CN115274638A - 发光器件封装 - Google Patents

发光器件封装 Download PDF

Info

Publication number
CN115274638A
CN115274638A CN202210957506.6A CN202210957506A CN115274638A CN 115274638 A CN115274638 A CN 115274638A CN 202210957506 A CN202210957506 A CN 202210957506A CN 115274638 A CN115274638 A CN 115274638A
Authority
CN
China
Prior art keywords
light emitting
emitting device
frame
width
device package
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202210957506.6A
Other languages
English (en)
Inventor
柳忠熙
闵凤杰
孙源振
李元奉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Suzhou Liyu Semiconductor Co ltd
Original Assignee
Suzhou Liyu Semiconductor Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from KR1020160036100A external-priority patent/KR102522590B1/ko
Priority claimed from KR1020160036096A external-priority patent/KR102509053B1/ko
Priority claimed from KR1020160036091A external-priority patent/KR102522811B1/ko
Application filed by Suzhou Liyu Semiconductor Co ltd filed Critical Suzhou Liyu Semiconductor Co ltd
Publication of CN115274638A publication Critical patent/CN115274638A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58Optical field-shaping elements
    • H01L33/60Reflective elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/167Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/0203Particular design considerations for integrated circuits
    • H01L27/0248Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/86Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
    • H01L29/861Diodes
    • H01L29/866Zener diodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483Containers
    • H01L33/486Containers adapted for surface mounting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52Encapsulations
    • H01L33/54Encapsulations having a particular shape
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/647Heat extraction or cooling elements the elements conducting electric current to or from the semiconductor body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48135Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/48137Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008Processes
    • H01L2933/0033Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0058Processes relating to semiconductor body packages relating to optical field-shaping elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/642Heat extraction or cooling elements characterized by the shape

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Non-Portable Lighting Devices Or Systems Thereof (AREA)

Abstract

本发明涉及一种发光器件封装,包括:框架;第一引线框架,所述第一引线框架与所述框架间隔开指定的距离;第二引线框架,所述第二引线框架与所述框架间隔开指定的距离;本体,所述本体被联接到所述框架以及所述第一引线框架和所述第二引线框架,并且所述本体具有第一腔室;多个发光器件,所述多个发光器件被设置在所述框架上以通过所述第一腔室暴露,其中所述本体包括反射部,所述反射部被设置在所述第一腔室内部以包围所述发光器件中的至少一个发光器件。本发明的发光器件封装,通过设置反射部,可以防止设置在第一腔室中的模制部发生变形,从而防止由模制部的变形造成的对电线的损坏。

Description

发光器件封装
本申请是申请号为“201710188302.X”、发明名称为“发光器件封装”的发明专利申请的分案。
相关申请的交叉引用
本申请要求享有于2016年3月25日在韩国递交的韩国专利申请第10-2016-0036091号、10-2016-0036096号和10-2016-0036100号的优先权,上述申请的全部内容通过参考合并于此。
技术领域
实施例涉及发光器件封装和具有发光器件封装的照明设备。
背景技术
发光二极管包括具有将电能转换成光能的特性的P-N结二极管。发光器件可以用属于周期表上的III族和V族的化合物半导体制造。发光器件能够通过调节化合物半导体的组成比来产生各种颜色。
当正向电压被施加到发光器件时,N层的电子与P层的空穴结合,使得可以生成与在导带和价带之间的能隙对应的能量。能量主要以热或者光的形式被生成。在发光器件的情况下,以光的形式生成能量。
例如,氮化物半导体呈现优良的热稳定性和宽的带隙能,使得在光学器件和高功率电子器件的领域中氮化物半导体已经备受关注。具体地,使用氮化物半导体的蓝色发光器件、绿色发光器件、紫外(UV)光发光器件等等被商业化并且被广泛地使用。
最近,随着发光二极管的亮度已经被显著地提高,发光器件已经被应用于诸如液晶显示器的背光单元、电子标牌、指示器以及家用电器的各种设备。
发明内容
实施例提供一种能够提高光提取效率的发光器件封装和具有该发光器件封装的照明设备。
实施例提供一种能够提高在构件之间的联接力的发光器件封装和具有该发光器件封装的照明设备。
实施例提供具有稳定的结构的板上芯片(COB)发光器件封装和具有该发光器件封装的照明设备。
根据实施例,发光器件封装包括:框架;第一引线框架,该第一引线框架与框架间隔开指定的距离;第二引线框架,该第二引线框架与框架间隔开指定的距离;本体,该本体被联接到框架以及第一引线框架和第二引线框架并且该本体具有第一腔室;以及多个发光器件,所述多个发光器件被设置在框架上通过第一腔室暴露,其中本体包括反射部,该反射部被设置在第一腔室内部以包围发光器件中的至少一个发光器件,从而提高光提取效率。根据实施例,能够通过反射部防止由发光器件封装的收缩和膨胀造成的发光器件封装的变形。根据实施例,能够通过反射部防止由设置在第一腔室中的模制部的收缩和膨胀造成的模制部的变形。换言之,根据实施例,模制部的变形能够被防止,从而防止由模制部的变形造成的对电线的损坏。
根据实施例,照明设备可以包括发光器件封装。
如上所述,根据实施例的发光器件封装,能够通过横跨发光器件被安装在其中的腔室的中央区域延伸的反射部来防止由发光器件封装的收缩和膨胀造成的发光器件封装的变形。
根据实施例,能够通过横跨发光器件被安装在其中的腔室的中央区域延伸的反射部来防止由设置在第一腔室中的模制部的收缩和膨胀造成的模制部的变形。换言之,根据实施例,能够防止模制部的变形,从而防止由模制部的变形造成的对电线的损坏。
根据实施例,当台阶部被设置在散热板的顶表面上时,在散热板和本体之间的联接力能够被提高,并且由于台阶结构,能够防止外部湿气渗透。
根据实施例,台阶部被设置在第一引线框架和第二引线框架的下部部分上并且通过模制框架支撑以防止第一引线框架和第二引线框架变形。另外,通过腔室从本体暴露连接部和焊盘的本体的注塑模制过程的可靠性可以被提高。此外,由于被形成在第一引线框架和第二引线框架的下部部分上的台阶结构,能够防止外部湿气渗透。
根据实施例,挠曲结构被设置在第一引线框架和第二引线框架的边缘处,以不仅提高与本体的联接力,也防止被设置在第一框架和第二框架之间的间隔物的周缘部分破裂。
根据实施例,覆盖焊盘的外部部分的保护部被包括以保护焊盘并且提高在本体与第一引线框架和第二引线框架之间的联接力。另外,根据实施例,至少一个通孔通过焊盘被形成以提高在本体与第一引线框架和第二引线框架之间的联接力。
附图说明
从下面在此给出的详细描述和仅通过图示给出的附图本公开将会变成被更加全面地理解,并且从而没有限制本公开,并且其中:
图1是示出根据实施例的发光器件封装的透视图;
图2是示出根据实施例的发光器件封装的截面图;
图3是示出根据实施例的发光器件封装的平面图;
图4是示出根据实施例的反射部的平面图;
图5是示出根据实施例的反射部和第一联接部的平面图;
图6是示出根据实施例的联接到本体的框架以及第一引线框架和第二引线框架的上部部分的平面图;
图7是示出根据实施例的框架以及第一引线框架和第二引线框架的上部部分的平面图;
图8是示出根据实施例的联接到本体的框架以及第一引线框架和第二引线框架的下部部分的平面图;
图9是示出根据实施例的框架以及第一引线框架和第二引线框架的下部部分的平面图;
图10是示出根据实施例的在框架与第一引线框架和第二引线框架之间的第一间隔物和第二间隔物的视图;
图11是示出根据实施例的第一焊盘区域的视图;
图12是示出根据实施例的第二焊盘区域的视图;
图13是示出根据另一实施例的发光器件封装的透视图;以及
图14和图15是示出根据又一实施例的发光器件封装的平面图。
具体实施方式
实施例的变化、修改以及组合是可能的,并且本公开不限于下面要描述的实施例。
虽然在其它的实施例中没有描述在特定实施例中描述的事物,但其它的实施例可以被理解为与其它的实施例有关,除非在其它的实施例中通过它们以其它方式规定或者约束。
例如,如果在特定实施例中描述用于构造A的特征,并且在另一实施例中描述用于构造B的特征,则即使其中构造A和构造B被组合的实施例没有被明确地描述,应理解的是,它们落入本公开的范围内,除非以其它方式规定或者约束。
在下文中,将会详细地描述本公开的实施例以便于完成本公开的上述目的。
在本公开的下面的描述中,将会理解的是,当各个元件被称为是在另一元件“上”或者“下”面时,其能够“直接地”或者“间接地”在元件上,或者一个或者更多个中间元件也可以存在。另外,如果与术语“在……上”或“在……下”相关联地表达元件,则元件的方向包括元件的下方向以及元件的上方向。
半导体器件可以包括诸如发光器件、光接收器件等等的各种电子器件。发光器件和光接收器件可以包括第一导电类型半导体层、有源层以及第二导电类型半导体层。
根据实施例,半导体器件可以是发光器件。
发光器件通过电子和空穴的重新组合发射光,并且取决于材料的固有的能带隙确定光的波长。因此,被发射的光可以随着材料的组成而被变化。
图1是示出根据实施例的发光器件封装的透视图。图2是示出根据实施例的发光器件封装的截面图。图3是示出根据实施例的发光器件封装的平面图。图4是示出根据实施例的反射部的平面图。图5是示出根据实施例的反射部和第一联接部的平面图。
如在图1至图5中所示,根据实施例,发光器件封装100可以包括框架(散热板)110、第一引线框架120、第二引线框架130、本体170、保护器件160以及多个发光器件150。根据实施例,在发光器件封装100中,保护器件160和发光器件150可以被安装在框架110上。第一引线框架120和第二引线框架130可以与框架110间隔开指定的距离。根据实施例,发光器件封装100可以是板上芯片(COB)发光器件封装。例如,根据实施例,发光器件封装100可以被直接地管芯结合到基板上并且通过电线与基板电连接,但是实施例不限于此。
本体170可以包括透射材料、反射材料以及绝缘材料中的至少一个。本体170可以包括相对于从发光器件150发射的光具有比透射率更高的反射率的材料。本体170可以包括树脂基绝缘材料。例如,本体170可以包括诸如聚邻苯二甲酰胺(PPA)、环氧树脂的树脂材料或者硅胶材料、硅(Si)、金属材料、光敏玻璃(PSG)、蓝宝石(Al2O3)和印制电路板(PCB)中的至少一个。本体170可以包括四个拐角。
本体170可以包括在第一方向X-X’上彼此面对的第一拐角170a和第二拐角170b和在垂直于第一方向X-X’的第二方向Y-Y’上彼此面对的第三拐角170c和第四拐角170d。第一引线框架120的第一焊盘121可以通过第一拐角170a暴露。第二引线框架130的第二焊盘131可以通过第二拐角170b暴露。第一拐角170a和第二拐角170b可以暴露第一焊盘121和第二焊盘131的顶表面。第一拐角170a和第二拐角170b的末端部分可以分别覆盖第一焊盘121和第二焊盘131的边缘。例如,第一拐角170a和第二拐角170b的末端部分可以分别从第一焊盘121和第二焊盘131向外地设置。当基板(未示出)被联接到发光器件封装100时,第三拐角170c和第四拐角170d可以螺钉接合。第三拐角170c和第四拐角170d可以以弯曲结构形成,使得螺钉可以被联接到第三拐角170c和第四拐角170d,但是实施例不限于此。例如,第三拐角170c和第四拐角170d可以被形成为具有凹形外部部分的弯曲结构。
本体170可以被联接到框架110以及第一引线框架120和第二引线框架130。本体170可以包括暴露框架110以及第一引线框架120和第二引线框架130的顶表面的部分的第一腔室171a和第二腔室171b。第一腔室171a可以从本体170的中央区域延伸。第一腔室171a可以被设置在发光器件150被安装在其上的区域中。当从顶视图观察时第一腔室171a可以具有圆形形状,但是实施例不限于此。例如,当从顶视图观察时第一腔室171a可以具有椭圆形形状或者至少三个多边形形状。第二腔室171b可以与第一腔室171a间隔开指定的距离。第二腔室171b可以与本体170的一个横向侧面相邻,并且可以被置于本体170的一个横向侧面和第一腔室171a之间。第二腔室171b可以与本体170的横向侧面间隔开指定的距离。在第二腔室171b和第一腔室171a之间的距离可以是0.1mm或者更多。在第二腔室171b和本体170的横向侧面之间的距离可以是0.1mm或者更多。根据实施例,在本体170的横向侧面和第二腔室171b之间的距离是0.1mm或者更多,并且在第一腔室171a和第二腔室171b之间的距离是0.1mm或者更多时,当第一腔室171a和第二腔室171b被实现时可以提高可靠性。例如,当在本体170的横向侧面和第二腔室171b之间的距离或者在第一腔室171和第二腔室17b之间的距离小于0.1mm时,在第一腔室171a和第二腔室171b的注塑模制过程中可能引起缺陷。第二腔室171b可以被置于第一拐角170a和第二拐角170c之间,但是实施例不限于此。第二腔室171b可以被设置在保护器件160被安装在其上的区域中。第二腔室171b可以具有小于第一腔室171a的直径。例如,第二腔室171b可以具有比第一腔室171a的更狭窄的底表面区域。第二腔室171b的面积可以是第一腔室171a的面积的10-25%。第二腔室171b的较狭窄的宽度171W可以是发光器件封装100的整个宽度的2%-6%。当第二腔室171b的较狭窄的宽度171W小于发光器件封装100的整个宽度的2%时,保护器件160的大小被限制,使得发光器件封装100的稳定性可能劣化。当第二腔室171的较狭窄的宽度171W超过发光器件封装100的整个宽度的6%时,由于除了其中发射光的发光区域之外可能增加发光器件封装100的大小,所以将发光器件封装100应用于各种领域可能被限制。例如,第二腔室171b的较狭窄的宽度171W可以在0.150mm至0.450mm的范围内。
本体170可以包括四个外部部分,其中的每一个被设置在第一至第四拐角171a至171d当中的两个相邻的拐角之间。四个外部部分可以是平坦的平面。根据实施例,框架110的部分以及第一引线框架120和第二引线框架130的部分可以通过外部部分暴露。例如,第一突起部110p可以通过本体170的外部部分从框架110延伸。在这样的情况下,在本体170的注塑模制过程被执行之后在单元封装切割过程中可以形成第一突起部110p。换言之,第一突起部110p可以是在执行单元封装切割过程之前使相邻的框架彼此接合的接合部。第二突起部120p可以被设置在本体170的外部部分处同时从第一引线框架120延伸。在这样的情况下,在本体170的注塑模制过程被执行之后可以在单元封装切割过程中形成第二突起部120p。换言之,第二突起部120p可以是在执行单元封装切割过程之前使相邻的第一引线框架彼此接合的接合部。第三突起部130p可以被设置在本体170的外部部分处同时从第二引线框架130延伸。在这样的情况下,在执行本体170的注塑模制过程之后在单元切割过程中可以形成第三突起部130p。换言之,第三突起部130p可以是在单元封装切割过程被执行之前彼此连接相邻的第二引线框架的连接部。
本体170可以包括第一间隔物175和第二间隔物176。第一间隔物175可以置于框架110和第一引线框架120之间。第二间隔物176可以置于框架110和第二引线框架130之间。
本体170可以包括第一联接部173和第二联接部174。第一联接部173和第二联接部174可以被设置在框架110上。第一联接部173和第二联接部174可以增加在本体170和框架110之间的接触面积。第一联接部173和第二联接部174可以提高在本体170和框架110之间的联接力。第一联接部173和第二联接部174可以被设置在框架110的顶表面上,发光器件封装150被安装在该顶表面上。第一联接部173和第二联接部174可以被设置在被设置在框架110的顶表面上的台阶部上。台阶部可以是被设置在框架110的顶表面中并且具有凹形形状的沟槽结构。稍后将会参考图8和图9详细地描述台阶部。第一联接部173和第二联接部174可以包括与框架110的顶表面成直线对齐的顶表面。
本体170可以包括在第一腔室171a内部的反射部190。反射部190可以包括第一至第三反射分隔物191、193以及195。第一至第三反射分隔物191、193以及195可以与被设置在框架110的顶表面上的第一联接部173连接。例如,第一至第三反射分隔物191、193以及195可以被设置在第一联接部173上。第一至第三反射分隔物191、193以及195可以被限定为从第一联接部173的顶表面突出的部件。第一至第三反射分隔物191、193以及195可以从第一腔室171a的底表面向上突出。第一反射分隔物191和第二反射分隔物193可以与第一腔室171a的内表面连接。第一反射分隔物191和第二反射分隔物193可以直接地接触第一腔室171a的内表面。第一反射分隔物191和第二反射分隔物193可以被彼此间隔开指定的距离。第一反射分隔物191和第二反射分隔物193可以被设置为彼此平行。第三反射分隔物195可以被置于第一反射分隔物191和第二反射分隔物193之间。第三反射分隔物195可以被置于第一反射分隔物191和第二反射分隔物193的中间点处,但是实施例不限于此。通过第一至第三反射分隔物191、193以及195,反射部190可以被划分成两个区域。两个发光器件可以被设置在两个区域中的每一个中,但是实施例不限于此。
第一至第三反射分隔物191、193以及195可以具有向上逐渐减小的宽度。第一至第三反射分隔物191、193以及195可以包括倾斜的横向侧面,但是实施例不限于此。例如,第一至第三反射分隔物191、193以及195可以包括在弯曲结构中形成的横向侧面。在这样的情况下,第一反射分隔物191和第二反射分隔物193可以被限定为从第一联接部173的顶表面对上突出的部件。第一反射分隔物191和第二反射分隔物193可以包括与第一联接部173接触的上部部分和下部部分。第一反射分隔物191和第二反射分隔物193的上部部分可以包括第一宽度W1,并且第一反射分隔物191和第二反射分隔物193的下部部分可以包括第二宽度W2。第一反射分隔物191和第二反射分隔物193的下部部分可以与第一联接部113的顶表面平行地设置。第一反射分隔物191和第二反射分隔物193的第一宽度W1可以小于第二宽度W2。根据实施例,第一宽度W1可以在0.1mm至0.6mm的范围中,并且第二宽度W2可以是0.2mm或者更多。第二宽度W2可以是在0.2mm至0.9mm的范围中。在这样的情况下,第一反射分隔物191和第二反射分隔物193的下部部分可以接触发光器件150的横向侧面同时垂直于发光器件150的横向侧面。
第一反射分隔物191和第二反射分隔物193的下部部分可以是在第一联接部173和反射部190之间的边界区域。第一反射分隔物191和第二反射分隔物193的第二宽度W2可以小于第三反射分隔物195的第三宽度W3。第三反射分隔物195的第三宽度W3可以等于或者大于第一反射分隔物191和第二反射分隔物193的第二宽度W2。例如,第三反射分隔物195的第三宽度W3可以是第一反射分隔物191和第二反射分隔物193的第二宽度W2的2到10倍。第三反射分隔物195的第三宽度W3可以在0.4mm至2.0mm的范围内。
当第三反射分隔物195的第三宽度W3小于0.4mm时,因为在相邻的发光器件150之间的距离被增加,所以反射功能可能劣化。当第三反射分隔物195的第三宽度W3超过2.0mm时,通过第三反射分隔物195可能形成暗部,并且当在内部空间中排列发光器件150时可能限制通过第一至第三反射分隔物191、193以及195限定的内部空间。
第一至第三反射分隔物191、193以及195的下部部分的宽度可以小于第一联接部173的宽度。在这样的情况下,第一联接部173可以包括第一延伸部173a和第二延伸部173b。第一延伸部173a可以直接地接触本体170中的第一腔室171a的内表面。第一延伸部173a可以在本体170中的第一腔室171a的内表面上彼此面对。第二延伸部173b可以被置于第一延伸部173a之间。第二延伸部173b可以被彼此间隔开指定的距离。第二延伸部173b可以被设置在第一反射分隔物191和第二反射分隔物193下面。第二延伸部173b可以被设置在第三反射分隔物195下面并且可以具有大于第三反射分隔物195的宽度,但是实施例不限于此。第一延伸部173a和第二延伸部173b可以重叠反射部190。
在第一延伸部173a之间的距离173W1可以是第二宽度W2的2至12倍。各个第二延伸部173b的宽度可以是第二宽度W2的1.0至5倍。第一延伸部173a的宽度可以在1.5mm至2.5mm的范围内,并且各个第二延伸部173b的宽度可以在0.2mm至0.9mm的范围内。在第一延伸部173a之间的距离173W1可以大于在第一反射分隔物191和第二反射分隔物193之间的距离191W。在第二延伸部173b之间的距离173W2可以小于在第一反射分隔物191和第二反射分隔物193之间的距离191W。根据实施例,因为第一延伸部173a和第二延伸部173b的宽度大于反射部190的宽度,所以当反射部190被制造时可以提高注塑模制过程的可靠性。
第一至第三反射分隔物191、193以及195可以具有低于第一腔室171a的内表面的高度H1,但是实施例不限于此。第一至第三反射分隔物191、193以及195的高度H1可以等于或者高于发光器件150的高度。第一至第三反射分隔物191、193以及195的高度H1可以等于或者低于第一腔室171a的内表面的高度。
反射部190可以包括被形成在其中第一反射分隔物191和第二反射分隔物193汇合第三反射分隔物195的区域处的第一弯曲部197和第二弯曲部199。第一弯曲部197和第二弯曲部199被设置在第一反射分隔物191和第二反射分隔物193汇合第三反射分隔物195的区域处,并且因此在各种方向上折射从发光器件150发射的光,从而提高发光器件封装100的光提取效率。
发光器件150可以被设置在框架110上。发光器件150可以被设置在从本体170暴露的框架110上。根据实施例,发光器件150以两个组的形式被彼此并行连接。在这样的情况下,发光器件150可以通过电线150w被彼此电连接。虽然实施例被限于发光器件150以如上所述的两组的形式被彼此并行连接的构造,但是实施例不限于此。例如,发光器件150可以以多组的形式被彼此并行连接。发光器件150可以与第一引线框架120和第二引线框架130电连接。发光器件150可以通过电线150w与第一引线框架120和第二引线框架130电连接。第一组发光器件150可以通过电线150w被彼此串行连接并且因此可以与在第一腔室171a中暴露的第一至第四连接部126、128、136以及138连接。在这样的情况下,第一连接部126和第二连接部128可以是第一引线框架120的部分。第一连接部126和第二连接部128的顶表面可以在第一腔室171a内从本体170暴露。第三连接部136和第四连接部138可以是第二引线框架130的部分。第三连接部136和第四连接部138的顶表面可以在第一腔室171a内从本体170暴露。
在这样的情况下,根据实施例,第一引线框架120和第二引线框架130被包括。第一引线框架120可以包括第三台阶部125和第四台阶部127并且第二引线框架130可以包括第五台阶部135和第六台阶部137。
第一连接部126可以从第三台阶部125延伸。第二连接部128可以从第四台阶部127延伸。
第一连接部126的面积可以是第三台阶部125的面积的3%至10%。第二连接部128的面积可以是第四台阶部127的面积的3%至10%。当第一连接部126的面积小于第三台阶部125的面积的3%时,用于电线150w的结合的最小区域没有被确保,并且因此结合可靠性可能劣化。当第二连接部128的面积小于第四台阶部127的面积的3%时,用于电线150w的结合的最小区域没有被确保,并且因此结合可靠性可能劣化。当第一连接部126的面积超过第三台阶部125的面积的10%时,发光器件150的排列区域可能被减小,并且因此在发光器件150的排列中可能减小自由度。当第二连接部128的面积超过第四台阶部127的面积的10%时,发光器件150的排列区域可能被减小,并且因此在发光器件150的排列中可能减小自由度。
第三连接部136可以从第五台阶部135延伸。第四连接部138可以从第六台阶部137延伸。
第三连接部136的面积可以是第五台阶部135的面积的3%至10%。第四连接部138的面积可以是第六台阶部137的面积的3%至10%。当第三连接部136的面积小于第五台阶部135的面积的3%时,用于电线150w的结合的最小区域可能不被确保,并且因此结合可靠性可能劣化。当第四连接部138的面积小于第六台阶部137的面积的3%时,用于电线150的结合的最小区域可能不被确保,并且因此结合可靠性可能劣化。当第三连接部136的面积超过第五台阶部135的面积的10%时,发光器件150的排列区域被减小,并且因此在发光器件150的排列中可能减小自由度。当第四连接部138的面积超过第六台阶部137的面积的10%时,发光器件150的排列区域可能被减小,并且因此在发光器件150的排列中可能减小自由度。
在第一连接部126和第一腔室171a的内表面之间的宽度可以在30μm至100μm的范围中。在第二连接部128和第一腔室171a的内表面之间的宽度可以在30μm至100μm的范围中。在第三连接部136和第一腔室171a的内表面之间的宽度可以在30μm至100μm的范围中。在第四连接部138和第一腔室171a的内表面之间的宽度可以在30μm至100μm的范围中。当在第一至第四连接部126、128、136以及138中的每一个与第一腔室171a的内表面之间的宽度小于30μm时,用于电线150w的结合的最小区域可能不被确保,并且因此结合可靠性可能劣化。当在第一至第四连接部126、128、136以及138中的每一个与第一腔室171a的内表面之间的宽度超过100μm时,发光器件150的排列区域可能被减小,并且因此在发光器件150的排列中可能减小自由度。
根据实施例,第一至第四连接部126、128、136以及138的面积和宽度可以提高结合可靠性并且可以增加发光器件150的排列中的自由度。
保护器件160可以被设置在框架110上。保护元件160可以被设置在通过第二腔室171b的底部暴露的框架110的顶表面上。保护器件160可以是齐纳二极管、晶闸管、瞬态电压抑制器(TVS)等等,但是实施例不限于此。根据实施例,在下面的描述中为了说明性目的保护器件160可以是保护发光器件150免受静电放电(ESD)的齐纳二极管。保护器件160可以通过电线与第一引线框架120和第二引线框架130连接。保护器件160可以与在第二腔室171b内暴露的第五连接部124和第六连接部134连接。在这样的情况下,第五连接部124可以是第一引线框架120的一部分。第五连接部124的顶表面可以在第二腔室171b内从本体170暴露。第六连接部134可以是第二引线框架130的一部分。第六连接部134的顶表面可以在第二腔室171b内从本体170暴露。
如在图1至图5中所示,根据实施例,反射部190可以被包括在COB发光器件封装100中以将从发光器件150发射的光反射到外部,从而提高光提取效率。
根据实施例,可以通过被设置在发光器件150被安装在其中的第一腔室171a中的反射部190防止由发光器件100的收缩和膨胀造成的发光器件封装100的变形。
根据实施例,可以通过被设置在发光器件150被安装在其中的第一腔室171a中的反射部190防止由被设置在第一腔室171a中的模制部的收缩和膨胀造成的模制部(未示出)的变形。换言之,根据实施例,模制部的变形被防止,并且因此防止电线150w由于模制部的变形被损坏。
图6是示出根据实施例的被联接到本体的框架以及第一引线框架和第二引线框架的上部部分的平面图,并且图7是示出根据实施例的框架以及第一引线框架和第二引线框架的上部部分的平面图。图8是示出根据实施例的被联接到本体的框架以及第一引线框架和第二引线框架的下部部分的平面图,并且图9是示出根据实施例的框架以及第一引线框架和第二引线框架的下部部分的平面图。
如在图6至图9中所示,根据实施例,发光器件封装可以包括框架110,该框架110通过具有被设置在其中的第一腔室171a和第二腔室171b的发光器件封装的上部部分暴露。框架110可以包括第一台阶部113和第二台阶部114。
第一台阶部113和第二台阶部114可以被设置在框架110上。第一台阶部113和第二台阶部114可以具有凹部形状,并且当从横截面图观察时可以具有台阶结构,但是实施例不限于此。第一台阶部113和第二台阶部114可以增加与本体170的接触面积以提高与本体170的联接力。此外,第一台阶部113和第二台阶部114由于其台阶结构可以防止外部湿气被渗透。第一台阶部113和第二台阶部114可以通过蚀刻框架110的顶表面的部分被形成,但是实施例不限于此。第一台阶部113和第二台阶部114的厚度可以是框架110的厚度的50%,但是实施例不限于此。例如,第一台阶部113和第二台阶部114的厚度可以是框架110的厚度的50%或者更多。第一台阶部113可以被设置同时横跨框架110的中央区域延伸。第一台阶部113完全重叠本体170的第一联接部173并且可以直接地接触第一联接部173。第一台阶部113可以包括第一沟槽113a和第二沟槽113b。第一沟槽113a可以被设置在第一台阶部113的两末端部分处。第一沟槽113a可以彼此对称。第一沟槽113a的一部分可以被设置在第一腔室171a内部并且第一沟槽部113a的另一部分可以接触第一腔室171a外部的本体170。第二沟槽113b可以从第一沟槽113a延伸。第二沟槽113b可以被彼此间隔开指定的距离。第二沟槽113b可以被彼此平行地设置。第二沟槽113b可以包括连接结构以将第二沟槽113b彼此连接,但是实施例不限于此。框架110可以从第一台阶部113向内划分成两个区域。在这样的情况下,多个发光器件可以被设置在两个区域中。
第二台阶部114可以与第一台阶部113间隔开指定的距离。第二台阶部114可以关于第一台阶部113彼此对称。第二台阶部114可以包括第一线性部114a和第二线性部114b。第一线性部114a可以与第一台阶部113的第二沟槽113b平行地设置。在这样的情况下,发光器件可以被置于第一线性部114a和第一台阶部113之间。第二线性部114b可以从第一线性部114a的中央区域延伸。第二线性部114b可以朝着框架110的外部部分从第一线性部114a延伸。在这样的情况下,发光器件可以被设置在第二线性部114b的两侧处。第二线性部114b可以包括接触第一腔室171a的末端部分114c。末端部分114c的一部分可以被设置在第一腔室171a的内部并且末端部分114c的另一部分可以重叠第一腔室171a外部的本体170。
末端部分114c可以具有第四宽度W4并且第二线性部114b可以具有第五宽度W5。末端部分114c的第四宽度W4可以等于第二线性部114b的第五宽度W5或者比第二线性部114b的第五宽度W5宽。根据实施例,从本体170延伸的末端部分114c的第四宽度W4可以等于第二线性部114b的第五宽度W5或者比第二线性部114b的第五宽度W5宽,并且用于本体170的注塑模制过程可以甚至到达第一线性部114a的边缘区域。这就是说,根据实施例,由于具有等于第五宽度W5或者比第五宽度W5宽的第四宽度W4的末端部分114c,用于离第一腔室171a最远地设置的第一线性部114a的注塑模制过程的可靠性可以被提高。根据实施例,第五宽度W4可以是第四宽度W4的50%至100%。第五宽度W5可以是在0.2mm至0.9mm的范围内。第四宽度W4可以在0.1mm至0.9mm的范围内。在这样的情况下,第一线性部114a可以具有比第二线性部114b的第五宽度W5更宽的宽度,但是实施例不限于此。例如,第一线性部114a可以是第四宽度W4的50%至100%,并且可以在0.2mm至0.9mm的范围内。
根据实施例,框架110在其顶表面处被设置有第一台阶部113和第二台阶部114。第一台阶部113和第二台阶部114被联接到本体170的第一联接部173和第二联接部173以增加在本体170和框架110之间的接触面积。因此在本体170和框架110之间的联接力可以被提高。另外,由于台阶结构,可以防止外部湿气被渗透。
第三台阶部125和第四台阶部127可以被设置在第一引线框架120的下部部分上。第三台阶部125和第四台阶部127可以具有凹部形状,并且当从横截面图观察时可以具有台阶结构,但是实施例不限于此。当本体170经历注塑模制过程时,第三台阶部125和第四台阶部127可以由被设置在第一引线框架120下面的模制框架支撑,从而防止第一引线框架120变形。另外,第三台阶部125和第四台阶部127可以防止第一引线框架120变形,使得第一连接部126、第二连接部128以及第五连接部124可以被形成。第三台阶部125和第四台阶部127的部分可以重叠第一连接部126、第二连接部128以及第五连接部124。第三台阶部125和第四台阶部127可以在第一腔室171a和第二腔室171b内从本体170暴露第一连接部126、第二连接部128以及第五连接部124。第三台阶部125可以重叠第一焊盘121。第三台阶部125可以从本体170暴露第一焊盘121。第三台阶部125和第四台阶部127可以通过台阶结构防止外部湿气被渗透。第三台阶部125和第四台阶部127的厚度可以是第一引线框架120的厚度的50%,但是实施例不限于此。例如,第三台阶部125和第四台阶部127的厚度可以是第一引线框架120的厚度的50%或者更多。
第五台阶部135和第六台阶部137可以被设置在第二引线框架130的下面。第五台阶部135和第六台阶部137可以具有凹部形状并且可以具有台阶结构,但是实施例不限于此。当本体170经历注塑模制过程时,第五台阶部135和第六台阶部137可以由被设置在第二引线框架130下面的模制框架支撑,从而防止第二引线框架130变形。另外,第五台阶部135和第六台阶部137可以防止第二引线框架130变形,使得第三连接部136、第四连接部138以及第六连接部134可以被形成。第五台阶部135和第六台阶部137的部分可以重叠第三连接部136、第四连接部138以及第六连接部134。第五台阶部135和第六台阶部137可以在第一腔室171a和第二腔室171b内从本体170暴露第三连接部136、第四连接部138以及第六连接部134。第六台阶部137可以重叠第二焊盘131。第六台阶部137可以从本体170暴露第二焊盘131。第五台阶部135和第六台阶部137可以通过台阶结构防止外部湿气被渗透。第五台阶部135和第六台阶部137的厚度可以是第二引线框架130的厚度的50%,但是实施例不限于此。例如,第五台阶部135和第六台阶部137的厚度可以是第二引线框架130的厚度的50%或者更多。
根据实施例,第三台阶部125和第四台阶部127被设置在第一引线框架120下面,并且第五台阶部125和第六台阶部127被设置在第二引线框架130下面。当相对于本体170执行注塑模制过程时支撑第三至第六台阶部125、127、135以及137,从而防止第一引线框架120和第二引线框架130变形。根据实施例,重叠第三至第六台阶部125、127、135以及137的第一至第六连接部126、128、136、138、124以及134和第一焊盘121和第二焊盘131从本体170暴露,从而防止第一至第六连接部126、128、136、138、124以及134,和第一焊盘121和第二焊盘131的制造缺陷。此外,根据实施例,可以通过第三至第六台阶焊盘125、127、135以及137的台阶结构防止外部湿气被渗透。
图10是示出根据实施例的在框架与第一引线框架和第二引线框架之间的第一间隔物和第二间隔物的视图。
如在图10中所示,根据实施例,框架110、第一引线框架120和第二引线框架130被包括。第一间隔物175可以被置于框架110和第一引线框架120之间,并且第二间隔物176可以被置于框架110和第二引线框架130之间。
第一间隔物175可以具有第六宽度W6。第一间隔物175的第六宽度W6可以是在框架110和第一引线框架120之间的距离。第一间隔物175可以延伸到发光器件封装的外部部分。第二间隔物176的宽度可以是在框架110和第二引线框架130之间的距离。第一间隔物175可以与第二间隔物176对称并且可以具有整体均匀的宽度,但是实施例不限于此。
框架110、和第一引线框架120和第二引线框架130可以在发光器件封装的边缘处包括挠曲结构。挠曲结构可以对应于第一间隔物175和第二间隔物176的结构。根据实施例,在本体170和第一框架110之间的联接力、在本体170与第一引线框架120和第二引线框架130之间的联接力可以被提高,并且可以防止第一间隔物175和第二间隔物176由于外力破裂。
框架110可以包括第一突起部110p,该第一突起部110p通过发光器件封装的外部部分暴露。框架110可以包括:安装部110b,发光器件被安装在该安装部110b上;和第一挠曲部110a,该第一挠曲部110a从安装部110b延伸。第一挠曲部110a可以直接地接触第一突起部110p。第一挠曲部110a可以具有大于突起部110p的宽度。
突起部110p的宽度可以是第一挠曲部110a的宽度的20%至50%。当突出部110p的宽度小于第一挠曲部110a的宽度的20%时,在相邻的发光器件封装之间的强度可以被减小,并且因此在本体170的切割过程或者注塑模制过程中可能引起缺陷。当突起部110p的宽度超过第一挠曲部110a的宽度的50%时,随着在切割区域中的第一引线框架120和第二引线框架130以及框架110的强度增加,切割区域中的本体可能破裂。
根据实施例,由于第一挠曲部110a的结构具有比突起部110p的宽度大的宽度,在本体和框架110之间的联接力以及在本体与第一引线框架120和第二引线框架130之间的联接力可以被提高。另外,根据实施例,由于突起部110p的结构具有比第一挠曲部110a的宽度更窄的宽度,具有更强的强度的框架110以及第一引线框架120和第二引线框架130可以被容易地切割,从而防止切割区域的周缘部分破裂。
第一引线框架120可以包括通过其它的部分暴露的第二突起部120p。第一引线框架120可以包括第二挠曲部120a,该第二挠曲部120a面对第一挠曲部110a。第二挠曲部120a可以朝着框架110突出。第二挠曲部120a具有朝着第一挠曲部110a在第一方向X-X’上形成的第七宽度W7并且在垂直于第一方向X-X’的第二方向Y-Y上形成的第八宽度W8。第二挠曲部120a的第七宽度W7可以大于第一间隔物175的第六宽度W6,但是实施例不限于此。例如,第二挠曲部120a的第七宽度W7可以是第一间隔物175的第六宽度W6的1.2倍到10倍。第二挠曲部120a的第八宽度W8可以等于或者大于第一间隔物175的第六宽度W6,但是实施例不限于此。例如,第二挠曲部120a的第八宽度W8可以是第一间隔物175的第六宽度W6的1倍至10倍。当第七宽度W7和第八宽度W8小于第六宽度W6时,在本体170和框架110之间的联接力以及在本体与第一引线框架120和第二引线框架130之间的联接力可能被减小,并且可能不防止第一间隔物175和第二间隔物176通过外力破裂。当第七宽度W7和第八宽度W8超过第六宽度W6的十倍时,发光器件封装的设计可能是困难的。
第六宽度W6可以在0.2mm至0.5mm的范围内,第七宽度W7可以在0.24mm至2mm的范围内,并且第八宽度W8可以在0.2mm至2mm的范围内。例如,根据实施例,第六宽度W6可以是0.3mm,第七宽度W7可以是0.5mm,并且第八宽度W8可以是0.58mm。
第二引线框架130可以包括通过外部部分暴露的第三突起部130p。第二引线框架130可以包括面对第一挠曲部110a的第三挠曲部130a。通过参考第二挠曲部120a的描述,本领域的技术人员可以理解第三挠曲部130a的细节,并且因此在下面将会省略。
根据实施例,当第一引线框架120和第二引线框架130在其边缘处包括挠曲结构时,在本体170与第一引线框架120和第二引线框架130之间的联接力可以被提高,并且可以防止第一间隔物175和第二间隔物176的周缘部分破裂。
图11是示出根据实施例的第一焊盘区域的视图,并且图12是示出根据实施例的第二焊盘区域的视图。
如在图1、图11以及图12中所示,根据实施例,发光器件封装100可以包括第一焊盘121和第二焊盘122,该第一焊盘121和第二焊盘122彼此对称地设置在第一边缘170a和第二边缘170b上。
第一焊盘121和第二焊盘131的顶表面可以从本体170暴露。第一焊盘121可以包括至少一个通孔179。通孔179可以被填充有本体170的一部分。通孔179可以增加在第一引线框架120和本体170之间的接触面积以提高在本体170和第一引线框架120之间的联接力。根据实施例,覆盖第一焊盘121的外部部分的第一保护部177和覆盖第二焊盘131的外部部分的第二保护部178可以被包括。第一保护部177和第二保护部178可以被包括在本体170中。第一保护部177被设置在第一焊盘121的外部部分处以直接地接触第一焊盘121,并且第二保护部178被设置在第二焊盘131的外部部分处以直接地接触第二焊盘131。第一保护部177和第二保护部178被设置在第一拐角170a和第二拐角170b的外部以保护第一焊盘121和第二焊盘131免受外部影响。
第一保护部177可以被置于从第一焊盘121延伸的第二突起部120p之间。第一保护部177可以包括第三线性部177a和第四线性部177b。第三线性部177a和第四线性部177b可以直接地接触第二突起部120p。第三线性部177a和第四线性部177b可以被彼此连接。第三线性部177a和第四线性部177b可以直接地接触被暴露在第二突起部120p之间的第一焊盘121的外部部分。
第二保护部178可以被置于从第二焊盘131延伸的第三突起部130p之间。第二保护部178可以包括第五线性部178a和第六线性部178b。第五线性部178a和第六线性部178b可以直接地接触第三突起部130p。第五线性部178a和第六线性部178b可以被彼此连接。第五线性部178a和第六线性部178b可以直接地接触被暴露在第三突起130p之间的第二焊盘131的外部部分。
根据实施例,覆盖第一焊盘121和第二焊盘131的外部的第一保护部177和第二保护部178被包括,以保护第一焊盘121和第二焊盘131并且提高在本体170与第一引线框架120和第二引线框架130之间的联接力。根据实施例,通过第一焊盘121和第二焊盘131形成至少一个通孔179以提高在本体170与第一引线框架120和第二引线框架130之间的联接力。
图13是示出根据另一实施例的发光器件封装的透视图。
如在图13中所示,根据另一实施例,发光器件封装200可以包括反射部290。根据另一实施例,发光器件封装200可以采用除了反射部290之外的、在图1至图12的先前的实施例中的发光器件封装100的技术特征。
本体170可以包括在第一腔室171a内部的反射部290。反射部290可以包括单独地包围相关发光器件150的子腔室290a。反射部290可以被限定为从第一腔室171a的底部向上突出的部件。反射部290可以对应于发光器件150的排列结构。例如,反射部290可以被形成为矩阵类型,但是实施例不限于此。反射部290可以包括在数目上与发光器件150对应的子腔室290a。例如,根据实施例,反射部290可以包括与16个发光器件150相对应的16个子腔室290a,但是实施例不限于此。
反射部290可以具有向上逐渐地减小的宽度。反射部290可以包括倾斜的侧表面,但是不限于此。例如,反射部290可以包括挠曲结构的侧面。在此,反射部290的上部部分和下部部分的宽度可以采用在先前的实施例中的第一反射分隔物191和第二反射分隔物193的技术特征。
反射部290可以具有小于第一腔室171a的内表面的高度,但是实施例不限于此。例如,反射部290的高度可以等于或者高于发光器件150的高度。反射部290的高度可以等于或者小于第一腔室171a的内表面。
根据另一实施例,矩阵型反射部290可以被包括在COB发光器件封装200中以将从发光器件150发射的光反射到外部,从而提高光提取效率。
根据另一实施例,可以通过在发光器件150被安装在其中的第一腔室171a中设置矩阵型反射部190,来防止由发光器件封装200的收缩和膨胀造成的发光器件封装200的变形。
根据另一实施例,可以通过在发光器件150被安装在其中的第一腔室171a中设置矩阵型反射部190,来防止由设置在第一腔室171a中的模制部的收缩和膨胀造成的模制部(未示出)的变形。换言之,根据另一实施例,模制部的变形可以被防止,从而防止由模制部的变形引起的电线150W的损坏。
根据另一实施例,可以通过在各种方式上折射来自于发光器件150的光提高发光器件封装200的光提取效率。
图14和图15是示出根据又一实施例的发光器件封装的平面图。
如在图14和图15中所示,根据又一实施例,发光器件封装300可以包括台阶部313和联接部373。根据又一实施例,发光器件封装300可以采用除了台阶部313和联接部373之外在先前的实施例中在图1至图12中示出的发光器件封装100的技术特征。
框架110可以包括台阶部313。台阶部313可以被设置在框架110上。台阶部313可以具有凹部形状,并且当从横截面观察时可以具有台阶结构,但是实施例不限于此。台阶部313可以增加与本体170的接触面积以提高与本体170的联接力。此外,由于台阶结构,台阶部313可以防止外部湿气被渗透。台阶部313可以通过蚀刻框架110的顶表面的一部分形成,但是实施例不限于此。台阶部313的厚度可以是框架110的厚度的50%,但是实施例不限于此。例如,台阶部313的厚度可以是框架110的厚度的50%或者更多。台阶部313可以沿着框架110的边缘与框架110间隔开指定的距离。虽然在附图中未示出,但是框架110可以在其底表面处设置有沿着框架110的边缘形成的下台阶结构(未示出)。根据另一实施例,台阶部313可以沿着框架110的边缘与框架110间隔开指定的距离使得台阶部313没有重叠下台阶结构,但是实施例不限于此。例如,当从框架110的底表面省略台阶结构时,台阶部313可以被设置成直到框架110的顶表面的边缘。在这样的情况下,框架110可以包括被形成在顶表面上的多个发光器件安装部350。发光器件安装部350的厚度可以对应于框架110的宽度。根据另一实施例,当框架110具有被设置在除了框架110的边缘和发光器件安装部350之外的框架的剩余区域处的台阶部313时,在联接部373和框架110之间的接触面积被增加以提高本体170和框架110之间的联接力。
台阶部313可以完全覆盖本体170的联接部373并且可以接触联接部373。联接部373的顶表面可以与发光器件安装部350的顶表面成直线对齐。
根据又一实施例,当台阶部313被设置在除了发光器件安装部350之外的区域中,并且被联接到本体170的联接部373以增加在本体170和框架110之间的接触面积时,在本体170和框架110之间的联接力可以被提高,并且可以由于台阶结构防止外部湿气被渗透。
根据实施例,发光器件封装可以被应用于显示设备、照明单元、指示器、灯、街灯、用于车辆的照明设备、用于车辆的显示设备、智能手表等等,但是实施例不限于此。
当发光器件封装被用于显示设备的背光单元时,发光器件封装可以被用于边缘型背光单元或者直接型背光单元。当发光器件封装被用于照明设备的光源时,发光器件封装可以以照明设备类型或者灯泡类型使用,或者可以被用于移动终端的光源。
半导体器件包括除了发光二极管之外的激光二极管。
另外,可以不是仅用半导体实现半导体器件。如有必要,半导体器件可以进一步包括金属材料。例如,用作光接收器件的半导体器件可以用至少Ag、Al、Au、In、Ga、N、Zn、Se、P或者As实现,或者可以用掺杂有P型掺杂物或者N型掺杂物的半导体材料或者本征半导体材料实现。
如上所述,虽然已经图示和描述各种实施例,但是本公开不限于在上面提及的实施例并且在没有脱离随附的权利要求的范围的情况下本领域的技术人员能够进行各种修改。例如,能够修改实施例的要素,并且不应独立于技术精神或者前景理解这些被修改的示例。

Claims (10)

1.一种发光器件封装,包括:
框架;
第一引线框架,所述第一引线框架与所述框架间隔开指定的距离;
第二引线框架,所述第二引线框架与所述框架间隔开指定的距离;
本体,所述本体被联接到所述框架以及所述第一引线框架和所述第二引线框架,并且所述本体具有第一腔室;
多个发光器件,所述多个发光器件被设置在所述框架上以通过所述第一腔室暴露,
其中所述本体包括反射部,所述反射部被设置在所述第一腔室内部以包围所述发光器件中的至少一个发光器件。
2.根据权利要求1所述的发光器件封装,其中,所述反射部包括子腔室,所述子腔室单独地包围至少一个所述发光器件。
3.根据权利要求2所述的发光器件封装,其中,所述子腔室的数量与所述发光器件的数量相等,每个所述子腔室单独包围一个所述发光器件。
4.根据权利要求3所述的发光器件封装,其中,多个所述子腔室形成矩阵排布。
5.根据权利要求1所述的发光器件封装,其中,所述反射部具有向上逐渐减小的宽度,所述反射部包括倾斜或挠曲的侧表面。
6.根据权利要求1所述的发光器件封装,其中,所述反射部等于或高于所述发光器件的高度,所述反射部的高度等于或小于所述第一腔室的内表面的高度。
7.根据权利要求1所述的发光器件封装,其中,还包括:
第一间隔物,所述第一间隔物被置于所述框架和所述第一引线框架之间;以及
第二间隔物,所述第二间隔物被置于所述框架和所述第二引线框架之间;
其中,所述框架、所述第一引线框架和所述第二引线框架在所述发光器件封装的边缘处包括挠曲结构,所述挠曲结构对应于所述第一间隔物和所述第二间隔物的结构。
8.根据权利要求7所述的发光器件封装,其中,所述框架包括:安装部,所述发光器件被安装在所述安装部中;以及第一挠曲部,所述第一挠曲部从所述安装部延伸;
所述第一引线框架包括第二挠曲部,所述第二挠曲部面对所述第一挠曲部;
所述第二引线框架包括第三挠曲部,所述第三挠曲部面对所述第一挠曲部。
9.根据权利要求8所述的发光器件封装,其中,在第一方向上突出的所述第二挠曲部和所述第三挠曲部的宽度大于所述第一间隔物和所述第二间隔物的宽度,并且在垂直于所述第一方向的第二方向上突出的所述第二挠曲部和所述第三挠曲部的宽度等于或者大于所述第一间隔物和所述第二间隔物的宽度。
10.根据权利要求9所述的发光器件封装,其中在第一方向上突出同时彼此面对的所述第二挠曲部和所述第三挠曲部中的每一个的宽度是所述第一间隔物和所述第二间隔物中的每一个的宽度的1.2倍至10倍,
其中在垂直于所述第一方向的所述第二方向上突出的所述第二挠曲部和所述第三挠曲部中的每一个的宽度是所述第一间隔物和所述第二间隔物中的每一个的宽度的1倍至10倍,
其中在所述第一方向上突出同时彼此面对的第二挠曲部和第三挠曲部中的每一个的宽度是在0.24mm至2mm的范围内,
其中在垂直于所述第一方向的所述第二方向上突出同时彼此面对的所述第二挠曲部和所述第三挠曲部中的每一个的宽度是在0.2mm至2mm的范围内,并且
其中所述第一间隔物和所述第二间隔物中的每一个的宽度是在0.2mm至0.5mm的范围内。
CN202210957506.6A 2016-03-25 2017-03-27 发光器件封装 Pending CN115274638A (zh)

Applications Claiming Priority (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160036100A KR102522590B1 (ko) 2016-03-25 2016-03-25 발광소자 패키지 및 조명 장치
KR10-2016-0036100 2016-03-25
KR1020160036096A KR102509053B1 (ko) 2016-03-25 2016-03-25 발광소자 패키지 및 조명 장치
KR1020160036091A KR102522811B1 (ko) 2016-03-25 2016-03-25 발광소자 패키지 및 조명 장치
KR10-2016-0036096 2016-03-25
KR10-2016-0036091 2016-03-25
CN201710188302.XA CN107256859B (zh) 2016-03-25 2017-03-27 发光器件封装

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710188302.XA Division CN107256859B (zh) 2016-03-25 2017-03-27 发光器件封装

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN115274638A true CN115274638A (zh) 2022-11-01

Family

ID=58401460

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710188302.XA Active CN107256859B (zh) 2016-03-25 2017-03-27 发光器件封装
CN202210957506.6A Pending CN115274638A (zh) 2016-03-25 2017-03-27 发光器件封装

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710188302.XA Active CN107256859B (zh) 2016-03-25 2017-03-27 发光器件封装

Country Status (4)

Country Link
US (1) US9997683B2 (zh)
EP (1) EP3223322B1 (zh)
JP (1) JP6952945B2 (zh)
CN (2) CN107256859B (zh)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017039198A1 (ko) * 2015-09-01 2017-03-09 엘지이노텍(주) 조명 장치
KR102432024B1 (ko) * 2017-12-08 2022-08-12 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 발광소자 패키지 및 광원 장치
JP1627942S (zh) * 2018-09-27 2019-04-01
USD895559S1 (en) * 2019-01-15 2020-09-08 Citizen Electronics Co., Ltd. Light emitting diode
JP1640278S (zh) * 2019-01-15 2019-09-02
JP7210305B2 (ja) * 2019-01-31 2023-01-23 日機装株式会社 流体殺菌装置
CN211260395U (zh) * 2019-09-29 2020-08-14 漳州立达信光电子科技有限公司 一种led灯以及控制电路

Family Cites Families (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0550752U (ja) * 1991-12-11 1993-07-02 株式会社精工舎 発光装置
DE10041686A1 (de) * 2000-08-24 2002-03-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Bauelement mit einer Vielzahl von Lumineszenzdiodenchips
CN100359703C (zh) * 2001-08-21 2008-01-02 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 辐射构件及其引线框和壳体及带辐射构件的显示装置和/或照明装置
CN1489224A (zh) * 2003-09-02 2004-04-14 陈洪花 高亮度超薄光半导体器件
KR100591687B1 (ko) 2005-05-06 2006-06-22 럭스피아 주식회사 칼라게멋을 향상한 멀티-칩 발광다이오드 패키지 및 이를채용한 백라이트 유닛
KR100616695B1 (ko) * 2005-10-04 2006-08-28 삼성전기주식회사 고출력 발광 다이오드 패키지
DE102006015377B4 (de) * 2006-04-03 2018-06-14 Ivoclar Vivadent Ag Halbleiter-Strahlungsquelle sowie Lichthärtgerät
KR100818162B1 (ko) * 2007-05-14 2008-03-31 루미마이크로 주식회사 색온도 조절이 가능한 백색 led 장치
KR200447448Y1 (ko) 2007-11-29 2010-01-25 (주)솔라루체 Led 소자용 리드프레임 패키지 및 이를 이용한 led패키지
KR100998233B1 (ko) * 2007-12-03 2010-12-07 서울반도체 주식회사 슬림형 led 패키지
JP2009224431A (ja) * 2008-03-14 2009-10-01 Nichia Corp 半導体装置
JP2010118560A (ja) * 2008-11-13 2010-05-27 Sumitomo Metal Electronics Devices Inc 発光素子搭載用パッケージの製造方法
US7923739B2 (en) * 2009-06-05 2011-04-12 Cree, Inc. Solid state lighting device
KR101064072B1 (ko) * 2009-02-24 2011-09-08 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지
TWI389357B (zh) * 2009-08-04 2013-03-11 Advanced Optoelectronic Tech 具有防水功能的表面黏著型發光二極體元件、具有防水功能的發光二極體模組以及其製作方法
US20110062482A1 (en) * 2010-01-20 2011-03-17 Bridgelux, Inc. Apparatus And Method For Enhancing Connectability In LED Array Using Metal Traces
JP5010716B2 (ja) * 2010-01-29 2012-08-29 株式会社東芝 Ledパッケージ
KR101282829B1 (ko) * 2010-02-17 2013-07-26 일진엘이디(주) 발광 다이오드 패키지
JP2011204790A (ja) * 2010-03-24 2011-10-13 Toshiba Corp 半導体発光装置
KR101039994B1 (ko) * 2010-05-24 2011-06-09 엘지이노텍 주식회사 발광소자 및 이를 구비한 라이트 유닛
KR101103674B1 (ko) * 2010-06-01 2012-01-11 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
TWI533483B (zh) * 2010-08-09 2016-05-11 Lg伊諾特股份有限公司 發光裝置
JP2012119376A (ja) * 2010-11-29 2012-06-21 Toshiba Corp Ledパッケージ
KR101832306B1 (ko) * 2011-05-30 2018-02-26 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지
KR101818466B1 (ko) * 2011-08-18 2018-01-15 엘지디스플레이 주식회사 발광 다이오드 패키지
US8895998B2 (en) * 2012-03-30 2014-11-25 Cree, Inc. Ceramic-based light emitting diode (LED) devices, components and methods
TW201344971A (zh) * 2012-04-18 2013-11-01 Lextar Electronics Corp 發光元件之封裝結構
US10026676B2 (en) * 2012-12-11 2018-07-17 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor lead frame package and LED package
TWI518952B (zh) * 2013-07-17 2016-01-21 隆達電子股份有限公司 發光二極體封裝結構及發光元件
JP2015126137A (ja) * 2013-12-26 2015-07-06 アピックヤマダ株式会社 リードフレーム、ledパッケージ用基板、リフレクタ部材、ledパッケージ、発光装置、発光システム、並びに、ledパッケージ用基板及びledパッケージの製造方法
JP6671117B2 (ja) * 2014-07-08 2020-03-25 エルジー イノテック カンパニー リミテッド 発光素子パッケージ
JP6413412B2 (ja) * 2014-07-11 2018-10-31 日亜化学工業株式会社 半導体発光装置及びその製造方法
EP2988341B1 (en) * 2014-08-22 2017-04-05 LG Innotek Co., Ltd. Light emitting device package

Also Published As

Publication number Publication date
US9997683B2 (en) 2018-06-12
CN107256859B (zh) 2022-08-23
JP6952945B2 (ja) 2021-10-27
US20170279015A1 (en) 2017-09-28
CN107256859A (zh) 2017-10-17
EP3223322A1 (en) 2017-09-27
JP2017175132A (ja) 2017-09-28
EP3223322B1 (en) 2019-05-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107256859B (zh) 发光器件封装
KR100981214B1 (ko) 발광다이오드 패키지
US9929330B2 (en) Light emitting diode package
JP6312999B2 (ja) 発光素子及びこれを備えた照明システム
KR102606852B1 (ko) 발광 소자
JP2013106047A (ja) 発光素子及びこれを備えた照明装置
JP2014049440A (ja) 光学レンズ、発光素子、及びこれを備えた照明装置
KR101766297B1 (ko) 발광소자 패키지 및 그 제조방법
KR20160054667A (ko) 반도체 발광소자 및 이를 이용한 반도체 발광소자 패키지
JP2012049348A (ja) 発光装置
KR20140132517A (ko) 발광 소자
WO2017188278A1 (ja) 発光装置
KR101916148B1 (ko) 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 조명 시스템
KR20120079668A (ko) 발광다이오드 패키지 및 그 제조방법
KR101970938B1 (ko) 지향각이 조절된 발광소자 패키지 및 이를 이용한 발광장치
KR102105793B1 (ko) 지향각이 조절된 발광소자 패키지 및 그를 이용한 발광장치
KR102629894B1 (ko) 발광소자 패키지 및 이를 구비한 조명 장치
KR100765239B1 (ko) 단결정 실리콘 재질의 발광 다이오드 패키지
KR101976547B1 (ko) 발광 소자 및 이를 구비한 조명 시스템
KR102509053B1 (ko) 발광소자 패키지 및 조명 장치
KR101977831B1 (ko) 발광 소자 및 조명 시스템
KR102522590B1 (ko) 발광소자 패키지 및 조명 장치
KR20080087405A (ko) Led 패키지 및 그 제조방법
KR20170111174A (ko) 발광소자 패키지 및 조명 장치
KR101896691B1 (ko) 발광 소자 및 조명 시스템

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination