JP4349530B2

JP4349530B2 - マスクブランクスの製造方法、及び転写マスクの製造方法

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Publication number: JP4349530B2
Application number: JP2005504260A
Authority: JP
Inventors: 光明畑
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Description

本発明は、基板上に被転写体に転写すべく転写パターンを有する転写マスクの原版であるマスクブランクスにおいて、基板主表面の周縁部に形成された不要なレジスト膜が除去されたマスクブランクスの製造方法、及び当該マスクブランクスを用いた転写マスクの製造方法に関する。

マスクブランクス、中でも基板上に、例えば電子回路のパターンとなる転写パターンが形成された転写マスクの原版であるマスクブランクスの製造工程において、マスクブラン
クスを構成する基板表面にレジスト膜が形成された後、その基板は各種処理工程を経る間に、搬送機構に保持されたり、基板収納ケースに挿抜されたりする。このとき、マスクブランクスを構成する基板の周縁部が搬送機構のチャック部や、収納ケース内の収納溝に接触することにより、基板周縁部のレジスト膜が剥離して発塵源となり、その剥離したレジストがマスクブランクスの主表面に付着することによる欠陥が問題となっている。

そこで、マスクブランクス製造の際は、基板上にレジストを回転塗布してレジスト膜を形成させた後、基板周縁部のレジスト膜を予め除去しておく処理が施される。この処理は、基板を所定の回転中心周りに水平回転させながら、基板周縁部のレジストに、当該レジストを溶解する薬液を供給し、この基板周縁部のレジスト膜を溶解除去することで行われている。

例えば、基板周縁部の不要なレジスト膜を除去する技術として、特許文献１に開示されている方法がある。

この不要膜除去方法は、レジスト膜を回転塗布方法により形成後、基板周縁部（除去する不要膜の上方に位置する部位）に微細な孔が多数形成されたカバー部材を基板上に載置し、さらに基板とカバー部材が一体となって回転した状態で、カバー部材の上方より当該レジストを溶解する薬液（溶剤）を供給するものである。供給された溶剤は、微細な孔を介して基板周縁部に供給され、基板周縁部に形成されたレジストを溶解除去する。

特開２００１−２５９５０２号公報

しかしながら、特許文献１に記載されている不要膜除去方法で基板周縁部に形成されたレジストを溶解除去する場合、レジスト種によっては、レジスト膜断面に盛り上がりが発生したり、レジスト残滓が発生したり、また、レジスト膜の除去幅がコーナー部が大きく、基板の辺にそって異なり除去幅ばらつきが大きいことが判った。

この現象について、図面を参照しながら説明する。

第７図は、従来技術で不要膜除去を行った場合に得られるマスクブランクスの端部拡大図である。

第７図において、符号１１は透光性の基板であり、符号１２は遮光膜であり、符号１３はレジスト膜である。さらに符号１３ａは不要膜部分のレジスト膜であり、１３ｂはレジストの盛り上がりであり、１３ｃはレジスト残滓である。

第７図に示すように、溶剤によって基板１１上に形成された不要膜部分のレジスト膜１３ａを除去した後、基板１１の周縁部のレジスト除去後に残ったレジスト膜断面において、盛り上がり１３ｂが発生したり、レジスト残滓１３ｃが残留したりすることが判った。そしてこの現象は、レジスト膜が形成された側の基板表面をカバー部材で覆った状態で基板周縁部のレジスト膜を除去した場合に見られることが判った。特に、第７図に示すような盛り上がり１３ｂがある場合、上述と同様に、当該マスクブランクスを基板収納ケースに挿抜するときにレジスト膜が剥離して発塵源となったり、盛り上がり１３ｂの領域が基板１１中心部へ広く形成された場合は、アライメントマーク等を基板周縁近傍にパターニングする際のパターン崩れ要因となる。また、盛り上がり１３ｂの高さが大きい場合は、基板周縁部付近のパターン（例えば、アライメントマークや品質保証パターン）がパターン不良となったり、パターン不良を防止するためにレジスト膜の露光を複数回行わなければならず、パターニング工程が複雑になる。

また、特許文献１においては、溶剤により不要なレジスト膜を溶解し、除去する過程において、基板の形状が矩形状（正方形状、長方形状を含む四角形状）であるがゆえに、基板のコーナー部と、コーナー部以外のところで、溶解したレジスト膜の回転による除去力の違いによると思われる、除去幅のばらつきが大きかった。このため、場合によっては基板周縁部付近のアライメントマーク等の補助パターンがパターン不良となるという問題が発生する。

これらの問題は、転写マスクを使用する際の露光光源がｉ線（波長３６５ｎｍ）等現在に比べて波長が長く、形成するパターンの線幅も現在に比べて大きいため許容できる欠陥レベルはそれほど厳しくなく、また、マスクパターン形成領域が比較的小さく、従って、アライメントマーク等の補助パターンも基板周縁部から中央よりに形成されるので、上述のレジスト残滓、盛り上がり、除去幅ばらつきについては特に問題にならなかったが、近年の露光光源波長の短波長化、パターンの微細化、マスクパターン形成領域の拡大に伴い、許容できる欠陥レベルが厳しくなり、またアライメントマーク等の補助パターンが基板側面に近い箇所に形成されることにより問題が発生する。

そこで、本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、第一に、如何なるレジスト種を用いた場合であっても、基板周縁部のレジスト膜を除去した後の除去幅ばらつきが抑えられたマスクブランクスの製造方法を提供することを目的とする。第二に、如何なるレジスト種を用いた場合であっても、基板周縁部のレジスト膜を除去した後の盛り上がりを抑え、かつレジスト残滓がなく、さらに、除去幅ばらつきが抑えられ、溶解されたレジストの再付着による欠陥を防止できるマスクブランクスの製造方法を提供することを目的とする。第三に、基板周縁部近傍に形成されるアライメントマークやＱＡパターン（品質保証パターン）、バーコードパターンなどの補助パターンに、パターン不良が発生しない転写マスクの製造方法を提供することを目的とする。

本発明は、上述の課題を解決するために、以下の構成を要する。

（構成１）被転写体に転写すべく転写パターンとなる薄膜が形成され、且つ前記薄膜上にレジスト液を塗布し乾燥することでレジスト膜が形成された矩形状の基板を準備する工程と、
前記基板の主表面の周縁部に設けられた除去領域に形成された不要なレジスト膜を、薬液を用いて除去する不要膜除去工程と、
前記基板の主表面であって、前記除去領域以外の領域である非除去領域に形成されたレジスト膜を、熱処理する熱処理工程と、を有するマスクブランクスの製造方法であって、
前記不要膜除去工程は、前記レジスト膜が形成された側の前記基板表面を、前記除去領域においては前記基板主表面と一定の間隙を形成するようにカバー部材を配置し、さらに前記基板を所定の回転数Ｒ１で回転させ、前記間隙に前記薬液を供給して前記不要なレジスト膜を溶解した後、前記薬液の供給を停止し、さらに前記所定の回転数よりも高い回転数で回転させ、溶解した前記不要なレジスト膜を前記基板外方に除去し乾燥するものとし、
前記溶解した不要なレジスト膜を基板外方に除去し乾燥する際の基板の回転は、前記基板主表面の周縁部の各辺に沿った方向において溶解したレジスト膜に作用する遠心力の差による前記基板の各辺における除去幅ばらつきを抑制する回転数Ｒ２で回転させた後、レジスト膜を除去した領域を乾燥させるべく回転数Ｒ３で回転させることを特徴とするマスクブランクスの製造方法である。

薬液により溶解した不要なレジスト膜を基板外方に除去し乾燥する際、基板が矩形状であるため、基板の回転による遠心力は、基板主表面の周縁部においてはコーナー部が最も
大きく、基板の各辺の中心部が最も小さい。従って、コーナー部において溶解されたレジスト膜の除去が進行されることになり、コーナー部において除去幅が大きく、コーナー部から各辺の中心部に従って除去幅が小さくなるという除去幅にばらつきが生じる。このコーナー部における溶解されたレジスト膜の除去の進行を抑え、除去幅ばらつきを抑制できる回転数Ｒ２で基板を回転させある程度溶解されたレジスト膜を除去した後、レジスト膜を除去した領域を乾燥させるべく回転数Ｒ３で回転させることによって、除去幅ばらつきを抑えたマスクブランクスが得られる。

（構成２）前記レジスト液が、ジエチレングリコールジメチルエーテル、アニソール、メチルセルソルブアセテート、シクロヘキサノンのうちの何れかを溶剤として含むものであって、
前記回転数Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３は、
（Ｉ）Ｒ１＝１００〜５００ｒｐｍ
（II）Ｒ２≧３００ｒｐｍ
（III）Ｒ１＜Ｒ２≦Ｒ３
の条件で行うことを特徴とする構成１記載のマスクブランクスの製造方法である。

レジスト液が、ジエチレングリコールジメチルエーテル、アニソール、メチルセルソルブアセテート、シクロヘキサノンのうちの何れかを溶剤として含むものとしては一般に高分子型レジストが挙げられるが、一般に、レジストの粘度（原液）は１０ｃｐ超（４０ｃｐを超えるものもある）と高く、薬液により溶解されにくい（溶解速度が遅い）。従って、回転による遠心力に負けず、間隙のすべてにうまく薬液が入り込むことができるように、上述の溶剤を含むレジストの場合における基板の回転数Ｒ１は、後述する構成４のレジストの場合と比べて低くすることが好ましい。

しかし、基板の回転数Ｒ１を低くしすぎると、回転による遠心力が弱く、薬液が基板中央部に浸透し、レジストが膨潤することで盛り上がりが形成される。だからといって、基板の回転数Ｒ１を高くしすぎると、回転による遠心力に負けて、間隙のすべてに薬液がうまく入り込むことができず、基板周縁部に形成されたレジストを完全に溶解することができない。

以上の点を考慮し、上述の溶剤を含むレジストにおける基板回転数Ｒ１は、
（Ｉ）Ｒ１＝１００〜５００ｒｐｍ
とする。

また、基板の回転数Ｒ２が低すぎると、溶解されたレジストが基板中央部に浸透し、レジストが膨潤することで盛り上がりが形成されたり、溶解されたレジストが基板外方に除去されずに残ってしまいレジスト残滓となる。

従って、上述の溶剤を含むレジストにおける基板回転数Ｒ２は、
（II）Ｒ２≧３００ｒｐｍ
とする。

また、基板の回転数Ｒ１、基板の回転数Ｒ２、基板の回転数Ｒ３は、薬液により溶解されたレジストを基板周縁部に留まらせず、基板外方に除去させる点から、Ｒ２はＲ１より高くなければならない。また、完全に基板外方に除去されないで残っている溶解されたレジストが、基板中央部に浸透することを防止する点から、Ｒ３はＲ２以上であればよい。よって、以上の点を考慮し、基板の回転数Ｒ１と、基板の回転数Ｒ２と、基板の回転数Ｒ３とは、
（III）Ｒ１＜Ｒ２≦Ｒ３
とする。

（構成３）前記回転数Ｒ２は、Ｒ２＝３００〜６００ｒｐｍであることを特徴とする構成２記載のマスクブランクスの製造方法である。

回転数Ｒ２を上述の範囲にすることにより、除去幅ばらつきをより低減し、溶解されたレジストが基板外方に飛散し、不要膜除去装置の外方に設けられたカップに当たって跳ね返る等により、カバー部材や基板に再付着して欠陥となるのを防止したマスクブランクスが得られる。

（構成４）前記レジスト液が、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、メチルイソアミルケトンのうちの何れかを溶剤として含むものであって、
前記回転数Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３は、
（Ｉ）Ｒ１＝４００〜８００ｒｐｍ
（II）Ｒ２≧５００ｒｐｍ
（III）Ｒ１＜Ｒ２≦Ｒ３
の条件で行うことを特徴とする構成１記載のマスクブランクスの製造方法である。

レジスト液が、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、メチルイソアミルケトンのうちの何れかを溶剤として含むものとしては、一般に、レジストの粘度（原液）は５ｃｐ以下と低く、薬液により溶解され易い（溶解速度が速い）。従って、回転による遠心力があっても、間隙の基板中央部に入り込み易くなるため、上述の溶剤を含むレジストの場合における基板の回転数Ｒ１は、上述の構成３のレジストの場合と比べて高くする。

即ち、基板の回転数Ｒ１を低くしすぎると、回転による遠心力が弱く、薬液が基板中央部に浸透し、レジストが膨潤することで盛り上がりが形成される。しかし、基板の回転数Ｒ１を高くしすぎると、回転による遠心力に負けて、間隙に薬液がうまく入り込むことができず、レジストを溶解することができない。

以上の点を考慮し、上述の溶剤を含むレジストにおける基板回転数Ｒ１は、
（Ｉ）Ｒ１＝４００〜８００ｒｐｍ
とする。

また、基板の回転数Ｒ２が低すぎると、溶解されたレジストが基板中央部に浸透し、レジストが膨潤することで盛り上がりが形成されたり、溶解されたレジストが基板外方に除去されずに残ってしまうので、レジスト残滓となる。

従って、上述の溶剤を含むレジストの場合における基板回転数Ｒ２は、
（II）Ｒ２≧５００ｒｐｍ
とする。

また、基板の回転数Ｒ１、基板の回転数Ｒ２、基板の回転数Ｒ３は、薬液により溶解されたレジストを基板周縁部に留まらせず、基板外方に除去させる点から、Ｒ２はＲ１より大きくなければならない。また、完全に基板外方に除去されないで残っている溶解されたレジストが、基板中央部に浸透することを防止する点から、Ｒ３はＲ２以上であればよい。よって、以上の点を考慮し、基板の回転数Ｒ１と、基板の回転数Ｒ２と、基板の回転数Ｒ３とは、
（III）Ｒ１＜Ｒ２≦Ｒ３
とする。

（構成５）前記回転数Ｒ２は、Ｒ２＝５００〜９００ｒｐｍであることを特徴とする構成４記載のマスクブランクスの製造方法である。

（構成６）前記回転数Ｒ３は１０００ｒｐｍ以上３０００ｒｐｍ以下であることを特徴とする構成２乃至５の何れか一に記載のマスクブランクスの製造方法である。

１０００ｒｐｍ以上とすることにより薬液によりレジスト膜を除去した領域を早く乾燥させスループットを向上させることができ、３０００ｒｐｍ以下とすることによりカバー部材が基板から脱離する危険性を回避できる。

（構成７）前記間隙は、前記薬液が前記間隙を伝わって前記間隙中に流れ込み、かつ、前記間隙中にのみ保持されることが可能な大きさに設定されていることを特徴とする構成１乃至６の何れか一に記載のマスクブランクスの製造方法である。

基板主表面の除去領域において、カバー部材と基板主表面との間に形成する間隙は、薬液が間隙中を伝わって間隙中に流れ込み、かつ、間隙中にのみ保持されることが可能な大きさに設定する。このようにすることで、薬液の表面張力の作用と、基板の回転による遠心力の作用により、確実かつ正確に基板主表面の所定の部位に薬液を供給することができる。

（構成８）前記カバー部材は、前記除去領域以外の非除去領域においては、前記間隙よりも大きい空間が形成された前記主表面を覆う構造とすることを特徴とする構成１乃至７の何れか一に記載のマスクブランクスの製造方法である。

このように、カバー部材が基板主表面を覆う構造とすることにより、基板上方からの気流によるレジスト膜に対する熱的影響を防止することができ、さらに、非除去領域において、除去領域における間隙よりも大きい空間を形成することにより、非除去領域への薬液の侵入を防止することができる。

（構成９）前記カバー部材の上方から前記薬液を供給し、前記カバー部材に設けられた薬液流路を通じて前記薬液を前記不要なレジストへ供給することを特徴とする構成１乃至８の何れか一に記載のマスクブランクスの製造方法である。

このように、カバー部材の上方から薬液を供給し、カバー部材に設けられた薬液流路を通じて薬液を不要なレジストへ供給することとしているので、薬液の消費量が抑えて、不要なレジスト膜を除去することができる。

（構成１０）前記薬液流路は、前記カバー部材における不要なレジスト膜部分に対応する位置に薬液を供給するための薬液供給路、又は、前記カバー部材の外側に薬液案内部材を設け、前記カバー部材と前記薬液案内部材との間を薬液流路とすることを特徴とする構成１乃至９の何れか一に記載のマスクブランクスの製造方法である。

このように、不要なレジスト膜部分に対応する位置に薬液を供給するための薬液供給路
、又は、カバー部材の外側に薬液案内部材を設け、カバー部材と薬液案内部材との間を薬液流路とすることにより、的確に不要なレジスト膜部分に薬液を供給できるので、レジスト膜の除去領域を厳密に制御することができる。

（構成１１）構成１乃至１０のいずれかに記載のマスクブランクスの製造方法によって得られたマスクブランクスを使用し、前記薄膜をパターニングして前記基板上に転写パターンを形成することを特徴とする転写マスクの製造方法である。

構成（１）乃至構成（１０）のマスクブランクスの製造方法によって得られたマスクブランクスを使用して転写マスクを作製することにより、レジスト膜除去後の盛り上がりに起因する、アライメントマークやＱＡパターン（品質保証パターン）、バーコードパターンなど基板周縁部に形成されるパターンのパターン不良のない良好な転写パターンを得ることができる。

実施例にかかる不要膜除去工程で使用する不要膜除去装置の構成を示す側断面図である。第１図の部分拡大断面図である。第１図の部分拡大断面図である。実施例にかかる不要膜除去工程で使用する不要膜除去装置の分解斜視図である。実施例にかかる基板の回転数の時間変化を示すグラフである。他の応用例における基板の回転数の時間変化を示すグラフである。従来技術で不要膜除去を行った場合に得られるマスクブランクスの端部拡大図である。

以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。第１図は、実施の形態例にかかる不要膜除去工程で使用する不要膜除去装置の構成を示す側断面図である。第２図と第３図とは、第１図の部分拡大断面図である。第４図は、実施の形態例にかかる不要膜除去工程で使用する不要膜除去装置の分解斜視図である。第５図は、横軸に時間、縦軸に回転数をとり、実施の形態例にかかる基板の回転数の時間変化を示すグラフである。

第１図乃至第４図において、基板１０は、合成石英ガラスからなる透光性基板（１５２．４ｍｍ×１５２．４ｍｍ×６．３５ｍｍ）１１の表面にクロムからなる遮光膜１２が形成され、さらに、この遮光膜１２の上に厚さ４０００オングストロームの未ベークの状態のレジスト膜１３が回転塗布法で形成されたマスクブランクスである。

回転台２０に載置保持された基板１０の上面側をカバー部材３０によって覆い、このカバー部材の上方からノズル４０によりレジスト膜を溶解する薬液５０を噴出させてカバー部材３０の薬液供給孔を通じて不要膜部分１３ａに供給してこれを溶解除去するものである。

カバー部材３０は、基板１０を上方から被せるようにして覆うもので、中心部から周辺にかけての大部分は平坦部３２である。この平坦部３２から外周部にかけて傾斜部３３が形成され、この傾斜部３３からさらに外周部に向けて周辺平坦部３４が形成され、この周辺平坦部３４の外周端が下方に略直角に折り曲げられて、側面部３５が形成されている。

周辺平坦部３４には、多数の貫通孔である薬液供給孔３１が形成されている。この薬液供給孔３１は、薬液５０の粘度等に応じて適切な形状、大きさ及び形成間隔が選定される
。即ち、孔形状は正方形、長方形、円形、楕円形、その他何れでも良い。孔の大きさは、薬液が一定の供給速度で不要膜部分１３ａにむらなく供給される大きさに設定する。また、孔どうし間隔は、薬液供給孔３１から供給された薬液が不要膜部分１３ａ全体に隙間なく行き渡らせる間隔に設定する。

カバー部材３０の中心部から周辺にかけての大部分である平坦部３２の内壁と対向する基板表面の領域は、必要なレジスト膜１３の領域（不要膜部分１３ａ以外の領域）であり、この領域においては、基板表面とカバー部材との間で、薬液による表面張力が働かないように、カバー部材３０の内壁と基板１０の表面との間の間隙を後述するｄ１よりも大きくする。そしてこの間隔の大きさを、レジスト膜１３の温度分布がカバー部材３０の内壁面からの熱伝達によって影響を受けないように所定以上大きく、かつ、間隙で気体の対流が生じてこの対流によって基板主表面のレジスト膜１３に温度分布が生じないように所定以下に小さく設定した値であるｄ３とする。

第１図、第２図に示すように、薬液供給孔３１のうち適宜の数ヵ所には薬液に耐性のある（例えば、樹脂系）糸６０が通され、カバー部材３０の内壁と基板１０の表面との間に介在されてこれらの間隙の大きさを設定するようになっている。即ち、この糸６０は、薬液供給孔３１を通り、周辺平坦部３４の内壁と基板１０の表面との間及び側面部３５の内壁と基板１０の側面との間を通し、さらにカバー部材３０の側面部３５の外側を通過してループ状に形成されている。

糸６０の太さは、周辺平坦部３４の内壁と基板１０の主表面との間隙の大きさｄ１を、この間隙に薬液を供給したときに、薬液の表面張力と基板の遠心力の作用により、薬液が間隙中を伝わって間隙中に拡がることが可能な大きさに設定する。

また、側面部３５の内壁と基板１０の側面との間隙の大きさｄ２は、この間隙を薬液がレジスト膜に接触しながら通過できる大きさであれば良い。

また、第１図、第３図に示すように、基板１０の下方にも薬液供給用のノズル４０ａが設けられており、ノズル４０ａから薬液５０ａを供給して、不要膜部分１３ａの除去を確実にすることができるようになっている。

また、回転台２０、回転軸２１、支持腕２２および保持台座２３については第４図を用いて説明する。

第４図に基づいて、基板１０が回転台２０に保持される様子を説明する。回転台２０は回転軸２１に取りつけられた４本の水平方向に放射状に延びた支持腕２２、それぞれの支持腕２２の先端部に設けられた一対の保持台座２３とを有する保持台座２３上に、基板１０の４角を配置して保持するものである。回転軸２１は、図示しない回転駆動装置に結合され、所望の回転数で回転されるようになっている。カバー部材３０を被された基板１０は、回転台２０に保持されて回転しながら処理される。尚、第４図に示してある符号を付した各部分は、第１図乃至第３図で説明したものと同様である。

次に、多種類のレジストを用いた場合であっても、基板周縁部のレジスト膜除去後の盛り上がりを抑え、かつレジスト残滓のないマスクブランクスを製造することができる実施の形態例について説明する。

（高分子型レジストの場合）
高分子型レジストのレジスト液は、一般に、ジエチレングリコールジメチルエーテル、アニソール、メチルセルソルブアセテート、シクロヘキサノンのうちの何れかを溶剤とし
て含むものであって、そのレジストの粘度（原液）は１０ｃｐ超（４０ｃｐを超えるものもある）と高く、薬液により溶解されにくい（溶解速度が遅い）。従って、回転による遠心力に負けず、間隙のすべてにうまく薬液が入り込むことができるように、基板の回転数Ｒ１は、間隙のすべてにうまく薬液が入り込むことができる程度に回転数を低くすることが好ましい。

以上の点を考慮し、上述の溶剤を含むレジストにおける基板回転数Ｒ１は、
（Ｉ）Ｒ１＝１００〜５００ｒｐｍ
とすることが好ましい。

また、基板の回転時間Ｔ１は、レジストが薬液により溶解するまでの時間である。Ｔ１は、好ましくは２０ｓｅｃ以上とする。さらに好ましくは、２０〜４５ｓｅｃとするのが望ましい。Ｔ１の時間が長いと、レジスト残滓は発生しないが、スループットの低下、更には基板周縁部のレジストが除去した後のレジスト膜断面に薬液が長い時間さらされることになるので、レジストが膨潤し盛り上がりが形成されるので、望ましくない。

従って、上述の溶剤を含むレジストにおける基板回転数Ｒ２は、
（II）Ｒ２≧３００ｒｐｍ
とすることが好ましい。

尚、溶解されたレジストが基板外方に飛散し、不要膜除去装置の外方に設けられたカップに当たって跳ね返り、カバー部材や基板に再付着して欠陥となるのを防ぐという点から、回転数Ｒ２は１０００ｒｐｍ以下とすることが好ましい。

さらに、基板主表面の周縁部の各辺に沿った方向における溶解したレジスト膜の回転による遠心力の差により、基板の各辺における除去幅ばらつきを低減し、欠陥を防止する点においては、回転数Ｒ２は、Ｒ２＝３００〜６００ｒｐｍとすることが好ましい。

また、基板の回転時間Ｔ２は、基板周縁部の溶解されたレジストが完全に基板外方に除去されるまでの時間であり、Ｔ２は好ましくは、１０ｓｅｃ以上とすることが好ましい。

Ｔ２の時間が長すぎると、レジスト残滓は発生しないが、スループットの低下を招くので、２５ｓｅｃ以下とするのが好ましい。

また、基板の回転数Ｒ１、基板の回転数Ｒ２、基板の回転数Ｒ３は、薬液により溶解されたレジストを基板周縁部に留まらせず、基板外方に除去させる点から、Ｒ２はＲ１より高くなければならない。また、完全に基板外方に除去されないで残っている溶解されたレジストが、基板中央部に浸透することを防止する点から、Ｒ３はＲ２以上であればよい。よって、以上の点を考慮し、基板の回転数Ｒ１と、基板の回転数Ｒ２と、基板の回転数Ｒ３とは、
（III）Ｒ１＜Ｒ２≦Ｒ３
とすることが好ましい。

また、基板の回転数Ｒ３は、乾燥しやすくするために１０００ｒｐｍ以上とすることが好ましい。しかし、カバー部材が基板を単に覆っている状態であって固定した状態にない場合、回転数を高くしすぎると脱離する可能性がある。従って、安全性の点から３０００ｒｐｍ以下とすることが望ましい。

尚、基板の回転時間Ｔ３は、基板周縁部の除去された領域を完全に乾燥されるまでの時間であり、Ｔ３は、３０ｓｅｃ以上とするのが好ましい。

（高分子型レジスト以外のレジストの場合）
レジスト液が、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、メチルイソアミルケトンのうちの何れかを溶剤として含むものとしては、一般に、レジストの粘度（原液）は５ｃｐ以下と低く、上述の高分子型レジストと比べて、薬液により溶解され易い（溶解速度が速い）。従って、回転による遠心力があっても、間隙の基板中央部に入り込み易くなるため、間隙のすべてにうまく薬液が入り込み、基板中央部に浸透しない程度に基板の回転数Ｒ１を調整する。

以上の点を考慮し、上述の溶剤を含むレジストにおける基板回転数Ｒ１は、
（Ｉ）Ｒ１＝４００〜８００ｒｐｍ
とすることが好ましい。

また、基板の回転時間Ｔ１は、レジストが薬液により溶解するまでの時間であって、Ｔ１は好ましくは５ｓｅｃ以上とする。さらに好ましくは、５〜２５ｓｅｃとするのが望ましい。Ｔ１の時間が長すぎると、レジスト残滓は発生しないが、スループットの低下、更には基板周縁部のレジストが除去した後の、レジスト膜断面が薬液に長い時間さらされることになるので、この部分のレジストが膨潤し盛り上がりが形成されるので望ましくない。

従って、上述の溶剤を含むレジストの場合における基板回転数Ｒ２は、
（II）Ｒ２≧５００ｒｐｍ
とすることが好ましい。

尚、溶解されたレジストが基板外方に飛散し、不要膜除去装置の外方に設けられたカップに当たって跳ね返ったものが、カバー部材や基板に再付着するのを防ぐという点から、回転数Ｒ２は１０００ｒｐｍ以下とすることが好ましい。

さらに、基板主表面の周縁部の各辺に沿った方向における溶解したレジスト膜の回転による遠心力の差により、基板の各辺における除去幅ばらつきを低減し、欠陥を防止する点においては、回転数Ｒ２は、Ｒ２＝５００〜９００ｒｐｍとすることが好ましい。

また、基板の回転時間Ｔ２は、基板周縁部の溶解されたレジストが完全に基板外方に除去されるまでの時間であり、Ｔ２は、好ましくは３ｓｅｃ以上とする。

Ｔ２の時間が長すぎると、レジスト残滓は発生しないが、スループットの低下を招くので、２０ｓｅｃ以下とするのが望ましい。

また、基板の回転数Ｒ１、基板の回転数Ｒ２、基板の回転数Ｒ３は、薬液により溶解されたレジストを基板周縁部に留まらせず、基板外方に除去させる点から、Ｒ２はＲ１より大きくなければならない。また、完全に基板外方に除去されないで残っている溶解されたレジストが、基板中央部に浸透することを防止する点から、Ｒ３はＲ２以上であればよい。よって、以上の点を考慮し、基板の回転数Ｒ１と、基板の回転数Ｒ２と、乾燥工程における基板の回転数Ｒ３とは、
（III）Ｒ１＜Ｒ２≦Ｒ３
とすることが好ましい。

また、基板の回転数Ｒ３は、乾燥しやすくするために１０００ｒｐｍ以上とすることが好ましい。カバー部材は基板を単に覆っている状態であって固定した状態にない場合、回転数を上げすぎると脱離する可能性がある。従って、安全性の点から３０００ｒｐｍ以下とすることが望ましい。

尚、基板の回転時間Ｔ３は、基板周縁部の除去された領域を完全に乾燥されるまでの時間であり、Ｔ３は好ましくは、２０ｓｅｃ以上とする。

（高分子型レジスト及びそれ以外のレジストに共通）
基板主表面の除去領域において、カバー部材と基板主表面との間に形成する間隙は、薬液が間隙中を伝わって間隙中に流れ込み、かつ、間隙中にのみ保持されることが可能な大きさに設定することが好ましい。このようにすることで、薬液の表面張力の作用と、基板の回転による遠心力の作用により、確実かつ正確に基板主表面の所定の部位に薬液を供給することができる。間隙の大きさは、０．０５ｍｍ以上３ｍｍ以下の範囲で設定する。０．０５ｍｍ未満や３ｍｍ超だと薬液が間隙中をつたわって間隙中にのみ拡がることが困難となり、除去できない部分ができたり、除去部分と他の部分との境界がギザギザ状態になる場合があるからである。

そして、上述のマスクブランクスの製造方法によって得られたマスクブランクスを使用して転写マスクを作製することにより、レジスト膜除去後の盛り上がりに起因する、アライメントマークやＱＡパターン（品質保証パターン）、バーコードパターンなど基板周縁部に形成されるパターンのパターン不良のない良好な転写パターンを得ることができる。

（高分子型レジスト例）
ジエチレングリコールジメチルエーテル、アニソール、メチルセルソルブアセテート、シクロヘキサノンのうち何れかを溶剤として含むレジストは、一般に高分子型レジストが挙げられる。高分子型レジストは、分子量が数万から数十万以上のものを指し、市販されているレジストでは、ＺＥＰシリーズ（日本ゼオン社製）、ＰＢＳシリーズ（チッソ社製）、ＥＢＲシリーズ（東レ社製）、ＯＥＢＲシリーズ（東京応化工業社製）などが挙げられる。

（高分子型レジスト以外のレジスト例）
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、メチルイソアミルケトンのうち何れかを溶剤として含むレジストとして、代
表的なものとしては化学増幅型レジストがある。化学増幅型レジストとしては、市販されているレジストでは、ＦＥＰシリーズ（富士フィルムアーチ社製）、ＮＥＢシリーズ（住友化学工業社製）、ＳＡＬシリーズ（シプレイ社製）、ＡＺシリーズ（ヘキスト社製）などがある。

（薬液流路及び薬液例）
また、上述した薬液流路として、カバー部材における不要なレジスト膜部分に対応する位置に薬液を供給するための薬液供給孔を設けて薬液流路としても良く、また、カバー部材の外側に薬液案内部材を設けて、カバー部材と薬液案内部材との間を薬液流路としても良い。

また、薬液は、レジストが溶解できるものであれば何でも良い。例えば、レジストが可溶なケトン、エステル、芳香族炭化水素、ハロゲン化炭化水素、エーテル等の溶剤を用いることができる。またアルカリ現像型レジストにおいては、薬剤としてアルカリ現像液を用いることができる。

（マスクブランクス）
本発明でいうマスクブランクスは、透過型マスクブランクス、反射型マスクブランクスの何れも指し、それらの構造は、基板上に被転写体に転写すべく転写パターンとなる薄膜と、レジスト膜とを有するものである。

透過型マスクブランクスは、基板として透光性基板を使用し、転写パターンとなる薄膜は、被転写体に転写するときに使用する露光光に対して、光学的変化をもたらす薄膜（例えば、遮光機能を有する薄膜）が使用されたフォトマスクブランクスである。ここで、露光光に対し光学的変化をもたらす薄膜とは、露光光を遮断する遮光膜や、露光光の位相差を変化させる位相シフト膜などを指す。

また、遮光機能を有する薄膜とは、遮光機能と位相シフト機能を有するハーフトーン膜も含まれる。

従って、透過型マスクブランクスには、遮光膜が形成された通常のフォトマスクブランクスと、ハーフトーン膜が形成されたハーフトーン型位相シフトマスクブランクス、位相シフト膜が形成された位相シフトマスクブランクスなどを含む。

また、反射型マスクブランクスは、基板として低熱膨張基板を使用し、その基板に光反射多層膜、転写パターンとなる光吸収体膜とを有するマスクブランクスである。

また、マスクブランクスには、上述の膜以外に、レジスト下地反射防止膜（BARC：Bottom Anti-Reflective Coating）、レジスト上層反射防止膜（TARL：Top Anti-Reflective
Layer）、レジスト上層保護膜、導電性膜等の膜が形成されても良い。

以下、上述の不要膜除去装置を用いたマスクブランクスの製造方法の実施例を、第５図も併せて参照しながら説明する。

また、当該実施例における、溶解、除去、乾燥の各工程における回転数、回転時間、および各工程実施後のレジスト残滓、盛り上がりの評価結果の一覧表を、表１、表２として示した。尚、表１、表２において、レジスト残滓の欄の「○」は、顕微鏡観察によりレジスト膜が除去した領域においてレジスト残滓がない場合を示し、「×」は、レジスト残滓がある場合を示す。また、盛り上がりの欄の「○」は、上述の触針式膜厚測定器により除去されたレジスト膜１３の断面を測定し、その後の転写マスクを作製したときに、パター
ン不良が生じない場合を示し、「×」は、パターン不良が生じた場合を示す。尚、パターン不良が生じたのは、最大膜厚の測定の結果、１５０００オングストロームを超えたものであった。

尚、以下の実施例において、説明の便宜上、不要なレジスト膜を薬液に溶解する作用が大きい工程を溶解工程、溶解されたレジスト膜を基板の回転により外方に除去する作用が大きい工程を除去工程、除去された領域を乾燥する作用が大きい工程を乾燥工程というが、上述の各工程において、他の作用が働いている場合も含む。
（実施例１）
本実施例では、薄膜上に塗布するレジスト液としては、メチルセルソルブアセテート（ＭＣＡ）を溶剤として含む高分子型レジスト（ＰＢＳ：チッソ社製）を使用し、薬液としてＭＣＡ（メチルセロソルブアセテート）を使用した。

まず、基板１０を回転台２０にセットしてカバー部材３０を被せたら、ノズル４０から供給量を調整しながら薬液５０を供給する。同時に、回転台２０の回転数Ｒ１を２５０ｒｐｍで回転時間Ｔ１：３０秒間回転させる。これにより、薬液５０が薬液供給孔３１を通じて不要膜部分１３ａに浸透し、不要膜部分１３ａが溶解される（溶解工程）。
次に、ノズル４０からの薬液５０の供給を停止し、回転台２０の回転数Ｒ２を４５０ｒｐｍで回転時間Ｔ２：２０秒間回転させる。これにより、溶解されたレジストの不要膜が基板外方に除去される（除去工程）。
次に、回転台２０の回転数Ｒ３を１０００ｒｐｍで回転時間：４０秒間回転させる。これにより、不要膜部分１３ａが除去された領域を乾燥させる（乾燥工程）。
次に、不要膜除去装置から基板１０を取りだし、熱処理（ベーク処理）を施して基板周縁部のレジスト膜１３が除去されたレジスト膜付きマスクブランクスを得た。尚、遮光膜が形成された側の基板主表面におけるレジスト膜の除去幅は、レジスト膜の除去領域が基板周辺部付近のパターンにかからないように、基板側面から１．５ｍｍ±０．３ｍｍ以内に収まり除去幅ばらつきは小さく均一であり、レジスト膜の平均膜厚は４０００オングストローム弱であった。

レジスト膜が除去した領域を顕微鏡にて確認したところ、レジスト残滓がなく良好であった。

また、除去されたレジスト膜１３の断面を触針式膜厚測定器（テーラーホブソン社製タリーステップ）によって測定したところ、最大膜厚が約４５００オングストロームであり、盛り上がりは約５００オングストロームであった。このマスクブランクスを使用して転写マスクを作成したところ、このレジスト膜１３の盛り上がりによるパターン不良や発塵による欠陥不良は発生しなかった。以上の結果を表１に示した（実施例２〜３、比較例１〜５）。
溶解工程における回転数Ｒ１、回転時間Ｔ１、除去工程における回転数Ｒ２、回転時間Ｔ２、乾燥工程における回転数Ｒ３、回転時間Ｔ３を、表１に示す条件とした以外は、実施例１と同様にしてマスクブランクスを作製した。

表１に示すように、不要膜除去工程において、溶解工程、除去工程、乾燥工程の基板の回転数が本発明の範囲に入っている実施例１〜３においては、レジスト残滓はなく、レジスト膜断面の盛り上がりによるパターン不良も確認されず良好であった。

一方、比較例１は、溶解工程における基板の回転数Ｒ１が低いために、薬液がカバー部材と基板の主表面（不要膜部分１３ａ）との間に形成された間隙よりも内側に浸透したため、レジスト膜断面の盛り上がりが大きくなり、パターン不良となった。

また、比較例２は、溶解工程における基板の回転数Ｒ１が高いために、薬液がカバー部材と基板の主表面（不要膜部分１３ａ）との間に形成された間隙にうまく入り込むことができず、レジスト残滓が発生した。

また、比較例３、４は、除去工程における基板の回転数Ｒ２が低いために、溶解工程で
溶解されたレジストが基板外方にすばやく除去されずに残ってしまうことにより、レジスト残滓が発生し、また、レジスト膜断面の盛り上がりが大きくなり、パターン不良となった。

また、比較例５は、乾燥工程における基板の回転数Ｒ３が、除去工程における基板の回転数Ｒ２よりも低いために、完全に基板外方に除去されないで残っている溶解されたレジストが、基板の内側に浸透し、さらに、基板外方に除去されずに残る為にレジスト残滓が発生し、また、レジスト膜断面の盛り上がりが大きくなり、パターン不良となった（実施例４〜６、比較例６〜１０）。
本実施例では、薄膜上に塗布するレジスト液としては、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）とプロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）を溶剤として含む化学増幅型レジスト（ＦＥＰ１７１：富士フィルムアーチ社製）を使用し、薬液としてＰＧＭＥＡ（プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート）とＰＧＭＥ（プロピレングリコールモノメチルエーテル）との混合溶液を使用した。

そして、不要膜除去工程において、溶解工程における回転数Ｒ１、回転時間Ｔ１、除去工程における回転数Ｒ２、回転時間Ｔ２、乾燥工程における回転数Ｒ３、回転時間Ｔ３を、表２に示す条件とした以外は、実施例１と同様にしてマスクブランクスを作製した。

表２に示すように、不要膜除去工程において、溶解工程、除去工程、乾燥工程の基板の回転数が本発明の範囲に入っている実施例４〜６においては、レジスト残滓はなく、レジスト膜断面の盛り上がりによるパターン不良も確認されず良好であった。

一方、比較例６は、溶解工程における基板の回転数Ｒ１が低いために、薬液がカバー部材と基板の主表面（不要膜部分１３ａ）との間に形成された間隙よりも内側に浸透したため、レジスト膜断面の盛り上がりが大きくなり、パターン不良となった。

また、比較例７は、溶解工程における基板の回転数Ｒ１が高いために、薬液がカバー部材と基板の主表面（不要膜部分１３ａ）との間に形成された間隙にうまく入り込むことができず、レジスト残滓が発生した。

また、比較例８、９は、除去工程における基板の回転数Ｒ２が低いために、溶解工程で
溶解されたレジストが基板外方にすばやく除去されずに残ってしまうことにより、レジスト残滓が発生し、また、レジスト膜断面の盛り上がりが大きくなり、パターン不良となった。

また、比較例１０は、乾燥工程における基板の回転数Ｒ３が、除去工程における基板の回転数Ｒ２よりも低いために、完全に基板外方に除去されないで残っている溶解されたレジストが、基板の内側に浸透し、さらに、基板外方に除去されずに残る為にレジスト残滓が発生し、また、レジスト膜断面の盛り上がりが大きくない、パターン不良となった。

次に、回転数Ｒ２と除去幅ばらつきと溶解されたレジスト再付着による欠陥の有無との関係を調べた（実施例７〜８）。
実施例１において、溶解工程における基板回転数Ｒ１を３００ｒｐｍ、回転時間Ｔ１を３５秒、除去工程における基板回転数Ｒ２を６００ｒｐｍ、回転時間Ｔ２を１５秒、乾燥工程における基板回転数Ｒ３を１２００ｒｐｍ、回転時間Ｔ３を４０秒とした以外は実施例１と同様にしてマスクブランクスを作製した（実施例７）。

また、実施例４において、溶解工程における基板回転数Ｒ１を６００ｒｐｍ、回転時間Ｔ１を１５秒、除去工程における基板回転数Ｒ２を９００ｒｐｍ、回転時間Ｔ２を１０秒、乾燥工程における基板回転数Ｒ３を１８００ｒｐｍ、回転時間Ｔ３を２０秒とした以外は実施例４と同様にしてマスクブランクスを作製した（実施例８）。

上述の高分子型レジストの場合において、実施例１、２、３、７について、レジスト膜の除去幅ばらつきを調べたところ、１．５±０．３ｍｍ以内に収まり除去幅ばらつきは小さく均一であった。また、実施例３においては、回転数Ｒ２が高いことにより、基板のコーナー部における除去幅が大きくなり、１．０（最小除去幅）〜２．０ｍｍ（最大除去幅）（１．５±０．５ｍｍ）となり除去幅ばらつきが大きくなった。また、欠陥検査装置により基板表面のレジスト再付着による欠陥は見つからなかった。

上述の化学増幅型レジストの場合において、実施例４、５、６、８について、レジスト膜の除去幅ばらつきを調べたところ、１．５±０．３ｍｍ以内に収まり除去幅ばらつきは小さく均一であった。また、実施例６においては、回転数Ｒ２が高いことにより、基板のコーナー部における除去幅が大きくなり、０．８（最小除去幅）〜２．２ｍｍ（最大除去幅）（１．５±０．７ｍｍ）となり除去幅ばらつきが大きくなった。また、欠陥検査装置により基板表面のレジスト再付着による欠陥は見つからなかった。

尚、上述の実施例で挙げた以外のジエチレングリコールジメチルエーテル、アニソール、メチルセルソルブアセテート、シクロヘキサノンのうち何れかを溶剤として含む高分子型レジストである、ＺＥＰシリーズ（日本ゼオン社製）、ＥＢＲシリーズ（東レ社製）、ＯＥＢＲシリーズ（東京応化工業社製）、及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、メチルイソアミルケトンのうちの何れかを溶剤として含むレジストである、ＮＥＢシリーズ（住友化学工業社製）、ＳＡＬシリーズ（シプレイ社製）、ＡＺシリーズ（ヘキスト社製）についても、上述の実施例で示した効果を確認できた。

上述の結果から、不要膜除去工程における溶解工程、除去工程、乾燥工程における基板の回転数Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３は、ジエチレングリコールジメチルエーテル、アニソール、メチルセルソルブアセテート、シクロヘキサノンのうち何れかを溶剤として含むレジストを用いる場合、Ｒ１＝１００〜５００ｒｐｍ、Ｒ２≧３００ｒｐｍ、Ｒ１＜Ｒ２≦Ｒ３とし、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、メチルイソアミルケトンのうち何れかを溶剤として含むレジストを用いる場
合、Ｒ１＝４００〜８００ｒｐｍ、Ｒ２≧５００ｒｐｍ、Ｒ１＜Ｒ２≦Ｒ３とすることによって、基板周縁部のレジスト膜を除去した後の盛り上がりを抑え、かつレジスト残滓のないマスクブランクスを得ることができ、さらにパターン不良のない転写マスクを得ることができた。

さらに、ジエチレングリコールジメチルエーテル、アニソール、メチルセルソルブアセテート、シクロヘキサノンのうち何れかを溶剤として含むレジストを用いる場合、上述の回転数Ｒ２をＲ２＝３００〜６００ｒｐｍとすることによって、また、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、メチルイソアミルケトンのうち何れかを溶剤として含むレジストを用いる場合、上述の回転数Ｒ２をＲ２＝５００〜９００ｒｐｍとすることによって、基板の各辺における除去幅ばらつきを低減し、溶解したレジストの再付着による欠陥も防止したマスクブランクスを得ることができた。

尚、上述の実施例において、溶解工程、除去工程、乾燥工程は、各１回であったが、他の応用例として複数回繰り返しても良い。この、各工程を複数回繰り返す場合の処理について、第６図を参照しながら説明する。

第６図は、第５図と同様に、横軸に時間、縦軸に回転数をとり、実施の形態例にかかる基板の回転数の時間変化を示すグラフである。第６図（ｂ）は、溶解工程→除去工程→乾燥工程→溶解工程→除去工程→乾燥工程を行う場合を示し、第６図（ａ）は、溶解工程→除去工程→溶解工程→除去工程→乾燥工程を行う場合を示している。

各処理を、複数回繰り返して行う場合は、第６図（ｂ）のように、溶解工程→除去工程→乾燥工程→溶解工程→除去工程→乾燥工程としても良いし、第６図（ａ）溶解工程→除去工程→溶解工程→除去工程→乾燥工程というように、乾燥工程を最後だけ行っても良い。上述の構成（１）、（２）における基板の回転時間Ｔ１（溶解工程）、回転時間Ｔ２（除去工程）、回転時間Ｔ３（乾燥工程）を複数回繰り返して行う場合は、不要膜除去工程における各工程の合計回転時間を指す。即ち、第６図（ｂ）において、溶解工程（回転数Ｒ１、回転時間Ｔ１ａ）→除去工程（回転数Ｒ２、回転時間Ｔ２ａ）→乾燥工程（回転数Ｒ３、回転時間Ｔ３ａ）→溶解工程（回転数Ｒ１、回転時間Ｔ１ｂ）→除去工程（回転数Ｒ２、回転時間Ｔ２ｂ）→乾燥工程（回転数Ｒ３、回転時間Ｔ３）としたなら、Ｔ１＝Ｔ１ａ＋Ｔ１ｂ、Ｔ２＝Ｔ２ａ＋Ｔ２ｂとする。第６図（ａ）も同様である。尚、Ｔ３＝Ｔ３ａ＋Ｔ３ｂとする。

各処理を、複数回繰り返して行うことにより、不要膜部分を除去した後のレジスト膜の断面形状が良好になるので好ましい。尚、複数回繰り返して行う場合は、２〜５回が良い。

尚、上述の実施例では、特定のレジストを例に挙げて説明したが、本発明が適用できるレジストは、これらに限定されない。上述のレジスト以外の高分子型レジスト、化学増幅型レジストなど何でも良く、また、ポジ型、ネガ型どちらでも良い。

また、上述の実施例では、不要膜除去工程を熱処理工程の前に行ったが、熱処理後でも薬液により除去できるのであれば、不要膜除去工程を熱処理工程の後に行っても良い。

また、上述の実施例では、カバー部材として、基板主表面を覆う構造のカバー部材を例に挙げたがこれに限らず、基板主表面における除去領域においては、一定の間隙を形成するようにしたものであれば良く、カバー部材の非除去領域に対応した所定の箇所（非除去領域全てに対応する箇所でも良い）が開放された構造であっても構わない。

本発明のマスクブランクスの製造方法によれば、如何なるレジスト種であっても、基板周縁部のレジスト膜を除去した後の盛り上がりを抑え、かつレジスト残滓のないマスクブランクスを得ることができる。また、如何なるレジスト種を用いた場合であっても、基板周縁部のレジスト膜を除去した後の盛り上がりを抑え、かつレジスト残滓がなく、さらに、除去幅ばらつきが抑えられ、溶解されたレジストの再付着による欠陥を防止できるマスクブランクスを得ることができる。よって、この製造方法で作製されたマスクブランクスを使用して作製された転写マスクも、基板周縁部近傍に形成される補助パターンのパターン不良を防止することができる。

１０基板（マスクブランクス）
１１（透光性）基板
１２遮光膜
１３レジスト膜
１３ａ不要膜部分
２０回転台
３０カバー部材
４０ノズル
５０薬液
６０糸

Claims

被転写体に転写すべく転写パターンとなる薄膜が形成され、且つ前記薄膜上にレジスト液を塗布し乾燥することでレジスト膜が形成された矩形状の基板を準備する工程と、
前記基板の主表面の周縁部に設けられた除去領域に形成された不要なレジスト膜を、薬液を用いて除去する不要膜除去工程と、
前記基板の主表面であって、前記除去領域以外の領域である非除去領域に形成されたレジスト膜を、熱処理する熱処理工程と、を有するマスクブランクスの製造方法であって、
前記不要膜除去工程は、前記レジスト膜が形成された側の前記基板表面を、前記除去領域においては前記基板主表面と一定の間隙を形成するようにカバー部材を配置し、さらに前記基板を所定の回転数Ｒ１で回転させ、前記間隙に前記薬液を供給して前記不要なレジスト膜を溶解した後、前記薬液の供給を停止し、さらに前記所定の回転数Ｒ１よりも高い回転数で回転させ、溶解した前記不要なレジスト膜を前記基板外方に除去し乾燥するものとし、
前記溶解した不要なレジスト膜を基板外方に除去し乾燥する際の基板の回転は、前記基板主表面の周縁部の各辺に沿った方向において溶解したレジスト膜に作用する遠心力の差による前記基板の各辺における除去幅ばらつきを抑制する回転数Ｒ２で回転させた後、レジスト膜を除去した領域を乾燥させるべくＲ２よりも高い回転数である回転数Ｒ３で回転させるものであることを特徴とするマスクブランクスの製造方法。
前記レジスト液が、ジエチレングリコールジメチルエーテル、アニソール、メチルセルソルブアセテート、シクロヘキサノンのうちの何れかを溶剤として含むものであって、
前記回転数Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３は、
（Ｉ）Ｒ１＝１００〜５００ｒｐｍ
（II）Ｒ２≧３００ｒｐｍ
の条件で行うことを特徴とする請求の範囲第１項記載のマスクブランクスの製造方法。
前記回転数Ｒ２は、Ｒ２＝３００〜６００ｒｐｍであることを特徴とする請求の範囲第２項記載のマスクブランクスの製造方法。
前記レジスト液が、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、メチルイソアミルケトンのうちの何れかを溶剤として含
むものであって、
前記回転数Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３は、
（Ｉ）Ｒ１＝４００〜８００ｒｐｍ
（II）Ｒ２≧５００ｒｐｍ
の条件で行うことを特徴とする請求の範囲第１項記載のマスクブランクスの製造方法。
前記回転数Ｒ２は、Ｒ２＝５００〜９００ｒｐｍであることを特徴とする請求の範囲第４項記載のマスクブランクスの製造方法。
前記回転数Ｒ３は１０００ｒｐｍ以上３０００ｒｐｍ以下であることを特徴とする請求の範囲第２項乃至第５項の何れか一に記載のマスクブランクスの製造方法。
前記間隙は、前記薬液が前記間隙を伝わって前記間隙中に流れ込み、かつ、前記間隙中にのみ保持されることが可能な大きさに設定されていることを特徴とする請求の範囲第１項乃至第６項の何れか一に記載のマスクブランクスの製造方法。
前記カバー部材は、前記除去領域以外の非除去領域においては、前記間隙よりも大きい空間が形成された前記主表面を覆う構造とすることを特徴とする請求の範囲第１項乃至第７項の何れか一に記載のマスクブランクスの製造方法。
前記カバー部材の上方から前記薬液を供給し、前記カバー部材に設けられた薬液流路を通じて前記薬液を前記不要なレジスト膜へ供給することを特徴とする請求の範囲第１項乃至第８項の何れか一に記載のマスクブランクスの製造方法。
前記薬液流路は、前記カバー部材における不要なレジスト膜部分に対応する位置に薬液を供給するための薬液供給路、又は、前記カバー部材の外側に薬液案内部材を設け、前記カバー部材と前記薬液案内部材との間を薬液流路とすることを特徴とする請求の範囲第１項乃至第９項の何れか一に記載のマスクブランクスの製造方法。
請求の範囲第１項乃至第１０項のいずれかに記載のマスクブランクスの製造方法によって得られたマスクブランクスを使用し、前記薄膜をパターニングして前記基板上に転写パターンを形成することを特徴とする転写マスクの製造方法。