CN115249731A - 显示装置及显示装置的制造方法 - Google Patents

显示装置及显示装置的制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN115249731A
CN115249731A CN202210373331.4A CN202210373331A CN115249731A CN 115249731 A CN115249731 A CN 115249731A CN 202210373331 A CN202210373331 A CN 202210373331A CN 115249731 A CN115249731 A CN 115249731A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
electrode
region
conductive pattern
display device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202210373331.4A
Other languages
English (en)
Inventor
李京徊
李哲坤
田武经
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Display Co Ltd filed Critical Samsung Display Co Ltd
Publication of CN115249731A publication Critical patent/CN115249731A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H10K59/352—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels the areas of the RGB subpixels being different
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H10K59/353—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels characterised by the geometrical arrangement of the RGB subpixels
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1248—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or shape of the interlayer dielectric specially adapted to the circuit arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H10K59/1315—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals comprising structures specially adapted for lowering the resistance
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/805—Electrodes
    • H10K59/8052—Cathodes
    • H10K59/80522—Cathodes combined with auxiliary electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/821—Patterning of a layer by embossing, e.g. stamping to form trenches in an insulating layer
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment

Abstract

本发明涉及一种显示装置及显示装置的制造方法，本发明的一实施例公开了一种显示装置，所述显示装置包括显示区域及非显示区域且所述显示区域包括第一分辨率的第一区域和比所述第一分辨率低的第二分辨率的第二区域，并且包括：导电图案，布置于所述显示区域的所述第二区域；像素电极，布置于所述第二区域；对电极，与所述像素电极对向，并且与所述导电图案接触；以及第一电极层，布置于所述非显示区域，并且与所述对电极接触。

Description

显示装置及显示装置的制造方法
技术领域
本发明的实施例涉及一种显示装置及显示装置的制造方法。
背景技术
作为自发光型显示装置的有机发光显示装置因不需要额外的光源而能够以低电压驱动，且能够构成为轻量的薄型，并且具有宽的视角、高的对比度(contrast)及快的响应速度等的高品质特性，因此作为下一代显示装置而备受瞩目。
发明内容
本发明的实施例的目的在于提供一种高品质的显示装置。
根据本发明的一实施例的一种显示装置包括显示区域及非显示区域且所述显示区域包括第一分辨率的第一区域和比所述第一分辨率低的第二分辨率的第二区域，所述显示装置包括：导电图案，布置于所述显示区域的所述第二区域；像素电极，布置于所述第二区域；对电极，与所述像素电极对向，并且与所述导电图案接触；以及第一电极层，布置于所述非显示区域，并且与所述对电极接触。
所述导电图案可以与所述像素电极布置于同一层。
所述的显示装置还可以包括：绝缘层，覆盖所述像素电极的边缘，并且定义有与所述像素电极的一部分对应的第一开口及与所述导电图案的一部分对应的第二开口。
在所述绝缘层还可以形成有与布置于所述第一区域的像素电极的一部分对应的第三开口，所述第一开口的尺寸可以大于所述第三开口的尺寸。
所述显示装置还可以包括：第二电极层，布置于基板和所述导电图案之间的层，并且在所述第二区域与所述导电图案接触。
所述显示装置还可以包括：第一绝缘层，覆盖所述第二电极层，并且在所述第二区域定义有与所述第二电极层的一部分对应的第一开口；以及第二绝缘层，布置于所述第一绝缘层上部，覆盖所述像素电极的边缘，并且定义有与所述像素电极的一部分对应的第二开口及与所述导电图案的一部分对应的第三开口，其中，所述第三开口可以与所述第一开口重叠。
在所述第二绝缘层还可以定义有与布置于所述第一区域的像素电极的一部分对应的第四开口，所述第二开口的尺寸可以大于所述第四开口的尺寸。
在所述非显示区域，所述第二电极层可以与所述第一电极层电连接。
所述第一电极层可以包括与所述像素电极相同的物质。
所述第二区域分散布置于所述显示区域。
在所述非显示区域，所述第一电极层可以与将所述导电图案作为一部分而包括的第二电极层电连接。
所述第一电极层可以与所述非显示区域的驱动电路重叠。
包括布置于所述第二区域的像素电极的有机发光二极管的发光区域可以大于包括布置于所述第一区域的像素电极的有机发光二极管的发光区域。
根据本发明的一实施例的一种显示装置的制造方法，所述显示装置包括显示区域及非显示区域且所述显示区域包括第一分辨率的第一区域和比所述第一分辨率低的第二分辨率的第二区域，所述制造方法包括如下步骤：在所述显示区域的所述第一区域形成第一像素电极，并且在所述显示区域的所述第二区域形成第二像素电极；在所述显示区域的所述第二区域形成导电图案；以及形成对电极，其中，所述对电极与所述第一像素电极及所述第二像素电极对向，在所述第二区域与所述导电图案接触，并且在所述非显示区域与布置于所述非显示区域的第一电极层接触。
所述导电图案可以与所述第二像素电极形成于同一层。
所述制造方法还可以包括如下步骤：形成覆盖所述第一像素电极、所述第二像素电极以及所述导电图案的像素定义层；以及在所述像素定义层形成与所述第一像素电极对应的第一开口、与所述第二像素电极对应的第二开口以及与所述导电图案对应的第三开口，其中，所述对电极可以覆盖所述第三开口，并且可以在所述第三开口内与所述导电图案接触。
所述制造方法还可以包括如下步骤：在所述第一开口以及所述第二开口分别形成发光层；形成覆盖所述第一开口、所述第二开口以及所述第三开口的功能层；以及借由激光钻孔在与所述第三开口内的所述导电图案对应的区域去除所述功能层，其中，所述对电极可以在所述第三开口内的去除所述功能层的区域与所述导电图案接触。
所述制造方法还可以包括如下步骤：在基板与所述导电图案之间的层形成在所述第二区域与所述导电图案接触的第二电极层。
在所述非显示区域，所述第二电极层可以与所述第一电极层电连接。
在所述非显示区域，所述第一电极层可以与将所述导电图案作为一部分而包括的第二电极层电连接。
本发明的实施例可以提供高品质的显示装置。
附图说明
图1是示意性地示出根据一实施例的显示装置的平面图。
图2a至图2c是示意性地示出根据一实施例的图1的显示区域的一部分的图。
图3是示意性地示出根据一实施例的可以包括在图1的显示装置的显示面板的平面图。
图4是根据一实施例的像素的等效电路图。
图5是示意性地示出在图3示出的显示区域的A区域的图。
图6是沿图5的I-I’线剖切的剖视图。
图7是沿图3的II-II’线剖切的剖视图。
图8a至图8f是以图6的第二显示区域为中心说明显示装置的制造工艺的图。
图9a至图9c分别是示意性地示出根据一实施例的辅助线的布置的图。
图10是示意性地示出根据一实施例的显示面板的平面图。
图11是沿图10的III-III’线剖切的剖视图。
图12a至图12c分别是示出根据一实施例的第二显示区域的图。
图13是示出根据一实施例的显示区域的一部分的图。
图14及图15a分别是示出根据一实施例的第二显示区域的一部分的图。
图15b是沿图15a的IV-IV’线剖切的剖视图。
图16是示出根据一实施例的第二显示区域的一部分的图。
附图标记说明：
10：显示面板
100：基板
111：缓冲层
112：第一栅极绝缘层
113：第二栅极绝缘层
114：层间绝缘层
115：平坦化层
116：像素定义层
150：辅助电极层
71：公共电压供应线
72：连接电极层
LDP：导电图案
具体实施方式
本发明可以进行多种变换，且可以具有多个实施例，特定实施例举例示出于附图中并在具体实施方式中进行详细说明。参考与附图一起在后面详细描述的实施例能够明确本发明的效果和特征以及达成所述效果和特征的方法。然而，本发明并不限于以下公开的实施例，可以以多种形态实现。
以下，将参照附图详细说明本发明的实施例，且在参照附图进行说明时，对相同或者相应的构成要素赋予相同的附图标记并省略对它们的重复说明。
在以下的实施例中，提及层、膜、区域、板等的各种构成要素位于另一构成要素“上”时，这不仅包括位于另一构成要素的“紧邻的上方”的情形，还包括其之间夹设有其他构成要素的情形。并且，为了便于说明，附图中的构成要素的大小可以被夸大或者缩小。例如，为了便于说明，在附图中示出的各个构成的大小以及厚度被任意地示出，因此本发明并不一定限于图示的内容。
在以下实施例中，当提及“平面上”时，这表示从上方观察对象部分时的含义，当提及“剖面上”时，这表示从侧面观察将对象部分沿垂直方向剖切的剖面时的含义。在以下实施例中，第一构成要素与第二构成要素“重叠”表示第一构成要素位于第二构成要素的上方或者下方。
在以下的实施例中，x轴、y轴以及z轴不限于直角坐标系上的三个轴，可以被解释为包括其的宽泛的含义。例如，x轴、y轴以及z轴虽然可以垂直相交，但也可以指代彼此不垂直的彼此不同的方向。
在某个实施例能够以不同方式实现的情形下，特定工艺顺序可以按不同于所说明的顺序而执行。例如，连续说明的两个工艺可以实质上同时进行，也可以按与说明的顺序相反的顺序进行。
在本发明的详细的说明及权利要求范围中的术语“对应”用于根据语境特指多个要素中的布置于同一区域的要素而被使用。即，第一构成要素与第二构成要素“对应”表示第二构成要素与第一构成要素布置于同一区域。
图1是示意性地示出根据一实施例的显示装置的平面图。图2a至图2c是示意性地示出了根据一实施例的图1的显示区域的一部分的图。
根据本发明的实施例的显示装置1还可以被实现为智能电话、移动电话、导航装置、游戏机、TV、车辆用仪表单元、笔记本计算机、膝上型计算机、平板(Tablet)计算机、个人媒体播放器(PMP：Personal Media Player)、个人数字助理(PDA：Personal DigitalAssistants))等的电子装置。并且，电子装置可以是柔性装置。
显示装置1包括显示区域DA和显示区域DA外侧的周边区域PA。当以平面形状观察显示区域DA时，显示区域DA可以是如图1所示的矩形形状。在另一实施例中，显示区域DA可以是诸如三角形、五边形、六边形等的多边形形状或者可以是圆形形状、椭圆形形状、不规则形状等。显示区域DA的边缘的拐角可以具有弧形形状。周边区域PA可以是未布置显示要素的一种非显示区域。显示区域DA可以被周边区域PA完全包围。
在显示区域DA可以布置有配备有诸如有机发光二极管(OLED：organic light-emitting diode)之类的各种显示要素的像素。像素可以构成为多个，并且多个像素可以沿x方向及y方向布置为条纹排列、五瓦片(pentile)排列、马赛克排列等多种形态而实现图像。
显示区域DA可以包括第一显示区域DA1及第二显示区域DA2。显示区域DA中的一部分区域可以被设定为第二显示区域DA2。第一显示区域DA1可以是像素以第一分辨率排列的区域，并且第二显示区域DA2可以是像素以比第一分辨率低的第二分辨率排列的区域。当从大致垂直于显示装置1的上表面的方向观察时，第二显示区域DA2的形状可以具有圆形、椭圆形、四边形等的多边形、星形或宝石形状等多种形状。
如图2a至图2c所示，在显示区域DA可以布置有两个以上的第二显示区域DA2。第二显示区域DA2可以按预定的图案以预定的间距相隔而布置并分散在显示区域DA。如图2a所示，第二显示区域DA2可以布置为网格形态。如图2b所示，第二显示区域DA2可以布置为蜂窝形态。如图2c所示，第二显示区域DA2可以布置为菱形形态。图2a至图2c中所示的第二显示区域DA2的布置形态是示例性的，并且根据第二显示区域DA2的像素被识别的程度，第二显示区域DA2可以布置为圆形、椭圆形、三角形等的多边形、星形形状或者宝石形状等多种形态。
在一实施例中，对应于第二显示区域DA2，在显示面板的下部可以布置有作为电子要素的组件。组件可以是相机、亮度传感器、接近传感器、虹膜传感器等。
以下，为了方便起见，以配备有作为显示要素的有机发光二极管的有机发光显示装置作为示例进行说明，然而，本发明的显示装置并不局限于此。作为另一实施例，可以使用诸如无机发光显示装置(或无机EL显示装置、Inorganic Light Emitting Display)、纳米发光显示装置(Nano Light Emitting Display)、量子点发光显示装置(Quantum dotLight Emitting Display)等的多种方式的显示装置。
图3是示意性地示出根据一实施例的可以包括在图1的显示装置的显示面板的平面图。
参照图3，显示面板10可以包括显示区域DA及围绕显示区域DA的周边区域PA。显示区域DA可以包括第一显示区域DA1及第二显示区域DA2。第一显示区域DA1可以具有第一分辨率，并且第二显示区域DA2可以具有比第一分辨率低的第二分辨率。即，在第二显示区域DA2中每单位面积能够布置的像素的数量可以相比于在第一显示区域DA1中每单位面积布置的像素的数量少。
构成显示面板10的各种构成要素布置于基板100上。因此，可以认为基板100包括包含第一显示区域DA1及第二显示区域DA2的显示区域DA和围绕显示区域DA的周边区域PA。
在显示区域DA可以布置有连接于沿x方向延伸的扫描线SL及沿与x方向交叉的y方向延伸的数据线DL的像素P。
各像素P可以发出例如红色、绿色和蓝色的光。或者，各像素P可以发出红色、绿色、蓝色或白色的光。各像素P可以包括显示要素，显示要素可以包括有机发光二极管(organiclight emitting diode)。显示要素可以连接于驱动显示要素的像素电路。可以通过从像素P发出的光来提供预定的图像。在本说明书中的像素P表示如上所述的发出红色、绿色、蓝色(或者白色)中的一种颜色的光的子像素。
周边区域PA布置于显示区域DA的外侧。例如，周边区域PA可以围绕显示区域DA。周边区域PA作为未布置像素P的区域，相当于不提供图像的非显示区域。
在周边区域PA可以布置有驱动像素电路的第一扫描驱动电路20及第二扫描驱动电路30、端子部40、驱动电压供应线60和公共电压供应线71。
第一扫描驱动电路20及第二扫描驱动电路30可以布置于基板100的周边区域PA上，第一扫描驱动电路20及第二扫描驱动电路30可以生成扫描信号并通过扫描线SL向各像素P传送扫描信号。作为一例，第一扫描驱动电路20可以布置于显示区域DA的左侧，并且第二扫描驱动电路30可以布置于显示区域DA的右侧，但是本发明不限于此。作为另一实施例，扫描驱动电路可以仅配备有一个。
端子部40可以布置于基板100的一侧。端子部40可以暴露而不被绝缘层覆盖，并且可以电连接于电路板90(例如，柔性印刷电路板(FPCB))。在电路板90可以布置有显示驱动部50。电路板90可以将显示驱动部50与端子部40电连接。
显示驱动部50可以生成用于控制第一扫描驱动电路20及第二扫描驱动电路30的驱动的控制信号，并且控制信号可以通过连接于端子的布线而传送到第一扫描驱动电路20及第二扫描驱动电路30。显示驱动部50可以生成数据信号，并且数据信号可以通过连接于端子的扇出线51及连接于扇出线51的数据线DL而传送到各像素P。
显示驱动部50可以向驱动电压供应线60供应驱动电压ELVDD，并且可以向公共电压供应线71供应公共电压ELVSS。驱动电压ELVDD可以通过连接于驱动电压供应线60的驱动电压线PL而施加到像素P，并且公共电压ELVSS可以通过公共电压供应线71而施加到显示要素的对电极。
驱动电压供应线60可以配备为在显示区域DA的下侧的周边区域PA沿x方向延伸。公共电压供应线71可以布置于周边区域PA，并且可以具有一侧开放的环形形状，从而可以沿显示区域DA的边缘局部地围绕显示区域DA。
连接电极层72可以与公共电压供应线71重叠，并且可以沿公共电压供应线71延伸而局部地围绕显示区域DA。连接电极层72与公共电压供应线71重叠的区域可以相当于连接电极层72与公共电压供应线71的电连接区域(例如，接触区域)。
连接电极层72可以将公共电压供应线71与像素P的有机发光二极管的对电极(例如，阴极)电连接。
在图3中，连接电极层72的宽度图示为大于公共电压供应线71的宽度，但是本发明不限于此。在另一实施例中，连接电极层72的宽度可以形成为与公共电压供应线71的宽度实质上相同，或者可以形成为小于公共电压供应线71的宽度。
图4是根据一实施例的像素的等效电路图。
参照图4，像素电路PC可以连接于作为显示要素的发光元件而实现像素的发光。发光元件可以是有机发光二极管(OLED)。像素电路PC可以包括作为驱动晶体管的第一晶体管T1和作为开关晶体管的第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6、第七晶体管T7。根据晶体管的种类(p型或n型)和/或操作条件，第一晶体管T1至第七晶体管T7中的每一个的第一端子可以是源极端子或漏极端子，并且第二端子可以是与第一端子不同的端子。例如，在第一端子是源极端子的情况下，第二端子可以是漏极端子。在一实施例中，源极端子及漏极端子可以分别与源极电极及漏极电极混用而被称呼。
像素电路PC可连接于传送第一扫描信号Sn的第一扫描线SL、传送第二扫描信号Sn-1的第二扫描线SL-1、传送第三扫描信号Sn+1的第三扫描线SL+1、传送发光控制信号En的发光控制线EL、传送数据信号Dm的数据线DL、传送驱动电压ELVDD的驱动电压线PL及传送初始化电压Vint的初始化电压线VIL。
第一晶体管T1可以连接在驱动电压线PL和有机发光二极管OLED之间。第一晶体管T1可以经由第五晶体管T5而连接于驱动电压线PL，并且可以经由第六晶体管T6而电连接于有机发光二极管OLED。第一晶体管T1包括与第二节点N2连接的栅极端子、与第一节点N1连接的第一端子及与第三节点N3连接的第二端子。第一晶体管T1可以作为驱动晶体管而起到作用，并且可以根据第二晶体管T2的开关操作而接收数据信号DATA来向发光元件供应驱动电流。
第二晶体管T2(数据写入晶体管)可以连接在数据线DL和第一节点N1之间，并且可以经由第五晶体管T5而连接于驱动电压线PL。第一节点N1可以是第一晶体管T1和第五晶体管T5连接的节点。第二晶体管T2包括与第一扫描线SL连接的栅极端子、与数据线DL连接的第一端子及与第一节点N1(或第一晶体管T1的第一端子)连接的第二端子。第二晶体管T2可以根据通过第一扫描线SL而接收的扫描信号Sn导通，从而可以执行将传送到数据线DL的数据信号Dm向第一节点N1传送的开关操作。
第三晶体管T3(补偿晶体管)可以连接在第二节点N2和第三节点N3之间。第三晶体管T3可以经由第六晶体管T6而连接于有机发光二极管OLED。第二节点N2可以是连接有第一晶体管T1的栅极电极的节点，并且第三节点N3可以是连接有第一晶体管T1和第六晶体管T6的节点。第三晶体管T3包括与第一扫描线SL连接的栅极端子、与第二节点N2(或第一晶体管T1的栅极端子)连接的第一端子及与第三节点N3(或第一晶体管T1的第二端子)连接的第二端子。第三晶体管T3可以根据通过第一扫描线SL而接收的第一扫描信号Sn导通，以将第一晶体管T1二极管连接，从而可以补偿第一晶体管T1的阈值电压。第三晶体管T3可以是两个以上的晶体管串联连接的结构。
第四晶体管T4(第一初始化晶体管)可以连接在第二节点N2和初始化电压线VIL之间。第四晶体管T4包括与第二扫描线SL-1连接的栅极端子、与第二节点N2连接的第一端子及与初始化电压线VIL连接的第二端子。第四晶体管T4可以根据通过第二扫描线SL-1而接收的第二扫描信号Sn-1导通，以将初始化电压Vint传送到第一晶体管T1的栅极端子，从而可以初始化第一晶体管T1的栅极电压。第四晶体管T4可以是两个以上的晶体管串联连接的结构。
第五晶体管T5(第一发光控制晶体管)可以连接在驱动电压线PL和第一节点N1之间。第六晶体管T6(第二发光控制晶体管)可以连接在第三节点N3和有机发光二极管OLED之间。第五晶体管T5包括与发光控制线EL连接的栅极端子、与驱动电压线PL连接的第一端子及与第一节点N1连接的第二端子。第六晶体管T6包括连接于发光控制线EL的栅极端子、连接于第三节点N3的第一端子及连接于有机发光二极管OLED的像素电极的第二端子。第五晶体管T5及第六晶体管T6可以根据通过发光控制线EL而接收的发光控制信号En同时导通，使得驱动电流流过有机发光二极管OLED。
第七晶体管T7(第二初始化晶体管)可以连接在有机发光二极管OLED和初始化电压线VIL之间。第七晶体管T7包括与第三扫描线SL+1连接的栅极端子，与第六晶体管T6的第二端子及有机发光二极管OLED的像素电极连接的第一端子、与初始化电压线VIL连接的第二端子。第七晶体管T7可以根据通过第三扫描线SL+1而接收的第三扫描信号Sn+1导通，以将初始化电压Vint传送至有机发光二极管OLED的像素电极，从而可以初始化有机发光二极管OLED的像素电极的电压。第七晶体管T7可以被省略。
电容器Cst包括与第二节点N2连接的第一电极及与驱动电压线PL连接的第二电极。电容器Cst可以存储并维持与分别供应至第一电极和第二电极的电压的差对应的电压，从而可以维持施加至第一晶体管T1的栅极电极的电压。
有机发光二极管OLED可以包括像素电极(例如，阳极)及与像素电极面对的对电极(例如，阴极)，并且对电极可以接收公共电压ELVSS。有机发光二极管OLED可以通过从第一晶体管T1接收与存储在电容器Cst的电压值对应的驱动电流而发出预定颜色的光，从而可以显示图像。对电极可以共同地(即，一体地)布置于多个像素。
尽管在图4中像素电路的晶体管以P型晶体管图示，但是本发明的实施例不限于此。例如，像素电路的晶体管可以是N型晶体管，或者一部分可以是P型晶体管，而另一部分可以是N型晶体管。
图5是示意性地示出在图3示出的显示区域的A区域的图。图6是沿图5的I-I’线剖切的剖视图。图7是沿图3的II-II’线剖切的剖视图。图8a至图8f是以图6的第二显示区域为中心说明显示装置的制造工艺的图。图9a至图9c分别是示意性地示出根据一实施例的辅助线的布置的图。
参照图5，在第一显示区域DA1及第二显示区域DA2可以布置有像素P，并且像素P可以包括发出彼此不同颜色的光的第一像素、第二像素及第三像素。以下，为了便于说明，以第一像素是红色像素Pr，第二像素是绿色像素Pg，并且第三像素是蓝色像素Pb的例子进行说明。
红色像素Pr、绿色像素Pg及蓝色像素Pb可以在第一显示区域DA1及第二显示区域DA2以具有预定的规则而排列。
在每一行中，红色像素Pr、绿色像素Pg及蓝色像素Pb可以交替地相隔而布置。在每一行中，红色像素Pr和蓝色像素Pb可以沿第一虚拟线IL1交替地相隔而布置，并且绿色像素Pg可以沿第二虚拟线IL2相隔而布置。这种像素的布置可以重复到最后一行。此时，蓝色像素Pb及红色像素Pr的尺寸(或宽度)可以大于绿色像素Pg的尺寸(或宽度)。
沿第一虚拟线IL1布置的红色像素Pr及蓝色像素Pb和沿第二虚拟线IL2布置的绿色像素Pg可以彼此交错而布置。因此，红色像素Pr及蓝色像素Pb交替布置的列和绿色像素Pg以预定的间距相隔而布置的列可以交替地重复到最后一列。
若将这样的像素排列结构以不同的方式表现，则可以表现为如下：在以红色像素Pr的中心作为中心的虚拟的四边形VS的顶点中，在彼此面对的第一顶点和第三顶点布置有红色像素Pr，在作为剩余顶点的第二顶点和第四顶点布置有蓝色像素Pb。此时，虚拟的四边形VS可以多样地变形为矩形、菱形、正方向等。
这种像素排列结构被称为五瓦片(PenTile)结构，并且应用共享相邻的像素而表现颜色的渲染(Rendering)驱动，从而可以利用少量的像素来实现高分辨率。
在本说明书中，像素作为实现图像的最小单位而表示发光区域。在将有机发光二极管用作显示要素的情况下，像素的发光区域可以借由发光层或像素定义层的开口而定义。
图5所示的红色像素Pr、绿色像素Pg及蓝色像素Pb可以分别利用发光二极管发出红色、绿色、蓝色的光。因此，像素的布置可以相当于作为显示要素的有机发光二极管的布置。例如，图5所示的红色像素Pr的位置可以表示发出红色的光的有机发光二极管的位置。同样地，绿色像素Pg的位置可以表示发出绿色的光的有机发光二极管的位置，并且蓝色像素Pb的位置可以表示发出蓝色的光的有机发光二极管的位置。
在一实施例中，第一显示区域DA1和第二显示区域DA2的像素排列结构可以相同。第一显示区域DA1和第二显示区域DA2的分辨率可以不同。例如，第一显示区域DA1的分辨率可以高于第二显示区域DA2的分辨率。
第二显示区域DA2的有机发光二极管的尺寸(面积)、或发光区域的尺寸(面积)或像素电极的尺寸(面积)可以形成为大于第一显示区域DA1的发出对应的颜色的光的有机发光二极管的尺寸(面积)、或发光区域的尺寸(面积)或像素电极的尺寸(面积)。例如，第二显示区域DA2的红色像素Pr的有机发光二极管的尺寸、或发光区域的尺寸或像素电极的尺寸可以大于第一显示区域DA1的红色像素Pr的有机发光二极管的尺寸、或发光区域的尺寸或像素电极的尺寸。
第二显示区域DA2可以包括包含预定数量的像素的至少一个基本单元U。基本单元U可以沿x方向和/或y方向反复布置。基本单元U可以是根据像素排列结构将规定数量的像素捆绑成四边形的形状。基本单元U划分了反复的形状，并不意味着结构的断开。图5示出了一个基本单元U布置于第二显示区域DA2中的例子，该基本单元U包括根据五瓦片结构的一个红色像素Pr、一个蓝色像素Pb、两个绿色像素Pg的总共四个像素。
布置于第一显示区域DA1的像素P的有机发光二极管所连接的像素电路结构可以与布置于第二显示区域DA2的像素P的有机发光二极管所连接的像素电路结构相同。布置于第一显示区域DA1的像素P的像素电路的晶体管的尺寸和电容器的尺寸(电容)可以与布置于第二显示区域DA2的像素P的像素电路的晶体管的尺寸和电容器的尺寸(电容)不同。例如，可以调节布置于第二显示区域DA2的像素P的像素电路的晶体管的尺寸和电容器的尺寸(容量)，使得分辨率较低的第二显示区域DA2的亮度与第一显示区域DA1的亮度相似。
在第二显示区域可以配备有至少一个导电图案LDP。导电图案LDP可以位于相邻像素P之间(即，有机发光二极管之间)并且可以与有机发光二极管不重叠。导电图案LDP可以配备于构成像素电路的电路元件和/或布线没有布置的区域，或者可以配备于电路元件和/或布线的布置最少的区域。导电图案LDP可以与有机发光二极管的像素电极以相同的物质形成在相同的层。导电图案LDP可以与有机发光二极管的对电极接触而与对电极电连接。
每一个像素P的有机发光二极管可以布置于对应的像素电路的上部层。有机发光二极管可以以与像素电路重叠的方式布置于紧邻的上部，或者还可以以与像素电路偏移而与布置于相邻的行或列的另一像素P的像素电路部分重叠的方式布置。
以下，参照图8a至图8f，对根据图6及图7的剖视图的构成要素的堆叠结构进行说明。图6是第一显示区域DA1和第二显示区域DA2的剖视图。图7是周边区域PA和显示区域DA的剖视图。
参照图6、图8a至图8f，在基板100上的第一显示区域DA1及第二显示区域DA2分别可以形成有有机发光二极管OLED。
基板100可以利用玻璃、石英、高分子树脂等的绝缘物质构成。基板100可以是刚性(rigid)基板或能够实现弯曲(bending)、折叠(folding)、卷曲(rolling)等的柔性(flexible)基板。
在基板上可以布置有缓冲层111。缓冲层111可以减少或阻挡异物、湿气或外部空气从基板100的下部渗透。缓冲层111可以包括诸如氧化硅、氮氧化硅、氮化硅之类的无机绝缘物，并且可以构成为包括上述的物质的单层或多层结构。
如图8a所示，在缓冲层111上可以形成有像素电路PC及辅助电极层150。
有机发光二极管OLED可以电连接于像素电路PC。
像素电路PC可以包括薄膜晶体管TFT、电容器Cst及与其连接的多条布线。薄膜晶体管TFT可以包括：半导体层Act；栅极电极GE，与半导体层Act的沟道区域重叠；以及源极电极SE、漏极电极DE，分别连接于半导体层Act的源极区域及漏极区域。在半导体层Act和栅极电极GE之间可以设置有第一栅极绝缘层112，在栅极电极GE与源极电极SE之间以及栅极电极GE与漏极电极DE之间可以布置有第二栅极绝缘层113及层间绝缘层114。在源极电极SE及漏极电极DE上可以布置有平坦化层115。
半导体层Act可以包括多晶硅。在一部分实施例中，半导体层Act可以包括非晶硅(amorphous silicon)。在一部分实施例中，半导体层Act可以包括选自包括有铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)、锆(Zr)、钒(V)、铪(Hf)、镉(Cd)、锗(Ge)、铬(Cr)、钛(Ti)及锌(Zn)的群中的至少一种物质的氧化物半导体。半导体层Act可以包括沟道区域和掺杂有杂质的源极区域及漏极区域。
电容器Cst可以布置为与薄膜晶体管TFT重叠。电容器Cst可以包括彼此重叠的下部电极(例如，参照图4说明的第一电极)CE1和上部电极(例如，参照图4说明的第二电极)CE2。在一部分些实施例中，薄膜晶体管TFT的栅极电极GE可以包括电容器Cst的下部电极CE1。
栅极电极GE或下部电极CE1可以包括诸如钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)和/或钛(Ti)之类的低电阻的导电物质，并且可以是利用上述的物质构成的单层或多层结构。
上部电极CE2可以包括铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和/或铜(Cu)，并且可以是包括上述物质的单层或多层结构。下部电极CE1和上部电极CE2之间可以布置有层间绝缘层114。
源极电极SE和/或漏极电极DE可以包括铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、镍(Ni)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和/或铜(Cu)，并且可以是包括上述物质的单层或多层结构。例如，源极电极SE和/或漏极电极DE可以是钛层/铝层/钛层的三层结构。
第一栅极绝缘层112、第二栅极绝缘层113及层间绝缘层114可以分别包括诸如氧化硅、氮氧化硅、氮化硅之类的无机绝缘物，并且可以是包括上述物质的单层或多层结构。
在第二显示区域DA2中，在与源极电极SE和/或漏极电极DE相同的层可以形成有辅助电极层150。在一实施例中，辅助电极层150可以如图9a所示地以网格结构布置于第一显示区域DA1及第二显示区域DA2。辅助电极层150可以包括沿x方向延伸并以预定间距隔开的水平线151及沿y方向延伸并以预定间距隔开的垂直线152。水平线151可以以行单位布置，或者还可以以多个行的间距布置。垂直线152可以以列单位布置，或者还可以以多个列的间距布置。水平线151和垂直线152可以形成为一体。辅助电极层150可以在周边区域PA与连接电极层72电连接。在另一实施例中，辅助电极层150可以如图9b所示地仅包括水平线，还可以如图9c所示地仅包括垂直线。
在图9a至图9c中，辅助电极层150图示为直线，但这仅是示例性的，辅助电极层150可以根据像素布置而具有弯曲的方式沿Z字形延伸，以与显示要素或像素电极不重叠。
在图9a至图9c中，辅助电极层150与连接电极层72电连接，但这只是示例性的，辅助电极层150也可以与公共电压供应线71电连接。
如图8b所示，在层间绝缘层114上可以布置有平坦化层115。平坦化层115可以包括丙烯酸、苯并环丁烯(BCB：Benzocyclobutene)、聚酰亚胺(polyimide)或六甲基二硅氧烷(HMDSO：Hexamethyldisiloxane)等的有机物。或者，平坦化层115可以包括无机物。平坦化层115可以起到覆盖第一晶体管T1至第七晶体管T7的保护膜的作用，并且平坦化层115的上部被配备成平坦化。平坦化层115可以配备为单层或多层。
在第一栅极绝缘层112、第二栅极绝缘层113、层间绝缘层114及平坦化层115之间可以布置有多条布线。多条布线可以包括与薄膜晶体管TFT及电容器Cst连接的数据线、扫描线、发光控制线等。
在第一显示区域DA1及第二显示区域DA2的平坦化层115可以形成有用于连接像素电路PC与有机发光二极管OLED的像素电极120的接触孔CH。平坦化层115的接触孔CH可以暴露薄膜晶体管TFT的源极电极SE或漏极电极DE的一部分。在图6中，接触孔CH暴露薄膜晶体管TFT的漏极电极DE的一部分。在第二显示区域DA2的平坦化层115还可以形成有包括暴露辅助电极层150的一部分的开口115OP。
有机发光二极管OLED可以包括作为像素电极的第一电极120、发光层122与作为对电极的第二电极130的重叠结构。上述重叠结构还可以包括第一电极120与发光层122之间的第一功能层121和/或发光层122与第二电极130之间的第二功能层123。
在第一显示区域DA1和第二显示区域DA2的平坦化层115上可以配备有第一电极120。第一电极120可以包括包含银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)或其化合物的反射膜。第一电极120可以包括包含上述物质的反射膜及布置于反射膜的上方和/或下方的透明导电膜。透明导电膜可以包括氧化铟锡(ITO：indium tin oxide)、氧化铟锌(IZO：indium zinc oxide)、氧化锌(ZnO：zinc oxide)、氧化铟(In2O3：indium oxide)、氧化铟镓(IGO：indium gallium oxide)或氧化铝锌(AZO：aluminum zinc oxide)等。在一实施例中，第一电极120可以具有ITO层/Ag层/ITO层的三层结构。
第一电极120可以通过接触孔CH而与薄膜晶体管TFT的漏极电极DE接触，从而可以与包括薄膜晶体管TFT的像素电路PC电连接。
如图8c所示，在第二显示区域DA2中，在平坦化层115上还可以配备有导电图案LDP。导电图案LDP的一部分可以配备于平坦化层115的开口115OP内，以在与辅助电极层150重叠的区域的一部分区域与辅助电极层150接触，从而可以与辅助电极层150电连接。导电图案LDP可以在形成第一电极120的工艺中借由用于形成第一电极120的导电层的图案化而与第一电极120一同形成。据此，导电图案LDP可以包括与第一电极120相同的物质。
导电图案LDP可以不形成在第一显示区域DA1，据此，在第一显示区域DA1可以不形成有暴露辅助电极层150的开口。
在第一电极120上可以布置有像素定义层116，在像素定义层116可以形成有覆盖第一电极120的边缘并与第一电极120对应的开口及与导电图案LDP对应的开口。在图6及图8d中，在像素定义层116图示了如下开口：第一开口116OP1，与第一显示区域DA1的有机发光二极管OLED的第一电极120对应；第二开口116OP2，与第二显示区域DA2的有机发光二极管OLED的第一电极120对应；以及第三开口116OP3，与第二显示区域DA2的导电图案LDP对应。像素定义层116的第三开口116OP3可以与平坦化层115的开口115OP重叠。
像素定义层116的第一开口116OP1及第二开口116OP2可以分别定义第一显示区域DA1及第二显示区域DA2的有机发光二极管OLED的发光区域。例如，像素定义层116的第一开口116OP1的宽度可以对应于第一显示区域DA1的有机发光二极管OLED的发光区域的宽度，并且像素定义层116的第二开口116OP2的宽度可以对应于第二显示区域DA2的有机发光二极管OLED的宽度。像素定义层116可以利用例如聚酰亚胺或六甲基二硅氧烷(HMDSO：hexamethyldisiloxane)等的有机物形成。
发光层122可以设置为分别与像素定义层116的第一开口116OP1及第二开口116OP2对应，并且可以与第一电极120重叠。发光层122可以包括发出预定的颜色的光的高分子有机物或低分子有机物。在发光层122的下方和上方可以形成有第一功能层121及第二功能层123。
第一功能层121可以包括空穴传输层(HTL：Hole Transport Layer)和/或空穴注入层(HIL：Hole Injection Layer)。第二功能层123可以包括电子传输层(ETL：ElectronTransport Layer)和/或电子注入层(EIL：Electron Injection Layer)。与发光层122不同，第一功能层121和/或第二功能层123可以在基板100上整体地形成。即，第一功能层121和/或第二功能层123可以覆盖第一显示区域DA1及第二显示区域DA2。第一功能层121和/或第二功能层123可以覆盖像素定义层116的第一开口116OP1至第三开口116OP3。
如图8e所示，可以借由利用激光光源500的钻孔工艺去除第三开口116OP3内的第一功能层121和/或第二功能层123。随着在第三开口116OP3内去除第一功能层121和/或第二功能层123，可以暴露导电图案LDP的一部分。激光光源500可以照射到与导电图案LDP的一部分对应的区域。
如图8f所示，第二电极130可以布置于显示区域DA上部，并且可以布置为覆盖显示区域DA。即，第二电极130可以形成为一体而覆盖多个像素。第二电极130可以覆盖像素定义层116的第三开口116OP3，并且可以在第三开口116OP3内的去除第一功能层121和/或第二功能层123的区域与导电图案LDP接触。据此，第二电极130可以通过导电图案LDP而与辅助电极层150电连接。
另外，如图7所示，在周边区域PA可以布置有无机绝缘层，并且无机绝缘层可以包括先前说明的缓冲层111、第一栅极绝缘层112、第二栅极绝缘层113及层间绝缘层114中的至少一个。在无机绝缘层上可以布置有公共电压供应线71。在平坦化层115上可以布置有连接电极层72。
公共电压供应线71可以包括与源极电极SE和/或漏极电极DE相同的物质。连接电极层72可以与第一电极120绝缘，并且可以与公共电压供应线71的上表面的一部分接触。连接电极层72可以覆盖平坦化层115的上部。在一实施例中，连接电极层72可以在形成第一电极120的工艺中借由用于形成第一电极120的导电层的图案化而与第一电极120一同形成。据此，连接电极层72可以包含与第一电极120相同的物质。作为一实施例，连接电极层72可以包括ITO/Ag/ITO。在另一实施例中，连接电极层72可以借由与形成第一电极120的导电层不同的导电层而形成。连接电极层72可以与第一扫描驱动电路20及第二扫描驱动电路30重叠。
从显示区域DA延伸到周边区域PA的第二电极130可以直接与连接电极层72的上表面接触。据此，第二电极130可以通过连接电极层72而接收从公共电压供应线71施加的公共电压ELVSS。并且，第二电极130可以在第二显示区域DA2与辅助电极层150电连接，并且辅助电极层150可以如图9a至图9c所示地与连接电极层72电连接，从而可以接收公共电压ELVSS。
第二电极130向多个像素供应预定的电信号(即，公共电压ELVSS)。为了实现提供高质量图像的显示装置，需要防止在第二电极130发生电压下降等。根据本发明的实施例，通过上述结构，可以防止或最小化供应到第二电极130的公共电压ELVSS的电压下降，从而可以改善显示装置的电力消耗。
虽然未图示，可以配备有覆盖有机发光二极管OLED的封装层。封装层可以防止因外部的水分或氧气导致的损坏。封装层可以覆盖显示区域DA并延伸至显示区域DA外侧。这样的封装层可以包括至少一个无机封装层及至少一个有机封装层。在一实施例中，封装层可以具有第一无机封装层/有机封装层/第二无机封装层的堆叠结构。
图10是示意性地示出根据一实施例的显示面板的平面图。图11是沿图10的III-III’线剖切的剖视图。
图10及图11所示的除了显示面板10’的公共电压供应线71’的结构之外的其他结构与参照图3至图9c先前说明的显示装置相同，因此以下以公共电压供应线71’的差异为主进行说明。
公共电压供应线71’可以配备于与端子部40接近的周边区域PA，并且公共电压供应线71’的一部分可以与连接电极层72重叠。与参照图3说明的公共电压供应线71不同，图10的公共电压供应线71’不围绕显示区域DA。公共电压供应线71’可以通过配备于在公共电压供应线71’与连接电极层72之间设置的至少一个绝缘层的接触孔而与连接电极层72的端部电连接。连接电极层72可以与对电极接触，并且可以将公共电压供应线71’与像素P的有机发光元件的对电极电连接。据此，连接电极层72可以将从公共电压供应线71’供应的公共电压ELVSS供应到对电极。连接电极层72可以如图9a至图9c所示的在周边区域PA与辅助电极层150电连接。辅助电极层150可以如图6所示的在第二显示区域DA2与导电图案LDP电连接。
图12a至图12c分别是示出根据一实施例的第二显示区域的图。
在一实施例中，在第二显示区域DA2，基本单元U可以沿x方向重复布置。图12a图示了两个基本单元U在第二显示区域DA2沿x方向重复布置的例。
在一实施例中，在第二显示区域DA2，基本单元U可以沿y方向重复布置。图12b图示了两个基本单元U在第二显示区域DA2沿y方向重复布置的例。
在一实施例中，在第二显示区域DA2，基本单元U可以沿x方向及y方向重复布置。图12c图示了四个基本单元U在第二显示区域DA2沿x方向及y方向重复布置的例。
布置于第二显示区域DA2的基本单元U的连续布置形态及数量可以根据激光钻孔的效果及像素布置布局的容易性来不同地确定。可以根据基本单元U的连续配置形态及数量来决定导电图案LDP的位置及数量。
图13是示出根据一实施例的显示区域的一部分的图。
第二显示区域DA2的像素排列结构可以与第一显示区域DA1的像素排列结构不同。例如，第一显示区域DA1的像素排列结构可以是五瓦片结构，第二显示区域DA2的像素排列结构可以是条纹(stripe)结构、S-条纹(stripe)结构、马赛克(mosaic)结构、三角洲(delta)结构等的与五瓦片结构不同的像素排列结构。
图13图示了第一显示区域DA1是五瓦片结构的像素排列以及第二显示区域DA2是S-条纹结构的像素排列的例。在S-条纹结构中，红色像素Pr和绿色像素Pg可以沿y方向相邻布置，并且蓝色像素Pb可以与红色像素Pr及绿色像素Pg沿x方向相邻布置。此时，红色像素Pr及绿色像素Pg可以是沿x方向具有长边的四边形形状，并且蓝色像素Pb可以是沿y方向具有长边的四边形形状。蓝色像素Pb沿y方向的长度可以等于或大于红色像素Pr沿y方向的长度和绿色像素Pg沿y方向的长度之和。据此，蓝色像素Pb的尺寸可以大于红色像素Pr及绿色像素Pg的尺寸。
在第二显示区域DA2为S-条纹结构的情况下，基本单元U可以包括以预定间距布置的三个像素组PG，并且一个像素组PG可以分别包括一个红色像素Pr、一个绿色像素Pg和一个蓝色像素Pb共3个像素。
在像素组PG之间与对电极接触的导电图案LDP布置有预定数量。
图14及图15a是分别示出根据一实施例的第二显示区域的一部分的图。图15b是沿图15a的IV-IV’线剖切的剖视图。
如图14所示，作为像素电极的第一电极120Pr、120Pg、120Pb可以以预定图案布置在第二显示区域DA2。辅助电极层150可以在第一电极120Pr、120Pg、120Pb之间沿Z字形形态布置成网格结构。
辅助电极层150可以布置于与第一电极120Pr、120Pg、120Pb不同的层。在一实施例中，辅助电极层150可以布置于第一电极120Pr、120Pg、120Pb的下部层。
导电图案LDP可以布置于第一电极120Pr、120Pg、120Pb之间。导电图案LDP可以通过布置于导电图案LDP和辅助电极层150之间的绝缘层的接触孔CNT与辅助电极层150接触而电连接。导电图案LDP可以与从辅助电极层150突出的突出部150P接触而电连接。
在另一实施例中，如图15a所示，导电图案LDP和辅助电极层150可以配备为一体。参照图15a及图15b，导电图案LDP可以与从辅助电极层150突出的部分对应，并且导电图案LDP和辅助电极层150可以以与第一电极120Pr、120Pg、120Pb不重叠的方式与第一电极120Pr、120Pg、120Pb布置在相同的层。导电图案LDP和辅助电极层150可以布置于平坦化层115上部。
在第二显示区域DA2的像素定义层116可以形成有暴露第一电极120Pr、120Pg、120Pb的一部分的第二开口116OP2和暴露导电图案LDP的一部分的第三开口116OP3。有机发光二极管OLED的第二电极130可以配备于第三开口116OP3内并与导电图案LDP接触。
图16是示出根据一实施例的第二显示区域的一部分的图。
参照图16，第二显示区域DA2可以包括像素周围的透射区域TA。透射区域TA可以形成为围绕像素。在透射区域TA可以去除缓冲层111、第一栅极绝缘层112、第二栅极绝缘层113及层间绝缘层114中的至少一个绝缘层而提高第二显示区域DA2的透射率。
缓冲层111、第一栅极绝缘层112、第二栅极绝缘层113及层间绝缘层114可以被统称为无机绝缘层IL。图16图示了在无机绝缘层IL中的第一栅极绝缘层112、第二栅极绝缘层113及层间绝缘层114形成孔ILH的例。
辅助电极层150可以在无机绝缘层IL的孔ILH内布置于缓冲层111上。辅助电极层150可以包括与栅极电极GE、电容器Cst的上部电极CE2、源极电极SE及漏极电极DE中的一种相同的物质。
在无机绝缘层IL上部可以以覆盖源极电极SE、漏极电极DE及辅助电极层150的方式布置有平坦化层115。在平坦化层115可以形成有暴露源极电极SE及漏极电极DE中的一个的孔CH和暴露辅助电极层150的一部分的开口115OP。
在平坦化层115上部可以布置有像素电极120及导电图案LDP。像素电极120可以通过孔CH而与源极电极SE及漏极电极DE中的一个接触来与像素电路PC电连接。导电图案LDP可以通过开口115OP而与辅助电极层150接触来电连接。
在一实施例中，显示装置还可以包括布置于第二显示区域DA2的基板100下部的至少一个传感器等的作为电子元件的组件。
随着显示面板的尺寸变大，在显示便面的中央部由于公共电压的IR下降导致亮度降低较大。为此，在显示面板的显示区域需要与对电极接触的辅助电极。在高分辨率面板的情况下，由于像素电路的集成度高，因此用于对电极与辅助电极的接触的空间可能不足。
在本发明的实施例中，在配备有多种分辨率的显示区域的显示装置中，在多个分辨率区域中的低分辨率区域配备有包括用于对电极与辅助电极层的电连接的导电图案的接触区域。在接触区域，对电极与导电图案接触，导电图案与辅助电极层接触，从而可以彼此电连接。
在本发明的实施例中，第二显示区域配备有与对电极接触的导电图案，其中所述第二显示区域是相比于作为主显示区域的高分辨率的第一显示区域而言是像素电路的集成度较低的作为辅助显示区域的低分辨率的显示区域。据此，在高分辨率的显示装置中，也可以最小化因对电极的IR下降引起的亮度降低，从而可以确保图像品质。
如上，以附图中所示的一实施例为参考说明了本发明，但这仅为示例性的，只要是在本技术领域中具有普通知识的人便可以理解本发明能够由此实现多种变形且能够实现等同的其他实施例。因此，本发明的真正的技术保护范围应当根据所记载的权利要求书的技术思想而被确定。

Claims (20)

1.一种显示装置，所述显示装置包括显示区域及非显示区域，所述显示区域包括第一分辨率的第一区域和比所述第一分辨率低的第二分辨率的第二区域，包括：
导电图案，布置于所述显示区域的所述第二区域；
像素电极，布置于所述第二区域；
对电极，与所述像素电极对向，并且与所述导电图案接触；以及
第一电极层，布置于所述非显示区域，并且与所述对电极接触。
2.如权利要求1所述的显示装置，其中，
所述导电图案与所述像素电极布置于同一层。
3.如权利要求1所述的显示装置，其中，还包括：
绝缘层，覆盖所述像素电极的边缘，并且定义有与所述像素电极的一部分对应的第一开口及与所述导电图案的一部分对应的第二开口。
4.如权利要求3所述的显示装置，其中，
在所述绝缘层还形成有与布置于所述第一区域的像素电极的一部分对应的第三开口，
所述第一开口的尺寸大于所述第三开口的尺寸。
5.如权利要求1所述的显示装置，其中，还包括：
第二电极层，布置于基板和所述导电图案之间的层，并且在所述第二区域与所述导电图案接触。
6.如权利要求5所述的显示装置，其中，还包括：
第一绝缘层，覆盖所述第二电极层，并且在所述第二区域定义有与所述第二电极层的一部分对应的第一开口；以及
第二绝缘层，布置于所述第一绝缘层上部，覆盖所述像素电极的边缘，并且定义有与所述像素电极的一部分对应的第二开口及与所述导电图案的一部分对应的第三开口，
其中，所述第三开口与所述第一开口重叠。
7.如权利要求6所述的显示装置，其中，
在所述第二绝缘层还定义有与布置于所述第一区域的像素电极的一部分对应的第四开口，
所述第二开口的尺寸大于所述第四开口的尺寸。
8.如权利要求5所述的显示装置，其中，
在所述非显示区域，所述第二电极层与所述第一电极层电连接。
9.如权利要求1所述的显示装置，其中，
所述第一电极层包括与所述像素电极相同的物质。
10.如权利要求1所述的显示装置，其中，
所述第二区域分散布置于所述显示区域。
11.如权利要求1所述的显示装置，其中，
在所述非显示区域，所述第一电极层与将所述导电图案作为一部分而包括的第二电极层电连接。
12.如权利要求1所述的显示装置，其中，
所述第一电极层与所述非显示区域的驱动电路重叠。
13.如权利要求1所述的显示装置，其中，
包括布置于所述第二区域的像素电极的有机发光二极管的发光区域大于包括布置于所述第一区域的像素电极的有机发光二极管的发光区域。
14.一种显示装置的制造方法，所述显示装置包括显示区域及非显示区域且所述显示区域包括第一分辨率的第一区域和比所述第一分辨率低的第二分辨率的第二区域，包括如下步骤：
在所述显示区域的所述第一区域形成第一像素电极，并且在所述显示区域的所述第二区域形成第二像素电极；
在所述显示区域的所述第二区域形成导电图案；以及
形成对电极，其中，所述对电极与所述第一像素电极及所述第二像素电极对向，在所述第二区域与所述导电图案接触，并且在所述非显示区域与布置于所述非显示区域的第一电极层接触。
15.如权利要求14所述的显示装置的制造方法，其中，
所述导电图案与所述第二像素电极形成于同一层。
16.如权利要求15所述的显示装置的制造方法，其中，还包括如下步骤：
形成覆盖所述第一像素电极、所述第二像素电极以及所述导电图案的像素定义层；以及
在所述像素定义层形成与所述第一像素电极对应的第一开口、与所述第二像素电极对应的第二开口以及与所述导电图案对应的第三开口，
其中，所述对电极覆盖所述第三开口，并且在所述第三开口内与所述导电图案接触。
17.如权利要求16所述的显示装置的制造方法，其中，还包括如下步骤：
在所述第一开口以及所述第二开口分别形成发光层；
形成覆盖所述第一开口、所述第二开口以及所述第三开口的功能层；以及
借由激光钻孔在与所述第三开口内的所述导电图案对应的区域去除所述功能层，
其中，所述对电极在所述第三开口内的去除所述功能层的区域与所述导电图案接触。
18.如权利要求17所述的显示装置的制造方法，其中，还包括如下步骤：
在基板与所述导电图案之间的层形成在所述第二区域与所述导电图案接触的第二电极层。
19.如权利要求18所述的显示装置的制造方法，其中，
在所述非显示区域，所述第二电极层与所述第一电极层电连接。
20.如权利要求14所述的显示装置的制造方法，其中，
在所述非显示区域，所述第一电极层与将所述导电图案作为一部分而包括的第二电极层电连接。
CN202210373331.4A 2021-04-26 2022-04-11 显示装置及显示装置的制造方法 Pending CN115249731A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020210053753A KR20220147180A (ko) 2021-04-26 2021-04-26 표시장치
KR10-2021-0053753 2021-04-26

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN115249731A true CN115249731A (zh) 2022-10-28

Family

ID=83694665

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202210373331.4A Pending CN115249731A (zh) 2021-04-26 2022-04-11 显示装置及显示装置的制造方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20220344440A1 (zh)
KR (1) KR20220147180A (zh)
CN (1) CN115249731A (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20230048189A (ko) * 2021-10-01 2023-04-11 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치

Also Published As

Publication number Publication date
KR20220147180A (ko) 2022-11-03
US20220344440A1 (en) 2022-10-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9985085B2 (en) Array substrate for narrow frame design, manufacturing method thereof and display device
US20170110521A1 (en) Transparent display apparatus
US11715426B2 (en) Display panel and display apparatus including the same
CN114122025A (zh) 显示基板及其制备方法、显示装置
CN112992969A (zh) 显示装置
CN113809129A (zh) 显示设备
CN112753064A (zh) 显示装置
CN112466909A (zh) 显示装置以及制造该显示装置的方法
CN115249731A (zh) 显示装置及显示装置的制造方法
CN113764464A (zh) 显示设备
US20230133807A1 (en) Display device
KR102627224B1 (ko) 디스플레이 패널 및 이를 포함하는 디스플레이 장치
US20220254853A1 (en) Display apparatus
US20220059637A1 (en) Display apparatus
CN115424570A (zh) 像素电路及其驱动方法、显示基板和显示装置
CN116056504A (zh) 显示基板及其制备方法、显示装置
WO2023283996A1 (zh) 双面显示面板及显示装置
KR100739649B1 (ko) 유기 전계 발광 표시장치 및 이의 제조 방법
CN113889511A (zh) 显示设备和制造该显示设备的方法
KR20220118602A (ko) 표시 장치
CN113299688A (zh) 显示面板
CN220570914U (zh) 显示装置
US20240049508A1 (en) Display device and method of manufacturing the same
CN220326168U (zh) 显示装置
US20240006570A1 (en) Display device and method of fabricating the same

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination