CN111580318A - 阵列基板及显示面板 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 70
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 160
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 160
- 239000011149 active material Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 7
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 5
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
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- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136204—Arrangements to prevent high voltage or static electricity failures
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- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
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- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Optics & Photonics (AREA)
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Abstract
本发明提供一种阵列基板及显示面板,阵列基板包括基板、第一金属层、有源材料层、第二金属层、像素电极层以及公共电极层,第一金属层包括开关元件的栅极层、与栅极层连接的扫描线以及屏蔽金属层,屏蔽金属层包括多条屏蔽金属走线,通过两条屏蔽金属走线在至少一相接处设置有至少一开口,使得屏蔽金属走线为圆环非闭合设计,从而屏蔽金属走线与像素开口区相重叠部分在开口处形成至少一个相对所述像素电极层设置的外拐角,并在外拐角处设置有凸部,用于将由于制程因素无法形成理想直角的外拐角补偿成直角,可减少暗态漏光点,改善漏光情况,提高显示画面的对比度。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种阵列基板及显示面板。
背景技术
对比度是显示器的重要参数,能够生动形象的展示画面的亮暗态差异,液晶显示器由于不能自发光,往往需要额外的背光提供亮度,在暗态时液晶受不规则电场或地形影响会在某些位置背光的亮度会透过液晶层被人眼接收导致暗态亮度增加,影响观看效果。
通常情况下,阵列基板中存在多种不透明的金属走线,金属走线拐角位置往往由于制程因素无法形成理想的直角,金属走线跟偏光片非垂直或平行导致电场激发逸散电子使得偏振态改变,造成暗态漏光,如图1所示,现有技术中的屏蔽金属层8'由第一屏蔽金属走线81'和第二屏蔽金属走线82'形成闭合的圆环,位于像素开口区31'的四个角落处的拐角10'均为内拐角,存在四处金属交叉点位,有四个暗态漏光点,一般的解决办法是用光罩补偿的方式在内拐角处预先设定补偿图形,然而由于光罩补偿对内拐角相对外拐角效果不明显,导致暗态漏光较为严重,对比度较差。
综上所述,需要提供一种新的阵列基板及显示面板,来解决上述技术问题。
发明内容
本发明提供的阵列基板及显示面板,解决了现有的阵列基板及显示面板,屏蔽金属走线采用圆环闭合设计时,由于存在的四处金属交叉点位均为内拐角,而光罩补偿对内拐角效果不明显,从而导致暗态漏光较严重,对比度较差的技术问题。
为解决上述问题,本发明提供的技术方案如下:
本发明实施例提供一种阵列基板,包括:
基板;
第一金属层,设置于所述基板上,所述第一金属层包括开关元件的栅极层、与所述栅极层连接的扫描线以及屏蔽金属层;
有源材料层,设置于所述第一金属层上;
第二金属层,设置于所述有源材料层上,所述第二金属层包括所述开关元件的源极层、所述开关元件的漏极层以及与所述扫描线交叉设置的数据线,所述扫描线和多条所述数据线交叉限定出多个像素开口区;
像素电极层,设置于所述像素开口区内,所述像素电极层和所述屏蔽金属层部分重叠;以及
公共电极层,设置于所述数据线上;
其中,所述屏蔽金属层包括多条屏蔽金属走线,所述屏蔽金属走线的相接处设置有至少一开口,所述屏蔽金属走线与所述像素开口区相重叠部分在所述开口处具有至少一个拐角,所述拐角均为相对所述像素电极层设置的外拐角,所述外拐角处设置有凸部。
在本发明实施例提供的阵列基板中,所述屏蔽金属走线包括第一屏蔽金属走线和第二屏蔽金属走线,所述第一屏蔽金属走线与所述数据线平行设置,所述第二屏蔽金属走线与所述扫描线平行设置,所述第一屏蔽金属走线与所述第二屏蔽金属走线的相接处设置有至少一开口,使得所述第一屏蔽金属走线和所述第二屏蔽金属走线围成非闭合环状结构;
其中,所述外拐角位于所述第一屏蔽金属走线和/或所述第二屏蔽金属走线上。
在本发明实施例提供的阵列基板中,所述第一屏蔽金属走线与所述第二屏蔽金属走线的相接处设置有一开口,所述开口包括第一开口,所述第一开口位于所述第一屏蔽金属走线上;所述外拐角包括第一外拐角,所述第一外拐角位于所述第一屏蔽金属走线上。
在本发明实施例提供的阵列基板中,在所述数据线的相对两侧均设置有两条对称分布的所述第一屏蔽金属走线,两条所述第一屏蔽金属走线之间设置有连接走线,以连接两条所述第一屏蔽金属走线。
在本发明实施例提供的阵列基板中,所述数据线和所述公共电极层在所述基板上的正投影覆盖所述连接走线在所述基板上的正投影。
在本发明实施例提供的阵列基板中,所述连接走线的材料与所述第一屏蔽金属走线及所述第二屏蔽金属走线的材料相等。
在本发明实施例提供的阵列基板中,所述第一屏蔽金属走线与所述第二屏蔽金属走线的相接处设置有一开口,所述开口包括第二开口,所述第二开口位于所述第二屏蔽金属走线上;所述外拐角包括第二外拐角,所述第二外拐角位于所述第二屏蔽金属走线上。
在本发明实施例提供的阵列基板中,所述凸部在所述基板上的正投影是线段围成的图形,所述线段围成的图形的边角为直角。
在本发明实施例提供的阵列基板中,所述有源材料层包括依次层叠设置的所述开关元件的栅极绝缘层、半导体层以及欧姆接触层。
本发明实施例提供一种显示面板,包括上述阵列基板。
本发明的有益效果为:本发明提供的阵列基板及显示面板,通过两条屏蔽金属走线在至少一相接处设置有至少一开口,使得屏蔽金属走线为圆环非闭合设计,从而屏蔽金属走线与像素开口区相重叠部分在开口处形成至少一个相对所述像素电极层设置的外拐角,并在外拐角处设置有凸部,用于将由于制程因素无法形成理想直角的外拐角补偿成直角,可减少暗态漏光点,改善漏光情况,提高显示画面的对比度。
附图说明
为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有技术中的阵列基板的俯视结构示意图;
图2为本发明实施例提供的阵列基板的截面结构示意图;
图3为本发明实施例提供的第一种阵列基板的俯视结构示意图;
图4为本发明实施例提供的第二种阵列基板的俯视结构示意图;
图5为图4中的第二种阵列基板的简化结构示意图;
图6为图5中的第二种阵列基板的局部放大示意图;
图7为本发明实施例提供的第三种阵列基板的俯视简化结构示意图;
图8为图7中的第三种阵列基板的局部放大示意图;
图9为本发明实施例提供的第四种阵列基板的俯视简化结构示意图。
图10为图9中的第四种阵列基板的局部放大示意图。
具体实施方式
以下各实施例的说明是参考附加的图示,用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语,例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等,仅是参考附加图式的方向。因此,使用的方向用语是用以说明及理解本发明,而非用以限制本发明。在图中,结构相似的单元是用以相同标号表示。
在本申请的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本申请和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本申请的限制。此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中,“多个”的含义是两个或两个以上,除非另有明确具体的限定。
在本申请的描述中,需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是机械连接,也可以是电连接或可以相互通讯;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
在本申请中,除非另有明确的规定和限定,第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触,也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且,第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方,或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方,或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本申请的不同结构。为了简化本申请的公开,下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然,它们仅仅为示例,并且目的不在于限制本申请。此外,本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母,这种重复是为了简化和清楚的目的,其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外,本申请提供了的各种特定的工艺和材料的例子,但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
本发明针对现有技术的阵列基板及显示面板,屏蔽金属走线采用圆环闭合设计时,由于存在的四处金属交叉点位均为内拐角,而光罩补偿对内拐角效果不明显,从而导致暗态漏光较严重,对比度较差,本实施例能够解决该缺陷。
如图2、图3所示,本发明实施例提供的阵列基板,包括基板1、第一金属层、有源材料层2、第二金属层、像素电极层3以及公共电极层4,其中,所述基板1可以为玻璃基板;在所述基板1上层叠铺设有导电的数据线5、扫描线6、开关元件7、像素电极层3、屏蔽金属层8以及公共电极层4,以保证结构的稳定性,其中,所述开关元件7包括栅极层71、源极层72以及漏极层73。
所述第一金属层设置于所述基板1上,所述第一金属层包括所述栅极层71、与所述栅极层71连接的扫描线6以及屏蔽金属层8;所述有源材料层2包括所述开关元件7的依序层叠设置的栅极绝缘层、半导体层和欧姆接触层;所述第二金属层设置于所述有源材料层2上,所述第二金属层包括所述源极层72、所述漏极层73以及与所述扫描线6交叉设置的数据线5,所述开关元件7位于所述扫描线6和所述数据线5交叉点处,所述栅极层71与所述扫描线6连接,所述源极层72与所述数据线5连接,所述漏极层73与所述像素电极层3连接;所述扫描线6和多条所述数据线5交叉限定出多个像素开口区31,所述像素电极层包括设置于所述像素开口区31内的像素电极32,;所述公共电极层4设置于所述数据线5上,所述公共电极层4所述数据线5之间绝缘设置,两者通过过孔实现电连接。
具体地,所述屏蔽金属层8位于所述像素电极层3与所述数据线5之间,用于遮蔽数据信号电压输入所述数据线5时对所述像素电极层3所产生的电性影响,使得所述像素电极层3的电场不会受到干扰,以提升画面显示均匀度,确保显示品质;所述像素电极层3和所述屏蔽金属层8部分重叠,故所述屏蔽金属层8可与所述像素电极层3耦合以形成储存电容器,所述屏蔽金属层8与所述公共电极层4电性连接至同一共同电压Vcom。
在本发明实施例中,所述屏蔽金属层8包括多条屏蔽金属走线,所述屏蔽金属走线的相接处设置有至少一开口20,所述屏蔽金属走线与所述像素开口区31相重叠部分在所述开口处具有至少一个拐角10,所述拐角10均为相对所述像素电极层设置的外拐角,从而避免所述屏蔽金属走线在所述像素开口区31具有应用光罩补偿手段效果不明显的内拐角,此外在所述外拐角处设置有凸部9,用于光罩补偿所述外拐角处因制程等因素所导致的暗态漏光问题。
进一步地,所述凸部9在所述基板1上的正投影可以是线段围成的图形,所述线段围成的图形的边角为直角,可以有效避免所述屏蔽金属层8与偏光片非垂直或平行导致电场激发逸散电子使得偏振态改变,造成暗态漏光,从而能够显著提高显示画面的对比度。
需要说明的是,本发明实施例所提到的“外拐角”和“内拐角”均是针对所述拐角相对所述像素电极层的位置而命名。
进一步地,所述屏蔽金属走线8包括第一屏蔽金属走线81和第二屏蔽金属走线82,所述第一屏蔽金属走线81与所述数据线5平行设置,所述第二屏蔽金属走线81与所述扫描线6平行设置,所述第一屏蔽金属走线81与所述第二屏蔽金属走线82的相接处设置有至少一开口20,使得所述第一屏蔽金属走线81和所述第二屏蔽金属走线82围成非闭合环状结构,其中,所述外拐角位于所述第一屏蔽金属走线81和/或所述第二屏蔽金属走线82上;其中,所述开口20可以完全贯穿所述屏蔽金属走线,也可以仅贯穿金属走线与所述像素开口区31重叠部分,本发明实施例不应以此为限。
在图3中,所述开口设置的数量为一个,可减少一个暗态漏光点;优选地,在所述屏蔽金属走线的每一相接处均设置有至少一所述开口,即可避免形成暗态漏光点,最大程度地改善漏光情况。
需要说明的是,可以单独在所述第一屏蔽金属走线81上开设所述开口20,使得形成的所述外拐角位于所述第一屏蔽金属走线81上,或者也可以单独在所述第二屏蔽金属走线82上开设所述开口,使得形成的所述外拐角位于所述第二屏蔽金属走线82上,或者也可以同时在所述第一屏蔽金属走线81和所述第二屏蔽金属走线82上开设所述开口20,使得形成的多个所述外拐角同时位于所述第一屏蔽金属走线81和所述第二屏蔽金属走线82上。
结合图4、图5及图6,当单独在所述第一屏蔽金属走线81上开设所述开口20时,所述第一屏蔽金属走线81与所述第二屏蔽金属走线82的相接处设置有一开口,所述开口20包括第一开口201,所述第一开口201位于所述第一屏蔽金属走线81上;所述外拐角包括第一外拐角101,所述第一外拐角101位于所述第一屏蔽金属走线81上;如此设置可使得所述第一屏蔽金属走线81和所述第二屏蔽金属走线82避免接触,从而避免形成容易导致暗态漏光的内拐角;此外,所述第一屏蔽金属走线81上位于所述像素定义区31的拐角10仅有所述第一外拐角101,其它拐角均位于所述像素定义区31之外,故其它拐角不会导致暗态漏光问题。
进一步地,在所述数据线5的相对两侧均设置有两条对称分布的所述第一屏蔽金属走线81,两条所述第一屏蔽金属走线81之间设置有连接走线30,以横向贯穿连接两条所述第一屏蔽金属走线81;一方面,由于所述连接走线30位于两条所述第一屏蔽金属走线81之间的空隙中,该空隙位于所述像素定义区31之外;另一方面,所述数据线5和所述公共电极层4在所述基板1上的正投影覆盖所述连接走线30在所述基板1上的正投影,故而所述连接走线1与所述第一屏蔽金属走线81的相接处的拐角并不会导致漏光。
具体地,所述连接走线30的材料与所述第一屏蔽金属走线81及所述第二屏蔽金属走线82的材料相等,与所述栅极层的材料相同,所述栅极层的材料可以为Cr、Mo、Al、Ti、Cu中一种或者几种金属的合金。
结合图7、图8,当单独在所述第一屏蔽金属走线81上开设所述开口20时,所述第一屏蔽金属走线81与所述第二屏蔽金属走线82每一相接处设置有一开口20,所述开口20包括第二开口202,所述第二开口202位于所述第二屏蔽金属走线82上;所述外拐角包括第二外拐角102,所述第二外拐角102位于所述第二屏蔽金属走线82上;同理,如此设置可使得所述第一屏蔽金属走线81和所述第二屏蔽金属走线82避免接触,从而避免形成容易导致暗态漏光的内拐角;此外,所述第二屏蔽金属走线81上位于所述像素定义区31的拐角10仅有所述第二外拐角101,其它拐角均位于所述像素定义区31之外,故其它拐角同样不会导致暗态漏光问题。
结合图9、图10,同时在所述第一屏蔽金属走线81和所述第二屏蔽金属走线82上开设所述开口20时,此种情况是结合上述两种情形,具体可参考上述描述,在此不再赘述。
本发明实施例还提供一种显示面板,包括所述阵列基板、与所述阵列基板相对设置的彩膜基板以及设置于所述阵列基板和所述彩膜基板之间的液晶层,所述彩膜基板包括衬底、设置于所述衬底上的多个色阻块、设置于相邻两个所述色阻块之间的黑矩阵以及设置于所述色阻块上的公共电极层,所述液晶层中的液晶分子在所述像素电极层3与公共电极层4产生的电场作用下发生偏转,进而控制穿透过显示面板的光实现显示。
有益效果为:本发明实施例提供的阵列基板及显示面板,通过两条屏蔽金属走线在至少一相接处设置有至少一开口,使得屏蔽金属走线为圆环非闭合设计,从而屏蔽金属走线与像素开口区相重叠部分在开口处形成至少一个相对所述像素电极层设置的外拐角,并在外拐角处设置有凸部,用于将由于制程因素无法形成理想直角的外拐角补偿成直角,可减少暗态漏光点,改善漏光情况,提高显示画面的对比度。
综上所述,虽然本发明已以优选实施例揭露如上,但上述优选实施例并非用以限制本发明,本领域的普通技术人员,在不脱离本发明的精神和范围内,均可作各种更动与润饰,因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。
Claims (10)
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:
基板;
第一金属层,设置于所述基板上,所述第一金属层包括开关元件的栅极层、与所述栅极层连接的扫描线以及屏蔽金属层;
有源材料层,设置于所述第一金属层上;
第二金属层,设置于所述有源材料层上,所述第二金属层包括所述开关元件的源极层、所述开关元件的漏极层以及与所述扫描线交叉设置的数据线,所述扫描线和多条所述数据线交叉限定出多个像素开口区;
像素电极层,设置于所述像素开口区内,所述像素电极层和所述屏蔽金属层部分重叠;以及
公共电极层,设置于所述数据线上;
其中,所述屏蔽金属层包括多条屏蔽金属走线,所述屏蔽金属走线的相接处设置有至少一开口,所述屏蔽金属走线与所述像素开口区相重叠部分在所述开口处具有至少一个拐角,所述拐角均为相对所述像素电极层设置的外拐角,所述外拐角处设置有凸部。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述屏蔽金属走线包括第一屏蔽金属走线和第二屏蔽金属走线,所述第一屏蔽金属走线与所述数据线平行设置,所述第二屏蔽金属走线与所述扫描线平行设置,所述第一屏蔽金属走线与所述第二屏蔽金属走线的相接处设置有至少一开口,使得所述第一屏蔽金属走线和所述第二屏蔽金属走线围成非闭合环状结构;
其中,所述外拐角位于所述第一屏蔽金属走线和/或所述第二屏蔽金属走线上。
3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述第一屏蔽金属走线与所述第二屏蔽金属走线的相接处设置有一开口,所述开口包括第一开口,所述第一开口位于所述第一屏蔽金属走线上;所述外拐角包括第一外拐角,所述第一外拐角位于所述第一屏蔽金属走线上。
4.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,在所述数据线的相对两侧均设置有两条对称分布的所述第一屏蔽金属走线,两条所述第一屏蔽金属走线之间设置有连接走线,以连接两条所述第一屏蔽金属走线。
5.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述数据线和所述公共电极层在所述基板上的正投影覆盖所述连接走线在所述基板上的正投影。
6.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述连接走线的材料与所述第一屏蔽金属走线及所述第二屏蔽金属走线的材料相等。
7.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述第一屏蔽金属走线与所述第二屏蔽金属走线的相接处设置有一开口,所述开口包括第二开口,所述第二开口位于所述第二屏蔽金属走线上;所述外拐角包括第二外拐角,所述第二外拐角位于所述第二屏蔽金属走线上。
8.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述凸部在所述基板上的正投影是线段围成的图形,所述线段围成的图形的边角为直角。
9.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述有源材料层包括依次层叠设置的所述开关元件的栅极绝缘层、半导体层以及欧姆接触层。
10.一种显示面板,其特征在于,包括权利要求1~9任一项所述的阵列基板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202010465140.1A CN111580318B (zh) | 2020-05-28 | 2020-05-28 | 阵列基板及显示面板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202010465140.1A CN111580318B (zh) | 2020-05-28 | 2020-05-28 | 阵列基板及显示面板 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN111580318A true CN111580318A (zh) | 2020-08-25 |
CN111580318B CN111580318B (zh) | 2023-10-17 |
Family
ID=72114223
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202010465140.1A Active CN111580318B (zh) | 2020-05-28 | 2020-05-28 | 阵列基板及显示面板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN111580318B (zh) |
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CN111580318B (zh) | 2023-10-17 |
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