CN112666763A - 一种阵列基板及显示面板 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种阵列基板及显示面板,包括设置于基板上且在第一方向延伸的多个底部透明电极,覆盖所述多个底部透明电极的绝缘层,位于所述绝缘层上的第一金属层,所述第一金属层包括与所述底部透明电极平行的多条第一金属走线和多条第二金属走线。其中,每个所述底部透明电极在所述基板上的正投影位于所述第一金属走线和第二金属走线在所述基板上的正投影之间。与所述第一金属走线平行设置的底部透明电极能够使第一金属走线激发的电场收束,进而减少第一金属走线周围区域的电势,因此可以减小第一金属走线周围区域与CF基板上公共电极之间的电压差,这样可以减少在暗态情况下第一金属走线引发的周围区域液晶分子的偏转,从而可以减少漏光。

Description

一种阵列基板及显示面板
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种阵列基板及显示面板。
背景技术
目前液晶显示技术已经非常成熟,被广泛应用于手机、电脑、车载显示屏、智能装置等产品中。在液晶显示技术中,液晶分子不会发光,则采用液晶显示技术进行显示的装置中还需要设置背光模组,背光模组为液晶显示面板提供光源。通常情况下,显示面板需要高透光率,以满足用于在低功耗时观看具有较好的视觉效果。
在现有技术中,在显示面板显示时,对薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)阵列基板上的像素电极和彩色滤光片(Color Filter,CF)基板上的公共电极分别施加电压,从而在TFT阵列基板和CF基板之间形成电场,使得液晶分子产生偏转,使得显示面板的显示区域可以在亮态和暗态之间转换,从而显示出相的图像。在暗态时,TFT阵列基板和CF基板之间没有形成电场,液晶分子在取向层的作用下竖直取向。
在暗态时,竖直的扫描线具有大约28V的高电势,因此在所述扫描线的周围会激发出电场,使所述扫描线的周围区域与CF基板上的公共电极存在电压差,从而引发此区域的液晶发生偏转,导致暗态漏光。
发明内容
本发明的目的在于提供一种阵列基板及显示面板,旨在解决显示面板暗态漏光的问题。
一方面,本发明提供一种阵列基板,包括:
基板;
设置于所述基板上且在第一方向延伸的多个底部透明电极;
覆盖所述多个底部透明电极的绝缘层;
位于所述绝缘层上的第一金属层,所述第一金属层包括与所述底部透明电极平行的多条第一金属走线和多条第二金属走线;
其中,每个所述底部透明电极在所述基板上的正投影位于所述第一金属走线和第二金属走线在所述基板上的正投影之间。
进一步优选的,还包括:位于所述多个底部透明电极上且被所述绝缘层覆盖的第二金属层。
进一步优选的,所述第二金属层包括在垂直于所述第一方向延伸的多条第三金属走线。
进一步优选的,所述多条第一金属走线与所述多条第三金属走线交叉限定出多个由所述第一金属走线和第三金属走线围成的像素开口区,每个所述像素开口区中具有两条所述第二金属走线。
进一步优选的,每个所述像素开口区中具有两个所述底部透明电极。
进一步优选的,所述第二金属走线为数据线,所述第三金属走线为扫描线。
进一步优选的,还包括:位于所述基板和所述多个底部透明电极之间的第二金属层。
进一步优选的,所述底部透明电极的材料包括氧化铟锡。
进一步优选的,还包括:
覆盖所述第一金属层的钝化层;
位于所述钝化层上的色阻层;
位于所述色阻层上的有机绝缘平坦层;
位于所述有机绝缘平坦层上的取向层。
另一方面,本发明提供一种显示面板,包括上述任一项所述的阵列基板。
本发明的有益效果是:本发明提供一种阵列基板及显示面板,包括设置于基板上且在第一方向延伸的多个底部透明电极,覆盖所述多个底部透明电极的绝缘层,位于所述绝缘层上的第一金属层,所述第一金属层包括与所述底部透明电极平行的多条第一金属走线和多条第二金属走线。其中,每个所述底部透明电极在所述基板上的正投影位于所述第一金属走线和第二金属走线在所述基板上的正投影之间。与所述第一金属走线平行设置的底部透明电极能够使第一金属走线激发的电场收束,进而减少第一金属走线周围区域的电势,因此可以减小第一金属走线周围区域与CF基板上公共电极之间的电压差,这样可以减少在暗态情况下第一金属走线引发的周围区域液晶分子的偏转,从而可以减少漏光。
附图说明
下面结合附图,通过对本发明的具体实施方式详细描述,将使本发明的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1是本发明第一实施例提供的阵列基板的剖面结构示意图;
图2是本发明第一实施例提供的阵列基板的俯视结构示意图;
图3是本发明实施例提供的不存在底部透明电极时第一金属走线周围的电势分布示意图;
图4是本发明实施例提供的存在底部透明电极时第一金属走线周围的电势分布图;
图5是本发明第二实施例提供的阵列基板的剖面结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中,需要理解的是,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本发明的描述中,“多个”的含义是两个或两个以上,除非另有明确具体的限定。
在本发明中,除非另有明确的规定和限定,第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触,也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且,第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方,或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方,或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本发明的不同结构。为了简化本发明的公开,下文对特定例子的部件和设置进行描述。当然,它们仅仅为示例,并且目的不在于限制本发明。此外,本发明可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母,这种重复是为了简化和清楚的目的,其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外,本发明提供了各种特定的工艺和材料的例子,但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
如本文所使用的,术语“第一方向”是指平行于基板的方向,用“Y”表示;用“X”表示平行于基板且垂直于“Y”的方向;用“Z”表示垂直于“XY”平面的方向。
请参阅图1,图1是本发明第一实施例提供的阵列基板的剖面结构示意图。该阵列基板100包括基板10,设置于所述基板10上且在第一方向延伸的多个底部透明电极11,覆盖所述多个底部透明电极11的绝缘层20,位于所述绝缘层20上的第一金属层30,所述第一金属层30包括与所述底部透明电极11平行的多条第一金属走线31和多条第二金属走线32,以及源极和漏极(图中未示出)。其中,每个所述底部透明电极11在所述基板10上的正投影位于所述第一金属走线31和第二金属走线32在所述基板10上的正投影之间。
其中,所述底部透明电极11的材料包括氧化铟锡(Indium Tin Oxide,ITO)及其他透明的导电材料。
在本实施例中,该阵列基板100还包括位于所述多个底部透明电极11上且被所述绝缘层20覆盖的第二金属层12。
在本实施例中,该阵列基板100还可以包括覆盖所述第一金属层30的钝化层40,位于所述钝化层上的色阻层50,位于所述色阻层50上的有机绝缘平坦层(Polymer Film onArray,PFA)60,位于所述有机绝缘平坦层60上的取向层70。
其中,图1示出的色阻层50包括两个相邻的色阻,这两个相邻的色阻对应不同的颜色,从而可以使得液晶显示面板的不同像素单元显示不同的颜色。具体的,相邻的色阻可以是三原色红绿蓝中的任两种颜色,在显示区域(像素开口区B)处于透光状态时,经过色阻层50的过滤,光线可以显示出相应的颜色。在液晶显示面板中,多个显示区域间隔阵列排布,三种原色的像素单元相邻间隔排布。所述有机绝缘平坦层60是起保护和平坦化的作用,其材料可以为聚四氟乙烯(Polyfluoroalkoxy)。所述取向层70的作用是对液晶分子进行配向,使得液晶分子产生一个预设角度。在本实施例中,在显示面板处于暗态时液晶分子呈竖直状态。
请参阅图2,图2是本发明第一实施例提供的阵列基板的俯视结构示意图。图1是图2中A-A1处的截面图。从图2可以看出,底部透明电极11在第一方向(Y)延伸,第一金属走线31和第二金属走线32与所述底部透明电极11平行,也在第一方向(Y)延伸。从图2的俯视方向可以清楚的看出,每个所述底部透明电极11位于第一金属走线31和第二金属走线32之间,也就是说,每个所述底部透明电极11在基板10上的正投影位于第一金属走线31和第二金属走线32在基板10的正投影之间。
在本实施例中,所述第二金属层12包括在垂直于第一方向(Y)的X方向延伸的多条第三金属走线121以及栅极(图中未示出),也就是说第三金属走线121与底部透明电极11、第一金属走线31和第二金属走线32垂直。如图2所示,底部透明电极11位于最下层,第三金属走线121位于中间层,第一金属走线31和第二金属走线32位于最上层。所述多条第一金属走线31与所述多条第三金属走线121交叉限定出多个由所述第一金属走线31和第三金属走线121围成的像素开口区B(即图中的矩形空白区),一个所述像素开口区B对应一个像素单元。每个所述像素开口区B中具有两条所述第二金属走线32,且每个所述像素开口区B中具有两个所述底部透明电极11,所述底部透明电极11位于像素开口区B中且不影响透光率。
其中,第一金属走线31可以为竖直扫描线,第二金属走线32可以为数据线,第三金属走线121可以为横向扫描线。所述横向扫描线与每个像素的TFT(图中未示出)的栅极连接,所述数据线与所述TFT的源极连接,所述TFT的漏极与像素电极(图中未示出)连接。所述竖直扫描线通过打孔与其下方的横向扫描线连接,再从Y的负方向连接到驱动电路。虚线C-C1是由横向扫描线和竖直扫描线的交叉点连接而成的,在C-C1的交叉点处就是所述横向扫描线与竖直扫描线通过打孔连接的位置。这种像素结构设计可以使显示面板的左右两侧实现窄边框,因为驱动电路设置在显示面板的下边,不是设置在两侧。
在现有技术中,第一金属走线31具有一个高电位(比如28V),因此会使第一金属走线31周围区域与CF基板上公共电极之间具有电压差,从而引发第一金属走线31周围区域对应的液晶分子发生偏转,导致暗态漏光。
请参阅图3和图4,图3是本发明实施例提供的不存在底部透明电极时第一金属走线周围的电势分布示意图,图4是本发明实施例提供的存在底部透明电极时第一金属走线周围的电势分布图。靠近第一金属走线31的电势较高,从第一金属走线31往外,电势逐渐减小,直到最外面的电势为3-4V。可以将第一金属走线31的周围区域称为漏光区域D,对比图3和图4的模拟仿真电势分布图可以看出,底部透明电极可以使电势收束,即图3中漏光区域D的电势较高,而图4中漏光区域D的电势较低,也就是说底部透明电极可以使漏光区域D的电势降低,进而可以减小该漏光区域D与CF基板上公共电极的压差,从而减少漏光区D对应的液晶分子的倾倒,以减少漏光。
本实施例提供的阵列基板100中,在第一方向(Y)延伸与第一金属走线11平行的底部透明电极11,可以减弱第一金属走线31周围漏光区域D的电势,进而减少第一金属走线31引发的液晶分子倾倒,从而减少漏光。而且所述底部透明电极11靠近第一金属走线31设置,可以提高屏蔽电场的效果。
请参阅图5,图5是本发明第二实施例提供的阵列基板的剖面结构示意图。在第二实施例中,与第一实施例相同的结构继续使用重复的结构标号。
在本实施例中,该阵列基板200的第二金属层12位于基板10和所述多个底部透明电极11之间,即先在基板10上制作第二金属层12,再在第二金属层12上制作多个在第一方向延伸的底部透明电极11,最后覆盖绝缘层20。所述底部透明电极11具有与第一实施例相同的有益效果,在此不再赘述。
本发明实施例还提供一种显示面板,包括上述阵列基板,以及CF基板和位于所述阵列基板和CF基板之间的液晶分子。本发明实施例提供的显示面板的有益效果与上述实施例提供的阵列基板的有效果相同,在此不再赘述。
以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的技术方案及其核心思想;本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例的技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种阵列基板,其特征在于,包括:
基板;
设置于所述基板上且在第一方向延伸的多个底部透明电极;
覆盖所述多个底部透明电极的绝缘层;
位于所述绝缘层上的第一金属层,所述第一金属层包括与所述底部透明电极平行的多条第一金属走线和多条第二金属走线;
其中,每个所述底部透明电极在所述基板上的正投影位于所述第一金属走线和第二金属走线在所述基板上的正投影之间。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,还包括:位于所述多个底部透明电极上且被所述绝缘层覆盖的第二金属层。
3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述第二金属层包括在垂直于所述第一方向延伸的多条第三金属走线。
4.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述多条第一金属走线与所述多条第三金属走线交叉限定出多个由所述第一金属走线和第三金属走线围成的像素开口区,每个所述像素开口区中具有两条所述第二金属走线。
5.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,每个所述像素开口区中具有两个所述底部透明电极。
6.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述第二金属走线为数据线,所述第三金属走线为扫描线。
7.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,还包括:位于所述基板和所述多个底部透明电极之间的第二金属层。
8.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述底部透明电极的材料包括氧化铟锡。
9.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,还包括:
覆盖所述第一金属层的钝化层;
位于所述钝化层上的色阻层;
位于所述色阻层上的有机绝缘平坦层;
位于所述有机绝缘平坦层上的取向层。
10.一种显示面板,其特征在于,包括权利要求1-9任一项所述的阵列基板。
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