CN111061103A - Coa基板及液晶显示面板 - Google Patents
Coa基板及液晶显示面板 Download PDFInfo
- Publication number
- CN111061103A CN111061103A CN201911348577.0A CN201911348577A CN111061103A CN 111061103 A CN111061103 A CN 111061103A CN 201911348577 A CN201911348577 A CN 201911348577A CN 111061103 A CN111061103 A CN 111061103A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- pixel
- common electrode
- pixel unit
- substrate
- dbs common
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 73
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims abstract description 36
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 9
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 abstract description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UQZIWOQVLUASCR-UHFFFAOYSA-N alumane;titanium Chemical compound [AlH3].[Ti] UQZIWOQVLUASCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NPXOKRUENSOPAO-UHFFFAOYSA-N Raney nickel Chemical class [Al].[Ni] NPXOKRUENSOPAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001080 W alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- MGRWKWACZDFZJT-UHFFFAOYSA-N molybdenum tungsten Chemical compound [Mo].[W] MGRWKWACZDFZJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136222—Colour filters incorporated in the active matrix substrate
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
- H01L27/1244—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits for preventing breakage, peeling or short circuiting
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136209—Light shielding layers, e.g. black matrix, incorporated in the active matrix substrate, e.g. structurally associated with the switching element
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136227—Through-hole connection of the pixel electrode to the active element through an insulation layer
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
本申请公开了一种COA基板及液晶显示面板,所述COA基板由多条纵横交错的数据线和扫描线,以及由所述数据线与所述扫描线组成的像素单元;所述像素单元分为:像素单元的开口区和像素单元的非开口区;所述像素单元的非开口区内设置有:所述数据线、所述扫描线、晶体管部、DBS公共电极走线以及电性连接所述晶体管部的像素过孔,所述像素单元的非开口区内的所述DBS公共电极走线绕开所述像素过孔;有益效果为:本申请提供的COA基板,通过将所述像素单元的非开口区内的所述DBS公共电极走线绕开所述像素过孔,避免所述像素过孔处的像素电极与所述DBS公共电极走线接触,出现短路。
Description
技术领域
本申请涉及通信技术领域,尤其涉及设备技术领域,具体涉及一种COA基板及液晶显示面板。
背景技术
Multi-domain alignment liquid crystal displays(MVA LCDs,多域取向液晶显示器)凭借其高对比和广视角的优势在大尺寸液晶显示面板中得到了广泛的应用。随着屏幕尺寸向大屏化的逐步演化,八域的像素设计以其优异的视角表现而在大尺寸显示器中受到重视,但像素尺寸细化和域数的增加严重导致了面板穿透率的降低,而DBS(Data LineBM Less,数据线上方无黑色矩阵)技术的出现使得穿透率得到了很好的提升。
在COA(Color Film On Array,设置有彩膜层的COA基板)基板中,像素尺寸较小时,无法实现封闭式的像素过孔结构,所述像素过孔的形状为半开口状,使得在同一孔内出现像素电极与DBS走线两种结构。由于色阻层较厚,采用光刻胶照射时,部分色阻层容易造成堆积,导致像素过孔上残留有DBS走线,使得所述像素过孔与所述DBS走线发生短路的情况。
因此,现有的液晶显示面板技术中,还存在着液晶显示面板内的所述DBS走线容易残留在所述像素过孔上,造成所述像素过孔与所述DBS走线短路的问题,急需改进。
发明内容
本申请实施例提供一种COA基板及液晶显示面板,用于解决现有技术中存在着的液晶显示面板内的所述DBS走线容易残留在所述像素过孔上,造成所述像素过孔与所述DBS走线短路的问题。
本申请实施例提供一种COA基板,所述COA基板由多条纵横交错的数据线和扫描线,以及由所述数据线与所述扫描线组成的像素单元;所述像素单元分为:像素单元的开口区和像素单元的非开口区;所述像素单元的非开口区内设置有:所述数据线、所述扫描线、晶体管部、DBS公共电极走线以及电性连接所述晶体管部的像素过孔,所述像素单元的非开口区内的所述DBS公共电极走线绕开所述像素过孔,避免所述像素过孔处的像素电极与所述DBS公共电极走线接触,出现短路。
在本申请提供的一实施例中,所述DBS公共电极走线在所述像素单元的非开口区内的形状为“Z”字形,所述“Z”字形的两条边平行于所述扫描线。
在本申请提供的一实施例中,所述DBS公共电极走线在所述像素单元的非开口区内的形状为锯齿形,所述锯齿形的开口正对于所述像素过孔。
在本申请提供的一实施例中,所述DBS公共电极走线在所述像素单元的非开口区内的形状为弧形,所述弧形的开口正对于所述像素过孔。
在本申请提供的一实施例中,所述DBS公共电极走线在所述像素单元的非开口区内的宽度小于所述DBS公共电极走线在所述像素单元的开口区内的宽度,且所述像素单元的非开口区内的所述DBS公共电极走线远离所述像素过孔的一侧与所述像素单元的开口区内的所述DBS公共电极走线远离所述像素过孔的一侧位于同一条直线。
在本申请提供的一实施例中,所述像素单元开口区内的所述DBS公共电极走线平行于所述数据线进行设置,且所述DBS公共电极走线的宽度大于所述数据线的宽度,即所述像素单元开口区内的所述数据线的两侧均不超过所述DBS公共电极走线投影的两侧。
在本申请提供的一实施例中,所述DBS公共电极走线、主像素电极和子像素电极的材料均采用金属氧化物氧化铟锡。
在本申请提供的一实施例中,所述扫描线平行于所述像素单元的非开口区,异面垂直于所述数据线进行设置。
本申请实施例还提供一种液晶显示面板,所述液晶显示面板包括:第一基板、第二基板以及设置在所述第一基板与所述第二基板之间的液晶层,所述第一基板采用上述任一项所述的COA基板。
在本申请提供的一实施例中,所述第二基板上设置有黑色矩阵,所述黑色矩阵平行于所述扫描线,即所述黑色矩阵平行于像素单元的非开口区进行设置。
与现有技术相比,本申请提供的一种COA基板及液晶显示面板的有益效果为:
1.本申请提供的COA基板,包括所述COA基板由多条纵横交错的数据线和扫描线,以及由所述数据线与所述扫描线组成的像素单元;所述像素单元分为:像素单元的开口区和像素单元的非开口区;所述像素单元的非开口区内的所述DBS公共电极走线绕开所述像素过孔,避免所述像素过孔处的像素电极与所述DBS公共电极走线接触,出现短路;
2.为避免所述像素过孔与所述DBS公共电极走线接触本申请由设计多种不同的结构,其一是所述DBS公共电极走线在所述像素单元的非开口区内形成多种不同的形状;其二是所述DBS公共电极走线在所述像素单元的非开口区内的宽度小于所述DBS公共电极走线在所述像素单元的开口区内的宽度,且位于所述像素单元的非开口区内的所述DBS公共电极走线远离所述像素过孔的一侧与位于所述像素单元的开口区内的所述DBS公共电极走线远离所述像素过孔的一侧位于同一条直线,减小了所述DBS公共电极走线与所述像素过孔接触的风险。
附图说明
下面结合附图,通过对本申请的具体实施方式详细描述,将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1为本申请实施例提供的COA基板的第一结构示意图。
图2为本申请实施例提供的COA基板的第一结构示意图。
图3为本申请实施例提供的COA基板的第一结构示意图。
图4为本申请实施例提供的COA基板的第一结构示意图。
图5为本申请实施例提供的COA基板的第一结构示意图。
图6为本申请实施例提供的COA基板A-A剖面的结构示意图。
图7为本申请实施例提供的液晶显示面板的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。
在本申请的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本申请和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本申请的限制。此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中,“多个”的含义是两个或两个以上,除非另有明确具体的限定。
在本申请的描述中,需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是机械连接,也可以是电连接或可以相互通讯;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
在本申请中,除非另有明确的规定和限定,第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触,也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且,第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方,或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方,或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本申请的不同结构。为了简化本申请的公开,下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然,它们仅仅为示例,并且目的不在于限制本申请。此外,本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母,这种重复是为了简化和清楚的目的,其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外,本申请提供了的各种特定的工艺和材料的例子,但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
具体的,请参阅图1至图7,本申请实施例提供一种COA基板及液晶显示面板。
参阅图1,本发明提供一种COA基板,包括:多条相互平行并依次排列的竖直的数据线10、多条相互平行并依次排列的水平的扫描线20、及多个子像素30;所述COA基板上设有阵列式排布的多个像素区40,每相邻的两列像素区40之间设有一条数据线10,每一个像素区40中设有一条扫描线20,所述扫描线20将所述像素区40划分为第一像素区42和第二像素区41;每一个子像素30均包括一主像素区31和一次像素区32,同一个子像素30的主像素区31和次像素区32分别位于同一个像素区40中相邻的两个像素区40内,并且主像素区31位于其所在的像素区40的第二像素区41中,次像素区32位于其所在的像素区40的第一像素区42中;当第一像素区42和第二像素区41的颜色相同时,同一个子像素30的主像素区31和次像素区32位于同一个像素区40内。
同一个子像素30的主像素区31和次像素区32均与其所在的两像素区40之间的数据线10电性连接。
具体地,每一个主像素区31均包括:一主区像素电极311和一主区晶体管部T1,每一个次像素区32均包括:一次区像素电极321和一次区晶体管部T2;所述主区晶体管部T1的栅极电性连接其所在的子像素30对应的扫描线20,源极电性连接其所在的子像素30对应的数据线10,漏极电性连接所述主区像素电极311;所述次区晶体管部T2的栅极电性连接其所在的子像素30对应的扫描线20,源极电性连接其所在的子像素30对应的数据线10,漏极电性连接所述次区像素电极321。
进一步地,所述主区像素电极311和次区像素电极321均为米字型的图案电极(参阅图4),也即所述主区像素电极311和次区像素电极321均包括4个域,可控制对应的液晶往不同的方向偏转,以改善色偏现象。
具体地,本申请的COA基板还采用DBS技术,即在所述多条数据线10的上方还覆盖有遮挡所述多条数据线10的DBS公共电极走线50,所述DBS公共电极走线50与所述主区像素电极311和次区像素电极321同层设置并相互间隔,优选地,所述DBS公共电极走线50接入COA基板公共电压,能够控制与所述DBS公共电极走线50的位置对应的液晶分子保持不偏转的状态,以达到遮光的目的。
进一步地,所述多个子像素30包括:红色子像素R、绿色子像素G以及蓝色子像素B,当然所述多个子像素30还可以进一步的包括白色子像素和黄色子像素等其他颜色的子像素,这并不会影响本申请的实现。
参阅图2,为本申请实施例提供的COA基板的第二结构示意图。所述像素单元分为:像素单元的开口区(1、2)和像素单元的非开口区3;所述像素单元的非开口区3内设置有:所述数据线10、所述扫描线20、晶体管部(T1、T3)、DBS公共电极走线50以及电性连接所述晶体管部的像素过孔,所述像素单元的非开口区3内的所述DBS公共电极走线50绕开所述像素过孔,避免所述像素过孔处的像素电极与所述DBS公共电极走线50接触,出现短路。
具体地,所述晶体管部(T1、T2)可以为薄膜晶体管或场效应管或其他特性相同的器件,由于这里采用的开关管的源极、漏极是对称的,所以其源极、漏极也是可以互换的。
在本申请的一些实施例中,所述像素单元的开口区(1、2)内的所述DBS公共电极走线50平行于所述数据线10设置在所述数据线10的上方;而在所述像素单元的非开口区3内的所述DBS公共电极走线50绕开所述像素过孔设置,形成“Z”字形,所述“Z”字形的两条边平行于所述扫描线,减小了所述像素过孔与所述DBS公共电极走线50接触的风险,参阅图2。
在本申请的一些实施例中,所述像素单元的开口区(1、2)内的所述DBS公共电极走线50平行于所述数据线10设置在所述数据线10的上方;而在所述像素单元的非开口区3内的所述DBS公共电极走线50绕开所述像素过孔设置,形成弧形,所述弧形的开口正对于所述像素过孔进行设置,减小了所述像素过孔与所述DBS公共电极走线50接触的风险,参阅图3。
在本申请的一些实施例中,所述像素单元的开口区(1、2)内的所述DBS公共电极走线50平行于所述数据线10设置在所述数据线10的上方;而在所述像素单元的非开口区3内的所述DBS公共电极走线50绕开所述像素过孔设置,形成锯齿形,所述锯齿形的开口正对于所述像素过孔进行设置,减小了所述像素过孔与所述DBS公共电极走线50接触的风险,参阅图4。
在本申请的一些实施例中,所述DBS公共电极走线50在所述像素单元的非开口区3内的宽度小于所述DBS公共电极走线50在所述像素单元的开口区(1、2)内的宽度,且所述像素单元的非开口区3内的所述DBS公共电极走线50远离所述像素过孔的一侧与所述像素单元的开口区(1、2)内的所述DBS公共电极走线50远离所述像素过孔的一侧位于同一条直线,也就是说,在所述像素单元的非开口区3内,所述DBS公共电极走线50尽量远离所述像素过孔,减小了所述像素过孔与所述DBS公共电极走线50接触的风险,参阅图5。
进一步地,所述像素单元开口区(1、2)内的所述DBS公共电极走线50平行于所述数据线10进行设置,且所述DBS公共电极走线50的宽度大于所述数据线10的宽度,即所述像素单元开口区(1、2)内的所述数据线10的两侧均不超过所述DBS公共电极走线50投影的两侧,这样在所述像素单元的开口区(1、2)内,所述DBS公共电极走线50就可以完全将所述数据线10遮挡住,避免所述数据线10被光线照射,保证了液晶显示面板的显示质量。
进一步地,所述扫描线20平行于所述像素单元的非开口3区,异面垂直于所述数据线10进行设置。
进一步地,在本申请的一些实施例中,所述DBS公共电极走线50、主像素电极和子像素电极的材料均采用金属氧化物氧化铟锡。
具体地,参阅图6,为本申请实施例提供的COA基板A-A剖面的结构示意图。所述COA基板3具体包括:
第一衬底基板31,设置在所述COA基板3的最底部,所述第一衬底基板31通常选用透明玻璃基板;
第一绝缘层32,设置在所述第一衬底基板31的一侧,所述第一绝缘层32的材料可以选择为氧化硅、氮化硅或是两者结合的复合膜层结构;
第一金属层33,设置在所述第一绝缘层32内,所述第一绝缘层32靠近所述第一衬底基板31的一侧,所述第一金属层33包括:扫描线和栅极线331,所述扫描线输出电流和电压给所述栅极线331;所述第一金属层33通常可以采用钼、铝、铝镍合金、钼钨合金、铬、铜或钛铝合金等金属,也可以使用上述几种金属材料的组合物;
第二绝缘层35,设置在所述第一绝缘层32背离所述第一衬底基板31的一侧,所述第二绝缘层35可以采用与所述第一绝缘层32相同的材料;
第二金属层34,设置在所述第二绝缘层35内,所述第二绝缘层35靠近所述第一绝缘层32的一侧,所述第二金属层34包括:数据线341、源极342、漏极343以及有源层344,所述数据线提供电流给所述源极和所述漏极,所述源极与所述漏极分别电性连接所述有源层的掺杂区;所述第二金属层可以采用与所述第一金属层相同的材料,所述第二金属层优选钛铝合金;
色阻层36,所述色阻层设置在所述第二绝缘层35背离所述第一绝缘层32的一侧,用于形成彩色显示;
平坦化层37,设置在所述色阻层背离所述第二绝缘层的一侧,用于使所述COA基板的表面平坦化;
所述平坦化层背离所述色阻层的一侧还设置有:所述像素过孔371,所述DBS公共电极走线372以及像素电极373,其中,所述像素过孔穿过所述平坦化层、所述色阻层以及所述第二绝缘层与所述漏极电性连接;所述DBS公共电极走线的宽度大于所述数据线的宽度,且所述DBS公共电极走线的投影完全覆盖所述数据线。
参阅图7,为本申请实施例提供的液晶显示面板的结构示意图。本申请还提供一种液晶显示面板,所述液晶显示面板包括:第一基板3、第二基板5以及设置在所述第一基板3与所述第二基板5之间的液晶层4,所述第一基板3采用上述所有的COA基板3,所述COA基板3正对于所述第二基板5进行设置。
进一步地,所述第二基板5包括:第二衬底基板51、黑色矩阵52以及公共电极层53,所述公共电极层53设置在靠近所述液晶层4的一侧,所述黑色矩阵52设置在所述公共电极层53背离所述液晶层4的一侧,所述第二衬底基板51设置在所述黑色矩阵52背离所述公共电极层53的一侧。
进一步地,所述液晶层4还包括:液晶41以及设置在所述液晶四周,粘接所述COA基板3与所述第二基板5的封框胶42。
因此,首先,本申请提供的COA基板3,包括所述COA基板3由多条纵横交错的数据线341和扫描线,以及由所述数据线341与所述扫描线组成的像素单元;所述像素单元分为:像素单元的开口区和像素单元的非开口区;所述像素单元的非开口区内的所述DBS公共电极走线372绕开所述像素过孔371,避免所述像素过孔371处的像素电极与所述DBS公共电极走线372接触,出现短路;其次,为避免所述像素过孔371与所述DBS公共电极走线372接触本申请由设计多种不同的结构,其一是所述DBS公共电极走线372在所述像素单元的非开口区内形成多种不同的形状;其二是所述DBS公共电极走线372在所述像素单元的非开口区内的宽度小于所述DBS公共电极走线372在所述像素单元的开口区内的宽度,且位于所述像素单元的非开口区内的所述DBS公共电极走线372远离所述像素过孔371的一侧与位于所述像素单元的开口区内的所述DBS公共电极走线372远离所述像素过孔371的一侧位于同一条直线,减小了所述DBS公共电极走线372与所述像素过孔371接触的风险。
在上述实施例中,对各个实施例的描述都各有侧重,某个实施例中没有详述的部分,可以参见其他实施例的相关描述。
以上对本申请实施例所提供的一种COA基板及液晶显示面板进行了详细介绍,本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想;本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。
Claims (10)
1.一种COA基板,其特征在于,所述COA基板由多条纵横交错的数据线和扫描线,以及由所述数据线与所述扫描线组成的像素单元;所述像素单元分为:像素单元的开口区和像素单元的非开口区;所述像素单元的非开口区内设置有:所述数据线、所述扫描线、晶体管部、DBS公共电极走线以及电性连接所述晶体管部的像素过孔,所述像素单元的非开口区内的所述DBS公共电极走线绕开所述像素过孔,避免所述像素过孔处的像素电极与所述DBS公共电极走线接触,出现短路。
2.根据权利要求1所述的COA基板,其特征在于,所述DBS公共电极走线在所述像素单元的非开口区内的形状为“Z”字形。
3.根据权利要求1所述的COA基板,其特征在于,所述DBS公共电极走线在所述像素单元的非开口区内的形状为锯齿形,所述锯齿形的开口正对于所述像素过孔。
4.根据权利要求1所述的COA基板,其特征在于,所述DBS公共电极走线在所述像素单元的非开口区内的形状为弧形,所述弧形的开口正对于所述像素过孔。
5.根据权利要求1所述的COA基板,其特征在于,所述DBS公共电极走线在所述像素单元的非开口区内的宽度小于所述DBS公共电极走线在所述像素单元的开口区内的宽度,且所述像素单元的非开口区内的所述DBS公共电极走线远离所述像素过孔的一侧与所述像素单元的开口区内的所述DBS公共电极走线远离所述像素过孔的一侧位于同一条直线。
6.根据权利要求1所述的COA基板,其特征在于,所述像素单元开口区内的所述DBS公共电极走线平行于所述数据线进行设置,且所述DBS公共电极走线的宽度大于所述数据线的宽度,即所述像素单元开口区内的所述数据线的两侧均不超过所述DBS公共电极走线投影的两侧。
7.根据权利要求6所述的COA基板,其特征在于,所述DBS公共电极走线、主像素电极和子像素电极的材料均采用金属氧化物氧化铟锡。
8.根据权利要求1所述的COA基板,其特征在于,所述扫描线平行于所述像素单元的非开口区,异面垂直于所述数据线进行设置。
9.一种液晶显示面板,其特征在于,所述液晶显示面板包括:第一基板、第二基板以及设置在所述第一基板与所述第二基板之间的液晶层,所述第一基板采用上述权利要求1-8任一项所述的COA基板。
10.根据权利要求9所述的液晶显示面板,其特征在于,所述第二基板上设置有黑色矩阵,所述黑色矩阵平行于所述扫描线,即所述黑色矩阵平行于像素单元的非开口区进行设置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201911348577.0A CN111061103B (zh) | 2019-12-24 | 2019-12-24 | Coa基板及液晶显示面板 |
US16/645,078 US11693286B2 (en) | 2019-12-24 | 2020-01-01 | COA substrate and liquid crystal display panel |
PCT/CN2020/070903 WO2021128484A1 (zh) | 2019-12-24 | 2020-01-08 | Coa基板及液晶显示面板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201911348577.0A CN111061103B (zh) | 2019-12-24 | 2019-12-24 | Coa基板及液晶显示面板 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN111061103A true CN111061103A (zh) | 2020-04-24 |
CN111061103B CN111061103B (zh) | 2021-02-26 |
Family
ID=70303164
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201911348577.0A Active CN111061103B (zh) | 2019-12-24 | 2019-12-24 | Coa基板及液晶显示面板 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11693286B2 (zh) |
CN (1) | CN111061103B (zh) |
WO (1) | WO2021128484A1 (zh) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113257203A (zh) * | 2021-05-12 | 2021-08-13 | Tcl华星光电技术有限公司 | 像素驱动电路以及液晶显示面板 |
CN115268128A (zh) * | 2022-08-04 | 2022-11-01 | 苏州华星光电技术有限公司 | 阵列基板、显示面板及其缺陷修复方法 |
US11847989B2 (en) | 2021-05-12 | 2023-12-19 | Tcl China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Pixel driving circuit and liquid crystal display panel |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110543039B (zh) * | 2019-09-10 | 2022-09-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板和显示装置 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001059976A (ja) * | 1999-06-30 | 2001-03-06 | Hyundai Electronics Ind Co Ltd | 液晶表示装置及びその製造方法 |
US20010048500A1 (en) * | 2000-05-31 | 2001-12-06 | Lim Kyu Hwan | Fringe field switching mode liquid crystal display |
US20040189922A1 (en) * | 2001-11-07 | 2004-09-30 | Hitachi, Ltd. | Liquid crystal display device |
CN103676374A (zh) * | 2013-12-06 | 2014-03-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板、液晶显示面板及显示装置 |
CN106773432A (zh) * | 2017-02-10 | 2017-05-31 | 友达光电股份有限公司 | 像素单元、像素阵列结构与显示面板 |
CN106842684A (zh) * | 2017-03-08 | 2017-06-13 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Coa型阵列基板 |
CN107479287A (zh) * | 2017-09-04 | 2017-12-15 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 阵列基板及其制作方法 |
CN108732836A (zh) * | 2018-05-29 | 2018-11-02 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | Coa阵列基板、制备方法及显示装置 |
CN110082970A (zh) * | 2019-04-09 | 2019-08-02 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 液晶显示面板及显示装置 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100857134B1 (ko) | 2006-11-27 | 2008-09-05 | 엘지디스플레이 주식회사 | 티엔 모드 액정표시장치와 그 어레이기판 및 그액정표시장치의 제조방법 |
CN202948237U (zh) | 2012-12-13 | 2013-05-22 | 北京京东方光电科技有限公司 | 一种阵列基板及液晶显示面板 |
CN204595398U (zh) | 2015-05-26 | 2015-08-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及显示装置 |
KR102531664B1 (ko) * | 2016-05-04 | 2023-05-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
-
2019
- 2019-12-24 CN CN201911348577.0A patent/CN111061103B/zh active Active
-
2020
- 2020-01-01 US US16/645,078 patent/US11693286B2/en active Active
- 2020-01-08 WO PCT/CN2020/070903 patent/WO2021128484A1/zh active Application Filing
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001059976A (ja) * | 1999-06-30 | 2001-03-06 | Hyundai Electronics Ind Co Ltd | 液晶表示装置及びその製造方法 |
US20010048500A1 (en) * | 2000-05-31 | 2001-12-06 | Lim Kyu Hwan | Fringe field switching mode liquid crystal display |
US20040189922A1 (en) * | 2001-11-07 | 2004-09-30 | Hitachi, Ltd. | Liquid crystal display device |
CN103676374A (zh) * | 2013-12-06 | 2014-03-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板、液晶显示面板及显示装置 |
CN106773432A (zh) * | 2017-02-10 | 2017-05-31 | 友达光电股份有限公司 | 像素单元、像素阵列结构与显示面板 |
CN106842684A (zh) * | 2017-03-08 | 2017-06-13 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Coa型阵列基板 |
CN107479287A (zh) * | 2017-09-04 | 2017-12-15 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 阵列基板及其制作方法 |
CN108732836A (zh) * | 2018-05-29 | 2018-11-02 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | Coa阵列基板、制备方法及显示装置 |
CN110082970A (zh) * | 2019-04-09 | 2019-08-02 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 液晶显示面板及显示装置 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113257203A (zh) * | 2021-05-12 | 2021-08-13 | Tcl华星光电技术有限公司 | 像素驱动电路以及液晶显示面板 |
US11847989B2 (en) | 2021-05-12 | 2023-12-19 | Tcl China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Pixel driving circuit and liquid crystal display panel |
CN115268128A (zh) * | 2022-08-04 | 2022-11-01 | 苏州华星光电技术有限公司 | 阵列基板、显示面板及其缺陷修复方法 |
CN115268128B (zh) * | 2022-08-04 | 2023-08-22 | 苏州华星光电技术有限公司 | 阵列基板、显示面板及其缺陷修复方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US11693286B2 (en) | 2023-07-04 |
US20220004069A1 (en) | 2022-01-06 |
WO2021128484A1 (zh) | 2021-07-01 |
CN111061103B (zh) | 2021-02-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN111061103B (zh) | Coa基板及液晶显示面板 | |
US11249353B2 (en) | Liquid crystal display | |
JP4733844B2 (ja) | 液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板及びその修理方法 | |
US11199750B2 (en) | Display panel having black matrix comprising extension portions | |
KR101791578B1 (ko) | 액정 표시 장치 | |
CN113075825B (zh) | 阵列基板及显示面板 | |
WO2015074332A1 (zh) | 一种液晶显示面板 | |
KR101622655B1 (ko) | 액정 표시 장치 및 이의 제조 방법 | |
WO2021212620A1 (zh) | 液晶显示面板及显示装置 | |
TW201443533A (zh) | 畫素結構及具有此畫素結構之液晶顯示面板 | |
CN101752306A (zh) | 视角可控制的液晶显示装置及其制造方法 | |
CN104007574A (zh) | 一种阵列基板、显示装置及其制造方法 | |
CN111474784B (zh) | 像素结构及液晶显示面板 | |
KR20000048876A (ko) | 액티브 매트릭스를 갖는 디스플레이 스크린 | |
CN109343284A (zh) | 像素结构、阵列基板及显示装置 | |
KR101652867B1 (ko) | 횡전계형 액정표시장치 | |
US9494838B2 (en) | Liquid crystal display device | |
CN111580318A (zh) | 阵列基板及显示面板 | |
CN106098709A (zh) | 阵列基板、显示装置 | |
CN111273494B (zh) | 阵列基板及显示装置 | |
KR20090005817A (ko) | 표시기판 및 이를 갖는 표시패널 | |
CN111240113B (zh) | 阵列基板及显示面板 | |
CN209281114U (zh) | 阵列基板、显示面板和显示设备 | |
KR20110105893A (ko) | 더블 레이트 드라이브 타입 액정표시장치용 어레이 기판 | |
KR20080051366A (ko) | 횡전계 방식 액정표시장치 및 그 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |