JPH06164101A - 感光性被膜の剥離方法 - Google Patents
感光性被膜の剥離方法Info
- Publication number
- JPH06164101A JPH06164101A JP30839192A JP30839192A JPH06164101A JP H06164101 A JPH06164101 A JP H06164101A JP 30839192 A JP30839192 A JP 30839192A JP 30839192 A JP30839192 A JP 30839192A JP H06164101 A JPH06164101 A JP H06164101A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- processed
- photosensitive film
- photosensitive coating
- ultraviolet rays
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
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- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 被加工基板の周囲に反射鏡を設置し、紫外線
照射ランプを被加工基板と同じ高さの位置に設置し、被
加工基板を真空ポンプによって回転ステージに吸着させ
回転させながら紫外線照射ランプから紫外線を照射し、
反射鏡によって紫外線を感光性被膜の全面に照射し後、
不要となった感光性被膜を現像によって剥離する。 【効果】 感光性被膜の剥離残渣を完全に除去すること
が可能となり、従って隣接パターンの短絡を防止でき
る。また、ＭＥＫ等の危険物を使用しないため、感光性
被膜の剥離工程を自動化することが可能になる。
照射ランプを被加工基板と同じ高さの位置に設置し、被
加工基板を真空ポンプによって回転ステージに吸着させ
回転させながら紫外線照射ランプから紫外線を照射し、
反射鏡によって紫外線を感光性被膜の全面に照射し後、
不要となった感光性被膜を現像によって剥離する。 【効果】 感光性被膜の剥離残渣を完全に除去すること
が可能となり、従って隣接パターンの短絡を防止でき
る。また、ＭＥＫ等の危険物を使用しないため、感光性
被膜の剥離工程を自動化することが可能になる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、コンピュータ等の電子
機器に使用する回路基板や液晶表示板等を製造するとき
に使用する薄膜作成用の感光性被膜の剥離方法に関す
る。
機器に使用する回路基板や液晶表示板等を製造するとき
に使用する薄膜作成用の感光性被膜の剥離方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】図４は従来の感光性被膜の剥離方法にお
ける剥離残渣の状態の一例を示す図で、（ａ）は平面
図、（ｂ）は正面図、図５は図４の例のエッチング後の
状態を示す正面図である。
ける剥離残渣の状態の一例を示す図で、（ａ）は平面
図、（ｂ）は正面図、図５は図４の例のエッチング後の
状態を示す正面図である。
【０００３】コンピュータ等の電子機器に使用する回路
基板や液晶表示板等を製造するときに使用する薄膜作成
用の感光性被膜の従来の剥離方法は、メチルエチルケト
ン（ＭＥＫ）等の有機溶剤を使用した浸漬剥離方法や、
アッシング法によって感光性被膜の剥離を行う方法が一
般的に採用されている。
基板や液晶表示板等を製造するときに使用する薄膜作成
用の感光性被膜の従来の剥離方法は、メチルエチルケト
ン（ＭＥＫ）等の有機溶剤を使用した浸漬剥離方法や、
アッシング法によって感光性被膜の剥離を行う方法が一
般的に採用されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述したような方法に
よる従来の感光性被膜の剥離方法においては、有機溶剤
を使用する浸漬剥離方法の場合は、有機溶剤の乾燥が不
十分であるときや、被加工基板に与える振動が不十分で
あるとき、図４に示すように、被加工基板１３のパター
ン１８の間に、幅が数ミクロン〜数十ミクロンの感光性
被膜の剥離残渣１９が発生する。この状態で不要になっ
たスパッタ膜２０をエッチングによって除去すると、図
５に示すように、剥離残渣１９の部分にスパッタ膜が残
留して短絡パターン２１となる。このため、この短絡パ
ターン２１に隣接するパターン１８が短絡するという欠
点を有している。また、剥離液として使用するＭＥＫ等
は危険物であるため、自動剥離機に使用するには問題が
多く、このため、感光性被膜の剥離工程の自動化が困難
であるという問題点も有している。
よる従来の感光性被膜の剥離方法においては、有機溶剤
を使用する浸漬剥離方法の場合は、有機溶剤の乾燥が不
十分であるときや、被加工基板に与える振動が不十分で
あるとき、図４に示すように、被加工基板１３のパター
ン１８の間に、幅が数ミクロン〜数十ミクロンの感光性
被膜の剥離残渣１９が発生する。この状態で不要になっ
たスパッタ膜２０をエッチングによって除去すると、図
５に示すように、剥離残渣１９の部分にスパッタ膜が残
留して短絡パターン２１となる。このため、この短絡パ
ターン２１に隣接するパターン１８が短絡するという欠
点を有している。また、剥離液として使用するＭＥＫ等
は危険物であるため、自動剥離機に使用するには問題が
多く、このため、感光性被膜の剥離工程の自動化が困難
であるという問題点も有している。
【０００５】一方、アッシング法によって感光性被膜の
剥離を行う方法の場合は、アッシング装置の性能上アッ
シングレートが数百〜数千オングストロムであるため、
数ミクロン〜数十ミクロンの感光性被膜を除去するのに
能力的な限界があるという欠点を有している。また、ア
ッシングのときに発生する熱によって感光性被膜が変質
し、除去することが不可能になることがあるという問題
点も有している。
剥離を行う方法の場合は、アッシング装置の性能上アッ
シングレートが数百〜数千オングストロムであるため、
数ミクロン〜数十ミクロンの感光性被膜を除去するのに
能力的な限界があるという欠点を有している。また、ア
ッシングのときに発生する熱によって感光性被膜が変質
し、除去することが不可能になることがあるという問題
点も有している。
【０００６】なお、フォトリソグラフィ法によって所望
のパターニングを完了した後、被加工基板に対して紫外
線を照射して感光性被膜を露光し、アルカリ現像液で現
像することによって不要な感光性被膜を剥離する方法も
一部で採用されているが、この場合は、被加工基板を回
転させずに被加工基板の真上から紫外線を照射している
ため、被加工基板の前面に紫外線が照射されず、特に、
感光性被膜を塗布するときに被加工基板の側面や裏面に
付着した感光性被膜に紫外線が照射されないため、アル
カリ現像液に溶解しないで剥離残渣となるという欠点を
有している。
のパターニングを完了した後、被加工基板に対して紫外
線を照射して感光性被膜を露光し、アルカリ現像液で現
像することによって不要な感光性被膜を剥離する方法も
一部で採用されているが、この場合は、被加工基板を回
転させずに被加工基板の真上から紫外線を照射している
ため、被加工基板の前面に紫外線が照射されず、特に、
感光性被膜を塗布するときに被加工基板の側面や裏面に
付着した感光性被膜に紫外線が照射されないため、アル
カリ現像液に溶解しないで剥離残渣となるという欠点を
有している。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の感光性被膜の剥
離方法は、感光性被膜を塗布してフォトリソグラフィ法
によって所望のパターニングを完了した後、被加工基板
に対して紫外線を照射して前記感光性被膜を全面的に露
光し、それをアルカリ現像液で現像することによって不
要となった前記感光性被膜を剥離する感光性被膜の剥離
方法において、紫外線照射ランプを前記被加工基板と同
じ高さの位置に設置し、前記被加工基板の周囲に反射鏡
を設置し、前記被加工基板を真空ポンプによって回転ス
テージに吸着させて回転させながら前記反射鏡によって
前記紫外線を反射させながら照射して前記感光性被膜を
露光した後、前記アルカリ現像液によって現像して不要
となった前記感光性被膜を剥離することを含むものであ
り、更に、不要の感光性被膜を剥離後、高圧のジェット
スプレイによって被加工基板の表面を洗浄することを含
むものである。
離方法は、感光性被膜を塗布してフォトリソグラフィ法
によって所望のパターニングを完了した後、被加工基板
に対して紫外線を照射して前記感光性被膜を全面的に露
光し、それをアルカリ現像液で現像することによって不
要となった前記感光性被膜を剥離する感光性被膜の剥離
方法において、紫外線照射ランプを前記被加工基板と同
じ高さの位置に設置し、前記被加工基板の周囲に反射鏡
を設置し、前記被加工基板を真空ポンプによって回転ス
テージに吸着させて回転させながら前記反射鏡によって
前記紫外線を反射させながら照射して前記感光性被膜を
露光した後、前記アルカリ現像液によって現像して不要
となった前記感光性被膜を剥離することを含むものであ
り、更に、不要の感光性被膜を剥離後、高圧のジェット
スプレイによって被加工基板の表面を洗浄することを含
むものである。
【０００８】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。
て説明する。
【０００９】図１は本発明の一実施例の紫外線照射工程
工程の作業状態を示す断面図、図２は図１の実施例の現
像工程の作業状態を示す断面図、図３は図１の実施例の
残渣除去工程の作業状態を示す正面図である。
工程の作業状態を示す断面図、図２は図１の実施例の現
像工程の作業状態を示す断面図、図３は図１の実施例の
残渣除去工程の作業状態を示す正面図である。
【００１０】図１において、被加工基板３は、感光性被
膜を塗布され、フォトリソグラフィ法によって所望のパ
ターニングを完了した後、そのパターン上にめっき法ま
たは印刷法によって導体パターンを形成したものであ
り、不要となった感光性被膜を有している。被加工基板
３は、モータ５によって回転を行う回転ステージ４の上
に搭載されている。
膜を塗布され、フォトリソグラフィ法によって所望のパ
ターニングを完了した後、そのパターン上にめっき法ま
たは印刷法によって導体パターンを形成したものであ
り、不要となった感光性被膜を有している。被加工基板
３は、モータ５によって回転を行う回転ステージ４の上
に搭載されている。
【００１１】紫外線照射ランプ２は、被加工基板３と同
じ高さの位置に設けられており、紫外線照射ランプ２か
ら照射された紫外線は、被加工基板３において感光性被
膜が最も厚く塗布されている側面およひ端面に直接照射
される。紫外線照射ランプ２から照射された紫外線はま
た、回転ステージ４の周囲を覆っている反射鏡１によっ
て反射されて、被加工基板３の表面および裏面の全面に
照射される。
じ高さの位置に設けられており、紫外線照射ランプ２か
ら照射された紫外線は、被加工基板３において感光性被
膜が最も厚く塗布されている側面およひ端面に直接照射
される。紫外線照射ランプ２から照射された紫外線はま
た、回転ステージ４の周囲を覆っている反射鏡１によっ
て反射されて、被加工基板３の表面および裏面の全面に
照射される。
【００１２】回転ステージ４は、紫外線照射ランプ２か
ら照射された紫外線が被加工基板３の表面および裏面お
よび側面および端面に均一に照射されるように、１０〜
１５ｒｐｍの回転数で回転している。
ら照射された紫外線が被加工基板３の表面および裏面お
よび側面および端面に均一に照射されるように、１０〜
１５ｒｐｍの回転数で回転している。
【００１３】回転ステージ４には、被加工基板３を固定
するための固定ピンを取除いてある。これは、固定ピン
によって被加工基板３に紫外線が照射されない部分が発
生しないようにするためである。代りに、回転ステージ
４には真空ポンプ６が付設されており、この真空ポンプ
６によって被加工基板３を吸着して固定している。
するための固定ピンを取除いてある。これは、固定ピン
によって被加工基板３に紫外線が照射されない部分が発
生しないようにするためである。代りに、回転ステージ
４には真空ポンプ６が付設されており、この真空ポンプ
６によって被加工基板３を吸着して固定している。
【００１４】次に、図２に示すように、このようにして
紫外線によって全面的に露光された被加工基板３は、現
像液８を満たされ、循環ポンプ９によって現像液８を循
環させられている現像槽１０のオーバーフロー槽７内に
入れられて現像される。これによって不要となった感光
性被膜が剥離される。なお、現像槽は、オーバーフロー
槽を有するものでなく、パドル現像槽でもスプレー現像
槽でもよい。
紫外線によって全面的に露光された被加工基板３は、現
像液８を満たされ、循環ポンプ９によって現像液８を循
環させられている現像槽１０のオーバーフロー槽７内に
入れられて現像される。これによって不要となった感光
性被膜が剥離される。なお、現像槽は、オーバーフロー
槽を有するものでなく、パドル現像槽でもスプレー現像
槽でもよい。
【００１５】次に、感光性被膜の剥離を終了した被加工
基板３は、通常の洗浄工程および乾燥工程を経由してエ
ッチング工程に進んでもよいが、エッチング工程の前に
残渣除去工程を経由してもよい。残渣除去工程は、図３
に示すように、モータ１５によって回転を行う回転ステ
ージ１４の上に被加工基板３を搭載して基板固定ピン１
１によって固定し、回転ステージ１４を回転させながら
回転ステージ１４の真上に設けてある高速ジェットスプ
レーノズル１２から洗浄液を噴射するすることにより、
被加工基板３の表面を洗浄する。これにより、突発的に
発生する幅が数ミクロン〜数十ミクロンの感光性被膜の
剥離残渣を完全に除去することが可能となり、次工程に
おいて、剥離残渣の部分にスパッタ膜が残留して短絡パ
ターンとなり、隣接するパターンが短絡するのを完全に
防止できる。
基板３は、通常の洗浄工程および乾燥工程を経由してエ
ッチング工程に進んでもよいが、エッチング工程の前に
残渣除去工程を経由してもよい。残渣除去工程は、図３
に示すように、モータ１５によって回転を行う回転ステ
ージ１４の上に被加工基板３を搭載して基板固定ピン１
１によって固定し、回転ステージ１４を回転させながら
回転ステージ１４の真上に設けてある高速ジェットスプ
レーノズル１２から洗浄液を噴射するすることにより、
被加工基板３の表面を洗浄する。これにより、突発的に
発生する幅が数ミクロン〜数十ミクロンの感光性被膜の
剥離残渣を完全に除去することが可能となり、次工程に
おいて、剥離残渣の部分にスパッタ膜が残留して短絡パ
ターンとなり、隣接するパターンが短絡するのを完全に
防止できる。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の感光性被
膜の剥離方法は、被加工基板の周囲に反射鏡を設置し、
紫外線照射ランプを被加工基板と同じ高さの位置に設置
し、被加工基板を真空ポンプによって回転ステージに吸
着させ回転させながら紫外線照射ランプから紫外線を照
射し、反射鏡によって紫外線を感光性被膜の全面に照射
し後、不要となった感光性被膜を現像によって剥離する
ことにより、感光性被膜の剥離残渣を完全に除去するこ
とが可能となるという効果があり、従って隣接パターン
の短絡を防止できるという効果がある。また、ＭＥＫ等
の危険物を使用しないため、感光性被膜の剥離工程を自
動化することが可能になるという効果もある。
膜の剥離方法は、被加工基板の周囲に反射鏡を設置し、
紫外線照射ランプを被加工基板と同じ高さの位置に設置
し、被加工基板を真空ポンプによって回転ステージに吸
着させ回転させながら紫外線照射ランプから紫外線を照
射し、反射鏡によって紫外線を感光性被膜の全面に照射
し後、不要となった感光性被膜を現像によって剥離する
ことにより、感光性被膜の剥離残渣を完全に除去するこ
とが可能となるという効果があり、従って隣接パターン
の短絡を防止できるという効果がある。また、ＭＥＫ等
の危険物を使用しないため、感光性被膜の剥離工程を自
動化することが可能になるという効果もある。
【図１】本発明の一実施例の紫外線照射工程の作業状態
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図２】図１の実施例の現像工程の作業状態を示す断面
図である。
図である。
【図３】図１の実施例の残渣除去工程の作業状態を示す
正面図である。
正面図である。
【図４】従来の感光性被膜の剥離方法における剥離残渣
の状態の一例を示す図で、（ａ）は平面図、（ｂ）は正
面図である。
の状態の一例を示す図で、（ａ）は平面図、（ｂ）は正
面図である。
【図５】図４の例のエッチング後の状態を示す正面図で
ある。
ある。
１ 反射鏡 ２ 紫外線照射ランプ ３・１３ 被加工基板 ４・１４ 回転ステージ ５・１５ モータ ６ 真空ポンプ ７ オーバーフロー槽 ８ 現像液 ９ 循環ポンプ １０ 現像槽 １１ 基板固定ピン １２ 高速ジェットスプレーノズル １８ パターン １９ 剥離残渣 ２０ スパッタ膜 ２１ 短絡パターン
Claims (2)
- 【請求項１】 感光性被膜を塗布してフォトリソグラフ
ィ法によって所望のパターニングを完了した後、被加工
基板に対して紫外線を照射して前記感光性被膜を全面的
に露光し、それをアルカリ現像液で現像することによっ
て不要となった前記感光性被膜を剥離する感光性被膜の
剥離方法において、紫外線照射ランプを前記被加工基板
と同じ高さの位置に設置し、前記被加工基板の周囲に反
射鏡を設置し、前記被加工基板を真空ポンプによって回
転ステージに吸着させて回転させながら前記反射鏡によ
って前記紫外線を反射させながら照射して前記感光性被
膜を露光した後、前記アルカリ現像液によって現像して
不要となった前記感光性被膜を剥離することを含むこと
を特徴とする感光性被膜の剥離方法。 - 【請求項２】 不要の感光性被膜を剥離後、高圧のジェ
ットスプレイによって被加工基板の表面を洗浄すること
を含むことを特徴とする請求項１記載の感光性被膜の剥
離方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30839192A JPH06164101A (ja) | 1992-11-18 | 1992-11-18 | 感光性被膜の剥離方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30839192A JPH06164101A (ja) | 1992-11-18 | 1992-11-18 | 感光性被膜の剥離方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06164101A true JPH06164101A (ja) | 1994-06-10 |
Family
ID=17980501
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30839192A Withdrawn JPH06164101A (ja) | 1992-11-18 | 1992-11-18 | 感光性被膜の剥離方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06164101A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005317929A (ja) * | 2004-03-29 | 2005-11-10 | Hoya Corp | ポジ型レジスト膜の剥離方法及び露光用マスクの製造方法、並びにレジスト剥離装置 |
| CN103399468A (zh) * | 2013-08-08 | 2013-11-20 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 光阻层剥离方法及装置 |
| CN114721236A (zh) * | 2022-04-01 | 2022-07-08 | 智程半导体设备科技(昆山)有限公司 | 浸润式半导体显影装置及显影方法 |
-
1992
- 1992-11-18 JP JP30839192A patent/JPH06164101A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005317929A (ja) * | 2004-03-29 | 2005-11-10 | Hoya Corp | ポジ型レジスト膜の剥離方法及び露光用マスクの製造方法、並びにレジスト剥離装置 |
| CN103399468A (zh) * | 2013-08-08 | 2013-11-20 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 光阻层剥离方法及装置 |
| CN114721236A (zh) * | 2022-04-01 | 2022-07-08 | 智程半导体设备科技(昆山)有限公司 | 浸润式半导体显影装置及显影方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000201 |