CN115259679A - 基板的蚀刻方法、壳体组件和电子设备 - Google Patents
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Abstract
本申请公开了一种基板的蚀刻方法、壳体组件和电子设备。其中，所述基板的蚀刻方法包括：提供一基板；对所述基板进行第一图案化处理，在所述基板上形成预制图案；在所述预制图案的部分表面形成遮蔽层；以及用蚀刻液对形成所述遮蔽层的所述基板进行第二图案化处理，以得到具有目标图案的所述基板，所述目标图案包括多个间隔设置的凸起，相邻所述凸起形成有图案化凹槽，所述图案化凹槽为非对称结构。通过上述方式，可以得到具有不对称定向蚀刻图案的基板，且本申请制备的具有定向不对称蚀刻图案的基板成本低，操作简单，适合消费电子和行业选用。
Description
技术领域
本申请涉及电子设备的蚀刻技术领域，特别是涉及一种基板的蚀刻方法、壳体组件和电子设备。
背景技术
一般在玻璃上做高精度定向蚀刻技术为干法蚀刻技术，例如反应等离子体蚀刻或高能粒子束蚀刻等，虽然利用干法蚀刻技术制备图案化的玻璃具有加工精度高的优势，然而对于精度要求较低的场景中，干法蚀刻技术存在加工效率慢，设备成本高昂的问题。
发明内容
本申请了提供一种基板的蚀刻方法、壳体组件和电子设备，能够提高加工精细度要求在微米级别的应用场景中的加工效率，降低加工成本。
为解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案是：提供一种基板的蚀刻方法，包括：提供一基板；对所述基板进行第一图案化处理，在所述基板上形成预制图案；在所述预制图案的部分表面形成遮蔽层；以及用蚀刻液对形成所述遮蔽层的所述基板进行第二图案化处理，以得到具有目标图案的所述基板，所述目标图案包括多个间隔设置的凸起，相邻所述凸起形成有图案化凹槽，所述图案化凹槽为非对称结构。
为解决上述技术问题，本申请采用的另一个技术方案是：提供一种壳体组件，包括基板，所述基板具有至少一目标图案，所述目标图案包括多个间隔设置的凸起，相邻所述凸起形成有图案化凹槽，所述图案化凹槽为非对称结构。
为解决上述技术问题，本申请采用的又一个技术方案是：提供一种电子设备，包括壳体组件和功能组件。所述壳体组件定义有容置空间，所述功能组件容置于所述容置空间内，其中，所述壳体组件为上述壳体组件。
本申请的有益效果是：本申请提供的基板的蚀刻方法首先通过对基板的第一图案化处理得到具有预制图案的基板，然后再通过遮蔽层遮蔽形成预制图案的部分表面，最后用蚀刻液对形成遮蔽层的基板进行第二图案化处理，得到具有目标图案的基板，由于本申请对基板的第二图案化处理只发生在预制图案的部分表面，因此可以得到具有不对称定向蚀刻图案的基板，本申请制备的具有定向不对称蚀刻图案的基板成本低，操作简单，适合消费电子和行业选用。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请一些实施例提供的蚀刻方法的流程图。
图2是图1中步骤S20的流程图。
图3是本申请一些实施例提供的蒸镀装置的结构示意图。
图4是本申请一些实施例提供的蚀刻装置的结构示意图。
图5是图1中步骤S40的流程图。
图6是本申请一些实施例提供的不同θ角和离心力下制备的具有目标图案的基板的效果图。
图7是本申请一些实施例提供的电子设备的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性的劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
本申请的描述中，需要理解的是，属于“中心”、“中间”“内”、“外”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位和位置关系，仅仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或者两个以上，除非另有明确具体的限定。
本申请是基于发明人对于以下事实和问题的发现和认识作出的：
在玻璃上做高精度定向蚀刻技术一般为干法蚀刻技术(如反应等离子体蚀刻，高能粒子束蚀刻)。虽然利用干法蚀刻技术制备图案化的玻璃具有加工精度高的优势，然而对于精度要求较低的场景中，干法蚀刻技术存在加工效率慢，设备成本高昂的问题。
对玻璃进行湿法蚀刻时，由于使用对玻璃具有腐蚀作用的化学离子溶液，离子的扩散没有方向偏好，因此蚀刻是各向同性的，无法控制方向。
基于以上发现，本申请的发明人提供一种基板的蚀刻方法，用于对基板进行定向湿法蚀刻，请参阅图1，该基板的蚀刻方法包括：
步骤S10：提供一基板10。
本申请一些实施例中，基板10可应用于但不限于电子设备的壳体组件，基板10的材质可以为玻璃、硅、氮化硅或金属等，可以根据应用场景进行选择。基板10的厚度不限，可以根据需要进行选择。
步骤S20：对基板10进行第一图案化处理，在基板10上形成预制图案100。
本申请一些实施例中，对基板10进行第一图案化处理的方式可以为蚀刻技术(例如湿法蚀刻技术)，一些实施例中，还可以结合光刻技术，请一并参见图2，步骤S20可以包括：
S21：清洁处理，对基板10进行清洗烘干。
S22：均胶处理，在基板10的表面涂覆光刻胶30。
其中，光刻胶30可以为正型光刻胶也可以为负型光刻胶，可以根据需要进行选择。
S23：前烘处理，通过预烘烤去除光刻胶30中的部分溶剂。
其中，烘烤方式采用红外辐射加热或热风循环加热，烘烤设备可以是烤箱或隧道炉等。
S24：曝光后烘处理，对预烘烤后的产品进行曝光，对曝光后的产品进行后烘，使光刻胶30进一步固化。
其中，曝光光源为紫外光，可以是汞灯、卤素灯或紫外激光(如波长为255nm或355nm激光等)，曝光所用的光罩50根据图案需要进行设计制作。曝光后对产品进行后烘，进一步去除设置于基板10上的光刻胶30中的水分。
S25：显影坚膜处理，对后烘后的产品进行显影和坚膜处理，形成光刻胶掩膜板40。
其中，在进行显影处理时，未曝光的区域将被显影掉，显影后得到图形，图形区域将对基板10表面进行遮蔽保护，对显影后的产品进行烘烤坚膜，形成光刻胶掩膜板40。
S26：蚀刻处理，对形成光刻胶掩膜板40的基板10进行刻蚀，在基板10上形成预制图案100。
在一些实施例中，通过湿法蚀刻工艺对基板10进行刻蚀得到预制图案100，预制图案100包括多个凸起120和多个第一凹槽140，相邻凸起120形成有第一凹槽140。
S27：除胶处理，除去上述基板10上剩余的光刻胶，并对基板10进行清洗，使产品表面干净且无水渍，最终得到具有预制图案100的基板10。
步骤S30：在预制图案100的部分表面形成遮蔽层20。
在预制图案100的部分表面形成遮蔽层20，使预制图案100的部分内壁暴露出来，遮蔽层20设置于多个凸起120的表面以及多个第一凹槽140的部分内壁，在一些实施例中，第一凹槽140包括第一内壁141和第二内壁142，遮蔽层20设置于凸起112的表面以及第一凹槽140的第一内壁141。在另一些实施例中，遮蔽层20设置于多个凸起120的表面以及多个第一凹槽140的第一内壁141和第二内壁142，设置于第一内壁141的遮蔽层20的厚度大于设置于第二内壁142的遮蔽层20的厚度，因此在后续刻蚀过程中，设置于第二内壁142的遮蔽层20先于设置于第一内壁141的遮蔽层20刻蚀掉，进而进一步刻蚀第二内壁142，而第一内壁141不被刻蚀。
遮蔽层20用于防止或减缓蚀刻液对遮蔽层20遮蔽的基板10的表面进行刻蚀，使预制图案100的部分内壁被刻蚀，从而形成不对称的图案化凹槽。遮蔽层20的材质与基板10和蚀刻液有关，本申请一些实施例中，基板10的材质为玻璃，遮蔽层20的材质为低活性金属，例如，Au、Ag、Cu或Cr等。遮蔽层20的厚度为图案化凹槽的目标蚀刻深度h的1/20至1/2，如果遮蔽层20的厚度过大，例如超过图案化凹槽的目标蚀刻深度h的1/2，会造成材料的浪费，如果遮蔽层20的厚度过小，例如小于图案化凹槽的目标蚀刻深度h的1/20，在后续对基板10进行刻蚀的过程中，还未得到图案化凹槽，遮蔽层20已经溶解，将起不到遮蔽作用。一些实施例中，遮蔽层20的厚度为图案化凹槽的目标蚀刻深度h的1/10至1/5，在一应用场景中，图案化凹槽的目标蚀刻深度h为10μm，则遮蔽层20的厚度为0.5μm至5μm，在另一些实施例中，遮蔽层20的厚度为1μm至2μm。
在一具体实施方式中，可通过倾斜角度蒸镀技术形成遮蔽层20，利用基板10的预制图案100自身的遮蔽效果，得到单侧内壁带遮蔽层20的预制图案100。将形成预制图案100的基板10放入如图3所示的蒸镀装置100中，该蒸镀装置100包括箱体1、伞架2和蒸发源3，箱体1用于放置伞架2和蒸发源3，伞架2为半球形，伞架2设置在箱体1内部上端，伞架2表面不同高度的环形区域内分别均匀开设有安装孔(图未示)，安装孔内部分别安装有镀膜冶具(图未示)，待镀基板(具有预制图案的基板)设置在镀膜冶具内部；蒸发源3设置于箱体1内部的底部，用于向所述伞架2的方向蒸发蒸镀材料。具有预制图案100的基板10的放置位置需与蒸发源3的放置位置呈一定的角度θ，用于调节遮蔽层20的遮蔽位置，角度θ为基板10具有预制图案100的表面的轴线与蒸发源3蒸发方向的夹角，如图3所示。角度θ的范围为20°～75°，如果角度θ过小，例如小于20°，则在多个第一凹槽140内形成的遮蔽层20过于均匀，使暴露的第一凹槽140的内壁较少，甚至不能使第一凹槽140的部分内壁暴露，因此在后续刻蚀时第一凹槽140的内壁均不能被刻蚀，失去单侧内壁刻蚀效果；如果角度θ过大，例如大于75°，则在整个第一凹槽140的内壁不能形成有效的遮蔽层20，因此在后续刻蚀时，整个内壁均会被刻蚀，失去单侧内壁刻蚀效果。一些实施例中，为了形成更直观的不对称的图案化凹槽，角度θ的范围为45°～65°。
步骤S40：用蚀刻液41对形成遮蔽层20的基板10进行第二图案化处理，以得到具有目标图案110的基板10。
本申请一些实施例利用如图4所示的蚀刻装置200对形成遮蔽层20的基板10进行刻蚀，蚀刻装置200包括承载机构4和蚀刻液供给机构5，承载机构4用于承载形成遮蔽层20的基板10，具体地，承载机构4具有容置槽42，形成遮蔽层20的基板10可设置于容置槽42内，承载机构4可以为圆柱状，并且可以绕其中心转轴自转，蚀刻液供给机构5包括至少一喷头，喷头位于承载机构4的上方，用于蚀刻液41的喷淋。
参见图5，步骤S40可以包括：
S41：将形成遮蔽层20的基板10放入承载机构4的容置槽42内。
承载机构4的尺寸和形成遮蔽层20的基板10放置的位置可以根据最终的图案设计效果调整，形成遮蔽层20的基板10的放置位置(即容置槽的位置)越靠近中心转轴，通过提高转速的补偿，图案化凹槽150随角变化将越大，呈现出放射状自然过渡效果。
S42：使承载机构4绕中心转轴旋转。
形成遮蔽层20的基板10放置的位置的设置需要保证一定的离心力，离心力可通过控制容置槽42的位置和形成遮蔽层20的基板10的转速来控制，一些实施例中，转速平方与容置槽42的位置的比值v2/r＝ω2·r为16m·s-2～1000m·s-2，一些实施例中，转速平方与形成遮蔽层20的基板10放置的位置的比值ω2·r为50m·s-2～500m·s-2。图案化凹槽150偏离中心转轴的程度亦可通过同时控制步骤S30中的角度θ和本步骤S40中的ω2·r来控制，具体地，参见图6，其中图6a是在大θ角低离心力的的条件下制备的具有目标图案的基板，图6b是在小θ角低离心力的条件下制备的具有目标图案的基板，图6c是在大θ角高离心力的条件下制备的具有目标图案的基板，图6d是在小θ角高离心力的条件下制备的具有目标图案的基板。
S43：至少一喷头向形成遮蔽层20的基板10喷淋蚀刻液41，以在第二内壁142形成第二凹槽144。
喷头设置于承载机构4的正上方，即设置于中心转轴上方，喷头可以为四氟耐酸喷头，通过调节喷头的流量(或流速)可以优化目标图案110的效果，流量越大，相同时间内图案化凹槽的深度越大，流量越小，相同时间内图案化凹槽的目标蚀刻深度h越小。在一些实施例中，蚀刻液41为体积比为6：1的40％NH4F溶液：49％HF，喷头的流量为0.2升/小时～2升/小时。当图案化凹槽150的目标蚀刻深度h小于3μm时，喷头的流量为0.2升/小时～0.5升/小时；当图案化凹槽150的目标蚀刻深度h在3μm至15μm时，喷头的流量为0.5-1.5升/小时；当图案化凹槽150的目标蚀刻深度h超过15μm时，可以适当加大流量。但与当图案化凹槽的目标蚀刻深度h不匹配的过高流量，会带来浪费和形貌控制不良，影响最终良率。可以理解的是，蚀刻液41还可以为其他湿法刻蚀常用的的蚀刻液，例如碱性蚀刻液或其他酸性蚀刻液，具体地，可以根据需要进行选择，此处不做具体限制。第一凹槽140和第二凹槽144可形成图案化凹槽，第一凹槽140和第二凹槽144使图案化凹槽呈非对称结构。
本申请的发明人研究发现，如果不在预制图案100的单侧内壁设置遮蔽层，仅使用离心力来控制湿法刻蚀，当加工沟槽尺度在微米量级时，要具备定向蚀刻的效果，其需要的离心力较大，这是由于离心力最低需要克服表面张力、毛细作用等不利因素，最高还需要让基板10刻蚀反应生成的不溶物(例如氟硅酸盐)在离心力作用下，快速富集偏向其中一侧内壁，这就无形提高了设备成本；而且仅通过离心力控制湿法刻蚀制备的基板10用作电子设备的壳体组件(例如玻璃电池盖)时，四棱锥晶型的突起在光照条件下对反射光造成了大量的散射，使得玻璃电池盖内的装饰膜层的色彩无法得到很好的展现，且存在外观效果单一，无法进行细节调整的问题。
步骤S50：去除残留的遮蔽层20，得到具有目标图案110的基板10，目标图案110包括多个间隔设置的凸起120，相邻凸起120形成有图案化凹槽150，图案化凹槽150为非对称结构。
步骤S40完成后，在基板10的表面可能残留有遮蔽层20，可通过腐蚀液的浸泡退镀去除，硝酸、盐酸、硫酸、磷酸。浓度和浸泡时间应当做适当调整，以盐酸为例，浓度与退镀时长应控制在足以去除遮蔽层20，又不明显雾化(腐蚀)基板10的范围内。当然可以理解的是，在一些实施例中，可根据需要不去除残留的遮蔽层20。
根据本申请的另一些实施例，可以重复上述步骤S30-S50对基板10的不同表面或相同的表面进行处理，以在基板10上制备更复杂的表面图案，例如可在基板的不同表面制备目标图案，或可使图案化凹槽进一步包括第三凹槽或更多凹槽与第一凹槽和第二凹槽间隔设置，或可在凸起上进一步形成图案。
本申请上述实施例首先通过光刻以及蚀刻步骤，得到具有预制图案的基板，然后通过倾斜角度蒸镀技术在具有预制图案的部分表面设置遮蔽层，在离心力作用下再次蚀刻基板，最后退镀残留的遮蔽层，得到不对称定向蚀刻图案，通过上述方式，本申请提供了一种新的定向湿法刻蚀方法，可以在基板上制备非中心对称沟槽，丰富了设计选择；相比干法刻蚀技术以及相比湿法蚀刻技术，本申请制备的具有定向不对称蚀刻图案的基板成本低，操作简单，适合消费电子和行业选用；本申请提供的方法可以在不同的方向上多次应用，在基板的表面制备更复杂的表面图案。
根据本申请的一些实施例，参见图7，本发明提出了一种电子设备1000，包括：壳体组件1001和功能组件1003，壳体组件1001包括用上述方法制备的具有至少一目标图案的基板，至少一目标图案可分别设置于基板的不同表面，即基板的不同表面均可具备目标图案，形成壳体组件1001的基板可以为平面或曲面，曲面基板包括2.5D基板或3D基板，当基板为曲面基板时，壳体组件1001具有底面和多个侧壁，底面和多个侧壁限定出容置空间1002；功能组件1003位于壳体组件1001的容置空间1002。
以上仅为本申请的实施方式，并非因此限制本申请的专利范围，凡是利用本申请说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本申请的专利保护范围内。
Claims (16)
1.一种基板的蚀刻方法，其特征在于，包括：
提供一基板；
对所述基板进行第一图案化处理，在所述基板上形成预制图案；
在所述预制图案的部分表面形成遮蔽层；以及
用蚀刻液对形成所述遮蔽层的所述基板进行第二图案化处理，以得到具有目标图案的所述基板，所述目标图案包括多个间隔设置的凸起，相邻所述凸起形成有图案化凹槽，所述图案化凹槽为非对称结构。
2.根据权利要求1所述的基板的蚀刻方法，其特征在于，所述对所述基板进行第一图案化处理，在所述基板上形成预制图案包括：
通过刻蚀技术对所述基板进行第一图案化处理，以使所述预制图案具有多个间隔设置的所述凸起，相邻所述凸起形成有第一凹槽。
3.根据权利要求2所述的基板的蚀刻方法，其特征在于，所述通过刻蚀技术对所述基板进行第一图案化处理，以使所述预制图案具有多个间隔设置的所述凸起，相邻所述凸起形成有第一凹槽包括：
清洁处理，对所述基板进行清洗烘干；
均胶处理，在所述基板的表面涂覆光刻胶；
前烘处理，通过预烘烤去除所述光刻胶中的部分溶剂；
曝光后烘处理，对预烘烤后的产品进行曝光，对曝光后的产品进行后烘，使所述光刻胶进一步固化；
显影坚膜处理，对后烘后的产品进行显影和坚膜处理，形成光刻胶掩膜板；
蚀刻处理，对形成所述光刻胶掩膜板的基板进行刻蚀，在所述基板上形成所述预制图案；
除胶处理，除去所述基板上剩余的光刻胶。
4.根据权利要求3所述基板的蚀刻方法，其特征在于，所述第一凹槽包括第一内壁和第二内壁，所述遮蔽层设置于所述凸起的表面和所述第一内壁。
5.根据权利要求4所述基板的蚀刻方法，其特征在于，通过蚀刻装置对所述形成所述遮蔽层的所述基板进行刻蚀，所述蚀刻装置包括承载机构和蚀刻液供给机构，所述承载机构具有中心转轴以及容置槽，所述蚀刻液供给机构包括至少一喷头，所述喷头位于所述承载机构的上方；
所述用蚀刻液对形成所述遮蔽层的所述基板进行第二图案化处理，以得到具有目标图案的所述基板的步骤包括：
将形成所述遮蔽层的所述基板放入所述容置槽内；
使所述承载机构绕所述中心转轴自转；
所述至少一喷头向形成所述遮蔽层的所述基板喷淋所述蚀刻液，以在所述第二内壁形成第二凹槽。
6.根据权利要求5所述基板的蚀刻方法，其特征在于，形成所述遮蔽层的所述基板的转速平方与所述容置槽的位置的比值的范围为16m·s-2～1000m·s-2。
7.根据权利要求6所述基板的蚀刻方法，其特征在于，所述基板的材质为玻璃、硅、氮化硅或金属，所述蚀刻液包括碱性腐蚀液或酸性腐蚀液。
8.根据权利要求7所述基板的蚀刻方法，其特征在于，所述基板的材质为玻璃，所述蚀刻液包括40％浓度的NH4F溶液和49％浓度的HF，所述40％浓度的NH4F溶液和所述49％浓度的HF的体积比为6：1，所述喷头的流量为0.2升/小时～2升/小时。
9.根据权利要求1所述基板的蚀刻方法，其特征在于，所述遮蔽层的材质为Au、Ag、Cu或Cr，所述遮蔽层的厚度为所述目标图案的目标蚀刻深度的1/20至1/2。
10.根据权利要求1所述基板的蚀刻方法，其特征在于，所述在所述预制图案的部分表面形成遮蔽层包括：
将形成所述预制图案的所述基板放置于蒸发装置中，形成所述预制图案的所述基板与所述蒸发装置中的蒸发源的放置位置的之间的角度θ的范围为20°～75°；
所述蒸发源向形成所述预制图案的所述基板的方向蒸发蒸镀材料。
11.根据权利要求1所述基板的蚀刻方法，其特征在于，进一步包括：
去除残留的所述遮蔽层，得到所述具有目标图案的所述基板。
12.一种壳体组件，其特征在于，包括一基板，所述基板具有至少一目标图案，所述目标图案包括多个间隔设置的凸起，相邻所述凸起形成有图案化凹槽，所述图案化凹槽为非对称结构。
13.根据权利要求12所述基板的壳体组件，其特征在于，所述图案化凹槽具有第一凹槽和第二凹槽，使所述图案化凹槽为非对称结构。
14.根据权利要求13所述基板的壳体组件，其特征在于，所述图案化凹槽进一步包括第三凹槽与所述第一凹槽和第二凹槽间隔设置。
15.根据权利要求12所述基板的壳体组件，其特征在于，所述至少一目标图案分别设置于所述基板的不同表面。
16.一种电子设备，其特征在于，包括：
壳体组件，定义容置空间；
功能组件，容置于所述容置空间内；
其中，所述壳体组件为权利要求12-15中所述的壳体组件。
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2024022121A1 (zh) * | 2022-07-26 | 2024-02-01 | Oppo广东移动通信有限公司 | 基板的蚀刻方法、壳体组件和电子设备 |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20060205162A1 (en) * | 2005-03-14 | 2006-09-14 | Hynix Semiconductor Inc. | Method for manufacturing semiconductor device with recess channels and asymmetrical junctions |
| KR20060133418A (ko) * | 2005-06-20 | 2006-12-26 | 주식회사 하이닉스반도체 | 스텝게이트 비대칭 리세스 셀을 갖는 반도체소자의제조방법 |
| CN102096310A (zh) * | 2009-12-14 | 2011-06-15 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 光刻胶图案的修正方法及刻蚀方法 |
| CN106571288A (zh) * | 2015-10-13 | 2017-04-19 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种半导体器件及其制备方法、电子装置 |
| CN110658574A (zh) * | 2019-09-11 | 2020-01-07 | 宁波南大光电材料有限公司 | 一种斜齿图形光栅板的制作方法及光栅板 |
| CN111252730A (zh) * | 2020-01-22 | 2020-06-09 | 成都工业学院 | 一种非对称半导体结构的制备方法 |
| CN114267761A (zh) * | 2021-12-22 | 2022-04-01 | 广东中图半导体科技股份有限公司 | 一种用于led生长的复合图形化衬底、外延片和制备方法 |
| CN114300354A (zh) * | 2021-12-17 | 2022-04-08 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 一种非对称半导体结构的制作方法 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101052290B1 (ko) * | 2008-12-09 | 2011-07-27 | 한국과학기술원 | 반도체 필라의 제조방법 및 반도체 필라가 구비된 전계효과트랜지스터 |
| CN102201350A (zh) * | 2010-03-22 | 2011-09-28 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 半导体器件的制造方法 |
| CN108091552B (zh) * | 2017-12-29 | 2021-03-02 | 长沙新材料产业研究院有限公司 | 一种在透光衬底上制备微纳米结构图案的方法 |
| CN110082847A (zh) * | 2019-04-29 | 2019-08-02 | 重庆大学 | 一种硅基mems闪耀光栅的制备方法 |
| CN110708906A (zh) * | 2019-10-14 | 2020-01-17 | Oppo广东移动通信有限公司 | 壳体及制备方法、电子设备 |
| CN111002748B (zh) * | 2019-12-20 | 2022-05-17 | Oppo广东移动通信有限公司 | 电子设备壳体及其制备方法和电子设备 |
| CN113692157B (zh) * | 2021-08-10 | 2023-07-04 | Oppo广东移动通信有限公司 | 壳体、其制备方法及电子设备 |
| CN115259679B (zh) * | 2022-07-26 | 2024-02-27 | Oppo广东移动通信有限公司 | 基板的蚀刻方法、壳体组件和电子设备 |
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Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20060205162A1 (en) * | 2005-03-14 | 2006-09-14 | Hynix Semiconductor Inc. | Method for manufacturing semiconductor device with recess channels and asymmetrical junctions |
| KR20060133418A (ko) * | 2005-06-20 | 2006-12-26 | 주식회사 하이닉스반도체 | 스텝게이트 비대칭 리세스 셀을 갖는 반도체소자의제조방법 |
| CN102096310A (zh) * | 2009-12-14 | 2011-06-15 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 光刻胶图案的修正方法及刻蚀方法 |
| CN106571288A (zh) * | 2015-10-13 | 2017-04-19 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种半导体器件及其制备方法、电子装置 |
| CN110658574A (zh) * | 2019-09-11 | 2020-01-07 | 宁波南大光电材料有限公司 | 一种斜齿图形光栅板的制作方法及光栅板 |
| CN111252730A (zh) * | 2020-01-22 | 2020-06-09 | 成都工业学院 | 一种非对称半导体结构的制备方法 |
| CN114300354A (zh) * | 2021-12-17 | 2022-04-08 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 一种非对称半导体结构的制作方法 |
| CN114267761A (zh) * | 2021-12-22 | 2022-04-01 | 广东中图半导体科技股份有限公司 | 一种用于led生长的复合图形化衬底、外延片和制备方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2024022121A1 (zh) * | 2022-07-26 | 2024-02-01 | Oppo广东移动通信有限公司 | 基板的蚀刻方法、壳体组件和电子设备 |
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