CN115268128B - 阵列基板、显示面板及其缺陷修复方法 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种阵列基板、显示面板及其缺陷修复方法。阵列基板包括衬底及在衬底上相互交错的多条扫描线和多条数据线，扫描线和数据线限定出多个像素单元，像素单元包括公共电极、DBS电极和熔断结构，公共电极与扫描线同层；DBS电极与数据线平行，DBS电极在衬底上的投影与数据线在衬底上的投影至少部分重合，DBS电极中的至少一个为缺陷电极，缺陷电极具有与数据线和/或公共电极短路连接的缺陷部位；熔断结构设于缺陷电极且位于缺陷部位的相对两侧。本申请通过熔断结构孤立缺陷部位，有助于消除数据线或公共电极的电压对DBS电极带来的电场影响；且便捷于熔断结构的精确定位，有助于提高显示面板的修复良率。

Description

阵列基板、显示面板及其缺陷修复方法

技术领域

本申请涉及显示产品修复技术领域，具体涉及一种阵列基板、显示面板及其缺陷修复方法。

背景技术

目前，TFT-LCD，也即薄膜晶体管液晶显示器的生产工艺已然非常成熟。薄膜晶体管液晶显示器一般包括阵列基板、与阵列基板相对设置的彩膜基板、位于阵列基板和彩膜基板之间的液晶层以及用以驱动液晶层中的液晶进行偏转的驱动模组。其中，阵列基板一般包括衬底、薄膜晶体管、有机平坦层、像素电极、扫描线(Gate)、数据线(Data)和DBS(DataBM Less，用于减少Data电场引起的漏光的结构)公共电极。

而在TFT-LCD的生产工艺中，不可避免会产生导电异物、膜层残留等缺陷部位，连接在DBS电极与扫描线之间、在DBS电极与数据线之间和/或DBS电极与其他电极之间，导致DBS电极与扫描线、数据线和/或其他电极发生短路，导致薄膜晶体管液晶显示器出现显示不良。

发明内容

本申请实施例提供一种阵列基板、显示面板及其缺陷修复方法，可针对TFT-LCD在其生产工艺中出现的缺陷部位进行有效修复。

本申请实施例提供一种阵列基板，包括衬底及在所述衬底上相互交错的多条扫描线和多条数据线，所述扫描线和所述数据线限定出多个像素单元，每一所述像素单元包括：

公共电极，设于所述衬底，且与所述扫描线同层设置；

DBS电极，设于所述衬底，且与所述数据线平行设置，所述DBS电极在所述衬底上的投影与所述数据线在所述衬底上的投影至少部分重合，所述DBS电极中的至少一个为缺陷电极，所述缺陷电极具有与所述数据线和/或所述公共电极短路连接的缺陷部位；以及，

熔断结构，设于所述缺陷电极且位于所述缺陷部位的相对两侧。

根据本申请一实施例，所述熔断结构包括至少两个熔断点位，两个所述熔断点位分设在所述缺陷部位的相对两侧；或者，

所述熔断结构包括三个熔断点组，三个所述熔断点组分设在所述缺陷电极以及与所述缺陷电极邻近的两个所述DBS电极上，每个所述熔断点组包括至少两个熔断点位，每个所述熔断点组的所述熔断点位位于所述缺陷部位的相对两侧。

根据本申请一实施例，所述阵列基板还包括在所述衬底上堆叠设置的薄膜晶体管、有机平坦层和金属层，所述有机平坦层设于所述数据线和所述DBS电极之间，且设有连通至所述公共电极的通孔，金属层经图案化制程后形成像素电极、连接电极和所述DBS电极，所述连接电极向所述通孔内延伸并与所述公共电极连接；其中，

所述有机平坦层自所述衬底脱离形成连通至所述数据线的缺口，所述缺陷电极通过所述缺口与所述数据线短路连接；和/或，

所述金属层经图案化制程后还形成残留金属结构，所述残留金属结构短路连接所述缺陷电极和所述连接电极。

此外，为实现上述目的，本申请还提供一种显示面板，包括：

如上所述的阵列基板；

彩膜基板，与所述阵列基板正对设置；

液晶层，设于所述阵列基板和所述彩膜基板之间；以及，

驱动模组，用以驱动所述液晶层中的液晶分子偏转。

此外，为实现上述目的，本申请还提供一种显示面板的缺陷修复方法，用于修复获得如上所述的显示面板，包括：

提供一制备流程，所述制备流程包括至少两个设定质检工序；

按照所述制备流程制备显示面板，且在所述显示面板流转至各所述设定质检工序时，实施修复操作；

其中，所述修复操作包括：

在确定显示面板存在缺陷部位时，获取所述缺陷部位在当前所述设定质检工序中的当前坐标；

将所述当前坐标与预设的缺陷坐标数据库进行匹配，获得目标坐标；

根据所述当前坐标和所述目标坐标，确定熔断方案，以供熔断设备按照所述熔断方案在缺陷电极设置熔断结构，所述熔断方案包括数量和定位坐标。

根据本申请一实施例，所述制备流程还包括在像素电极的成形工序之后、且在所述设定质检工序之前执行的光学检查工序；

在所述显示面板流转至各所述设定质检工序时，实施修复操作的步骤之前，还包括：

在所述显示面板流转至所述光学检查工序时，检测所述显示面板是否存在缺陷部位；

在确定显示面板存在缺陷部位时，对所有的所述缺陷部位在所述光学检查工序中的坐标信息进行标定，形成缺陷坐标数据库。

根据本申请一实施例，所述熔断结构包括熔断点位；所述设定质检工序设为至少三个，分别为：

一在所述光学检查工序之后执行的EDS质检工序；

一在阵列基板与彩膜基板的组装工序之后，且在驱动模组的组装工序之前执行的ACT画面质检工序；以及，

一在驱动模组的组装工序之后执行的人工画面质检工序。

根据本申请一实施例，根据所述当前坐标和所述目标坐标，确定熔断方案的步骤包括：

在确定所述当前坐标与所述目标坐标一致时，确定熔断结构包括两个熔断点位，两个所述熔断点位分设在所述缺陷部位的相对两侧；

根据所述目标坐标，确定两个所述熔断点位的定位坐标。

根据本申请一实施例，所述设定质检工序为所述ACT画面质检工序；

根据所述当前坐标和所述目标坐标，确定熔断方案的步骤包括：

在确定所述当前坐标与所述目标坐标不一致时，确定熔断结构包括三个熔断点组，每一所述熔断点组包括两个熔断点位，三个所述熔断点组分设在所述缺陷电极以及与所述缺陷电极两侧邻近的两个所述DBS电极上；

获取所述ACT画面质检工序的质检误差和所述熔断设备的熔断误差，并根据所述质检误差、所述熔断误差和所述目标坐标，确定六个所述熔断点位的定位坐标。

根据本申请一实施例，所述设定质检工序为所述人工画面质检工序；

根据所述当前坐标和所述目标坐标，确定熔断方案的步骤包括：

在确定所述当前坐标与所述目标坐标不一致时，获取所述缺陷部位的缺陷类型；

在确定所述缺陷类型为线性缺陷时，获取所述缺陷部位中的光亮线段的数量，所述光亮线段包括缺陷线段；

在确定所述光亮线段的数量为一个且为所述缺陷线段时，确定熔断结构包括两个熔断点位且分设在所述缺陷线段的相对两侧；或者，在确定所述光亮线段的数量为两个且其中一个为所述缺陷线段时，确定熔断结构包括一个熔断点位且位于所述缺陷线段远离另一所述光亮线段的一侧；

获取所述缺陷线段的所述目标坐标，并根据所述缺陷线段的所述目标坐标，确定各所述熔断点位的定位坐标。

本申请实施例的有益效果：通过设置熔断结构，可将缺陷电极与数据线，和/或缺陷电极与公共电极之间的短路连接断开形成断路，从而有助于降低短路对DBS电极带来的不良干扰；而通过在缺陷部位的相对两侧同时设置熔断结构，使得缺陷部位完全自缺陷电极上分离出并被完全孤立，有助于完全消除数据线、扫描线或者公共电极的电压对DBS电极带来的电场影响；此外，由于熔断结构是设置在缺陷电极上的，相较于设置在相互交错的数据线、扫描线或者公共电极上，更便捷于熔断结构的精确定位，从而有助于提高显示面板的修复良率。

附图说明

下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。

图1为本申请提供的阵列基板在修复之前的的结构示意图；

图2为图1中阵列基板在A-A处的剖面结构示意图；

图3为本申请提供的阵列基板的结构示意图；

图4为图3中阵列基板在B-B处的第一实施例的剖面结构示意图；

图5为图3中阵列基板在B-B处的第二实施例的剖面结构示意图；

图6为本申请提供的显示面板的修复方法的流程示意图；

图7为本申请提供的显示面板在ACT画面质检工序中点状缺陷时的修复示意图；

图8为本申请提供的显示面板在ACT画面质检工序中线性缺陷时的修复示意图；

图9为本申请提供的显示面板在人工画面质检工序中缺陷线段不良的一实施例的修复示意图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

在现有TFT-LCD的结构中，如图1至图2所示，薄膜晶体管液晶显示器的结构一般包括：

阵列基板1和彩膜基板，二者呈相对间隔设置；

液晶层，设置在所述阵列基板1和所述彩膜基板之间的间隔处，液晶层设置有多个液晶分子，多个液晶分子按照设定方式进行规则排列；以及，

驱动模组，所述驱动模组可以设置在所述阵列基板1上，用以驱动液晶层中的液晶分子发生偏转。

其中，所述阵列基板1一般包括衬底100以及在衬底100上堆叠设置的薄膜晶体管、有机平坦层700、像素电极、数据线300、扫描线200、公共电极400、DBS电极和分享电极900。

具体而言，如图2所示，所述衬底100的材质为玻璃、聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯以及聚萘二甲酸乙二醇酯中的一种或多种，由此衬底100可具有较好的抗冲击能力，可以有效保护阵列基板1及显示面板。

所述薄膜晶体管(附图未标示)一般包括栅极层、栅极绝缘层、有源层和源漏极层。扫描线200的材质一般为金属，扫描线200和公共电极400一般与栅极层同层设置，可由同一金属层(为便于理解，以下定义为第一金属层)经图案化制程一体制备形成。当然，扫描线200的材质也可以是其他导电材料，例如合金、金属材料的氮化物、金属材料的氧化物、金属材料的氮氧化物中的一种或者几种堆叠。

栅极绝缘层覆盖在第一金属层上，有源层经图案化制程形成在所述栅极绝缘层背对栅极层的一侧；源漏极层和数据线300、分享电极900可同层设置，且可由同一金属层(为便于理解，以下定义为第二金属层)经图案化制程一体制备形成。其中，源漏极层设于有源层背对栅极层的一侧，且二者之间显露出沟道区域；分享电极900对应公共电极400的至少部分走线段设置，且位于该部分走线段背对衬底100的一侧，当然，二者之间至少设置有栅极绝缘层。与扫描线200同理地，数据线300的材质也可以是其他导电材料，例如合金、金属材料的氮化物、金属材料的氧化物、金属材料的氮氧化物中的一种或者几种堆叠。分享电极900可与源漏极层中的例如漏极连接，以能够对像素进行分压，减小色偏。

有机平坦层700覆盖在第二金属层(或者覆盖在第二金属层上的其他膜层)背对衬底100的一侧。有机平坦层700由有机膜材质制成，有助于简化制程，优化阵列基板1的平坦度。有机平坦层700对应堆叠设置的分享电极900和公共电极400处设有通孔710，通孔710依次贯通至分享电极900和公共电极400处，使得分享电极900和公共电极400的至少部分走线段显露在通孔710内。

所述阵列基板1还包括金属层(为便于理解，以下定义为第三金属层)，所述第三金属层设于所述有机平坦层700背对所述衬底100的一侧，所述第三金属层经图案化制程后，形成彼此间隔的像素电极、连接电极800和DBS电极。第三金属层的材质一般为ITO，也即氧化铟锡材质制成。所述连接电极800延伸至通孔710处，并伸入通孔710内与公共电极400和分享电极900连接。DBS电极与连接电极800间隔，且对应数据线300设置，且位于数据线300背对衬底100的一侧，以能够去除数据线300上方的黑色遮光层(Black Matrix，BM)，并使得DBS电极500的电位与彩膜基板上的另一公共电极电位相同，使得数据线300上方对应的液晶分子始终保持未偏转状态，进而起到遮光的作用。

接着，请参阅图1，若定义阵列基板1具有显示面，数据线300和扫描线200分别设有多个，且多个数据线300和多个扫描线200呈纵横交错设置，且基本上是沿相互垂直的方向交错设置，以能够在显示面上限定出多个像素单元10，每一像素单元10形成有像素区域和非像素区域，像素区域可供红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素按照设定方式进行设置。公共电极400的至少部分走线段设于非像素区域，且与扫描线200并排间隔延伸。公共电极400的余下走线段穿设于像素区域，且与数据线300并排间隔延伸，分享电极900对应该部分走线段延伸布设。

基于上述，例如附图3至图5所示，当阵列基板1中的DBS电极出现短路时，具体例如DBS电极与数据线300短路连接，或者DBS电极与公共电极400短路连接时，容易导致数据线300、公共电极400等电压对DBS电极产生电场影响，干涉DBS电极的遮光屏蔽效果。

因此，本申请提供一种阵列基板1的修复方法，且经由该修复方法修复过后获得的阵列基板1包括如上所述的衬底100、多条扫描线200、多条数据线300、公共电极400和DBS电极。如上所述，所述公共电极400设于所述衬底100，且与所述扫描线200同层设置；所述DBS电极500设于所述衬底100，且与所述数据线300平行设置，所述DBS电极500在所述衬底100上的投影与所述数据线300在所述衬底100上的投影至少部分重合。

此外，定义所述DBS电极500中的至少一个为缺陷电极510，所述缺陷电极510具有与所述数据线300、所述分享电极900及所述公共电极400中的至少一个短路连接的缺陷部位511。所述缺陷部位511可以是缺陷电极510中的部分走线段，也可以是与缺陷电极510直接电性连接的其他导电结构。

基于此，本申请中修复后的阵列基板1还包括熔断结构600，所述熔断结构600设于所述缺陷电极510且位于所述缺陷部位511的相对两侧，以能够将缺陷电极510断开形成断路，并将缺陷部位511孤立出。

本申请实施例的有益效果：通过设置熔断结构600，可将缺陷电极510与数据线300、分享电极900和/或公共电极400之间的短路连接断开形成断路，从而有助于降低短路对DBS电极500带来的不良干扰；而通过在缺陷部位511的相对两侧同时设置熔断结构600，使得缺陷部位511完全自缺陷电极510上分离出并被完全孤立，有助于完全消除数据线300或者公共电极400的电压对DBS电极500带来的电场影响；此外，由于熔断结构600是设置在缺陷电极510上的，相较于设置在相互交错的数据线300、扫描线200或者公共电极400上，更便捷于熔断结构600的精确定位，从而有助于提高显示面板的修复良率。

可以理解，造成上述中的DBS电极与数据线300、分享电极900和/或公共电极400断路连接的原因有多种：

请参阅图4，在一实施例中，由于如上所述的有机平坦层700为有机膜材料制成，有机膜材质具有易于剥离的缺点。当有机平坦层700、连接电极800和DBS电极分别制备形成后，由于有机平坦层700的局部剥离，例如对应数据线300上方的有机平坦层700剥离，形成缺口，数据线300的局部在缺口处显露出，使得DBS电极在图案化制程中与显露出的数据线300连接，导致短路。此时，该DBS电极也即缺陷电极510，缺陷电极510与数据线300短路连接的部位即为缺陷部位511。

请参阅图5，在一实施例中，当有机平坦层700制备形成，并在有机平坦层700上沉积第三金属层后，由于有机平坦层700例如通孔710处或者其他部位的平坦度不佳、异物附着等不良产生，导致对第三金属层的曝光产生分散不集中，造成局部区域形成残留金属结构810。当残留金属结构810恰好形成在连接电极800和DBS电极之间的间隔处，且将连接电极800和DBS电极连接后，由于连接电极800在通孔710处与公共电极400、分享电极900连接，导致DBS电极与公共电极400短路连接。此时，该DBS电极也即缺陷电极510，缺陷电极510与公共电极400短路连接的部位即为缺陷部位511。

当然，图4及图5所示的结构并不构成对缺陷部位511形成的限制，在其他实施例中，缺陷部位511也可由其他原因形成在其他部位，此处不做一一赘述。

请参阅图3，当缺陷电极510与分享电极900、数据线300和/或公共电极400短路练级，形成缺陷部位511时，所述熔断结构600设置在缺陷电极510上，并将缺陷部位511自缺陷电极510中分离出，使得缺陷电极510形成断路，与之断路连接的扫描线200、数据线300和/或公共电极400不会对该缺陷电极510或者其他DBS电极产生电场影响。

本申请中的熔断结构600可以具体表现为任何适宜的形式，只要能将缺陷电极510与其短路连接的分享电极900、数据线300和/或公共电极400断开即可。例如，所述熔断结构600可以包括形成在阵列基板1上的熔断点位610。可以理解，所述熔断点位610一般由激光镭射熔断形成。所述熔断点位610的尺寸、具体形状等在本申请中均不做限制。

需要说明的是，在下文中将会对本申请提供的显示面板的修复方法进行具体阐述，其中将针对缺陷部位511的不同类型、不同形状、不同不良表现等，准确定位出适宜对其进行修复的熔断结构600的数量和坐标，详见下文。此外，缺陷部位511的具体表现形式不做限制，在阵列基板1乃至显示面板的整个制备工艺过程中，在不同的工序后、或者经由不同的质检工序检测出的缺陷部位511，可能具有不同的不良形状，例如为点状缺陷、单个的线性缺陷或者多段的线性缺陷等，当经由本申请下文中的修复方法后，该缺陷均被克服而不会体现在阵列基板1或者显示面板的成品上，只能在部分膜层上看到熔断结构600留下的修复痕迹。

因此，经由该修复方法修复获得的阵列基板1具体表现为：

请参阅图7，在一实施例中，无论缺陷部位511为点状缺陷或者线性缺陷，当该缺陷部位511具有准确的位置信息，例如具有确定的坐标信息时，可对该缺陷部位511进行精准修复，设置所述熔断结构600包括至少两个熔断点位610。基于此，当所述熔断结构600包括两个熔断点位610时，两个所述熔断点位610分设在所述缺陷部位511的相对两侧；当所述熔断结构600包括三个及三个以上的熔断点位610时，其中的至少两个熔断点位610分设在缺陷部位511的相对两侧，余下的熔点点位可根据缺陷部位511的不同表现形式设置在缺陷部位511的指定侧。

或者请参阅图8，在一实施例中，当所述缺陷部位511为线性缺陷，且不具备准确的位置信息时，可对该缺陷部位511所在区域进行盲修。此时，设置所述熔断结构600包括三个熔断点组，由于DBS电极与数据线300一一对应平行设置，在缺陷电极510沿扫描线200所在方向的相对两侧分别有两个邻近DBS电极，三个熔断点组分设在缺陷电极510及该两个邻近DBS电极上。每个所述熔断点组包括至少两个熔断点位610，每个所述熔断点组的所述熔断点位610位于所述缺陷部位511的相对两侧。由于缺陷部位511的位置信息模糊，本申请通过将待修复的DBS电极扩大为三个，将缺陷电极510、两个邻近DBS电极分别通过一个熔断点组也即两个熔断点位610断开，有助于在盲修过程中增加对缺陷部位511的修复完成的概率。

此外，本申请还提供一种修复过后的显示面板，如上所述，所述显示面板包括阵列基板1、彩膜基板、液晶层和驱动模组。需要说明的是，显示面板内的阵列基板1的详细结构可参照上述阵列基板1的实施例，此处不再赘述；由于在本申请的显示面板中使用了上述阵列基板1，因此，本申请显示面板的实施例包括上述阵列基板1全部实施例的全部技术方案，且所达到的技术效果也完全相同，在此不再赘述。

进一步地，由于本申请中的缺陷部位511可能在阵列基板1乃至整个显示面板的多个制备工序或者多个质检工序中被检出并进行修复，应该可以理解，尤其对显示面板而言，所述熔断点位610可能贯穿不同的膜层结构，但至少要贯通至DBS电极，也即缺陷电极510处。并且，熔断点位610可能设置在显示面板的内部，而不会在显示面板的外观中被轻易看出，也即，从外观来看，修复后的显示面板一般能够克服缺陷，与未修复的显示面板无明显区别，但通过适宜的观测方式，可确定熔断点位610确实存在在修复后的显示面板中。

此外，本申请还提供一种显示面板的缺陷修复方法，用于对产生如上所述的缺陷部位511的缺陷电极510进行修复，并形成如上所述的修复后的阵列基板1或者显示面板。请参阅图6，本申请提供的显示面板的缺陷修复方法包括以下步骤：

步骤S100：提供一制备流程，所述制备流程包括至少两个设定质检工序；

在本实施例中，可以理解，所述显示面板按照其制备工艺要求，匹配有对应的制备流程，所述制备流程包括多个制备工序和多个质检工序。

所述制备工序用于制备形成所述显示面板的各个膜层，例如包括扫描线200和公共电极400的制备工序、数据线300和分享电极900的制备工序、有机平坦层700的制备工序、像素电极和DBS电极的制备工序、彩膜基板的制备工序，阵列基板1与彩膜基板的组装工序、液晶层的制备工序、驱动模组的组装工序等。需要说明的是，为了便于理解，在以下实施例中，无论流转至任意制备工序和质检工序，均将待加工/质检的半成品命名为显示面板。

所述质检工序包括光学检查工序，在光学检查工序之后执行的阵列基板1的EDS(Electrical Die Sorting)质检工序，在阵列基板1与彩膜基板的组装工序(包括液晶层的制备)之后，且在驱动模组的组装工序之前执行的ACT(Advanced Cell Test)画面质检工序；以及在驱动模组的组装工序之后执行的人工画面质检工序等。所述设定质检工序也即从整个制备流程的各个质检工序中预先设定的质检工序。

在各设定质检工序中，对应的质检设备及质检程序至少能够对显示面板是否存在缺陷部位511进行检测；各设定质检工序对应的质检设备附近，还配置有熔断设备。所述熔断设备用于对检测的缺陷电极510进行熔断处理，形成熔断结构600。当如上所述，熔断结构600包括熔断点位610时，所述熔断设备具体可设置为激光镭射装置。

可以理解，在设置设定质检工序时，可以是在适宜的制程中选取适宜的质检工序作为设定质检工序后，为该设定质检工序配置熔断设备；或者，可以将固设有熔断设备的质检工序，对其设备进行改进后，确定为设定质检工序。

而本申请提供的实施例中，具体可将所述EDS质检工序、ACT画面质检工序以及人工画面质检工序作为设定质检工序。

步骤S200：按照所述制备流程制备显示面板，且在所述显示面板流转至各所述设定质检工序时，实施修复操作；

可以理解，当所述制备流程确定后，各个制备工序和各个质检工序的顺序随之确定。显示面板按照该顺序在各个制备工序和各个质检工序中流转执行。其中，当显示面板流转至各设定质检工序时，除了进行对应的质检操作以外，还实施以下的修复操作。

所述修复操作包括：

步骤S220：在确定显示面板存在缺陷部位511时，获取所述缺陷部位511在当前所述设定质检工序中的当前坐标；

可以理解，由于各个设定质检工序具有各自的质检项目和质检特点，且各个设定质检工序对应的质检设备所建立的坐标系统及其定位精度等情况不完全相同，这使得即使是相同的缺陷部位511，在各个设定质检工序中的表现形式不一定完全相同，由该设定质检工序对应的质检设备检测出的缺陷类型和当前坐标也不一定相同。因此，在本实施例中，设定质检工序对应的质检设备首先检测当前的所述显示面板是否存在缺陷部位511，并且当确定该显示面板存在缺陷部位511时，获得在当前的设定质检工序中检测获得的缺陷部位511的当前坐标。

具体而言，所述缺陷类型可以是缺陷部位511的形状、尺寸或者颜色等，不做限制。当前坐标可以是该设定质检工序对应的质检设备以任意适宜的参考坐标原点、参考X轴和参考Y轴所创建处的坐标系统中，缺陷部位511对应的坐标值。例如在以下实施例中，由于设定质检工序一般都在扫描线200、数据线300、DBS电极500等均制备形成后执行的，并且，扫描线200和数据线300一般呈现为相互垂直的交错设置，数据线300和DBS电极平行且基板重合，因此，可将扫描线200和数据线300其中之一所在方向作为参考X轴的方向，其中另一所在方向作为参考Y轴的方向。具体地，可将扫描线200所在方向作为X轴方向，将数据线300所在方向作为Y轴方向，获得(Gate+i，Data+j)的坐标形式来界定缺陷部位511的坐标信息，其中，i和j均为整数。

步骤S230：将所述当前坐标与预设的缺陷坐标数据库进行匹配，获得目标坐标；

在本实施例中，正如上述，每个设定质检工序对应的质检设备在确定缺陷部位511的当前坐标时并不完全一致。具体可以表现为坐标的定位精度不完全相同，存在坐标值漂移；或者表现为坐标不全，仅能确定出坐标X值或者坐标Y值。因此，为了提高缺陷部位511的定位精度，可将各个设定质检工序获取的当前坐标与预设的缺陷坐标数据库进行匹配，即可在预设的缺陷坐标数据库的辅助下，形成坐标X值和坐标Y值完整的、定位精度统一且相对准确的目标坐标。以下实施例中，为了便于理解，可将缺陷部位511对应的目标坐标定义为(Gate，Data)。

可以理解，所述预设的缺陷坐标数据库一般与当前正在制备的显示面板相关联。也即，可以为每一显示面板设置一所述缺陷坐标数据库，也可以为每一批次的显示面板设置一所述缺陷坐标数据库。

具体而言，在一实施例中，如上所述，当所述制备流程还包括在像素电极的成形工序之后、且在所述设定质检工序之前执行的光学检查工序时，该显示面板对应的缺陷坐标数据库可通过下述方式确定出：

在步骤S220：在所述显示面板流转至各所述设定质检工序时，实施修复操作之前，还包括：

步骤S211：在所述显示面板流转至所述光学检查工序时，检测所述显示面板是否存在缺陷部位511；

步骤S212：在确定显示面板存在缺陷部位511时，对所有的所述缺陷部位511在所述光学检查工序中的坐标信息进行标定，形成缺陷坐标数据库。

在本实施例中，当显示面板首先流转至光学检测工序时，光学质检工序可对当前的显示面板进行检测，确定是否存在缺陷部位511。由于光学质检工序是在像素电极的成形工序之后进行的，且依赖于光学质检工序对应的光学质检设备的质检特征，能够在此质检工序中，检测出所有缺陷点位，该缺陷点位可能只是疑似，又或者可能会在后续制备工序或者质检工序中表现出或者转变为缺陷部位511。也即，缺陷部位511的集合被包含在缺陷点位的集合内，因此，光学质检工序通过对各个缺陷点位的坐标进行标定，同样可基本实现对各个缺陷部位511的坐标进行标定。如此即可形成缺陷坐标数据库。

接着，步骤S240：根据所述当前坐标和所述目标坐标，确定熔断方案，以供熔断设备按照所述熔断方案在缺陷电极510设置熔断结构600，所述熔断方案包括数量和定位坐标。

在本实施例中，当所述缺陷部位511的当前坐标和目标坐标已然获得，通过比较当前坐标与目标坐标二者的关系，可确定出该缺陷部位511的位置是否被唯一确定出。例如，当所述当前坐标与所述目标坐标一致时，二者任一均指示出了该缺陷部位511的同一位置，使得该缺陷部位511的位置唯一且准确，可实现对该缺陷部位511的准确定位。而当所述当前坐标与所述目标坐标不一致时，例如，当前坐标只能确定出Gate或者Data情况，以确定出Gate为例，那么位于同一Gate上(也即同一扫描线200上)的缺陷点位可能在光学质检工序中被检测出不只一个，这使得Data+j中的j值不能被唯一确定出，导致该缺陷部位511可能表现为线性且位置不明确；当然，也有可能该缺陷点位只有一个，但无法被目视观察出。

基于上述，按照设定的当前坐标、目标坐标及熔断方案三者的映射关联，确定出当前缺陷部位511适应的熔断方案。可以理解，上述映射关联可由现场人员的丰富修复经验即时确定出，也可预先建立形成映射关联表格并存储在对应的质检设备中，当所述当前坐标和目标坐标被确定出，即可通过查询存储的映射关联表，获得该熔断方案。

所述熔断方案包括熔断结构600的数量和熔断结构600的定位坐标。可以理解，所述定位坐标为转换至熔断设备对应的坐标系统中的坐标信息，使得熔断设备在获得该熔断方案时，即可按照该数量和定位坐标的指示作动，在缺陷电极510上设置对应的熔断设备。

如上所述，所述熔断结构600可以包括熔断点位610，对应的，所述熔断设备可以设置为激光镭射装置，不做赘述。

进一步地，请参阅图7，在一实施例中，步骤S240：根据所述当前坐标和所述目标坐标，确定熔断方案包括：

步骤S241：在确定所述当前坐标与所述目标坐标一致时，确定熔断结构600包括两个熔断点位610，两个所述熔断点位610分设在所述缺陷部位511的相对两侧；

步骤S242：根据所述目标坐标，确定两个所述熔断点位610的定位坐标。

在本实施例中，各设定质检工序，包括上述的EDS质检工序、ACT画面质检工序以及人工画面质检工序，在检测确定出所述显示面板上存在的缺陷部位511的当前坐标，并为之在预设的缺陷坐标数据库中匹配出目标坐标后，若当前坐标与目标坐标一致，也即可确定出该缺陷部位511的准确定位信息，那么，可确定熔断结构600包括两个熔断点位610，两个所述熔断点位610分设在所述缺陷部位511的相对两侧。

可以理解，当所述当前坐标与所述目标坐标一致时，所获取的目标坐标可唯一且准确地指示出该缺陷部位511的准确定位信息，因此，可直接在该缺陷部位511的相对两侧分别设置至少一个熔断点位610，两侧的熔断点位610可将该缺陷部位511分离并孤立开。对应地，两侧的熔断点位610的定位坐标可以是位于同一DBS电极500的缺陷电极510上，也即同一数据线300上任意两个点位，也即为(Gate+x，Data)和(Gate-y，Data)，其中，x和y值可根据实际应用任意选取为自然数，x和y值可以相同，也可以不同。

具体而言，当所述设定质检工序为EDS质检工序时。可以理解，在此工序中，会通过肉眼对光学质检工序中确定出的各个缺陷点位进行放大查看，并从其中确定出缺陷部位511。正如上述，当前确定出的缺陷部位511准确对应目标坐标，则可通过上述方式在缺陷电极510上位于缺陷部位511的相同两侧设置至少两个熔断点位610。

需要说明的是，在所述当前坐标与所述目标坐标一致的情况下，若进一步地，该缺陷部位511呈可视化时：在一实施例中，当所述熔断设备为不依赖人工操作的智能自动化设备，则可采取如上所述的方法，确定出定位坐标和数量的熔断方案后，将熔断方案转换为熔断指令并发送至熔断设备，供熔断设备执行该熔断指令。或者在另一实施例中，当所述熔断设备由人工操作，或者所述熔断设备具备图像识别功能时，可由人工直接目视确认出、或者经由熔断设备进行图像识别出呈可视化的缺陷部位511，并直接在该缺陷部位511的相对两侧设置熔断点位610。

进一步地，在一实施例中，当如上所述的设定质检工序为所述ACT画面质检工序时，当前的显示面板还未组装驱动模组，是通过模拟驱动实现显示面板中各像素的点亮。

所述步骤S240：根据所述当前坐标和所述目标坐标，确定熔断方案包括以下内容：

请参阅图7，可以理解，在所述ACT画面质检工序中，若确定出该缺陷部位511的当前坐标与目标坐标一致时，即可根据上述步骤S241至步骤S242的方式进行修复。

此外，请参阅图8，在所述ACT画面质检工序中，若确定出该缺陷部位511的当前坐标与目标坐标不一致时，执行以下操作：

步骤S243：在确定所述当前坐标与所述目标坐标不一致时，确定熔断结构600包括三个熔断点组，每一所述熔断点组包括两个熔断点位610，三个所述熔断点组分设在所述缺陷电极510以及与所述缺陷电极510两侧邻近的两个所述DBS电极500上；

步骤S244：获取所述ACT画面质检工序的质检误差和所述熔断设备的熔断误差，并根据所述质检误差、所述熔断误差和所述目标坐标，确定六个所述熔断点位610的定位坐标。

而当所述当前坐标和所述目标坐标不一致时，当前坐标和目标坐标均非缺陷部位511的准确坐标。基于此，可对缺陷部位511所处的一定范围内展开盲修。具体而言，在ACT画面质检工序中获得的当前坐标为Data坐标，通过在预设的缺陷坐标数据库中可匹配出可能为缺陷部位511准确坐标的六个坐标，分别为(Gate，Data)(该坐标为疑似缺陷部位511的准确坐标)、(Gate，Data+1)、(Gate，Data+2)、(Gate+2，Data)、(Gate+2，Data+1)和(Gate+2，Data+2)，将该六个坐标作为六个熔断点位610的定位坐标，并分别形成在缺陷电极510、与缺陷电极510一侧邻近的DBS电极、以及与缺陷电极510另一侧邻近的另一DBS电极。

需要说明的是，由于在此步骤中，针对缺陷部位511的修复方式为盲修，因此，六个所述熔断点位610的定位坐标的确定，需结合ACT质检工序对应的ACT质检设备的质检误差和熔断设备的熔断误差来确定出，避免上述质检误差和熔断误差影响盲修的准确性和修复效果。也即，上述的+1、+2等并不构成对六个熔断点位610的定位坐标的限制，可根据实际情况进行调整。

接着，在一实施例中，当如上所述的设定质检工序为所述人工画面质检工序时，所述步骤S240：根据所述当前坐标和所述目标坐标，确定熔断方案包括以下内容：

可以理解，在所述人工画面质检工序中，若确定出该缺陷部位511的当前坐标与目标坐标一致时，即可根据上述步骤S241至步骤S242的方式进行修复。

此外，在所述人工画面质检工序中，若确定出该缺陷部位511的当前坐标与目标坐标不一致时，执行以下操作：

步骤S245：在确定所述当前坐标与所述目标坐标不一致时，获取所述缺陷部位511的缺陷类型；

步骤S246：在确定所述缺陷类型为线性缺陷时，获取所述缺陷部位511中的光亮线段512的数量，所述光亮线段512包括缺陷线段513；

步骤S247：在确定所述光亮线段512的数量为一个且为所述缺陷线段513时，确定熔断结构600包括两个熔断点位610且分设在所述缺陷线段513的相对两侧；或者，在确定所述光亮线段512的数量为两个且其中一个为所述缺陷线段513时，确定熔断结构600包括一个熔断点位610且位于所述缺陷线段513远离另一所述光亮线段512的一侧；

步骤S248：获取所述缺陷线段513的所述目标坐标，并根据所述缺陷线段513的所述目标坐标，确定各所述熔断点位610的定位坐标。

在本实施例中，当缺陷部位511的缺陷类型为线性缺陷时，其可能表现为单个的光亮线段512，并且，该光亮线段512即为缺陷线段513。基于此，同样需要对该缺陷部位511进行盲修，具体可在人工画面质检工序中确定出当前坐标为Data坐标，并通过与预设的缺陷坐标数据库进行匹配，获得两个点位(Gate，Data)和(Gate+2，Data)作为两个熔断点位610的定位坐标。

当缺陷部位511的缺陷类型为线性缺陷时，其可能表现为至少两个的光亮线段512，并且，其中至少一个的光亮线段512为缺陷线段513。需要说明的是，当在人工画面质检工序中检测出至少两个光亮线段512时，一般是由于ACT质检工序中在盲修过程中的Gata坐标发生偏差导致修复异常的，此时，可在人工画面质检工序中进行追加修复。以两个光亮线段512为例；

请参阅图9，若缺陷电极510沿上下向延伸时，两个光亮线段512分别位于上侧和下侧，当位于上侧的所述光亮线段512为缺陷线段513时，虚线标识的熔断点位610为ACT质检工序中进行的修复痕迹(为作区别，以下命名为原有的熔断点位610)；实线标识的熔断点位610为在当前的人工画面质检工序中追加的修复痕迹，在缺陷线段513的上方追加熔断点位610(为作区别，以下命名为追加的熔断点位610)。当然，追加的熔断点位610可以在原有的熔断点位610与缺陷线段513之间设置，也可在原有的熔断点位610的上侧设置。

当然，在其他实施例中，若缺陷电极510沿上下向延伸时，两个光亮线段512分别位于上侧和下侧，当位于下侧的所述光亮线段512为缺陷线段513时，虚线标识的熔断点位610为ACT质检工序中进行的修复痕迹(为作区别，定义为原有的熔断点位610)；实线标识的熔断点位610为在当前的人工画面质检工序中追加的修复痕迹，在缺陷线段513的下方追加熔断点位610(为作区别，定义为追加的熔断点位610)。当然，追加的熔断点位610可以在原有的熔断点位610与缺陷线段513之间设置，也可在原有的熔断点位610的下侧设置。

在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。

以上对本申请实施例所提供的一种阵列基板、显示面板及其缺陷修复方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。

Claims (6)

1.一种显示面板的缺陷修复方法，其特征在于，包括：

提供一制备流程，所述制备流程包括至少两个设定质检工序；

按照所述制备流程制备显示面板，且在所述显示面板流转至各所述设定质检工序时，实施修复操作；

其中，所述显示面板包括阵列基板，所述阵列基板包括多个像素单元，每一所述像素单元包括公共电极和DBS电极，所述DBS电极中的至少一个为缺陷电极，所述缺陷电极具有与数据线和/或所述公共电极短路连接的缺陷部位；

而所述修复操作包括：

在确定显示面板存在缺陷部位时，获取所述缺陷部位在当前所述设定质检工序中的当前坐标；

将所述当前坐标与预设的缺陷坐标数据库进行匹配，获得目标坐标；

根据所述当前坐标和所述目标坐标，确定熔断方案，以供熔断设备按照所述熔断方案在缺陷电极设置熔断结构，所述熔断方案包括数量和定位坐标；

其中，所述熔断结构包括熔断点位；所述设定质检工序设为至少三个，分别为：

一在光学检查工序之后执行的EDS质检工序；

一在阵列基板与彩膜基板的组装工序之后，且在驱动模组的组装工序之前执行的ACT画面质检工序；以及，

一在驱动模组的组装工序之后执行的人工画面质检工序；

其中，根据所述当前坐标和所述目标坐标，确定熔断方案的步骤包括：

在确定所述当前坐标与所述目标坐标一致时，确定熔断结构包括两个熔断点位，两个所述熔断点位分设在所述缺陷部位的相对两侧；根据所述目标坐标，确定两个所述熔断点位的定位坐标；

或者，当所述设定质检工序为所述ACT画面质检工序时，确定熔断方案的步骤包括：

在确定所述当前坐标与所述目标坐标不一致时，确定熔断结构包括三个熔断点组，每一所述熔断点组包括两个熔断点位，三个所述熔断点组分设在所述缺陷电极以及与所述缺陷电极两侧邻近的两个所述DBS电极上；

获取所述ACT画面质检工序的质检误差和所述熔断设备的熔断误差，并根据所述质检误差、所述熔断误差和所述目标坐标，确定六个所述熔断点位的定位坐标；

或者，当所述设定质检工序为所述人工画面质检工序时，确定熔断方案的步骤包括：

在确定所述当前坐标与所述目标坐标不一致时，获取所述缺陷部位的缺陷类型；

在确定所述缺陷类型为线性缺陷时，获取所述缺陷部位中的光亮线段的数量，所述光亮线段包括缺陷线段；

在确定所述光亮线段的数量为一个且为所述缺陷线段时，确定熔断结构包括两个熔断点位且分设在所述缺陷线段的相对两侧；或者，在确定所述光亮线段的数量为两个且其中一个为所述缺陷线段时，确定熔断结构包括一个熔断点位且位于所述缺陷线段远离另一所述光亮线段的一侧；

获取所述缺陷线段的所述目标坐标，并根据所述缺陷线段的所述目标坐标，确定各所述熔断点位的定位坐标。

2.如权利要求1所述的显示面板的缺陷修复方法，其特征在于，所述制备流程还包括在像素电极的成形工序之后、且在所述设定质检工序之前执行的光学检查工序；

在所述显示面板流转至各所述设定质检工序时，实施修复操作的步骤之前，还包括：

在所述显示面板流转至所述光学检查工序时，检测所述显示面板是否存在缺陷部位；

在确定显示面板存在缺陷部位时，对所有的所述缺陷部位在所述光学检查工序中的坐标信息进行标定，形成缺陷坐标数据库。

3.如权利要求1所述的显示面板的缺陷修复方法，其特征在于，所述阵列基板包括衬底及在所述衬底上相互交错的多条扫描线和多条数据线，所述扫描线和所述数据线限定出多个所述像素单元；

所述DBS电极设于所述衬底，且与所述数据线平行设置，所述DBS电极在所述衬底上的投影与所述数据线在所述衬底上的投影至少部分重合。

4.如权利要求1所述的显示面板的缺陷修复方法，其特征在于，所述熔断结构包括至少两个熔断点位，两个所述熔断点位分设在所述缺陷部位的相对两侧；

或者，所述熔断结构包括三个熔断点组，三个所述熔断点组分设在所述缺陷电极以及与所述缺陷电极邻近的两个所述DBS电极上，每个所述熔断点组包括至少两个熔断点位，每个所述熔断点组的所述熔断点位位于所述缺陷部位的相对两侧。

5.如权利要求3所述的显示面板的缺陷修复方法，其特征在于，所述阵列基板还包括在所述衬底上堆叠设置的薄膜晶体管、有机平坦层和金属层，所述有机平坦层设于所述数据线和所述DBS电极之间，且设有连通至所述公共电极的通孔，所述金属层经图案化制程后形成像素电极、连接电极和所述DBS电极，所述连接电极向所述通孔内延伸并与所述公共电极连接；其中，

所述有机平坦层自所述衬底脱离形成连通至所述数据线的缺口，所述缺陷电极通过所述缺口与所述数据线短路连接；和/或，

所述金属层经图案化制程后还形成残留金属结构，所述残留金属结构短路连接所述缺陷电极和所述连接电极。

6.如权利要求1所述的显示面板的缺陷修复方法，其特征在于，所述显示面板还包括：

彩膜基板，与所述阵列基板正对设置；

液晶层，设于所述阵列基板和所述彩膜基板之间；以及，

驱动模组，用以驱动所述液晶层中的液晶分子偏转。