JP2007279368A - 非化学増幅主鎖分解型ポジ型レジスト組成物 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】露光により主鎖が分解して現像液に対する溶解性が増大するベース樹脂成分(A)と、ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル化合物(B)を含有することを特徴とする非化学増幅主鎖分解型ポジ型レジスト組成物。
【選択図】無し
Description
非化学増幅主鎖分解型ポジ型レジスト組成物とは、特許文献1、2に記載されている様に、例えば(メタ)アクリル酸エステルから得られる構成単位を主成分とするアクリル系ポリマーやイソプロペニルケトン系ポリマーをベース樹脂成分として用いたレジスト組成物である。これらの非化学増幅主鎖分解型ポジ型レジスト組成物は、紫外線(例えば波長100〜400nmから選ばれる波長帯域の光)を照射すると、ベース樹脂成分を構成する前記構成単位のカルボニル基の前後の一方又は両方の結合が切れてベース樹脂成分自体が分解(開裂)することにより、現像液に対する溶解性が増大する特性を利用したものである。
なお、(メタ)アクリル酸エステルはアクリル酸エステルとメタクリル酸エステルの一方あるいは両方を示す。
まず、図1(a)に示す様に基板1を加工する。すなわち基板1の一面全体に保護膜2Aを設ける。ついで、当該保護膜2Aの上に基板処理層2Bと基板処理層2Cを順次積層する。このとき、保護膜2Aの中央部分は基板処理層2Bと基板処理層2Cを設けず、保護膜2Aが露出した状態としておく。
第1のパターン3は、基板1の上に、保護膜2A等を介して、上下面が円形で、側断面台形状の2つの凸部3a、3aが間隔をおいて配置された形状を有する。
ついで、このレジスト層について、マスク11を介して選択的露光、現像、リンス等の処理を行うと、露光した部分が現像液に可溶性の性質から不溶性の性質に変化し、未露光の部分が現像によって除去されてネガ型レジスト組成物からなる第2のパターン4が形成される。露光光は、例えば波長100〜400nmから選択される紫外光やその混在波が用いられる。
第2のパターン4は、前記凸部3a、3aを覆う略シート状であり、かつ当該凸部3a、3aの上に、それぞれ凸部3a、3aの上面の直径よりも小さい直径の上下面を有する、凹部(空洞)4a、4aが配置された形状となっている。
さらに、図1(e)に示した様に、ウェットエッチングによって基板1の中心部分の一部を除去し、基板1の側壁と保護膜2Aによって囲まれた凹部1aを形成する。このとき除去する部分は、基板1において、ふたつの凸部3a、3aの下方に位置する部分の一部と、これら凸部3a、3aの間に位置する部分とされる。エッチングが終了した後、エッチング保護膜5も除去する。
そして、これらの2つの空洞と、これらにそれぞれ連続する凹部4a、4aが、プリンターのノズルにおいてインクが通過する部分となる。
本発明の非化学増幅主鎖分解型ポジ型レジスト組成物は、露光により主鎖が分解して現像液に対する溶解性が増大するベース樹脂成分(A)[以下、(A)成分という]と、ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル化合物(B)[以下、(B)成分という]を含有することを特徴とする。
なお、本特許請求の範囲及び明細書において、「構成単位」とは、ポリマー(樹脂)を構成するモノマー単位を示す。
又、プリンターのノズルを不具合なく形成できる非化学増幅主鎖分解型ポジ型レジスト組成物を提供できる。
本発明においては非化学増幅主鎖分解型ポジ型レジスト組成物に、特定の化合物[ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル化合物(B)]を配合することにより、上記の様な第2のパターンの劣化を防ぐことができ、プリンターのノズルを不具合なく形成できる。
このようなナフトキノンジアジドスルホン酸エステル化合物は、第2のパターンを形成する際の露光光に対する良好な吸収能を有しており、非化学増幅主鎖分解型ポジ型レジスト組成物からなるパターンに対する上記露光光の悪影響を防ぐことができる。
このようなナフトキノンジアジドスルホン酸エステル化合物としては、ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル基を有していれば特に限定されない。そのようなものとしては、フェノール性化合物とナフトキノンジアジドスルホン酸のエステルが挙げられる。
例えば、ビス(4−ヒドロキシフェニル)メタン、ビス(2,3,4−トリヒドロキシフェニル)メタン、2−(4−ヒドロキシフェニル)−2−(4’−ヒドロキシフェニル)プロパン、2−(2,3,4−トリヒドロキシフェニル)−2−(2’,3’,4’−トリヒドロキシフェニル)プロパン、トリス(4−ヒドロキシフェニル)メタン、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジメチルフェニル)−2−ヒドロキシフェニルメタン、ビス(4−ヒドロキシ−2,5−ジメチルフェニル)−2−ヒドロキシフェニルメタン、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジメチルフェニル)−3,4−ジヒドロキシフェニルメタン、ビス(4−ヒドロキシ−2,5−ジメチルフェニル)−3,4−ジヒドロキシフェニルメタン、ビス(4−ヒドロキシ−3−メチルフェニル)−3,4−ジヒドロキシフェニルメタン、ビス(3−シクロヘキシル−4−ヒドロキシ−6−メチルフェニル)−4−ヒドロキシフェニルメタン、ビス(3−シクロヘキシル−4−ヒドロキシ−6−メチルフェニル)−3,4−ジヒドロキシフェニルメタン、1−[1−(4−ヒドロキシフェニル)イソプロピル]−4−[1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)エチル]ベンゼン、フェノール、m−クレゾール、p−クレゾール又はキシレノール等のフェノール類のホルマリン縮合物の2、3、4核体等が挙げられる。
R1は、水素原子、低級アルキル基又は前記化学式(2)で表される基である。
R1において、低級アルキル基としては、炭素数1〜5の直鎖又は分岐状のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基等が挙げられる。中でもメチル基が好ましい。又、R1において、前記化学式(2)以外の基としては、低級アルキル基が好ましく、中でもメチル基が好ましい。
又、nが2又は3となるとき、複数のR1同士は、同一でも異なってもよい。
R2は、水素原子、低級アルキル基又は前記化学式(2)で表される基である。低級アルキル基や前記化学式(2)以外の基については、R1と同様である。
又、mが2又は3となるとき、複数のR2同士は、同一でも異なってもよい。
そして、R1とR2のうち、1つ以上は、前記化学式(2)で表される基である。化学式(2)で表される基の数の上限値は6であるが、その数として好ましいのは1又は2である。
一般式(3)においては、D1、D2が結合してるが、これらのうち、少なくとも1つが前記化学式(4)で表される基であればよく、一方が化学式(4)で表される基に替えて、水素原子であってもよい。通常、D1、D2のうち、ひとつが前記化学式(4)で表される基である化合物と、D1、D2がいずれも前記化学式(4)で表される基である化合物との混合物が好適に用いられる。
(B)成分を適度な量で配合することにより、第2のパターンの劣化を防ぐことができるという効果が得られる。特に上限値以下とすることにより、第1のパターンを形成する際の障害にならず、低感度化、形状の悪化等を防ぐことができる。又エッジリンスの操作性の低下等を防ぐことができる。下限値以上とすることにより充分効果が得られる。
なお、(B)成分の配合量を適宜調整すると、非化学増幅主鎖分解型ポジ型レジスト組成物の感度を比較的自由に調整することができる、
(B)成分は1種又は2種以上混合して用いることができる。
本発明においける(A)成分は、露光により主鎖が分解して現像液に対する溶解性が増大するベース樹脂成分(A)である。このような樹脂成分は、特許文献1又は2にもあるように既に公知であり、任意に用いることができる。
このような(A)成分はとしては、(メタ)アクリル酸エステルから得られる構成単位を主成分とするアクリル系ポリマーやイソプロペニルケトン系ポリマーが挙げられる。これらの樹脂は紫外線(例えば波長100〜400nmから選ばれる波長帯域の光、好ましくは遠紫外光〜中紫外光(例えば200nm〜350nm)を照射すると、カルボニル基の両側の一方又は両方の結合が切れて樹脂成分自体が分解することにより、現像液に対する溶解性が増大する。
特に好ましい(A)成分は、感度等の点から、主鎖が開裂するタイプの構成単位のカルボニル基の両側の一方あるいは両方に、第3級炭素原子が結合している構成単位を含むものであり、さらにはかかる構成単位を主成分とするものである。
R11は水酸基、アルキル基、又はアリール基である。アルキル基としては、炭素数1〜5の直鎖状又は分岐鎖状の低級アルキル基が好ましい。中でもメチル基、tert-ブチル基が好適である。
アリール基としては、炭素数6〜15であることが好ましく、フェニル基、ナフチル基等が挙げられる。
これらの中では低級アルキル基、フェニル基が好ましく、さらにメチル基が好ましい。
R12は水酸基、アルキル基、又はアリール基である。アルキル基としては、炭素数1〜5の直鎖状又は分岐鎖状の低級アルキル基が好ましい。中でも特にメチル基、エチル基、プロピル基、tert−ブチル基、n−ブチル基が好適である。
アリール基としては、炭素数6〜15であることが好ましく、フェニル基、ナフチル基等が挙げられる。
これらの中ではメチル基、エチル基、プロピル基が好ましい。
(A)成分は1種又は2種以上混合して用いることができる。
本発明の非化学増幅主鎖分解型ポジ型レジスト組成物は、(A)成分、(B)成分及びその他任意の成分を、有機溶剤に溶解して使用することが好ましい。
有機溶剤としては、エチルセルソルブ等のセルソルブ系溶剤、シクロヘキサノン等が挙げられ、1種又は2種以上を任意に選択可能である。
有機溶剤の使用量は特に限定せず、基板等に塗布可能な濃度で、塗布膜厚に応じて適宜設定されるものであるが、一般的にはレジスト組成物の固形分濃度2〜20質量%、好ましくは5〜15質量%の範囲内とされる。
本発明の非化学増幅主鎖分解型ポジ型レジスト組成物には、その他任意の添加剤が配合可能である。例えば安定剤としてヒドロキノン等、感度向上剤としてベンゾフェノン化合物等が配合できる。
以下、非化学増幅主鎖分解型ポジ型レジスト組成物の使用方法例について、図1(a)〜図1(f)を利用して説明する。
まず、図1(a)に示す様に基板1を加工する。すなわち基板1の一面全体に保護膜2Aを設ける。ついで、当該保護膜2Aの上に基板処理層2Bと基板処理層2Cを順次積層する。このとき、保護膜2Aの中央部分は基板処理層2Bと基板処理層2Cを設けず、保護膜2Aが露出した状態に加工する。基板1としては、シリコン基板が挙げられ、保護膜2A、2Bは例えば酸化ケイ素膜、有機膜、タンタル等から形成する。
露光光としては、例えば波長100〜400nmの幅の範囲から選択され、好ましくは遠紫外光〜中紫外光(波長200〜350nm)が用いられる。
現像液としては、比較的極性の高い有機溶剤が好適に用いられる。例えばケトン系溶剤、アルコール系溶剤、エステル系溶剤等が用いられる。好ましくは、メチルセルソルブ、エチルセルソルブ等のセルソルブ系溶剤;ジエチルケトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等の低級ケトン:酢酸の低級アルキルエステル;メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール等の低級アルコール等から選ばれる1種又は2種以上が用いられる。
リンス液としては、例えばキシレン、イソプロピルアルコール等が用いられる。
ついで、このレジスト層について、マスク11を介して選択的露光、現像、リンス等の処理を行うと、露光した部分が現像液に可溶性の性質から不溶性の性質に変化し、未露光の部分が現像によって除去されてネガ型レジスト組成物からなる第2のパターン4が形成される。露光光としては、例えば波長100〜400nmから選択され、通常波長300〜365nmの範囲の光等が用いられる。
現像液は第1のパターン3形成時と同様のものが用いられる。
第2のパターン4は、前記凸部3a、3aを覆う略シート状で、かつ当該凸部3a、3aの上に、それぞれ凸部3a、3aの上面の直径よりも小さい直径の上下面を有する凹部(空洞)4a、4aが配置された形状とされる。
さらに、図1(e)に示した様に、ウェットエッチングによって基板1の下部の一部を除去し、基板1の側壁と保護膜2Aによって囲まれた凹部1aを形成する。ウェットエッチングの条件は、例えばエッチング液として塩酸、フッ酸等の酸系エッチャントを用い、約100℃、約10〜12時間とされる。このとき除去する部分は、基板1において、ふたつの凸部3a、3aの下に位置する部分の一部と、これら凸部3a、3aの間に位置する部分とされる。エッチング終了後、エッチング保護膜5を剥離除去する。
これらの2つの空洞と、これらにそれぞれ連続する凹部4a、4aが、プリンターのノズルにおいてインクが通過する部分となる。
図1(a)〜(f)に示した工程で作成される第2のパターン4の劣化の原因は、以下の様に推測される。
すなわち、(B)成分を配合しない従来の主鎖分解型ポジ型レジスト組成物を用いると、第1のパターン3の形成後、例えば第2のパターン4の形成時等に主鎖分解型ポジ型レジスト組成物からなる第1のパターン3中の(A)成分の主鎖で開裂が起こり、これがガス化する。そして、当該第1のパターン3から発生したガスが第2のパターン4を突き破ることにより、第2のパターン4が物理的に劣化するのではないかと推測される。この様なガス化は主鎖分解型であるからこそ生じやすいと推測される。
又、第2のパターン4の形成時等に第1のパターン3中の(A)成分がガス化するのは、(A)成分が比較的広範囲の波長域の光に対して開裂する性質を有するためであると推測される。すなわち、第2のパターン4を形成する際、光が照射されると第2のパターン4を形成する前のレジスト層(上層)を介して、その下の第1のパターン3にも当該光がある程度照射され、その結果(A)成分が開裂してしまう可能性がある。
そして、さらには、この(A)成分の分解、ガス化がエッチング保護膜5の形成時等にも生じ、第2のパターン4を突き抜けた後、さらにエッチング保護膜5までも突き破り、当該突き破られたエッチング保護膜5の孔から基板1の一部を除去するためのエッチング液が浸透し、ネガ型レジスト組成物からなる第2のパターン4を腐食することが劣化の原因のひとつではないかと考えられる。
これに対して本発明においては(B)成分を配合することによって、第1のパターン3の形成後、例えば第2のパターン4形成時等に、第1のパターン3中の(A)成分の分解、ガス化を抑制することができ、これにより、ネガ型レジスト組成物からなる第2のパターン4の劣化を抑制できるのではないかと推測される。
非化学増幅主鎖分解型ポジ型レジスト組成物を、(A)成分として、前記一般式(5)において、Rがメチル基で、R11がメチル基である構成単位からなる樹脂成分(質量平均分子量21万)を用い、(B)成分として、前記化学式(3)で表される化合物(D1、D2のうちのひとつが式(4)で表される基である化合物と、2つが式(4)で表される基である化合物の混合物)を用い、前記(A)成分100質量部に対して前記(B)成分0.1質量部の割合で、有機溶剤としてシクロヘキサノンに溶解し、前記(A)成分及び前記(B)成分の合計(固形分濃度)が20質量%となるように調整した。
すなわち、図1(a)、図1(b)に示した様に、上記主鎖分解型ポジ型レジスト組成物を、基板1にスピンコート法にて塗布し膜厚10μmの塗膜を形成し、90℃、90秒間加熱して乾燥した。その後露光機PLA(製品名、キャノン社製)を用いて選択的に露光し、イソプロピルアルコールにて現像し、キシレンにてリンスした。この様にして第1のパターン3を得た。
ついで、図1(c)に示した様に、エポキシ樹脂をベース樹脂成分とするカチオン重合性ネガ型レジスト組成物を最大膜厚20μmになる様に塗布し、露光機PLA(製品名、キャノン社製)を用いて波長200〜800nmの光にて選択的露光、及び現像し、第2のパターン4を形成した。
さらに、図1(d)に示した様に、OBC(製品名、東京応化工業株式会社製)を用いてエッチング保護膜5を形成した。
さらに、図1(e)に示した様に、エッチング液としてハクリ104(製品名、東京応化工業社製)を用いて、100℃、12時間の条件で、ウェットエッチングによって基板1の一部を除去した。そして、最後に、エッチング保護膜5を除去した。
又、(B)成分の配合量を、(A)成分100質量部に対して3質量部、6質量部、9質量部と変化させて同様の実験をしたところ、同様の結果が得られた。
実施例の主鎖分解型ポジ型レジスト組成物において、(B)成分を配合しなかった以外は同様にして実験を行った。その結果、第2のパターン4の上側表面に、黒い斑点が認められた。
Claims (6)
- 露光により主鎖が分解して現像液に対する溶解性が増大するベース樹脂成分(A)と、ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル化合物(B)を含有することを特徴とする、非化学増幅主鎖分解型ポジ型レジスト組成物。
- 前記(A)成分が、一般式(5)におけるRがメチル基であり、R11が炭素数1〜5の低級アルキル基又はフェニル基であるイソプロペニルケトン系ポリマーである請求項4記載の非化学増幅主鎖分解型ポジ型レジスト組成物。
- プリンターノズル加工用である請求項1〜5のいずれか一項に記載の非化学増幅主鎖分解型ポジ型レジスト組成物。
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Cited By (1)
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WO2024024692A1 (ja) * | 2022-07-29 | 2024-02-01 | 富士フイルム株式会社 | 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、パターン形成方法及び電子デバイスの製造方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS617835A (ja) * | 1984-06-22 | 1986-01-14 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | レジスト材料 |
JPS63267941A (ja) * | 1987-04-17 | 1988-11-04 | シップレー・カンパニー・インコーポレーテッド | 光活性クルクミン誘導体 |
JPH024260A (ja) * | 1988-02-12 | 1990-01-09 | Hoechst Celanese Corp | 放射線感応性記録材料及び画像の形成法 |
JP2003316003A (ja) * | 2002-02-20 | 2003-11-06 | Canon Inc | レジスト材料 |
WO2005008337A1 (ja) * | 2003-07-16 | 2005-01-27 | Az Electronic Materials (Japan) K.K. | 感光性樹脂組成物 |
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS617835A (ja) * | 1984-06-22 | 1986-01-14 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | レジスト材料 |
JPS63267941A (ja) * | 1987-04-17 | 1988-11-04 | シップレー・カンパニー・インコーポレーテッド | 光活性クルクミン誘導体 |
JPH024260A (ja) * | 1988-02-12 | 1990-01-09 | Hoechst Celanese Corp | 放射線感応性記録材料及び画像の形成法 |
JP2003316003A (ja) * | 2002-02-20 | 2003-11-06 | Canon Inc | レジスト材料 |
WO2005008337A1 (ja) * | 2003-07-16 | 2005-01-27 | Az Electronic Materials (Japan) K.K. | 感光性樹脂組成物 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2024024692A1 (ja) * | 2022-07-29 | 2024-02-01 | 富士フイルム株式会社 | 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、パターン形成方法及び電子デバイスの製造方法 |
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