KR20060044946A

KR20060044946A - 포지티브형 레지스트 막의 박리 방법 및 노광용 마스크의제조 방법, 및 레지스트 박리 장치

Info

Publication number: KR20060044946A
Application number: KR1020050026086A
Authority: KR
Inventors: 까즈히사 이무라
Original assignee: 호야 가부시키가이샤
Priority date: 2004-03-29
Filing date: 2005-03-29
Publication date: 2006-05-16
Also published as: JP2005317929A; CN1677247A; KR100680553B1; TW200537258A

Abstract

소방법 또는 각종 환경법에 기초를 두어 특별한 관리를 필요로 하지 않고, 저가로 처리 가능하고, 대형 기판에 대하여도 대형의 대규모 처리 장치를 필요로 하지 않는 포지티브형 막의 박리 방법 및 노광용 마스크의 제조 방법, 및 레지스트 박리 장치가 개시되어 있다. 포지티브형 레지스트 막을 갖는 기판의 레지스트 막면을 노광하고, 노광된 레지스트 막을 노광된 레지스트를 용해하는 처리액과 접촉시킴으로써 기판으로부터 포지티브형 레지스트 막을 박리 제거한다. 기판 상에 전사 마스크 패턴으로 이루어진 박막을 형성한 마스크 블랭크 상에 소정의 포지티브형 레지스트 패턴을 형성하고, 레지스트 패턴을 마스크로 하여, 노출한 박막을 에칭함으로써 패턴화 공정을 수행하며, 남은 레지스트 패턴과 광 조사 수단을 소정 방향에 상대적으로 이동시킴으로써 레지스트 패턴을 노광한 후, 노광된 레지스트를 용해하는 처리액과 접촉시킴으로써, 레지스트 패턴을 박리 제거한다. 레지스트 박리 장치의 노광실은 레지스트막면을 광 조사한다. 처리실은 기판의 레지스트 박면에 노광된 레지스트를 용해하는 처리액을 공급하고, 노광된 레지스트를 박리 제거한다. 기판반송수단은 기판을 노광실로부터 처리실로 반송한다.

마스크, 레지스트

Description

포지티브형 레지스트 막의 박리 방법 및 노광용 마스크의 제조 방법, 및 레지스트 박리 장치{METHOD FOR PEELING POSITIVE TYPE RESIST FILM, METHOD FOR MANUFACTURING EXPOSURE MASK, AND RESIST PEELING DEVICE}

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 노광용 마스크의 제조 공정을 나타낸 도면이다.

도 2는 종래의 노광용 마스크의 제조 공정을 나타낸 도면이다.

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 레지스트 박리 장치의 정면도이다.

도 4는 본 발명의 실시예에 따른 레지스트 박리 장치의 로딩/언로딩 실의 측 단면도이다.

도 5는 본 발명의 실시예에 따른 레지스트 박리 장치의 노광실의 측 단면도이다.

도 6은 본 발명의 실시예에 따른 레지스트 박리 장치의 처리실의 측 단면도이다.

도 7은 CPA 코터의 모식적 구성도이다.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명

S11: 마스크 블랭크 준비 공정

S12: 레지스트 막 형성 공정

S13: 노광 공정

S14: 현상 공정

S15: 에칭 공정

S16: 노광 공정

S17: 현상액에 의한 처리 공정

1: 레지스트 박리 장치

2: 로딩/언로딩 실

3: 노광실

4: 처리실

20: 기판

30: 샤워 노즐

본 발명은 포토 마스크, 반도체 장치, 또는 액정 표시 장치 등의 영상 장치의 제조 공정에서 사용되는 포지티브형 레지스트 막의 박리 방법, 포지티브형 레지스트 막을 사용한 노광용 마스크의 제조 방법, 및 레지스트 박리 장치에 관한 것이다.

종래 기술로서, 포토 마스크를 사용한 리소그래픽 기술에 의해 반도체 장치 또는 표시 장치의 제조가 행해지고 있다. 상기 포토 마스크는 유리 등의 기판 상에 금속 등의 박막으로 이루어진 미세 패턴(전사 패턴)을 형성한 것이고, 포토 마스크를 탑재한 노광 장치(패턴 전사 장치)에 의해, 피전사체(레지스트 막이 부착된 장치 기판)로의 미세 패턴의 패턴 전사를 행하는데 사용되고 있다.

반도체 장치는 일반적으로 축소 투영 노광 장치(스테퍼)을 이용하여 제조되고, 이 경우, 포토 마스크 상의 패턴이 예를 들면 1/5의 크기로 축소 투영된다. 한편, 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display; 이하 LCD라 함) 등의 표시 장치의 제조에 있어서는 다른 등배의 일괄 노광의 방식을 이용한 노광 장치인 마스크 어레이가 이용되고 있다. 스테퍼용 포토 마스크와 마스크 어레이용 포토 마스크는 상호 포토 마스크의 크기가 다르다. 스테퍼용 포토 마스크(레티쿨;reticule)는 5 인치 각(127 mm ×127 mm) 또는 6 인치 각(152.4 mm ×152.4 mm)의 정방형의 것이 일반적이지만, 마스크 어레이용의 포토 마스크의 경우는 모니터 및 TV 표시 화면 크기에 기초로 두어 장방형의 것이 일반적이고, 크기도 레티쿨에 비해 크므로(1 변이 300 mm 이상), 대형 마스크라고 불리고 있다. 그리고, 상기 대형 마스크는 표시 화면의 대면적화 및 다수 화면을 1회 제조하는 요구 등에 의해, 기판의 크기가 더욱 더 대형화하는 경향이 있다.

그런데, 상기 포토 마스크는 그 원판이 되는 기판 상에 상기 박막을 형성한 마스크 블랭크를 사용하여 상기 박막에 소정의 미세 패턴을 형성함으로써 얻을 수 있다. 포토 마스크의 일반적인 제조 공정은 도 2를 참조하여 설명하면 다음과 같다.

먼저, 석영 유리 등의 투명 기판 상에 금속 혹은 그의 합금 등의 재질로 이루어진 차광성 박막을 형성한 마스크 블랭크를 준비한다(S21). 이어서, 상기 마스크 블랭크 상의 전체 표면에 레지스트 막을 형성한다(S22). 통상적으로 레지스트 막을 마스크 블랭크 상에 도포한 후, 가열 처리(예비 굽기)을 수행한다. 레지스트로서는 노광된 부위가 가교(架橋) 반응 등에 의해 경화하여 현상액에 불용해하는 네가티브형 레지스트와, 노광된 부위가 저분자화하여 현상액에 용해하는 포지티브형 레지스트의 2 종류가 있지만, 최근의 마스크 패턴의 고 미세화의 요청에 따라 포지티브형 레지스트가 널리 사용되고 있다.

이어서, 상기 레지스트 막이 부착된 마스크 블랭크에 소정 패턴 막면 노광을 행하고(S23), 현상액을 사용하여 현상 처리를 함으로써(S24), 마스크 블랭크 상에 레지스트 패턴을 형성한다.

그 후, 상기 레지스트 패턴을 마스크로서, 노출된 차광성 박막을 에칭에 의해 제거한다(S25). 이와 같이, 기판 상에 차광성 박막이 소정의 패턴 상에 형성된 포토 마스크가 완성된다. 남은 레지스트 패턴은 전용 레지스트 박리액을 사용하여 박리 제거한다(S26).

또한, 그 외에도, 기판 상에 노광광을 반사하는 다층 반사막과 노광광을 흡수하는 패턴 상의 흡수체 막을 형성한 반사형 마스크 또는 기판 상에 위상 쉬프트 막을 형성한 위상 쉬프트 마스크, 혹은 액정 표시 장치의 제조에 이용되는 기판 상에 차광부, 그레이톤부, 및 차광부를 형성한 그레이톤 마스크 등이 알려져 있지만, 이러한 포토 마스크도, 상기한 것과 동일한 포토 리소그래픽 공정을 이용하여 제조 된다.

또한, 포토 마스크를 이용한 반도체 장치 또는 액정 표시 장치 등의 영상 장치의 제조에 있어서도, 포토 리소그래픽 공정이 이용된다.

그런데, 포토 리소그래픽 공정을 종료한 후, 불필요하게 된 레지스트 패턴은 일반적으로는 상기한 바와 같은 전용 레지스트 박리액(레지스트 제작자가 판매하고 있는)을 사용하여 박리 제거하고 있다. 또한, 일본국 특개 제 2000-147793 호에는 오존 가스 및 포토 레지스트 막 제거 용액 (혹은 오존 가스 함유 포토 레지스트 막 제거 용액)을 포토 레지스트 막과 접촉시킴으로써, 포토 레지스트 막을 산화 분해시켜 제거하는 포토 레지스트 막의 제거 방법이 개시되어 있다.

하지만, 상기한 전용 레지스트 박리액을 사용한 방법의 경우, 레지스트 박리 자체에는 특별한 문제가 없지만, 레지스트 박리액의 성분이 소방법 또는 각종 환경법에서 관리 대상인 약품을 사용하므로, 사용되지 않은 레지스트 박리액의 관리는 물론이고, 폐액에 있어서도 엄밀한 관리가 필요하고, 폐액 처리 비용이 증가하게 된다. 특히, 대형 마스크의 경우는, 기판 크기가 크므로, 레지스트 박리액의 사용량이 대량으로 필요하게 되고, 최근에는 기판 크기의 대형화의 경향에 따라, 문제가 더욱 더 심각해지고 있다.

또한, 일본국 특개 제 2000-147793 호에 개시되어 있는 포토 레지스트 막의 제거 방법의 경우, 포토 레지스트 막 제거 용액으로서, 예를 들면 순수, 산성 수용액 또는 알카리성 수용액 등을 사용하면, 소방법 또는 각종 환경법에 기초를 두어 특별한 관리는 필요 없고, 환경 면에 있어서도 개선되지만, 오존 가스 공급관 또는 오존 가스 및/또는 포토 레지스트 막 제거 용액을 회수 처리하는 처리조 등을 구비하고, 더욱이 도입된 오존 가스 또는 레지스트 막의 제거 공정에서 발생하는 가스, 증기 등이 그대로의 형태로 방출되지 않도록 하기 위한 밀폐 용기로 이루어진 고가의 전용 포토 레지스트 막 제거 장치가 필요하게 되므로, 그 비용을 증가시키는 요인이 된다.

상기한 바와 같은 문제를 해결하는 방법으로서, 예를 들면 일본국 특개평 제6-164101 호에는 자외선을 조사하는 것에 의해 남은 레지스트 패턴을 노광하고, 현상하는 것에 의해 레지스트 패턴을 박리하는 방법에 있어서, 레지스트 잔사(殘査)를 완전히 제거하기 위하여, 기판을 회전시키면서 자외선 조사 램프에 의해 자외선을 조사하고, 노광실의 내벽에 설치된 반사경에 의해 반사광을 레지스트 막의 전체 표면에 조사하는 방법이 개시되어 있다.

하지만, 일본국 특개평 제 6-164101 호에 기재된 방법은 회전 기구를 갖는 장치가 필요한, 예를 들면 액정 패널 또는 그 제조에 이용되는 대형 마스크와 같은 대형 기판을 처리하는 경우에는 대형의 대규모 처리 장치가 필요하게 되는 문제점이 있다.

따라서, 본 발명의 목적은 종래의 문제점을 해결하기 위하여, 소방법 또는 각종 환경법에 기초를 두어 특별한 관리를 필요로 하지 않고, 저가로 처리 가능하고, 대형 기판에 대하여도 대형의 대규모 처리 장치를 필요로 하지 않는 포지티브형 막의 박리 방법 및 노광용 마스크의 제조 방법, 및 레지스트 박리 장치를 제공하는데 있다.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 이하의 구성을 갖는다.

구성 1은 포지티브형 레지스트 막을 갖는 기판의 레지스트 막면 및 광 조사 수단을 소정 방향으로 상대적으로 이동시키는 것에 의하여 상기 레지스트 막면을 노광한 후, 노광된 레지스트 막을 노광된 레지스트를 용해하는 처리액과 접촉시킴으로써 상기 기판으로부터 상기 포지티브형 레지스트 막을 박리 제거하는 것을 특징으로 하는 포지티브형 레지스트 막의 박리 방법이다.

구성 2는 상기 포지티브형 레지스트 막을 갖는 기판은, 상기 기판 상에 형성된 박막에 포지티브형 레지스트 막의 노광 공정 및 현상 공정을 포함한 패턴화 공정을 수행하는 것에 의하여 소정의 패턴을 형성한 후, 남은 포지티브형 레지스트 막을 갖는 기판인 것을 특징으로 하는 구성 1의 포지티브형 레지스트 막의 박리 방법이다.

구성 3은 상기 처리액으로서, 상기 현상 공정에서 사용된 현상액을 사용하는 것을 특징으로 하는 구성 2의 포지티브형 레지스트 막의 박리 방법이다.

구성 4는 기판 상에 전사 마스크 패턴으로 이루어진 박막을 형성한 마스크 블랭크상에 소정의 포지티브형 레지스트 패턴을 형성하고, 상기 레지스트 패턴을 마스크로 하여, 노출한 상기 박막을 에칭함으로써 패턴화 공정을 수행하는 노광용 마스크의 제조 방법으로서, 상기 패턴화 공정 후에 남는 레지스트 패턴과 광 조사 수단을 소정 방향에 상대적으로 이동시킴으로써 상기 레지스트 패턴을 노광한 후, 노광된 레지스트를 용해하는 처리액과 접촉시키는 것에 의하여, 레지스트 패턴을 박리 제거하는 것을 특징으로 하는 노광용 마스크의 제조 방법이다.

구성 5는 상기 처리액으로서 상기 마스크 블랭크 상에 소정 레지스트 패턴을 형성할 때 사용하는 현상액을 사용하고, 상기 마스크 블랭크 상에 소정 레지스트 패턴을 형성할 때의 현상 수단을 이용하여 상기 현상액과 접촉시키는 것을 특징으로 하는 구성 4의 노광용 마스크의 제조 방법이다.

구성 6은 포지티브형 레지스트 막을 갖는 기판의 레지스트 박면을 노광한 후, 노광된 레지스트 막을, 노광된 레지스트를 용해하는 처리액과 접촉시킴으로써 상기 기판으로부터 상기 포지티브형 레지스트 막을 박리 제거하기 위한 레지스트 박리 장치로서, 상기 기판을 유지하는 유지 수단 및 상기 기판의 레지스트 박면에 대향하여 설치되는 광 조사 수단을 구비하는 노광실; 상기 기판을 유지하는 유지 수단, 상기 기판의 레지스트 박면에 노광된 레지스트를 용해하는 처리액을 공급하는 처리액 공급 수단을 가지고, 노광된 레지스트를 박리 제거하는 처리실; 및 상기 기판을 상기 노광실로부터 상기 처리실로 반송하는 기판 반송 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 레지스트 박리 장치이다.

구성 7은 상기 노광실과 상기 처리실에서 기판을 유지하는 유지 수단은 상기 기판의 레지스트 박면이 경사 상향을 향하도록 경사 시켜 유지하는 것을 특징으로 하는 구성 6의 레지스트 박리 장치이다.

구성 1에 의하면, 본 발명의 포지티브형 레지스트 막의 박리 방법은 포지티브형 레지스트 막을 갖는 기판의 레지스트 막면을 노광한 후, 노광된 레지스트 막을 노광된 레지스트를 용해하는 처리액과 접촉시킴으로써, 상기 기판으로부터 상기 포지티브형 레지스트 막을 박리 제거한다.

상기 포지티브형 레지스트는 노광되면 그 조사 에너지에 의해 고분자의 주 쇄(主鎖)가 절단되어 저분자화하고, 그 때문에 소정의 처리액으로 가용성이 된다. 따라서, 구성 1의 방법에 의하면, 레지스트 막을 노광하는 공정과, 이어서 레지스트 막을 소정 처리액과 접촉시키는 공정에 의해, 상기 기판으로부터 상기 포지티브형 레지스트 막을 박리 제거할 수 있고, 간단한 공정을 이용하여 저가 처리가 가능하게 된다. 또한, 상기 노광된 레지스트를 용해하는 처리액은 소방법 또는 각종 환경법에 기초를 둔 특별한 관리는 필요 없게 되므로, 폐액 처리 등으로 인한 비용을 절감할 수 있다. 더욱이, 구성 1에 의하면, 레지스트 막면과 광 조사 수단을 소정 방향으로 상대적으로 이동시킴으로써 상기 레지스트 막면을 노광하므로, 회전 기구를 이용하지 않아도 대형 기판에 대해 레지스트의 전체 표면에 빛을 조사할 수 있다.

예컨대, 구성 2와 같이, 기판 상에 형성된 박막에 포지티브형 레지스트 막의 노광 공정 및 현상 공정을 포함한 패턴화 공정을 실시함으로써, 소정의 패턴을 형성한 후, 남은 포지티브형 레지스트 막을 구성 1의 방법을 이용하여 박리 제거할 수 있다. 이 경우의 포지티브형 레지스트 막은 기판 상의 박막 상에 형성된 패턴 상의 레지스트 막이고, 상기 레지스트 패턴을 마스크로서, 노출된 박막을 에칭에 의해 제거하고, 기판 상의 박막에 소정 패턴을 형성한다. 이렇게 하여, 기판 상의 박막에 소정 패턴을 형성한 후, 남은 레지스트 패턴은 불필요하게 되고, 제거할 필요가 있게 된다. 그래서, 구성 1의 방법에 의해 남은 레지스트 패턴을 노광하고, 이어서 레지스트 패턴을 소정의 처리액과 접촉시킴으로써, 기판으로부터 레지스트 패턴만을 박리 제거할 수 있다.

또한, 구성 3에 의하면, 상기 처리액으로서, 상기 현상 공정에서 사용되는 현상액을 사용함으로써, 남은 포지티브형 레지스트 막을 박리 제거할 수 있다.

따라서, 구성 3의 방법에 의하면, 남은 레지스트 패턴의 기판으로부터의 박리법은 기판 상의 박막 상에 소정 레지스트 패턴을 형성할 때의 현상 공정에 대응할 수 있게 된다. 또한, 일반적으로 사용되는 포지티브형 레지스트의 현상액은 소방법 또는 각종 환경법에 기초를 둔 특별한 관리는 필요 없으므로, 폐액 처리 등으로 인한 비용을 절감할 수 있다. 또한, 레지스트 패턴을 박리 제거할 때에 포지티브형 레지스트의 현상액을 사용하므로, 기판 상의 박막을 변질시킬 우려는 없다.

또한, 구성 4에 의하면, 기판 상에 전사 마스크 패턴으로 이루어진 박막을 형성한 마스크 블랭크 상에 소정 포지티브형 레지스트 패턴을 형성하고, 상기 레지스트 패턴을 마스크로서, 노출된 상기 박막을 에칭함으로써, 패턴화 공정을 수행하는 노광용 마스크의 제조 방법으로서, 상기 패턴화 공정 후에 남은 레지스트 패턴을 노광한 후, 노광된 레지스트를 용해하는 처리액과 접촉시킴으로써, 레지스트 패턴을 박리 제거할 수 있다. 즉, 노광하는 공정과, 이어서 상기 처리액과 접촉시키는 공정을 이용하여 레지스트 박리를 레지스트 패턴을 저가로 처리할 수 있게 된다. 더욱이, 구성 4에 의하면, 레지스트 막면과 광 조사 수단을 소정 방향에 상대적으로 이동시킴으로써, 상기 레지스트 막면을 노광시키므로, 회전 기구를 이용하지 않아도 대형 마스크에 대하여도 레지스트의 전체 표면에 빛을 조사할 수 있다.

또한, 구성 5에 의하면, 상기 처리액으로서, 상기 마스크 블랭크 상에 소정 레지스트 패턴을 형성할 때 사용하는 현상액을 사용하고, 상기 마스크 블랭크 상에 소정 레지스트 패턴을 형성할 때의 현상 수단을 이용하여 상기 현상액과 접촉시킴으로써, 레지스트 박리를 현상 장치에 의해 대응할 수 있다. 또한, 일반적으로 사용되는 포지티브형 레지스트의 현상액은 소방법 또는 각종 환경법에 기초를 둔 특별한 관리는 불필요하므로, 폐액 처리 등으로 인한 비용을 감소시킬 수 있다. 또한, 레지스트 패턴을 박리 제거할 때 포지티브형 레지스트의 현상액을 사용하므로, 기판 상에 형성된 전사 마스크 패턴을 변질시킬 우려는 없다.

또한, 구성 6의 레지스트 박리 장치에 의하면, 레지스트 막을 광 조사하는 노광실과 레지스트 막에 소정 처리액을 공급하는 처리실에 의해 레지스트 막의 처리를 수행함으로써, 기판으로부터 포지티브형 레지스트 막을 박리 제거할 수 있고, 간편한 공정을 이용하여 저가로 처리할 수 있다. 더욱이, 기판 반송 수단을 이용함으로써, 레지스트 막으로의 광 조사와 처리액에 의한 처리를 연속적으로 수행할 수 있다.

또한, 구성 7에 의하면, 노광실과 처리실에서 기판을 유지하는 유지 수단은 상기 기판의 레지스트 막면이 경사진 방향으로 향하도록 경사져 유지되므로, 기판의 레지스트 막면이 바로 위(수평)를 향하는 경우에 비해 공간 생략화를 도모할 수 있으므로, 특히 대형 기판의 처리에 적합하다.

이하, 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다.

본 발명의 실시예로서 예들 들면 이하의 실시예를 열거할 수 있다.

[제 1 실시예]

본 발명의 제 1 실시예는 포지티브형 레지스트 막을 갖는 기판의 레지스트 막면을 노광한 후, 노광된 레지스트 막을 현상액과 접촉시킴으로써, 상기 기판으로부터 포지티브형 레지스트 막을 박리 제거하는 포지티브형 레지스트의 박리 방법이다. 제 1 실시예에서는 노광된 레지스트 막을 용해하는 처리액으로서, 포지티브형 막의 현상에 사용되는 현상액을 사용한다.

제 1 실시예에 있어서, 기판 상에 형성된 상기 포지티브형 레지스트 막으로서는, 예를 들면 기판 상에 형성된 박막에, 포지티브형 레지스트 막의 노광 공정 및 현상 공정에 의해 소정의 레지스트 패턴을 형성하는 공정을 포함한 패턴화 공정을 수행함으로써, 소정의 전사 마스크 패턴을 형성한 후, 남은 포지티브형 레지스트 막 또는 레지스트 도포에 실패한 포지티브형 레지스트 막을 들 수 있다. 기판 상에 단일 또는 복수 층으로 된 박막을 형성하고, 상기 박막에 소정의 전사 마스크 패턴을 형성하는 형태로서는, 반도체 장치 또는 액정 표시 장치 등의 제조에 이용되는 노광용 마스크 또는 반도체 장치, 액정 표시 장치(액정 표시 패널) 등이 있다. 제 1 실시예에 의하면, 상기 노광용 마스크 또는 각종 장치의 제조 공정에 있어서, 레지스트 도포에 실패하고, 레지스트 도포를 다시 할 필요가 있는 경우, 불량한 포지티브형 레지스트 막을 박리 제거할 수 있고, 더욱이 패턴화의 포토 프로세스를 종료한 후, 남은 불필요한 포지티브형 레지스트 막을 박리 제거할 수 있다.

레지스트 막은 예를 들면, 스핀 코터, 슬릿 코터, 또는 하향으로 향한 도포면에 대하여 모세관 현상을 이용하여 노즐로부터 상승시킨 도포액을 접액하고, 기 판과 노즐을 상대적으로 이동시킴으로써, 레지스트를 도포하는 소정의 CAP 코터 등을 이용하여 도포하는 것이 가능하다.

상기 포지티브형 막으로는, 예를 들면 폴리부텐-1-술폰 또는 폴리글리시딜메타아크릴레이트의 비교적 고점도의 고분자 수지로 이루어진 주쇄 절단형 레지스트, 혹은 노보락 수지와 용해 저해제 등으로 이루어진 용해 저해형 레지스트 등이 알려져 있다.

레지스트 도포에 실패한 불량한 포지티브형 레지스트 막 또는 패턴화 공정을 수행하는 것에 의하여 기판 상에 남은 포지티브형 레지스트 막에 노광 처리를 수행하고, 현상액에 대한 용해성을 얻도록 하고, 이어서 현상액을 공급하는 것에 의해 불필요한 레지스트 막을 박리 제거한다.

이 경우, 노광 파장은 포지티브형 레지스트의 감광 파장 영역에 속하는 파장인 것이 바람직하다. 특히, 상기 포지티브형 레지스트에 대한 감도가 높은 파장 영역의 노광광을 조사하여도 무방하다. 또한, 노광량은 레지스트 박리 제거를 목적으로 하므로, 예를 들면 레지스트 패턴을 형성하는데 통상적으로 필요한 노광량 보다 많은 노광량을 부여하는 것이 바람직하다. 특히, 에칭 마스크에 사용된 레지스트 패턴은 에칭에 의해 레지스트 패턴에 표면 개질 층이 형성된 경우가 있으므로, 상기 표면 개질 층을 제거하기 위하여, 레지스트 패턴을 형성하는데 통상 필요한 노광량 보다 많은 노광량을 부여하는 것이 바람직하다.

노광 방법은 포지티브형 레지스트 막을 갖는 기판의 레지스트 막면과 광 조사 수단을 소정 방향에 상대적으로 이동시킴으로써, 상기 레지스트 막면을 노광하 는 방법을 이용한다. 구체적으로는, 기판의 일 방향으로 연장한 광 조사 수단을 이용하여 기판 또는 광 조사 수단을 이동시킴으로써 광 조사 수단을 기판 상에 주사하여 기판 상의 레지스트 막의 전체 표면을 노광한다. 상기 방법을 이용함으로써, 대형 기판에 대하여 용이하게 광 조사를 수행할 수 있고, 다수의 기판에 대하여 연속적으로 광 조사를 수행할 수 있다.

제 1 실시예에 의하면, 레지스트 막으로의 광 조사를 기판의 상방으로부터 행하는 방법을 이용한 레지스트의 박리에 있어서는, 예를 들면 상기 CAP 코터를 이용하여 도포한 레지스트 막과 같이, 기판의 측면 또는 후면에 레지스트가 들어 가는 일이 없는 도포 방법에 의해 도포된 레지스트 막의 박리에 특히 적합하다.

노광 처리 후에 사용하는 현상액은 포지티브형 레지스트 재료에 대응한 현상액인 것이 바람직하다. 사용하는 포지티브형 레지스트 재료의 전용 현상액 외에, 레지스트의 박리 제거를 목적으로 하므로, 반드시 전용 현상액이 아니어도 무방하고, 가장 중요한 것은 노광된 포지티브형 레지스트 재료를 용해할 수 있는 처리액이면 된다. 예를 들면, 수산화 나트륨(NaOH), 수산화 칼륨(KOH) 등의 알카리 물질을 주성분으로 하는 현상액이 바람직하게 사용된다. 이와 같은 현상액은 어느 것도 소방법 또는 각종 환경법에 관리 대상인 약품을 사용하지 않기 위하여, 특별한 관리는 불필요하고, 취급이 용이하다.

또한, 이 경우의 현상액과 접촉시키는 방법에는 특히 제약이 없고, 예를 들면 레지스트 막을 갖는 기판을 현상액 속에 침수시키는 방법 또는 레지지스 막을 갖는 기판 상으로부터 현상액을 샤워 상으로 공급하는 방법, 혹은 현상액을 분무기 로 빨아서 끌어 당기는 방법 등을 선택적으로 적용할 수 있다.

[제 2 실시예]

본 발명의 제 2 실시예는 기판 상에 전사 마스크 패턴으로 된 박막을 형성한 마스크 블랭크 상에 소정의 포지티브형 레지스트 패턴을 형성하고, 상기 레지스트 패턴을 마스크로서, 노출한 상기 박막을 에칭함으로써, 패턴화 공정을 행하고, 남은 레지스트 패턴을 노광한 후, 현상액과 접촉시킴으로써, 레지스트 패턴을 박리 제거하는 노광용 마스크의 제조 방법이다.

제 2 실시예는 노광용 마스크의 제조 공정에 있어서, 불필요하게 된 레지스트 패턴을 박리 제거하는 방법의 실시예이다.

먼저, 기판 상에, 피 전사체(예를 들면, 반도체 기판)에 전사하기 위한 전사 패턴으로 이루어진 박막(예를 들면, 차광막)을 형성한 마스크 블랭크를 준비한다(S11).

본 발명에 언급된 마스크 블랭크의 예로는 투과형 마스크 블랭크 또는 반사형 마스크 블랭크가 가능하고, 이들의 구조는 기판 상에 노광광에 대해 광학적 변화를 일으켜 피 전사체에 전사되기 위한 전사 패턴으로 이루어진 박막을 갖는다.

투과형 마스크 블랭크는 기판으로서 유기 기판 등의 투광성 기판을 사용한다. 노광광에 대해 광학적 변화를 일으키는 것은 노광광을 차단하는 차광막, 또는 노광광의 위상을 변화시키는 위상 쉬프트 막 (위상 쉬프트 막에는 차광 기능 및 위 상 쉬프트 기능을 갖는 하프톤 막을 포함한다) 등을 가리킨다. 따라서, 투과형 마스크 블랭크은 차광막이 형성된 포토 마스크 블랭크 및 위상 쉬프트 막 (하프 톤 막을 포함한)이 형성된 위상 쉬프트 마스크 블랭크 등을 포함한다.

또한, 그 외에도, 액정 표시 장치의 제조에 사용되는, 기판 상에 차광부, 반 투광부 및 투광부를 형성한 크레톤 마스크가 알려져 있고, 상기 크레톤 마스트 제조의 원판으로 예를 들면 기판 상에 투광막과 차광막이 형성된 마스크 블랭크도 포함한다.

또한, 반사형 마스크 블랭크는 기판으로서 열 팽창계수가 작은 것을 사용하고, 상기 기판 상에 광 반사 다층막, 전사 패턴으로 이루어진 광 흡수체 막을 갖는 마스크 블랭크이다. 이 경우에 있어서, 노광광에 대해 광학적 변화를 일으키는 것은 노광광을 반사하는 광 반사 다층막과 노광광을 차단하는 광 흡수체 막 등을 가리킨다.

이와 같은 마스크 블랭크(박막이 부착된 기판)은 기판 상에 피 전사체에 전사하기 위하여 전사 패턴으로 이루어진 박막을 스퍼터링법 또는 증착법, CVD법 등에 의해 형성하는 것에 의해 제조된다.

이어서, 상기 마스크 블랭크 상의 전체 표면에 포지티브형 레지스트 막을 형성한다(S12). 상기 포지티브형 레지스트 막의 형성은 포지티브형 레지스트 재료를 용매에 용해하여 적당한 점도로 조제한 레지스트 도포액을 마스크 블랭크 상에 도포하는 것에 의해 행해진다. 통상적으로, 레지스트 막을 마스크 블랭크 상에 도포하고 나서, 가열 처리(예비 굽기)를 한다.

이어서, 상기 포지티브형 레지스트 막이 부착된 마스크 블랭크에 소정 패턴 묘화(노광)을 행하고(S13), 현상액을 사용하여 현상 처리를 함으로써(S14), 마스크 블랭크 상에 레지스트 패턴을 형성한다. 레지스트 패턴을 형성할 때의 노광은 통상 단파장의 레이저 광원을 갖는 레이저 묘화 장치에 의한 주사 노광이다.

그 후, 상기 레지스트 패턴을 마스크로서, 노출한 박막을 에칭에 의해 제거하고, 박막을 패턴 상에 형성한다(S15). 반사형 마스크의 경우는 최상층의 광흡수체 막을 패턴 상에 형성한다.

이렇게 하여, 기판 상에 박막이 소정 패턴 상으로 형성된 노광용 마스크가 완성된다. 불필요하게 된 레지스트 패턴은 상기한 실시 형태와 동일한 방법으로, 노광 공정(S16) 및 현상액에 의한 처리 공정(S17)를 실시하여 박리 제거한다. 이 때, 상기 마스크 블랭크 상에 소정의 레지스트 패턴을 형성할 때의 현상 공정을 다시 실시하고, 노광 후에 남은 레지스트 패턴을 현상액과 접촉시키는 것이 바람직하다. 이에 따라, 레지스트 박리를 패턴화의 포토 프로세스하는 중에 대응할 수 있고, 공정 상의 간편화를 도모할 수 있다. 또한, 레지스트 박리 공정용의 라인을 특별히 설치할 필요도 없게 되고, 설비면에서의 간략화도 가능하게 된다. 또한, 레지스트 패턴을 형성할 때의 현상 수단을 이용하여 노광 후에 남은 레지스트 패턴을 현상액과 접촉시키는 것도 바람직하다.

다만, 레지스트 패턴을 박리 제거하기 위하여 실시하는 노광 조건(노광 파장, 노광량, 및 노광 방법 등) 및 현상 조건(현상액의 종류, 현상 시간, 및 현상 방법 등)은, 레지스트 패턴을 형성할 때의 노광 조건 및 현상 조건과 동일하여 좋 지만, 다르게 하여도 가능하다. 레지스트 패턴을 박리 제거하기 위하여 실시하는 노광 조건 및 현상 조건은, 반드시 레지스트 패턴을 형성할 때의 노광 조건 및 현상 조건과 같이 엄밀하게 설정할 필요는 없다.

또한, 노광량은 레지스트 박리를 목적으로 하기 때문에, 통상 레지스트 패턴 형성에 필요한 노광량 보다 많이 (예를 들면, 2배 이상) 부여하는 것이 바람직하다. 기판 상에 크롬(Cr) 차광막을 갖는 포토 마스크의 제조의 경우, 크롬의 습식 에칭에 사용되는 에칭액(일반적으로 초산 제 2 세륨 암모늄과 과염소산)에 의해, 레지스트 패턴 표면을 개질하고, 노광에 의해 감광하기 어려운 일이 있으므로, 노광량을 증가하여 강한 에너지를 부여함으로써, 레지스트 패턴의 박리 제거가 용이하게 된다.

또한, 레지스트 패턴을 박리 제거하는 경우의 현상 방법은 기판으로부터의 레지스트 박리를 목적으로 하므로, 다수 개를 1번에 처리하여도 좋고, 인 라인 방식으로 연속적으로 처리하여도 가능하다.

또한, 본 발명의 실시예에 있어서는 레지스트 패턴의 박리 제거에 이용하는 현상 장치에 노광 수단을 설치함으로써, 노광 및 현상액에 의한 처리를 포함한 레지스트 패턴의 박리 제거 공정을 동일한 장치 내에서 연속적으로 행할 수 있다. 또한, 현상 장치와 노광 장치를 병렬로 설치함으로써, 노광 및 현상액에 의한 처리를 포함한 레지스트 패턴의 박리 제거 공정을 병렬 설치하는 장치간의 운반에 의해 연속적으로 행할 수 있다.

[제 3 실시예]

본 발명의 제 3 실시예은 포지티브형 레지스트막을 갖는 기판의 레지스트 막면을 노광한 후, 노광된 레지스트 막을, 노광된 레지스트를 용해하는 처리액과 접촉시킴으로써, 상기 기판으로부터 포지티브형 레지스트 막을 박리 제거하기 위한 레지스트 박리 장치에 있어서, 상기 기판을 유지하는 유지 수단, 상기 기판의 레지스트 막면에 대향하여 설치되는 광 조사 수단을 갖는 노광실; 상기 기판을 유지하는 유지 수단과 상기 기판의 레지스트 막면에 노광된 레지스트를 용해하는 처리액을 공급하는 처리액 공급 수단을 구비하고, 노광된 레지스트를 박리 제거하는 처리실; 및 상기 기판을 상기 노광실로부터 상기 처리실로 반송하는 기판 반송 수단을 포함하는 레지스트 박리 장치이다.

도 3은 제 3 실시예에 따른 레지스트 박리 장치의 정면도이고, 도 4는 제 3 실시예에 따른 레지스트 박리 장치의 로딩/언로딩 실의 측 단면도이고, 도 5는 제 3 실시예에 따른 레지스트 박리 장치의 노광실의 측 단면도이고, 도 6은 제 3 실시예에 따른 레지스트 박리 장치의 처리실의 측 단면도이다.

도 4 내지 도 6에 도시된 바와 같이, 제 3 실시예의 레지스트 박리 장치(1)는 기판(20)의 상부 표면이 경사져 상향을 향하도록 경사져 유지할 수 있도록, 각 실이 소정의 각도 α로 경사져 있다.

또한, 도 3에 도시된 바와 같이, 레지스트 박리 장치(1)는 도면 중에 우측으로부터, 로딩/언로딩실(2), 노광실(3), 처리실(4)이 차례대로 설치되어 있다. 또한, 각 실의 배면을 따라서 상하 방향에 거의 일정한 간격으로 다수의 지지용 코터(12)가 설치되어 있다. 각 지지용 코터(12)는 상하 방향에 배치된 유지축(13)에 회 전 가능하게 축지되어 있다. 또한, 배면을 따라서 좌우 방향에도 동일한 구성을 갖는 다수의 지지용 코터(12)가 배치되어 있다. 이것에 의해, 각 지지용 코터(12)는 상기 배면(1B)과 평행한 유지축(13)을 중심으로 회전 가능하도록 한다. 이와 같이 각 실의 내부의 배면(1B)을 따라서 배치된 다수의 지지용 코터(12) 상에 기판(20)을 탑재하면, 기판(20) 후면(주 표면과 반대측의 면, 즉 레지스트 막면과 반대측의 면)이 각 지지용 코터(12)의 둘레면과 접촉하므로, 기판(20)은 로딩/언로딩실(2)로부터 상하 방향으로의 반입 반출 시에 이동(슬라이딩)할 수 있다. 또한, 기판(20)의 하단에는 상기 배면(1B)과 수직하는 방향의 축을 중심으로 회전 가능한 반송용 코터(14)가 배치되고, 기판(20)의 하단을 상기 반송용 코터(14)의 둘레 면에 설치된 유지조(14A)와 접촉 유지함으로써, 상기 반송용 코터(14)를 회전시키는 것에 의해, 기판(20)을 좌우 방향으로 이동시킬 수 있다. 이와 같이, 기판(20)의 하단을 유지하는 구조이므로, 크기가 다른 기판에 대하여도 이용할 수 있다.

이어서, 각 실에 대하여 상세히 설명한다.

도 4에 도시된 바와 같이, 로딩/언로딩 실(2)은 반송용 코터(14)에 탑재된 기판(20)을 출입 가능하도록, 정면 1A 측이 개방된 박스 형상을 갖는다.

이어서, 도 5에 도시된 바와 같이, 로딩/언로딩 실(2)에 인접한 노광실(3)은 정면 1A 측의 기판(20) 표면과 대향하는 내벽 면에, 자외선 램프 등의 광 조사 수단(15)을 갖는다.

이어서, 도 6에 도시된 바와 같이, 노광실(3)에 인접하는 처리실(4)에는, 상기 처리 공급 수단으로서, 기판(20)의 일변 방향 (제 3 실시예에서는 기판(20)의 경사 방향인 상하 (종) 방향)에 대하여 거의 균등하게 처리액을 공급 가능한 샤워 노즐(30)(도 3 참조)이 배열되어 있다. 또한, 상기 샤워 노즐(30)은 기판(20)의 주요 표면 상에 소정 간격을 유지하여 평행하게 배열되고, 상기 일변 방향과 직교하는 기판의 주요 표면 상을, 다시 말하면 제 3 실시예에서는 기판의 주요 표면 상을 좌우 방향 (도 3 중에 기재된 실선 방향) 으로 주사 동작을 행한다. 상기 샤워 노즐(30)은 전체가 관상으로 형성되어 있고, 그 표면에는 긴 방향을 따라서 거의 동일한 간격으로 다수의 노즐 공(31)(도 6 참조, 더구나, 도 6에서는 편의상 노즐(30)의 도시는 생략됨)을 가지고, 샤워 노즐(30)을 소정의 수압으로 처리한 후, 예를 들면, 현상액을 공급하면, 샤워 노즐(30)의 각 노즐 공(31)에서 현상액이 샤워 상으로 분출된다. 제 3 실시예에서는 기판(20)의 상하 방향에 걸쳐 샤워 노즐(30)이 긴 방향으로 되도록 배치되므로, 기판(20)의 상하 방향에 대하여 거의 균등하게 처리액을 공급할 수 있게 된다. 그리고, 샤워 노즐(30)을 주요 표면 상을 상하 방향으로 주사함으로써, 기판(20)의 주요 표면의 전체 영역에 처리액을 거의 균등하게 채울 수 있다.

이어서, 제 3 실시예의 레지스트 박리 장치(1)을 이용하여 레지스트를 박리하는 절차에 대하여 설명한다. 먼저, 로딩/언로딩실(2)의 반송용 코터(14)에 박리하는 레지스트 막을 갖는 기판(20)을 탑재한다. 그 후, 반송용 코터(14)를 일정한 속도로 회전시켜, 기판(20)을 일정 속도로 노광실(3)로 보내어 통과시킨다. 이 때, 노광실(3)의 광 조사 수단(15)는 전원이 온된 상태가 된다. 노광실(3)을 통과한 기판(20)은 처리실(2)로 반송되고, 정지한다. 이어서, 샤워 노즐(30)을 이용하여 처 리액을 기판(20)의 전체 표면에 공급함으로써, 레지스트를 박리 제거한다. 더욱이, 샤워 노즐(30)을 이용하여 순수를 기판(20)의 전체 표면에 공급하여 헹굼을 수행한다. 그 후, 반송용 코터(14)를 역회전 시켜, 로딩/언로딩 실(2)의 방향으로 기판(20)을 이동시키고, 광 조사 수단(15)의 전원이 오프 상태인 노광실(3)을 통과시키고, 로딩/언로딩실(2)에 반송하고, 정지 후, 기판(20)을 꺼낸다. 이와 같은 절차에 의해 레지스트 막으로의 광 조사 및 처리액에 의한 처리를 연속적으로 행할 수 있다.

제 3 실시예의 레지스트 박리 장치(1)에 의하면, 대형 기판에 대하여도 경사 각도를 크게 하여 성 스페이스화를 도모할 수 있다. 도 4 내지 도 6을 참조하면 알 수 있는 바와 같이, 제 3 실시예의 레지스트 박리 장치(1)의 경우, 장치의 깊이(D)는 기판 크기 보다 작게 완성된다. 이러한 관점에서, 상기한 바와 같은 기판의 경사각은 25°이상, 바람직하게는 45 °이상으로 하는 것이 대형 기판에 더욱 적합하다. 또한, 기판의 경사각을 크게 함으로써 처리액의 흘러 내리는 속도가 빨라져도, 기판의 주요 표면의 전체 영역에 처리액을 공급할 수 있는 것에 의하여, 처리 능력이 높고, 균일성이 높은 처리를 행할 수 있다. 따라서, 본 발명의 레지스트 박리 장치는 적어도 1 변의 길이가 300 mm 이상의 대형 기판의 레지스트 박리를 행하는 경우에 특히 적합하다. 다시 말하면, 대형 기판에 대하여도, 공간 생략으로 처리 능력이 높고, 균일성이 레지스트 박리 처리가 가능하다.

더구나, 제 3 실시예에 있어서는 로딩/언로딩 실(2)과 노광실(3), 노광실(3)과 처리실(4)을 각각 인접시켜 배치시키지만, 각각 별개의 기능을 갖는 부분을 사 이에 배치하여도 무방하다. 예를 들면, 노광실(3)과 처리실(4) 사이에 공기를 공급하는 건조실을 설치하고, 현상 린스(rinse) 후의 기판을 건조시켜도 좋다. 게다가, 각 실에 다른 기능을 겸비하여도 좋다.

이하, 실시 형태에 의하여 본 발명의 실시 형태를 보다 구체적으로 설명한다.

(제 1 실시 형태)

기판 크기가 330 mm ×450 mm의 합성 석영 유리 기판 상에 스퍼터링법에 의해 크롬 막과 산화 크롬 막을 순차적으로 적층하고, 기판 상에 차광막과 반사 방지막이 형성된 액정 표시 장치 제조용 대형 마스크 블랭크를 얻는다.

얻어진 마스크 블랭크 상에, 스피너(회전 도포 장치)를 이용하여, 포지티브형 레지스트 액을 회전 도포하고, 포지티브형 레지스트 막을 형성한다. 포지티브형 레지스트로서는 고분자량형 레지스트 PBS(폴리부텐-1-술폰)을 사용하고, 이것을 메틸셀로소베아세테이트에 용해한 것을 레지스트 액으로 한다. 또한, 상기 레지스트 액을 도포한 후, 가열 건조 장치를 이용하여 소정의 가열 건조 처리를 행한다.

이어서, 포지티브형 레지스트 막이 부착된 마스크 블랭크에 대하여, 노광 장치(레이저 묘화 장치)에 의한 노광을 행하고, 이어서 수산화 칼륨(KOH)를 주성분으로 하는 현상액에 의한 현상 처리를 행하여, 마스크 블랭크 상에 소정 레지스트 패턴을 형성한다. 또한, 상기 현상 처리는 23℃에서 60초 동안 행해진다.

그 후, 상기 레지스트 패턴을 마스크로서, 노출한 산화 크롬 막 및 크롬 막을 습식 에칭 처리에 의해 제거하고, 기판 상에 크롬 차광막 및 반사 방지 막을 소 정 패턴 상으로 형성한다. 에칭액은 초산 제2 세륨 암모늄과 과염소산의 수용액을 사용한다.

이어서, 남은 레지스트 패턴을 박리 제거하기 위하여, 노광 처리 및 현상액에 의한 처리를 행한다. 이 경우의 노광 처리는 수은 램프를 광원으로 한 노광 장치를 이용하여 전체 표면 노광을 행한다. 레지스트 패턴 표면이 상기 에칭액에 의해 개질되는 것이 고려되기 위하여, 통상 레지스트 패턴 형성에 필요한 노광량 보다도 많도록 하여, 노광 시간을 연장 설정한다. 또한, 현상액에 의한 처리는 상기 레지스트 패턴 형성 시의 현상과 거의 동일한 조건에서 행해진다. 이렇게 함으로써, 노광 처리 및 현상액을 이용한 처리를 행함으로써, 남은 레지스트 패턴을 박리 제거할 수 있다.

상기한 바와 같이 함으로써, 유리 기판 상에 소정의 패턴 상에 형성된 크롬 차광막 및 반사 방지막을 갖는 투과형의 노광용 마스크(액정 표시 장치 제조용 대형 마스크)가 얻어진다.

(제 2 실시 형태)

제 1 실시 형태와 동일하게 제조한 액정 표시 장치 제조용 대형 마스크 블랭크 상에, 레지스트의 도포를 CAP 코터를 이용하여 행하고, 제 2 실시 형태에서 이용한 CAP 코터는 구체적으로는 도 7에 도시된 바와 같은 장치이고, 레지스트액(41)에 의해 채워진 액조(42)의 내부에 모세관상 틈 W을 갖는 노즐(43)을 잠기게 하고, 노즐(43)을 상승시킴으로써, 주요 표면을 하방을 향해 기판(40)의 주요 표면 근접하게 위치시키고, 모세관 상 틈 W에서 모세관 현상을 이용하여 노즐(43)의 선 단으로 상승한 레지스트액(41)을 기판(40)의 주요 표면에 접액하면서 기판(40)을 도시한 실인 방향으로 이동시켜 기판(40)의 표면에 레지스트 막을 도포한다. 이와 같은 도포 방법을 이용한 경우, 기판의 측면 또는 후면에 레지스트가 들어가 도포되는 일이 없으므로, 본 발명의 레지시트 박리 방법을 적당히 이용할 수 있다.

이어서, 상기 포지티브형 레지스트 막이 부착된 마스크 블랭크에 대하여, 제 1 실시예와 동일하게, 소정의 레지스트 패턴을 형성하고, 상기 레지스트 패턴을 마스크로서, 산화 크롬 막 및 크롬 막을 에칭 처리하고, 기판 상에 크롬 막 및 반사 방지 막을 소정 패턴 상으로 형성한다.

그 후, 남은 레지스트 패턴을 박리 제거하기 위하여, 상기 제 3 실시예에서 설명한 레지스트 박리 장치를 이용한다. 게다가, 노광실에 있어서 노광 조건은 적당히 설정되고, 처리실에서 공급하는 처리액은 레지스트 패턴 형성 시의 현상액을 사용한다. 이렇게 하여, 레지스트 박리 장치를 이용하여, 레지스트 패넌으로의 광 조사 및 현상액을 사용한 처리를 연속적으로 행함으로써, 남은 레지스트 패턴을 박리 제거할 수 있다.

상기한 바와 같이, 유리 기판 상에 소정의 패턴 상으로 형성된 크롬 차광막 및 반사 방지막을 갖는 투과형의 노광용 마스크(액정 표시 장치 제조용 대형 마스크)를 얻을 수 있다.

또한, 상기 실시 형태에서는 투과형의 노광용 마스크의 일예의 제조 공정에 있어서, 본 발명에 따른 포지티브형 레지스트 막의 박리 제거를 실시하는 경우를 설명하였지만, 본 발명은 관련된 실시예에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 상기 위상 쉬프트 마스크, 그레이톤 마스크 또는 반사형의 노광용 마스크의 제조 공정에 있어서도, 본 발명에 따른 포지티브형 레지스트 막을 박리 제거할 수 있다. 또한 실시예에 나타내지는 않았지만 반도체 장치 또는 액정 표시 장치의 제조 공정에 있어서도, 포토리소그래픽 공정에 따라 남는 포지티브형 레지스트 막을 본 발명에 의해 박리 제거할 수 있다.

본 발명에 의하면, 기판 상에 불필요하게 남은 포지티브형 레지스트 막을 상기 기판으로부터 박리 제거하기 위하여, 레지스트 막을 노광하는 공정과, 이어서 노광된 레지스트 막을 노광된 레지스트를 용해하는 처리액과 접촉시키는 공정을 수행한다. 이것에 의하여, 상기 기판으로부터 포지티브형 레지스트 막을 박리 제거할 수 있고, 간편한 공정을 이용하여 저가로 처리 가능하다. 또한, 본 발명에서는 포지티브형 레지스트 막의 박리법을 수행하는 처리액으로서, 현상 공정에서 이용되는 현상액을 사용할 수 있으므로, 레지스트 막을 박리하기 위한 특별한 약품을 사용하지 않으면서 수행할 수 있다. 더욱이, 일반적으로 사용되는 포지티브형 레지스트의 현상액은 소방법 또는 각종 환경법에 기초를 둔 특별한 관리가 필요 없으므로, 폐액 처리 등은 통상 레벨로 수행할 수 있으므로, 폐액 처리 등으로 인한 비용이 절감된다. 또한, 본 발명에 의하면, 레지스트 막면과 광 조사 수단을 소정 방향에 상대적으로 이동시킴으로써, 상기 레지스트 막면을 노광하므로, 회전 기구를 이용하지 않아도 대형 기판에 대한 레지스트의 전체 표면에 빛을 조사할 수 있다.

또한, 본 발명에 따른 포지티브형 레지스트 막의 박리 방법을 적용하는 것으 로, 노광용 마스크의 제조 비용 절감을 도모할 수 있다.

Claims

포지티브형 레지스트 막을 갖는 기판의 레지스트 막면 및 광 조사 수단을 소정 방향으로 상대적으로 이동시키는 것에 의하여 상기 레지스트 막면을 노광한 후, 노광된 레지스트 막을 노광된 레지스트를 용해하는 처리액과 접촉시킴으로써 상기 기판으로부터 상기 포지티브형 레지스트 막을 박리 제거하는 것을 특징으로 하는 포지티브형 레지스트 막의 박리 방법.
제 1 항에 있어서, 상기 포지티브형 레지스트 막을 갖는 기판은, 상기 기판 상에 형성된 박막에 포지티브형 레지스트 막의 노광 공정 및 현상 공정을 포함한 패턴화 공정을 수행하는 것에 의하여 소정의 패턴을 형성한 후, 남은 포지티브형 레지스트 막을 갖는 기판인 것을 특징으로 하는 포지티브형 레지스트 막의 박리 방법.
제 2 항에 있어서, 상기 처리액으로서, 상기 현상 공정에서 사용된 현상액을 사용하는 것을 특징으로 하는 포지티브형 레지스트 막의 박리 방법.
기판 상에 전사 마스크 패턴으로 이루어진 박막을 형성한 마스크 블랭크상에 소정의 포지티브형 레지스트 패턴을 형성하고, 상기 레지스트 패턴을 마스크로 하여, 노출한 상기 박막을 에칭함으로써 패턴화 공정을 수행하는 노광용 마스크의 제 조 방법으로서,

상기 패턴화 공정 후에 남는 레지스트 패턴과 광 조사 수단을 소정 방향에 상대적으로 이동시킴으로써 상기 레지스트 패턴을 노광한 후, 노광된 레지스트를 용해하는 처리액과 접촉시키는 것에 의하여, 레지스트 패턴을 박리 제거하는 것을 특징으로 하는 노광용 마스크의 제조 방법.
제 4 항에 있어서, 상기 처리액으로서 상기 마스크 블랭크 상에 소정 레지스트 패턴을 형성할 때 사용하는 현상액을 사용하고, 상기 마스크 블랭크 상에 소정 레지스트 패턴을 형성할 때의 현상 수단을 이용하여 상기 현상액과 접촉시키는 것을 특징으로 하는 노광용 마스크의 제조 방법.
포지티브형 레지스트 막을 갖는 기판의 레지스트 박면을 노광한 후, 노광된 레지스트 막을, 노광된 레지스트를 용해하는 처리액과 접촉시킴으로써 상기 기판으로부터 상기 포지티브형 레지스트 막을 박리 제거하기 위한 레지스트 박리 장치로서,

상기 기판을 유지하는 유지 수단 및 상기 기판의 레지스트 박면에 대향하여 설치되는 광 조사 수단을 구비하는 노광실;

상기 기판을 유지하는 유지 수단, 상기 기판의 레지스트 박면에 노광된 레지스트를 용해하는 처리액을 공급하는 처리액 공급 수단을 가지고, 노광된 레지스트를 박리 제거하는 처리실; 및

상기 기판을 상기 노광실로부터 상기 처리실로 반송하는 기판 반송 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 레지스트 박리 장치.
제 6 항에 있어서, 상기 노광실과 상기 처리실에서 기판을 유지하는 유지 수단은 상기 기판의 레지스트 박면이 경사 상향을 향하도록 경사 시켜 유지하는 것을 특징으로 하는 레지스트 박리 장치.