CN115259409B - 一种厌氧颗粒污泥用防钙化促生长抑垢剂及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种厌氧颗粒污泥用防钙化促生长抑垢剂及其制备方法，涉及抑垢剂技术领域。本发明在制备的厌氧颗粒污泥用防钙化促生长抑垢剂时，先将正硅酸乙酯、钛酸四丁酯反应后加入碳酸氢铵加热制得中空多孔纳米颗粒，用氢等离子体对中空多孔纳米颗粒进行处理制得改性中空多孔纳米颗粒，将4‑乙烯基吡啶、乙基二烯丙基硅烷反应后再和三乙氧基硅烷反应制得超支化有机硅，将改性中空多孔纳米颗粒和超支化有机硅反应制得厌氧颗粒污泥用防钙化促生长抑垢剂。本发明制备的厌氧颗粒污泥用防钙化促生长抑垢剂具有良好的抑垢性能。
Description
技术领域
本发明涉及抑垢剂技术领域，具体为一种厌氧颗粒污泥用防钙化促生长抑垢剂及其制备方法。
背景技术
随着社会的发展，利用厌氧微生物治理废水得到广泛的认可，故厌氧颗粒污泥产品也随之增多，厌氧颗粒污泥的运用过程中，如果废水中钙离子浓度较高，会形成沉淀钙盐并通过颗粒污泥的微孔通道进入内部结垢成核，长时间运行后，用手触摸颗粒污泥，有小石子的触感，该现象称为厌氧颗粒污泥钙化。钙化后的颗粒污泥活性丧失，无法再继续处理污水中的有机废物，从而使整个污水的厌氧处理环节效率大幅降低。
传统的控制厌氧颗粒污泥钙化的方法是定期从厌氧反应器中排除钙化污泥并补充新泥，该方法成本高品。或者在厌氧处理环节投加大量盐酸，以增加钙离子溶解度抑制锤盐沉淀,但该方法不仅运行成本高、效率低，而且高浓度的氯离子会严重腐蚀设备，并且会抑制厌氧颗粒污泥中的微生物活性，故研究一种抑垢剂以解决此类问题是十分必要的。
发明内容
本发明的目的在于提供一种厌氧颗粒污泥用防钙化促生长抑垢剂及其制备方法，以解决现有技术中存在的问题。
一种厌氧颗粒污泥用防钙化促生长抑垢剂，其特征在于，按重量份数计，主要包括：3～5份对氨基苯硫醚基低聚硅氧烷和6～15份超支化有机硅。
作为优化，所述改性中空多孔纳米颗粒是由正硅酸乙酯、钛酸四丁酯反应后加入碳酸氢铵加热制得中空多孔纳米颗粒，用氢等离子体对中空多孔纳米颗粒进行处理制得。
作为优化，所述超支化有机硅是将4-乙烯基吡啶、乙基二烯丙基硅烷反应后再和三乙氧基硅烷反应制得。
作为优化，一种厌氧颗粒污泥用防钙化促生长抑垢剂的制备方法包括以下制备步骤：
(1)将中空多孔纳米颗粒置于氢等离子体处理仪腔体中，真空泵抽气使真空度达到5～10Pa后通入氢气使真空度达到70～80Pa，进行氢等离子体处理，制得改性中空多孔纳米颗粒；
(2)将4-乙烯基吡啶、乙基二烯丙基硅烷和正己烷按质量比1：1：15～1：1：20混合均匀，再加入4-乙烯基吡啶质量0.03～0.05的催化剂，在70～80℃，500～800r/min搅拌回流4～6h，再加入4-乙烯基吡啶质量3～4倍的三乙氧基硅烷，继续搅拌回流4～6h，在20～30℃，1～2kPa静置3～4h，制得超支化有机硅；
(3)将超支化有机硅进行水解处理后，加入超支化有机硅质量1.5～2.5倍的改性中空多孔纳米颗粒，在20～30℃，500～800r/min搅拌50～60min，在60～70℃干燥4～6h，制得厌氧颗粒污泥用防钙化促生长抑垢剂。
作为优化，步骤(1)所述中空多孔纳米颗粒的制备方法为：将正硅酸乙酯、钛酸四丁酯、无水乙醇按质量比1：1：6～1：1：10混合均匀后，在10～30℃，200～300r/min搅拌条件下，以0.1～0.2mL/s滴加到正硅酸乙酯质量30～40倍的去离子水中，结束后继续搅拌30～40min，过滤并用无水乙醇洗涤3～5次，放入以聚四氟乙烯为内衬反应釜中，用无水乙醇添加到总容量的70％，再添加正硅酸乙酯质量0.5～0.8倍的碳酸氢铵并混合均匀，封闭反应釜并在50～60℃恒温加热6～8h，冷却至室温后过滤并依次用去离子水和无水乙醇各洗涤3～5次，在60～70℃干燥4～6h，制备而成。
作为优化，步骤(1)所述氢等离子体处理的工艺参数为：处理功率1～2kW，处理时间10～20min。
作为优化，步骤(2)所述催化剂为二乙烯四甲基二硅氧烷铂盐。
作为优化，步骤(3)所述水解处理的方法为：将超支化有机硅和质量分数90～95％的乙醇按质量比1：3～1：4混合均匀，在20～30℃，500～800r/min搅拌2～3min。
作为优化，所述厌氧颗粒污泥用防钙化促生长抑垢剂应用方法为：在使用厌氧颗粒污泥进行除污时，加入厌氧颗粒污泥质量0.3～0.5倍的厌氧颗粒污泥用防钙化促生长抑垢剂。
与现有技术相比，本发明所达到的有益效果是：
本发明在制备的厌氧颗粒污泥用防钙化促生长抑垢剂时，先将正硅酸乙酯、钛酸四丁酯反应后加入碳酸氢铵加热制得中空多孔纳米颗粒，用氢等离子体对中空多孔纳米颗粒进行处理制得改性中空多孔纳米颗粒，将4-乙烯基吡啶、乙基二烯丙基硅烷反应后再和三乙氧基硅烷反应制得超支化有机硅，将改性中空多孔纳米颗粒和超支化有机硅反应制得厌氧颗粒污泥用防钙化促生长抑垢剂。
首先，加入碳酸氢铵可以得到具有中空多孔结构的中空多孔纳米颗粒，中空多孔结构可以又更大的表面积，发挥更好的效果，从而提高了厌氧颗粒污泥用防钙化促生长抑垢剂的抑垢性能；用氢等离子体对中空多孔纳米颗粒进行改性后，使中空多孔纳米颗粒上形成氧空位，提高结合金属离子的效果，从而提高了厌氧颗粒污泥用防钙化促生长抑垢剂的抑垢性能。
其次，在超支化有机硅制备过程中加入4-乙烯基吡啶，使超支化有机硅具有螯合金属离子的效果，使金属离子不易和其它阴离子结合生成沉淀，从而提高了厌氧颗粒污泥用防钙化促生长抑垢剂的抑垢性能；超支化有机硅在改性中空多孔纳米颗粒表面，提高了改性中空多孔纳米颗粒的流动性和分散性，同时能将超支化有机硅上4-乙烯基吡啶螯合的金属离子向改性中空多孔纳米颗粒进行输送。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
为了更清楚的说明本发明提供的方法通过以下实施例进行详细说明，在以下实施例中制备的厌氧颗粒污泥用防钙化促生长抑垢剂的各指标测试方法如下：
抑垢效果：将各实施例所得的厌氧颗粒污泥用防钙化促生长抑垢剂与对比例材料取相同质量，加入相同量的同种自来水中，用相同型号的烧水壶将自来水烧沸，用去离子水清洗干燥后称重，记录增重量。
实施例1
一种厌氧颗粒污泥用防钙化促生长抑垢剂，按重量份数计，主要包括：30份改性中空多孔纳米颗粒和20份超支化有机硅。
一种厌氧颗粒污泥用防钙化促生长抑垢剂的制备方法，所述厌氧颗粒污泥用防钙化促生长抑垢剂的制备方法主要包括以下制备步骤：
(1)将正硅酸乙酯、钛酸四丁酯、无水乙醇按质量比1：1：6混合均匀后，在10℃，200r/min搅拌条件下，以0.1mL/s滴加到正硅酸乙酯质量30倍的去离子水中，结束后继续搅拌40min，过滤并用无水乙醇洗涤3次，放入以聚四氟乙烯为内衬反应釜中，用无水乙醇添加到总容量的70％，再添加正硅酸乙酯质量0.5倍的碳酸氢铵并混合均匀，封闭反应釜并在50℃恒温加热8h，冷却至室温后过滤并依次用去离子水和无水乙醇各洗涤3次，在60℃干燥6h，制得中空多孔纳米颗粒，将中空多孔纳米颗粒置于氢等离子体处理仪腔体中，真空泵抽气使真空度达到5Pa后通入氢气使真空度达到70Pa，进行氢等离子体处理，功率为1kW，时间为20min，制得改性中空多孔纳米颗粒；
(2)将4-乙烯基吡啶、乙基二烯丙基硅烷和正己烷按质量比1：1：15混合均匀，再加入4-乙烯基吡啶质量0.03的二乙烯四甲基二硅氧烷铂盐，在70℃，500r/min搅拌回流6h，再加入4-乙烯基吡啶质量3倍的三乙氧基硅烷，继续搅拌回流4h，在20℃，1kPa静置4h，制得超支化有机硅；
(3)将超支化有机硅和质量分数90％的乙醇按质量比1：3混合均匀，在20℃，500r/min搅拌3min后，加入超支化有机硅质量1.5倍的改性中空多孔纳米颗粒，在20℃，500r/min搅拌60min，在60℃干燥6h，制得厌氧颗粒污泥用防钙化促生长抑垢剂。
实施例2
一种厌氧颗粒污泥用防钙化促生长抑垢剂，按重量份数计，主要包括：44份改性中空多孔纳米颗粒和22份超支化有机硅。
一种厌氧颗粒污泥用防钙化促生长抑垢剂的制备方法，所述厌氧颗粒污泥用防钙化促生长抑垢剂的制备方法主要包括以下制备步骤：
(1)将正硅酸乙酯、钛酸四丁酯、无水乙醇按质量比1：1：8混合均匀后，在20℃，250r/min搅拌条件下，以0.15mL/s滴加到正硅酸乙酯质量35倍的去离子水中，结束后继续搅拌35min，过滤并用无水乙醇洗涤4次，放入以聚四氟乙烯为内衬反应釜中，用无水乙醇添加到总容量的70％，再添加正硅酸乙酯质量0.6倍的碳酸氢铵并混合均匀，封闭反应釜并在55℃恒温加热7h，冷却至室温后过滤并依次用去离子水和无水乙醇各洗涤4次，在65℃干燥5h，制得中空多孔纳米颗粒，将中空多孔纳米颗粒置于氢等离子体处理仪腔体中，真空泵抽气使真空度达到8Pa后通入氢气使真空度达到75Pa，进行氢等离子体处理，功率为1.5kW，时间为15min，制得改性中空多孔纳米颗粒；
(2)将4-乙烯基吡啶、乙基二烯丙基硅烷和正己烷按质量比1：1：18混合均匀，再加入4-乙烯基吡啶质量0.04的二乙烯四甲基二硅氧烷铂盐，在75℃，650r/min搅拌回流5h，再加入4-乙烯基吡啶质量3.5倍的三乙氧基硅烷，继续搅拌回流5h，在25℃，1.5kPa静置3.5h，制得超支化有机硅；
(3)将超支化有机硅和质量分数92％的乙醇按质量比1：3.5混合均匀，在25℃，600r/min搅拌2.5min后，加入超支化有机硅质量2倍的改性中空多孔纳米颗粒，在25℃，650r/min搅拌55min，在65℃干燥5h，制得厌氧颗粒污泥用防钙化促生长抑垢剂。
实施例3
一种厌氧颗粒污泥用防钙化促生长抑垢剂，按重量份数计，主要包括：60份改性中空多孔纳米颗粒和24份超支化有机硅。
一种厌氧颗粒污泥用防钙化促生长抑垢剂的制备方法，所述厌氧颗粒污泥用防钙化促生长抑垢剂的制备方法主要包括以下制备步骤：
(1)将正硅酸乙酯、钛酸四丁酯、无水乙醇按质量比1：1：10混合均匀后，在30℃，300r/min搅拌条件下，以0.2mL/s滴加到正硅酸乙酯质量40倍的去离子水中，结束后继续搅拌30min，过滤并用无水乙醇洗涤5次，放入以聚四氟乙烯为内衬反应釜中，用无水乙醇添加到总容量的70％，再添加正硅酸乙酯质量0.8倍的碳酸氢铵并混合均匀，封闭反应釜并在60℃恒温加热6h，冷却至室温后过滤并依次用去离子水和无水乙醇各洗涤5次，在70℃干燥4h，制得中空多孔纳米颗粒，将中空多孔纳米颗粒置于氢等离子体处理仪腔体中，真空泵抽气使真空度达到10Pa后通入氢气使真空度达到80Pa，进行氢等离子体处理，功率为2kW，时间为10min，制得改性中空多孔纳米颗粒；
(2)将4-乙烯基吡啶、乙基二烯丙基硅烷和正己烷按质量比1：1：20混合均匀，再加入4-乙烯基吡啶质量0.05的二乙烯四甲基二硅氧烷铂盐，在80℃，800r/min搅拌回流4h，再加入4-乙烯基吡啶质量4倍的三乙氧基硅烷，继续搅拌回流6h，在30℃，2kPa静置3h，制得超支化有机硅；
(3)将超支化有机硅和质量分数95％的乙醇按质量比1：4混合均匀，在30℃，800r/min搅拌2min后，加入超支化有机硅质量2.5倍的改性中空多孔纳米颗粒，在30℃，800r/min搅拌50min，在70℃干燥4h，制得厌氧颗粒污泥用防钙化促生长抑垢剂。
对比例1
一种厌氧颗粒污泥用防钙化促生长抑垢剂，按重量份数计，主要包括：44份改性纳米颗粒和22份超支化有机硅。
一种厌氧颗粒污泥用防钙化促生长抑垢剂的制备方法，所述厌氧颗粒污泥用防钙化促生长抑垢剂的制备方法主要包括以下制备步骤：
(1)将正硅酸乙酯、钛酸四丁酯、无水乙醇按质量比1：1：8混合均匀后，在20℃，250r/min搅拌条件下，以0.15mL/s滴加到正硅酸乙酯质量35倍的去离子水中，结束后继续搅拌35min，过滤并用无水乙醇洗涤4次，放入以聚四氟乙烯为内衬反应釜中，用无水乙醇添加到总容量的70％，封闭反应釜并在55℃恒温加热7h，冷却至室温后过滤并依次用去离子水和无水乙醇各洗涤4次，在65℃干燥5h，制得纳米颗粒，将中空多孔纳米颗粒置于氢等离子体处理仪腔体中，真空泵抽气使真空度达到8Pa后通入氢气使真空度达到75Pa，进行氢等离子体处理，功率为1.5kW，时间为15min，制得改性中空多孔纳米颗粒；
(2)将4-乙烯基吡啶、乙基二烯丙基硅烷和正己烷按质量比1：1：18混合均匀，再加入4-乙烯基吡啶质量0.04的二乙烯四甲基二硅氧烷铂盐，在75℃，650r/min搅拌回流5h，再加入4-乙烯基吡啶质量3.5倍的三乙氧基硅烷，继续搅拌回流5h，在25℃，1.5kPa静置3.5h，制得超支化有机硅；
(3)将超支化有机硅和质量分数92％的乙醇按质量比1：3.5混合均匀，在25℃，600r/min搅拌2.5min后，加入超支化有机硅质量2倍的改性纳米颗粒，在25℃，650r/min搅拌55min，在65℃干燥5h，制得厌氧颗粒污泥用防钙化促生长抑垢剂。
对比例2
一种厌氧颗粒污泥用防钙化促生长抑垢剂，按重量份数计，主要包括：44份中空多孔纳米颗粒和22份超支化有机硅。
一种厌氧颗粒污泥用防钙化促生长抑垢剂的制备方法，所述厌氧颗粒污泥用防钙化促生长抑垢剂的制备方法主要包括以下制备步骤：
(1)将正硅酸乙酯、钛酸四丁酯、无水乙醇按质量比1：1：8混合均匀后，在20℃，250r/min搅拌条件下，以0.15mL/s滴加到正硅酸乙酯质量35倍的去离子水中，结束后继续搅拌35min，过滤并用无水乙醇洗涤4次，放入以聚四氟乙烯为内衬反应釜中，用无水乙醇添加到总容量的70％，再添加正硅酸乙酯质量0.6倍的碳酸氢铵并混合均匀，封闭反应釜并在55℃恒温加热7h，冷却至室温后过滤并依次用去离子水和无水乙醇各洗涤4次，在65℃干燥5h，制得中空多孔纳米颗粒；
(2)将4-乙烯基吡啶、乙基二烯丙基硅烷和正己烷按质量比1：1：18混合均匀，再加入4-乙烯基吡啶质量0.04的二乙烯四甲基二硅氧烷铂盐，在75℃，650r/min搅拌回流5h，再加入4-乙烯基吡啶质量3.5倍的三乙氧基硅烷，继续搅拌回流5h，在25℃，1.5kPa静置3.5h，制得超支化有机硅；
(3)将超支化有机硅和质量分数92％的乙醇按质量比1：3.5混合均匀，在25℃，600r/min搅拌2.5min后，加入超支化有机硅质量2倍的中空多孔纳米颗粒，在25℃，650r/min搅拌55min，在65℃干燥5h，制得厌氧颗粒污泥用防钙化促生长抑垢剂。
对比例3
一种厌氧颗粒污泥用防钙化促生长抑垢剂，按重量份数计，主要包括：44份改性中空多孔纳米颗粒和22份超支化有机硅。
一种厌氧颗粒污泥用防钙化促生长抑垢剂的制备方法，所述厌氧颗粒污泥用防钙化促生长抑垢剂的制备方法主要包括以下制备步骤：
(1)将正硅酸乙酯、钛酸四丁酯、无水乙醇按质量比1：1：8混合均匀后，在20℃，250r/min搅拌条件下，以0.15mL/s滴加到正硅酸乙酯质量35倍的去离子水中，结束后继续搅拌35min，过滤并用无水乙醇洗涤4次，放入以聚四氟乙烯为内衬反应釜中，用无水乙醇添加到总容量的70％，再添加正硅酸乙酯质量0.6倍的碳酸氢铵并混合均匀，封闭反应釜并在55℃恒温加热7h，冷却至室温后过滤并依次用去离子水和无水乙醇各洗涤4次，在65℃干燥5h，制得中空多孔纳米颗粒，将中空多孔纳米颗粒置于氢等离子体处理仪腔体中，真空泵抽气使真空度达到8Pa后通入氢气使真空度达到75Pa，进行氢等离子体处理，功率为1.5kW，时间为15min，制得改性中空多孔纳米颗粒；
(2)将乙基二烯丙基硅烷和正己烷按质量比1：18混合均匀，再加入乙基二烯丙基硅烷质量0.04的二乙烯四甲基二硅氧烷铂盐，在75℃，650r/min搅拌回流5h，再加入乙基二烯丙基硅烷质量3.5倍的三乙氧基硅烷，继续搅拌回流5h，在25℃，1.5kPa静置3.5h，制得超支化有机硅；
(3)将超支化有机硅和质量分数92％的乙醇按质量比1：3.5混合均匀，在25℃，600r/min搅拌2.5min后，加入超支化有机硅质量2倍的改性中空多孔纳米颗粒，在25℃，650r/min搅拌55min，在65℃干燥5h，制得厌氧颗粒污泥用防钙化促生长抑垢剂。
效果例
下表1给出了采用本发明实施例1～3与对比例1～3的厌氧颗粒污泥用防钙化促生长抑垢剂的抗断裂性能的性能分析结果。
| 增重量 | 增重量 | ||
| 实施例1 | 0.38g | 对比例1 | 1.15g |
| 实施例2 | 0.35g | 对比例2 | 1.42g |
| 实施例3 | 0.37g | 对比例3 | 3.89g |
表1
从表1中实施例1～3和对比例1～3的实验数据比较可发现，本发明制得的厌氧颗粒污泥用防钙化促生长抑垢剂具有良好的抑垢性能。
从表1中实施例1、2、3和对比列1的实验数据比较可发现，实施例1、2、3对比对比例1的增重量低，说明了加入碳酸氢铵可以得到具有中空多孔结构的中空多孔纳米颗粒，中空多孔结构可以又更大的表面积，发挥更好的效果，从而提高了厌氧颗粒污泥用防钙化促生长抑垢剂的抑垢性能；从表1中实施例1、2、3和对比列2的实验数据比较可发现，实施例1、2、3对比对比例2的增重量低，说明了用氢等离子体对中空多孔纳米颗粒进行改性后，使中空多孔纳米颗粒上形成氧空位，提高结合金属离子的效果，从而提高了厌氧颗粒污泥用防钙化促生长抑垢剂的抑垢性能；从表1中实施例1、2、3和对比列3的实验数据比较可发现，实施例1、2、3对比对比例3的增重量低，说明了在超支化有机硅制备过程中加入4-乙烯基吡啶，使超支化有机硅具有螯合金属离子的效果，使金属离子不易和其它阴离子结合生成沉淀，从而提高了厌氧颗粒污泥用防钙化促生长抑垢剂的抑垢性能。
对于本领域技术人员而言，显然本发明不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本发明。因此，无论从哪方面来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的。
Claims (6)
1.一种厌氧颗粒污泥用防钙化促生长抑垢剂的制备方法，其特征在于，
所述厌氧颗粒污泥用防钙化促生长抑垢剂的制备方法包括以下制备步骤：
（1）将中空多孔纳米颗粒置于氢等离子体处理仪腔体中，真空泵抽气使真空度达到5~10Pa 后通入氢气使真空度达到70~80Pa，进行氢等离子体处理，制得改性中空多孔纳米颗粒；
（2）将4-乙烯基吡啶、乙基二烯丙基硅烷和正己烷按质量比1：1：15~1：1：20 混合均匀，再加入4-乙烯基吡啶质量0.03~0.05的催化剂，在70~80℃,500~800r/min 搅拌回流4~6h，再加入4-乙烯基吡啶质量3~4 倍的三乙氧基硅烷，继续搅拌回流4~6h，在20~30℃, 1~2kPa静置3~4h，制得超支化有机硅；
（3）将超支化有机硅进行水解处理后，加入超支化有机硅质量1.5~2.5倍的改性中空多孔纳米颗粒，在20~30℃,500~800r/min 搅拌50~60min，在60~70℃干燥4~6h，制得厌氧颗粒污泥用防钙化促生长抑垢剂；
步骤（1）所述中空多孔纳米颗粒的制备方法为：将正硅酸乙酯、钛酸四丁酯、无水乙醇按质量比1：1：6~1：1：10混合均匀后，在10~30℃,200~300r/min搅拌条件下，以0.1~0.2mL/s滴加到正硅酸乙酯质量30~40 倍的去离子水中，结束后继续搅拌30~40min，过滤并用无水乙醇洗涤3~5次，放入以聚四氟乙烯为内衬反应釜中，用无水乙醇添加到总容量的70%，再添加正硅酸乙酯质 量0.5~0.8倍的碳酸氢铵并混合均匀，封闭反应釜并在50~60℃恒温加热6~8h，冷却至室温后过滤并依次用去离子水和无水乙醇各洗涤3~5 次，在60~70℃干燥4~6h，制备而成。
2.根据权利要求1 所述的一种厌氧颗粒污泥用防钙化促生长抑垢剂的制备方法，其特征在于，步骤（1）所述氢等离子体处理的工艺参数为：处理功率1~2kW，处理时间10~20min。
3.根据权利要求1 所述的一种厌氧颗粒污泥用防钙化促生长抑垢剂的制备方法，其特征在于，步骤（2）所述催化剂为二乙烯四甲基二硅氧烷铂盐。
4.根据权利要求1 所述的一种厌氧颗粒污泥用防钙化促生长抑垢剂的制备方法，其特征在于，步骤（3）所述水解处理的方法为：将超支化有机硅和质量分数90~95% 的乙醇按质量比 1：3~1 ：4混合均匀，在20~30℃ ,500~800r/min 搅拌2~3min。
5.采用权利要求1 所述制备方法的一种厌氧颗粒污泥用防钙化促生长抑 垢剂，其特征在于，按重量份数计，包括：30~60 份改性中空多孔纳米颗粒和20~24 份超支化有机硅。
6.根据权利要求5所述的一种厌氧颗粒污泥用防钙化促生长抑垢剂的应用，其特征在于：在使用厌氧颗粒污泥进行除污时，加入厌氧颗粒污泥质量0.3~0.5 倍的厌氧颗粒污泥用防钙化促生长抑垢剂。
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