CN113257883B - 显示基板及其制备方法、显示装置 - Google Patents

Abstract

一种显示基板及其制备方法、显示装置，显示基板包括：衬底；设置在衬底上的驱动电路层；设置在驱动电路层远离衬底一侧的发光结构层，发光结构层包括像素界定层和有机发光层，像素界定层界定出多个子像素区域，且具有至少部分地暴露驱动电路层的第一开口，有机发光层位于子像素区域，并与像素界定层的第一开口交叠；以及设置在发光结构层远离衬底一侧的彩膜结构层，彩膜结构层包括彩膜和黑矩阵，黑矩阵具有至少部分暴露第一开口的第二开口，彩膜设置在第二开口内，黑矩阵包括第一子侧边，且第一子侧边具有折线结构。本公开降低了反射率，提升了出光纯度，降低了光栅效应，提升了显示效果，减少了成本。

Description

显示基板及其制备方法、显示装置

技术领域

本公开实施例涉及但不限于显示技术领域，尤其涉及一种显示基板及其制备方法、显示装置。

背景技术

有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED) 和量子点发光二极管(Quantum-dot Light Emitting Diodes，QLED)为主动发光显示器件，具有自发光、广视角、高对比度、低耗电、极高反应速度、轻薄、可弯曲和成本低等优点。随着显示技术的不断发展，以OLED或QLED为发光器件、由薄膜晶体管（Thin Film Transistor，TFT）进行信号控制的柔性显示装置（Flexible Display）已成为目前显示领域的主流产品。

发明内容

本公开实施例提供了一种显示基板及其制备方法、显示装置，能够提高显示面板的显示效果。

本公开实施例提供了一种显示基板，包括：衬底；设置在所述衬底上的驱动电路层；设置在所述驱动电路层远离所述衬底一侧的发光结构层，所述发光结构层包括像素界定层和有机发光层，所述像素界定层界定出多个子像素区域，且具有至少部分地暴露所述驱动电路层的第一开口，所述有机发光层位于子像素区域，并与所述像素界定层的第一开口交叠；以及设置在所述发光结构层远离所述衬底一侧的彩膜结构层，所述彩膜结构层包括彩膜和黑矩阵，所述黑矩阵具有至少部分暴露所述第一开口的第二开口，所述彩膜设置在所述第二开口内，黑矩阵包括第一子侧边，且所述第一子侧边具有折线结构。

在示例性实施方式中，所述第一子侧边具有多个折角，在离所述子像素区域的中心线越远的区域，所述第一子侧边的折角的数量越多。

在示例性实施方式中，所述子像素区域沿第一方向依次包括中心线、第一参考线、第二参考线、第三参考线和第四参考线，所述第四参考线与所述第一子侧边远离所述中心线一侧的最远边界重合，其中：所述第一参考线与所述子像素区域的中心线的距离为k，所述第一参考线与所述第二参考线之间的距离为n1，所述第二参考线与所述第三参考线之间的距离为n2，所述第三参考线与所述第四参考线之间的距离为n3；k+n1+n2+n3=L/2，L为所述子像素区域沿第一方向的长度；所述第一子侧边在所述中心线与所述第一参考线之间的折角个数x、在所述第一参考线与所述第二参考线之间的折角个数y、在所述第二参考线与所述第三参考线之间的折角个数z，满足以下条件：x≤y≤z。

在示例性实施方式中，n1=n2=n3。

在示例性实施方式中，所述第一子侧边在所述中心线与所述第一参考线之间的折角个数x≥3；所述第一子侧边在所述第一参考线与所述第二参考线之间的折角个数y≥3；所述第一子侧边在所述第二参考线与所述第三参考线之间的折角个数z≥3。

在示例性实施方式中，所述第一子侧边在所述中心线与所述第一参考线之间有至少两个折角大致相等；所述第一子侧边在所述第一参考线与所述第二参考线之间有至少两个折角大致相等；所述第一子侧边在所述第二参考线与所述第三参考线之间有至少两个折角大致相等。

在示例性实施方式中，所述第一子侧边在所述中心线与所述第一参考线之间具有至少一个第一折角，所述第一子侧边在所述第一参考线与所述第二参考线之间具有至少一个第二折角，所述第一子侧边在所述第二参考线与所述第三参考线之间具有至少一个第三折角，所述第一折角、第二折角和第三折角的角度大致相等。

在示例性实施方式中，所述第一子侧边在所述中心线与所述第一参考线之间的折角个数x≥3，所述第一子侧边在所述第一参考线与所述第二参考线之间的折角个数y≥4，所述第一子侧边在所述第二参考线与所述第三参考线之间的折角个数z≥5。

在示例性实施方式中，所述第一子侧边在所述中心线与所述第一参考线之间包括至少三个折角：x1、x2、x3，其中，x2与x3大致相等，且x1+x2大致等于360度；所述第一子侧边在所述第一参考线与所述第二参考线之间包括至少四个折角：y1、y2、y3和y4，其中，y1与y2大致相等，且y3+y4大致等于360度；所述第一子侧边在所述第二参考线与所述第三参考线之间包括至少四个折角：z1 、z2、z3和z4，其中，z1与z2大致相等，且z3+z4大致等于360度。

在示例性实施方式中，所述第一子侧边在所述中心线与所述第一参考线之间具有角度大致相等的至少三个折角。

在示例性实施方式中，所述第一子侧边在所述中心线与所述第一参考线之间的所述至少三个折角的角度等于45度的n倍，其中，n=3或5。

在示例性实施方式中，所述第一子侧边沿第一方向具有第一宽度；所述驱动电路层包括至少一条第一信号线，所述第一信号线沿第一方向具有第二宽度，所述第一信号线在衬底上的正投影与所述第一子侧边在衬底上的正投影具有第一交叠，所述第一交叠沿第一方向具有第三宽度。

在示例性实施方式中，所述第一信号线在衬底上的正投影、所述第一子侧边在衬底上的正投影以及所述彩膜在衬底上的正投影具有第一交叠。

在示例性实施方式中，所述第一信号线具有折线结构，所述黑矩阵具有多个子侧边，且所述第一信号线在任意一个子像素区域内的折角个数小于所述黑矩阵的至少一个子侧边的折角个数，大于所述黑矩阵的至少一个另一子侧边的折角个数。

在示例性实施方式中，所述第一宽度为l1，所述第二宽度为l2，所述子像素区域沿第一方向包括中心线和第一参考线，所述第一参考线与所述子像素区域的中心线的距离为k，所述子像素区域沿第一方向的长度为L，则：10*l1≤L≤10*l2；2*k＜L≤3*k。

在示例性实施方式中，所述第一宽度为l1，所述第二宽度为l2，所述第三宽度为l3，所述子像素区域沿第一方向包括中心线和第一参考线，所述第一参考线与所述子像素区域的中心线的距离为k，所述子像素区域沿第一方向的长度为L，则：6*l2＜L＜7*l2；20*l3＜L＜35*l3；3.5*l3＜l2≤4*l3。

在示例性实施方式中，所述彩膜在衬底上的正投影至少部分覆盖所述像素界定层的第一开口在衬底上的正投影；在第三方向上，所述彩膜的最大厚度大于所述第一子侧边的最大厚度，且所述彩膜至少部分覆盖所述第一子侧边，所述第三方向为沿着所述衬底基板朝向所述彩膜结构层的方向。

在示例性实施方式中，所述黑矩阵具有在第三方向上的第二厚度l4，所述第二厚度在0.9微米至1.2微米之间，所述第三方向为沿着所述衬底基板朝向所述彩膜结构层的方向。

在示例性实施方式中，所述第一子侧边包括与第一方向和第二方向既不平行也不垂直的第三子线段，所述黑矩阵包括多个所述第三子线段。

在示例性实施方式中，所述第一子侧边包括四个分立设置的所述第三子线段，且四个所述第三子线段一一间隔设置。

在示例性实施方式中，所述第一子侧边具有台阶结构。

在示例性实施方式中，所述黑矩阵还包括与所述第一子侧边相对设置的第二子侧边，且所述第二子侧边具有折线结构，所述第一子侧边与所述第二子侧边相对于所述子像素区域的中心线不对称设置。

在示例性实施方式中，所述子像素区域沿第一方向依次包括第八参考线、第七参考线、第六参考线、第五参考线、中心线、第一参考线、第二参考线、第三参考线和第四参考线，所述第四参考线与所述第一子侧边远离所述中心线一侧的最远边界重合，所述第八参考线与所述第二子侧边远离所述中心线一侧的最远边界重合，其中：所述第一参考线与所述子像素区域的中心线的距离为k，所述第五参考线与所述子像素区域的中心线的距离为k，所述第一参考线与所述第二参考线之间的距离为n1，所述第六参考线与所述第五参考线之间的距离为n1，所述第二参考线与所述第三参考线之间的距离为n2，所述第七参考线与所述第六参考线之间的距离为n2，所述第三参考线与所述第四参考线之间的距离为n3，所述第八参考线与所述第七参考线之间的距离为n3；k+n1+n2+n3=L/2，L为所述子像素区域沿第一方向的长度；所述第一子侧边在所述中心线与所述第一参考线之间的折角个数x、所述第一子侧边在所述第一参考线与所述第二参考线之间的折角个数y、所述第一子侧边在所述第二参考线与所述第三参考线之间的折角个数z、所述第二子侧边在所述中心线与所述第五参考线之间的折角个数x’、所述第二子侧边在所述第五参考线与所述第六参考线之间的折角个数y’、所述第二子侧边在所述第六参考线与所述第七参考线之间的折角个数z’，满足以下条件：x=x’，y ≠y’，z≠z’。

在示例性实施方式中，所述黑矩阵还包括相对设置的第三子侧边和第四子侧边，所述第一子侧边、第三子侧边、第二子侧边和第四子侧边首尾相接，所述第三子侧边和所述第四子侧边具有直条形的形状或具有大致为直条形的形状。

在示例性实施方式中，所述子像素区域包括第一子像素区域、第二子像素区域和第三子像素区域，所述第一子像素区域包括第一发光单元和第一颜色彩膜，所述第二子像素区域包括第二发光单元和第二颜色彩膜，所述第三子像素区域包括第三发光单元和第三颜色彩膜，所述第一颜色彩膜在衬底上的正投影覆盖所述第一发光单元在衬底上的正投影，所述第二颜色彩膜在衬底上的正投影覆盖所述第二发光单元在衬底上的正投影，所述第三颜色彩膜在衬底上的正投影覆盖所述第三发光单元在衬底上的正投影。

在示例性实施方式中，所述第二发光单元包括分立设置的两个子发光单元，所述第二颜色彩膜包括分立设置的两个子彩膜，一个子彩膜在衬底上的正投影覆盖一个子发光单元在衬底上的正投影，另一个子彩膜在衬底上的正投影覆盖另一个子发光单元在衬底上的正投影。

在示例性实施方式中，所述显示基板还包括设置在所述彩膜结构层远离所述发光结构层一侧的封装层，所述封装层在基底上的正投影覆盖所述彩膜结构层在衬底上的正投影。

在示例性实施方式中，所述子像素区域包括第一子像素区域、第二子像素区域、第三子像素区域和第四子像素区域，所述第一子像素区域包括第一发光单元和第一颜色彩膜，所述第二子像素区域包括第二发光单元和第二颜色彩膜，所述第三子像素区域包括第三发光单元和第三颜色彩膜，所述第四子像素区域包括第四发光单元和第四颜色彩膜，所述第一颜色彩膜在衬底上的正投影覆盖所述第一发光单元在衬底上的正投影，所述第二颜色彩膜在衬底上的正投影覆盖所述第二发光单元在衬底上的正投影，所述第三颜色彩膜在衬底上的正投影覆盖所述第三发光单元在衬底上的正投影，所述第四颜色彩膜在衬底上的正投影覆盖所述第四发光单元在衬底上的正投影。

在示例性实施方式中，所述的显示基板还包括覆盖所述彩膜结构层的封装层，所述封装层覆盖所述第一颜色彩膜、所述第二颜色彩膜和所述第三颜色彩膜，所述第四颜色彩膜与至少部分所述封装层同层同材料设置。

在示例性实施方式中，所述第一子像素区域为红色子像素区域，所述第二子像素区域为绿色子像素区域，所述第三子像素区域为蓝色子像素区域，所述第四子像素区域为白色子像素区域。

在示例性实施方式中，所述白色子像素区域的第一子侧边与所述红色子像素区域的第一子侧边连接，所述白色子像素区域的第一子侧边的形貌与所述红色子像素区域的第一子侧边的形貌不同。

在示例性实施方式中，所述黑矩阵还包括与所述第一子侧边相对设置的第二子侧边，所述绿色子像素区域的第二子侧边与所述蓝色子像素区域的第二子侧边相邻，所述绿色子像素区域的第二子侧边的折角数大于所述蓝色子像素区域的第二子侧边的折角数。

在示例性实施方式中，相邻的两个所述子像素区域之间的黑矩阵是保形的。

在示例性实施方式中，所述白色子像素区域和所述绿色子像素区域之间的黑矩阵的折角数大于所述红色子像素区域和所述蓝色子像素区域之间的黑矩阵的折角数。

在示例性实施方式中，不同颜色的子像素区域的面积不同。

在示例性实施方式中，所述显示基板还包括空白结构，所述空白结构在衬底上的正投影与所述子像素区域在衬底上的正投影不重叠。

在示例性实施方式中，所述空白结构的面积与所述子像素区域的面积的比值大于或等于45%。

在示例性实施方式中，所述空白结构的面积与所述子像素区域的面积的比值等于46%。

在示例性实施方式中，所述空白结构沿第一方向具有第五宽度，所述第五宽度与所述第一子侧边的各折线结构总长度相等或大致相等。

在示例性实施方式中，所述多个子像素区域包括白色子像素区域和红色子像素区域，所述空白结构具有与所述白色子像素区域的第一子侧边以及所述红色子像素区域的第一子侧边相邻接的第一子边缘，所述第一子边缘的形状与所述白色子像素区域的第一子侧边以及所述红色子像素区域的第一子侧边的形状是保形的。

在示例性实施方式中，所述驱动电路层还包括修复结构，所述修复结构在衬底上的正投影与所述空白结构在衬底上的正投影至少部分交叠。

在示例性实施方式中，所述多个子像素区域包括红色子像素区域和蓝色子像素区域，所述红色子像素区域的修复结构和蓝色子像素区域的修复结构至少部分对称、且至少部分不对称。

在示例性实施方式中，所述发光结构层还包括阳极，所述第一开口至少部分暴露出所述阳极，至少一个子像素区域包含分立设置的多个子阳极块。

在示例性实施方式中，所述分立设置的多个子阳极块包括两个。

在示例性实施方式中，所述两个子阳极块的形貌不同。

在示例性实施方式中，所述驱动电路层包括阳极孔，所述阳极孔与所述两个子阳极块分别电连接。

在示例性实施方式中，所述驱动电路层还包括修复结构，所述两个子阳极块相互电连接，且与所述修复结构电连接。

本公开实施例还提供了一种显示装置，包括：如上所述的显示基板。

本公开实施例还提供了一种显示基板的制备方法，该制备方法包括：

在衬底上形成驱动电路层；

在所述驱动电路层远离衬底的一侧形成发光结构层，所述发光结构层包括像素界定层和有机发光层，所述像素界定层界定出多个子像素区域，且具有至少部分地暴露所述驱动电路层的第一开口，所述有机发光层位于子像素区域，并与所述像素界定层的第一开口交叠；

在所述发光结构层远离所述衬底的一侧形成彩膜结构层，所述彩膜结构层包括彩膜和黑矩阵，所述黑矩阵具有至少部分暴露所述第一开口的第二开口，所述彩膜设置在所述第二开口内，所述黑矩阵包括第一子侧边，且所述第一子侧边具有折线结构。

本公开实施例提供的显示基板及其制备方法、显示装置，通过在彩膜结构层设置彩膜和黑矩阵，且黑矩阵具有折线结构的子侧边，降低了反射率，提升了出光纯度，本公开实施例的显示基板不需要使用偏振片，降低了显示基板的成本，减小了显示基板的厚度，提升了显示基板的可弯折性，且降低了光栅效应，比如衍射效应、干涉效应及散射色分离等，提升了显示效果。

本公开的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本公开而了解。本公开的其他优点可通过在说明书以及附图中所描述的方案来实现和获得。

附图说明

附图用来提供对本公开技术方案的理解，并且构成说明书的一部分，与本公开的实施例一起用于解释本公开的技术方案，并不构成对本公开技术方案的限制。

图1为本公开示例性实施例一种显示装置的结构示意图；

图2至图5为本公开示例性实施例四种显示基板的像素阵列示意图；

图6为本公开示例性实施例一种子像素的结构示意图；

图7为图6中OO’区域的剖面结构示意图；

图8为本公开示例性实施例一种显示基板的像素驱动电路的结构示意图；

图9为本公开示例性实施例一种子像素中黑矩阵第一子侧边的结构示意图；

图10为本公开示例性实施例另一种子像素中黑矩阵第一子侧边的结构示意图；

图11为本公开示例性实施例一种子像素中第一信号线与第一子侧边的交叠结构示意图；

图12为图11中aa’区域的剖面结构示意图；

图13为本公开示例性实施例一种子像素中第一开口和第二开口的结构示意图；

图14为本公开示例性实施例一种子像素中彩膜的结构示意图；

图15为本公开示例性实施例另一种子像素中第一信号线与第一子侧边的交叠结构示意图；

图16为本公开示例性实施例另一种子像素中第一子侧边的结构示意图；

图17为本公开示例性实施例一种子像素中第一子侧边与第二子侧边的结构示意图；

图18为本公开示例性实施例一种子像素中第二子侧边的结构示意图；

图19为本公开示例性实施例一种相邻的像素中黑矩阵的结构示意图；

图20为本公开示例性实施例另一种相邻的像素中黑矩阵的结构示意图；

图21为本公开示例性实施例一种不同颜色子像素中的彩膜结构示意图；

图22为本公开示例性实施例一种不同颜色子像素中的封装结构示意图；

图23为本公开示例性实施例一种子像素中的空白结构结构示意图；

图24为本公开示例性实施例一种子像素中的修复结构示意图；

图25为本公开示例性实施例另一种子像素中的修复结构示意图；

图26为本公开示例性实施例又一种子像素中的修复结构示意图；

图27为本公开示例性实施例一种子像素中的阳极的结构示意图；

图28为图27中bb’区域的剖面结构示意图。

具体实施方式

为使本公开的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下文中将结合附图对本公开的实施例进行详细说明。注意，实施方式可以以多个不同形式来实施。所属技术领域的普通技术人员可以很容易地理解一个事实，就是方式和内容可以在不脱离本公开的宗旨及其范围的条件下被变换为各种各样的形式。因此，本公开不应该被解释为仅限定在下面的实施方式所记载的内容中。在不冲突的情况下，本公开中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。

在附图中，有时为了明确起见，夸大表示了各构成要素的大小、层的厚度或区域。因此，本公开的一个方式并不一定限定于该尺寸，附图中各部件的形状和大小不反映真实比例。此外，附图示意性地示出了理想的例子，本公开的一个方式不局限于附图所示的形状或数值等。

本说明书中的“第一”、“第二”、“第三”等序数词是为了避免构成要素的混同而设置，而不是为了在数量方面上进行限定的。

在本说明书中，为了方便起见，使用“中部”、“上”、“下”、“前”、“后”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示方位或位置关系的词句以参照附图说明构成要素的位置关系，仅是为了便于描述本说明书和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本公开的限制。构成要素的位置关系根据描述各构成要素的方向适当地改变。因此，不局限于在说明书中说明的词句，根据情况可以适当地更换。

在本说明书中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解。例如，可以是固定连接，或可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，或电连接；可以是直接相连，或通过中间件间接相连，或两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本公开中的具体含义。

在本说明书中，晶体管是指至少包括栅电极、漏电极以及源电极这三个端子的元件。晶体管在漏电极（漏电极端子、漏区域或漏电极）与源电极（源电极端子、源区域或源电极）之间具有沟道区域，并且电流能够流过漏电极、沟道区域以及源电极。注意，在本说明书中，沟道区域是指电流主要流过的区域。

在本说明书中，第一极可以为漏电极、第二极可以为源电极，或者第一极可以为源电极、第二极可以为漏电极。在使用极性相反的晶体管的情况或电路工作中的电流方向变化的情况等下，“源电极”及“漏电极”的功能有时互相调换。因此，在本说明书中，“源电极”和“漏电极”可以互相调换。

在本说明书中，“电连接”包括构成要素通过具有某种电作用的元件连接在一起的情况。“具有某种电作用的元件”只要可以进行连接的构成要素间的电信号的授受，就对其没有特别的限制。“具有某种电作用的元件”的例子不仅包括电极和布线，而且还包括晶体管等开关元件、电阻器、电感器、电容器、其它具有各种功能的元件等。

在本说明书中，“平行”是指两条直线形成的角度为-10°以上且10°以下的状态，因此，也包括该角度为-5°以上且5°以下的状态。另外，“垂直”是指两条直线形成的角度为80°以上且100°以下的状态，因此，也包括85°以上且95°以下的角度的状态。

在本说明书中，两个角度大致相等是指两个角度之间的比值在0.9以上，1.1以下的范围，因此，也包括两个角度之间的比值在0.95以上且1.05以下的范围。由此，两个角度相加大致等于360°，可以包括两个角度相加等于包括342°以上且378°以下的范围。

在本说明书中，“膜”和“层”可以相互调换。例如，有时可以将“导电层”换成为“导电膜”。与此同样，有时可以将“绝缘膜”换成为“绝缘层”。

本公开中的“约”，是指不严格限定界限，允许工艺和测量误差范围内的数值。图1为本公开示例性实施例一种显示装置的结构示意图。如图1所示，该显示装置可以包括时序控制器、数据信号驱动器、扫描信号驱动器和像素阵列，像素阵列可以包括多个扫描信号线（S1到Sm）、多个数据信号线（D1到Dn）和多个子像素Pxij。在示例性实施方式中，时序控制器可以将适合于数据信号驱动器的规格的灰度值和控制信号提供到数据信号驱动器，可以将适合于扫描信号驱动器的规格的时钟信号、扫描起始信号等提供到扫描信号驱动器。数据信号驱动器可以利用从时序控制器接收的灰度值和控制信号来产生将提供到数据信号线D1、D2、D3、……和Dn的数据电压。例如，数据信号驱动器可以利用时钟信号对灰度值进行采样，并且以子像素行为单位将与灰度值对应的数据电压施加到数据信号线D1至Dn，n可以是自然数。扫描信号驱动器可以通过从时序控制器接收时钟信号、扫描起始信号等来产生将提供到扫描信号线S1、S2、S3、……和Sm的扫描信号。例如，扫描信号驱动器可以将具有导通电平脉冲的扫描信号顺序地提供到扫描信号线S1至Sm。例如，扫描信号驱动器可以被构造为移位寄存器的形式，并且可以在时钟信号的控制下顺序地将以导通电平脉冲形式提供的扫描起始信号传输到下一级电路的方式产生扫描信号，m可以是自然数。子像素阵列可以包括多个像素子Pxij。每个像素子Pxij可以连接到对应的数据信号线和对应的扫描信号线，i和j可以是自然数。子像素Pxij可以指其中晶体管连接到第i扫描信号线且连接到第j数据信号线的子像素。

图2至图4为本公开实施例三种显示基板的平面结构示意图。如图2至图4所示，显示基板可以包括以矩阵方式排布的多个像素单元P，多个像素单元P的至少一个包括出射第一颜色光线的第一发光单元（子像素）P1、出射第二颜色光线的第二发光单元P2和出射第三颜色光线的第三发光单元P3，第一发光单元P1、第二发光单元P2和第三发光单元P3均包括像素驱动电路和发光器件。第一发光单元P1、第二发光单元P2和第三发光单元P3中的像素驱动电路分别与扫描信号线、数据信号线和发光信号线连接，像素驱动电路被配置为在扫描信号线和发光信号线的控制下，接收数据信号线传输的数据电压，向所述发光器件输出相应的电流。第一发光单元P1、第二发光单元P2和第三发光单元P3中的发光器件分别与所在发光单元的像素驱动电路连接，发光器件被配置为响应所在发光单元的像素驱动电路输出的电流发出相应亮度的光。

在示例性实施方式中，第一发光单元可以为红色（R）发光单元，第二发光单元可以为绿色（G）发光单元，第三发光单元可以为蓝色（B）发光单元。本公开在此不做限定。

在示例性实施方式中，如图5所示，多个像素单元P的至少一个还包括出射第四颜色光线的第四发光单元P4，示例性的，第四发光单元P4可以为白色（W）发光单元，本公开在此不做限定。第四发光单元P4可以包括像素驱动电路和发光器件。第四发光单元P4中的像素驱动电路分别与扫描信号线、数据信号线和发光信号线连接，像素驱动电路被配置为在扫描信号线和发光信号线的控制下，接收数据信号线传输的数据电压，向所述发光器件输出相应的电流。第四发光单元P4中的发光器件与第四发光单元P4中的像素驱动电路连接，发光器件被配置为响应所在发光单元的像素驱动电路输出的电流发出相应亮度的光。

在示例性实施方式中，像素单元中发光单元的形状可以是矩形状、菱形、五边形或六边形。像素单元包括三个发光单元时，三个发光单元可以采用水平并列、竖直并列或品字方式排列，像素单元包括四个发光单元时，四个发光单元可以采用水平并列、竖直并列或正方形（Square）方式排列，本公开在此不做限定。

随着显示技术的不断发展，OLED技术越来越多的应用于透明显示中。透明显示是显示技术一个重要的个性化显示领域，是指在透明状态下进行图像显示，观看者不仅可以看到显示装置中的影像，而且可以看到显示装置背后的景象，可实现虚拟现实（VirtualReality，简称VR）和增强现实（Augmented Reality，简称AR）和3D显示功能。采用AMOLED技术的透明显示装置通常是将每个像素划分为显示区域和透明区域，显示区域设置像素驱动电路和发光元件实现图像显示，透明区域实现光线透过。

27英寸以上的显示器都可以被称为大屏显示器。在大尺寸透明显示产品中，外界的光线从相邻两个像素列之间的间隙透过时会产生较强的衍射、干涉及散射色分离等效应，进而导致大尺寸透明显示面板的显示效果较差。

本公开示例性实施例提供了一种显示基板，该显示基板可以包括衬底，设置在衬底上的驱动电路层；设置在驱动电路层远离衬底一侧的发光结构层，发光结构层包括像素界定层与有机发光层，像素界定层界定出多个子像素区域，并且具有至少部分地暴露驱动电路层的第一开口，有机发光层位于子像素区域，并与像素界定层的第一开口交叠；以及设置在发光结构层远离衬底一侧的彩膜结构层，彩膜结构层包括彩膜和黑矩阵，至少一个子像素区域的黑矩阵具有至少部分暴露第一开口的第二开口，彩膜设置在第二开口内，至少一个子像素区域的黑矩阵具有至少一个侧边，且所述至少一个侧边具有折线结构。

本公开实施例的显示基板，通过在彩膜结构层设置彩膜和黑矩阵，且黑矩阵具有折线结构的侧边，降低了反射率、提升了出光纯度，本公开实施例的显示基板不需要使用偏振片，降低了显示基板的成本，减小了显示基板的厚度，提升了显示基板的可弯折性，且降低了光栅效应，比如衍射效应、干涉效应及散射色分离等，提升了显示效果。

图6为本公开实施例提供的一种显示基板的结构示意图，图7为图6中OO’区域的剖面结构示意图，示意了一个子像素的结构，如图6和图7所示，本公开示例性实施例提供了一种显示基板，包括：

衬底101；

设置在衬底101上的驱动电路层102；

设置在驱动电路层102远离衬底101一侧的发光结构层103，发光结构层103包括像素界定层103b和有机发光层103c，像素界定层103b界定出多个子像素区域，且具有至少部分地暴露驱动电路层102的第一开口K1，有机发光层103c位于子像素区域，并与像素界定层103b的第一开口K1交叠；

以及设置在发光结构层103远离衬底101一侧的彩膜结构层104，彩膜结构层104包括彩膜104b和黑矩阵104a，黑矩阵104a具有至少部分暴露第一开口K1的第二开口K2，彩膜104b设置在第二开口K2内，黑矩阵104a包括第一子侧边1041，且第一子侧边1041具有折线结构。

在示例性实施方式中，该显示基板还包括设置在彩膜结构层104远离发光结构层103一侧的封装层105。在一些可能的实现方式中，显示基板可以包括其它膜层，如隔垫柱等，本公开在此不做限定。

在示例性实施方式中，衬底可以是柔性衬底，或者可以是刚性衬底。每个子像素的驱动电路层102可以包括构成像素驱动电路的多个晶体管和存储电容，在示例性实施方式中，像素驱动电路可以是3T1C、4T1C、5T1C、5T2C、6T1C或7T1C结构。图8为一种像素驱动电路的等效电路示意图。如图8所示，像素驱动电路为3T1C结构，可以包括3个晶体管（第一晶体管T1、第二晶体管T2和第三晶体管T3）、1个存储电容C_ST和6个信号线（数据信号线Dn、第一扫描信号线Gn、第二扫描信号线Sn、补偿线Se、第一电源线VDD和第二电源线VSS）。在示例性实施方式中，第一晶体管T1为开关晶体管，第二晶体管T2为驱动晶体管，第三晶体管T3为补偿晶体管。第一晶体管T1的栅电极耦接于第一扫描信号线Gn，第一晶体管T1的第一极耦接于数据信号线Dn，第一晶体管T1的第二极耦接于第二晶体管T2的栅电极，第一晶体管T1用于在第一扫描信号线Gn控制下，接收数据信号线Dn传输的数据信号，使第二晶体管T2的栅电极接收所述数据信号。第二晶体管T2的栅电极耦接于第一晶体管T1的第二极，第二晶体管T2的第一极耦接于第一电源线VDD，第二晶体管T2的第二极耦接于OLED的第一极，第二晶体管T2用于在其栅电极所接收的数据信号控制下，在第二极产生相应的电流。第三晶体管T3的栅电极耦接于第二扫描信号线Sn，第三晶体管T3的第一极连接补偿线Se，第三晶体管T3的第二极耦接于第二晶体管T2的第二极，第三晶体管T3用于响应补偿时序提取第二晶体管T2的阈值电压Vth以及迁移率，以对阈值电压Vth进行补偿。OLED的第一极耦接于第二晶体管T2的第二极，OLED的第二极耦接于第二电源线VSS，OLED用于响应第二晶体管T2的第二极的电流而发出相应亮度的光。存储电容C_ST的第一极与第二晶体管T2的栅电极耦接，存储电容C_ST的第二极与第二晶体管T2的第二极耦接，存储电容C_ST用于存储第二晶体管T2的栅电极的电位。

在示例性实施方式中，第一电源线VDD的信号为持续提供高电平信号，第二电源线VSS的信号为持续提供低电平信号。第一晶体管T1到第三晶体管T3可以是P型晶体管，或者可以是N型晶体管。像素驱动电路中采用相同类型的晶体管可以简化工艺流程，减少显示面板的工艺难度，提高产品的良率。在一些可能的实现方式中，第一晶体管T1到第三晶体管T3可以包括P型晶体管和N型晶体管。在示例性实施方式中，发光器件可以是有机电致发光二极管（OLED），包括叠设的第一极（阳极）、有机发光层和第二极（阴极）。

在示例性实施方式中，发光结构层103可以包括阳极103a、像素界定层103b、有机发光层103c和阴极103d，像素界定层103b界定出多个子像素区域，并且具有至少部分地暴露驱动电路层102的第一开口K1，阳极103a通过过孔与驱动电路层102中的晶体管的漏电极连接，有机发光层103c与阳极103a连接，阴极103d与有机发光层103c连接，有机发光层103c在阳极103a和阴极103d驱动下出射相应颜色的光线。彩膜结构层104可以包括黑矩阵104a和彩膜104b，黑矩阵104a具有至少部分暴露第一开口K1的第二开口K2，彩膜104b设置在第二开口K2内。封装层105可以包括叠设的第一封装层和第二封装层，第一封装层可以采用有机材料，第二封装层可以采用无机材料，可以保证外界水汽无法进入发光结构层和彩膜结构层。

图9为本公开示例性实施例一个子像素区域的黑矩阵中第一子侧边的结构示意图。如图6和图9所示，在示例性实施方式中，在一个子像素区域内，黑矩阵包括第一子侧边1041，该第一子侧边1041沿第一方向具有一定的宽度，且该第一子侧边1041具有折线结构，所述折线结构具有多个折角，在离该子像素区域的中心线A越远的区域，折角数量越多。

本公开实施例的显示基板，通过设置黑矩阵第一子侧边1041的折线结构，在越远离子像素中心线A的区域，折角数量越多，进一步降低了显示面板的衍射、干涉效应，提升了显示效果。

如图6所示，子像素区域具有沿着第一方向设置的子侧边Ⅰ和子侧边Ⅲ以及沿着第二方向设置的子侧边Ⅱ和子侧边Ⅳ，子侧边Ⅰ、子侧边Ⅱ、子侧边Ⅲ和子侧边Ⅳ首尾相接。本公开实施例中的子侧边定义为子像素区域的外轮廓线（外轮廓线即远离子像素区域中心的边界），示例性的，如果在某一方向上，黑矩阵的外轮廓线为子像素区域最外侧的轮廓线，则在该方向上，子像素的子侧边即为黑矩阵的外轮廓线；而如果在某一方向上，像素界定层的外轮廓线为子像素区域最外侧的轮廓线，则在该方向上，子像素的子侧边即为像素界定层的外轮廓线。

在示例性实施方式中，子像素区域具有中心线A，中心线A可以定义为两个相对设置的子侧边的中心线，在示例性实施例中，如果两个相对设置的子侧边中的一个或两个具有折线段，则选择两个相对设置的子侧边中互相最远离的两个折线段的中心线为该子像素区域的中心线。示例性的，如图6所示，两个相对设置的子侧边可以为子侧边Ⅰ和子侧边Ⅲ，或者可以为子侧边Ⅱ和子侧边Ⅳ。下文以两个相对设置的子侧边为子侧边Ⅱ和子侧边Ⅳ进行说明。

在示例性实施方式中，子像素区域沿第一方向的长度为L，如图6所示，子像素区域沿第一方向的长度L可以定义为子像素区域沿第一方向相对设置的两个边缘之间的最远距离，也即子像素区域的最左侧边缘到子像素区域的最右侧边缘之间的距离。与中心线A距离为k处，可设置第一参考线B，中心线A与第一参考线B之间的距离k即为中心线A与第一参考线B之间的最短线段的长度。本实施例中，由于中心线A与第一参考线B平行，因此，中心线A与第一参考线B之间的距离k即为在中心线A与第一参考线B之间，垂直于中心线A与第一参考线B的线段的长度。子像素区域还可以包括第二参考线C、第三参考线D和第四参考线E。其中，子侧边Ⅳ具有最远离中心线A的子边界m（如果子侧边Ⅳ是直线，则子边界m就是子侧边Ⅳ）。第四参考线E与子边界m重叠。也就是说，第四参考线E在衬底基板上的正投影与子像素10在某一子侧边上最远离中心线的的子边界m在衬底基板上的正投影交叠。第一参考线B与第二参考线C、第二参考线C与第三参考线D、第三参考线D与第四参考线E两两之间的距离相同，如图6或图9所示，第一参考线B与第二参考线C之间的距离为n1，第二参考线C与第三参考线D之间的距离为n2，第三参考线D与第四参考线E之间的距离为n3，在示例性实施方式中，n1=n2=n3；k+n1+n2+n3=L/2。本实施例中，中心线A、第一参考线B、第二参考线C、第三参考线D和第四参考线E均沿第二方向延伸。

在示例性实施方式中，在一个子像素区域内，黑矩阵104a具有至少一个第一子侧边1041，该第一子侧边1041沿第一方向具有一定的宽度。该第一子侧边1041具有多个折角。该第一子侧边1041在中心线A与第一参考线B之间的折角个数x、在第一参考线B与第二参考线C之间的折角个数y、在第二参考线C与第三参考线D之间的折角个数z，满足以下条件：x≤y≤z。

本实施例中，在距离中心线A的垂直距离小于或等于k的范围内（即在中心线A与第一参考线B之间），第一子侧边1041包括的折角个数为x；本公开实施例所述的折角，指的是朝向中心线A一侧小于360°且不等于180°的角。在距离中心线垂直距离在 k至(k+(L/2-k)/3)之间的范围内（即在第一参考线B与第二参考线C之间），第一子侧边1041包括的折角个数为y；在距离中心线垂直距离为 (k+(L/2-k)/3)至(k+2(L/2-k)/3) 之间的范围内（即在第二参考线C与第三参考线D之间），第一子侧边1041包括的折角个数为z；其中，x、y和z满足以下条件：x≤y≤z。

在另一种示例性实施例中，折角也不等于90°，也就是说，折角指的是朝向中心线A一侧小于360°且不等于180°和90°的角。

在另一种示例性实施例中，折角是钝角，也就是说朝向中心线A一侧小于360°且大于90°、不等于180°的角。

在另一种示例性实施例中，该第一子侧边1041在中心线A与第一参考线B之间的折角个数x、在第一参考线B与第二参考线C之间的折角个数y、在第二参考线C与第三参考线D之间的折角个数z，满足以下条件：x≥3，y≥3，z≥3。

在示例性实施方式中，在距离中心线A的垂直距离小于或等于k的范围内，第一子侧边1041包括至少三个折角，且该至少三个折角中有至少两个折角大致相等；

在距离中心线A垂直距离为k至(k+(L/2-k)/3)的范围内，第一子侧边1041包括至少三个折角，且该至少三个折角中有至少两个折角大致相等；

在距离中心线A垂直距离为 (k+(L/2-k)/3)至 (k+2(L/2-k)/3)的范围内，第一子侧边1041包括至少三个折角，且该至少三个折角中有至少两个折角大致相等。

示例性的，如图10所示，在距离中心线A的垂直距离小于或等于k的范围内（即在中心线A与第一参考线B之间），第一子侧边1041包括至少三个折角：x1、x2、x3，且其中2个折角角度大致相等，示例性的，x2与x3大致相等。在距离中心线A垂直距离在 k至(k+(L/2-k)/3)之间的范围内（即在第一参考线B与第二参考线C之间），第一子侧边1041包括至少三个折角y1、y2和y3，且其中2个折角角度大致相等，示例性的，y2与y3大致相等。在距离中心线A垂直距离为 (k+(L/2-k)/3)至(k+2(L/2-k)/3) 之间的范围内（即在第二参考线C与第三参考线D之间），第一子侧边1041包括至少三个折角：z1 z2和z3，且其中2个折角角度大致相等，示例性的，z1与z4大致相等。

在另一种示例性实施例中，在距离中心线A的垂直距离小于或等于k的范围内，第一子侧边1041具有至少一个第一折角；在距离中心线垂直距离为 k至(k+(L/2-k)/3)的范围内，第一子侧边1041具有至少一个第二折角；在距离中心线垂直距离为 (k+(L/2-k)/3)至 (k+2(L/2-k)/3)的范围内，第一子侧边1041具有至少一个第三折角，其中，第一折角、第二折角和第三折角的角度大致相等。

示例性的，如图10所示，在距离中心线A的垂直距离小于或等于k的范围内，第一子侧边1041具有一个第一折角x1=135°；在距离中心线A垂直距离为k至(k+(L/2-k)/3)的范围内，第一子侧边1041具有一个第二折角y1=135°；在距离中心线A垂直距离为 (k+(L/2-k)/3)至 (k+2(L/2-k)/3)的范围内，第一子侧边1041具有一个第三折角z1=135°。本公开实施例使得黑矩阵中部分折角的角度大致相等，这样更加有利于工艺的实现。

在另一种示例性实施例中，该第一子侧边1041在中心线A与第一参考线B之间的折角个数x、在第一参考线B与第二参考线C之间的折角个数y、在第二参考线C与第三参考线D之间的折角个数z，满足以下条件：x≥3，y≥4，z≥5。

示例性的，如图10所示，在距离中心线A的垂直距离小于或等于k的范围内，黑矩阵104a具有三个折角x1、x2和x3；在距离中心线A垂直距离为k至(k+(L/2-k)/3)的范围内，黑矩阵104a具有四个折角y1、y2、y3和y4；在距离中心线A垂直距离为 (k+(L/2-k)/3)至 (k+2(L/2-k)/3)的范围内，黑矩阵104a具有六个折角z1、z2、z3、z4、z5和z6。本公开实施例使得远离子像素中心线越远的地方折角个数越多，能够减轻光栅效应，比如衍射效应、干涉效应，及散射色分离等。

在另一种示例性实施例中，在距离中心线A的垂直距离小于或等于k的范围内（即在中心线A与第一参考线B之间），黑矩阵104a包括至少三个折角：x1、x2、x3，其中，x2与x3大致相等，且x1+x2大致等于360°；在距离中心线A垂直距离在 k至(k+(L/2-k)/3)之间的范围内（即在第一参考线B与第二参考线C之间），黑矩阵104a包括至少四个折角y1、y2、y3和y4，其中，y1与y2大致相等，且y3+y4大致等于360°；在距离中心线A垂直距离为 (k+(L/2-k)/3)至(k+2(L/2-k)/3) 之间的范围内（即在第二参考线C与第三参考线D之间），黑矩阵104a包括至少四个折角：z1 z2、z3和z4，其中，z1与z2大致相等，且z3+z4大致等于360° 。

示例性的，x1大致等于135°，x2大致等于225°。示例性的，y1大致等于135°，y3大致等于225°。

在另一种示例性实施例中，在距离中心线A的垂直距离小于或等于k的范围内（即在中心线A与第一参考线B之间），黑矩阵104a包括至少三个折角：x1、x2、x3，其中，x1、x2与x3大致相等。本实施例中，通过使得黑矩阵104a的部分角度大致相等，有利于工艺实现。

在另一种示例性实施例中，如图10所示，在距离中心线A的垂直距离小于或等于k的范围内（即在中心线A与第一参考线B之间），黑矩阵104a包括至少三个折角：x1、x2、x3，等于45度的n倍，其中，n=3或5。本实施例中，通过使得黑矩阵104a的部分角度是45°的整数倍，有利于工艺实现。

在一种示例性实施例中，图12为图11中aa’区域的剖面结构示意图。如图11和图12所示，显示基板包括衬底101，设置在衬底101上的驱动电路层102，设置在驱动电路层102上的发光结构层103（包括像素界定层、有机发光层、阳极和阴极等）以及设置在发光结构层103上的彩膜结构层104，彩膜结构层104包括黑矩阵104a，黑矩阵104a包括至少一条第一子侧边1041。驱动电路层102包括至少一条第一信号线1021，第一信号线1021沿第一方向具有第二宽度l2，第一子侧边1041沿第一方向具有第一宽度l1。第一信号线1021在衬底上的正投影与第一子侧边1041在衬底上的正投影具有第一交叠，第一交叠沿第一方向具有第三宽度l3。

上述宽度之间满足以下关系：

10*l1≤L≤10*l2。

2*k＜L≤3*k。

示例性的，L=220μm，l1= 12~20μm，k约等于74μm，l3约等于8μm，l2约等于32μm。

在另一种示例性实施例中，6*l2＜L＜7*l2。

在另一种示例性实施例中，20*l3＜L＜35*l3。

在另一种示例性实施例中，3.5*l3＜l2≤4*l3。

在一种示例性实施例中，第一信号线1021具有折线结构，黑矩阵具有多个子侧边，且第一信号线在任意一个子像素区域内的折角个数小于黑矩阵的至少一个子侧边的折角个数，大于黑矩阵的至少一个另一子侧边的折角个数。

结合图6和图11所示，第一信号线1021具有折线结构，黑矩阵具有子侧边I、子侧边II、子侧边III和子侧边IV，且第一信号线在任意一个子像素区域内的折角个数小于黑矩阵的至少一个子侧边（如子侧边II和子侧边IV）的折角个数，大于黑矩阵的至少一个另一子侧边（如子侧边I和子侧边III）的折角个数。

在一种示例性实施例中，如图12所示，在第三方向（即垂直且远离于衬底的方向）上，第一子侧边1041具有第一厚度l4。其中，0.9μm＜l4＜1.2μm。

在一种示例性实施例中，如图13所示，彩膜结构层104包括环状的黑矩阵104a和位于黑矩阵104a开口即第二开口内的彩膜104b。彩膜104b在衬底上的正投影至少部分覆盖像素界定层103b的第一开口K1在衬底上的正投影。

在一种示例性实施例中，如图13所示，子像素区域具有像素界定层103b以及设置在像素界定层103b之上的彩膜结构层104，彩膜结构层104具有黑矩阵104a和分立设置的彩膜104b，黑矩阵104a包括至少一条第一子侧边1041。在第三方向上，彩膜104b具有最大厚度大于黑矩阵的第一子侧边1041的最大厚度，且彩膜104b至少部分覆盖黑矩阵的第一子侧边1041。

在一种示例性实施例中，如图13所示，黑矩阵104a靠近彩膜104b一侧的边缘具有台阶结构。示例性的，该台阶结构为一级台阶结构，即只包括一个台阶面。由于黑矩阵104a靠近彩膜104b一侧的边缘形成台阶状结构，彩膜104b可以紧密地贴附在黑矩阵104a靠近彩膜104b一侧的边缘。

在一种示例性实施例中，如图14所示，彩膜104b可以具有第一子部10421和第二子部10422。第一子部10421与黑矩阵的第一子侧边1041相接。第二子部10422在衬底上的正投影覆盖第一子部10421在衬底上的正投影。换言之，第二子部10422相对于第一子部10421，在平行于衬底的平面上，可以具有突出结构。本实施例中，通过设置第二子部10422在衬底上的正投影覆盖第一子部10421在衬底上的正投影，提升了显示基板的出光纯度。

在一种示例性实施例中，如图15所示，第一信号线1021同样具有折线形状，所述折线形状具有折角，在任意一个子像素区域内，第一信号线1021的折角数小于黑矩阵第一子侧边的折角数。示例性的，第一信号线1021的折角数小于黑矩阵第一子侧边（或第二子侧边）的折角数，大于第三子侧边（或第四子侧边）的折角数，这样有利于工艺的实现。

在一种示例性实施例中，彩膜104b覆盖第一信号线1021的折线结构。

在一种示例性实施例中，如图15所示，第一信号线1021在衬底上的正投影与黑矩阵104a的第一子侧边1041在衬底上的正投影具有第一交叠202，第一交叠202被彩膜104b覆盖。由于第一信号线1021是金属的，反射率较高，具有第一交叠202，且第一交叠的宽度l3较小，结合图14，则能确保子彩膜可以覆盖第一信号线1021，有利于降低反射，提升出光纯度。

在一种示例性实施例中，第一信号线1021具有折线结构，黑矩阵具有多个子侧边（子侧边I、子侧边II、子侧边III、子侧边IV），且第一信号线1021在任意一个子像素区域内的折角个数小于黑矩阵的至少一个子侧边（示例性的，子侧边II或子侧边IV）的折角个数，大于黑矩阵的至少一个另一子侧边（示例性的，子侧边I或子侧边III）的折角个数。

在一种示例性实施例中，如图16所示，黑矩阵104a的第一子侧边1041具有多个第三子线段。多个第三子线段与第一方向和第二方向既不平行也不垂直。并且，多个第三子线段互相之间分立设置，多个第三子线段互相之间被或平行于第一方向或平行于第二方向的其他子线段所间隔。

示例性的，如图16所示，黑矩阵104a的第一子侧边1041具有四个第三子线段10411至10414。四个第三子线段10411至10414与第一方向和第二方向既不平行也不垂直。并且，四个第三子线段10411至10414互相之间是分立设置的，四个第三子线段10411至10414被平行于第二方向的其他子线段所间隔。

在一种示例性实施例中，如图17所示，黑矩阵104a具有与第一子侧边1041相对设置的第二子侧边1042。如图17所示，子像素10’具有与第四侧边Ⅳ对侧设置的另一侧边即第二侧边Ⅱ，黑矩阵具有第二子侧边1042。

图17中，与中心线A距离为k处，可设置第一参考线B和第五参考线B’。子像素区域还可以包括第二参考线C、第三参考线D、第四参考线E、第六参考线C’、第七参考线D’和第八参考线E’，第五参考线B’、第六参考线C’、第七参考线D’、第八参考线E’分别是第一参考线B、第二参考线C、第三参考线D、第四参考线E关于中心线A的对称结构。也就是说，中心线A与第五参考线B’同样具有k的距离，且第五参考线B’至第六参考线C’、第六参考线 C’至第七参考线D’、第七参考线D’至第八参考线E’之间的距离同样是n。且黑矩阵104a的第二子侧边1042也具有折线结构，折线结构具有折角。

在示例性实施方式中，在中心线A与第五参考线B’之间的折角个数x’、在第五参考线B’与第六参考线 C’之间的折角个数y’、在第六参考线 C’与第七参考线D’之间的折角个数z’，满足以下条件：x=x’，y ≠y’ ，z≠z’。

因为x相对较小则x’也相对较小，也就是说靠近子像素中心线A的折线结构折角个数较少。y ≠y’，z≠z’，也就是说，第一子侧边1041和第二子侧边1042不对称设置，这样，能实现更好的显示效果，也即是更少的干涉和衍射结构。

在示例性实施方式中，在一个子像素区域内，第二子侧边1042在中心线A与第五参考线B’之间的折角个数x’、在第五参考线B’与第六参考线C’之间的折角个数y’、在第六参考线C’与第七参考线D’之间的折角个数z’，满足以下条件：x’≤y’≤z’。

在示例性实施方式中，第二子侧边1042在中心线A与第五参考线B’之间的折角个数≥2；第二子侧边1042在第五参考线B’与第六参考线C’之间的折角个数≥3；第二子侧边1042在第六参考线C’与第七参考线D’之间的折角个数≥3。

示例性的，如图18所示，在距离中心线A的垂直距离小于或等于k的范围内（即在中心线A与第五参考线B’之间），第二子侧边1042包括的折角个数x’=2。在距离中心线A垂直距离在 k至(k+(L/2-k)/3)之间的范围内（即在第五参考线B’与第六参考线C’之间），第二子侧边1042包括的折角个数y’=3；在距离中心线A垂直距离为 (k+(L/2-k)/3)至(k+2(L/2-k)/3) 之间的范围内（即在第六参考线C’与第七参考线D’之间），第二子侧边1042包括的折角个数z’=6。

在示例性实施方式中，第二子侧边1042在中心线A与第五参考线B’之间有至少两个折角大致相等；第二子侧边1042在第五参考线B’与第六参考线C’之间有至少两个折角大致相等；第二子侧边1042在第六参考线C’与第七参考线D’之间有至少两个折角大致相等。

示例性的，第二子侧边1042在中心线A与第五参考线B’之间有两个折角x2’和x3’，且x2’与 x3’大致相等，第二子侧边1042在第五参考线B’与第六参考线C’之间有3个折角y1’、y2’和 y3’，其中，y2’与 y3’大致相等，第二子侧边1042在第六参考线C’与第七参考线D’之间有6个折角z1’、z2’、 z3’、z4’、z5’和 z6’，其中，z3’与 z4’大致相等。

在示例性实施方式中，第二子侧边1042在中心线A与第五参考线B’之间具有至少一个第四折角；第二子侧边1042在第五参考线B’与第六参考线C’之间具有至少一个第五折角；第二子侧边1042在第六参考线C’与第七参考线D’之间具有至少一个第六折角，第四折角、第五折角和第六折角的角度大致相等。

示例性的，第二子侧边1042在中心线A与第五参考线B’之间的折角x2’、在第五参考线B’与第六参考线C’之间的折角y2’、在第六参考线C’与第七参考线D’之间的折角z3’满足：x2’、y2’与 z3’大致相等。

在一种示例性实施例中，如图19所示，黑矩阵104a包括第三子侧边和第四子侧边，第三子侧边连接第一子侧边和第二子侧边，第四子侧边连接第一子侧边和第二子侧边，第一子侧边、第三子侧边、第四子侧边和第二子侧边首尾相接，形成第二开口。

在一种示例性实施例中，如图19所示，第三子侧边与第一方向平行，第四子侧边与第一方向平行。

在一种示例性实施例中，如图19所示，显示基板中的一个像素单元可以包括第一子像素301、第二子像素302和第三子像素303。任意两个相邻的子像素具有的黑矩阵侧边不同。这样，能实现更好的显示效果，也即是更少的干涉和衍射结构。示例性的，第一子像素301、第二子像素302和第三子像素303可以是红色（R）子像素、绿色（G）子像素和蓝色（B）子像素，本公开对此不作限制。

在另一种示例性实施例中，如图20所示，显示基板中的一个像素单元可以包括第一子像素301、第二子像素302、第三子像素303和第四子像素304。此时，各个子像素中的黑矩阵的子侧边可以是不同的，这样，能实现更好的显示效果，也即是更少的干涉和衍射结构。

在示例性实施方式中，像素排列可以是按照图20这种布局，2个子像素沿第一方向排列，另外2个子像素沿第二方向排列。当然，子像素可以是按照其他像素结构进行排列。

示例性的，第一子像素301、第二子像素302、第三子像素303和第四子像素304可以是红色（R）子像素、绿色（G）子像素、蓝色（B）子像素和白色（W）子像素，本公开对此不作限制。

在一种示例性实施例中，绿色（G）子像素中的黑矩阵第一子侧边的折角个数，少于蓝色（B）子像素中的黑矩阵第一子侧边的折角个数。

在一种示例性实施例中，不同子像素的黑矩阵形成的第二开口的面积可以不同，各个子像素的黑矩阵形成的第二开口的面积可以根据亮度需要进行设置。示例性的，绿色（G）子像素形成的第二开口的面积最小，白色（W）子像素形成的第二开口的面积最大。

在一种示例性实施例中，在子像素包括红色（R）子像素、绿色（G）子像素、蓝色（B）子像素和白色（W）子像素时，白色（W）子像素上可以不具有彩膜。

示例性的，如图21所示，绿色（G）子像素、红色（R）子像素和蓝色（B）子像素均包括彩膜，白色（W）子像素上可以没有彩膜。

在一种示例性实施例中，如图22所示，显示基板还可以包括设置在彩膜结构层远离发光结构层103一侧的封装层105。封装层105可以包括叠设的第一封装层和第二封装层，第一封装层可以采用有机材料，第二封装层可以采用无机材料，可以保证外界水汽无法进入发光结构层和彩膜结构层。

由于白色（W）子像素上可以没有彩膜，第一封装层可以覆盖并填充白色（W）子像素。也就是说，白色（W）子像素上的填充结构与第一封装层的材料相同，是一体结构。

在一种示例性实施例中，如图23所示，显示基板还可以包括空白结构305，空白结构305在衬底上的正投影与驱动电路在衬底上的正投影不重叠，这样有助于提升透过率。

在一种示例性实施例中，空白结构占显示区的面积可以为≥45%，示例性的，空白结构占显示区的面积可以为46%。

在一种示例性实施例中，空白结构在第一方向上具有宽度l5，这里的宽度定义是沿第二方向大致平行的两个侧边之间的距离。这里，宽度l5可以和黑矩阵的子侧边1041的各折线结构在第一方向上的总长度相等或大致相等。这样，可以使得空白结构305在显示基板上较为均一的设置，能实现更好的显示效果。

在一种示例性实施例中，空白结构具有与白色子像素区域的第一子侧边以及红色子像素区域的第一子侧边相邻接的第一子边缘，第一子边缘的形状与白色子像素区域的第一子侧边以及红色子像素区域的第一子侧边的形状是保形的。本公开实施例中，A与B“保形”指的是A与B相邻接的边缘的形状完全一致，或者A与B共用某一条边作为A与B之间的边缘。

在一种示例性实施例中，空白结构305不一定是矩形的，也可以是沿着第一方向的黑矩阵104a的两条子侧边之间的区域。也就是说，空白结构305的侧边，同样具有折线结构，具有折角。这样，可以进一步去掉规律的走线，降低衍射和干涉效应，提升显示效果。

在一种示例性实施例中，如图24所示，子像素可以包括第一电源线VDD，第一电源线VDD持续提供高电位电压。结合图15，前述的第一信号线1021可以为第一电源线VDD。本实施例中，黑矩阵之间的彩膜完全覆盖第一电源线VDD，降低了反射率，提升了出光纯度。

在一种示例性实施例中，如图24所示，子像素可以包括第二电源线VSS，第二电源线VSS持续提供低电位电压。结合图15，前述的第一信号线1021可以为第二电源线VSS。本实施例中，黑矩阵之间的彩膜完全覆盖第一电源线VDD，降低了反射率，提升了出光纯度。

在一种示例性实施例中，如图24所示，子像素可以包括修复结构401。修复结构401可以与多个像素电极电连接。

在一种示例性实施例中，一个修复结构401可以和两个子像素的第一电极电连接。这里，发光层可以是包括第一电极和第二电极之间的电致发光层。示例性的，第一电极是阳极，第二电极是阴极。相邻子像素的阳极可以是分离的块状结构，而相邻子像素的阴极是整面结构。

在一种示例性实施例中，多个子像素区域包括红色子像素区域和蓝色子像素区域，红色子像素区域的修复结构和蓝色子像素区域的修复结构至少部分对称、且至少部分不对称。

在一种示例性实施例中，彩膜在衬底上的正投影可以覆盖对应的驱动电路层在衬底上的正投影，这样可以进一步降低反射，提升出光效率、提高显示效果。

在一种示例性实施例中，发光结构层还包括阳极，第一开口至少部分暴露出阳极，至少一个子像素区域包含分立设置的多个子阳极块。

在一种示例性实施例中，如图25所示，显示基板的阳极包括至少两个分立设置的子阳极块，即阳极为分立结构，且至少一个子阳极的边缘可以包括折线结构。这样，可以降低衍射效应，提升显示效果。

在一种示例性实施例中，如图25所示，以任意相邻的两个子像素301、302为例，每个子像素中都可以包括至少两个分立设置的子阳极。示例性的，子像素301包括分离的第一子阳极块5011和第二子阳极块5012，且第一子阳极块5011和第二子阳极块5012都具有折线的结构，以提升显示效果；子像素302包括分离的第三子阳极块5021和第四子阳极块5022，且第三子阳极块5011和第四子阳极块5012都具有折线的结构，以提升显示效果。

在一种示例性实施例中，多个子阳极块的形貌不同。本实施例中，多个子阳极块的形貌不同，指的是，多个子阳极块在衬底上的正投影的形状不同，或者，多个子阳极块在衬底上的正投影的形状相同，但是叠加方向不同。

示例性的，如图25所示，第一子阳极块5011在衬底上的正投影的形状与第二子阳极块5012在衬底上的正投影的形状可以不同。

在一种示例性实施例中，相邻的子像素中的子阳极块在衬底上的正投影的形状可以不同，示例性的，如图25所示，多个子阳极块5011、5012、5021、5022在衬底上的正投影的形状都不同。本公开实施例所述的正投影的形状不同指的是，一个子阳极块在衬底上的正投影经过平移之后不可能与另一个子阳极块在衬底上的正投影重叠。

在一种示例性实施例中，相同子像素中的多个子阳极块分别与连接结构连接。示例性的，如图25所示，第一子阳极块5011和第二子阳极块5012分别与第一连接结构601电连接。第三子阳极块5021和第四子阳极块5022分别与第二连接结构602电连接。

如图26所示，第一连接结构601可以包括：第一连接电极CE1，其从第一子阳极块5011的第一端向第一方向延伸；第二连接电极CE2，其从第二子阳极块5012的第一端向第一方向延伸；第三连接电极CE3，其电连接至驱动晶体管（示例性的，可以为图8中的第二晶体管T2）并且向第一方向延伸；以及第四连接电极CE4，其具有与第一连接电极CE1接触的第一端和与第二连接电极CE2接触的第二端，该第四连接电极CE4与第三连接电极CE3在第一端与第二端之间接触。此时，第四连接电极CE4布置在与第一连接电极至第三连接电极CE1至CE3中的至少一个连接电极不同的层中，并且与第一连接电极至第三连接电极CE1至CE3接触。

第一连接电极CE1、第二连接电极CE2和第三连接电极CE3彼此间隔开并且并行地布置。第一连接电极CE1可以与第一子阳极块5011形成为一体，并且第二连接电极CE2可以与第二子阳极块5012形成为一体。第三连接电极CE3与第一子阳极块5011和第二子阳极块5012间隔开并且布置在第一子阳极块5011与第二子阳极块5012之间。

第三连接电极CE3可以由与构成第一子阳极块5011、第二子阳极块5012、第一连接电极CE1和第二连接电极CE2中的至少之一的材料相同的材料制成，或者第三连接电极CE3可以布置在与第一子阳极块5011、第二子阳极块5012、第一连接电极CE1和第二连接电极CE2中的至少之一相同的层中。与驱动晶体管连接的第三连接电极CE3可以与第一连接电极CE1和第二连接电极CE2电连接，以通过一个驱动晶体管驱动与第一子阳极块5011对应的第一子发光单元和与第二子阳极块5012对应的第二子发光单元。

连接电极CE4可以沿与其中布置第一连接电极至第三连接电极CE1至CE3的第一方向不同或垂直的第二方向布置，并且连接电极CE4将第一连接电极CE1、第二连接电极CE2和第三连接电极CE3彼此电连接。第四连接电极CE4布置在与第一连接电极CE1、第二连接电极CE2和第三连接电极CE3中的至少一个连接电极不同的层中。第四连接电极CE4通过桥接器将第一连接电极CE1与第三连接电极CE3连接，或者通过桥接器将第二连接电极CE2与第三连接电极CE3连接。

第四连接电极CE4可以布置在与构成驱动薄膜晶体管的有源层相同的层中。第一连接电极CE1、第二连接电极CE2和第三连接电极CE3通过穿过布置在第四连接电极CE4上的绝缘层上的过孔与第四连接电极CE4接触。第四连接电极CE4可以由与构成驱动薄膜晶体管的有源层的材料相同的材料制成。

参照图8，可能需要驱动晶体管和至少两个开关晶体管来驱动子像素。一个开关晶体管（图8中的第一晶体管T1）的栅电极与第一扫描信号线Sn连接，以将连接至该开关晶体管的源电极/漏电极的数据信号线Dn的信号提供至驱动晶体管（图8中的第二晶体管T2）的栅电极。

驱动晶体管响应于栅电极的信号而将连接至驱动晶体管一侧处的源电极/漏电极的电压VDD施加至第一子阳极块5011和第二子阳极块5012。此时，第一连接结构601电连接在驱动晶体管的另一侧处的源电极/漏电极与第一子阳极块5011和第二子阳极块5012之间，以通过第一连接结构601将驱动晶体管的另一侧处的源电极/漏电极的电压或电流施加至第一子阳极块5011和第二子阳极块5012。另一开关晶体管（图8中的第三晶体管T3）连接至驱动晶体管的另一侧的源电极/漏电极，该开关晶体管的栅电极连接至第二扫描信号线Sn，并且参考电压VRef连接至该开关晶体管的源电极/漏电极电极的一侧。

如果在显示面板的任意一个子像素中出现暗点或亮点，则可以对第一连接结构601的第四连接电极CE4的一部分进行激光切割，由此来自一个子像素的第一子阳极块5011或第二子阳极块5012可以与驱动晶体管电连接。

例如，可以针对第二连接电极CE2与第三连接电极CE3之间的第四连接电极CE4执行激光切割，由此使连接至第二连接电极CE2的第二子阳极块5012从驱动晶体管电断开，并且与第二子阳极块5012对应的第二发光单元变为浮置状态。此时，第一子阳极块5011可以通过第三连接电极CE3电连接至驱动晶体管，并且因此可以驱动第一子阳极块5011，其中，第三连接电极CE3通过第一连接电极CE1和第四连接电极CE4与驱动晶体管电连接。

也就是说，即使在一个子像素中出现暗点或亮点，也可以针对第四连接电极CE4执行激光切割以使一个子发光单元浮置，由此可以正常地驱动子像素。

虽然示出了激光切割针对第二连接电极CE2与第三连接电极CE3之间的第四连接电极CE4来执行，但是激光切割也可以针对在第一连接电极CE1与第三连接电极CE3之间的第四连接电极CE4形成。

如果在与第一子阳极块5011对应的第一子发光单元区域中出现暗点或亮点，则可以针对第一连接电极CE1与第三连接电极CE3之间的第四连接电极CE4执行激光切割，由此使连接至第一连接电极CE1的第一子阳极块5011从驱动晶体管电断开，并且与第一子阳极块5011对应的第一子发光单元变为浮置状态。此时，第二子阳极块5012可以通过第三连接电极CE3电连接至驱动晶体管，并且因此可以驱动第二子阳极块5012，其中，第三连接电极CE3通过第二连接电极CE2和第四连接电极CE4与驱动晶体管电连接。

即使在一个子像素中出现暗点或亮点，也可以针对第四连接电极CE4执行激光切割以驱动第二子发光单元，由此可以正常地驱动子像素。

如果在一个子像素中出现暗点或亮点，则第一连接电极CE1和布置在与第三连接电极CE3不同的层上的第四连接电极CE4可以在第一连接电极CE1与第三连接电极CE3之间彼此分离，并且第二连接电极CE2和布置在与第三连接电极CE3不同的层上的第四连接电极CE4可以在第二连接电极CE2与第三连接电极CE3之间彼此分离。

如果在一个子像素中没有出现暗点或亮点，则如上所述，第四连接电极CE4将第一连接电极CE1、第二连接电极CE2和第三连接电极CE3彼此电连接。

在一种示例性实施例中，当子像素对应的子像素驱动电路发生断路等故障时，可以通过烧蚀电连接修复结构和连接结构，使得子像素与相邻的子像素驱动电路电连接，则可以完成点亮。示例性的，当子像素301对应的子像素驱动电路发生断路等故障时，可以通过烧蚀电连接第一修复结构4011和第一连接结构601，使得子像素301与相邻的子像素驱动电路电连接，则可以完成点亮。

下面通过显示基板的制备过程进行示例性说明。本公开所说的“图案化工艺”，对于金属材料、无机材料或透明导电材料，包括涂覆光刻胶、掩模曝光、显影、刻蚀、剥离光刻胶等处理，对于有机材料，包括涂覆有机材料、掩模曝光和显影等处理。沉积可以采用溅射、蒸镀、化学气相沉积中的任意一种或多种，涂覆可以采用喷涂、旋涂和喷墨打印中的任意一种或多种，刻蚀可以采用干刻和湿刻中的任意一种或多种，本公开不做限定。“薄膜”是指将某一种材料在基底上利用沉积、涂覆或其它工艺制作出的一层薄膜。若在整个制作过程当中该“薄膜”无需图案化工艺，则该“薄膜”还可以称为“层”。若在整个制作过程当中该“薄膜”需图案化工艺，则在图案化工艺前称为“薄膜”，图案化工艺后称为“层”。经过图案化工艺后的“层”中包含至少一个“图案”。本公开所说的“A和B同层设置”是指，A和B通过同一次图案化工艺同时形成，膜层的“厚度”为膜层在垂直于显示基板方向上的尺寸。本公开示例性实施例中，“B的正投影位于A的正投影的范围之内”，是指B的正投影的边界落入A的正投影的边界范围内，或者A的正投影的边界与B的正投影的边界重叠。

在示例性实施方式中，显示基板的一种制备过程可以包括如下操作。

（1）首先，在衬底101上制备驱动电路层102图案。驱动电路层102包括多条栅线和多条数据信号线，多条栅线和多条数据信号线交叉限定出多个矩阵排布的像素单元，每个像素单元包括至少3个子像素，每个子像素包括薄膜晶体管（Thin Film Transistor，TFT）。本实施例中，一个像素单元包括3个子像素，分别为红色子像素R、绿色子像素G和蓝色子像素B。当然，本实施例方案也适用于一个像素单元包括4个子像素（红色子像素R、绿色子像素G、蓝色子像素B和白色子像素W）情形。

在示例性实施方式中，衬底101可以是柔性基底，或者可以是刚性基底。在示例性实施方式中，柔性基底可以包括叠设的第一柔性材料层、第一无机材料层、半导体层、第二柔性材料层和第二无机材料层。第一、第二柔性材料层的材料可以采用聚酰亚胺（PI）、聚对苯二甲酸乙二酯（PET）或经表面处理的聚合物软膜等材料，第一、第二无机材料层的材料可以采用氮化硅（SiNx）或氧化硅（SiOx）等，用于提高基底的抗水氧能力，第一、第二无机材料层也称为阻挡（Barrier）层，半导体层的材料可以采用非晶硅（a-si）。在示例性实施方式中，以一种叠层结构为例，其制备过程可以包括：先在玻璃载板上涂布一层聚酰亚胺，固化成膜后形成第一柔性（PI1）层；随后在第一柔性层上沉积一层阻挡薄膜，形成覆盖第一柔性层的第一阻挡（Barrier1）层；然后在第一阻挡层上沉积一层非晶硅薄膜，形成覆盖第一阻挡层的非晶硅（a-si）层；然后在非晶硅层上再涂布一层聚酰亚胺，固化成膜后形成第二柔性（PI2）层；然后在第二柔性层上沉积一层阻挡薄膜，形成覆盖第二柔性层的第二阻挡（Barrier2）层，完成衬底101的制备。

在示例性实施方式中，驱动电路层102的制备过程可以包括：

在衬底101上依次沉积第一绝缘薄膜和有源层薄膜，通过构图工艺对有源层薄膜进行构图，形成覆盖整个衬底101的第一绝缘层，以及设置在第一绝缘层上的有源层图案，有源层图案至少包括第一有源层。

随后，依次沉积第二绝缘薄膜和第一金属薄膜，通过构图工艺对第一金属薄膜进行构图，形成覆盖有源层图案的第二绝缘层，以及设置在第二绝缘层上的第一栅金属层图案，第一栅金属层图案至少包括第一栅电极、第一电容电极、多条栅线和多条栅引线。

随后，依次沉积第三绝缘薄膜和第二金属薄膜，通过构图工艺对第二金属薄膜进行构图，形成覆盖第一栅金属层的第三绝缘层，以及设置在第三绝缘层上的第二栅金属层图案，第二栅金属层图案至少包括第二电容电极和第二栅引线，第二电容电极的位置与第一电容电极的位置相对应。

随后，沉积第四绝缘薄膜，通过构图工艺对第四绝缘薄膜进行构图，形成覆盖第二栅金属层的第四绝缘层图案，第四绝缘层上开设有多个第一过孔，多个第一过孔的位置分别与第一有源层的两端位置相对应，多个第一过孔内的第四绝缘层、第三绝缘层和第二绝缘层被刻蚀掉，分别暴露出第一有源层的表面。

随后，沉积第三金属薄膜，通过构图工艺对第三金属薄膜进行构图，在第四绝缘层上形成源漏金属层图案，源漏金属层形成在显示区，至少包括第一源电极、第一漏电极、低压（VSS）线、多条数据信号线和多条数据引线图案，第一源电极和第一漏电极分别通过第一过孔与第一有源层连接。在一示例性实施方式中，根据实际需要，源漏金属层还可以包括电源线（VDD）、补偿线和辅助阴极中的任意一种或多种，源漏金属层也称之为第一源漏金属层（SD1）。

随后，沉积第五绝缘薄膜，形成覆盖源漏金属层的第五绝缘层图案。

在形成前述图案的衬底101上涂覆第一平坦薄膜，形成覆盖整个衬底101的第一平坦（PLN）层，通过构图工艺在第一平坦层上形成第二过孔，第二过孔形成在显示区，第二过孔内的第一平坦层和第五绝缘层被刻蚀掉，暴露出第一晶体管102a的第一漏电极的表面。

至此，在衬底101上制备完成驱动结构层102图案。第一有源层、第一栅电极、第一源电极和第一漏电极组成第一晶体管102a，第一电容电极和第二电容电极组成第一存储电容102b，多条栅引线和数据引线组成阵列基板栅极驱动（Gate Driver on Array，简称GOA）的驱动引线。在一示例性实施方式中，第一晶体管102a可以是像素驱动电路中的驱动晶体管，驱动晶体管可以是薄膜晶体管（Thin Film Transistor，简称TFT）。

（2）在形成前述图案的衬底101上制备发光结构层103图案。在示例性实施方式中，发光结构层103的制备过程可以包括：

在形成前述图案的衬底101上沉积透明导电薄膜，通过构图工艺对透明导电薄膜进行构图，形成阳极103a图案，阳极103a形成在显示区，通过第二过孔与第一晶体管102a的第一漏电极连接；

在形成前述图案的衬底101上涂覆像素定义薄膜，通过掩膜、曝光、显影工艺，形成像素定义（PDL）层103b图案，像素定义层103b开设有像素开口，像素开口内的像素定义薄膜被显影掉，暴露出阳极103a的表面；

在形成前述图案的基底上涂覆有机材料薄膜，通过掩膜、曝光、显影工艺，形成多个隔离柱（PS）图案；

在形成前述图案的基底上依次形成有机发光层103c和阴极103d。有机发光层103c可以包括叠设的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层，形成在显示区，实现有机发光层103c与阳极103a连接。由于阳极103a与第一晶体管102a的漏电极连接，因而实现了有机发光层103c的发光控制。阴极103d与有机发光层103c连接；

（4）在形成前述图案的衬底101上涂覆第二平坦薄膜，通过掩膜、曝光、显影工艺，在发光结构层103上形成第二平坦层图案。

（5）在形成前述图案的衬底101上制备彩膜结构层104图案。在示例性实施方式中，彩膜结构层104的制备过程可以包括：

首先在第二平坦层上涂覆混合了黑矩阵材料的高分子光刻胶层，经过曝光、显影，形成黑矩阵104a的图案；然后在第二平坦层上涂覆混合了红色颜料的高分子光刻胶层，经过曝光、显影，形成红色区域的图形；采用相同的方法和步骤依次形成绿色区域的图形以及蓝色区域的图形，最终形成按照一定规则排列的红、绿、蓝三原色的彩膜图案。

（4）在形成前述图案的衬底101上形成封装层105，封装层105形成在显示区，采用有机材料/无机材料的叠层结构，如图27和图28所示。

在示例性实施方式中，在制备柔性显示基板时，显示基板的制备过程可以包括剥离玻璃载板、贴附背膜、切割等工艺，本公开在此不作限定。

通过本公开示例性实施例显示基板的结构及其制备过程可以看出，本公开示例性实施例通过设置黑矩阵具有折线结构，减轻了光栅效应，比如衍射效应、干涉效应，及散射色分离等，提升了显示效果；因为使用黑矩阵和彩膜降低了反射率、提升了出光纯度；由于不使用偏振片，降低了成本，并减薄了显示面板的厚度、提升了显示面板的可弯折性。本公开示例性实施例显示基板的制备方法具有良好的工艺兼容性，工艺实现简单，易于实施，生产效率高，生产成本低，良品率高。

本公开示例性实施例所示结构及其制备过程仅仅是一种示例性说明，在示例性实施方式中，可以根据实际需要变更相应结构以及增加或减少图案化工艺。例如，驱动电路层中的晶体管可以是顶栅结构，或者可以是底栅结构，可以是单栅结构，或者可以是双栅结构。又如，驱动电路层和发光结构层中还可以设置其它膜层结构、电极结构或引线结构。再如，基底可以是玻璃基底，本公开在此不做具体的限定。

本公开还提供了一种显示基板的制备方法。在示例性实施方式中，该制备方法可以包括：

在衬底上形成驱动电路层；

在所述驱动电路层远离衬底的一侧形成发光结构层，所述发光结构层包括像素界定层和有机发光层，所述像素界定层界定出多个子像素区域，且具有至少部分地暴露所述驱动电路层的第一开口，所述有机发光层位于子像素区域，并与所述像素界定层的第一开口交叠；

在所述发光结构层远离所述衬底的一侧形成彩膜结构层，所述彩膜结构层包括彩膜和黑矩阵，所述黑矩阵具有至少部分暴露所述第一开口的第二开口，所述彩膜设置在所述第二开口内，所述黑矩阵包括第一子侧边，且所述第一子侧边具有折线结构。

有以下几点需要说明：

本公开实施例附图只涉及本公开实施例涉及到的结构，其他结构可参考通常设计。

在不冲突的情况下，本公开的实施例即实施例中的特征可以相互组合以得到新的实施例。

虽然本公开所揭露的实施方式如上，但所述的内容仅为便于理解本公开而采用的实施方式，并非用以限定本公开。任何本公开所属领域内的技术人员，在不脱离本公开所揭露的精神和范围的前提下，可以在实施的形式及细节上进行任何的修改与变化，但本公开的专利保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。

Claims (48)

1.一种显示基板，其特征在于，包括：

衬底；

设置在所述衬底上的驱动电路层；

设置在所述驱动电路层远离所述衬底一侧的发光结构层，所述发光结构层包括像素界定层和有机发光层，所述像素界定层界定出多个子像素区域，且具有至少部分地暴露所述驱动电路层的第一开口，所述有机发光层位于所述子像素区域，并与所述像素界定层的第一开口交叠；

以及设置在所述发光结构层远离所述衬底一侧的彩膜结构层，所述彩膜结构层包括彩膜和黑矩阵，所述黑矩阵具有至少部分暴露所述第一开口的第二开口，所述彩膜设置在所述第二开口内，所述黑矩阵包括第一子侧边，且所述第一子侧边具有折线结构；所述第一子侧边具有多个折角，在离所述子像素区域的中心线越远的区域，所述第一子侧边的折角的数量越多。

2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述子像素区域沿第一方向依次包括中心线、第一参考线、第二参考线、第三参考线和第四参考线，所述第四参考线与所述第一子侧边远离所述中心线一侧的最远边界重合，其中：

所述第一参考线与所述子像素区域的中心线的距离为k，所述第一参考线与所述第二参考线之间的距离为n1，所述第二参考线与所述第三参考线之间的距离为n2，所述第三参考线与所述第四参考线之间的距离为n3；k+n1+n2+n3=L/2，L为所述子像素区域沿第一方向的长度；

所述第一子侧边在所述中心线与所述第一参考线之间的折角个数x、在所述第一参考线与所述第二参考线之间的折角个数y、在所述第二参考线与所述第三参考线之间的折角个数z，满足以下条件：x≤y≤z。

3.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，n1=n2=n3。

4.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述第一子侧边在所述中心线与所述第一参考线之间的折角个数x≥3；

所述第一子侧边在所述第一参考线与所述第二参考线之间的折角个数y≥3；

所述第一子侧边在所述第二参考线与所述第三参考线之间的折角个数z≥3。

5.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述第一子侧边在所述中心线与所述第一参考线之间有至少两个折角大致相等；

所述第一子侧边在所述第一参考线与所述第二参考线之间有至少两个折角大致相等；

所述第一子侧边在所述第二参考线与所述第三参考线之间有至少两个折角大致相等。

6.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述第一子侧边在所述中心线与所述第一参考线之间具有至少一个第一折角，所述第一子侧边在所述第一参考线与所述第二参考线之间具有至少一个第二折角，所述第一子侧边在所述第二参考线与所述第三参考线之间具有至少一个第三折角，所述第一折角、第二折角和第三折角的角度大致相等。

7.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述第一子侧边在所述中心线与所述第一参考线之间的折角个数x≥3，所述第一子侧边在所述第一参考线与所述第二参考线之间的折角个数y≥4，所述第一子侧边在所述第二参考线与所述第三参考线之间的折角个数z≥5。

8.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述第一子侧边在所述中心线与所述第一参考线之间包括至少三个折角：x1、x2、x3，其中，x2与x3大致相等，且x1+x2大致等于360度；

所述第一子侧边在所述第一参考线与所述第二参考线之间包括至少四个折角：y1、y2、y3和y4，其中，y1与y2大致相等，且y3+y4大致等于360度；

所述第一子侧边在所述第二参考线与所述第三参考线之间包括至少四个折角：z1 、z2、z3和z4，其中，z1与z2大致相等，且z3+z4大致等于360度。

9.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述第一子侧边在所述中心线与所述第一参考线之间具有角度大致相等的至少三个折角。

10.根据权利要求9所述的显示基板，其特征在于，所述第一子侧边在所述中心线与所述第一参考线之间的所述至少三个折角的角度等于45度的n倍，其中，n=3或5。

11.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第一子侧边沿第一方向具有第一宽度；所述驱动电路层包括至少一条第一信号线，所述第一信号线沿第一方向具有第二宽度，所述第一信号线在衬底上的正投影与所述第一子侧边在衬底上的正投影具有第一交叠，所述第一交叠沿第一方向具有第三宽度。

12.根据权利要求11所述的显示基板，其特征在于，所述第一信号线在衬底上的正投影、所述第一子侧边在衬底上的正投影以及所述彩膜在衬底上的正投影具有第一交叠。

13.根据权利要求11所述的显示基板，其特征在于，所述第一信号线具有折线结构，所述黑矩阵具有多个子侧边，且所述第一信号线在任意一个子像素区域内的折角个数小于所述黑矩阵的至少一个子侧边的折角个数，大于所述黑矩阵的至少一个另一子侧边的折角个数。

14.根据权利要求11所述的显示基板，其特征在于，所述第一宽度为l1，所述第二宽度为l2，所述子像素区域沿第一方向包括中心线和第一参考线，所述第一参考线与所述子像素区域的中心线的距离为k，所述子像素区域沿第一方向的长度为L，则：10*l1≤L≤10*l2；2*k＜L≤3*k。

15.根据权利要求11所述的显示基板，其特征在于，所述第一宽度为l1，所述第二宽度为l2，所述第三宽度为l3，所述子像素区域沿第一方向包括中心线和第一参考线，所述第一参考线与所述子像素区域的中心线的距离为k，所述子像素区域沿第一方向的长度为L，则：6*l2＜L＜7*l2；20*l3＜L＜35*l3；3.5*l3＜l2≤4*l3。

16.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述彩膜在衬底上的正投影至少部分覆盖所述像素界定层的第一开口在衬底上的正投影；

在第三方向上，所述彩膜的最大厚度大于所述第一子侧边的最大厚度，且所述彩膜至少部分覆盖所述第一子侧边，所述第三方向为沿着所述衬底基板朝向所述彩膜结构层的方向。

17.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述黑矩阵具有在第三方向上的第二厚度l4，所述第二厚度在0.9微米至1.2微米之间，所述第三方向为沿着所述衬底基板朝向所述彩膜结构层的方向。

18.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第一子侧边包括与第一方向和第二方向既不平行也不垂直的第三子线段，所述黑矩阵包括多个所述第三子线段。

19.根据权利要求18所述的显示基板，其特征在于，所述第一子侧边包括四个分立设置的所述第三子线段，且四个所述第三子线段一一间隔设置。

20.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第一子侧边具有台阶结构。

21.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述黑矩阵还包括与所述第一子侧边相对设置的第二子侧边，且所述第二子侧边具有折线结构，所述第一子侧边与所述第二子侧边相对于所述子像素区域的中心线不对称设置。

22.根据权利要求21所述的显示基板，其特征在于，所述子像素区域沿第一方向依次包括第八参考线、第七参考线、第六参考线、第五参考线、中心线、第一参考线、第二参考线、第三参考线和第四参考线，所述第四参考线与所述第一子侧边远离所述中心线一侧的最远边界重合，所述第八参考线与所述第二子侧边远离所述中心线一侧的最远边界重合，其中：

所述第一参考线与所述子像素区域的中心线的距离为k，所述第五参考线与所述子像素区域的中心线的距离为k，所述第一参考线与所述第二参考线之间的距离为n1，所述第六参考线与所述第五参考线之间的距离为n1，所述第二参考线与所述第三参考线之间的距离为n2，所述第七参考线与所述第六参考线之间的距离为n2，所述第三参考线与所述第四参考线之间的距离为n3，所述第八参考线与所述第七参考线之间的距离为n3；k+n1+n2+n3=L/2，L为所述子像素区域沿第一方向的长度；

所述第一子侧边在所述中心线与所述第一参考线之间的折角个数x、所述第一子侧边在所述第一参考线与所述第二参考线之间的折角个数y、所述第一子侧边在所述第二参考线与所述第三参考线之间的折角个数z、所述第二子侧边在所述中心线与所述第五参考线之间的折角个数x’、所述第二子侧边在所述第五参考线与所述第六参考线之间的折角个数y’、所述第二子侧边在所述第六参考线与所述第七参考线之间的折角个数z’，满足以下条件：x=x’，y ≠y’，z≠z’。

23.根据权利要求21所述的显示基板，其特征在于，所述黑矩阵还包括相对设置的第三子侧边和第四子侧边，所述第一子侧边、第三子侧边、第二子侧边和第四子侧边首尾相接，所述第三子侧边和所述第四子侧边具有直条形的形状或具有大致为直条形的形状。

24.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述子像素区域包括第一子像素区域、第二子像素区域和第三子像素区域，所述第一子像素区域包括第一发光单元和第一颜色彩膜，所述第二子像素区域包括第二发光单元和第二颜色彩膜，所述第三子像素区域包括第三发光单元和第三颜色彩膜，所述第一颜色彩膜在衬底上的正投影覆盖所述第一发光单元在衬底上的正投影，所述第二颜色彩膜在衬底上的正投影覆盖所述第二发光单元在衬底上的正投影，所述第三颜色彩膜在衬底上的正投影覆盖所述第三发光单元在衬底上的正投影。

25.根据权利要求24所述的显示基板，其特征在于，所述第二发光单元包括分立设置的两个子发光单元，所述第二颜色彩膜包括分立设置的两个子彩膜，一个子彩膜在衬底上的正投影覆盖一个子发光单元在衬底上的正投影，另一个子彩膜在衬底上的正投影覆盖另一个子发光单元在衬底上的正投影。

26.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括设置在所述彩膜结构层远离所述发光结构层一侧的封装层，所述封装层在基底上的正投影覆盖所述彩膜结构层在衬底上的正投影。

27.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述子像素区域包括第一子像素区域、第二子像素区域、第三子像素区域和第四子像素区域，所述第一子像素区域包括第一发光单元和第一颜色彩膜，所述第二子像素区域包括第二发光单元和第二颜色彩膜，所述第三子像素区域包括第三发光单元和第三颜色彩膜，所述第四子像素区域包括第四发光单元和第四颜色彩膜，所述第一颜色彩膜在衬底上的正投影覆盖所述第一发光单元在衬底上的正投影，所述第二颜色彩膜在衬底上的正投影覆盖所述第二发光单元在衬底上的正投影，所述第三颜色彩膜在衬底上的正投影覆盖所述第三发光单元在衬底上的正投影，所述第四颜色彩膜在衬底上的正投影覆盖所述第四发光单元在衬底上的正投影。

28.根据权利要求27所述的显示基板，其特征在于，还包括覆盖所述彩膜结构层的封装层，所述封装层覆盖所述第一颜色彩膜、所述第二颜色彩膜和所述第三颜色彩膜，所述第四颜色彩膜与至少部分所述封装层同层同材料设置。

29.根据权利要求27所述的显示基板，其特征在于，所述第一子像素区域为红色子像素区域，所述第二子像素区域为绿色子像素区域，所述第三子像素区域为蓝色子像素区域，所述第四子像素区域为白色子像素区域。

30.根据权利要求29所述的显示基板，其特征在于，所述白色子像素区域的第一子侧边与所述红色子像素区域的第一子侧边连接，所述白色子像素区域的第一子侧边的形貌与所述红色子像素区域的第一子侧边的形貌不同。

31.根据权利要求29所述的显示基板，其特征在于，所述黑矩阵还包括与所述第一子侧边相对设置的第二子侧边，所述绿色子像素区域的第二子侧边与所述蓝色子像素区域的第二子侧边相邻，所述绿色子像素区域的第二子侧边的折角数大于所述蓝色子像素区域的第二子侧边的折角数。

32.根据权利要求29所述的显示基板，其特征在于，相邻的两个所述子像素区域之间的黑矩阵是保形的。

33.根据权利要求29所述的显示基板，其特征在于，所述白色子像素区域和所述绿色子像素区域之间的黑矩阵的折角数大于所述红色子像素区域和所述蓝色子像素区域之间的黑矩阵的折角数。

34.根据权利要求29所述的显示基板，其特征在于，不同颜色的子像素区域的面积不同。

35.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括空白结构，所述空白结构在衬底上的正投影与所述子像素区域在衬底上的正投影不重叠。

36.根据权利要求35所述的显示基板，其特征在于，所述空白结构的面积与所述子像素区域的面积的比值大于或等于45%。

37.根据权利要求36所述的显示基板，其特征在于，所述空白结构的面积与所述子像素区域的面积的比值等于46%。

38.根据权利要求35所述的显示基板，其特征在于，所述空白结构沿第一方向具有第五宽度，所述第五宽度与所述第一子侧边的各折线结构总长度相等或大致相等。

39.根据权利要求35所述的显示基板，其特征在于，所述多个子像素区域包括白色子像素区域和红色子像素区域，所述空白结构具有与所述白色子像素区域的第一子侧边以及所述红色子像素区域的第一子侧边相邻接的第一子边缘，所述第一子边缘的形状与所述白色子像素区域的第一子侧边以及所述红色子像素区域的第一子侧边的形状是保形的。

40.根据权利要求35所述的显示基板，其特征在于，所述驱动电路层还包括修复结构，所述修复结构在衬底上的正投影与所述空白结构在衬底上的正投影至少部分交叠。

41.根据权利要求40所述的显示基板，其特征在于，所述多个子像素区域包括红色子像素区域和蓝色子像素区域，所述红色子像素区域的修复结构和蓝色子像素区域的修复结构至少部分对称、且至少部分不对称。

42.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述发光结构层还包括阳极，所述第一开口至少部分暴露出所述阳极，至少一个子像素区域包含分立设置的多个子阳极块。

43.根据权利要求42所述的显示基板，其特征在于，所述分立设置的多个子阳极块包括两个。

44.根据权利要求43所述的显示基板，其特征在于，所述两个子阳极块的形貌不同。

45.根据权利要求44所述的显示基板，其特征在于，所述驱动电路层包括阳极孔，所述阳极孔与所述两个子阳极块分别电连接。

46.根据权利要求45所述的显示基板，其特征在于，所述驱动电路层还包括修复结构，所述两个子阳极块相互电连接，且与所述修复结构电连接。

47.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1至46任一项所述的显示基板。

48.一种显示基板的制备方法，其特征在于，包括：

在衬底上形成驱动电路层；

在所述驱动电路层远离衬底的一侧形成发光结构层，所述发光结构层包括像素界定层和有机发光层，所述像素界定层界定出多个子像素区域，且具有至少部分地暴露所述驱动电路层的第一开口，所述有机发光层位于子像素区域，并与所述像素界定层的第一开口交叠；

在所述发光结构层远离所述衬底的一侧形成彩膜结构层，所述彩膜结构层包括彩膜和黑矩阵，所述黑矩阵具有至少部分暴露所述第一开口的第二开口，所述彩膜设置在所述第二开口内，所述黑矩阵包括第一子侧边，且所述第一子侧边具有折线结构；所述第一子侧边具有多个折角，在离所述子像素区域的中心线越远的区域，所述第一子侧边的折角的数量越多。

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