CN115287759A - 一种生长大尺寸尖晶石型NiZn铁氧体单晶材料的方法 - Google Patents
一种生长大尺寸尖晶石型NiZn铁氧体单晶材料的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN115287759A CN115287759A CN202210930622.9A CN202210930622A CN115287759A CN 115287759 A CN115287759 A CN 115287759A CN 202210930622 A CN202210930622 A CN 202210930622A CN 115287759 A CN115287759 A CN 115287759A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- single crystal
- crystal
- platinum crucible
- ferrite single
- growth
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 72
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 32
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 29
- 229910003962 NiZn Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 26
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 18
- 229910052596 spinel Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 14
- 239000011029 spinel Substances 0.000 title claims abstract description 14
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims abstract description 10
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 36
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 18
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 11
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 9
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 9
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 8
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229960000583 acetic acid Drugs 0.000 claims description 7
- 239000012362 glacial acetic acid Substances 0.000 claims description 7
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 238000000498 ball milling Methods 0.000 claims description 6
- 238000009835 boiling Methods 0.000 claims description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 6
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000006184 cosolvent Substances 0.000 claims description 5
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 5
- 238000005303 weighing Methods 0.000 claims description 5
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims description 5
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 4
- 238000010583 slow cooling Methods 0.000 claims description 4
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 2
- FPHIOHCCQGUGKU-UHFFFAOYSA-L difluorolead Chemical compound F[Pb]F FPHIOHCCQGUGKU-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 7
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 abstract description 3
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 abstract description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 abstract description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 abstract description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 abstract 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 9
- 230000005350 ferromagnetic resonance Effects 0.000 description 8
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 5
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 2
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000002902 ferrimagnetic material Substances 0.000 description 1
- 238000007716 flux method Methods 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000004570 mortar (masonry) Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/16—Oxides
- C30B29/22—Complex oxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B9/00—Single-crystal growth from melt solutions using molten solvents
- C30B9/04—Single-crystal growth from melt solutions using molten solvents by cooling of the solution
- C30B9/08—Single-crystal growth from melt solutions using molten solvents by cooling of the solution using other solvents
- C30B9/12—Salt solvents, e.g. flux growth
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Soft Magnetic Materials (AREA)
Abstract
本发明公开了一种生长大尺寸尖晶石型NiZn铁氧体单晶材料的方法，属于铁氧体单晶材料技术领域，本发明的方法为采用PbO‑PbF2‑B2O3助熔剂体系生长尖晶石Ni0.6Zn0.4Fe2O4单晶，该方法有效降低了Ni0.6Zn0.4Fe2O4的熔点，避免了晶体中出现包裹物等杂质缺陷，提升了结晶质量与晶体完整性，使晶体尺寸从毫米量级增大到厘米量级；本方法制备出的大尺寸Ni0.6Zn0.4Fe2O4单晶大尺寸，缺陷少，结晶质量高，能有效地应用于微波器件。
Description
技术领域
本发明涉及铁氧体单晶材料技术领域，尤其涉及一种生长大尺寸尖晶石型铁氧体单晶材料的方法。
背景技术
尖晶石型NiZn铁氧体单晶材料是一种亚铁磁性材料，具有饱和磁化强度高、铁磁共振线宽窄、介电损耗低、饱和磁场低等特点，是一种优良的旋磁材料及软磁材料，被广泛应用于各种高频率、高Q值、低插损的微波器件中。
为满足应用需求，需寻找一种低成本的生长高质量、大尺寸的NiZn铁氧体单晶的方法。目前生长NiZn铁氧体单晶主要为坩埚下降法与助熔剂法。使用坩埚下降法可生长直径数厘米的NiZn铁氧体单晶，但其面临的主要问题是Zn元素的挥发，Zn元素的挥发将导致其饱和磁化强度下降、铁磁共振线宽增大等现象。由于NiZn铁氧体的熔点超过1600℃，ZnO在如此高的温度下极容易挥发，而为抑制挥发，通常的做法是在超过50 bar的氧气压力下生长其单晶材料，而为保证在高压下设备、人员的安全，设备的使用及维护成本极其高昂。
而助熔剂法可有效降低NiZn铁氧体单晶生长的温度，减弱Zn元素的挥发，使单晶生长的成本极大的降低。1983年刘寄浙等使用PbF2、PbO、B2O3助溶剂生长了纯NiFe2O4单晶（尖晶石型CoM2O4和NiM2O4 (M=Fe,Al,Cr)，其在PbF2：PbO：B2O3=10：10：1的助熔剂配比下(本申请参考此配方进行了对比例1实验)，生长了线尺度最大为3 mm的NiFe2O4单晶，但其生长的晶体仍然存在晶体尺寸小、完整性差、缺陷较多的问题，使得晶体在工程化应用中的可加工性、实用性差，生产成本较高。
发明内容
针对上述助熔剂法生长的尖晶石型NiZn铁氧体单晶材料晶体尺寸小、完整性差、缺陷多的问题，本发明通过改进助熔剂配方及生长工艺，提出一种大尺寸、高质量且低成本的尖晶石型NiZn铁氧体单晶材料的方法。
为了实现上述目的，本发明采用的技术方案是这样的：
一种生长大尺寸尖晶石型NiZn铁氧体单晶材料的方法，其步骤为：
（1）根据晶体分子式Ni0.6Zn0.4Fe2O4，计算出高纯原料（纯度>99.99%）NiO、ZnO、Fe2O3溶质及PbF2、PbO、B2O3助溶剂的质量比例，再分别准确称量各原料放入球磨机内研磨混合均匀；
（2）将步骤（1）所得球磨原料装入铂金坩埚内，再使用氩弧焊将铂金坩埚盖与铂金坩埚完全密封；
（3）将步骤（2）所述将密封铂金坩埚倒置于熔盐炉中进行缓冷生长；
（4）生长结束后，将步骤（3）所述铂金坩埚内晶体取出，放入硝酸、冰乙酸混合酸液中沸煮至助熔剂完全去除，即得尖晶石型NiZn铁氧体单晶。
作为优选的技术方案，步骤（1）中，助熔剂的质量比为B2O3：PbO：PbF2=1:7.5:7.7~1：8.3：8.5，溶质质量比为NiO：ZnO=1:2~1:2.5。
作为优选的技术方案，步骤（1）中，球磨时间为3~4小时。
作为优选的技术方案，步骤（3）中，步骤（3）中缓冷生长工艺为：以升温速率100~130℃/h升至1250~1300℃，保温10~12h，再以降温速率1~1.5℃/h降至生长截止温度900~950℃。若生长截止温度过高，则溶质析出较少，晶体尺寸难以长大；而若生长截止温度过低，则结晶产物中容易出现六角磁铅石杂相。
作为优选的技术方案：步骤（4）中，酸液中硝酸、冰乙酸的浓度摩尔比为3：2，该比例的混合酸液对PbO、PbF2腐蚀效率最佳，可有效节省酸煮时间。
本发明通过改进助熔剂配方以及生长工艺，制备厘米尺度的高质量NiZn铁氧体单晶对当前高频微波器件的发展具有工程化意义。
本发明所采用的适当比例的助熔剂有效降低了Ni0.6Zn0.4Fe2O4的熔点，避免了晶体中出现包裹物等杂质缺陷，使晶体尺寸从毫米量级增大到厘米量级；进一步通过生长工艺的改进，提升了结晶质量与晶体完整性，有效降低晶体的铁磁共振线宽。
与传统助熔剂生长NiZn铁氧体单晶技术相比，本发明的优点在于：本方法制备出的NiZn铁氧体单晶晶体尺寸更大，从毫米尺度提升到厘米尺度，晶体内包裹物缺陷更少，铁磁共振线宽降低，能批量化加工为单晶小球应用于微波器件中。
附图说明
图1为实施例1制备的NiZn铁氧体单晶外观照片；
图2为实施例1制备的NiZn铁氧体球形谐振子照片；
图3为实施例1制备的NiZn铁氧体单晶的XRD图谱；
图4为实施例1制备的NiZn铁氧体单晶的室温磁滞回线；
图5为实施例1制备的NiZn铁氧体单晶的铁磁共振线宽；
图6为对比例1制备的NiZn铁氧体单晶外观照片；
图7为对比例2制备的NiZn铁氧体单晶外观照片。
具体实施方式
下面将结合附图对本发明作进一步说明。
实施例1：
一种生长大尺寸尖晶石型NiZn铁氧体单晶材料的方法：
按配方分别称取所需的ZnO (重量150g)、NiO (重量60g)、Fe2O3(重量180g)、B2O3(重量100g)、PbO(重量830g)、PbF2(重量850g)、，并使用球形研磨机球磨4小时，使其混合均匀。随后将球磨原料放入铂金坩埚内，使用氩弧焊将坩埚盖与铂金坩埚完全密封，然后放入熔盐炉内生长；设置工艺曲线，10小时升温到1300℃，随后保温10小时，然后以1.5℃/h的速率降温至950℃；再随炉冷却至室温，生长结束后，用硝酸（300ml）、冰乙酸（200ml）、水（500ml）混合液对晶体进行酸煮，去除残余的助熔剂。
所得块体单晶的形貌照片图如图1所示，晶体尺寸可达厘米量级，最大线度尺寸1.2cm。为表征所得单晶的理化性能，分别使用XRD、 ICP-Ms对晶体结构、组分进行测试并分析，XRD结果如图3所示，表明所得单晶结构完整性好、缺陷低，其化学组成为Ni0.6Zn0.4Fe2O4，符合预期设计；将所得单晶批量加工磨抛成球形谐振子，如图2所示，根据GB/T9633-2012《微波频率应用的旋磁材料性能测量方法》测试样品球的饱和磁化强度4πMs为5200Gs±50Gs（如图4所示）、10GHz下的铁磁共振线宽ΔH低于5Oe（如图5所示），其磁学性能优于传统助溶剂法制备NiZn单晶。
实施例2
本实施例与实施例1相比，仅“B2O3(重量100g)、PbO(重量750g)、PbF2(重量770g)”，其余与实施例1相同。
实施例3
本实施例与实施例1相比，仅“B2O3(重量100g)、PbO(重量780g)、PbF2(重量800g)”，其余与实施例1相同。
对比例1
按配方分别称取所需的ZnO (重量15g)、NiO (重量6g)、Fe2O3(重量18g)、B2O3(重量8g)、PbF2(重量80g)、PbO(重量80g)，并使用玛瑙研钵研磨30 min，使其混合均匀。随后将混合均匀的原料放入铂金坩埚内，使用氩弧焊将坩埚盖与铂金坩埚完全密封，然后放入熔盐炉内生长。设置工艺曲线，10小时升温到1300℃，随后保温10小时，然后以1.5℃/h的速率降温至950℃。再随炉冷却至室温，生长结束后，用硝酸、冰乙酸、水混合液对晶体进行酸煮，去除残余的助熔剂。
对比例1所得块体单晶的形貌照片图如图6所示，图6中每一小格代表1毫米，可见其最大尺寸不超过3mm。
对比例2
按配方分别称取所需的ZnO (重量15g)、NiO (重量6g)、Fe2O3(重量18g)、B2O3(重量10g)、PbO(重量83g)、PbF2(重量85g)、，并使用球形研磨机球磨4小时，使其混合均匀。随后将球磨原料放入铂金坩埚内，使用氩弧焊将坩埚盖与铂金坩埚完全密封，然后放入熔盐炉内生长；设置工艺曲线，10小时升温到1250℃，随后保温10小时，然后以3℃/h的速率降温至950℃；再随炉冷却至室温，生长结束后，用硝酸（300ml）、冰乙酸（200ml）、水（500ml）混合液对晶体进行酸煮，去除残余的助熔剂。
对比例2所得块体单晶的形貌照片图如图7所示，其最大尺寸接近8mm，但晶体表面不平整，光洁度较差，晶体完整性较差。
测试实施例1、2、3与对比例1、2生长的单晶材料饱和磁化强度、铁磁共振线宽，每一种材料均测试3颗单晶小球，结果见表1：
表1 各实施例与对比例生长的单晶材料饱和磁化强度、铁磁共振线宽测试结果
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (5)
1.一种生长大尺寸尖晶石型NiZn铁氧体单晶材料的方法，其特征在于，其制备方法包括以下步骤：
（1）根据晶体分子式Ni0.6Zn0.4Fe2O4，计算出高纯原料（纯度>99.99%）NiO、ZnO、Fe2O3溶质及PbF2、PbO、B2O3助溶剂的质量比例，再分别准确称量各原料放入球磨机内研磨混合均匀；
（2）将步骤（1）所得球磨原料装入铂金坩埚内，再使用氩弧焊将铂金坩埚盖与铂金坩埚完全密封；
（3）将步骤（2）所述将密封铂金坩埚倒置于熔盐炉中进行缓冷生长；
（4）生长结束后，将步骤（3）所述铂金坩埚内晶体取出，放入硝酸、冰乙酸混合酸液中沸煮至助熔剂完全去除，即得尖晶石型NiZn铁氧体单晶。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤（1）中，所述溶质质量比为NiO：ZnO=1:2~1:2.5，助溶剂质量比为B2O3：PbO：PbF2=1:7.5:7.7~1：8.3：8.5。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤（1）中，球磨时间为3~4小时。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤（3）中缓冷生长工艺为：以升温速率100~130℃/h升至1250~1300℃，保温10~12h，再以降温速率1~1.5℃/h降至生长截止温度900~950℃。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤（4）中，酸液中硝酸、冰乙酸的浓度摩尔比为3：2。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202210930622.9A CN115287759B (zh) | 2022-08-04 | 2022-08-04 | 一种生长大尺寸尖晶石型NiZn铁氧体单晶材料的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202210930622.9A CN115287759B (zh) | 2022-08-04 | 2022-08-04 | 一种生长大尺寸尖晶石型NiZn铁氧体单晶材料的方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN115287759A true CN115287759A (zh) | 2022-11-04 |
| CN115287759B CN115287759B (zh) | 2024-01-16 |
Family
ID=83826368
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202210930622.9A Active CN115287759B (zh) | 2022-08-04 | 2022-08-04 | 一种生长大尺寸尖晶石型NiZn铁氧体单晶材料的方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN115287759B (zh) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3079240A (en) * | 1960-05-13 | 1963-02-26 | Bell Telephone Labor Inc | Process of growing single crystals |
| US3736106A (en) * | 1968-04-04 | 1973-05-29 | Anvar | Process for flux crystallizing ferrites spinels and garnets from 1% melt mixture |
-
2022
- 2022-08-04 CN CN202210930622.9A patent/CN115287759B/zh active Active
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3079240A (en) * | 1960-05-13 | 1963-02-26 | Bell Telephone Labor Inc | Process of growing single crystals |
| US3736106A (en) * | 1968-04-04 | 1973-05-29 | Anvar | Process for flux crystallizing ferrites spinels and garnets from 1% melt mixture |
Non-Patent Citations (3)
| Title |
|---|
| 刘寄浙等: ""尖晶石型CoM2O4和NiM2O4（M=Fe, Al, Cr）晶体的助熔剂法生长"", 《南京大学学报(自然科学版)》, pages 588 - 591 * |
| 刘寄浙等: ""镍铁氧体单晶的制备"", 《物理学报》, pages 1075 - 1076 * |
| 王天进等: ""镍锌铁氧体单晶生长"", 《人工晶体学报》, pages 311 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN115287759B (zh) | 2024-01-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN110820045A (zh) | 一种稀土石榴石单晶的制备方法 | |
| US4293371A (en) | Method of making magnetic film-substrate composites | |
| CN115287759B (zh) | 一种生长大尺寸尖晶石型NiZn铁氧体单晶材料的方法 | |
| CN111005071A (zh) | 一种掺杂钒酸镝磁光晶体、其制备生长方法及其应用 | |
| US4202930A (en) | Lanthanum indium gallium garnets | |
| CN114635187B (zh) | 低硅高纯锗材料的制备方法 | |
| CN116770416B (zh) | 一种tggg磁光晶体的生长方法 | |
| CN115094511B (zh) | 一种同质外延生长石榴石型铁氧体单晶厚膜的方法 | |
| CN113862786B (zh) | 一种钒铌酸铽钇磁光晶体及其制备方法 | |
| JP7385884B2 (ja) | 過飽和固溶軟磁性材料及びその製造方法 | |
| CN113463196B (zh) | 液相外延法制备的超厚石榴石单晶膜及其制备方法 | |
| Makram et al. | Effect of pressure on the homogeneous distribution of gallium in single crystal yttrium iron garnet | |
| CN116770437B (zh) | 一种完整无开裂的铽钪铝石榴石磁光晶体及避免晶体开裂的方法 | |
| CN114318535A (zh) | 一种快速生长钇铁石榴石晶体的方法 | |
| Suemune et al. | Crystallization of garnets in BaO-BaF2-B2O3 solvents | |
| CN114737248A (zh) | 一种基于液相外延法生长铁氧体单晶厚膜的高温退火方法 | |
| CN111101203B (zh) | 高稀土含量的硅铝酸盐晶体及其制备方法和应用 | |
| JP6819862B2 (ja) | ビスマス置換型希土類鉄ガーネット単結晶膜およびビスマス置換型希土類鉄ガーネット単結晶膜の育成方法 | |
| CN115726042A (zh) | 锑化铟晶体及其制备方法 | |
| Giess et al. | Epitaxial small magnetic bubble La–Sm–Lu iron garnet films grown on NdGaG substrates oriented (100) and (111) | |
| Makram | Improvement in yield of yttrium iron garnet | |
| JP2023165693A (ja) | テルビウム・アルミニウム・ガリウム・ガーネット光磁気結晶に基づくファラデー光磁気アイソレータ | |
| CN117265662A (zh) | 适用于1310nm波段的具强磁光效应、高居里温度、高含铋掺钕稀土铁石榴石晶体 | |
| CN116815298A (zh) | 一种tagg磁光晶体的生长方法 | |
| CN117127262A (zh) | 一种具有高透过、低温度系数和低波长系数的镍掺杂铋稀土铁石榴石磁光晶体 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |