1247970 玖、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於在基板上具有應轉印於被轉印體之轉印 圖案之屬轉印罩幕原版之罩幕毛胚中，除去形成於基板主 表面周緣部的不要的光阻膜的罩幕毛胚之製造方法，及使 用該罩幕毛胚之轉印罩幕之製造方法。 【先前技術】 在罩幕毛胚中之基板上，例如在形成有成為電子電路圖 案的轉印圖案的屬轉印罩幕原版之罩幕毛胚之製造步驟 中，在構成罩幕毛胚之基板表面形成光阻膜後，該基板在 經過各種處理步驟之期間，被保持於搬運機構或於基板收 納箱進行插入拔出的動作。此時，因為構成罩幕毛胚之基 板周緣部接觸於搬運機構的夾頭部或收納箱内的收納溝， 使基板周緣部的光阻膜被剝離而形成灰塵源，而產生該剝 離之光阻黏附於罩幕毛胚之主表面的缺陷問題。 在此，在製造罩幕毛胚時，在基板上旋轉塗敷光阻形成 光阻膜後，；^以預先除去基板周緣部的光阻膜的處理。該 處理係邊使基板圍繞指定的旋轉中心水平旋轉，邊對基板 周緣部的光阻供給溶解該光阻的藥液，進行溶解除去該基 板周緣部的光阻膜。 例如，專利文獻1揭示有作為除去基板周緣部的不要光 阻膜的技術的方法。 此不要膜之除去方法，係在藉由旋塗法形成光阻膜後， 將在基板周緣部（位於除去之不要膜上面位置之部位）形成 312/發明說明書(補件)/93-06/93】08837 1247970 有多數微細孔的罩蓋元件載置於基板上，進而使基板與罩 蓋元件成為一體進行旋轉的狀態下，從罩蓋元件的上方供 給溶解該光阻的藥液（溶劑）。供給之溶劑係通過微細孔被 供應給基板周緣部，以溶解除去形成於基板周緣部的光阻。 專利文獻1 :日本專利特開2 0 0 1 - 2 5 9 5 0 2號公報 【發明内容】 然而，在利用專利文獻1所記載的不要膜除去方法溶解 除去形成於基板周緣部的光阻的情況，根據光阻的種類， 已知有產生光阻膜剖面隆起或生成光阻殘渣、或光阻膜的 除去幅度在角部大而沿著基板的邊形成差異以致造成除去 幅度不均的現象。 以下，參照圖式說明該現象。 圖7為利用習知技術進行不要膜除去之情況所獲得的罩 幕毛胚的端部擴大圖。 圖7中，元件符號1 1為透光性基板，元件符號1 2為遮 光膜，元件符號1 3為光阻膜。又，元件符號1 3 a為不要膜 部分之光阻膜，1 3 b為光阻之隆起，1 3 c為光阻殘渣。 如圖7所示，已知在透過溶劑除去形成於基板1 1上的 不要膜部分之光阻膜1 3 a後，在基板1 1周緣部的光阻除去 後所殘留的光阻膜剖面，產生有隆起1 3 b或殘留有光阻殘 渣1 3 c。而且，已知該現象係在由罩蓋元件覆被形成有光 阻膜側的基板表面的狀態下除去基板周緣部的光阻膜的情 況所見到。尤其是，在具有如圖7所示的隆起1 3 b的情況， 與上述相同，在將該罩幕毛胚於基板收納箱插入拔出時， 6 312/發明說明書(補件)/93-06/93108837 1247970 光阻膜被剝離而形成灰塵源，或是在隆起1 3 b的區域廣·範 圍向基板1 1之中心部形成的情況，則成為在基板周緣附近 圖案加工對準標記等時的圖案崩壞的要因。另外，在隆起 1 3 b的高度大的情況，造成基板周緣部附近之圖案（例如， 對準標記或品質保證圖案）的圖案不良、或為防止圖案不良 必須進行多次光阻膜的曝光，使得圖案加工步驟變得複雜。 另外，在專利文獻1中，在由溶劑溶解除去不要的光阻 膜的過程中，只要基板的形狀為矩形（包含正方形、長方形 的四角形狀），在基板的角部及角部以外的部分，其除去幅 度不均相當的大，而此等不均會被認為是因溶解之光阻膜 的旋轉產生的除去力的差異所造成。因此根據情況而有基 板周緣部附近的對準標記等的輔助圖案成為不良圖案的問 題。 此等的問題，因在使用轉印罩幕時之曝光源為i線（波 長3 6 5 n in )等而較現在的波長長，形成之圖案的線寬也較現 在的線寬大，因此可允許的缺陷等級並不太嚴格，另外， 因為罩幕圖案形成區域較小，藉此對準標記等的輔助圖案 也從基板周緣部靠向中央形成，因此有關上述之光阻殘 渣、隆起、除去幅度不均，並不會成為問題，但隨著近年 來的曝光光源波長的短波長化、圖案的微細化、罩幕圖案 形成區域的擴大，其可允許的缺陷等級變為嚴格，另外， 因為對準標記等的輔助圖案形成於接近基板側面的部位而 有問題產生。 在此，本發明係鑑於上述諸情況而完成者，其目的之一 7 3 12/發明說明截補件)/93-06/93108837 1247970 在於，提供一種即使在使用任何種類的光阻的情況， 抑制除去基板周緣部之光阻膜後的除去幅度不均的罩 胚之製造方法。其目的之二在於，提供一種即使在使 何種類的光阻的情況，仍可抑制除去基板周緣部之光 後的隆起，且無光阻的殘渣，進而抑制除去幅度不均 可防止所溶解之光阻的再度黏附的缺陷的罩幕毛胚之 方法。其目的之三在於，提供一種在形成於基板周緣 近之對準標記或Q A圖案（品質保證圖案）、條碼圖案等 助圖案不產生圖案不良之轉印罩幕之製造方法。 本發明為解決上述問題，具有如下的構成。 構成1 : 一種罩幕毛胚之製造方法，係具有準備形 成為應轉印於被轉印體之轉印圖案之薄膜，且利用於 薄膜上塗敷光阻液並予以乾燥而形成光阻膜的矩形基 步驟； 使用藥液除去上述基板之主表面周緣部所設的除去 域上形成的不要光阻膜的不要膜除去步驟；及 在上述基板的主表面，熱處理形成於上述除去領域 區域的非除去領域的光阻膜的熱處理步驟，其特徵為 上述不要膜除去步驟，係將形成有上述光阻膜側的 基板表面，以在上述除去區域中與上述基板主表面間 一定的間隙的方式配置罩蓋元件，再以指定的旋轉數 使上述基板旋轉，在將上述藥液供給上述間隙以溶解 不要光阻膜後，停止上述藥液的供應，再以較上述指 旋轉數高的旋轉數旋轉，於上述基板外側除去所溶解 312/發明說明書(補件)/93-06/93丨08837 仍可 幕毛 用任 阻膜 ，且 製造 部附 的輔 成有 上述 板的 區 以外 上述 形成 R1 上述 定的 之上 1247970 述不要的光阻膜並予以乾燥； 於基板外側除去上述溶解之不要的光阻膜並予以乾燥 時的基板的旋轉，係以抑制沿著上述基板主表面的周緣部 各邊的方向作用於已溶解的光阻膜的離心力差所造成的上 述基板各邊的除去幅度不均的旋轉數R 2進行旋轉後，以應 使除去光阻膜的區域乾燥的旋轉數R3旋轉。 在利用藥液而於基板外側除去已溶解之不要的光阻膜 並予以乾燥時，因為基板為矩形，因此基板的旋轉產生的 離心力，在基板主表面之周緣部，在其角部為最大而在其 基板各邊的中心部最小。因此，變得在角部進行已溶解之 光阻膜的除去，產生在角部的除去幅度大，而隨著從角部 向著各邊的中心部其除去幅度變小的除去幅度不均。為抑 制在此角部進行已溶解之光阻膜的除去，在以可抑制除去 幅度不均的旋轉數R 2使基板旋轉而達成某程度溶解的光 阻膜的除去後，利用應使除去光阻膜的區域乾燥的旋轉數 R 3進行旋轉，便可得到抑制除去幅度不均的罩幕毛胚。 構成2 :如構成1記載之罩幕毛胚之製造方法，其特徵 為：上述光阻液係包含以二甘醇二甲基謎（diethylene glycol dimethyl ether)、S 香喊、曱基醋酸溶纖劑（methyl cel 1 o s ο 1 v e acetate)、環己酮中任一者作為溶劑者， 上述旋轉數R 1、R 2、R 3係以如下條件來進行： (I ) Rl=100〜500rpm (Π ) R2^ 300rpm (ΠΙ ) R1 < R2$ R3。 9 312/發明說明書(補件)/93-06/93108837 1247970 包含以二甘醇二甲基醚、茴香醚、曱基醋酸溶纖劑、環 己酮中任一者作為溶劑者，一般列舉有高分子型光阻，但 光阻之黏度（原液）若超過l〇cp(也有超過40cp者）而較高 時，不易利用藥液溶解（溶解速度缓慢）。因此最好以不輸 藉由旋轉之離心力而可於所有間隙均良好地進入藥液的方 式，使含有上述溶劑之光阻的情況的基板旋轉數R 1，較後 述之構成4的光阻的情況低為佳。 但是，若基板旋轉數R1太低時，因為旋轉離心力弱， 造成藥液滲透入基板中央部，光阻因浸潤而形成隆起。但 若因此而太過增加基板的旋轉數R 1時，則有輸給旋轉離心 力，使得藥液無法良好地進入所有間隙，而無法完全溶解 形成於基板周緣部的光阻。 考慮到上述諸點，包含上述溶劑之光阻的基板旋轉數 R 1，係設定為： (I ) Rl=100~ 500rpm ° 另外，若基板旋轉數R2太低時，已溶解之光阻滲透入 基板中央部，因光阻浸潤而形成隆起，或是已溶解之光阻 無法從基板外側除去而殘留形成為光阻殘渣。 因此，包含上述溶劑之光阻的基板旋轉數R 2，係設定為： (Π ) R2 2 3 0 0 rpm。 另外，從基板旋轉數R1、基板旋轉數R 2及基板旋轉數 R 3，使得藉藥液所溶解之光阻不殘留於基板周緣部，而從 基板外側除去的觀點考慮，必須將R 2設為較R1高。另外， 從防止未完全於基板外側除去而殘留的已溶解之光阻滲透 10 312/發明說明書(補件)/93-06/93108837 1247970 暑 入基板中央部的觀點考慮，只要設為R 3大於R 2即可。因 此，考慮到以上種種情況，基板旋轉數R 1、基板旋轉數R 2 及基板旋轉數R 3，係設定為： (ΙΠ ) Rl < R2 $ R3。 構成3:如構成2記載之罩幕毛胚之製造方法，其特徵 為：上述旋轉數R2 = 300〜600rpm。 藉由將旋轉數R 2設定於上述範圍，以便進一步減低除 去幅度不均，可獲得防止因已溶解之光阻向基板外側飛 散，在碰及設於不要膜除去裝置外側的杯部反彈等而再度 黏附於罩蓋元件或基板的缺陷形成的罩幕毛胚。 構成4:如構成1記載之罩幕毛胚之製造方法，其特徵 為：上述光阻液係包含以丙二醇曱聚乙醚乙酸酯、丙二醇 曱聚乙醚、曱基異戊酮中任一者作為溶劑者， 上述旋轉數R1、R 2、R 3係以如下條件來進行： (I ) Rl=400〜800rpm (Π ) R2^ 500rpm (m ) R1 < R2 S R3。 光阻液係包含以丙二醇甲聚乙醚乙酸酯（propylene glycol monomethyl ether acetate, PGMEA)、丙二醇曱聚 乙 _ (PGME)、甲基異戊酮（methyl isoamyl ketone)中任一 者作為溶劑者，一般光阻之黏度（原液）若低於5 c p而較低 時，則容易利用藥液溶解（溶解速度快）。故即使有藉旋轉 之離心力，因容易進入間隙之基板中央部，故將含有上述 溶劑之光阻的情況的基板旋轉數R 1，設為較上述構成3的 11 312/發明說明書(補件)/93-06/93108837 1247970 光阻的情況高。 也就是說，若基板旋轉數R1太低時，因為旋轉離心力 弱，造成藥液滲透入基板中央部，光阻因浸潤而形成隆起。 但若因此而太過增加基板的旋轉數R 1時，則有輸給旋轉離 心力，使得藥液無法良好地進入間隙，而無法溶解形光阻。 考慮到上述諸點，包含上述溶劑之光阻的基板旋轉數 R1 ’係設定為： (I )R1=400〜800rpmo 另外，若基板旋轉數R 2太低時，已溶解之光阻滲透入 基板中央部，因光阻浸潤而形成隆起，或是已溶解之光阻 無法從基板外側除去而殘留形成為光阻殘渣。 因此，包含上述溶劑之光阻的基板旋轉數R 2，係設定為： (Π )R2 g 5 0 0 rpm。 另外，從基板旋轉數R1、基板旋轉數R 2及基板旋轉數 R 3，使得藉藥液所溶解之光阻不殘留於基板周緣部，而從 基板外側除去的觀點考慮，必須將R 2設為較R1高。另外， 從防止未完全於基板外側除去而殘留的已溶解之光阻滲透 入基板中央部的觀點考慮，只要設為R 3大於R 2即可。因 此，考慮到以上種種情況，基板旋轉數R1、基板旋轉數R 2 及基板旋轉數R3，係設定為： (ΙΠ ) R 1 < R 2 S R 3。 構成5:如構成4記載之罩幕毛胚之製造方法，其特徵 為：上述旋轉數R2 = 500〜900rpm。 藉由將旋轉數R 2設定於上述範圍，以便進一步減低除 12 312/發明說明書(補件)/93-06/93108837 1247970 去幅度不均，可獲得防止已溶解之光阻向基板外側飛散， 在碰及設於不要膜除去裝置外側的杯部反彈等而再度黏附 於罩蓋元件或基板的缺陷形成的罩幕毛胚。 構成6 :如構成2至5項中任一項記載之罩幕毛胚之製 造方法，其特徵為：上述旋轉數R3係為1000 rpm以上、 3000rpm 以下。 藉由設為1000 rpm以上，可提高藉藥液除去光阻膜的 區域快速乾燥的處理量，藉由設為3000rpm以下，可避免 罩蓋元件從基板脫離的危險性。 構成7 :如構成1至6項中任一項記載之罩幕毛胚之製 造方法，其特徵為：上述間隙係設定為使上述藥液滲透進 入上述間隙且流入上述間隙中，並且可僅保持於上述間隙 中的大小。 在基板主表面之除去區域中，形成於罩蓋元件與基板主 表面之間的間隙，係設定為使藥液滲透進入間隙而流入間 隙中，並且可僅保持於間隙中的大小。藉由如此之設定， 利用藥液之表面張力的作用及基板旋轉時之離心力的作 用，可確實且正確地將藥液供應給基板主表面之指定部位。 構成8 :如構成1至7項中任一項記載之罩幕毛胚之製 造方法，其特徵為··上述罩蓋元件，係於上述除去區域以 外之非除去區域，用以覆蓋形成有較上述間隙大的空間的 上述主表面之構造。 如此般，藉由罩蓋元件覆蓋基板之主表面之構造，可防 止來自基板上方的氣流產生的對光阻膜的熱影響，又，在 13 312/發明說明書(補件)/93-06/93108837 1247970 非除去區域中，藉由形成較除去區域之間隙大的空間，可 防止藥液侵入非除去區域。 構成9 :如構成1至8項中任一項記載之罩幕毛胚之製 造方法，其特徵為：從上述罩蓋元件的上方供給上述藥液， 通過設於上述罩蓋元件的藥液通路，將上述藥液供給於上 述不要的光阻。 如此般，藉由從罩蓋元件的上方供給藥液，通過設於罩 蓋元件的藥液通路，將藥液供給於不要的光阻，因此可抑 制藥液的消耗量，可除去不要的光阻膜。 構成1 0 :如構成1至9項中任一項記載之罩幕毛胚之製 造方法，其特徵為：上述藥液通路，係將藥液供給於對應 上述罩蓋元件的不要光阻膜部分的位置的藥液供應通路， 或是在上述罩蓋元件的外側設置藥液導引元件，將上述罩 蓋元件與上述藥液導引元件之間形成為藥液通路。 如此般，藉由將藥液供給於對應於不要光阻膜部分的位 置用的藥液供應通路，或是，在罩蓋元件的外側設置藥液 導引元件，將罩蓋元件與藥液導引元件之間形成為藥液通 路，可確實將藥液供給於不要光阻膜部分，因此可嚴密控 制光阻膜的除去區域。 構成11: 一種轉印罩幕之製造方法，其特徵為：使用藉 由構成1至10項中任一項記載之罩幕毛胚之製造方法所獲 得的罩幕毛胚，圖案加工上述薄膜並於上述基板上形成轉 印圖案。 使用藉由構成1至10項中之罩幕毛胚之製造方法所獲 14 312/發明說明書(補件)/93-06/93108837 1247970 得的罩幕毛胚來製作轉印罩幕，可獲得無起因於除去光阻 膜後之隆起的對準標記或Q A圖案（品質保證圖案）、條碼圖 案等形成於基板周緣部的圖案的圖案不良的良好轉印圖 案。 【實施方式】 以下，參照圖式說明本發明之實施形態。圖1為顯示在 實施形態例之不要膜除去步驟所使用的不要膜除去裝置的 構造的側别面圖。圖2及圖3為圖1之局部擴大剖面圖。 圖4為在實施例之不要膜除去步驟所使用的不要膜除去裝 置的分解斜視圖。圖5為取橫軸為時間，縱軸為旋轉數， 顯示實施形態例之基板旋轉數的時間變化的圖。 圖1至圖4中，基板1 0係於合成石英玻璃組成的透光 性基板（1 5 2 . 4 m in X 1 5 2 . 4 in in X 6 . 3 5 ni in ) 1 1的表面形成有鉻組 成的遮光膜1 2，並於該遮光膜1 2上利用旋塗法形成厚度 4 0 0 0埃的未烘乾狀態的光阻膜1 3的罩幕毛胚。 由罩蓋元件3 0覆蓋載置保持於旋轉台2 0上的基板1 0 的上面側，從此罩蓋元件的上方利用喷嘴4 0喷出使光阻膜 溶解之藥液5 0，通過罩蓋元件3 0的藥液供應口供給於不 要膜部分1 3 a並溶解除去此部分的膜。 罩蓋元件3 0係以從上方覆下的方式覆蓋基板1 0，從中 心部至周邊的大部分為平坦部3 2。從該平坦部3 2至外周 部形成有傾斜部3 3，從該傾斜部3 3再向外周部形成有周 邊平坦部34，此周邊平坦部34的外周端被向下方略垂直 彎曲，形成有側面部35。 15 312/發明說明書(補件)/93-06/93108837 1247970 在周邊平坦部3 4形成有多數之為貫穿孔的藥液供應孔 3 1。該藥液供應孔3 1係依據藥液5 0的黏度等而選定適宜 形狀、大小及形成間隔。也就是說，孔形狀可為正方形、 長方形、圓形、橢圓形等的各種形狀。孔的大小係設定為 以一定的供給速度供應藥液且均勻地供給不要膜部分1 3 a 的大小。另外，孔彼此間的間隙係設定為從藥液供應孔3 1 所供給的藥液無間隙地行進而進入不要膜部分1 3 a全體的 間隔。 與從罩蓋元件3 0之中心部至周邊的大部分平坦部3 2内 壁相向的基板表面的區域，係必要的光阻膜1 3的區域（不 要膜部分1 3 a以外的區域），在此區域中，在基板表面與罩 蓋元件之間，以依據藥液之表面張力不活動的方式，將罩 蓋元件3 0的内壁與基板1 0表面之間的間隙設為較後述之 d 1還要大。然後，將該間隔之大小作為d 3，d 3係以光阻 膜1 3之溫度分布不受來自罩蓋元件3 0的内壁面的熱傳導 的影響的方式設為較指定以上大，並且，以在間隙產生氣 體對流且由此對流於基板主表面的光阻膜1 3不產生溫度 分布的方式設定為較指定以下小的值d3。 如圖1、圖2所示，在藥液供應孔31中適宜的數處通過 具有耐藥液性（例如、樹脂系）的繩線6 0，以便介於罩蓋元 件3 0的内壁與基板1 0表面之間來設定此等間隙的大小。 也就是說，該繩線6 0通過藥液供應孔3 1，通過周邊平坦 部3 4的内壁與基板1 0表面之間及側面部3 5的内壁與基板 1 0側面之間，再通過罩蓋元件3 0的側面部3 5的外側形成 16 312/發明說明書(補件)/93-06/93〗08837 1247970 環狀。 繩線6 0的粗細係設定為將周邊平坦部3 4的内壁與基板 1 0主表面之間隙的大小d 1，在將藥液供給此間隙時，藉由 藥液的表面張力與基板的離心力的作用，藥液可傳導於間 隙中並於間隙中擴散的大小。 另夕卜，側面部3 5的内壁與基板1 0側面之間隙的大小 d 2，只要為可使藥液邊接觸於光阻膜邊通過該間隙的大小 即可。 另外，如圖1、圖3所示，在基板1 0的下方還設有藥液 供給用的噴嘴4 0 a，從該噴嘴4 0 a供給藥液5 0 a，可確實進 行不要膜部分1 3 a的除去。 另外，參照圖4說明旋轉台2 0、旋轉軸21、支持腕2 2 及保持台座2 3。 參照圖4，說明基板1 0被保持於旋轉台2 0上的狀態。 旋轉台2 0係於具有安裝於旋轉軸2 1之4根沿水平方向放 射狀延伸的支持腕2 2、及設於各支持腕2 2的前端部的一 對保持台座2 3的保持台座2 3上，配置基板1 0的4角並予 以保持者。旋轉軸2 1係結合於未圖示之旋轉驅動裝置，以 所期望的旋轉數進行旋轉。覆蓋有罩蓋元件3 0的基板1 0 係保持於旋轉台2 0上邊旋轉邊進行處理。又，圖4所示之 附有元件符號的各部分，與圖1至圖3中已說明者相同。 接著，說明即使在使用多種類的光阻的情況，仍可製造 抑制基板周緣部之除去光阻膜後的隆起，並且無光阻殘渣 的罩幕毛胚的實施形態例。 17 3丨2/發明說明書(補件)/93-06/93丨08837 1247970 (高分子型光阻的情況） 高分子型光阻的光阻液，一般係包含以二甘醇二甲基 醚、茴香醚、曱基醋酸溶纖劑、環己酮中任一者作為溶劑 者，其光阻之黏度（原液）若超過l〇cp(也有超過40cp者） 而較高時，不易利用藥液溶解（溶解速度緩慢）。因此基板 旋轉數R 1最好以不輸於藉旋轉之離心力而可於所有間隙 均良好地進入藥液的方式設定為低旋轉數，以使藥液可良 好地進入所有間隙。 但是，若基板旋轉數R1太低時，因為旋轉離心力弱， 造成藥液滲透入基板中央部，光阻因浸潤而形成隆起。但 若因此而太過增加基板的旋轉數R 1時，則有輸給旋轉離心 力，使得藥液無法良好地進入所有間隙，而無法完全溶解 形成於基板周緣部的光阻。 考慮到上述諸點，包含上述溶劑之光阻的基板旋轉數 R 1，最好設定為： (I )R1=100~ 500rpm ° 另外，基板的旋轉時間T 1係為藉藥液直到光阻溶解為 止的時間。T1較好為20sec以上。更好為20〜45sec。若 T1之時間過長，雖然無光阻殘渣的產生，但其處理量降 低，更且藥液長時間處在除去基板周緣部的光阻後的光阻 膜剖面，使得光阻受到浸潤而形成隆起，因此較不理想。 另外，若基板旋轉數R2太低時，已溶解之光阻滲透入 基板中央部，因光阻浸潤而形成隆起，或是已溶解之光阻 無法從基板外側除去而殘留形成為光阻殘渣。 18 312/發明說明書(補件)/93-06/93108837 1247970 因此，包含上述溶劑之光阻的基板旋轉數R 2，最好設定 為： (Π )R2^ 300rpmo 另外，從可防止已溶解之光阻向基板外側飛散，在碰及 設於不要膜除去裝置外側的杯部而反彈，再度黏附於罩蓋 元件或基板而形成缺陷的觀點考慮，旋轉數R 2最好設定為 lOOOrpm 以下。 又，在藉由沿著基板主表面之周緣部各邊的方向上的已 溶解之光阻膜的旋轉所產生的離心力差，以減低基板各邊 之除去幅度不均，防止缺陷方面，最好將旋轉數設為 R2=300〜600rpm 〇 另外，基板的旋轉時間T 2係為直到基板周緣部之已溶 解的光阻完全被從基板外側除去為止的時間，T 2較好為 1 0 s e c以上〇 若T2之時間過長，雖然無光阻殘渣的產生，但招致其 處理量降低，因此最好設為2 5 s e c以下。 另外，從基板旋轉數R1、基板旋轉數R 2及基板旋轉數 R 3，使得由藥液所溶解之光阻不殘留於基板周緣部，而從 基板外側除去的觀點考慮，必須將R 2設為較R1高。另外， 從防止未完全於基板外側除去而殘留的已溶解之光阻滲透 入基板中央部的觀點考慮，只要設為R 3大於R 2即可。因 此，考慮到以上種種情況，基板旋轉數R1、基板旋轉數R 2 及基板旋轉數R 3，最好設定為： (m ) R 1 < R 2 S R 3。 19 312/發明說明書(補件)/93-06/93108 837 1247970 另夕卜，基板旋轉數R 3係設為1 0 0 0 r p m以上為佳，以便 容易乾燥。但是，在單單由罩蓋元件覆蓋基板的狀態且非 為固定的狀態的情況，若增加旋轉數則有脫離的可能性。 因此從安全性的觀點考慮，最好設為3 0 0 0 r p in以下。 又，基板的旋轉時間T 3係為直到基板周緣部之被除去 區域完全乾燥為止的時間，T 3最好為3 0 s e c以上。 (高分子型光阻以外的光阻的情況） 包含以丙二醇甲聚乙醚乙酸酯、丙二醇曱聚乙醚、曱基 異戊酮中任一者作為溶劑者，一般其光阻之黏度（原液）若 低於5 c p而較低時，與上述高分子型光阻相比較，則容易 利用藥液溶解（溶解速度快）。即使有旋轉之離心力，也容 易進入間隙之基板中央部，因此，調整基板旋轉數R 1成為 使藥液良好地進入全部間隙，且無滲透於基板中央部的程 度。 也就是說，若基板旋轉數R 1太低時，因為旋轉離心力 弱，造成藥液滲透入基板中央部，光阻因浸潤而形成隆起。 但若因此而太過增加基板的旋轉數R 1時，則有輸給旋轉離 心力，使得藥液無法良好地進入間隙，而無法溶解形光阻。 考慮到上述諸點，包含上述溶劑之光阻的基板旋轉數 R 1，最好設定為： (I ) R 1 = 4 0 0 〜8 0 0 r p 丨丨1 〇 另外，基板的旋轉時間T 1係為藉藥液直到光阻溶解為 止的時間。丁 1較好為5 s e c以上。更好為5〜2 5 s e c。若T 1 之時間過長，雖然無光阻殘渣的產生，但其處理量降低， 20 312/發明說明觀補件)/93-06/93108837 1247970 更且藥液長時間處在除去基板周緣部的光阻後的光阻膜剖 面，使得該部分的光阻受到浸潤而形成隆起，因此較不理 想。 另外，若基板旋轉數R 2太低時，已溶解之光阻滲透入 基板中央部，因光阻浸潤而形成隆起，或是已溶解之光阻 無法從基板外側除去而殘留形成為光阻殘渣。 因此，包含上述溶劑之光阻的基板旋轉數R2，最好設定 為： (Π ) R 2 g 5 0 0 r p in。 另外，從可防止已溶解之光阻向基板外側飛散，在碰及 設於不要膜除去裝置外側的杯部而反彈，再度黏附於罩蓋 元件或基板的觀點考慮，旋轉數R 2最好設定為1 0 0 0 r p in 以下 。 又，在藉由沿著基板主表面之周緣部各邊的方向上的已 溶解之光阻膜的旋轉所產生的離心力差，以減低基板各邊 之除去幅度不均，防止缺陷方面，最好將旋轉數R2設為 R2=500〜900rpm 〇 另外，基板的旋轉時間T2係為直到基板周緣部之已溶 解的光阻完全被從基板外側除去為止的時間，T2較好為 3 s e c以上 ° 若T2之時間過長，雖然無光阻殘渣的產生，但招致其 處理量降低，因此最好設為2 0 s e c以下。 另外，從基板旋轉數R1、基板旋轉數R 2及基板旋轉數 R 3，使得由藥液所溶解之光阻不殘留於基板周緣部，而從 21 312/發明說明書(補件)/93-06/93丨08837 1247970 基板外側除去的觀點考慮，必須將R 2設為較R 1高。另外， 從防止未完全於基板外側除去而殘留的已溶解之光阻滲透 入基板中央部的觀點考慮，只要設為R 3大於R 2即可。因 此，考慮到以上種種情況，基板旋轉數R 1、基板旋轉數R 2 及基板旋轉數R 3，最好設定為： (1Π ) R 1 < R 2 S R 3。 另外，基板旋轉數R 3係設為1 0 0 0 r p m以上為佳，以便 容易乾燥。但是，在單單由罩蓋元件覆蓋基板的狀態且非 為固定的狀態的情況，若增加旋轉數則有脫離的可能性。 因此從安全性的觀點考慮，最好設為3 0 0 0 r p m以下。 又，基板的旋轉時間T 3係為直到基板周緣部之被除去 區域完全乾燥為止的時間，T3最好為20sec以上。 (高分子型光阻及共通其以外的光阻） 在基板主表面之除去區域中，形成於罩蓋元件與基板主 表面之間的間隙，最好設定為使藥液滲透進入間隙且流入 間隙中，並且可僅保持於間隙中的大小。藉由如此之設定， 利用藥液之表面張力的作用及基板旋轉時產生之離心力的 作用力，可確實且正確地將藥液供應給基板主表面之指定 部位。間隙之大小係設定為0 · 0 5 m m以上、3 m m以下的範圍。 若未滿0. 05mm或超過3mm時，藥液滲透進入間隙且僅於間 隙中擴散之情況變得困難，而有產生無法除去之部分，或 除去之部分與其他的部分的境界變成鋸齒狀之情況。 然後，使用藉由上述罩幕毛胚之製造方法所獲得的罩幕 毛胚來製作轉印罩幕，可獲得無起因於除去光阻膜後之隆 22 312/發明說明書(補件)/93-06/93108837 1247970 起的對準標記或Q A圖案（品質保證圖案）、條碼圖案等形成 於基板周緣部的圖案的圖案不良的良好轉印圖案。 (高分子型光阻之例子） 包含以二甘醇二甲基醚、茴香醚、曱基醋酸溶纖劑、環 己酮中任一者作為溶劑之光阻，一般列舉有高分子型光 阻。高分子型光阻係指分子量為數萬至數十萬以上者，在 市售之光阻中，可列舉出ZEP系列（日本ZeonCorporation 製）、PBS 系列（Chisso Corporation 製）、EBR 系列（東麗 公司製）、0EBR系列（東京應化工業公司製）等。 (高分子型光阻以外的光阻的例子） 包含以丙二醇甲聚乙醚乙酸酯、丙二醇曱聚乙醚、曱基 異戊酮中任一者作為溶劑之光阻中，化學增幅型光阻為其 代表物。作為化學增幅型光阻，其在市售之光阻中，可列 舉出FEP系列（FUJIFILM Arch公司製）、NEB系列（住友化 學工業公司製）、SAL系列（Shipley Company LLC製）、AZ 系列（Nippon Hexal Corporation 製）等。 (藥液通路及藥液之例子） 另外，作為上述藥液通路，係可設置將藥液供給於對應 於罩蓋元件的不要光阻膜部分的位置用的藥液供應孔用作 為藥液通路，又，也可在上述罩蓋元件的外側設置藥液導 引元件，將上述罩蓋元件與上述藥液導引元件之間形成為 藥液通路。 另外，藥液只要為可溶解光阻者即可。例如，可使用可 溶解光阻之酮、S旨、芳香族碳氫化合物、_化碳氫化合物、 23 312/發明說明書(補件)/93-06/93108837 1247970 醚等的溶劑。另外，在鹼顯像型光阻中，可使用鹼顯 作為溶劑。 (罩幕毛胚） 本發明之罩幕毛胚係指透過型罩幕毛胚、反射型罩 胚之任一者，其等構造係於基板上具有成為應轉印於 印體上的轉印圖案的薄膜及光阻膜者。 透過型罩幕毛胚係使用透光性基板作為其基板，形 印圖案的薄膜，係使用對於轉印於被轉印體上時所使 曝光之光可產生光學變化的薄膜（例如，具有遮光機能 膜）的光罩毛胚。在此，對於曝光之光可產生光學變化 膜，係指遮蔽曝光之光的遮光膜或使曝光之光的相位 化的相位移膜等。 另外，具有遮光機能之薄膜係指也包含具有遮光機 相位移機能之半色調（h a 1 f t ο n e )膜。 藉此，透過型罩幕毛胚包含有形成有遮光膜之通常 罩毛胚、形成有半色調膜之半色調型相位移罩幕毛胚 成有相位移膜之相位移罩幕毛胚等。 另外，反射型罩幕毛胚係使用低熱膨脹基板作為其 板，且在該基板上具有光反射多層膜及形成轉印圖案 吸收體膜的罩幕毛胚。 另外，罩幕毛胚除上述膜以外，還可形成光阻襯底 防止月莫（BARC: Bottom Anti-Reflective Coating)、 上層反射防止膜（TARL : Top Anti_Reflective Layer) 阻上層保護膜、導電性膜等的膜。 3丨2/發明說明書(補件)/93-06/93〗08837 像液 幕毛 被轉 成轉 用的 之薄 的薄 差變 能及 的光 及形 基 之光 反射 光阻 、光 24 1247970 以下，一併參照圖5說明使用上述不要膜除去裝置之罩 幕毛胚之製造方法的實施例。 另外，表1、表2顯示該實施例之溶解、除去、乾燥之 各步驟的旋轉數、旋轉時間及各步驟實施後之光阻殘渣、 隆起的評價結果的一覽表。又，在表1、表2中，光阻殘 渣之欄的「〇」，顯示藉由顯微鏡觀察在除去光阻膜之區域 中無光阻殘渣的情況，「X」顯示有光阻殘渣的情況。另外， 隆起之攔的「〇」，顯示在藉由上述之觸針式膜厚測定器測 定所除去之光阻膜13的剖面，製作其後之轉印罩幕時未產 生圖案不良的情況，「X」顯示產生圖案不良的情況。又， 產生圖案不良係最大膜厚之測定結果超過1 5 0 0 0埃者。 又，在以下之實施例中，為便於說明，將不要光阻膜溶 解於藥液之作用大的步驟稱為溶解步驟，藉由基板之旋轉 而於外側除去溶解之光阻膜之作用大的步驟稱為除去步 驟，將乾燥所除去之區域之作用大的步驟稱為乾燥步驟， 但在上述各步驟中，還包含有其他之作用作用中的情況。 (實施例1 ) 本實施例中，作為塗敷於薄膜上之光阻液，係使用含有 將曱基醋酸溶纖劑（M C A )作為溶劑之高分子型光阻（P B S : Chisso Corporation製），藥液係使用MCA(甲基醋酸溶纖 劑）。 首先，將基板10設定於旋轉台20上，並覆蓋罩蓋元件 3 0後，從喷嘴4 0邊調節供給量邊供給藥液50。同時，以 旋轉台2 0之旋轉數R 1 : 2 5 0 r p m、旋轉時間T 1 : 3 0秒進行 25 312/發明說明書(補件)/93-06/93108837 1247970 旋轉。藉此，藥液5 0通過藥液供給孔3 1浸透不要膜部分 1 3 a，溶解不要膜部分1 3 a (溶解步驟）。 其次，停止來自噴嘴4 0之藥液5 0，以旋轉台2 0之旋轉 數R 2 : 4 5 0 r p in、旋轉時間T 2 : 2 ◦秒進行旋轉。藉此，於 基板外側除去溶解之光阻之不要膜（除去步驟）。 再者，以旋轉台2 0之旋轉數R 3 : 1 0 0 0 r p m、旋轉時間： 4 0秒進行旋轉。藉此，將除去不要膜部分1 3 a之區域乾燥 (乾燥步驟）。 再者，從不要膜除去裝置取出基板1 0，施以熱處理（烘 乾處理）得到除去基板周緣部之光阻膜1 3的附有光阻膜之 罩幕毛胚。又，在形成有遮光膜側的基板主表面之光阻膜 的除去幅度，係以光阻膜之除去區域不致涉及基板周邊附 近的圖案的方式，被限於距離基板側面的1 . 5丨丨〗m 士 0 . 3 in丨丨〗以 内，其除去幅度红小且均勻，光阻膜之平均膜厚約為 4 0 0 0 埃。 經由顯微鏡確認除去有光阻膜之區域的結果，無光阻殘 渣而相當良好。 另外，藉由觸針式膜厚測定器（T a y 1 〇 r & Η 〇 b s ο η公司製記 錄步進機）測定除去之光阻膜1 3的剖面的結果，其最大膜 厚約為4 5 0 0埃，隆起約為5 0 0埃。在使用該罩幕毛胚製成 轉印罩幕時，無此光阻膜1 3的隆起所產生的圖案不良及起 塵引起的缺陷不良。表1顯示以上的結果。 (實施例2〜3、比較例1〜5 ) 除將溶解步驟之旋轉數R 1、旋轉時間Τ 1、除去步驟之 26 312/發明說明·(補件)/93-06/93丨08837 1247970 旋轉數R 2、旋轉時間Τ 2、乾燥步驟之旋轉數R 3、旋轉時 間T 3設為表1所示條件外，其餘與實施例1相同製作罩幕 毛胚。 [表1 ]
溶解步驟 除去步驟 乾燥步驟 光阻 殘渣 隆起 旋轉 數R1 (r pm ) 旋轉 時間 T 1 (秒） 旋轉 數R2 (r pm) 旋轉 時間 T 2 (秒） 旋轉 數R3 (r pm) 旋轉 時間 T 3 (秒） 實施例1 250 30 450 20 1000 40 〇 〇 實施例2 1 00 20 300 25 1000 60 〇 〇 實施例3 500 45 1000 8 1200 30 〇 〇 比較例1 80 15 300 25 1000 60 〇 X 比較例2 520 60 300 25 1000 60 X 〇 比較例3 250 30 280 40 1000 60 X X 比較例4 250 30 250 60 1000 60 X X 比較例5 250 30 300 25 250 >90 X X 如表1所示，在不要膜除去步驟中，在溶解步驟、除去 步驟、乾燥步驟之基板的旋轉數進入本發明之範圍的實施 例1〜3中，無光阻殘渣且也未確認有光阻膜剖面之隆起造 成的圖案不良而相當良好。 另一方面，比較例1中，因為其溶解步驟之基板的旋轉 數R1低，藥液較形成於罩蓋元件與基板主表面（不要膜部 分1 3 a )之間的間隙更滲透於内側，因此光阻膜剖面之隆起 變大，成為圖案不良。 另外，比較例2中，因為其溶解步驟之基板的旋轉數R1 高，藥液無法良好地進入形成於罩蓋元件與基板主表面（不 要膜部分1 3 a )之間的間隙，於是產生光阻殘渣。 另外，比較例3、4中，因為其除去步驟之基板的旋轉 數R 2低，無法在基板外側迅速除去在溶解步驟所溶解之光 27 312/發明說明書(補件)/93-06/93108837 1247970 阻而就此殘留，產生光阻殘渣，另外，光阻膜剖面之隆起 變大，成為圖案不良。 另外，比較例5中，因為乾燥步驟之基板的旋轉數R3 較除去步驟之基板的旋轉數R 2還低，無法在基板外側完全 除去而殘留的溶解光阻，滲透於基板的内側，又，因為在 基板外側未被除去而殘留的緣故，產生光阻殘渣，另外， 光阻膜剖面之隆起變大，成為圖案不良。 (實施例4〜6、比較例6〜1 0 ) 本實施例中，塗敷於薄膜上之光阻液，係使用含有以丙 二醇曱聚乙醚乙酸酯（PGMEA)、丙二醇曱聚乙醚（PGME)作 為溶劑的化學增幅型光阻（F E P 1 7 1 ·· F U J I F I L M A r c h公司 製），藥液係使用P G Μ E A (丙二醇曱聚乙醚乙酸酯）與 P G Μ E (丙二醇曱聚乙醚）的混合溶液。 然後，在不要膜除去步驟中，除將溶解步驟之旋轉數 R 1、旋轉時間Τ1、除去步驟之旋轉數R 2、旋轉時間Τ 2 ' 乾燥步驟之旋轉數R 3、旋轉時間Τ 3設為表2所示條件外， 其餘與實施例1相同製作罩幕毛胚。 28 3 12/發明說明書(補件)/93-06/93108837 1247970 [表2]
溶解步驟 除去步驟 乾燥步驟 光阻 殘渣 隆起 旋轉 數R1 (rpm) 旋轉 時間 T1(秒） 旋轉 數R2 (rpm) 旋轉 時間 T2(秒） 旋轉 數R3 (rpm) 旋轉 時間 T3(秒） 實施例4 500 15 750 10 1500 25 〇 〇 實施例5 400 5 500 20 1200 30 〇 〇 實施例6 800 20 1000 5 1000 40 〇 〇 比較例6 380 5 500 20 1200 30 〇 X 比較例7 820 30 500 20 1200 30 X 〇 比較例8 400 5 480 30 1200 30 X X 比較例9 500 15 500 35 1200 30 X X 比較例1 0 400 15 500 20 400 >60 X X 如表2所示，在不要膜除去步驟中，在溶解步驟、除去 步驟、乾燥步驟之基板的旋轉數進入本發明之範圍的實施 例4〜6中，無光阻殘渣且也未確認有光阻膜截面之隆起造 成的圖案不良而相當良好。 另一方面，比較例6中，因為其溶解步驟之基板的旋轉 數R 1低，藥液較形成於罩蓋元件與基板主表面（不要膜部 分1 3 a)之間的間隙更滲透於内側，因此光阻膜剖面之隆起 變大，成為圖案不良。 另外，比較例7中，因為其溶解步驟之基板的旋轉數R1 高，藥液無法良好地進入形成於罩蓋元件與基板主表面（不 要膜部分1 3 a)之間的間隙，於是產生光阻殘渣。 另外，比較例8、9中，因為其除去步驟之基板的旋轉 數R 2低，無法在基板外側迅速除去在溶解步驟所溶解之光 阻而就此殘留，產生光阻殘渣，另外，光阻膜剖面之隆起 變大，成為圖案不良。 另外，比較例1 0中，因為乾燥步驟之基板的旋轉數R 3 29 312/發明說明書(補件)/93-06/93108837 1247970 較除去步驟之基板的旋轉數R 2還低，無法在基板外側完全 除去而殘留的被溶解光阻，滲透於基板的内側，又，因為 在基板外側未被除去而殘留的緣故，產生光阻殘渣，另外， 光阻膜剖面之隆起變大，成為圖案不良。 接著，調查旋轉數R2與除去幅度不均及被溶解之光阻 的再度黏附引起的缺陷的有無的關係。 (實施例7及8 ) 除了在實施例1中，將溶解步驟之基板旋轉數R 1設為 3 0 0 r p m、旋轉時間T 1設為3 5秒、除去步驟之基板旋轉數 R 2設為6 0 0 r p m、旋轉時間T 2設為1 5秒、乾燥步驟之基板 旋轉數R 3設為1 2 0 0 r ρ η〗、旋轉時間T 3設為4 0秒外，其餘 與實施例1相同製作罩幕毛胚（實施例7 )。 另外，除了在實施例4中，將溶解步驟之基板旋轉數R1 設為6 0 0 r p in、旋轉時間Τ 1設為1 5秒、除去步驟之基板旋 轉數R 2設為9 0 0 r p m、旋轉時間T 2設為1 0秒、乾燥步驟 之基板旋轉數R 3設為1 8 0 0 r p in、旋轉時間T 3設為2 0秒外， 其餘與實施例4相同製作罩幕毛胚（實施例8 )。 在上述高分子型光阻的情況，針對實施例1、2、3及7 調查光阻膜之除去幅度不均的結果，被限於1 . 5丨η丨丨】土 0 . 3 1】】丨η 以内，其除去幅度不均小且均勻。另外，在實施例3中， 因旋轉數R 2高，使得基板之角部的除去幅度增大，成為 1 · 0 (最小除去幅度）〜2 · 0丨11 m (最大除去幅度）（1 · 5 in m 士 0 · 5 in ηι) 而造成其除去幅度不均變大。另外，藉由缺陷檢查裝置未 發現有基板表面之光阻的再度黏附引起的缺陷。 30 3丨2/發明說明截補件)/93-06/93丨08837 1247970 在上述化學增幅型光阻的情況，針對實施例4、5、6及 8調查光阻膜之除去幅度不均的結果，被限於1.5mm 士 0.3min 以内，其除去幅度不均小且均勻。另外，在實施例6中， 因旋轉數R 2高，使得基板之角部的除去幅度增大，成為 0· 8(最小除去幅度）〜2· 2mm(最大除去幅度）（1. 5mm±0 · 7mm) 而造成其除去幅度不均變大。另外，藉由缺陷檢查裝置未 發現有基板表面之光阻的再度黏附引起的缺陷。 又，針對包含以上述實施例中所列舉以外之二甘醇二甲 基醚、茴香醚、曱基醋酸溶纖劑、環己酮中任一者作為溶 劑之高分子型光阻之ZEP系列（日本Zeon Corporation 製）、EBR系列（東麗公司製）、0EBR系列（東京應化工業公 司製）；及包含以丙二醇曱聚乙醚乙酸酯、丙二醇曱聚乙 醚、甲基異戊酮中任一者作為溶劑之光阻之N E B系列（住友 化學工業公司製）、SAL系列（Shipley Company LLC製）、 AZ系列（Nippon Hexal Corporation製），且可確認上述實 施例所示之效果。 從上述結果，不要膜除去步驟中之溶解步驟、除去步 驟、乾燥步驟之基板旋轉數R 1、R 2、R 3，在使用包含以上 述實施例中所列舉以外之二甘醇二甲基醚、茴香醚、甲基 醋酸溶纖劑、環己酮中任一者作為溶劑之光阻的情況，藉 由設定為 Rl = 100 〜500rpm、R2g 300rpm、R1<R2$R3，在 使用包含以丙二醇曱聚乙醚乙酸酯、丙二醇甲聚乙醚、曱 基異戊酮中任一者作為溶劑之光阻的情況，藉由設定為 Rl=400 〜800rpm、R2^ 500rpm ' Rl< R2S R3，可抑制除去 31 312/發明說明書(補件)/93-06/93108837 1247970 基板周緣部之光阻膜後的隆起，且可獲得無光阻殘渣的罩 幕毛胚，還可獲得無圖案不良的轉印罩幕。 又，在使用包含二甘醇二曱基醚、菌香醚、曱基醋酸溶 纖劑、環己酮中任一者作為溶劑之光阻的情況，藉由設定 上述旋轉數R2為R2 = 300〜6 0 0 rpm，另外，在使用包含以 丙二醇曱聚乙醚乙酸酯、丙二醇甲聚乙醚、甲基異戊酮中 任一者作為溶劑之光阻的情況，藉由設定上述旋轉數R 2 為R2 = 500〜900rpm，可減低基板各邊之除去幅度不均，可 獲得防止溶解之光阻的再度黏附引起的缺陷的罩幕毛胚。 又，在上述實施例中，溶解步驟、除去步驟、乾燥步驟 係各進行一次，但作為其他之應用例也可反覆進行數次。 參照圖6說明反覆進行數次各步驟的情況的處理。 圖6與圖5相同，係取橫轴為時間，縱軸為旋轉數，顯 示實施形態例之基板旋轉數的時間變化的圖。圖6 ( a )顯示 進行溶解步驟—除去步驟—乾燥步驟—溶解步驟—除去步 驟—乾燥步驟的情況，圖6 ( b )顯示進行溶解步驟—除去步 驟—溶解步驟—除去步驟—乾燥步驟的情況。 在反覆數次進行各處理的情況，如圖6 ( a )所示，可為溶 解步驟除去步驟—乾燥步驟—溶解步驟—除去步驟—乾 燥步驟，以可如圖6 ( b)之溶解步驟—除去步驟—溶解步驟 —除去步驟—乾燥步驟，只有乾燥步驟可於最後進行。反 覆數次進行上述構成（1 )、（ 2 )之基板的旋轉時間T 1 (溶解 步驟）、旋轉時間T 2 (除去步驟）、旋轉時間T 3 (乾燥步驟） 的各處理之情況，係指不要膜除去步驟之各步驟的合計旋 32 312/發明說明書(補件)/93-06/93108837 1247970 轉時間。也就是說，在圖6 ( a )中，若為溶解步驟（旋轉數 R 1、旋轉時間T 1 a )—除去步驟（旋轉數R 2、旋轉時間T 2 a ) —乾燥步驟（旋轉數R 3、旋轉時間T 3 a )—溶解步驟（旋轉數 R 1、旋轉時間T 1 b )—除去步驟（旋轉數1?2、旋轉時間丁213) —乾燥步驟（旋轉數R 3、旋轉時間T 3 b )，貝|J T 1 = T 1 a + T 1 b， T2 = T2a+T2b。圖 6(b)也相同。又，T3 = T3a+T3b。 經由反覆數次進行各處理，除去不要膜部分之後的光阻 膜的剖面形狀良好，故較為理想。又，在反覆數次進行的 情況，以2〜5次為較佳。 又，上述實施例中，以特定之光阻為例進行了說明，但 可應用本發明之光阻並不侷限於此。亦可為上述光阻以外 之高分子型光阻、化學增幅型光阻等的任何光阻，也可為 正型及負型之任一者。 又，上述實施例中，在熱處理步驟前進行不要膜除去步 驟，但是只要在熱處理後可藉由藥液除去，也可在熱處理 步驟後進行不要膜除去步驟。 又，上述實施例中，作為罩蓋元件列舉有覆蓋基板主表 面之構造的罩蓋元件，但並不侷限於此，只要為在基板主 表面之除去區域中形成一定間隙者即可，也可為將對應罩 蓋元件之非除去區域的指定部位（也可為對應於非除去區 域的部位）開放的構造。 (產業上之可利用性） 根據本發明之罩幕毛胚之製造方法，即使為任何種類的 光阻，仍可獲得抑制除去基板周緣部之光阻膜後的隆起， 33 3丨2/發明說明復(補件)/93-06/93108837 1247970 且無光阻殘潰的罩幕毛胚。另外，即使為使用任何種類的 光阻的情況，仍可獲得抑制除去基板周緣部之光阻膜後的 隆起，且無光阻的殘渣，進而抑制除去幅度不均，且可防 止所溶解之光阻的再度黏附的缺陷的罩幕毛胚。藉此，使 用由此製造方法所製作的罩幕毛胚所製作之轉印罩幕，也 可防止形成於基板周緣部附近之輔助圖案的圖案不良。 【圖式簡單說明】 圖1為顯示在實施例之不要膜除去步驟所使用的不要膜 除去裝置的構造的側剖面圖。 圖2為圖1之局部擴大剖面圖。 圖3為圖1之局部擴大剖面圖。 圖4為在實施例之不要膜除去步驟所使用的不要膜除去 裝置的分解斜視圖。 圖5為顯示實施例之基板旋轉數的時間變化的圖。 圖6 ( a )、（ b )為顯示其他應用例之基板旋轉數的時間變 化的圖。 圖7為顯示在習知技術中進行不要膜除去之情況所獲得 的罩幕毛胚的端部擴大圖。 (元件符號說明） 10 基板（罩幕毛胚） 11 透光性基板 12 遮光膜 13 光阻膜 13a 不要膜部分 34 312/發明說明書(補件)/93-06/93108837 1247970 13b 光阻之隆起 13c 光阻殘渣 20 旋轉台 2 1 旋轉軸 2 2 支持腕 23 保持台座 30 罩蓋元件 3 1 藥液供應孔
3 2 平坦部 33 傾斜部 34 周邊平坦部 35 側面部 4 0 噴嘴 4 0a 喷嘴 50 藥液
6 0 繩線 35 312/發明說明書(補件)/93-06/93108837