CN115268157B - 显示面板及显示装置 - Google Patents

Abstract

一种显示面板及显示装置，包括在衬底基板上依次设置的驱动结构层和发光结构层，发光结构层包括像素界定层；像素界定层包括第一堤坝部和第二堤坝部，第一堤坝部沿第一方向延伸，第二堤坝部沿第二方向延伸，第一方向与第二方向相交，第一堤坝部和第二堤坝部形成多个像素开口，第一堤坝部远离衬底基板侧的表面距平坦层远离衬底基板侧的表面之间的距离，小于第二堤坝部远离衬底基板侧的表面距平坦层远离衬底基板侧的表面之间的距离；第二堤坝部包括远离衬底基板侧的第一表面和靠近衬底基板侧的第二表面，第一堤坝部包括远离衬底基板侧的第三表面和靠近衬底基板侧的第四表面，第一表面与第二表面之间的距离，大于第三表面与第四表面之间的距离。

Description

显示面板及显示装置

技术领域

本公开实施例涉及但不限于显示技术领域，具体涉及一种显示面板及显示装置。

背景技术

在有机发光二极管（OLED）显示面板制备过程中，相较于真空蒸镀工艺，喷墨打印工艺由于工艺简单且成本较低越来越受到关注。喷墨打印工艺中采用溶剂将OLED的有机材料溶解并制成墨水，并将不同颜色子像素的墨水喷印在基板的相应位置。一些技术中，在喷墨打印过程中，容易发生墨水溢流，会造成不同颜色子像素之间产生混色，影响显示效果。

发明内容

以下是对本公开详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。

本公开实施例提供了一种显示面板，包括衬底基板、以及在所述衬底基板上依次设置的驱动结构层、发光结构层和封装结构层，所述发光结构层包括第一电极层、像素界定层、发光功能层和第二电极层，所述第一电极层包括第一电极，所述第二电极层包括第二电极；所述显示面板还包括多个像素单元，每个所述像素单元至少包括一个子像素，其中，所述子像素配置有像素驱动电路、至少一根数据线、至少一根电源线和至少一根控制线，所述像素驱动电路与所述第一电极和/或所述第二电极耦接；所述像素驱动电路包括：至少一个晶体管，所述晶体管至少包括沟道区、栅电极、源电极和漏电极，所述控制线被配置为输出控制信号以控制栅电极打开并连通所述源电极和漏电极，或者控制栅电极关断并断连所述源电极和漏电极；

所述驱动结构层包括平坦层，所述平坦层位于所述像素驱动电路远离所述衬底基板的一侧，所述平坦层设有第一过孔，所述第一电极通过所述第一过孔与所述像素驱动电路连接；

所述像素界定层，位于所述平坦层远离所述衬底基板的一侧；所述像素界定层至少包括第一堤坝部和第二堤坝部，所述第一堤坝部沿第一方向延伸，所述第二堤坝部沿第二方向延伸，所述第一方向与第二方向相交，所述第一堤坝部和第二堤坝部形成多个像素开口，所述第一堤坝部在所述衬底基板上的正投影包含所述平坦层的第一过孔在所述衬底基板上的正投影；或者，所述第一堤坝部在所述衬底基板上的正投影与所述第一过孔在所述衬底基板上的正投影部分交叠；

所述第一堤坝部远离所述衬底基板侧的表面距所述平坦层远离所述衬底基板侧的表面之间的距离，小于所述第二堤坝部远离所述衬底基板侧的表面距所述平坦层远离所述衬底基板侧的表面之间的距离；

所述第二堤坝部包括远离所述衬底基板侧的第一表面和靠近所述衬底基板侧的第二表面，所述第一堤坝部包括远离所述衬底基板侧的第三表面和靠近所述衬底基板侧的第四表面，所述第一表面与所述第二表面之间的距离，大于所述第三表面与所述第四表面之间的距离。

可选地，所述第二堤坝部包括朝向所述像素开口的第一侧面，所述第二堤坝部的第一侧面在沿远离所述衬底基板的方向上包括依次设置的第一功能区和第二功能区，所述第二功能区在沿远离所述衬底基板的方向上包括第一子区和第二子区；所述第一子区连接所述第一功能区和所述第二子区，至少存在一个垂直于所述衬底基板方向上的截面，使所述第一功能区、第一子区和第二子区均为斜面；所述第一子区的斜面倾角大于所述第二子区的斜面倾角；所述第二子区的斜面倾角大于所述第一功能区的斜面倾角。

可选地，所述第一子区的斜面倾角在50°至60°之间。

可选地，所述第二子区的斜面倾角在30°至40°之间。

可选地，所述第一功能区的斜面倾角在10°至20°之间。

可选地，所述第一子区和所述第二子区的交线为第一交线，所述第一子区和所述第一功能区的交线为第二交线；所述第二子区和所述第二堤坝部的第一表面之间的交线为第三交线，所述第一功能区和所述第一电极背离所述衬底基板的表面之间的交线为第四交线；所述第一交线与参考面的交点为第一交点，所述第二交线与参考面的交点为第二交点，所述第三交线与参考面的交点为第三交点，所述第四交线与参考面的交点为第四交点，所述参考面为平行于所述第一方向且垂直于所述衬底基板的截面；在所述参考面内，经过所述第二交点与所述第三交点的直线为第一参考线，经过所述第二交点且与所述衬底基板平行的直线为第二参考线，所述第一参考线与所述第二参考线的之间的锐角夹角在38°至42°之间。

可选地，所述第一交点到所述第一参考线的距离d满足：0<d≤D<AB/S，0<D<Δ/2-HL/S；其中，D为大于0的实数，A为所述第一交点与所述第三交点之间的线段长度；B为所述第一交点与所述第二交点之间的线段长度；S为所述第二交点与所述第三交点之间的线段长度；H为所述第三交点与参考点之间的线段长度，所述参考点为所述第二参考线与第三参考线之间的交点，所述第三参考线为经过所述第三交点且与所述衬底基板垂直的直线；L为所述第二交点与所述参考点之间的线段长度；Δ为所述第二堤坝部的第一侧面在所述第一方向上的宽度。

可选地，在所述参考面内，所述第一交点与所述第一电极背离所述衬底基板的表面之间的距离为h1，所述第三交点与所述第一电极背离所述衬底基板的表面之间的距离为h3；h1与h3的比值在0.494至0.742之间。

可选地，所述h1与h3的比值为0.618。

可选地，所述显示面板还包括设于所述封装结构层远离所述衬底基板一侧的彩色滤光层，所述彩色滤光层包括多个用于透射设定颜色光的滤光单元，至少存在两个相邻的透射不同颜色光的滤光单元相互交叠。

可选地，所述显示面板还包括设于所述封装结构层远离所述衬底基板一侧的色阻层；所述色阻层包括多个沿所述第一方向延伸的第一色阻部，多个所述第一色阻部在所述第二方向上依次排布，所述色阻层还包括多组第二色阻部，每组所述第二色阻部包括位于相邻两个所述第一色阻部之间且沿所述第一方向间隔设置的多个所述第二色阻部，每个所述第二色阻部沿所述第二方向延伸。

可选地，所述第二色阻部由在所述第一方向上相邻的透射不同颜色光的两个滤光单元的交叠部分形成；或者，所述第二色阻部的材料包括以下至少之一：金属铬、氧化铬或黑色树脂。

可选地，所述第一子区的斜面倾角β、所述第二子区的斜面倾角α满足以下关系：β<arc tan（n*×HW/（LBM-L3））；α<arc tan（n*×HW/LBM）；其中，n*为膜层等效折射率，1<n*<2；HW为在垂直于所述衬底基板的方向上，所述第一功能区的发光功能层到第二色阻部的距离；LBM为所述第二色阻部在所述第一方向上的宽度；L3为所述第一功能区的发光功能层在所述第一方向上的宽度。

可选地，所述第一色阻部在所述衬底基板上的正投影包含平坦层的第一过孔在所述衬底基板上的正投影；或者，所述第一色阻部在所述衬底基板上的正投影与所述第一过孔在所述衬底基板上的正投影部分交叠。

可选地，所述第一电极层包括第一子区域和第二子区域，所述第二子区域至少存在部分第一电极，所述至少存在的部分第一电极在垂直于所述衬底基板方向上的平均厚度大于所述第一子区域的第一电极在垂直于所述衬底基板方向上的平均厚度。

可选地，所述第二子区域位于所述第一过孔的周向侧壁上，且覆盖所述第一过孔的周向侧壁靠近所述衬底基板一端的表面。

可选地，所述第二子区域为环形结构，所述第二子区域的第一电极在所述衬底基板上的正投影在所述第一方向上的宽度与所述第一电极在所述衬底基板上的正投影在所述第一方向上的宽度的比值在1/4至1/2之间。

可选地，所述第二子区域的第一电极在所述衬底基板上的正投影在所述第一方向上的宽度在1um至2um之间。

可选地，所述第二堤坝部在所述衬底基板上的正投影与所述第一过孔在所述衬底基板上的正投影不交叠。

可选地，所述第一堤坝部的材料包括氮化硅、氧化硅和氮氧化硅中的至少一种，所述第二堤坝部的材料包括氮化硅、氧化硅和氮氧化硅中的至少一种，所述第一堤坝部的材料还包括亲液材料，所述第二堤坝部的材料还包括疏液材料。

可选地，所述第二堤坝部包括朝向所述像素开口的第一侧面，所述第二堤坝部的第一侧面在沿远离所述衬底基板的方向上包括依次设置的第一功能区和第二功能区，所述第二功能区在沿远离所述衬底基板的方向上包括第一子区和第二子区；所述第一子区连接所述第一功能区和所述第二子区，至少存在一个垂直于所述衬底基板方向上的截面，使所述第一功能区、第一子区和第二子区的形状均为连续曲面。

可选地，在至少一个垂直于所述衬底基板方向上的截面内，所述第一功能区朝着靠近所述衬底基板的方向形成凹面，所述第一子区朝着靠近所述衬底基板的方向形成凹面，所述第二子区朝着远离所述衬底基板的方向形成凸面。

可选地，所述第一子区和所述第二子区的交线为第一交线，所述第一子区和所述第一功能区的交线为第二交线；所述第二子区和所述第二堤坝部的第一表面之间的交线为第三交线，所述第一功能区和所述第一电极背离所述衬底基板的表面之间的交线为第四交线；所述第一交线与参考面的交点为第一交点，所述第二交线与参考面的交点为第二交点，所述第三交线与参考面的交点为第三交点，所述第四交线与参考面的交点为第四交点，所述参考面为平行于所述第一方向且垂直于所述衬底基板的截面；在所述参考面内，所述第一功能区与所述参考面的交线为所述第二交点与所述第四交点的曲线连线；所述第一子区与所述参考面的交线为连接所述第一交点与所述第二交点的第一弧线，所述第二子区与所述参考面的交线为连接所述第一交点与所述第三交点的第二弧线，所述第一弧线和所述第二弧线形成的曲线为S形曲线。

可选地，经过所述第二交点与所述第三交点的直线为第一参考线，所述第一子区的曲率半径等于所述第二子区的曲率半径，所述第一交点位于所述第一参考线上。

可选地，经过所述第二交点与所述第三交点的直线为第一参考线，所述第一子区的曲率半径小于所述第二子区的曲率半径，所述第一交点位于所述第一参考线远离所述衬底基板的一侧。

可选地，经过所述第二交点与所述第三交点的直线为第一参考线，所述第一子区的曲率半径大于所述第二子区的曲率半径，所述第一交点位于所述第一参考线靠近所述衬底基板的一侧。

可选地，所述第一子区的曲率半径Rb和所述第二子区的曲率半径Ra满足：0≤|1/Ra-1/Rb| / |cosα-cosβ|<G/σ；其中，β为所述第一子区的坡度角，α为所述第二子区的坡度角，G为材料重力常数；σ为发光结构层墨水的表面张力常数。

可选地，所述第二功能区与所述参考面的交线上的至少一部分满足如下关系式：

Z=(Z2-Z1) ×arctan(X-X0)/a×Π+(Z2+Z1)/2；

其中，（ X，Z）为所述第二功能区与所述参考面的交线上的至少一部分点的坐标；a为设计参数；Π为圆周率；Z1为所述第一功能区在垂直于所述衬底基板方向上的厚度；Z2为所述第二堤坝部的第一侧面在垂直于所述衬底基板方向上的高度；X0为所述第二功能区的中心与坐标原点的距离，所述坐标原点为所述第一电极被所述像素开口暴露出的表面的几何中心在所述参考面上的正投影。

可选地，所述第一功能区与所述参考面的交线上的至少一部分满足如下关系式：

Z=(1/a)^(X±X0+L/2)+Z1-1；

其中，（ X，Z）为所述第一功能区与所述参考面的交线上的至少一部分点的坐标；a为设计参数；Π为圆周率；Z1为所述第一功能区在垂直于所述衬底基板方向上的厚度；L为所述第二功能区在所述第一方向上的宽度；X0为所述第二功能区的中心与坐标原点的距离，所述坐标原点为所述第一电极被所述像素开口暴露出的表面的几何中心在所述参考面上的正投影。

可选地，所述显示面板还包括设于所述封装结构层背离所述衬底基板一侧的表面上的调光层，以及设于所述调光层背离所述衬底基板一侧的表面上的彩色滤光层和色阻层；所述封装结构层背离所述衬底基板一侧的表面设有平坦部和曲面部，所述曲面部至少包括部分区域，该部分区域向远离所述衬底基板的方向凸出。

可选地，所述色阻层包括多个沿所述第一方向延伸的第一色阻部，多个所述第一色阻部在所述第二方向上依次排布，所述色阻层还包括多组第二色阻部，每组所述第二色阻部包括位于相邻两个所述第一色阻部之间且沿所述第一方向间隔设置的多个所述第二色阻部，每个所述第二色阻部沿所述第二方向延伸；所述曲面部在所述衬底基板上的正投影与所述第二色阻部在所述衬底基板上的正投影存在交叠区域；所述第二堤坝部包括朝向所述像素开口的第一侧面，所述第二堤坝部的第一侧面在沿远离所述衬底基板的方向上包括依次设置的第一功能区和第二功能区，所述曲面部在所述衬底基板上的正投影与所述第一功能区在所述衬底基板上的正投影存在交叠区域。

可选地，所述曲面部向远离所述衬底基板的方向凸出的部分区域被平行于所述第一方向且与所述衬底基板垂直的一个平面所截得的截面，为以下至少之一：

为第一椭圆的部分区域，所述第一椭圆的短半轴长度为a1，长半轴长度为b1， a1=H1/2，b1=L4/2；

为第二椭圆的部分区域，所述第二椭圆的短半轴长度为a2，长半轴长度为b2，a2≥H2/2，b2=L4/2；

位于所述第一椭圆远离所述衬底基板一侧的表面和所述第二椭圆远离所述衬底基板一侧的表面之间；其中，H1为所述封装结构层在所述平坦部处的厚度；H2为所述封装结构层在垂直于所述衬底基板的方向上的最大厚度；L4为所述曲面部在所述第一方向上的宽度。

可选地，在平行于所述第一方向且与所述衬底基板垂直的一个截面内，所述曲面部的截面面积S包括向远离所述衬底基板方向凸出的部分区域的面积S0以及未向远离所述衬底基板方向凸出的部分区域的面积S1，则所述曲面部的截面面积S以及所述曲面部向远离所述衬底基板方向凸出的部分区域的面积S0满足：S=S0+S1，πa1b1<S<πa2b2，πa1b1+S0<πa2b2。

可选地，所述曲面部包括在所述第一方向上依次连接的第一曲面部、过渡部和第二曲面部，所述第一曲面部和第二曲面部均至少存在部分区域在垂直于所述衬底基板的方向上凸出于所述过渡部，所述曲面部远离所述衬底基板一侧的表面位于所述第一椭圆远离衬底基板一侧的表面和所述第二椭圆远离衬底基板一侧的表面之间。

可选地，所述曲面部包括在所述第一方向上依次连接的第一斜坡部、第一曲面部、过渡部、第二曲面部和第二斜坡部，第一曲面部和第二曲面部在垂直于所述衬底基板的方向上均凸出于所述过渡部。

可选地，所述过渡部在所述衬底基板上的正投影与所述第二色阻部在所述衬底基板上的正投影存在交叠区域。

可选地，所述彩色滤光层的折射率大于所述调光层的折射率。

可选地，所述封装结构层的折射率大于所述调光层的折射率，且所述第二色阻部的折射率大于所述调光层的折射率。

可选地，所述调光层与所述封装结构层接触的表面的面积大于所述调光层与所述彩色滤光层以及色阻层接触的表面的面积。

可选地，所述彩色滤光层包括多个不同颜色的滤光单元，在所述第一方向上相邻的两个不同颜色的子像素的滤光单元的交叠部分形成所述第二色阻部，在所述第一方向上相邻的两个不同颜色的子像素的滤光单元的交界面的斜面倾角在沿远离所述衬底基板的方向上逐渐变大。

可选地，在所述第一方向上相邻的两个不同颜色的子像素的滤光单元的交界面的斜面倾角在10°至75°之间。

可选地，在所述第一方向上相邻的两个不同颜色的子像素的滤光单元的交界面在沿远离所述衬底基板的方向上包括依次连接的第一交界面和第二交界面，所述第一交界面的斜面倾角在28°至32°之间，所述第二交界面的斜面倾角在55°至65°之间，所述第一交界面和所述第二交界面为曲面或者斜面。

可选地，所述封装结构层的材料包括氮元素和硅元素。

可选地，所述调光层的材料包括碳元素、氧元素和硅元素。

可选地，所述彩色滤光层的材料包括碳元素和铝元素。

可选地，所述调光层具有粘合性。

可选地，所述平坦层的材料包括碳元素、氟元素、氧元素和氮元素。

可选地，所述第一电极层为多层结构，所述第一电极层包括第一子第一电极层和设于所述第一子第一电极层远离所述衬底基板一侧的第二子第一电极层，其中，所述第一子第一电极层的材料包括铝元素，所述第二子第一电极层的材料包括镱元素、硅元素和氧元素。

可选地，所述第一子第一电极层的平均厚度大于所述第二子第一电极层的平均厚度。

可选地，至少一个所述像素单元包括发射第一颜色光的第一子像素、发射第二颜色光的第二子像素、发射第三颜色光的第三子像素；发射第一颜色光的第一子像素的发光功能层的厚度大于发射第二颜色光的第二子像素的发光功能层的厚度，发射第二颜色光的第二子像素的发光功能层的厚度大于发射第三颜色光的第三子像素的发光功能层的厚度。

可选地，所述第二电极层为多层结构，所述第二电极层包括第一子第二电极层和设于所述第一子第二电极层远离所述衬底基板一侧的第二子第二电极层，其中，所述第一子第二电极层的材料包括铟元素、锌元素和氧元素，所述第二子第二电极层的材料包括银元素。

可选地，所述第一子第二电极层的平均厚度大于所述第二子第二电极层的平均厚度。

可选地，所述像素驱动电路包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管和存储电容，所述子像素包括第一栅线、第二栅线和第三栅线，其中：所述第一晶体管的栅电极与第一栅线连接，所述第一晶体管的第一极与数据线连接，所述第一晶体管的第二极与所述第二晶体管的第二极、所述第三晶体管的栅电极以及所述存储电容的第一极板连接，所述第二晶体管的栅电极与第二栅线连接，所述第二晶体管的第一极与第二初始化信号线连接，所述第三晶体管的第二极与第一电源线连接，所述存储电容的第二极板与所述第三晶体管的第一极以及所述第四晶体管的第二极连接，所述第四晶体管的栅电极与第三栅线连接，所述第四晶体管的第一极与第一初始化信号线连接，所述第二电极与第二电源线连接；所述存储电容的第二极板在所述衬底基板上的正投影部分覆盖所述第一过孔在所述衬底基板上的正投影，所述存储电容的第二极板通过所述第一过孔与所述第一电极连接。

可选地，所述第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管均为N型晶体管。

可选地，所述第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管中的至少一个晶体管为P型晶体管。

可选地，所述驱动结构层包括有源半导体层、位于所述有源半导体层远离衬底基板一侧的栅绝缘层、位于所述栅绝缘层远离衬底基板一侧的第一导电图案层、位于所述第一导电图案层远离衬底基板一侧的层间绝缘层、位于所述层间绝缘层远离衬底基板一侧的第二导电图案层、位于所述第二导电图案层远离衬底基板一侧的绝缘层，所述第一电极位于所述绝缘层远离所述衬底基板的一侧。

可选地，所述第一导电图案层包括所述存储电容的第一极板以及多个连接电极，多个连接电极包括第一连接电极、第三连接电极、第四连接电极；所述第二导电图案层包括所述存储电容的第二极板、所述第一栅线、所述第二栅线和所述第三栅线。

可选地，所述第一连接电极通过过孔与所述第三栅线连接，所述第一连接电极作为所述第四晶体管的栅电极；所述第三连接电极通过过孔与第一栅线相连，所述第三连接电极作为所述第一晶体管的栅电极；所述第四连接电极通过过孔与第二栅线相连，所述第四连接电极作为所述第二晶体管的栅电极。

可选地，所述第一电源线包括沿所述第一方向延伸的第一电源信号线和沿所述第二方向延伸的第一电源连接线，所述第一电源信号线和所述第一电源连接线相连接。

可选地，所述第一电源连接线包括依次连接的第一部分、第二部分和第三部分，第一电源信号线和第一电源连接线的第二部分位于所述第二导电图案层，所述第一电源连接线的第一部分和第三部分位于所述第一导电图案层。

可选地，所述第一电源信号线和第一电源连接线的第二部分直接连接，所述第一电源连接线的第一部分和第二部分通过过孔相连接，所述第一电源连接线的第二部分和第三部分通过过孔相连接。

可选地，所述第一初始信号线包括沿所述第一方向延伸的第一子初始信号线和沿所述第二方向延伸的第一初始化连接线，所述第一子初始信号线和所述第一初始化连接线相连接。

可选地，所述第一初始化连接线包括依次连接的第一部分、第二部分和第三部分，所述第一子初始信号线以及所述第一初始化连接线的第二部分位于所述第二导电图案层，所述第一初始化连接线的第一部分和第三部分位于所述第一导电图案层。

可选地，所述第一子初始信号线和所述第一初始化连接线的第一部分通过过孔相连接，所述第一初始化连接线的第一部分和第二部分通过过孔相连接，所述第一初始化连接线的第二部分和第三部分通过过孔相连接。

可选地，所述第二初始信号线包括沿所述第一方向延伸的第二子初始信号线和沿所述第二方向延伸的第二初始化连接线，所述第二子初始信号线和所述第二初始化连接线相连接。

可选地，所述第二初始化连接线包括依次连接的第一部分、第二部分和第三部分，所述第二子初始信号线以及所述第二初始化连接线的第二部分位于所述第二导电图案层，所述第二初始化连接线的第一部分和第三部分位于所述第一导电图案层。

可选地，所述第二子初始信号线和所述第二初始化连接线的第三部分通过过孔相连接，所述第二初始化连接线的第一部分和第二部分通过过孔相连接，所述第二初始化连接线的第二部分和第三部分通过过孔相连接。

可选地，所述存储电容为并联电容，所述存储电容包括所述第一极板和所述第二极板，还包括第三极板，在垂直于所述衬底基板的方向上，所述第二极板和所述第三极板分别位于所述第一极板的两侧，且所述第二极板和所述第三极板通过过孔相连接。

可选地，所述第二极板和所述第一极板在衬底基板上的正投影存在交叠区域，所述第三极板和所述第一极板在衬底基板上的正投影存在交叠区域。

可选地，所述像素驱动电路包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、存储电容和发光器件，所述子像素包括第一栅线、第二栅线和第三栅线，其中：所述第一晶体管的栅电极与所述第一栅线连接，所述第一晶体管的第一极与数据线连接，所述第一晶体管的第二极与所述第二晶体管的第二极、所述第三晶体管的栅电极、所述第五晶体管的栅电极以及所述存储电容的第一极板连接，所述第二晶体管的栅电极与所述第二栅线连接，所述第二晶体管的第一极与初始化信号线连接，所述第四晶体管的栅电极与发光信号线连接，所述第四晶体管的第一极与第一电源线连接，所述第四晶体管的第二极与所述第三晶体管的第一极连接，所述第三晶体管的第二极与所述第五晶体管的第一极连接，所述第五晶体管的第二极与所述存储电容的第二极板以及所述发光器件的第一电极连接，所述发光器件的第二电极与第二电源线连接。

可选地，所述第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第五晶体管均为N型晶体管，所述第四晶体管为P型晶体管或N型晶体管。

本公开实施例还提供了一种显示装置，包括如本公开任一实施例所述的显示面板。

在阅读并理解了附图和详细描述后，可以明白其他方面。

附图说明

附图用来提供对本公开技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本公开的实施例一起用于解释本公开的技术方案，并不构成对本公开技术方案的限制。附图中部件的形状和大小不反映真实比例，目的只是示意说明本公开内容。

图1为一些示例性实施例的显示面板的像素排布结构示意图；

图2A为图1中的A-A区域的一种剖面结构示意图；

图2B为本公开实施例一种显示面板的显示区的彩色滤光层和色阻层的平面结构示意图；

图2C为本公开实施例一种第一电极的俯视结构示意图；

图3A为本公开实施例一种显示面板的显示区的像素界定层的平面结构示意图；

图3B为本公开实施例一种喷墨打印形成的有机发光层的结构示意图；

图3C为本公开实施例一种显示面板的显示区的像素界定层和发光功能层的平面结构示意图；

图4为本公开示例性实施例一种显示面板的局部剖面结构示意图；

图5为图4中像素界定层的第二堤坝部的一种局部线条轮廓示意图；

图6为本公开实施例一种显示面板的色阻层与杂光区的有机发光层的位置关系示意图；

图7A至图7C为在另一些示例性实施例中像素界定层的第二堤坝部的三种局部线条轮廓示意图；

图7D为本公开实施例一种第一功能区、第二功能区的第一子区和第二子区的坡度角的定义方法示意图；

图8A至图8F为本公开一些示例性实施例中显示面板的几种局部膜层剖面结构示意图；

图9为一种显示面板中的像素电路驱动发光元件发光的示意图；

图10为本公开示例性实施例一个子像素中的像素驱动电路和发光元件的示意图；

图11为本公开一些示例性实施例提供的显示面板的布局示意图；

图12为图11中沿A1-A2区域的剖面示意图；

图13A至图13G为图11中的显示面板的单层的平面示意图；

图14A至图14D为图11中的显示面板的部分叠层的平面示意图；

图15为本公开一些示例性实施例提供的显示面板的布局示意图；

图16A为本公开一些实施例提供的显示面板中像素限定层的平面示意图；

图16B为本公开一些实施例提供的显示面板中像素限定层的平面示意图；

图17为本公开一些实施例提供的显示面板的示意图；

图18为本公开一些实施例提供的显示面板的平面图；

图19为图10所示的像素驱动电路的一种驱动时序图；

图20为本公开另一些示例性实施例一个子像素中的像素驱动电路和发光元件的示意图；

图21为本公开另一些示例性实施例提供的显示面板的布局示意图；

图22为图20所示的像素驱动电路的一种驱动时序图。

具体实施方式

为使本公开的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下文中将结合附图对本公开的实施例进行详细说明。注意，实施方式可以以多个不同形式来实施。所属技术领域的普通技术人员可以很容易地理解一个事实，就是方式和内容可以在不脱离本公开的宗旨及其范围的条件下被变换为各种各样的形式。因此，本公开不应该被解释为仅限定在下面的实施方式所记载的内容中。在不冲突的情况下，本公开中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。为了保持本公开实施例的以下说明清楚且简明，本公开省略了部分已知功能和已知部件的详细说明。本公开实施例附图只涉及到与本公开实施例涉及到的结构，其他结构可参考通常设计。

在附图中，有时为了明确起见，夸大表示了各构成要素的大小、层的厚度或区域。因此，本公开的一个方式并不一定限定于该尺寸，附图中各部件的形状和大小不反映真实比例。此外，附图示意性地示出了理想的例子，本公开的一个方式不局限于附图所示的形状或数值等。

本说明书中的“第一”、“第二”、“第三”等序数词是为了避免构成要素的混同而设置，而不是为了在数量方面上进行限定的。

在本说明书中，为了方便起见，使用“中部”、“上”、“下”、“前”、“后”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示方位或位置关系的词句以参照附图说明构成要素的位置关系，仅是为了便于描述本说明书和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本公开的限制。构成要素的位置关系根据描述各构成要素的方向适当地改变。因此，不局限于在说明书中说明的词句，根据情况可以适当地更换。

在本说明书中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解。例如，可以是固定连接，或可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，或电连接；可以是直接相连，或通过中间件间接相连，或两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本公开中的具体含义。

在本说明书中，晶体管是指至少包括栅电极、漏电极以及源电极这三个端子的元件。晶体管在漏电极（漏电极端子、漏区域或漏电极）与源电极（源电极端子、源区域或源电极）之间具有沟道区域，并且电流能够流过漏电极、沟道区域以及源电极。注意，在本说明书中，沟道区域是指电流主要流过的区域。

在本说明书中，第一极可以为漏电极、第二极可以为源电极，或者第一极可以为源电极、第二极可以为漏电极。在使用极性相反的晶体管的情况或电路工作中的电流方向变化的情况等下，“源电极”及“漏电极”的功能有时互相调换。因此，在本说明书中，“源电极”和“漏电极”可以互相调换。

在本说明书中，“电连接”包括构成要素通过具有某种电作用的元件连接在一起的情况。“具有某种电作用的元件”只要可以进行连接的构成要素间的电信号的授受，就对其没有特别的限制。“具有某种电作用的元件”的例子不仅包括电极和布线，而且还包括晶体管等开关元件、电阻器、电感器、电容器、其它具有各种功能的元件等。

在本说明书中，“平行”是指两条直线形成的角度为-10°以上且10°以下的状态，因此，也包括该角度为-5°以上且5°以下的状态。另外，“垂直”是指两条直线形成的角度为80°以上且100°以下的状态，因此，也包括85°以上且95°以下的角度的状态。

在本说明书中，“膜”和“层”可以相互调换。例如，有时可以将“导电层”换成为“导电膜”。与此同样，有时可以将“绝缘膜”换成为“绝缘层”。

在本文描述中，所说的“A和B同层设置”是指，A和B通过同一次构图工艺同时形成。所说的“A的投影包含B的投影”，是指B的投影的边界落入A的投影的边界范围内，或者A的投影的边界与B的投影的边界重叠。

本公开中的“约”，是指不严格限定界限，允许工艺和测量误差范围内的数值。

通常的有机发光二极管（Organic light-emitting Diode，OLED）显示器中，有机发光层需要蒸镀工艺来完成，工艺条件要求苛刻且难以实现大面积化。

采用喷墨印刷方式制作OLED发光材料层是实现低成本OLED生产的最佳方式，并使OLED能参与中高端市场竞争。喷墨印刷方式是一个高效的过程，喷墨印刷方式与蒸镀方式相比，材料浪费更少，并且喷墨印刷方式非常快速。

喷墨打印形成有机发光二极管的发光功能层时，主要是使用溶剂将有机材料溶解形成溶液（墨水），然后将溶液（墨水）直接喷印在衬底基板的表面形成例如红(R)、绿(G)、蓝(B)等子像素的发光功能层。喷墨打印OLED技术在制作工艺、良率和成本等方面相比蒸镀技术优势明显。例如，发光功能层可以包括有机发光层（发光材料层），发光功能层还可以包括空穴注入层、空穴传输层、电子传输层、电子注入层等至少之一。发光功能层可根据需要进行选择。发光功能层中的至少一个膜层可采用喷墨打印工艺制作。

但是，在喷墨打印过程中，容易发生墨水溢流，墨水溢流会造成不同颜色子像素之间产生混色，影响显示效果。

图1为本公开实施例一种显示面板的像素排布结构示意图，在一些示例性实施例中，如图1所示，该显示面板包括显示区101和位于显示区101周边的非显示区102，显示区101包括阵列排布于衬底基板上的多个像素单元P，每个像素单元P包括多个子像素。示例性地，每个像素单元P可以包括沿第一方向X（可称为行方向）并排设置的三个子像素，分别是发射第一颜色光（比如红光）的第一子像素P1、发射第二颜色光（比如绿光）的第二子像素P2和发射第三颜色光（比如蓝光）的第三子像素P3。在第一方向X上依次排布有多个像素单元P，在第二方向Y（可称为列方向）上位于同一列的多个子像素可以发射相同颜色的光。第一方向X与第二方向Y相交，示例性地，第一方向X与第二方向Y可以相互垂直。其中，发射相同颜色的光的多个子像素可以称为相同颜色的子像素。在其他实施方式中，每个像素单元P还可以包括发射其他颜色光的子像素。本公开实施例对显示面板的像素排布方式以及每个像素单元所包含的子像素的种类和数目不做限制。

图2A为图1中的A-A区域的一种剖面结构示意图。在一些示例性实施例中，如图2A所示，该显示面板可以包括依次叠设于衬底基板10上的驱动结构层11、发光结构层12和封装结构层13。

驱动结构层11可以包括设于衬底基板10上的像素驱动电路1011（图中示意性地示出了一个晶体管和一个电容），以及设于像素驱动电路1011的远离衬底基板10一侧的平坦层111，平坦层111设有第一过孔K1，第一过孔K1配置为后续形成的第一电极121通过第一过孔K1与像素驱动电路1011连接。像素驱动电路1011可以包括多个薄膜晶体管（T）和存储电容（C），像素驱动电路1011可以为3T1C、4T1C、5T1C、5T2C、6T1C或7T1C等结构，本公开实施例对此不作限制。驱动结构层11还包括多条数据线和多条栅线，以及其他信号线。

发光结构层12可以包括第一电极层、像素界定层122、发光功能层123和第二电极层。第一电极层可以包括设置在驱动结构层11上的多个第一电极121，第一电极121通过平坦层111设置的第一过孔K1与像素驱动电路1011连接，第二电极层包括第二电极124。示例性地，像素驱动电路1011可以包括配置为与第一电极121连接的连接电极，平坦层111设置的第一过孔K1暴露出该连接电极，第一电极121设置在平坦层111的远离衬底基板10的表面上，并通过第一过孔K1与该连接电极连接。第一电极121部分地形成在第一过孔K1的周向侧壁上，第一电极121的位于第一过孔的周向侧壁上的部分在第一过孔的靠近衬底基板10一端可以厚度变厚。

像素界定层122设于多个第一电极121的远离衬底基板10一侧并设有多个像素开口203，每个像素开口203将对应的一个第一电极121的背离衬底基板10的表面暴露出。发光功能层123可以设置在像素开口203内，发光功能层123包括有机发光层（即发光材料层），发光功能层123还可以包括空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层中的任一个或多个膜层。发光功能层123中的至少一个膜层（比如，空穴注入层、空穴传输层和有机发光层）可以采用喷墨打印工艺制作。第二电极层124设置在发光功能层123的远离衬底基板10一侧。其中，第一电极121、发光功能层123和第二电极层124依次叠设并形成发光器件，该发光器件可以为OLED器件。每个子像素包括一个发光器件和与该发光器件连接的一个像素驱动电路1011，该发光器件在像素驱动电路1011的驱动下发光。在一些示例性实施方式中，第一电极121可以为该发光器件的阳极，第二电极124可以为该发光器件的阴极。该发光器件可以为顶发射器件。

封装结构层13可以包括叠设的多个无机材料层，或者可以包括沿远离衬底基板10方向依次叠设的第一无机材料层、有机材料层和第二无机材料层。第一无机材料层和第二无机材料层的材料可以包括氮化硅、氧化硅和氮氧化硅中的任一种或多种。有机材料层的材料可以为树脂。

图2B为本公开实施例一种显示面板的显示区的彩色滤光层和色阻层的平面结构示意图。在一些示例性实施例中，如图2A和2B所示，该显示面板还可以包括设于封装结构层13的远离衬底基板10一侧的彩色滤光层15和色阻层16。

彩色滤光层15包括多个可以透射设定颜色光的滤光单元151，比如，包括透射红光的红色滤光单元、透射绿光的绿色滤光单元和透射蓝光的蓝色滤光单元。每个发光器件发射的光透过对应的一个滤光单元151后出射相应颜色的光。

在一些示例性实施例中，如图2B所示，色阻层16可以呈网格状并具有多个色阻层开口，每个滤光单元151可以位于对应的一个色阻层开口内。

在一些示例性实施例中，色阻层16可以包括多个沿第一方向X延伸的第一色阻部161，多个第一色阻部161在第二方向Y上依次排布，色阻层16还包括多组第二色阻部162，每组第二色阻部162包括位于相邻两个第一色阻部161之间且沿第一方向X间隔设置的多个第二色阻部162，每个第二色阻部162沿第二方向Y延伸。其中，第二色阻部162可以由在第一方向X上相邻的透射不同颜色光的两个滤光单元151的交叠部分形成；或者，第二色阻部162可以不借助滤光单元151形成，第二色阻部162的材料可以包括金属铬（Cr）、氧化铬（CrOx）或黑色树脂等。第一色阻部161的材料可以包括金属铬（Cr）、氧化铬（CrOx）或黑色树脂等。第一色阻部161的材料与第二色阻部162的材料可以相同或不同。

在一些示例性实施例中，如图2B所示，第一色阻部161在衬底基板10上的正投影可以包含平坦层的第一过孔K1在衬底基板10上的正投影；或者，第一色阻部161在衬底基板10上的正投影与第一过孔K1在衬底基板10上的正投影部分交叠。

在一些示例性实施例中，如图2B所示，第二色阻部162在衬底基板10上的正投影与第一过孔K1在衬底基板10上的正投影不交叠。

在一些示例性实施例中，如图2C所示，第一电极层包括第一子区域121_1和第二子区域121_2，在第二子区域121_2至少存在部分第一电极121，所述至少存在的部分第一电极121在垂直于衬底基板方向上的平均厚度大于第一子区域121_1的第一电极121在垂直于衬底基板方向上的平均厚度。

在一些示例性实施例中，第二子区域121_2位于第一过孔K1的周向侧壁上，且覆盖第一过孔K1的周向侧壁靠近衬底基板一端的表面。

在一些示例性实施例中，第二子区域121_2为环形结构，第二子区域121_2的第一电极121在衬底基板上的正投影在第一方向上的宽度r2与第一电极121在衬底基板上的正投影在第一方向上的宽度d1的比值在1/4至1/2之间。

在一些示例性实施例中，第二子区域121_2的第一电极121在衬底基板上的正投影在第一方向上的宽度r2在1um至2um之间。

本公开实施例设计的第一电极的结构，可以降低第一电极与像素驱动电路之间的断线风险；提高第一电极与像素驱动电路之间的接触面积，降低第一电极与像素驱动电路之间的接触电阻。

图3A为本公开实施例一种显示面板的显示区的像素界定层的平面结构示意图，在一些示例性实施例中，如图3A所示，像素界定层122可以包括多个沿第一方向X延伸的第一堤坝部201和多个沿第二方向Y延伸的第二堤坝部202，多个第一堤坝部201和多个第二堤坝部202相互交叉并形成多个像素开口203；第二堤坝部202在第三方向上的厚度可以大于第一堤坝部201在第三方向上的厚度，第三方向可以为垂直于显示面板的方向。由于在第二方向Y上的同一列子像素为相同颜色的子像素，相邻列的子像素为不同颜色的子像素，因此，如图3B所示，在喷墨打印形成发光功能层123的有机发光层时，发光层墨水可以在同一列子像素的像素开口203之间流淌，可以利用第二堤坝部202阻挡同一列子像素的发光层墨水向相邻列的子像素攀爬，其中，51、52和53分别为第一子像素的发光层墨水、第二子像素的发光层墨水和第三子像素的发光层墨水。

在一些示例性实施例中，像素界定层122可以包括多个沿第二方向Y延伸的第二堤坝部202，多个第二堤坝部202在第一方向X上依次排布，像素界定层122还可以包括多组第一堤坝部201，每组第一堤坝部201包括位于相邻两个第二堤坝部202之间且沿第二方向Y间隔设置的多个第一堤坝部201，每个第一堤坝部201沿第一方向X延伸；多个第二堤坝部202和多组第一堤坝部201形成多个像素开口203。本实施例中，第一堤坝部201和第二堤坝部202不交叠。

在一些示例性实施例中，第一堤坝部201远离衬底基板10侧的表面距平坦层远离衬底基板10侧的表面之间的距离，小于第二堤坝部202远离衬底基板10侧的表面距平坦层远离衬底基板10侧的表面之间的距离。

在一些示例性实施例中，第二堤坝部202包括远离衬底基板10侧的第一表面和靠近衬底基板10侧的第二表面，第一堤坝部201包括远离衬底基板侧的第三表面和靠近衬底基板侧的第四表面，第一表面与第二表面之间的距离（即第二堤坝部202在第三方向上的厚度），大于第三表面与第四表面之间的距离（即第一堤坝部201在第三方向上的最大厚度）。

在一些示例性实施例中，第一堤坝部201在第三方向上的厚度可以在0nm至300nm之间。

图3C为本公开实施例一种显示面板的显示区的像素界定层和发光功能层的平面结构示意图。在一些示例性实施例中，如图3C所示，第一堤坝部201在衬底基板10上的正投影可以包含平坦层的第一过孔K1在衬底基板10上的正投影；或者，第一堤坝部201在衬底基板10上的正投影与第一过孔K1在衬底基板10上的正投影部分交叠。

在一些示例性实施例中，如图3C所示，第二堤坝部202在衬底基板10上的正投影与第一过孔K1在衬底基板10上的正投影不交叠。

在一些示例性实施例中，第二堤坝部202在第三方向上的厚度可以在0.8um至1.2um之间，示例性的，第二堤坝部202在第三方向上的厚度可以为1um。

在一些示例性实施例中，第二堤坝部202在第一方向X上的宽度可以在12um至18um之间。第二堤坝部202在第一方向X上的宽度可以大约为15um左右。

在一些示例性实施例中，第一堤坝部201和第二堤坝部202的材料可以均包括氮化硅、氧化硅和氮氧化硅中的至少一种，第一堤坝部201的材料还可以包括亲液材料，第二堤坝部202的材料还可以包括疏液材料。

在一些示例性实施例中，在形成像素界定层122的过程中，可以先形成像素界定薄膜，之后，经过涂覆光刻胶、采用半色调掩膜板（half tone mask）曝光、显影、刻蚀等工序，最终形成不同厚度的第一堤坝部201和第二堤坝部202。或者，可以先形成第一堤坝部201，然后形成第二堤坝部202。

图4为本公开示例性实施例一种显示面板的局部剖面结构示意图，在一些示例性实施例中，如图4所示，第二堤坝部202可以包括朝向像素开口203的第一侧面2021和背离衬底基板10的第一表面2022；第二堤坝部202的第一侧面2021在沿远离衬底基板10的方向上包括依次设置的第一功能区21和第二功能区22，第二功能区22包括第一子区221和第二子区222，第一子区221连接第一功能区21和第二子区222，第二子区222连接第一子区221和第二堤坝部202的第一表面2022；第一功能区21的远离第二功能区22的边缘可以位于第一电极121的背离衬底基板10的表面上。其中，将第一电极121的被像素开口203暴露出的部分在衬底基板10上的正投影区域作为该显示面板的有效发光区31；将第一功能区21在衬底基板10上的正投影区域作为该显示面板的杂光区32，杂光区32设置为能够出射杂光；将第二功能区22在衬底基板10上的正投影区域作为该显示面板的光抑制区33，光抑制区33设置为不能出射光线。

图5为图4中像素界定层122的第二堤坝部202的一种局部线条轮廓示意图，在一些示例性实施例中，第一功能区21、第一子区221和第二子区222可以均为斜面。本公开实施例中，当某个区域的截面的线条轮廓为大致比较平直的线，而不是明显的弧线时，则可以将该区域近似看成斜面。第一子区221的斜面倾角β大于第二子区222的斜面倾角α，第二子区222的斜面倾角α大于第一功能区21的斜面倾角γ，其中，第二子区222的斜面倾角α为第二子区222与平行于衬底基板10的平面之间的锐角夹角，第一子区221的斜面倾角β为第一子区221与平行于衬底基板10的平面之间的锐角夹角，第一功能区21的斜面倾角γ为第一功能区21与平行于衬底基板10的平面之间的锐角夹角。

在一些示例性实施例中，第一子区221的斜面倾角β在50°至60°之间。

在一些示例性实施例中，第二子区222的斜面倾角α在30°至40°之间。

在一些示例性实施例中，第一功能区21的斜面倾角γ在10°至20°之间。

本公开实施例中，将第二堤坝部202的第二功能区22设置为沿远离衬底基板10方向包括坡度不同的第一子区221和第二子区222，且第一子区221的斜面倾角β大于第二子区222的斜面倾角α，即，在斜面倾角较大的第一子区221和第二堤坝部202的第一表面2022之间设置了斜面倾角较小的第二子区222进行过渡，这样，可以避免第一子区221直接与第二堤坝部202的第一表面2022连接而在第二堤坝部202的第一侧面2021和第一表面2022的交界处形成较尖锐的形貌（不利于第二堤坝部202的表面形态的稳定，易造成形成在第二堤坝部202表面上的膜层与第二堤坝部202之间发生剥离问题），利于第二堤坝部202的表面形态的稳定，防止形成在第二堤坝部202表面上的膜层与第二堤坝部202之间发生剥离的问题，保证杂光区光线在面板中横向传播路径最小，此外，在喷墨打印形成发光功能层123中的膜层时，第二功能区22仍可以有效阻挡墨水攀爬。

在一些示例性实施例中，如图4和图5所示，将第一子区221和第二子区222之间的交线作为第一交线，将第一子区221和第一功能区21之间的交线作为第二交线，将第二子区222和第二堤坝部202的第一表面2022之间的交线作为第三交线，将第一功能区21和第一电极121的背离衬底基板10的表面之间的交线作为第四交线（即第一功能区21的远离第二功能区22的边缘）。将平行于第一方向X且与衬底基板10垂直的一个平面作为参考面，所述第一交线与所述参考面的交点为第一交点a1，所述第二交线与所述参考面的交点为第二交点a2，所述第三交线与所述参考面的交点为第三交点a3，所述第四交线与所述参考面的交点为第四交点a4。第一功能区21与所述参考面的交线可近似为第二交点a2与第四交点a4的直线连线，第一子区221与所述参考面的交线可近似为第一交点a1与第二交点a2的直线连线，第二子区222与所述参考面的交线可近似为第一交点a1与第三交点a3的直线连线。

在一些示例性实施例中，如图5所示，在所述参考面内，将经过第二交点a2和第三交点a3的直线作为第一参考线m1，将经过第二交点a2且与衬底基板10平行的直线作为第二参考线m2，将经过第三交点a3且与衬底基板10垂直的直线作为第三参考线m3；第二参考线m2与第三参考线m3的交点为参考点P，第一参考线m1与第二参考线m2的锐角夹角为θ，第一交点a1到第一参考线m1的距离（即，从第一交点a1向第一参考线m1作垂线，垂足a1’与第一交点a1之间线段的长度）为d。

在一些示例性实施例中，第一参考线m1与第二参考线m2的锐角夹角θ在38°至42°之间。这样可以保证显示面板的膜层结构稳定，并保证杂光区光线在显示面板中横向传播路径最小。

在一些示例性实施例中，第一交点a1到第一参考线m1的距离d满足：0<d≤D<AB/S，0<D<Δ/2-HL/S；

其中，A为第一交点a1与第三交点a3之间的直线连线长度；

B为第一交点a1与第二交点a2之间的直线连线长度；

S为第二交点a2与第三交点a3之间的直线连线长度；

H为第三交点a3与参考点P之间的直线连线长度；

L为第二交点a2与参考点P之间的直线连线长度；

Δ为第二堤坝部202的第一侧面2021在第一方向X上的宽度。

本公开实施例中，第一交点a1到第一参考线m1的距离d满足上述关系式，即对第二功能区22中第一子区221和第二子区222之间的第一交线的位置进行了相应的约束，这样，可以有利于第二功能区22的表面形态的稳定（即保证力学上的结构稳定性），防止形成在第二堤坝部202表面上的膜层与第二功能区22之间发生剥离的问题，且保证第二功能区22可以有效阻挡墨水攀爬。

在一些示例性实施例中，如图5所示，在所述参考面内，将经过第三交点a3且与衬底基板10垂直的直线作为第三参考线m3，经过第四交点a4向第三参考线m3作垂线且垂足为O，经过第一交点a1向第三参考线m3作垂线且垂足为Q；垂足O与垂足Q之间的线段长度为h1，垂足O与第三交点a3之间的线段长度为h3，则h1与h3的比值可以在0.494至0.742之间。示例性的，h1与h3的比值可以为0.618，即h1与h3的比值满足黄金分割的比例。

本公开实施例中，将h1与h3的比值范围设置在0.494至0.742之间，即对第二功能区22中第一子区221和第二子区222之间的第一交线的位置进行了相应的约束，这样，可以有利于第二功能区22的表面形态的稳定（即保证力学上的结构稳定性），防止形成在第二堤坝部202表面上的膜层与第二功能区22之间发生剥离的问题，且保证第二功能区22可以有效阻挡墨水攀爬。当h1与h3的比值为0.618，即(

-1)/2时，h1与h3的比值满足黄金分割的比例，此时力学结构最稳定。

图6为本公开实施例一种显示面板的色阻层16与杂光区32的有机发光层的位置关系示意图，图6仅示出了杂光区32的有机发光层，在一些示例性实施例中，如图4和图6所示，任取一个子像素为参考子像素，将平行于第一方向X且与衬底基板10垂直的一个平面作为参考面，所述有机发光层在所述参考子像素的杂光区32与有效发光区31的分界处具有第一分界面，有机发光层在参考子像素的杂光区32与光抑制区33的分界处具有第二分界面，所述第一分界面与所述参考面的交线在垂直于衬底基板10方向上的中点为E1，所述第二分界面与所述参考面的交线在垂直于衬底基板10方向上的中点为E2；第二色阻部162的朝向衬底基板10的表面在第一方向X上具有第一边缘和第二边缘，所述第一边缘相较于所述第二边缘靠近所述参考子像素的有效发光区31的中心，所述第一边缘与所述参考面的交点为B1，所述第二边缘与所述参考面的交点为B2；在所述参考面内，将经过交点B2和交点E1的直线连线与平行于衬底基板10的平面之间的锐角夹角作为第一夹角，将经过交点B2和交点E2的直线连线与平行于衬底基板10的平面之间的锐角夹角作为第二夹角。其中，第一夹角可以等于第二子区222的斜面倾角α，第二夹角可以等于第一子区221的斜面倾角β。

在一些示例性实施例中，第一子区221的斜面倾角β、第二子区222的斜面倾角α可以满足以下关系：β<arc tan（n*×HW/（LBM-L3））；α<arc tan（n*×HW/LBM）；或者，第二色阻部162可以满足以下关系：LBM < (n*×HW + L3×tanβ)/tanβ；LBM < n*×HW×cotα；

其中，n*为膜层等效折射率，1<n*<2；

HW为在垂直于衬底基板10的方向上，杂光区32的有机发光层在第三方向Z的中心位置到第二色阻部162的距离；

LBM为第二色阻部162在第一方向X上的宽度；

L3为杂光区32在第一方向X上的宽度。

本公开实施例中，第一子区221的斜面倾角β和第二子区222的斜面倾角α满足上述关系，或者，第二色阻部162满足上述关系，这样，可以通过第二功能区22以及第二色阻部162对位于杂光区32的有机发光层发出的杂光进行吸收，减少所述杂光的出射，提高显示面板的出光质量，减少色偏现象。

图7A为在另一些示例性实施例中像素界定层122的第二堤坝部202的第一种局部线条轮廓示意图，图7B为在另一些示例性实施例中像素界定层122的第二堤坝部202的第二种局部线条轮廓示意图，图7C为在另一些示例性实施例中像素界定层122的第二堤坝部202的第三种局部线条轮廓示意图，本实施例的另一些示例中，如图7A、图7B和图7C所示，第一功能区21、第二功能区22的第一子区221和第二子区222的形状可以均为曲面。第一功能区21可以为朝向该第一功能区21所在第二堤坝部202方向凹陷的弧面状。第一子区221可以为朝向该第一子区221所在第二堤坝部202方向凹陷的弧面状，第二子区222可以为朝远离该第二子区222所在第二堤坝部202方向凸起的弧面状。第一子区221的曲率半径为Rb，第二子区222的曲率半径为Ra，可以设置为Ra≤Rb，或者Ra≥Rb。

在数学上，曲面可以看作是一条动线(直线或曲线)在空间连续运动所形成的轨迹。本文中所述的“曲面”包括由于制备工艺误差导致的偏离理想曲面的情况。具体的，本文中所述的“曲面”，既包含一步工艺做出来的连续的膜层表面，也包含因为形貌继承导致的膜层表面有突出或凹陷结构的情况。进一步的，本文中所述的“曲面”，还可以包含半曝光工艺或者多次相同工艺堆叠而成的局部复杂膜层结构，其表面未出现断裂或者明显断差的情况。

在一些示例性实施例中，将第一子区221和第二子区222之间的交线作为第一交线，将第一子区221和第一功能区21之间的交线作为第二交线，将第二子区222和第二堤坝部202的第一表面2022之间的交线作为第三交线，将第一功能区21和第一电极121的背离衬底基板10的表面之间的交线作为第四交线（即第一功能区21的远离第二功能区22的边缘）。将平行于第一方向X且与衬底基板10垂直的一个平面作为参考面，所述第一交线与所述参考面的交点为第一交点a1，所述第二交线与所述参考面的交点为第二交点a2，所述第三交线与所述参考面的交点为第三交点a3，所述第四交线与所述参考面的交点为第四交点a4。第一功能区21与所述参考面的交线可近似为第二交点a2与第四交点a4的曲线连线；第一子区221与所述参考面的交线可近似为连接第一交点a1与第二交点a2的第一弧线，第二子区222与所述参考面的交线可近似为连接第一交点a1与第三交点a3的第二弧线。

在所述参考面内，将经过第二交点a2和第三交点a3的直线作为第一参考线m1。在一些示例性实施例中，如图7A所示，第一子区221的曲率半径Rb可以等于第二子区222的曲率半径Ra，第一交点a1可以位于第一参考线m1上，所述第一弧线和所述第二弧线分别位于第一参考线m1的两侧。在另一些示例性实施例中，如图7B所示，第一子区221的曲率半径Rb可以小于第二子区222的曲率半径Ra，第一交点a1可以位于第一参考线m1的远离衬底基板10一侧。在又一些示例性实施例中，如图7C所示，第一子区221的曲率半径Rb可以大于第二子区222的曲率半径Ra，第一交点a1可以位于第一参考线m1的靠近衬底基板10一侧。

如图7D所示，当第一功能区21、第二功能区22的第一子区221和第二子区222的形状均为曲面时，将第二子区222的坡度角α定义为连接第一交点a1与第三交点a3的直线连线与平行于衬底基板10的平面之间的锐角夹角，将第一子区221的坡度角β定义为连接第一交点a1与第二交点a2的直线连线与平行于衬底基板10的平面之间的锐角夹角，将第一功能区21的坡度角γ定义为连接第二交点a2与第四交点a4的直线连线与平行于衬底基板10的平面之间的锐角夹角。图7D以第一交点a1位于第一参考线m1的远离衬底基板10一侧为例进行说明，但是，当第一交点a1位于第一参考线m1的靠近衬底基板10一侧，或者，第一交点a1位于第一参考线m1上时，第二子区222的坡度角α、第一子区221的坡度角β以及第一功能区21的坡度角γ的定义同样适用。

在一些示例性实施例中，如图7D所示，第一子区221的曲率半径Rb和第二子区222的曲率半径Ra可以满足：0≤|1/Ra-1/Rb| / |cosα-cosβ|<G/σ=K ；

其中，G代表与材料的重力有关的常数。

σ代表墨水的表面张力常数。

K代表具体状况下的工程标准参数。

本实施例中，取覆盖第一子区曲面和第二子区曲面邻接点最近邻的面积元，在两个曲面上分别作受力分析可得：

p1-p2=σ*（1/Ra-1/R），p1’-p2=σ*（1/Rb-1/R）

Ra和Rb分别为面积元在两个曲面接触点的曲率半径，p为液滴收到的压力，p1-p2，p1’-p2 分别为面积元在两个曲面上分别收到的的压力差。

整理可得：p1-p1’=σ*|1/Ra-1/Rb|。

通过局部曲率的设计，为实现较为良好的力学条件，使得液滴完整连续的被限制在高bank区间（即相邻的第二堤坝部之间），设计时我们利用重力的分力，需要满足：

p1-p1’=σ*|1/Ra-1/Rb|<G*|cosα-cosβ|，整理可得：

0≤|1/Ra-1/Rb| / |cosα-cosβ|<G/σ=K；

G为与墨滴的重力有关的数值，σ为墨滴表面张力常数，K为实现更好技术效果时的量产品实际选择的参数，此处选择为1.03<K<4.54为宜。当K值接近上限值时，可充分利用第二子区阻挡墨滴攀爬，阻挡效果好；当K值接近下限制时，两个子区的衔接区域不容易出现断裂，结构更稳固。

本公开实施例中，第一子区221和第二子区222的曲率半径满足上述关系，有利于使第二堤坝部202的第一侧面2021形态在结构上保持稳定，此外，在喷墨打印形成发光功能层123中的膜层时，第二功能区22仍可以有效阻挡墨水攀爬。

在一些示例性实施例中，第一子区221的曲率半径Rb可以在2.10微米至3.14微米之间，比如2.62微米。第二子区222的曲率半径Ra可以在1.14微米至1.71微米之间，比如1.43微米。

在一些示例性实施例中，第二功能区22与所述参考面的交线可作为第二功能区22拟合曲线（即所述第一弧线和所述第二弧线形成的曲线，可认为是S形曲线）。如图7D所示，在所述参考面内，第二功能区22是连续变化的曲线。

可选的，以第一电极121的被像素开口203暴露出的表面的几何中心在所述参考面上的正投影为坐标原点、第一方向X为X轴方向、第三方向Z（即垂直于衬底基板10的方向）为Z轴方向，建立平面直角坐标系，则，通过半曝光工艺使第二功能区22形成如下方向所代表的曲线：

Z=(Z2-Z1) ×arctan(X-X0)/a×Π+(Z2+Z1)/2；

其中，a为设计参数，满足条件使得第一功能区21与第二功能区22、第二功能区22与第二堤坝部202背离衬底基板10的第一表面2022（第二堤坝部202的平坦部分）连续变化即可；

Π为圆周率，可以取3.14；

Z1为第一功能区21在垂直于衬底基板10方向上的厚度；

Z2为第二堤坝部202的第一侧面2021在垂直于衬底基板10方向上的高度；

X0为第二功能区22的中心与坐标原点的距离。

在一些示例性实施例中，第一功能区21与所述参考面的交线可作为第一功能区21拟合曲线。如图7D所示，在所述参考面内，第一功能区21是连续变化的曲线。

可选的，以第一电极121的被像素开口203暴露出的表面的几何中心在所述参考面上的正投影为坐标原点、第一方向X为X轴方向、第三方向Z（即垂直于衬底基板10的方向）为Z轴方向，建立平面直角坐标系，则，通过半曝光工艺使第一功能区21形成如下方向所代表的曲线：

Z=(1/a)^(X±X0+L/2)+Z1-1；

其中，a为设计参数，满足条件使得第一功能区21与第二功能区22、第一功能区21与第一电极层连续变化即可；

Z1为第一功能区21在垂直于衬底基板10方向上的厚度；

L为第二功能区22在第一方向X上的宽度；

X0为第二功能区22的中心与坐标原点的距离。

在一些示例性实施例中，如图7D所示，像素开口203在第一方向X上的宽度D1在29.2um至30um之间。

在一些示例性实施例中，如图7D所示，有效发光区31在第一方向X上的宽度D2在26.7um至27.5um之间。

在一些示例性实施例中，如图7D所示，第二功能区22在第一方向X上的宽度L在0.95m至1.05um之间。

在一些示例性实施例中，如图7D所示，第二子区222在第一方向X上的宽度L1在0.52um至0.57um之间。

在一些示例性实施例中，如图7D所示，第一子区221在第一方向X上的宽度L2在0.43m至0.48um之间。

在一些示例性实施例中，如图7D所示，第一功能区21在第一方向X上的宽度L3在0.76m至0.81um之间。

在一些示例性实施例中，如图7D所示，第二堤坝部202的第二功能区22的中心与坐标原点的距离X0在10.5um至10.9um之间。

在一些示例性实施例中，如图7D所示，第二堤坝部202在垂直于衬底基板10方向上的厚度Z2在0.83um至1um之间。

在一些示例性实施例中，如图7D所示，第一功能区21在垂直于衬底基板10方向上的厚度Z1在0.14um至0.19um之间。

在一些示例性实施例中，如图7D所示，第二功能区22在垂直于衬底基板10方向上的厚度Z在0.71um至0.81um之间。

在一些示例性实施例中，如图7D所示，第一子区221在垂直于衬底基板10方向上的厚度Z3在0.33um至0.38um之间。

在一些示例性实施例中，如图7D所示，第二子区222在垂直于衬底基板10方向上的厚度Z4在0.38um至0.43um之间。

在一些示例性实施例中，平坦层在垂直于衬底基板10方向上的厚度在4um至4.4um之间。

图8A至8D为本公开实施例显示面板四种局部膜层剖面结构示意图，在一些示例性实施例中，如图2、图8A至图8D所示，该显示面板还可以包括设于封装结构层13的背离衬底基板10一侧的表面上的调光层14，彩色滤光层15和色阻层16设置在调光层14的背离衬底基板10一侧的表面上；封装结构层13的折射率大于调光层14的折射率，且第二色阻部162的折射率大于调光层14的折射率；封装结构层13的背离衬底基板10一侧的表面设有平坦部和曲面部40，曲面部40至少包括部分区域，该部分区域向远离衬底基板方向凸出，曲面部40在衬底基板10上的正投影与第二色阻部162在衬底基板10上的正投影存在交叠区域，且曲面部40在衬底基板10上的正投影与第一功能区21在衬底基板10上的正投影存在交叠区域。

本公开实施例中，由于封装结构层13设置了曲面部40，则调光层14的与封装结构层13接触的表面在对应于曲面部40的位置相应地形成凹陷部，调光层14在该凹陷部处形成凹透镜，且封装结构层13的折射率大于调光层14的折射率，这样，从封装结构层13的曲面部40射出的光线在经过调光层14射出后可以发生汇聚，杂光区32射出的杂光可以更多地被第二色阻部162吸收，从而可以减少所述杂光的出射，减少不同子像素间的串扰，且所述有效发光区31射出的光线可以更多地向靠近显示面板的正视角的方向汇聚。

在一些示例性实施例中，封装结构层13的背离衬底基板10一侧的表面可以设有多个曲面部40，每个曲面部40可以沿第二方向Y延伸。

在一些示例性实施例中，如图8B所示，曲面部40向远离衬底基板方向凸出的部分区域被平行于第一方向X且与衬底基板10垂直的一个平面所截得的截面，为第一椭圆的部分区域，第一椭圆的短半轴长度为a1，长半轴长度为b1，a1=H1/2，b1=L4/2，其中，H1为封装结构层13在平坦部处的厚度；L4为曲面部40在第一方向X上的宽度。

在一些示例性实施例中，如图8C所示，曲面部40向远离衬底基板方向凸出的部分区域被平行于第一方向X且与衬底基板10垂直的一个平面所截得的截面，为第二椭圆的部分区域，第二椭圆的短半轴长度为a2，长半轴长度为b2，a2=H2/2，b2=L4/2，其中，H2为封装结构层13在在垂直于衬底基板的方向上的最大厚度；L4为曲面部40在第一方向X上的宽度。

在一些示例性实施例中，如图8D所示，曲面部40可以包括在第一方向X上依次连接的第一曲面部42、过渡部43和第二曲面部44，第一曲面部42和第二曲面部44均至少存在部分区域在第三方向Z上凸出于过渡部43，曲面部40远离衬底基板一侧的表面位于第一椭圆远离衬底基板一侧的表面和第二椭圆远离衬底基板一侧的表面之间。

在一些示例性实施例中，如图8A所示，曲面部40可以包括在第一方向X上依次连接的第一斜坡部41、第一曲面部42、过渡部43、第二曲面部44和第二斜坡部45，第一曲面部42和第二曲面部44在第三方向Z上均凸出于过渡部43。

在一些示例性实施例中，过渡部43可以大致为平面，第一斜坡部41和第二斜坡部45可以为曲面或斜面。

在一些示例性实施例中，如图8A所示，第一斜坡部41的斜面倾角φ3可以在15°至25°之间，第二斜坡部45的斜面倾角φ4可以在15°至25°之间。

本文中，曲面上某点的坡度角是指曲面上该点处的切平面与平行于衬底基板10的平面之间的夹角，曲面的坡度角可理解为曲面上各点的坡度角所组成的坡度角范围。

在一些示例性实施例中，如图8A所示，曲面部40在过渡部43处的平均厚度H1可以在221.3nm至252.9nm之间。

在一些示例性实施例中，如图8A所示，曲面部40在第一曲面部42和第二曲面部44处的最大厚度H2可以在276.6nm至316.1nm之间。

在一些示例性实施例中，如图8A所示，过渡部43在衬底基板10上的正投影与第二色阻部162在衬底基板10上的正投影存在交叠区域。示例性地，过渡部43在衬底基板10上的正投影可以包含第二色阻部162在衬底基板10上的正投影。

在一些示例性实施例中，如图8F所示，在平行于第一方向X且与衬底基板10垂直的一个截面内，封装结构层13的曲面部40的截面面积S包括向远离衬底基板方向凸出的部分区域的面积S0以及未向远离衬底基板方向凸出的部分区域的面积S1，则曲面部40的截面面积S以及曲面部40向远离衬底基板方向凸出的部分区域的面积S0满足：S=S0+S1，πa1b1<S<πa2b2，πa1b1+S0<πa2b2；

其中，a1= H1/2，a2 > H2/2，b1=b2=L4/2；

H1为封装结构层13在平坦部处的厚度；

H2为封装结构层13在第三方向上的最大厚度；

L4为曲面部40在第一方向X上的宽度；

a1和b1分别为第一椭圆（即曲面部40最大内切椭圆）的短半轴长度和长半轴长度；

a2和b2分别为第二椭圆（即曲面部40最小外切椭圆）的短半轴长度和长半轴长度。

在一些示例性实施例中，彩色滤光层15的折射率可以大于调光层14的折射率。

在一些示例性实施例中，调光层14与封装结构层13接触的表面的面积大于调光层14与彩色滤光层15和色阻层16接触的表面的面积。

在一些示例性实施例中，如图8A和图8E所示，在第一方向X上相邻的两个不同颜色的子像素的滤光单元151的交叠部分形成第二色阻部162，在第一方向X上相邻的两个不同颜色的子像素的滤光单元151的交界面的斜面倾角φ在沿远离衬底基板10的方向上可以逐渐变大。

在一些示例性实施例中，在第一方向X上相邻的两个不同颜色的子像素的滤光单元151的交界面可以为曲面，或者可以包括多个连接的斜面。

在一些示例性实施例中，在第一方向X上相邻的两个不同颜色的子像素的滤光单元151的交界面的斜面倾角φ可以在10°至75°之间。

本公开实施例中，在第一方向X上相邻的两个不同颜色的子像素的滤光单元151的交界面具有一定的坡度，这样可以保证第二色阻部162在第一方向X上具有一定的宽度，斜面倾角φ在沿远离衬底基板10的方向上逐渐变大，这样，有利于在第一方向X上相邻的两个不同颜色的子像素的滤光单元151在交界位置处保持结构稳定。

在一些示例性实施例中，如图8A和8E所示，在第一方向X上相邻的两个不同颜色的子像素的滤光单元151的交界面在沿远离衬底基板10的方向上可以包括依次连接的第一交界面和第二交界面，第一交界面的斜面倾角φ1可以为28°至32°之间，第二交界面的斜面倾角φ2可以在55°至65°之间。在一些示例性实施例中，第一交界面和第二交界面可以为斜面。在另一些示例性实施例中，第一交界面和第二交界面也可以为曲面。

在一些示例性实施例中，封装结构层13可以为采用化学气相沉积（CVD）工艺形成的单一膜层，封装结构层13的材料可以包括氮（N）和硅（Si）元素。

在一些示例性实施例中，封装结构层13的平均厚度可以在4.24um至6.36um之间。示例性的，封装结构层13的平均厚度可以为5.3um左右。

在一些示例性实施例中，调光层14的材料可以包括碳（C）、氧（O）和硅（Si）元素。

在一些示例性实施例中，调光层14的平均厚度可以在6.72um至10.08um之间。示例性的，调光层14的平均厚度可以为8.4um左右。

在一些示例性实施例中，彩色滤光层15的材料可以包括碳（C）和铝（Al）元素。

在一些示例性实施例中，彩色滤光层15的平均厚度可以在1.84um至2.76um之间。示例性的，彩色滤光层15的平均厚度可以为2.3um左右。

在一些示例性实施例中，调光层14可以为粘合胶层，比如光学透明胶（OCR）。

在一些示例性实施例中，该显示面板还可以包括盖板，彩色滤光层15和色阻层16可以设置在所述盖板的一侧面上，所述盖板的设有彩色滤光层15和色阻层16的一侧通过调光层14粘合于封装结构层13的背离衬底基板10一侧。所述盖板可以为刚性或柔性透明材料，比如玻璃等。在制备显示面板时，可以分别制备第一基板和第二基板，第一基板包括衬底基板10以及在衬底基板10上依次叠层设置的驱动结构层11、发光结构层12、封装结构层13，第二基板包括第二基底以及在第二基底上依次设置的色阻层16和彩色滤光层15，然后，在第一基板和/或第二基板上涂覆粘合胶，形成调光层14，通过调光层14将第一基板和第二基板进行对位贴合，形成本公开实施例的显示面板。

在另一些示例性实施例中，彩色滤光层15和色阻层16可以直接形成在调光层14的背离衬底基板10的表面上。在制备显示面板时，可以在衬底基板10上依次制备驱动结构层11、发光结构层12、封装结构层13、调光层14、色阻层16和彩色滤光层15，在色阻层16和彩色滤光层15远离衬底基板的一侧设置盖板，形成本公开实施例的显示面板。

虽然图8A至图8E所示的显示面板均没有显示盖板的结构，但图8A至图8E所示的显示面板，可以使用上述任一种制备方法进行制备。

在一些示例性实施例中，平坦层PLN的材料可以包括碳（C）、氟（F）、氧（O）和氮（N）元素。

在一些示例性实施例中，第一电极层可以为单层结构或多层结构。

在一些示例性实施例中，第一电极层可以包括第一子第一电极层1211和设于第一子第一电极层1211的远离衬底基板一侧的第二子第一电极层1212，其中，第一子第一电极层1211的材料可以包括铝（Al）元素，第二子第一电极层1212的材料可以包括镱（Yb）、硅（Si）和氧（O）元素。

在一些示例性实施例中，第一子第一电极层1211的平均厚度大于第二子第一电极1212层的平均厚度。

在一些示例性实施例中，第一子第一电极层1211的平均厚度在164.8nm至247.2nm之间。示例性的，第一子第一电极层1211的平均厚度可以为206nm左右。

在一些示例性实施例中，第二子第一电极层1212的平均厚度在12.56nm至18.84nm之间。示例性的，第二子第一电极层1212的平均厚度可以为15.7nm左右。

在一些示例性实施例中，至少一个像素单元包括发射第一颜色光的第一子像素、发射第二颜色光的第二子像素、发射第三颜色光的第三子像素；

发射第一颜色光的第一子像素的发光功能层123的厚度大于发射第二颜色光的第二子像素的发光功能层123的厚度，发射第二颜色光的第二子像素的发光功能层123的厚度大于发射第三颜色光的第三子像素的发光功能层123的厚度。

在一些示例性实施例中，发射第一颜色光（比如红光）的第一子像素的发光功能层123的厚度可以在120.8nm至181.2nm之间，发射第二颜色光（比如绿光）的第二子像素的发光功能层123的厚度可以在83.2nm至124.8nm之间，发射第三颜色光（比如蓝光）的第三子像素的发光功能层123的厚度可以在46.4nm至69.6nm之间。

在一些示例性实施例中，发射第一颜色光（比如红光）的第一子像素的发光功能层123的厚度可以为151nm，发射第二颜色光（比如绿光）的第二子像素的发光功能层123的厚度可以为104nm，发射第三颜色光（比如蓝光）的第三子像素的发光功能层123的厚度可以为58nm。

在一些示例性实施例中，第二电极层可以为单层结构或多层结构。

在一些示例性实施例中，第二电极层可以包括第一子第二电极层1241和设于第一子第二电极层1241的远离衬底基板一侧的第二子第二电极层1242，其中，第一子第二电极层1241的材料可以包括铟（In）、锌（Zn）和氧（O）元素，第二子第二电极层1242的材料可以包括银（Ag）元素。

在一些示例性实施例中，第一子第二电极层1241的平均厚度大于第二子第二电极层1242的平均厚度。

在一些示例性实施例中，第一子第二电极层1241的平均厚度在63.28nm至94.92nm之间。示例性的，第一子第二电极层1241的平均厚度可以为79.1nm左右。

在一些示例性实施例中，第二子第二电极层1242的平均厚度在13.6nm至20.4nm之间。示例性的，第二子第二电极层1242的平均厚度可以为17nm左右。

图9为本公开实施例一种显示面板中的像素驱动电路驱动发光元件发光的示意图。如图9所示，每个子像素100包括像素驱动电路100a和发光元件100b，像素驱动电路100a与发光元件100b相连，像素驱动电路100a被配置为驱动发光元件100b。例如，像素驱动电路100a被配置为驱动发光元件100b发光。发光元件100b包括发光区。图1所示的像素排布是指子像素100中的发光元件100b的发光区域的设置位置。

图10为本公开实施例一个子像素中的像素驱动电路和发光元件的示意图。图11为本公开一实施例提供的显示面板的布局图。图11示出了显示面板DS1。图12为图11的沿线A1-A2的剖视图。图13A至图13G为图11中的显示面板的单层的平面图。图14A至图14D为图11中的显示面板的部分叠层的平面图。

在一些示例性实施例中，如图10和图11所示，在子像素100中，像素驱动电路100a包括第一晶体管T1（数据写入晶体管）、第二晶体管T2（复位晶体管）、第三晶体管T3（驱动晶体管）、第四晶体管T4（复位晶体管）、以及存储电容20，发光元件100b与第三晶体管T3相连。第二晶体管T2被配置为对第三晶体管T3的栅电极T3g进行复位，第四晶体管T4被配置为对发光元件100b的第一电极E1进行复位。如图10和图11所示，存储电容20至少包括第一极板2010和第二极板2020。在一些示例性实施例中，第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3和第四晶体管T4均为N型晶体管。在另一些示例性实施例中，第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3和第四晶体管T4中的至少一个晶体管为P型晶体管。

如图10和图11所示，显示面板包括第一栅线G1、第二栅线G2、第三栅线G3、数据线DT、第一电源线PL1、第二电源线PL2、第一初始信号线INT1、第二初始信号线INT2等。第二栅线G2和第三栅线G3也可称作复位控制信号线RST。例如，第一电源线PL1被配置为向子像素100提供恒定的第一电压信号VDD，第二电源线PL2被配置为向子像素100提供恒定的第二电压信号VSS，并且第一电压信号VDD大于第二电压信号VSS。第一栅线G1被配置为向子像素100提供扫描信号SCAN，第二栅线G2被配置为向子像素100提供第一复位控制信号RESET1，第三栅线G3被配置为向子像素100提供第二复位控制信号RESET2，数据线DT被配置为向子像素100提供数据信号（数据电压）DATA。第一初始信号线INT1被配置为向子像素100提供第一初始化信号Vinit1。第二初始信号线INT2被配置为向子像素100提供第二初始化信号Vinit2。例如，第一初始化信号Vinit1和第二初始化信号Vinit2为恒定的电压信号，其大小例如可以介于第一电压信号VDD和第二电压信号VSS之间，但不限于此，例如，第一初始化信号Vinit1和第二初始化信号Vinit2可均小于或等于第二电压信号VSS。例如，在本公开的一些实施例中，第一初始信号线INT1和第二初始信号线INT2相连，均被配置为向子像素100提供初始化信号Vinit，即，第一初始信号线INT1和第二初始信号线INT2均称作初始化信号线INT，第一初始化信号Vinit1和第二初始化信号Vinit2相等，均为Vinit，但不限于此。在另一些实施例中，第一初始信号线INT1和第二初始信号线INT2彼此绝缘以提供不同的初始化信号。

如图10和图11所示，第三晶体管T3与发光元件100b电连接，并在扫描信号SCAN、数据信号DATA、第一电压信号VDD、第二电压信号VSS等信号的控制下输出驱动电流以驱动发光元件100b发光。

例如，发光元件100b包括有机发光二极管（OLED），发光元件100b在其对应的像素驱动电路100a的驱动下发出红光、绿光、蓝光，或者白光等。

在一些示例性实施例中，如图10和图11所示，发光元件100b的第一电极E1与第三晶体管T3的第一极T3a相连，发光元件100b的第二电极E2与第二电源线PL2相连，第三晶体管T3的第二极T3b与第一电源线PL1相连，第三晶体管T3的栅电极T3g与第一晶体管T1的第二极T1b相连，第一晶体管T1的第一极T1a与数据线DT相连，第一晶体管T1的栅电极T1g与第一栅线G1相连。

在一些示例性实施例中，如图10和图11所示，第三晶体管T3的栅电极T3g与存储电容20的第一极板2010相连，存储电容20的第二极板2020与第三晶体管T3的第一极T3a相连。存储电容20的第一极板2010还与第一晶体管T1的第二极T1b相连。

在一些示例性实施例中，如图10和图11所示，第二晶体管T2的第一极T2a与第一初始信号线INT1相连，第二晶体管T2的第二极T2b与第三晶体管T3的栅电极T3g相连，第二晶体管T2的栅电极T2g与第二栅线G2相连。

在一些示例性实施例中，如图10和图11所示，第四晶体管T4的第一极T4a与第二初始信号线INT2相连，第四晶体管T4的第二极T4b与发光元件100b的第一电极E1相连，第四晶体管T4的栅电极T4g与第三栅线G3相连。

在一些示例性实施例中，如图12所示，显示面板包括衬底基板BS、位于衬底基板BS上的阻隔层BR、缓冲层BF。如图12所示，在缓冲层BF上设置有源半导体层LY0、位于有源半导体层LY0上的栅绝缘层GI，第一导电图案层LY1位于栅绝缘层GI上，层间绝缘层ILD位于第一导电图案层LY1上，第二导电图案层LY2位于层间绝缘层ILD上，绝缘层ISL位于第二导电图案层LY2上，第一电极层LY3位于绝缘层ISL上。图12还示出了有源半导体层LY0中的第三晶体管T3的沟道T3s。

如图11和图12所示，显示面板还包括像素界定层PDL，子像素100包括多个像素开口P0，像素开口P0被配置为暴露第一电极E1的至少一部分，像素开口P0被配置为限定子像素100的发光区。

在一些示例性实施例中，像素界定层PDL的限定像素开口P0的部分的斜面倾角为40-65度。

在本公开的实施例中，平面图示出了第一方向X和第二方向Y，截面图示出了第三方向Z。第一方向X和第二方向Y均为平行于衬底基板BS的主表面的方向。第三方向Z为垂直于衬底基板BS的主表面的方向。例如，第一方向X和第二方向Y相交。本公开的实施例以第一方向X和第二方向Y垂直为例进行说明。如图12所示，衬底基板BS的主表面为衬底基板BS的制作各个元件的表面。如图12所示，衬底基板BS的上表面为衬底基板BS的主表面。

在一些示例性实施例中，如图11所示，多个子像素100包括第一子像素101、第二子像素102、以及第三子像素103，并且第一子像素101、第二子像素102、以及第三子像素103沿第一方向X依次排列。当然，一个像素内的子像素也可以采用其他的排布方式。

图13G示出了第一子像素101的像素开口P01、第二子像素102的像素开口P02、以及第三子像素103的像素开口P03。在一些示例性实施例中，像素开口P01可称作第一像素开口P01，像素开口P02称作第二像素开口P02，像素开口P03称作第三像素开口P03。

图13A示出了有源半导体层LY0。在一些示例性实施例中，有源半导体层LY0包括多晶硅，但不限于此。

图13B示出了第一导电图案层LY1。在一些示例性实施例中，如图13B所示，第一导电图案层LY1包括第一极板2010、第一连接电极CEa、第二连接电极CEb、第三连接电极CEc、第四连接电极CEd、第五连接电极CEe。

图13C示出了层间绝缘层ILD，以层间绝缘层ILD中的过孔示出。图13C示出了第一过孔V1至第十一过孔V11、以及第十二过孔Va至第二十一过孔Vj。

图13D示出了第二导电图案层LY2。在一些示例性实施例中，如图13D所示，第二导电图案层LY2包括第二极板2020、以及第六连接电极CEf。

图13E示出了绝缘层ISL，以绝缘层ISL中的过孔VH示出。在一些示例性实施例中，如图13E所示，绝缘层ISL中的过孔VH包括第二十二过孔VH1、第二十三过孔VH2、以及第二十四过孔VH3。

图13F示出了发光元件的第一电极层LY3。图13F示出了三个第一电极E1。

图13G示出了像素界定层PDL，以像素界定层PDL中的像素开口P0示出。显示面板采用喷墨打印工艺制作发光功能层FL中的至少一个膜层时，喷墨打印制作的膜层位于像素界定层PDL的像素开口P0中。

在一些示例性实施例中，如图10、图11、图13A至图13G、图14A至图14D所示，第一连接电极CEa通过第九过孔V9与第三栅线G3相连，第一连接电极CEa作为第四晶体管T4的栅电极。

在一些示例性实施例中，如图10、图11、图13A至图13G、图14A至图14D所示，第二连接电极CEb的一端通过第十一过孔V11与第二初始信号线INT2相连，第二连接电极CEb的另一端通过第十过孔V10与第四晶体管T4的第一极T4a相连。

在一些示例性实施例中，如图10、图11、图13A至图13G、图14A至图14D所示，第三连接电极CEc通过第十二过孔V12与第一栅线G1相连，第三连接电极CEc作为第一晶体管T1的栅电极。

在一些示例性实施例中，如图10、图11、图13A至图13G、图14A至图14D所示，第四连接电极CEd通过第六过孔V6与第二栅线G2相连，第四连接电极CEd作为第二晶体管T2的栅电极。

在一些示例性实施例中，如图10、图11、图13A至图13G、图14A至图14D所示，第五连接电极CEe的一端通过第七过孔V7与第一初始信号线INT1相连，第五连接电极CEe的另一端通过第八过孔V8与第二晶体管T2的第一极T2a相连。

在一些示例性实施例中，如图10、图11、图13A至图13G、图14A至图14D所示，第六连接电极CEf的一端通过第三过孔V3与第一极板2010相连，第六连接电极CEf的另一端通过第五过孔V5与第一晶体管T1的第二极T1b相连。

图14B示出了第一晶体管T1的沟道T1s、第二晶体管T2的沟道T2s、第三晶体管T3的沟道T3s、以及第四晶体管T4的沟道T4s。

在本公开的实施例中，位于第二导电图案层LY2中的元件可以与位于第一导电图案层LY1中的元件、位于有源半导体层LY0中的元件通过过孔相连，位于第一导电图案层LY1中的元件和位于有源半导体层LY0中的元件可以通过位于第二导电图案层LY2中的元件相连。

在一些示例性实施例中，过孔贯穿的绝缘层可依据通过该过孔连接的两个导电图案层之间的绝缘层的情况来定。

在一些示例性实施例中，根据本公开的一些实施例提供的显示面板DS1，采用有源半导体层LY0、第一导电图案层LY1和第二导电图案层LY2来形成像素驱动电路100a，以简化制作工艺，并降低显示面板的厚度。第一初始信号线INT1、第二初始信号线INT2、和/或第一电源线PL1可称作导电结构40，导电结构40包括第一信号线411和信号连接线412，导电结构40被配置为向子像素100提供电压信号，第一信号线411沿第一方向X延伸，信号连接线412沿第二方向Y延伸，信号连接线412与第一信号线411电连接。

在一些示例性实施例中，如图11所示，导电结构40采用网状结构，分别包括沿第二方向Y延伸的部分（即信号连接线412）和沿第一方向X延伸的部分（即第一信号线411）。

在一些示例性实施例中，如图11所示，导电结构40包括第一导电结构400、第二导电结构401以及第三导电结构402。如图11所示，第一电源线PL1可称作第一导电结构400，第一初始信号线INT1可称作第二导电结构401，第二初始信号线INT2可称作第三导电结构402。

在一些示例性实施例中，如图11所示，第一电源线PL1包括沿第一方向X延伸的第一电源信号线PL11和沿第二方向Y延伸的第一电源连接线PL12，第一电源信号线PL11和第一电源连接线PL12相连。

在一些示例性实施例中，如图11所示，第一初始信号线INT1包括沿第一方向X延伸的第一子初始信号线INT11和沿第二方向Y延伸的第一初始化连接线INT12，第一子初始信号线INT11和第一初始化连接线INT12相连。如图11所示，第一子初始信号线INT11和第一初始化连接线INT12通过第二十一过孔Vj相连。

在一些示例性实施例中，如图11所示，第二初始信号线INT2包括沿第一方向X延伸的第二子初始信号线INT21和沿第二方向Y延伸的第二初始化连接线INT22，第二子初始信号线INT21和第二初始化连接线INT22相连。如图11所示，第二子初始信号线INT21和第二初始化连接线INT22通过第二十过孔Vi相连。

在一些示例性实施例中，如图11所示，因采用两个导电图案层来形成像素驱动电路100a的第一电源线PL1、第一初始信号线INT1、第二初始信号线INT2、以及电容20。第一电源线PL1、第一初始信号线INT1、以及第二初始信号线INT2沿第二方向Y延伸的部分均分段形成。第一电源线PL1、第一初始信号线INT1、以及第二初始信号线INT2沿第一方向X延伸的部分均位于第二导电图案层LY2。

在一些示例性实施例中，如图11所示，信号连接线412包括第一部分412a、第二部分412b和第三部分412c，第一部分412a和第三部分412c通过第二部分412b相连，第一部分412a和第三部分412c位于第一导电图案层LY1，第二部分412b位于第二导电图案层LY2。信号连接线412包括第一电源连接线PL12、第一初始化连接线INT12、以及第二初始化连接线INT22至少之一。

在一些示例性实施例中，如图11所示，第一电源连接线PL12的第一部分和第二部分通过第十二过孔Va相连，第一电源连接线PL12的第二部分和第三部分通过第十三过孔Vb相连。

在一些示例性实施例中，如图11所示，第二初始化连接线INT22的第一部分和第二部分通过第十六过孔Ve相连，第二初始化连接线INT22的第二部分和第三部分通过第十七过孔Vf相连。

在一些示例性实施例中，如图11所示，第一初始化连接线INT12的第一部分和第二部分通过第十八过孔Vg相连，第一初始化连接线INT12的第二部分和第三部分通过第十九过孔Vh相连。

在一些示例性实施例中，如图11所示，数据线DT沿第二方向Y延伸，数据线DT也分段形成，数据线DT包括第一部分DTa、第二部分DTb和第三部分DTc，第一部分DTa和第三部分DTc通过第二部分DTb相连，第一部分DTa和第三部分DTc位于第一导电图案层LY1，第二部分DTb位于第二导电图案层LY2。

图15为本公开的一实施例提供显示面板的布局图。图15示出了显示面板DS2。

图15所示的显示面板DS2与图11所示的显示面板DS1相比，调整了像素界定层PDL的像素开口P0的尺寸。如图15所示，第三子像素103的像素开口P0的沿第一方向X的尺寸大于第二子像素102的像素开口P0的沿第一方向X的尺寸，并且大于第一子像素101的像素开口P0的沿第一方向X的尺寸。如图15所示，第三子像素103的像素开口P0的沿第一方向X的尺寸大于第一子像素101的像素开口P0的沿第一方向X的尺寸，第一子像素101的像素开口P0的沿第一方向X的尺寸大于第二子像素102的像素开口P0的沿第一方向X的尺寸。

图15所示的显示面板DS2与图11所示的显示面板DS1相比，调整了第二子像素102的像素开口P0的沿第一方向X的尺寸，以利于增加第三子像素103的像素开口P0的沿第一方向X的尺寸。

在一些示例性实施例中，如图15所示，第二子像素102的像素开口P0在衬底基板上的正投影与第一初始信号线INT1的第二部分（第一初始化连接线INT12的位于第二导电图案层LY2的部分）在衬底基板上的正投影不交叠，并且与第二初始信号线INT2的第二部分（第二初始化连接线INT22的位于第二导电图案层LY2的部分）在衬底基板上的正投影不交叠。

图15所示的显示面板DS2与图11所示的显示面板DS1相比，在第一方向X上，第三子像素103的像素开口P0的相对的两个边缘向左向右分别扩展。例如，在第一方向X上，第三子像素103的像素开口P0的相对的两个边缘中的一个超出该第三子像素103提供数据信号的数据线，第三子像素103的像素开口P0的相对的两个边缘中的另一个超出该第三子像素103交叠的第一电源连接线PL12，或与其齐平，当然，在其他的实施例中，第三子像素103的像素开口P0的相对的两个边缘中的另一个和与该第三子像素103交叠的第一电源连接线PL12交叠。从而，利于减轻显示面板的左右视角的色偏。

在一些示例性实施例中，如图11和图15所示，数据线DT包括第一数据线DT1、第二数据线DT2、以及第三数据线DT3。第一数据线DT1为第一子像素101提供数据信号，第二数据线DT2为第二子像素102提供数据信号，第三数据线DT3为第三子像素103提供数据信号。

图16A为本公开的实施例提供的显示面板中的像素界定层的平面图。图16B为本公开的实施例提供的显示面板中的像素界定层的平面图。在一些示例性实施例中，如图16A和图16B所示，像素界定层PDL包括多个第一堤坝部301和多个第二堤坝部302，多个第一堤坝部301沿第一方向X排列，第二堤坝部302沿第二方向Y延伸，多个第一堤坝部301设置为多个组0301，每组第一堤坝部301位于相邻两个第二堤坝部302之间，第一堤坝部301沿第一方向X延伸，每组中的第一堤坝部301沿第二方向Y排列。

在一些示例性实施例中，如图12、图16A和图16B所示，第一堤坝部301到平坦化层的最大高度h1小于第二堤坝部302到平坦化层的最大高度h2。

图17为本公开一实施例提供的显示面板的示意图。在一些示例性实施例中，如图17所示，衬底基板BS包括显示区R01和位于显示区R01的至少一侧的周边区R02。如图17所示，数据线DT的位于显示区R01的部分DT01在衬底基板BS上的正投影位于第二堤坝部302在衬底基板BS上的正投影内。如图17所示，显示区R01在衬底基板BS上的正投影与像素界定层PDL在衬底基板BS上的正投影部分交叠。像素界定层PDL的像素开口P0在衬底基板BS上的正投影落入显示区R01在衬底基板BS上的正投影内。

图17仅示出了两条数据线DT。例如，第二堤坝部302可对应一条数据线，但不限于此。

在本公开的实施例中，像素驱动电路不限于图10所示，可以采用其他适合的像素驱动电路，并且显示面板的布局图也不限于图11和图15所示，可以在图11和图15的基础上调整，也可以采用其他的布局方式。例如，图11中的第一初始信号线INT1的第一初始化连接线INT12和第二初始信号线INT2的第二初始化连接线INT22的位置可以对调。

如图11和图12所示，根据本公开的实施例提供一种显示面板，显示面板包括：衬底基板BS和设置在衬底基板BS上的多个子像素100。

在一些示例性实施例中，如图11和图12所示，子像素100包括：像素驱动电路100a，像素驱动电路100a包括存储电容20，第一极板2010比第二极板2020更靠近衬底基板BS；以及发光元件100b，发光元件100b包括第一电极E1、第二电极E2以及位于第一电极E1和第二电极E2之间的发光功能层FL，像素驱动电路100a被配置为驱动发光元件100b。

图18为本公开的一实施例提供的显示面板的平面图。在一些示例性实施例中，如图18所示，像素开口P0在衬底基板BS上的正投影与第二极板2020在衬底基板BS上的正投影部分交叠。

在一些示例性实施例中，如图18所示，第二极板2020包括沿第二方向Y延伸的第一边缘CL1和沿第二方向Y延伸的第二边缘CL2，像素开口P0包括沿第二方向Y延伸的第一边缘KL1和沿第二方向Y延伸的第二边缘KL2，第二极板2020的第一边缘CL1比第二极板2020的第二边缘CL2更靠近像素开口P0的第一边缘KL1，第二极板2020的第二边缘CL2比第二极板2020的第一边缘CL1更靠近像素开口P0的第二边缘KL2。

在一些示例性实施例中，如图18所示，第二极板2020还包括沿第一方向X延伸的第三边缘CL3和沿第一方向X延伸的第四边缘CL4，像素开口P0包括沿第一方向X延伸的第三边缘KL3和沿第一方向X延伸的第四边缘KL4。

在一些示例性实施例中，如图18所示，第三边缘CL3在衬底基板上的正投影位于像素开口P0在衬底基板上的正投影的外侧。

在一些示例性实施例中，如图18所示，第四边缘CL4在衬底基板上的正投影位于像素开口P0在衬底基板上的正投影内。

在一些示例性实施例中，如图18所示，第一边缘CL1和第二边缘CL2相对设置，第三边缘CL3与第一边缘CL1和第二边缘CL2分别通过圆角相连。第三边缘CL3和第四边缘CL4相对设置，第四边缘CL4与第一边缘CL1和第二边缘CL2分别通过圆角相连。当然，在其他的实施例中，开口的相邻边缘之间也可以不通过圆角相连。

在一些示例性实施例中，图10所示的像素驱动电路中，第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3和第四晶体管T4可以均为N型晶体管，并可以采用低温多晶硅（LTPS）工艺形成。

在一些示例性实施例中，图10所示的像素驱动电路可以采用图19所示的驱动时序进行驱动。如图19所示，第一栅线G1、第二栅线G2和第三栅线G3分别连接不同的栅极驱动电路（GOA电路），从而为像素驱动电路提供不同的扫描信号。在第一阶段A1，第二栅线G2和第三栅线G3提供高电平信号，第一栅线G1提供低电平信号；在第二阶段A2，第二栅线G2提供高电平信号，第一栅线G1和第三栅线G3提供低电平信号；在第三阶段A3，第一栅线G1、第二栅线G2和第三栅线G3均提供低电平信号；在第四阶段A4，第一栅线G1提供高电平信号，第二栅线G2和第三栅线G3均提供低电平信号。

在一些示例性实施例中，如图10、图11、图13A至图13G、图14A至图14D所示，第一栅线G1、第二栅线G2和第三栅线G3位于第二导电图案层LY2，第一极板2010、第一连接电极CEa、第二连接电极CEb、第三连接电极CEc、第四连接电极CEd、第五连接电极CEe位于第一导电图案层LY1，第三连接电极CEc作为第一晶体管T1的栅电极，第三连接电极CEc通过层间绝缘层ILD上的第十二过孔V12与第一栅线G1相连；第四连接电极CEd作为第二晶体管T2的栅电极，第四连接电极CEd通过层间绝缘层ILD上的第六过孔V6与第二栅线G2相连；第一连接电极CEa作为第四晶体管T4的栅电极，第一连接电极CEa通过层间绝缘层ILD上的第九过孔V9与第三栅线G3相连。

在一些示例性实施例中，如图10、图11、图13A至图13G、图14A至图14D所示，第一电源线PL1包括沿第一方向X延伸的第一电源信号线PL11和沿第二方向Y延伸的第一电源连接线PL12，第一电源信号线PL11和第一电源连接线PL12相连。第一电源连接线PL12包括依次连接的第一部分、第二部分和第三部分，第一电源信号线PL11和第一电源连接线PL12的第二部分位于第二导电图案层LY2，第一电源连接线PL12的第一部分和第三部分位于第一导电图案层LY1。第一电源信号线PL11和第一电源连接线PL12的第二部分直接相连，第一电源连接线PL12的第一部分和第二部分通过第十二过孔Va相连，第一电源连接线PL12的第二部分和第三部分通过第十三过孔Vb相连。

在一些示例性实施例中，如图10、图11、图13A至图13G、图14A至图14D所示，第一初始信号线INT1包括沿第一方向X延伸的第一子初始信号线INT11和沿第二方向Y延伸的第一初始化连接线INT12，第一子初始信号线INT11和第一初始化连接线INT12相连。第一初始化连接线INT12包括依次连接的第一部分、第二部分和第三部分，第一子初始信号线INT11以及第一初始化连接线INT12的第二部分位于第二导电图案层LY2，第一初始化连接线INT12的第一部分和第三部分位于第一导电图案层LY1。第一子初始信号线INT11和第一初始化连接线INT12的第一部分通过第二十一过孔Vj相连，第一初始化连接线INT12的第一部分和第二部分通过第十八过孔Vg相连，第一初始化连接线INT12的第二部分和第三部分通过第十九过孔Vh相连。

在一些示例性实施例中，如图10、图11、图13A至图13G、图14A至图14D所示，第二初始信号线INT2包括沿第一方向X延伸的第二子初始信号线INT21和沿第二方向Y延伸的第二初始化连接线INT22，第二子初始信号线INT21和第二初始化连接线INT22相连。第二初始化连接线INT22包括依次连接的第一部分、第二部分和第三部分，第二子初始信号线INT21以及第二初始化连接线INT22的第二部分位于第二导电图案层LY2，第二初始化连接线INT22的第一部分和第三部分位于第一导电图案层LY1。第二子初始信号线INT21和第二初始化连接线INT22的第三部分通过第二十过孔Vi相连，第二初始化连接线INT22的第一部分和第二部分通过第十六过孔Ve相连，第二初始化连接线INT22的第二部分和第三部分通过第十七过孔Vf相连。

本公开实施例中，第一电源线PL1、第一初始信号线INT1以及第二初始信号线INT2均形成网格状，这样降低了走线电阻。

在一些示例性实施例中，第一初始信号线INT1可以沿第二方向Y延伸，第一初始信号线INT1可以通过同一行的多个子像素的晶体管的有源层所在的半导体层与每行子像素的第二晶体管T2的第一极连接。

在一些示例性实施例中，存储电容Cst可以为并联电容，存储电容Cst包括所述第一极板和所述第二极板，还包括第三极板，在垂直于衬底基板10的方向上，所述第二极板和所述第三极板分别位于所述第一极板的两侧，且所述第二极板和所述第三极板通过过孔连接。所述第二极板和所述第一极板在衬底基板上的正投影存在交叠区域，所述第三极板和所述第一极板在衬底基板上的正投影存在交叠区域。即，所述第二极板和所述第一极板形成第一电容，所述第三极板和所述第一极板形成第二电容，所述存储电容Cst包括并联的第一电容和第二电容，这样可以增大所述存储电容Cst的电容值。示例性地，所述第二极板可以位于所述第一极板的靠近衬底基板10的一侧，所述第三极板可以位于所述第一极板的远离衬底基板10的一侧。例如，第一极板可以位于第一导电图案层LY1，第二极板可以位于有源半导体层LY0，第三极板可以位于第二导电图案层LY2，第二极板和第三极板通过过孔相连。

本公开实施例对像素驱动电路的电容形状、进线方式、跨接方式、布孔位置、晶体管朝向以及列线顺序不作限制，可以根据需要进行调整。

图20为本公开另一些示例性实施例的像素驱动电路的等效电路图，在另一些示例性实施例中，如图20所示，像素驱动电路可以为5T1C结构，包括第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5和存储电容Cst。该显示面板包括第一栅线G1、第二栅线G2、数据线Data、初始化信号线VIN、发光信号线EN、第一电源线VDD和第二电源线VSS。第一晶体管T1的栅电极与第一栅线G1连接，第一晶体管T1的第一极与数据线Data连接，第一晶体管T1的第二极与第二晶体管T2的第二极、第三晶体管T3的栅电极、第五晶体管T5的栅电极以及存储电容Cst的第一极板连接，第二晶体管T2的栅电极与第二栅线G2连接，第二晶体管T2的第一极与初始化信号线VIN连接，第四晶体管T4的栅电极与发光信号线EN连接，第四晶体管T4的第一极与第一电源线VDD连接，第四晶体管T4的第二极与第三晶体管T3的第一极连接，第三晶体管T3的第二极与第五晶体管T5的第一极连接，第五晶体管T5的第二极与存储电容Cst的第二极板和OLED发光器件的第一电极121连接，OLED发光器件的第二电极124与第二电源线VSS连接。本公开实施例的像素驱动电路不限于本示例的5T1C结构。

如图20所示，每个子像素包括像素驱动电路和发光器件。第一栅线G1配置为向子像素提供扫描信号，第二栅线G2配置为向子像素提供复位控制信号。初始化信号线VIN配置为向子像素提供初始化信号。数据线Data配置为向子像素提供数据电压。发光信号线EN配置为向子像素提供发光控制信号。第一电源线VDD配置为向子像素提供恒定的第一电压信号，第二电源线VSS配置为向子像素提供恒定的第二电压信号，第一电压信号大于第二电压信号。其中，所述初始化信号为恒定的电压信号，可以均小于或等于所述第二电压信号。第二晶体管T2配置为在第二栅线G2提供的复位控制信号下导通，初始化信号线VIN通过导通的第二晶体管T2对存储电容Cst、第三晶体管T3的栅电极和第五晶体管T5的栅电极进行复位。第一晶体管T1配置为在第一栅线G1提供的扫描信号下导通，数据线Data通过导通的第一晶体管T1将数据电压写入存储电容Cst、第三晶体管T3的栅电极和第五晶体管T5的栅电极。第四晶体管T4配置为在发光信号线EN提供的发光控制信号下导通。第五晶体管T5在第一栅线G1、数据线Data、发光信号线EN、第一电源线VDD和第二电源线VSS的控制下输出驱动电流并驱动OLED发光器件发光。示例性地，第四晶体管T4可以为P型晶体管，第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3和第五晶体管T5可以均为N型晶体管。

图21为在另一些示例性实施例中采用图20的像素驱动电路的多个子像素的平面结构示意图，图21示意了位于同一行的三个子像素，在一些示例性实施例中，如图21所示，第一栅线G1、第二栅线G2和发光信号线EN可以均沿第一方向X延伸，数据线Data沿第二方向Y延伸。每个子像素的像素驱动电路1011可以位于相邻两个第一栅线G1（图21示出了本行子像素的第一栅线G1，未示出下一行子像素的第一栅线G1）和相邻两个数据线Data限定的区域内。每个子像素的像素驱动电路1011与所在的子像素行的第一栅线G1、第二栅线G2和发光信号线EN连接，并与所在的子像素列的数据线Data连接。每个子像素的第二栅线G2位于相邻的两个第一栅线G1之间，第二栅线G2靠近本行（第n行）子像素的第一栅线G1设置，发光信号线EN可以位于第二栅线G2和下一行（第n+1行）子像素的第一栅线G1之间，并靠近下一行（第n+1行）子像素的第一栅线G1设置。初始化信号线VIN和第一电源线VDD可以均为网格状结构，这样可以降低电阻。初始化信号线VIN可以包括沿第一方向X延伸的第一初始信号线VIN-1和沿第二方向Y延伸的第二初始信号线VIN-2，第一初始信号线VIN-1和第二初始信号线VIN-2可以同层设置并连接，或者不同层设置并通过过孔连接。第一初始信号线VIN-1可以位于第一栅线G1和第二栅线G2之间，并与同一行的多个子像素的第二晶体管T2的第一极连接。第一电源线VDD可以包括沿第一方向X延伸的第三连接线VDD-1和沿第二方向Y延伸的第四连接线VDD-2，第三连接线VDD-1和第四连接线VDD-2可以同层设置并连接，或者不同层设置并通过过孔连接。第三连接线VDD-1可以位于发光信号线EN的远离第二栅线G2的一侧，第三连接线VDD-1与同一行的多个子像素的第四晶体管T4的第一极连接。

在一些示例性实施例中，图20所示的像素驱动电路可以采用图22所示的驱动时序进行驱动。如图22所示，第一栅线G1和第二栅线G2分别连接不同的栅极驱动电路（GOA电路），从而为像素驱动电路提供不同的扫描信号。在第一阶段t01，发光信号线EN、初始化信号线VIN、第二栅线G2和第一栅线G1均提供低电平信号；在第二阶段t02，发光信号线EN、初始化信号线VIN均提供高电平信号，第二栅线G2和第一栅线G1均提供低电平信号；在第三阶段t03，发光信号线EN、初始化信号线VIN由高电平信号转为低电平信号，第一栅线G1提供低电平信号，第二栅线G2提供高电平信号；在第四阶段t04，发光信号线EN、初始化信号线VIN、第二栅线G2和第一栅线G1均提供低电平信号；在第五阶段t05，发光信号线EN、初始化信号线VIN和第二栅线G2均提供低电平信号，第一栅线G1提供高电平信号；在第六阶段t06，发光信号线EN、初始化信号线VIN、第二栅线G2和第一栅线G1均提供低电平信号。

在一些示例性实施例中，该显示面板的非显示区102可以设置有时序控制器、数据驱动电路和扫描驱动电路。其中，扫描驱动电路可以设置在显示区101的相对两侧（例如，在第一方向X上显示区101的两侧），时序控制器和数据驱动电路可以设置在显示区101的一侧（例如，在第二方向Y上显示区101的一侧）。扫描驱动电路配置为通过多条栅线向多行子像素提供扫描信号（控制信号），扫描驱动电路可以为集成电路芯片或者为直接制备在显示面板上的栅极驱动电路（GOA）。数据驱动电路配置为通过多条数据线向多列子像素提供数据信号。时序控制器配置为控制扫描驱动电路施加扫描信号，以及控制数据驱动电路施加数据信号。

示例性地，该显示面板的非显示区102还可以设置有阴极环，阴极环为环状并环绕显示区101设置。所述阴极环与所述第二电源线VSS连接，并与第二电极连接，所述第二电源线VSS通过所述阴极环向第二电极124提供信号。示例性地，所述阴极环可以与第一电极121同层设置，所述阴极环可以通过像素界定层122设置的过孔与第二电极124连接。所述第二电源线VSS可以与像素驱动电路中的多个晶体管的第一极和第二极同层设置，并通过过孔与所述阴极环连接。

示例性地，该显示面板的非显示区102还可以设置有盒测试（Cell Test，CT）单元和静电释放（ESD）单元等。CT单元配置为对显示面板的显示画面、裂纹情况等进行检测，以及时发现并排除不良品。ESD单元配置为对显示面板的一些信号线（比如数据线、栅线等）上积聚的静电进行释放，起到保护电路的作用。

本公开实施例还提供一种显示装置，包括前文任一实施例所述的显示面板。显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。

虽然本公开所揭露的实施方式如上，但所述的内容仅为便于理解本公开而采用的实施方式，并非用以限定本公开。任何本公开所属领域内的技术人员，在不脱离本公开所揭露的精神和范围的前提下，可以在实施的形式及细节上进行任何的修改与变化，但本公开的专利保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。

Claims (69)

1.一种显示面板，其特征在于，包括衬底基板、以及在所述衬底基板上依次设置的驱动结构层、发光结构层和封装结构层，所述发光结构层包括第一电极层、像素界定层、发光功能层和第二电极层，所述第一电极层包括第一电极，所述第二电极层包括第二电极；所述显示面板还包括多个像素单元，每个所述像素单元至少包括一个子像素，其中，所述子像素配置有像素驱动电路、至少一根数据线、至少一根电源线和至少一根控制线，所述像素驱动电路与所述第一电极和/或所述第二电极耦接；所述像素驱动电路包括：至少一个晶体管，所述晶体管至少包括沟道区、栅电极、源电极和漏电极，所述控制线被配置为输出控制信号以控制栅电极打开并连通所述源电极和漏电极，或者控制栅电极关断并断连所述源电极和漏电极；

所述驱动结构层包括平坦层，所述平坦层位于所述像素驱动电路远离所述衬底基板的一侧，所述平坦层设有第一过孔，所述第一电极通过所述第一过孔与所述像素驱动电路连接；

所述像素界定层，位于所述平坦层远离所述衬底基板的一侧；所述像素界定层至少包括第一堤坝部和第二堤坝部，所述第一堤坝部沿第一方向延伸，所述第二堤坝部沿第二方向延伸，所述第一方向与第二方向相交，所述第一堤坝部和第二堤坝部形成多个像素开口，所述第一堤坝部在所述衬底基板上的正投影包含所述平坦层的第一过孔在所述衬底基板上的正投影；或者，所述第一堤坝部在所述衬底基板上的正投影与所述第一过孔在所述衬底基板上的正投影部分交叠；

所述第一堤坝部远离所述衬底基板侧的表面距所述平坦层远离所述衬底基板侧的表面之间的距离，小于所述第二堤坝部远离所述衬底基板侧的表面距所述平坦层远离所述衬底基板侧的表面之间的距离；

所述第二堤坝部包括远离所述衬底基板侧的第一表面和靠近所述衬底基板侧的第二表面，所述第一堤坝部包括远离所述衬底基板侧的第三表面和靠近所述衬底基板侧的第四表面，所述第一表面与所述第二表面之间的距离，大于所述第三表面与所述第四表面之间的距离；

所述第一电极层包括第一子区域和第二子区域，所述第二子区域至少存在部分第一电极，所述至少存在的部分第一电极在垂直于所述衬底基板方向上的平均厚度大于所述第一子区域的第一电极在垂直于所述衬底基板方向上的平均厚度。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第二堤坝部包括朝向所述像素开口的第一侧面，所述第二堤坝部的第一侧面在沿远离所述衬底基板的方向上包括依次设置的第一功能区和第二功能区，所述第二功能区在沿远离所述衬底基板的方向上包括第一子区和第二子区；

所述第一子区连接所述第一功能区和所述第二子区，至少存在一个垂直于所述衬底基板方向上的截面，使所述第一功能区、第一子区和第二子区均为斜面；

所述第一子区的斜面倾角大于所述第二子区的斜面倾角；所述第二子区的斜面倾角大于所述第一功能区的斜面倾角。

3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述第一子区的斜面倾角在50°至60°之间；所述第二子区的斜面倾角在30°至40°之间；所述第一功能区的斜面倾角在10°至20°之间。

4.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述第一子区和所述第二子区的交线为第一交线，所述第一子区和所述第一功能区的交线为第二交线；所述第二子区和所述第二堤坝部的第一表面之间的交线为第三交线，所述第一功能区和所述第一电极背离所述衬底基板的表面之间的交线为第四交线；

所述第一交线与参考面的交点为第一交点，所述第二交线与参考面的交点为第二交点，所述第三交线与参考面的交点为第三交点，所述第四交线与参考面的交点为第四交点，所述参考面为平行于所述第一方向且垂直于所述衬底基板的截面；

在所述参考面内，经过所述第二交点与所述第三交点的直线为第一参考线，经过所述第二交点且与所述衬底基板平行的直线为第二参考线，所述第一参考线与所述第二参考线的之间的锐角夹角在38°至42°之间。

5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述第一交点到所述第一参考线的距离d满足：0<d≤D<AB/S，0<D<Δ/2-HL/S；

其中，D为大于0的实数，A为所述第一交点与所述第三交点之间的线段长度；B为所述第一交点与所述第二交点之间的线段长度；S为所述第二交点与所述第三交点之间的线段长度；H为所述第三交点与参考点之间的线段长度，所述参考点为所述第二参考线与第三参考线之间的交点，所述第三参考线为经过所述第三交点且与所述衬底基板垂直的直线；L为所述第二交点与所述参考点之间的线段长度；Δ为所述第二堤坝部的第一侧面在所述第一方向上的宽度。

6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，在所述参考面内，所述第一交点与所述第一电极背离所述衬底基板的表面之间的距离为h1，所述第三交点与所述第一电极背离所述衬底基板的表面之间的距离为h3；h1与h3的比值在0.494至0.742之间。

7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述h1与h3的比值为0.618。

8.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括设于所述封装结构层远离所述衬底基板一侧的彩色滤光层，所述彩色滤光层包括多个用于透射设定颜色光的滤光单元，至少存在两个相邻的透射不同颜色光的滤光单元相互交叠。

9.根据权利要求8所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括设于所述封装结构层远离所述衬底基板一侧的色阻层；

所述色阻层包括多个沿所述第一方向延伸的第一色阻部，多个所述第一色阻部在所述第二方向上依次排布，所述色阻层还包括多组第二色阻部，每组所述第二色阻部包括位于相邻两个所述第一色阻部之间且沿所述第一方向间隔设置的多个所述第二色阻部，每个所述第二色阻部沿所述第二方向延伸。

10.根据权利要求9所述的显示面板，其特征在于，所述第二色阻部由在所述第一方向上相邻的透射不同颜色光的两个滤光单元的交叠部分形成；或者，所述第二色阻部的材料包括以下至少之一：金属铬、氧化铬或黑色树脂。

11.根据权利要求9所述的显示面板，其特征在于，所述第一子区的斜面倾角β、所述第二子区的斜面倾角α满足以下关系：β<arc tan（n*×HW/（LBM-L3））；α<arc tan（n*×HW/LBM）；

其中，n*为膜层等效折射率，1<n*<2；

HW为在垂直于所述衬底基板的方向上，所述第一功能区的发光功能层到第二色阻部的距离；

LBM为所述第二色阻部在所述第一方向上的宽度；

L3为所述第一功能区的发光功能层在所述第一方向上的宽度。

12.根据权利要求9所述的显示面板，其特征在于，所述第一色阻部在所述衬底基板上的正投影包含平坦层的第一过孔在所述衬底基板上的正投影；或者，所述第一色阻部在所述衬底基板上的正投影与所述第一过孔在所述衬底基板上的正投影部分交叠。

13.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第二子区域位于所述第一过孔的周向侧壁上，且覆盖所述第一过孔的周向侧壁靠近所述衬底基板一端的表面。

14.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第二子区域为环形结构，所述第二子区域的第一电极在所述衬底基板上的正投影在所述第一方向上的宽度与所述第一电极在所述衬底基板上的正投影在所述第一方向上的宽度的比值在1/4至1/2之间。

15.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第二子区域的第一电极在所述衬底基板上的正投影在所述第一方向上的宽度在1um至2um之间。

16.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第二堤坝部在所述衬底基板上的正投影与所述第一过孔在所述衬底基板上的正投影不交叠。

17.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一堤坝部的材料包括氮化硅、氧化硅和氮氧化硅中的至少一种，所述第二堤坝部的材料包括氮化硅、氧化硅和氮氧化硅中的至少一种，所述第一堤坝部的材料还包括亲液材料，所述第二堤坝部的材料还包括疏液材料。

18.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第二堤坝部包括朝向所述像素开口的第一侧面，所述第二堤坝部的第一侧面在沿远离所述衬底基板的方向上包括依次设置的第一功能区和第二功能区，所述第二功能区在沿远离所述衬底基板的方向上包括第一子区和第二子区；

所述第一子区连接所述第一功能区和所述第二子区，至少存在一个垂直于所述衬底基板方向上的截面，使所述第一功能区、第一子区和第二子区的形状均为连续曲面。

19.根据权利要求18所述的显示面板，其特征在于，在至少一个垂直于所述衬底基板方向上的截面内，所述第一功能区朝着靠近所述衬底基板的方向形成凹面，所述第一子区朝着靠近所述衬底基板的方向形成凹面，所述第二子区朝着远离所述衬底基板的方向形成凸面。

20.根据权利要求18所述的显示面板，其特征在于，所述第一子区和所述第二子区的交线为第一交线，所述第一子区和所述第一功能区的交线为第二交线；所述第二子区和所述第二堤坝部的第一表面之间的交线为第三交线，所述第一功能区和所述第一电极背离所述衬底基板的表面之间的交线为第四交线；

所述第一交线与参考面的交点为第一交点，所述第二交线与参考面的交点为第二交点，所述第三交线与参考面的交点为第三交点，所述第四交线与参考面的交点为第四交点，所述参考面为平行于所述第一方向且垂直于所述衬底基板的截面；

在所述参考面内，所述第一功能区与所述参考面的交线为所述第二交点与所述第四交点的曲线连线；所述第一子区与所述参考面的交线为连接所述第一交点与所述第二交点的第一弧线，所述第二子区与所述参考面的交线为连接所述第一交点与所述第三交点的第二弧线，所述第一弧线和所述第二弧线形成的曲线为S形曲线。

21.根据权利要求20所述的显示面板，其特征在于，经过所述第二交点与所述第三交点的直线为第一参考线，所述第一子区的曲率半径等于所述第二子区的曲率半径，所述第一交点位于所述第一参考线上。

22.根据权利要求20所述的显示面板，其特征在于，经过所述第二交点与所述第三交点的直线为第一参考线，所述第一子区的曲率半径小于所述第二子区的曲率半径，所述第一交点位于所述第一参考线远离所述衬底基板的一侧。

23.根据权利要求20所述的显示面板，其特征在于，经过所述第二交点与所述第三交点的直线为第一参考线，所述第一子区的曲率半径大于所述第二子区的曲率半径，所述第一交点位于所述第一参考线靠近所述衬底基板的一侧。

24.根据权利要求20所述的显示面板，其特征在于，所述第一子区的曲率半径Rb和所述第二子区的曲率半径Ra满足：0≤|1/Ra-1/Rb| / |cosα-cosβ|<G/σ；

其中，β为所述第一子区的坡度角，α为所述第二子区的坡度角，G为材料重力常数；σ为发光结构层墨水的表面张力常数。

25.根据权利要求20所述的显示面板，其特征在于，所述第二功能区与所述参考面的交线上的至少一部分满足如下关系式：

Z=(Z2-Z1) ×arctan(X-X0)/a×Π+(Z2+Z1)/2；

其中，（ X，Z）为所述第二功能区与所述参考面的交线上的至少一部分点的坐标；

a为设计参数；

Π为圆周率；

Z1为所述第一功能区在垂直于所述衬底基板方向上的厚度；

Z2为所述第二堤坝部的第一侧面在垂直于所述衬底基板方向上的高度；

X0为所述第二功能区的中心与坐标原点的距离，所述坐标原点为所述第一电极被所述像素开口暴露出的表面的几何中心在所述参考面上的正投影。

26.根据权利要求20所述的显示面板，其特征在于，所述第一功能区与所述参考面的交线上的至少一部分满足如下关系式：

Z=(1/a)^(X±X0+L/2)+Z1-1；

其中，（ X，Z）为所述第一功能区与所述参考面的交线上的至少一部分点的坐标；

a为设计参数；

Π为圆周率；

Z1为所述第一功能区在垂直于所述衬底基板方向上的厚度；

L为所述第二功能区在所述第一方向上的宽度；

X0为所述第二功能区的中心与坐标原点的距离，所述坐标原点为所述第一电极被所述像素开口暴露出的表面的几何中心在所述参考面上的正投影。

27.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括设于所述封装结构层背离所述衬底基板一侧的表面上的调光层，以及设于所述调光层背离所述衬底基板一侧的表面上的彩色滤光层和色阻层；

所述封装结构层背离所述衬底基板一侧的表面设有平坦部和曲面部，所述曲面部至少包括部分区域，该部分区域向远离所述衬底基板的方向凸出。

28.根据权利要求27所述的显示面板，其特征在于，所述色阻层包括多个沿所述第一方向延伸的第一色阻部，多个所述第一色阻部在所述第二方向上依次排布，所述色阻层还包括多组第二色阻部，每组所述第二色阻部包括位于相邻两个所述第一色阻部之间且沿所述第一方向间隔设置的多个所述第二色阻部，每个所述第二色阻部沿所述第二方向延伸；所述曲面部在所述衬底基板上的正投影与所述第二色阻部在所述衬底基板上的正投影存在交叠区域；

所述第二堤坝部包括朝向所述像素开口的第一侧面，所述第二堤坝部的第一侧面在沿远离所述衬底基板的方向上包括依次设置的第一功能区和第二功能区，所述曲面部在所述衬底基板上的正投影与所述第一功能区在所述衬底基板上的正投影存在交叠区域。

29.根据权利要求28所述的显示面板，其特征在于，所述曲面部向远离所述衬底基板的方向凸出的部分区域被平行于所述第一方向且与所述衬底基板垂直的一个平面所截得的截面，为以下至少之一：

为第一椭圆的部分区域，所述第一椭圆的短半轴长度为a1，长半轴长度为b1， a1=H1/2，b1=L4/2；

为第二椭圆的部分区域，所述第二椭圆的短半轴长度为a2，长半轴长度为b2，a2≥H2/2，b2=L4/2；

位于所述第一椭圆远离所述衬底基板一侧的表面和所述第二椭圆远离所述衬底基板一侧的表面之间；其中，H1为所述封装结构层在所述平坦部处的厚度；H2为所述封装结构层在垂直于所述衬底基板的方向上的最大厚度；L4为所述曲面部在所述第一方向上的宽度。

30.根据权利要求29所述的显示面板，其特征在于，在平行于所述第一方向且与所述衬底基板垂直的一个截面内，所述曲面部的截面面积S包括向远离所述衬底基板方向凸出的部分区域的面积S0以及未向远离所述衬底基板方向凸出的部分区域的面积S1，则所述曲面部的截面面积S以及所述曲面部向远离所述衬底基板方向凸出的部分区域的面积S0满足：S=S0+S1，πa1b1<S<πa2b2，πa1b1+S0<πa2b2。

31.根据权利要求29所述的显示面板，其特征在于，所述曲面部包括在所述第一方向上依次连接的第一曲面部、过渡部和第二曲面部，所述第一曲面部和第二曲面部均至少存在部分区域在垂直于所述衬底基板的方向上凸出于所述过渡部，所述曲面部远离所述衬底基板一侧的表面位于所述第一椭圆远离衬底基板一侧的表面和所述第二椭圆远离衬底基板一侧的表面之间。

32.根据权利要求29所述的显示面板，其特征在于，所述曲面部包括在所述第一方向上依次连接的第一斜坡部、第一曲面部、过渡部、第二曲面部和第二斜坡部，第一曲面部和第二曲面部在垂直于所述衬底基板的方向上均凸出于所述过渡部。

33.根据权利要求32所述的显示面板，其特征在于，所述过渡部在所述衬底基板上的正投影与所述第二色阻部在所述衬底基板上的正投影存在交叠区域。

34.根据权利要求28所述的显示面板，其特征在于，所述彩色滤光层的折射率大于所述调光层的折射率。

35.根据权利要求28所述的显示面板，其特征在于，所述封装结构层的折射率大于所述调光层的折射率，且所述第二色阻部的折射率大于所述调光层的折射率。

36.根据权利要求28所述的显示面板，其特征在于，所述调光层与所述封装结构层接触的表面的面积大于所述调光层与所述彩色滤光层以及色阻层接触的表面的面积。

37.根据权利要求28所述的显示面板，其特征在于，所述彩色滤光层包括多个不同颜色的滤光单元，在所述第一方向上相邻的两个不同颜色的子像素的滤光单元的交叠部分形成所述第二色阻部，在所述第一方向上相邻的两个不同颜色的子像素的滤光单元的交界面的斜面倾角在沿远离所述衬底基板的方向上逐渐变大。

38.根据权利要求37所述的显示面板，其特征在于，在所述第一方向上相邻的两个不同颜色的子像素的滤光单元的交界面的斜面倾角在10°至75°之间。

39.根据权利要求37所述的显示面板，其特征在于，在所述第一方向上相邻的两个不同颜色的子像素的滤光单元的交界面在沿远离所述衬底基板的方向上包括依次连接的第一交界面和第二交界面，所述第一交界面的斜面倾角在28°至32°之间，所述第二交界面的斜面倾角在55°至65°之间，所述第一交界面和所述第二交界面为曲面或者斜面。

40.根据权利要求27所述的显示面板，其特征在于，所述封装结构层的材料包括氮元素和硅元素。

41.根据权利要求27所述的显示面板，其特征在于，所述调光层的材料包括碳元素、氧元素和硅元素。

42.根据权利要求27所述的显示面板，其特征在于，所述彩色滤光层的材料包括碳元素和铝元素。

43.根据权利要求27所述的显示面板，其特征在于，所述调光层具有粘合性。

44.根据权利要求27所述的显示面板，其特征在于，所述平坦层的材料包括碳元素、氟元素、氧元素和氮元素。

45.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一电极层为多层结构，所述第一电极层包括第一子第一电极层和设于所述第一子第一电极层远离所述衬底基板一侧的第二子第一电极层，其中，所述第一子第一电极层的材料包括铝元素，所述第二子第一电极层的材料包括镱元素、硅元素和氧元素。

46.根据权利要求45所述的显示面板，其特征在于，所述第一子第一电极层的平均厚度大于所述第二子第一电极层的平均厚度。

47.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，至少一个所述像素单元包括发射第一颜色光的第一子像素、发射第二颜色光的第二子像素、发射第三颜色光的第三子像素；

发射第一颜色光的第一子像素的发光功能层的厚度大于发射第二颜色光的第二子像素的发光功能层的厚度，发射第二颜色光的第二子像素的发光功能层的厚度大于发射第三颜色光的第三子像素的发光功能层的厚度。

48.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第二电极层为多层结构，所述第二电极层包括第一子第二电极层和设于所述第一子第二电极层远离所述衬底基板一侧的第二子第二电极层，其中，所述第一子第二电极层的材料包括铟元素、锌元素和氧元素，所述第二子第二电极层的材料包括银元素。

49.根据权利要求48所述的显示面板，其特征在于，所述第一子第二电极层的平均厚度大于所述第二子第二电极层的平均厚度。

50.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述像素驱动电路包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管和存储电容，所述子像素包括第一栅线、第二栅线和第三栅线，其中：

所述第一晶体管的栅电极与第一栅线连接，所述第一晶体管的第一极与数据线连接，所述第一晶体管的第二极与所述第二晶体管的第二极、所述第三晶体管的栅电极以及所述存储电容的第一极板连接，所述第二晶体管的栅电极与第二栅线连接，所述第二晶体管的第一极与第二初始信号线连接，所述第三晶体管的第二极与第一电源线连接，所述存储电容的第二极板与所述第三晶体管的第一极以及所述第四晶体管的第二极连接，所述第四晶体管的栅电极与第三栅线连接，所述第四晶体管的第一极与第一初始信号线连接，所述第二电极与第二电源线连接；

所述存储电容的第二极板在所述衬底基板上的正投影部分覆盖所述第一过孔在所述衬底基板上的正投影，所述存储电容的第二极板通过所述第一过孔与所述第一电极连接。

51.根据权利要求50所述的显示面板，其特征在于，所述第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管均为N型晶体管。

52.根据权利要求50所述的显示面板，其特征在于，所述第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管中的至少一个晶体管为P型晶体管。

53.根据权利要求50所述的显示面板，其特征在于，所述驱动结构层包括有源半导体层、位于所述有源半导体层远离衬底基板一侧的栅绝缘层、位于所述栅绝缘层远离衬底基板一侧的第一导电图案层、位于所述第一导电图案层远离衬底基板一侧的层间绝缘层、位于所述层间绝缘层远离衬底基板一侧的第二导电图案层、位于所述第二导电图案层远离衬底基板一侧的绝缘层，所述第一电极位于所述绝缘层远离所述衬底基板的一侧。

54.根据权利要求53所述的显示面板，其特征在于，所述第一导电图案层包括所述存储电容的第一极板以及多个连接电极，多个连接电极包括第一连接电极、第三连接电极、第四连接电极；所述第二导电图案层包括所述存储电容的第二极板、所述第一栅线、所述第二栅线和所述第三栅线。

55.根据权利要求54所述的显示面板，其特征在于，所述第一连接电极通过过孔与所述第三栅线连接，所述第一连接电极作为所述第四晶体管的栅电极；所述第三连接电极通过过孔与第一栅线相连，所述第三连接电极作为所述第一晶体管的栅电极；所述第四连接电极通过过孔与第二栅线相连，所述第四连接电极作为所述第二晶体管的栅电极。

56.根据权利要求54所述的显示面板，其特征在于，所述第一电源线包括沿所述第一方向延伸的第一电源信号线和沿所述第二方向延伸的第一电源连接线，所述第一电源信号线和所述第一电源连接线相连接。

57.根据权利要求56所述的显示面板，其特征在于，所述第一电源连接线包括依次连接的第一部分、第二部分和第三部分，第一电源信号线和第一电源连接线的第二部分位于所述第二导电图案层，所述第一电源连接线的第一部分和第三部分位于所述第一导电图案层。

58.根据权利要求57所述的显示面板，其特征在于，所述第一电源信号线和第一电源连接线的第二部分直接连接，所述第一电源连接线的第一部分和第二部分通过过孔相连接，所述第一电源连接线的第二部分和第三部分通过过孔相连接。

59.根据权利要求54所述的显示面板，其特征在于，所述第一初始信号线包括沿所述第一方向延伸的第一子初始信号线和沿所述第二方向延伸的第一初始化连接线，所述第一子初始信号线和所述第一初始化连接线相连接。

60.根据权利要求59所述的显示面板，其特征在于，所述第一初始化连接线包括依次连接的第一部分、第二部分和第三部分，所述第一子初始信号线以及所述第一初始化连接线的第二部分位于所述第二导电图案层，所述第一初始化连接线的第一部分和第三部分位于所述第一导电图案层。

61.根据权利要求60所述的显示面板，其特征在于，所述第一子初始信号线和所述第一初始化连接线的第一部分通过过孔相连接，所述第一初始化连接线的第一部分和第二部分通过过孔相连接，所述第一初始化连接线的第二部分和第三部分通过过孔相连接。

62.根据权利要求54所述的显示面板，其特征在于，所述第二初始信号线包括沿所述第一方向延伸的第二子初始信号线和沿所述第二方向延伸的第二初始化连接线，所述第二子初始信号线和所述第二初始化连接线相连接。

63.根据权利要求62所述的显示面板，其特征在于，所述第二初始化连接线包括依次连接的第一部分、第二部分和第三部分，所述第二子初始信号线以及所述第二初始化连接线的第二部分位于所述第二导电图案层，所述第二初始化连接线的第一部分和第三部分位于所述第一导电图案层。

64.根据权利要求63所述的显示面板，其特征在于，所述第二子初始信号线和所述第二初始化连接线的第三部分通过过孔相连接，所述第二初始化连接线的第一部分和第二部分通过过孔相连接，所述第二初始化连接线的第二部分和第三部分通过过孔相连接。

65.根据权利要求54所述的显示面板，其特征在于，所述存储电容为并联电容，所述存储电容包括所述第一极板和所述第二极板，还包括第三极板，在垂直于所述衬底基板的方向上，所述第二极板和所述第三极板分别位于所述第一极板的两侧，且所述第二极板和所述第三极板通过过孔相连接。

66.根据权利要求65所述的显示面板，其特征在于，所述第二极板和所述第一极板在衬底基板上的正投影存在交叠区域，所述第三极板和所述第一极板在衬底基板上的正投影存在交叠区域。

67.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述像素驱动电路包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、存储电容和发光器件，所述子像素包括第一栅线、第二栅线和第三栅线，其中：

所述第一晶体管的栅电极与所述第一栅线连接，所述第一晶体管的第一极与数据线连接，所述第一晶体管的第二极与所述第二晶体管的第二极、所述第三晶体管的栅电极、所述第五晶体管的栅电极以及所述存储电容的第一极板连接，所述第二晶体管的栅电极与所述第二栅线连接，所述第二晶体管的第一极与初始化信号线连接，所述第四晶体管的栅电极与发光信号线连接，所述第四晶体管的第一极与第一电源线连接，所述第四晶体管的第二极与所述第三晶体管的第一极连接，所述第三晶体管的第二极与所述第五晶体管的第一极连接，所述第五晶体管的第二极与所述存储电容的第二极板以及所述发光器件的第一电极连接，所述发光器件的第二电极与第二电源线连接。

68.根据权利要求67所述的显示面板，其特征在于，所述第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第五晶体管均为N型晶体管，所述第四晶体管为P型晶体管或N型晶体管。

69.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1至权利要求68任一所述的显示面板。

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