)。由此,由于能够缩短第一连接部件71的长度(即,缩小电感成分),因此能抑制噪音的产生。
为了比较,与电子装置A1不同,假设不设置导通部件29的结构。在该情况下,例如以图8的假想线(双点划线)所述,第一连接部件71’直接连接于电子元件3的第一主面电极311与配线部2。可是,如图8所示,第一连接部件71’存在容易与第一垫部611接触而产生无意的短路的可能性。第一连接部件71’与第一垫部611接触的一个原因在于第一主面电极311的上表面(元件主面31)与垫部21的上表面的高低差大。相对于此,在电子装置A1中,通过设置导通部件29且将第一连接部件71接合于电子元件3的第一主面电极311与导通部件29的主面291,从而能够降低上述高低差。其结果,可抑制第一连接部件71与第一垫部611的接触。即,在电子装置A1中,能抑制无意的短路,提高可靠性。尤其在电子装置A1中,导通部件29的主面291在水平方向(与z方向正交的正交方向)中与电子元件3重合。该正交方向在俯视中相当于各导通部件29与导通于该导通部件29的各电子元件3排列的方向。该情况下,由于第一连接部件71的整体相比于第一垫部611位于上方(z2方向),因此能够可靠地避免第一连接部件71与第一垫部611的接触。
作为不设置导通部件29而避免第一连接部件71与第一垫部611的接触的方法,考虑如以下所示的代替方法。该方法构成为,增长第一连接部件71的线状部713,在z方向上该线状部从第一垫部611充分地分隔。可是,在该代替方法中,由于第一连接部件71的整体长度变大,因此电感成分增大。另外,在树脂部件8的形成时,被流入的模制树脂推倒,成为断线与无意的短路等的导通不良的原因。鉴于这样的情况,电子装置A1的结构在抑制电感成分的增大、且抑制导通不良上是有利的。
在电子装置A1中,电子元件3接合于第一垫部611,导通电子元件3的背面电极321与第一引线61。另外,电子元件3的第二主面电极312通过多个第二连接部件72导通于第二引线62。根据该结构,能够通过第一引线61以及第二引线62构成比较大的电流流动的向电子元件3的路径。这相比较于用配线部2构成向电子元件3的电流路径的情况能够增大容许电流量,是有利的。即,电子装置A1可确保流向电子元件3的容许电流且实现高集成化。
在电子装置A1中,两根第一引线61的热传导率比基板1高。由此,能够抑制来自各电子元件3的散热量的降低。尤其由于电子元件3搭载于第一引线61的第一垫部611上,因此能够高效地向各第一引线61传递来自电子元件3的热量。另外,通过各第一引线61从树脂部件8露出而构成从外部向各电子元件3的导通路径,并且能够进一步提高来自电子元件3的散热特性。而且,通过基板1的基板背面12从树脂部件8(树脂背面82)露出,能够高效地向外部释放从各电子元件3向基板1传递的热量。
在电子装置A1中,控制装置40具备覆盖控制元件4b的树脂封装401。代替此,在不使用覆盖控制元件4b的树脂封装的情况下,不能够在控制元件4b中流经负载检测所需要的高电压高电流。因此,负载检测需要等待至成为具备树脂部件8的成品。该情况下,若在负载检测中判断为控制元件4b为不良品,则即使控制元件4b以外的部件是正常的,也会废弃成品整体。另一方面,由于控制装置40的控制元件4b被树脂封装401覆盖,因此能够流经负载检测所需要的高电压高电流。因此,如果在成为成品之前进行控制装置40的检测且控制元件4b为不良品,则可只废弃该控制装置40。
参照图10以及图11,关于第二实施方式的电子装置A2进行说明。图10是表示电子装置A2的俯视图,用假想线表示树脂部件8。图11是沿图10的XI-XI线的剖视图。
如图10所示,电子装置A2与电子装置A1不同,电连接两个电子元件3。如后述,在电子装置A2中,两个电子元件3相互连接而构成支线(レグ)。电子元件3a构成该支线的上支路电路,电子元件3b构成该支线的下支路电路。
在电子装置A2中,多根引线6包括多根第三引线63、多根第四引线64、两根输入引线65、66、输出引线67以及检测引线68。两根输入引线65、66、输出引线67以及检测引线68各自的一部分被树脂部件8覆盖,其他部分从树脂部件8露出。
输入引线65被树脂部件8以及基板1支撑。输入引线65包括垫部651以及端子部652。在输入引线65中,垫部651与端子部652相互导通。
垫部651被树脂部件8覆盖。垫部651配置在基板主面11上,在俯视中与基板1重合。垫部651例如通过接合材料(省略图示)接合于基板主面11。为了提高垫部651与基板1的接合强度,可以在垫部651与基板主面11之间设置金属层。该金属层例如由与配线部2相同的材料形成。由此,能够一并地形成配线部2以及该金属层。
在垫部651上搭载电子元件3a。垫部651与电子元件3a的背面电极321(漏极电极)通过导电性接合材料(省略图示)相互导通接合。该导电性接合材料例如是焊锡、金属浆或烧结金属。电子元件3a的元件背面32与垫部651对置。
端子部652从树脂部件8露出。端子部652在以预定距离从树脂部件8离开的位置上向z2方向弯曲。端子部652是电子装置A2的外部端子。由于垫部651与电子元件3a的背面电极321导通,因此在端子部652中流经电子元件3a的漏极电流。
输入引线66被树脂部件8支撑。输入引线66包括垫部661以及端子部662。在输入引线66中,垫部661与端子部662相互导通。
垫部661被树脂部件8覆盖。垫部661在俯视中不与基板1重合。在垫部661中分别接合多个第二连接部件72。接合于垫部661的各第二连接部件72也接合于电子元件3b的第二主面电极312。由此,垫部661通过各第二连接部件72与电子元件3b的第二主面电极312(源极电极)导通。
端子部662从树脂部件8露出。端子部662在以预定距离从树脂部件8离开的位置上向z2方向弯曲。端子部662是电子装置A2的外部端子。由于垫部661导通于电子元件3b的第二主面电极312(源极电极),因此在端子部662中流经电子元件3b的源极电流。
输出引线67被树脂部件8以及基板1支撑。输出引线67包括垫部671以及端子部672。在输出引线67中,垫部671与端子部672相互导通。
垫部671被树脂部件8覆盖。垫部671配置在基板主面11上,在俯视中与基板1重合。垫部671通过接合材料(省略图示)接合于基板主面11。为了提高垫部671与基板1的接合强度,可以在垫部671与基板主面11之间设置金属层。该金属层例如由与配线部2相同的材料形成。由此,能够一并地形成配线部2以及该金属层。
在垫部671中搭载电子元件3b。垫部671与电子元件3b的背面电极321(漏极电极)通过导电性接合材料(省略图示)而相互导通接合。该导电性接合材料例如是焊锡、金属浆或烧结金属。电子元件3b的元件背面32与垫部671对置。另外,在垫部671中分别接合多个第二连接部件72。接合于垫部671的各第二连接部件72也接合于电子元件3a的第二主面电极312。由此,垫部671通过各第二连接部件72导通于电子元件3a的第二主面电极312(源极电极)。
端子部672从树脂部件8露出。端子部672在以预定距离从树脂部件8离开的位置上向z2方向弯曲。端子部672是电子装置A2的外部端子。由于垫部671导通于电子元件3b的背面电极321(漏极电极),因此在端子部672中流经电子元件3b的漏极电流。另外,由于垫部671导通于电子元件3a的第二主面电极312(源极电极),因此在端子部672中流经电子元件3a的源极电流。
在电子装置A2中,向两根输入引线65、66之间施加例如电源电压。输入引线65是正极(P端子),输入引线66是负极(N端子)。向两根输入引线65、66之间输入的电源电压通过两个电子元件3a、3b的各开关动作而转换为交流电力(电压)。该交流电力从输出引线67输出。如此,两根输入引线65、66是上述电源电压的输入端子,输出引线67是通过两个电子元件3a、3b进行电压转换的交流电力的输出端子。
检测引线68被树脂部件8以及基板1支撑。检测引线68包括垫部681以及端子部682。在检测引线68中,垫部681与端子部682相互导通。
垫部681被树脂部件8覆盖。垫部681配置在基板主面11上,俯视中与基板1重合。垫部681通过接合材料(省略图示)接合于基板主面11。为了提高垫部681与基板1的接合强度,可以在垫部681与基板主面11之间设置金属层。该金属层例如由与配线部2相同的材料形成。由此,配线部2以及该金属层能够一并地形成。
在垫部681中接合多个从动元件5中的一个。在图示的示例中,分流电阻5b接合于垫部681。分流电阻5b跨过垫部671(输出引线67)与垫部681(检测引线68)而配置,分别导通接合于垫部671以及垫部681。流经输出引线67中的电流被分流电阻5b分流,向垫部681传送。
端子部682从树脂部件8露出。端子部682在以预定距离从树脂部件8分离的位置上向z2方向弯曲。端子部682是电子装置A2的外部端子。由于垫部681通过分流电阻5b而导通于垫部671,因此在端子部682中流经从输出引线67分流的电流。
电子装置A2具备多个第五连接部件75。各第五连接部件75与第一连接部件71至第四连接部件74相同,是接合线。各第五连接部件75例如由Au、Cu或Al形成。通过第五连接部件75导通于第四引线64的配线部2与导通于热敏电阻5a的配线部2导通。
在电子装置A2中,也与电子装置A1相同,具备形成在基板主面11上的配线部2。并且,与电子装置A1相同,配线部2传送用于控制电子元件3的控制信号(例如驱动信号),构成该控制信号的传送路径。因此,可实现该传送路径的细线化、高密度化,可实现高集成化。
电子装置A2通过具备导通部件29而能够减小电感成分、抑制噪音的产生。另外,电子装置A2通过具备导通部件29而能够抑制第一连接部件71与第一垫部611的接触,能够实现可靠性的提高。
本发明的电子装置并不限于上述实施方式。本发明的电子装置的各部分的具体结构可根据各种变型自由设计变更。本发明包括以下附记所述的实施方式。
附记1.
一种电子装置,其特征在于,
具备:
具有在厚度方向上相互分隔的基板主面以及基板背面的基板;
具有元件主面且在上述元件主面上形成有第一主面电极的电子元件;
形成在上述基板主面上且传送用于控制上述电子元件的控制信号的配线部;
具有在上述厚度方向上相互分隔的主面以及背面且上述背面与上述配线部接合的导通部件;
配置在上述基板主面上的导电性的第一引线;以及
与上述导电部件的上述主面和上述第一主面电极接合的第一连接部件,
上述第一引线包括从上述配线部分隔且接合了上述电子元件的第一垫部,
上述配线部和上述第一主面电极经由上述导通部件以及上述第一连接部件相互导通。
附记2.根据附记1所述的电子装置,
上述第一垫部的上述厚度方向的尺寸比上述配线部大。
附记3.根据附记2所述的电子装置,
在上述厚度方向上观察,上述导通部件以及上述电子元件沿与上述厚度方向正交的正交方向排列,
在上述正交方向上观察,上述导电部件的上述主面与上述电子元件重合。
附记4.根据附记3所述的电子装置,
在上述正交方向中观察,上述导电部件的上述主面与上述元件主面重合。
附记5.根据附记1至附记4任一项所述的电子装置,
上述第一连接部件是金属丝。
附记6.根据附记5所述的电子装置,
上述第一连接部件包括与上述第一主面电极接合的先行接合部、以及与上述导电部件的上述主面接合的后行接合部。
附记7.根据附记1至附记6任一项所述的电子装置,
上述电子元件具有与上述元件主面相反侧的元件背面,
在上述元件背面形成有与上述第一垫部导通接合的背面电极。
附记8.根据附记7所述的电子装置,
还具备从上述第一引线分隔的导电性的第二引线,
在上述元件主面上形成有与上述第一主面电极分隔且与上述第二引线导通的第二主面电极。
附记9.根据附记8所述的电子装置,
还具备与上述第二引线和上述第二主面电极接合的第二连接部件。
附记10.根据附记9所述的电子装置,
上述第二连接部件是金属丝。
附记11.根据附记8至附记10任一项所述的电子装置,
还具备配置在上述基板主面上且控制上述电子元件的驱动的控制元件,
上述控制信号包括用于控制上述电子元件的驱动的驱动信号。
附记12.根据附记11所述的电子装置,
还具备与上述控制元件和上述配线部接合的第三连接部件。
附记13.根据附记12所述的电子装置,
上述第三连接部件是金属丝。
附记14.根据附记11至附记13任一项所述的电子装置,
还具备从上述第一引线以及上述第二引线分隔的导电性的第三引线,上述第三引线与上述配线部接合,并经由上述配线部与上述控制元件导通。
附记15.根据附记14所述的电子装置,
还具备覆盖上述基板的至少一部分、上述配线部、上述导通部件、上述电子元件、上述控制元件及上述第一连接部件的树脂部件,
上述第一引线、上述第二引线以及上述第三引线分别具有从上述树脂部件露出的部分。
附记16.根据附记15所述的电子装置,
上述基板背面从上述树脂部件露出。
附记17.根据附记1至附记16任一项所述的电子装置,
在上述厚度方向上观察,上述第一垫部与上述基板重合。
附记18.根据附记1至附记17任一项所述的电子装置,
上述导通部件含有Cu。
附记19.根据附记1至附记18任一项所述的电子装置,
上述基板含有陶瓷。
附记20.根据附记1至附记19任一项所述的电子装置,
上述电子元件是功率晶体管。
符号说明
A1、A2—电子装置,1—基板,11—基板主面,12—基板背面,2—配线部,21—垫部,22—连接配线,29—导通部件,291—(导通部件的)主面,292—(导通部件的)背面,3、3a、3b—电子元件,31—元件主面,311—第一主面电极,312—第二主面电极,32—元件背面,321—背面电极,39—保护元件,391—主面电极,392—背面电极,4、4a、4b—控制元件,40—控制装置,401—树脂封装,402—连接端子,5—从动元件,5a—热敏电阻,5b—分流电阻,6—引线,61—第一引线,611—第一垫部,612—第一端子部,62—第二引线,621—第二垫部,622—第二端子部,63—第三引线,631—第三垫部,632—第三端子部,64—第四引线,641—第四垫部,642—第四端子部,65、66—输入引线,651、661—垫部,652、662—端子部,67—输出引线,671—垫部,672—端子部,68—检测引线,681—垫部,682—端子部,71—第一连接部件,711—接合部,712—接合部,713—线状部,72—第二连接部件,721—接合部,722—接合部,723—中间接合部,724—线状部,73—第三连接部件,74—第四连接部件,75—第五连接部件,8—树脂部件,81—树脂主面,82—树脂背面,831~834—树脂侧面。
Claims (20)
1.一种电子装置,其特征在于,
具备:
具有在厚度方向上相互分隔的基板主面以及基板背面的基板;
具有元件主面且在上述元件主面上形成有第一主面电极的电子元件;
形成在上述基板主面上且传送用于控制上述电子元件的控制信号的配线部;
具有在上述厚度方向上相互分隔的主面以及背面且上述背面与上述配线部接合的导通部件;
配置在上述基板主面上的导电性的第一引线;以及
与上述导电部件的上述主面和上述第一主面电极接合的第一连接部件,
上述第一引线包括从上述配线部分隔且接合了上述电子元件的第一垫部,
上述配线部与上述第一主面电极经由上述导通部件以及上述第一连接部件相互导通。
2.根据权利要求1所述的电子装置,其特征在于,
上述第一垫部的上述厚度方向的尺寸比上述配线部大。
3.根据权利要求2所述的电子装置,其特征在于,
在上述厚度方向上观察,上述导通部件以及上述电子元件沿与上述厚度方向正交的正交方向排列,
在上述正交方向上观察,上述导电部件的上述主面与上述电子元件重合。
4.根据权利要求3所述的电子装置,其特征在于,
在上述正交方向上观察,上述导电部件的上述主面与上述元件主面重合。
5.根据权利要求1至4任一项所述的电子装置,其特征在于,
上述第一连接部件是金属丝。
6.根据权利要求5所述的电子装置,其特征在于,
上述第一连接部件包括与上述第一主面电极接合的先行接合部、以及与上述导电部件的上述主面接合的后行接合部。
7.根据权利要求1至6任一项所述的电子装置,其特征在于,
上述电子元件具有与上述元件主面相反侧的元件背面,
在上述元件背面形成有与上述第一垫部导通接合的背面电极。
8.根据权利要求7所述的电子装置,其特征在于,
还具备从上述第一引线分隔的导电性的第二引线,
在上述元件主面上形成有与上述第一主面电极分隔且与上述第二引线导通的第二主面电极。
9.根据权利要求8所述的电子装置,其特征在于,
还具备与上述第二引线和上述第二主面电极接合的第二连接部件。
10.根据权利要求9所述的电子装置,其特征在于,
上述第二连接部件是金属丝。
11.根据权利要求8至10任一项所述的电子装置,其特征在于,
还具备配置在上述基板主面上且控制上述电子元件的驱动的控制元件,
上述控制信号包括用于控制上述电子元件的驱动的驱动信号。
12.根据权利要求11所述的电子装置,其特征在于,
还具备与上述控制元件和上述配线部接合的第三连接部件。
13.根据权利要求12所述的电子装置,其特征在于,
上述第三连接部件是金属丝。
14.根据权利要求11至13任一项所述的电子装置,其特征在于,
还具备从上述第一引线以及上述第二引线分隔的导电性的第三引线,
上述第三引线与上述配线部接合,并经由上述配线部与上述控制元件导通。
15.根据权利要求14所述的电子装置,其特征在于,
还具备覆盖上述基板的至少一部分、上述配线部、上述导通部件、上述电子元件、上述控制元件以及上述第一连接部件的树脂部件,
上述第一引线、上述第二引线以及上述第三引线分别具有从上述树脂部件露出的部分。
16.根据权利要求15所述的电子装置,其特征在于,
上述基板背面从上述树脂部件露出。
17.根据权利要求1至16任一项所述的电子装置,其特征在于,
在上述厚度方向上观察,上述第一垫部与上述基板重合。
18.根据权利要求1至17任一项所述的电子装置,其特征在于,
上述导通部件含有Cu。
19.根据权利要求1至18任一项所述的电子装置,其特征在于,
上述基板含有陶瓷。
20.根据权利要求1至19任一项所述的电子装置,其特征在于,
上述电子元件是功率晶体管。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020065762 | 2020-04-01 | ||
JP2020-065762 | 2020-04-01 | ||
PCT/JP2021/011701 WO2021200336A1 (ja) | 2020-04-01 | 2021-03-22 | 電子装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN115335986A true CN115335986A (zh) | 2022-11-11 |
Family
ID=77929554
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202180024866.4A Pending CN115335986A (zh) | 2020-04-01 | 2021-03-22 | 电子装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20230121777A1 (zh) |
JP (1) | JPWO2021200336A1 (zh) |
CN (1) | CN115335986A (zh) |
DE (2) | DE112021000700T5 (zh) |
WO (1) | WO2021200336A1 (zh) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
USD1022932S1 (en) * | 2021-03-16 | 2024-04-16 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor module |
USD1021830S1 (en) * | 2021-03-16 | 2024-04-09 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor module |
USD1021829S1 (en) * | 2021-03-16 | 2024-04-09 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor module |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017112153A (ja) * | 2015-12-14 | 2017-06-22 | 株式会社村田製作所 | パワー半導体モジュール |
JP7137955B2 (ja) * | 2018-04-05 | 2022-09-15 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
JP7199167B2 (ja) | 2018-06-29 | 2023-01-05 | 三菱電機株式会社 | パワー半導体モジュール、電力変換装置、およびパワー半導体モジュールの製造方法 |
-
2021
- 2021-03-22 WO PCT/JP2021/011701 patent/WO2021200336A1/ja active Application Filing
- 2021-03-22 JP JP2022511955A patent/JPWO2021200336A1/ja active Pending
- 2021-03-22 DE DE112021000700.9T patent/DE112021000700T5/de active Pending
- 2021-03-22 DE DE212021000242.0U patent/DE212021000242U1/de active Active
- 2021-03-22 US US17/914,088 patent/US20230121777A1/en active Pending
- 2021-03-22 CN CN202180024866.4A patent/CN115335986A/zh active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPWO2021200336A1 (zh) | 2021-10-07 |
DE112021000700T5 (de) | 2022-11-17 |
WO2021200336A1 (ja) | 2021-10-07 |
US20230121777A1 (en) | 2023-04-20 |
DE212021000242U1 (de) | 2022-05-19 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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