CN112992969A - 显示装置 - Google Patents

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金亨锡
徐荣完
李柔辰
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Abstract

本发明的一实施例公开显示装置，包括：第一显示区域，由多个像素区域构成；以及第二显示区域，由所述多个像素区域和多个透过区域构成，且与所述第一显示区域相邻地配置，所述多个像素区域分别包括多个子像素，每个所述子像素包括像素电路部和与所述像素电路部电连接的有机发光元件，所述像素电路部包括具有半导体层和栅电极的薄膜晶体管以及所述薄膜晶体管上的无机绝缘膜，所述第二显示区域在所述多个像素区域和所述多个透过区域之中的至少一个中还包括贯通所述无机绝缘膜的虚设接触孔。

Description

显示装置
技术领域
本发明的各实施例涉及显示装置。
背景技术
最近，显示装置的趋势是在前表面去除物理键且扩大显示图像的显示区域。作为一例，显示装置可以具备触摸输入单元，从而可通过触摸显示装置的画面来执行输入操作，在配置有如传感器等用于扩展显示装置的功能的单独部件的区域也可以显示图像。为此，传感器等可以位于与显示图像的显示区域重叠的位置处。
当如传感器等单独的部件位于与显示区域重叠的位置时，为了传感器的感测操作，显示区域需要构成为可使外部的信号通过。但是，随着显示区域构成为可使信号通过，像素间的特性可能会不同或者触摸输入单元的触摸灵敏度也可能会下降。
发明内容
本发明的目的在于提供一种显示装置，即便显示区域构成为使信号通过也可防止或最小化像素间的特性的不同，且防止触摸输入单元的触摸灵敏度的降低。
本发明的一侧面涉及的显示装置可以包括：第一显示区域，由多个像素区域构成；以及第二显示区域，由所述多个像素区域和多个透过区域构成，且与所述第一显示区域相邻地配置；所述多个像素区域分别包括多个子像素，每个所述子像素包括像素电路部和与所述像素电路部电连接的有机发光元件，所述像素电路部包括具有半导体层和栅电极的薄膜晶体管以及所述薄膜晶体管上的无机绝缘膜，所述第二显示区域在所述多个像素区域和所述多个透过区域之中的至少一个中还包括贯通所述无机绝缘膜的虚设接触孔。
在本实施例中，可以是，所述有机发光元件包括像素电极、所述像素电极上的公共电极和位于所述像素电极与所述公共电极之间且具备发光层的中间层，在所述多个像素区域中一体地具备所述公共电极，并且所述公共电极不位于所述多个透过区域。
在本实施例中，可以是，在所述第二显示区域，所述多个像素区域构成格子图案，所述多个透过区域位于所述多个像素区域之间，所述虚设接触孔位于分别包括于所述多个像素区域的所述多个子像素之中与两个所述透过区域相邻的子像素。
在本实施例中，可以是，所述虚设接触孔在所述像素电路部内不与包括于所述像素电路部的多个金属层重叠。
在本实施例中，可以是，还包括在所述无机绝缘膜上与所述半导体层连接的连接金属和所述连接金属上的平坦化层，所述有机发光元件位于所述平坦化层上，所述平坦化层填充所述虚设接触孔。
在本实施例中，可以是，所述半导体层位于基板上，所述显示装置还包括：阻断层，在所述第二显示区域，与所述多个像素区域重叠并位于所述基板与所述半导体层之间。
在本实施例中，可以是，在所述基板上还设置有层叠了包括彼此不同的材质的第一缓冲层与第二缓冲层的缓冲层，所述阻断层配置在所述第一缓冲层与所述第二缓冲层之间。
在本实施例中，可以是，在与所述像素区域相邻的位置处，沿着所述透过区域的边缘位置设置多个所述虚设接触孔。
在本实施例中，可以是，还包括：输入感知单元，与所述第一显示区域和所述第二显示区域对应地配置，所述输入感知单元包括多个第一感知电极和多个第二感知电极，在所述透过区域彼此被分离的所述多个第一感知电极通过第一连接布线彼此被连接，并且在所述透过区域彼此被分离的所述多个第二感知电极通过在与所述第一连接布线垂直的方向上延伸的第二连接布线而彼此被连接，所述第一连接布线和所述第二连接布线位于彼此不同的层。
在本实施例中，可以是，所述第一连接布线和所述第二连接布线设置成与所述虚设接触孔重叠。
本发明的其他侧面涉及的显示装置可以包括：显示面板，包括分辨率彼此不同的第一显示区域和第二显示区域；以及输入感知单元，位于所述显示面板上,所述第二显示区域包括多个像素区域和作为不同于所述多个像素区域的区域的多个透过区域，所述输入感知单元包括彼此被电连接的多个第一感知电极和彼此被电连接的多个第二感知电极，在所述透过区域彼此被分离的所述多个第一感知电极通过第一连接布线被电连接，在所述透过区域彼此被分离的所述多个第二感知电极通过在与所述第一连接布线垂直的方向上延伸的第二连接布线被电连接，所述第一连接布线和所述第二连接布线位于彼此不同的层。
在本实施例中，可以是，所述多个第一感知电极和所述多个第二感知电极位于彼此相同的层，所述第一连接布线和所述第二连接布线中的一个位于与所述多个第一感知电极相同的层且另一个位于与所述多个第一感知电极不同的层。
在本实施例中，可以是，所述多个第一感知电极和所述多个第二感知电极位于彼此不同的层，所述第一连接布线位于与所述多个第一感知电极相同的层，并且所述第二连接布线位于与所述多个第二感知电极相同的层。
在本实施例中，可以是，所述多个像素区域分别包括多个子像素，每个所述子像素包括像素电路部和与所述像素电路部电连接的有机发光元件，所述像素电路部包括具有半导体层和栅电极的薄膜晶体管以及所述薄膜晶体管上的无机绝缘膜，所述第二显示区域在所述多个像素区域和所述多个透过区域之中的至少一个中还包括贯通所述无机绝缘膜的虚设接触孔。
在本实施例中，可以是，在所述第二显示区域，所述多个像素区域构成格子图案，所述多个透过区域位于所述多个像素区域之间，在与所述多个像素区域相邻的位置处，沿着所述多个透过区域的边缘位置设置多个所述虚设接触孔，所述第一连接布线和所述第二连接布线配置成与所述虚设接触孔重叠。
在本实施例中，可以是，还包括在所述无机绝缘膜上与所述半导体层连接的连接金属和所述连接金属上的平坦化层，所述有机发光元件位于所述平坦化层上，所述平坦化层填充所述虚设接触孔。
在本实施例中，可以是，所述有机发光元件包括与所述连接金属连接的像素电极、所述像素电极上的公共电极和位于所述像素电极与所述公共电极之间的具备发光层的中间层，在所述第一显示区域和所述第二显示区域的整体上一体地具备所述公共电极，且所述公共电极不位于所述多个透过区域。
在本实施例中，可以是，在所述第二显示区域，所述多个像素区域构成格子图案，所述多个透过区域位于所述多个像素区域之间，所述虚设接触孔位于分别包括于所述多个像素区域中的所述多个子像素之中与两个所述透过区域相邻的子像素。
在本实施例中，可以是，所述虚设接触孔在所述像素电路部内不与包括于所述像素电路部的金属层重叠。
在本实施例中，可以是，所述半导体层位于基板上，所述显示装置还包括：阻断层，与所述多个像素区域重叠，且位于所述基板与所述半导体层之间；以及构件，在与所述多个像素区域和所述多个透过区域重叠的位置处配置在所述基板的下部，且感知外部的信号。
(发明效果)
根据本发明的各实施例，通过在透过区域和像素区域中的至少一个中形成虚设接触孔，从而可以防止或最小化与透过区域相邻的子像素的特性不同于其他子像素的情况。另外，通过夹着透过区域而彼此被分离的多个感知电极通过连接布线被连接，并且所述连接布线设置成与虚设接触孔重叠，从而可以在维持透过区域的开口率的同时防止触摸输入单元的触摸灵敏度的下降。
附图说明
图1是示意性表示本发明的一实施例涉及的显示装置的一例的平面图。
图2是示意性表示图1的显示装置的显示面板的一例的平面图。
图3是示意性表示图2的第二显示区域的像素区域和透过区域的配置的一例的平面图。
图4是图3的一个子像素的等效电路图。
图5是示意性表示图3的一个子像素的像素电路部的结构的平面图。
图6是示意性表示图2的I-I’截面和图3的II-II’截面的一例的剖视图。
图7是示例性表示图3的II-II’截面的其他例的剖视图。
图8是示意性表示图1的A部分的一例的平面图。
图9是示意性表示图8的III-III’截面的一例的剖视图。
图10是示意性表示图1的A部分的其他例的平面图。
图11是示意性表示图10的IV-IV’截面的一例的剖视图。
图12是示意性表示图1的B部分的一例的平面图。
具体实施方式
本发明可以具有各种变换以及各种实施例，在附图中例示特定实施例，并进行详细说明。参照与附图一起详细后述的各实施例，本发明的效果、特征以及达成这些效果和特征的方法会变得明确。但是，本发明并不限于以下公开的各实施例，可以以各种方式实现。
在以下的实施例中，第一、第二等用语并不是限定性用语，是为了将一个构成要素区别于其他构成要素而使用。
在以下的实施例中，单数的表现在文中没有明确相反意思时包括多个的表现。
在以下的实施例中，包括或者具有等用语应理解为是指代说明书上记载的特征或构成要素的存在，并不是事先排除一个以上的其他特征或构成要素的附加可能性。
在以下的实施例中，膜、区域、构成要素等部分位于其他部分上或者上方时，不仅包括直接位于其他部分上的情况，还包括其间存在其他膜、区域、构成要素等的情况。
在附图中，为了便于说明，各构成要素其大小可能会有所扩大或缩小。例如，图示的各构成的大小以及厚度是为了便于说明而示出的，本发明并不一定限于图示的情况。
在某一实施例可以以不同方式实现的情况下，也可以以所说明的顺序不同地执行特定的工序顺序。例如，连续说明的两个工序实质上可以同时执行，也可以以所说明的顺序相反的顺序执行。
以下，参照附图，详细说明本发明的各实施例，在参照附图进行说明时，对相同或对应的构成要素赋予相同的符号。
图1是示意性表示本发明的一实施例涉及的显示装置的一例的平面图，图2是示意性表示图1的显示装置的显示面板的一例的平面图。
参照图1和图2，本发明的一实施例涉及的显示装置10可以包括显示面板100和位于显示面板100的上部的输入感知单元400。
显示面板100包括显示图像的显示区域DA和位于显示区域DA的外侧的周边区域PA。这也可以认为是基板101具有这种显示区域DA和周边区域PA。
在显示区域DA可以设置有多个显示元件。作为一例，显示元件可以是有机发光元件(OLED)，可以射出红色、绿色、蓝色或白色的光。显示区域DA可以包括具有彼此不同的分辨率的第一显示区域DA1和第二显示区域DA2。
第一显示区域DA1可以是主显示区域，可以由多个像素区域(图3的PX)构成。在与第一显示区域DA1相邻的第二显示区域DA2，在基板101的下部可以配置利用光信号或声音信号的传感器等。利用光信号的光传感器可以包括脸部ID(face ID)、用于虹膜识别等的照相机、指纹传感器等。即，第二显示区域DA2可以构成为与第一显示区域DA1一起显示图像，但是第二显示区域DA2可以由多个像素区域(图3的PX)和多个透过区域(图3的TA)构成，使得传感器等接收外部的光信号和/或声音信号，并将来自传感器等的这种信号输出到显示装置10的外部。
因此，第二显示区域DA2其分辨率可以低于第一显示区域DA1。换言之，在同一单位面积内，配置在第二显示区域DA2的像素区域(图3的PX)的数量可以少于第一显示区域DA1。作为一例，第二显示区域DA2的分辨率可以是第一显示区域DA1的分辨率的约1/2。例如，第一显示区域DA1的分辨率可以是约400ppi以上，第二显示区域DA2的分辨率可以是约200ppi以上。
在周边区域PA可以配置驱动部、电源供给布线等。另外，周边区域PA可以包括如驱动集成电路这样的各种电子元件或作为以电方式附着有印刷电路基板等的区域的焊盘区域PADA。
输入感知单元400可以设置成与显示区域DA对应，且包括在彼此交叉的方向上延伸的多个第一感知电极(图8的410)和多个第二感知电极(图8的420)，从而可以感知如使用者的手或笔这样的外部的触摸输入单元的接触等来生成输入信号。
另一方面，可以认为图2是表示显示面板100的制造过程中的基板101等的情况的平面图。在最终的显示面板100或包括显示面板100的智能电话等电子装置中，可以为了将被使用者识别的周边区域PA的面积最小化而弯曲基板101等的一部分。例如，可以使基板101在焊盘区域PADA与显示区域DA之间弯曲，从而设置成焊盘区域PADA的至少一部分与显示区域DA重叠。当然，弯曲方向被设置成焊盘区域PADA不会遮挡显示区域DA，而是焊盘区域PADA位于显示区域DA的后侧。由此，使用者可以识别出显示区域DA占据显示装置10的大部分。
另外，显示区域DA的左右侧的边缘位置可以被弯折成向外部突出的形状。由此，当从正面观察显示装置(图1的10)时，显示装置(图1的10)的两侧的边缘位置被识别成无边框的状态，可以具有显示区域DA被扩展的效果。
图3是示意性表示图2的第二显示区域的像素区域和透过区域的配置的一例的平面图，图4是图3的一个子像素的等效电路图，图5是示意性表示图3的一个子像素的像素电路部的结构的平面图，图6是示意性表示图2的I-I’截面和图3的II-II’截面的一例的剖视图，并且图7是示例性表示图3的II-II’截面的其他例的剖视图。
参照图3，第二显示区域DA2可以包括多个像素区域PX和多个透过区域TA。在第二显示区域DA2，可以比第一显示区域(图2的DA1)稀疏地配置多个像素区域PX。作为一例，多个像素区域PX可以构成格子图案，且多个透过区域TA可以位于多个像素区域PX之间。相反，在第一显示区域(图2的DA1)，可以无透过区域TA地稠密地排列多个像素区域PX。
在多个像素区域PX分别可以配置至少一个子像素SPX。作为一例，在图3示出了在一个像素区域PX以pentile形式(type)配置八个子像素SPX的例，但是配置于一个像素区域PX的子像素SPX的个数和配置可以是多样的。
以下，参照图4和图5，对一个子像素SPX进行更详细的说明。参照图4和图5，一个子像素SPX可以包括像素电路部PC和与像素电路部PC电连接的有机发光元件OLED。
作为一例，如图4所示，像素电路部PC可以包括多个薄膜晶体管(T1至T7)和储能电容器Cst。多个薄膜晶体管(T1至T7)和储能电容器Cst连接到多个信号线(SL、SL-1、SL+1、EL、DL)、第一初始化电压线VL1、第二初始化电压线VL2和驱动电压线PL。
多个信号线(SL、SL-1、SL+1、EL、DL)可以包括：传递扫描信号Sn的扫描线SL；向第一初始化薄膜晶体管T4传递前一扫描信号Sn-1的前一扫描线SL-1；向第二初始化薄膜晶体管T7传递扫描信号Sn的后一扫描线SL+1；向操作控制薄膜晶体管T5和发光控制薄膜晶体管T6传递发光控制信号En的发光控制线EL；以及与扫描线SL交叉且传递数据信号Dm的数据线DL。驱动电压线PL可以向驱动薄膜晶体管T1传递驱动电压ELVDD，第一初始化电压线VL1可以向第一初始化薄膜晶体管T4传递初始化电压Vint，并且第二初始化电压线VL2可以向第二初始化薄膜晶体管T7传递初始化电压Vint。
驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极G1与储能电容器Cst的下部电极CE1电连接，驱动薄膜晶体管T1的驱动源电极S1经由操作控制薄膜晶体管T5而与下部的驱动电压线PL电连接，驱动薄膜晶体管T1的驱动漏电极D1经由发光控制薄膜晶体管T6而与有机发光元件OLED的像素电极电连接。驱动薄膜晶体管T1根据开关薄膜晶体管T2的开关操作而接受数据信号Dm，从而向有机发光元件OLED供给驱动电流IOLED。
开关薄膜晶体管T2的开关栅电极G2与扫描线SL连接，开关薄膜晶体管T2的开关源电极S2与数据线DL连接，开关薄膜晶体管T2的开关漏电极D2与驱动薄膜晶体管T1的驱动源电极S1连接的同时经由操作控制薄膜晶体管T5而与下部的驱动电压线PL连接。开关薄膜晶体管T2根据通过扫描线SL接受的扫描信号Sn而被导通，从而执行将传递至数据线DL的数据信号Dm传递到驱动薄膜晶体管T1的驱动源电极S1的开关操作。
补偿薄膜晶体管T3的补偿栅电极G3与扫描线SL连接，补偿薄膜晶体管T3的补偿源电极S3与驱动薄膜晶体管T1的驱动漏电极D1连接的同时经由发光控制薄膜晶体管T6而与有机发光元件OLED的像素电极连接，补偿薄膜晶体管T3的补偿漏电极D3与储能电容器Cst的下部电极CE1、第一初始化薄膜晶体管T4的第一初始化漏电极D4和驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极G1连接。补偿薄膜晶体管T3根据通过扫描线SL接受的扫描信号Sn而被导通，从而电连接驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极G1与驱动漏电极D1，从而对驱动薄膜晶体管T1进行二极管连接。
第一初始化薄膜晶体管T4的第一初始化栅电极G4与前一扫描线SL-1连接，第一初始化薄膜晶体管T4的第一初始化源电极S4与第一初始化电压线VL1连接，第一初始化薄膜晶体管T4的第一初始化漏电极D4与储能电容器Cst的下部电极CE1、补偿薄膜晶体管T3的补偿漏电极D3和驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极G1连接。第一初始化薄膜晶体管T4根据通过前一扫描线SL-1接受的前一扫描信号Sn-1而被导通，从而执行将初始化电压Vint传递给驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极G1来将驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极G1的电压初始化的初始化操作。
操作控制薄膜晶体管T5的操作控制栅电极G5与发光控制线EL连接，操作控制薄膜晶体管T5的操作控制源电极S5与下部的驱动电压线PL连接，操作控制薄膜晶体管T5的操作控制漏电极D5与驱动薄膜晶体管T1的驱动源电极S1及开关薄膜晶体管T2的开关漏电极D2连接。
发光控制薄膜晶体管T6的发光控制栅电极G6与发光控制线EL连接，发光控制薄膜晶体管T6的发光控制源电极S6与驱动薄膜晶体管T1的驱动漏电极D1及补偿薄膜晶体管T3的补偿源电极S3连接，发光控制薄膜晶体管T6的发光控制漏电极D6与第二初始化薄膜晶体管T7的第二初始化源电极S7及有机发光元件OLED的像素电极电连接。
操作控制薄膜晶体管T5和发光控制薄膜晶体管T6根据通过发光控制线EL接受的发光控制信号En而同时被导通，从而将驱动电压ELVDD传递给有机发光元件OLED来使驱动电流IOLED流过有机发光元件OLED。
第二初始化薄膜晶体管T7的第二初始化栅电极G7与后一扫描线SL+1连接，第二初始化薄膜晶体管T7的第二初始化源电极S7与发光控制薄膜晶体管T6的发光控制漏电极D6及有机发光元件OLED的像素电极连接，第二初始化薄膜晶体管T7的第二初始化漏电极D7与第二初始化电压线VL2连接。
另一方面，扫描线SL与后一扫描线SL+1彼此被电连接，从而可以向扫描线SL和后一扫描线SL+1施加同一扫描信号Sn。因此，第二初始化薄膜晶体管T7可以根据通过后一扫描线SL+1接受的扫描信号Sn而被导通，从而执行将有机发光元件OLED的像素电极初始化的操作。
储能电容器Cst的上部电极CE2与驱动电压线PL连接，有机发光元件OLED的公共电极与公共电压ELVSS连接。由此，有机发光元件OLED可以从驱动薄膜晶体管T1接受驱动电流IOLED而发光，从而可以显示图像。
在图4中示出了补偿薄膜晶体管T3和第一初始化薄膜晶体管T4具有双栅电极的情况，但是补偿薄膜晶体管T3和第一初始化薄膜晶体管T4也可以具有一个栅电极。
以下，参照图5和图6，更详细说明一个子像素SPX的结构。另一方面，如图6所示，由于在第一显示区域DA1和第二显示区域DA2可以包括具有同一结构的子像素SPX，因此在以下不区分第一显示区域DA1和第二显示区域DA2来进行说明。另外，在图6中，为了便于说明，在像素电路部PC仅示出了发光控制薄膜晶体管T6。
可以沿着半导体层1130配置驱动薄膜晶体管T1、开关薄膜晶体管T2、补偿薄膜晶体管T3、第一初始化薄膜晶体管T4、操作控制薄膜晶体管T5、发光控制薄膜晶体管T6和第二初始化薄膜晶体管T7，半导体层1130的部分区域可以构成驱动薄膜晶体管T1、开关薄膜晶体管T2、补偿薄膜晶体管T3、第一初始化薄膜晶体管T4、操作控制薄膜晶体管T5、发光控制薄膜晶体管T6和第二初始化薄膜晶体管T7的半导体层。
半导体层1130可以形成在基板101上。作为其他例，可以在基板101上形成缓冲层111，半导体层1130形成在缓冲层111上。
基板101可以包括玻璃或高分子树脂。高分子树脂可以包括聚醚砜(polyethersulfone)、聚丙烯酸酯(polyacrylate)、聚醚酰亚胺(polyetherimide)、聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylene naphthalate)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(polyethyleneterephthalate)、聚苯硫醚(polyphenylene sulfide)、聚芳酯(polyarylate)、聚酰亚胺(polyimide)、聚碳酸酯(polycarbonate)或乙酸丙酸纤维素(cellulose acetatepropionate)等。包括高分子树脂的基板101可以具有柔性、可卷曲或可弯曲的特性。基板101可以是包括前述的高分子树脂的层与包括无机层(未图示)的多层结构。
缓冲层111可以减少或阻断从基板101的下部的异物、湿气或外气的渗透，并可以在基板101上提供平坦面。缓冲层111可以包括如氧化物或氮化物的无机物、或有机物、或有机-无机物的混合物，可以由无机物与有机物的单层或多层结构构成。作为一例，缓冲层111可以由层叠了第一缓冲层111a与第二缓冲层111b的结构构成，此时，第一缓冲层111a与第二缓冲层111b可以由彼此不同的材质构成。例如，第一缓冲层111a可以含有硅氮化物，例如可以含有SiNx。第二缓冲层111b可以含有硅氧化物，例如可以含有SiOx。
如上所述，在第一缓冲层111a包括硅氮化物的情况下，在形成硅氮化物时可以使其包括氢，由此可以提高在缓冲层111上形成的半导体层1130的载流子迁移率，从而可以提高薄膜晶体管(T1至T7)的电特性。另外，半导体层1130可以含硅物质来形成，在该情况下，含硅的半导体层1130与含硅氧化物的第二缓冲层111b之间的界面接合特性得到提高，从而可以提高薄膜晶体管(T1至T7)的电特性。
半导体层1130可以包括低温多晶硅(Low Temperature Poly-Silicon；LTPS)。多晶硅物质其电子移动度高(100cm2/Vs以上)，且功耗低，可靠性出色。作为其他例，半导体层1130也可以由非晶硅(a-Si)和/或氧化物半导体形成，也可以是多个薄膜晶体管之中的一部分的半导体层由低温多晶硅(LTPS)形成，另一部分的半导体层由非晶硅(a-Si)和/或氧化物半导体形成。
在半导体层1130上可以设置第一栅极绝缘层112，在第一栅极绝缘层112上可以设置扫描线SL、前一扫描线SL-1、后一扫描线SL+1和发光控制线EL。
第一栅极绝缘层112可以包括硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)、硅氮氧化物(SiON)、铝氧化物(Al2O3)、钛氧化物(TiO2)、钽氧化物(Ta2O5)、铪氧化物(HfO2)或锌氧化物(ZnO2)等。
另一方面，扫描线SL之中与开关薄膜晶体管T2和补偿薄膜晶体管T3的沟道区域重叠的区域分别可以成为开关栅电极G2和补偿栅电极G3，前一扫描线SL-1之中与第一初始化薄膜晶体管T4的沟道区域重叠的区域可以成为第一初始化栅电极G4，后一扫描线SL+1之中与第二初始化薄膜晶体管T7的沟道区域重叠的区域可以成为第二初始化栅电极G7，发光控制线EL之中与操作控制薄膜晶体管T5和发光控制薄膜晶体管T6的沟道区域重叠的区域分别可以是操作控制栅电极G5和发光控制栅电极G6。
在扫描线SL、前一扫描线SL-1、后一扫描线SL+1和发光控制线EL上可以具备第二栅极绝缘层113。第二栅极绝缘层113可以包括硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)、硅氮氧化物(SiON)、铝氧化物(Al2O3)、钛氧化物(TiO2)、钽氧化物(Ta2O5)、铪氧化物(HfO2)或锌氧化物(ZnO2)等。
在第二栅极绝缘层113上可以配置电极电压线HL、第一初始化电压线VL1和第二初始化电压线VL2。电极电压线HL可以覆盖驱动栅电极G1的至少一部分，且与驱动栅电极G1一起形成储能电容器Cst。
储能电容器Cst的下部电极CE1可以与驱动薄膜晶体管T1的栅电极G1形成为一体。例如，驱动薄膜晶体管T1的栅电极G1可以执行作为储能电容器Cst的下部电极CE1的功能。电极电压线HL之中与驱动栅电极G1重叠的区域可以成为储能电容器Cst的上部电极CE2。由此，第二栅极绝缘层113可以起到储能电容器Cst的电介质层的功能。
在电极电压线HL、第一初始化电压线VL1和第二初始化电压线VL2上设置层间绝缘层115。层间绝缘层115可以包括硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)、硅氮氧化物(SiON)、铝氧化物(Al2O3)、钛氧化物(TiO2)、钽氧化物(Ta2O5)、铪氧化物(HfO2)或锌氧化物(ZnO2)等。
在层间绝缘层115上可以配置数据线DL、驱动电压线PL、第一初始化连接线1173a、第二初始化连接线1173b、节点连接线1174和连接金属1175。数据线DL、驱动电压线PL、节点连接线1174和连接金属1175可以包括包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等的导电物质，可以形成为包括上述的材料的多层或单层。作为一例，数据线DL、驱动电压线PL、节点连接线1174和连接金属1175可以构成为Ti/Al/Ti的多层结构。
数据线DL可以通过接触孔1154与开关薄膜晶体管T2的开关源极区域S2连接。可以理解为数据线DL的一部分是开关源电极。
驱动电压线PL可以通过在层间绝缘层115形成的接触孔1158与电容器Cst的上部电极CE2连接。由此，电极电压线HL可以具有与驱动电压线PL相同的电压电平(恒定电压)。另外，驱动电压线PL可以通过接触孔1155与操作控制源电极S5连接。
第一初始化电压线VL1可以通过第一初始化连接线1173a与第一初始化驱动薄膜晶体管T4连接，第二初始化电压线VL2可以通过第二初始化连接线1173b与第二初始化驱动薄膜晶体管T7连接。另一方面，第一初始化电压线VL1和第二初始化电压线VL2可以具有相同的恒定电压(例如，-2V等)。
节点连接线1174的一端可以通过接触孔1156与补偿漏电极D3连接，另一端可以通过接触孔1157与驱动栅电极G1连接。
连接金属1175可以通过贯通层间绝缘层115、第二栅极绝缘层113和第一栅极绝缘层112的接触孔1153而与发光控制薄膜晶体管T6的半导体层A6连接。通过连接金属1175，发光控制薄膜晶体管T6可以与有机发光二极管OLED的像素电极210电连接。
在数据线DL、驱动电压线PL、第一初始化连接线1173a、第二初始化连接线1173b、节点连接线1174和连接金属1175上可以设置平坦化层117，在平坦化层117上可以设置有机发光二极管OLED。
另一方面，在图4和图5中说明了关于一个像素电路PC的结构，但是可以是具有同一像素电路PC的多个子像素SPX沿着第一方向x和第二方向y排列，此时，可以在沿着第二方向y相邻配置的两个像素电路PC中共用第一初始化电压线VL1、前一扫描线SL-1、第二初始化电压线VL2和后一扫描线SL+1。
即，第一初始化电压线VL1和前一扫描线SL-1可以电连接至以附图为基准沿着第二方向y在图5所示的像素电路PC的上部配置的其他像素电路PC的第二初始化薄膜晶体管T7。因此，施加到前一扫描线SL-1的前一扫描信号可以被传递到所述其他像素电路PC的第二初始化薄膜晶体管T7而被作为后一扫描信号。与此相同地，第二初始化电压线VL2和后一扫描线SL+1可以电连接至以附图为基准沿着第二方向y在图5所示的像素电路PC的下部相邻配置的又一像素电路PC的第一初始化薄膜晶体管T4，从而传递前一扫描信号和初始化电压。
再次参照图6，平坦化层117可以具有平坦的上表面，以便平坦地形成像素电极210。平坦化层117可以是由有机物质构成的膜形成为单层或多层。这种平坦化层117可以包括BCB(Benzocyclobutene，苯并环丁烯)、聚酰亚胺(polyimide)、HMDSO(Hexamethyldisiloxane，六甲基二硅氧烷)、PXMMA(Polymethylmethacrylate，聚甲基丙烯酸甲酯)或PS(Polystylene，聚苯乙烯)这样的通用高分子、具有酚基的高分子衍生物、丙烯酸系高分子、酰亚胺系高分子、芳醚系高分子、酰胺系高分子、氟系高分子、对二甲苯系高分子、乙烯醇系高分子和它们的混合物等。平坦化层117可以包括无机物质。这种平坦化层117可以包括硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)、硅氮氧化物(SiON)、铝氧化物(Al2O3)、钛氧化物(TiO2)、钽氧化物(Ta2O5)、铪氧化物(HfO2)或锌氧化物(ZnO2)。在平坦化层117具备无机物质的情况下，根据情况可以进行化学平坦化抛光。另一方面，平坦化层117还可以是即包括有机物质又包括无机物质。
有机发光元件OLED可以包括像素电极210、公共电极230以及位于像素电极210与公共电极230之间且具备发光层的中间层220。
像素电极210可以通过接触孔1163与连接金属1175连接，连接金属1175可以通过接触孔1153与发光控制漏极区域连接。
像素电极210可以是(半)透光性电极或反射电极。在一些实施例中，像素电极210可以具备由Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr和它们的化合物等形成的反射膜以及形成在反射膜上的透明或半透明电极层。透明或半透明电极层可以具备从包括铟锡氧化物(ITO；indium tin oxide)、铟锌氧化物(IZO；indium zinc oxide)、锌氧化物(ZnO；zinc oxide)、铟氧化物(In2O3；indium oxide)、铟镓氧化物(IGO；indium gallium oxide)和铝锌氧化物(AZO；aluminum zinc oxide)的组中选出的至少一种物质。在一些实施例中，像素电极210可以是被层叠为ITO/Ag/ITO的结构。
在平坦化层117上可以配置像素定义膜119，像素定义膜119可以具有使像素电极210的中央部露出的开口部，从而起到定义像素的发光区域的作用。另外，像素定义膜119可以增加像素电极210的边缘位置与像素电极210的上部的公共电极230之间的距离，从而起到在像素电极210的边缘位置防止电弧等的产生的作用。像素定义膜119可以通过旋涂等方法由如聚酰亚胺、聚酰胺(Polyamide)、丙烯酸树脂、苯并环丁烯、HMDSO(hexamethyldisiloxane，六甲基二硅氧烷)和酚醛树脂等这样的有机绝缘物质形成。
中间层220可以包括有机发光层。有机发光层可以包括包含射出红色、绿色、蓝色或白色的光的荧光或磷光物质的有机物。有机发光层可以是低分子有机物或高分子有机物，在有机发光层的上或下可以进一步选择性地配置如空穴传输层(HTL；hole transportlayer)、空穴注入层(HIL；hole injection layer)、电子传输层(ETL；electron transportlayer)和电子注入层(EIL；electron injection layer)等这样的功能层。中间层220可以分别与多个像素电极210对应地配置。但是，并不限于此，包括于中间层220的层之中至少一部分层可以在多个像素电极210中形成为一体。
公共电极230可以是透光性电极或反射电极。在一些实施例中，公共电极230可以是透明或半透明电极，可以由包括Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg和它们的化合物的功函数低的金属薄膜形成。另外，在金属薄膜上还可以配置ITO、IZO、ZnO或In2O3等TCO(transparent conductive oxide，透明导电氧化物)膜。
另一方面，公共电极230可以一体地形成为与多个像素电极210对应。更具体而言，公共电极230可以形成为与第一显示区域DA1的整体和第二显示区域DA2的像素区域PX对应。即，在透过区域TA不具备公共电极230。透过区域TA是从构件CP射出的光信号和/或声音信号通过的区域，为了提高透过区域TA的透过率，在透过区域TA不形成公共电极230。如上所述，若在透过区域TA不形成公共电极230，则与形成公共电极230的情况相比，可以具有提高了约1.5倍以上的透过率。因此，在第二显示区域DA2，公共电极230可以具有与像素区域PX分开图案化的形状。为此，对于公共电极230的部分区域之中与透过区域TA对应的部分，可以通过激光剥离(laser lift off)将其去除，或者可以通过FMM掩模图案化在透过区域TA不形成公共电极230。
另一方面，在透过区域TA除了不设置公共电极230外，也不设置像素电路部PC和有机发光元件OLED。即，透过区域TA可以被定义为为了提高透过率而不设置金属材质的层的区域。另外，为了提高透过区域TA的透过率，在透过区域TA可以去除配置在基板101上的层之中的至少任一层。图7示出了在透过区域TA中在像素定义膜119和平坦化层117形成有开口OP的例。但是，并不限于此，在透过区域TA还可以进一步去除配置在平坦化层117的下部的层间绝缘层115至缓冲层111的一部分。
此外，在第二显示区域DA2，在与像素区域PX重叠的位置，在基板101与半导体层1130之间可以配置阻断层BSM。阻断层BSM可以包括金属材质，起到进行阻断使得薄膜晶体管(T1至T7)不会受到相邻的构件CP的光信号或声音信号的影响的功能。另外，在构件CP为光传感器的情况下，阻断层BSM可以防止从光传感器产生的光的衍射。这样的阻断层BSM作为一例可以位于第一缓冲层111a与第二缓冲层111b之间。
另外，在公共电极230上可以形成封装层300，该封装层300包括第一无机封装层310、第二无机封装层320和介于第一无机封装层310与第二无机封装层320之间的有机封装层330。
第一无机封装层310和第二无机封装层320可以包括铝氧化物、钛氧化物、钽氧化物、铪氧化物、锌氧化物、硅氧化物、硅氮化物、硅氮氧化物中的一种以上的无机绝缘物，有机封装层330可以包括聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚乙烯磺酸、聚氧甲烯、聚芳酯、六甲基二硅醚、丙烯酸树脂(例如，聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯酸等)或它们的任意组合。
如上所述，一个子像素SPX可以包括多个接触孔(1151～1158)而与配置在上部和下部的各层电连接，这种接触孔(1151～1158)可以成为将在显示面板100的制造过程中产生的氢气等排出到外部的通道。更具体而言，如第一栅极绝缘层112和第二栅极绝缘层113等这样的无机膜所包含的氢可以扩散至半导体层1130，扩散至半导体层1130的氢可能会影响沟道区域的掺杂浓度，因此若每个子像素SPX的氢的扩散程度不同，则会在每个子像素SPX中发生特性差异，从而可能会引发显示面板100的画质的降低。
尤其是，如图3所示，第二显示区域DA2包括透过区域TA和像素区域PX，在透过区域TA不配置像素电路部PC等。因此，各子像素SPX周边的接触孔的个数可能会随着子像素SPX的位置而不同。例如，发出红色R、绿色G、蓝色B、绿色G的光的各子像素SPX排列成如图3所示那样的情况下，在第一列与像素区域PX相邻配置的第一红色子像素SPXR1的周边，设有三个子像素SPX，而配置在第二列的第二红色子像素SPXR2其周边设有五个子像素SPX。因此，在第一红色子像素SPXR1和第二红色子像素SPXR2的周边形成的接触孔的数量不同，其结果，在第一红色子像素SPXR1和第二红色子像素SPXR2的制造过程中可通过各接触孔排出的氢的量会产生差异，因此第一红色子像素SPXR1和第二红色子像素SPXR2的I-V特性可能会彼此不同。即，即使第一红色子像素SPXR1和第二红色子像素SPXR2被施加同一电压，也可能会具有彼此不同的亮度，因此显示装置10的图像品质可能会降低。
为了防止这种情况，在第二显示区域DA2可以进一步形成虚设接触孔DCNT。虚设接触孔DCNT可以具有与在像素电路部PC形成的各接触孔(1151～1158)之中的形成至半导体层1130的接触孔中的任一个相同的构成。如图7所示，虚设接触孔DCNT可以贯通发光控制薄膜晶体管T6上的无机绝缘膜。作为一例，虚设接触孔DCNT可以贯通第二栅极绝缘层113和层间绝缘层115而到达第一栅极绝缘层112。另外，在虚设接触孔DCNT可以填充平坦化层117。
这种虚设接触孔DCNT可以在透过区域TA与像素区域PX相邻地形成。例如，在像素区域PX构成格子图案时，可以在与各像素区域PX相邻的位置处沿着透过区域TA的边缘位置设置多个虚设接触孔DCNT。
另外，虚设接触孔DCNT也可以配置在像素区域PX内。在像素区域PX构成格子图案时，虚设接触孔DCNT可以形成在配置于像素区域PX的多个子像素SPX之中与两个透过区域TA相邻的子像素SPX。例如，图3的第一红色子像素SPXR1在平面上在左侧和上侧分别与透过区域TA相接，因此可以形成有虚设接触孔DCNT，由此在第一红色子像素SPXR1的制造过程中氢的排出程度可以与第二红色子像素SPXR2类似，因此可以在第一红色子像素SPXR1与第二红色子像素SPXR2之间将特性差异最小化。不仅如此，配置在第一显示区域DA1的子像素SPX和配置在第二显示区域DA2的子像素SPX其周边的接触孔的数量可以不同，因此将虚设接触孔DCNT追加形成在第二显示区域DA2的像素区域PX内，从而可以最小化分别配置在第一显示区域DA1和第二显示区域DA2的各子像素SPX之间的特性差异。
在像素区域PX形成虚设接触孔DCNT时，如图5所示，虚设接触孔DCNT可以形成在不与像素电路部PC所包括的各金属层重叠的位置处。作为其他例，可以在已有布线上追加虚设布线或者追加迂回已有布线的追加布线，在其间可以形成虚设接触孔DCNT。
如上所述，在第二显示区域DA2，在透过区域TA和像素区域PX中的至少一个区域形成虚设接触孔DCNT，从而即便第二显示区域DA2包括透过区域TA，也可以防止或最小化与透过区域TA相邻的子像素SPX的特性不同于其他子像素SPX的情况。
另一方面，如图7所示，在透过区域TA可以去除层叠在基板101上的层，此时，形成在透过区域TA的开口OP可以形成为包括虚设接触孔DCNT。即，在整个透过区域TA可以去除层叠在基板101上的层，在该情况下，在透过区域TA可以无需另行形成虚设接触孔DCNT。
图8和图10是分别表示图1的A部分的一例的平面图，图9是示意性表示图8的III-III’截面的一例的剖视图，图11是示意性表示图10的IV-IV’截面的一例的剖视图。另外，图12是示意性表示图1的B部分的一例的平面图。
首先，参照图8和图9，输入感知单元(图1的400)可以直接形成在显示面板(图1的100)上。例如，输入感知单元(图1的400)可以直接形成在封装层300上。由此，可以减小显示装置(图1的10)的厚度。作为其他例，输入感知单元(图1的400)可以形成在基板(未图示)上之后，基板(未图示)被接合到封装层300。
多个第一感知电极410和多个第二感知电极430可以具有网格形态。此时，多个第一感知电极410和多个第二感知电极430可以由不透明金属层构成。作为其他例，多个第一感知电极410和多个第二感知电极430可以由透明导电层构成。透明导电层可以包括ITO(indium tin oxide)、IZO(indium zinc oxide)、ZnO(zinc oxide)、ITZO(indium tinzinc oxide)等透明的导电性氧化物。此外，透明导电层可以包括如PEDOT这样的导电性高分子、金属纳米线、石墨烯等。
沿着第一方向x相邻的两个第一感知电极410可以通过第一连接部420被连接。第一连接部420可以与第一感知电极410位于同一层。第一连接部420可以与第一感知电极410形成为一体。
沿着与第一方向x垂直的第二方向y相邻的两个第二感知电极430可以通过桥接布线440而彼此被连接。桥接布线440可以位于与第一感知电极410和第二感知电极430不同的层。作为一例，桥接布线440可以位于第一感知电极410和第二感知电极430上。
例如，如图9所示，在封装层300上形成用于提高封装层300与输入感知单元(图1的400)间的粘接力的第一触摸绝缘层401，在第一触摸绝缘层401上设置第一感知电极410和第二感知电极430。另外，在第一感知电极410和第二感知电极430上可以形成第二触摸绝缘层403，在第二触摸绝缘层403上可以设置桥接布线440。此时，可以通过形成在第二触摸绝缘层403的接触孔电连接桥接布线440与第二感知电极430。
第一触摸绝缘层401和第二触摸绝缘层403可以包括铝氧化物、钛氧化物、硅氧化物、硅氮氧化物、锆氧化物和铪氧化物中的至少一种。
另外，在桥接布线440上可以形成第三触摸绝缘层405。作为一例，第三触摸绝缘层405可以包括丙烯酸树脂、甲基丙烯酸系树脂、聚异戊二烯、乙烯系树脂、环氧树脂、氨基甲酸乙酯系树脂、纤维素树脂、硅氧烷系树脂、聚酰亚胺树脂、聚酰胺树脂和苝树脂中的至少一种。
另一方面，桥接布线440和第一连接部420彼此交叉，因此为了在它们之间减少寄生电容，优选将桥接布线440的宽度(在平面上测量)最小化。另外，桥接布线440可以为了提高感测灵敏度而包括电阻比第二感知电极430低的物质，并且也可以形成两个以上的桥接布线440。例如，桥接布线440可以包括钼、银、钛、铜、铝和它们的合金。
另一方面，在图8和图9以第一感知电极410和第二感知电极430位于同一层的情况为例进行了说明，但是并不限于此。即，如图10和图11所示，第一感知电极410和第二感知电极430也可以位于彼此不同的层。
参照图10和图11，第一感知电极410可以通过第一连接部420彼此被连接，第二感知电极430可以通过第二连接部432彼此被连接。第一连接部420可以与第一感知电极410形成为一体，第二连接部432可以与第二感知电极430形成为一体。因此，第一连接部420和第二连接部432可以在彼此不同的层交叉。
另一方面，图12示出了第二显示区域(图1的DA2)的一部分，为了提高透过区域TA的开口率，多个第一感知电极410和多个第二感知电极420可以不形成在与透过区域TA重叠的位置处。因此，通过透过区域TA，多个第一感知电极410彼此被分离，多个第二感知电极420也彼此被分离，由此在第二显示区域(图1的DA2)，输入感知单元(图1的400)的触摸灵敏度可能会降低。
为了防止该情况，在透过区域TA彼此被分离的多个第一感知电极410可以通过第一连接布线450彼此被连接，多个第二感知电极430可以通过第二连接布线460彼此被连接。第一连接布线450可以在与排列有多个第一感知电极410的方向相同的方向上延伸，第二连接布线460可以与排列有多个第二感知电极430的方向并排地延伸而与第一连接布线450交叉。因此，为了防止第一连接布线450与第二连接布线460的短路，可以在彼此不同的层设置第一连接布线450和第二连接布线460。
作为一例，如图8和图9所示那样多个第一感知电极410和多个第二感知电极430位于同一层的情况下，第一连接布线450和第二连接布线460中的一者可以位于与多个第一感知电极410和多个第二感知电极430相同的层，另一者可以位于与桥接布线440相同的层。
例如，在第一连接布线450位于与多个第一感知电极410和多个第二感知电极430相同的层时，第一连接布线450可以具有与第一连接部420相同的构成，为了防止因第一连接布线450引起第一感知电极410与第二感知电极430间的短路，第一连接布线450应远离第二感知电极430。作为一例，第一连接布线450可以位于透过区域TA。更具体而言，第一连接布线450可以配置在与形成于透过区域TA的虚设接触孔(图3的DCNT)重叠的位置。因此，可以最小化透过区域TA的开口率的缩小，且无需为了远离第一连接布线450而进一步缩小第二感知电极430的面积，从而可以防止输入感知单元(图1的400)的触摸灵敏度下降的问题。
另一方面，位于与第一连接布线450不同的层的第二连接布线460也可以配置在与形成于透过区域TA的虚设接触孔(图3的DCNT)重叠的位置。第二连接布线460位于与第一感知电极410不同的层，因此即使第二连接布线460被设置成与第一感知电极410重叠也不会发生短路，但是在平面上第二连接布线460的位置远离第一感知电极410，从而可以防止在第二连接布线460与第一感知电极410之间产生寄生电容。
作为其他例，如图10和图11所示，若多个第一感知电极410和多个第二感知电极430配置在彼此不同的层，则第一连接布线450可以具有与第一连接部420相同的构成，且第二连接布线460可以具有与第二连接部432相同的构成。另外，第一连接布线450和第二连接布线460可以配置在与形成于透过区域TA的虚设接触孔(图3的DCNT)重叠的位置。因此，可以防止在第一连接布线450与第二感知电极430之间以及第二连接布线460与第一感知电极410之间产生寄生电容。
另一方面，如上所述，为了透光性，多个第一感知电极410和多个第二感知电极430可以具有网格形态，此时，第一连接布线450和第二连接布线460的宽度可以形成得比构成网格的金属线的宽度大，从而可以提高输入感知单元(图1的400)的触摸灵敏度。
如上所述，对于本发明，以在附图中示出的一实施例为参考进行了说明，但是这些仅仅是例示，本领域技术人员应当能够由此可以理解能够进行各种变形和实施例的变形。因此，本发明的真正的技术保护范围应由权利要求书的技术思想来确定。

Claims (20)

1.一种显示装置，包括：
第一显示区域，由多个像素区域构成；以及
第二显示区域，由所述多个像素区域和多个透过区域构成，且与所述第一显示区域相邻地配置；
所述多个像素区域分别包括多个子像素，每个所述子像素包括像素电路部和与所述像素电路部电连接的有机发光元件，
所述像素电路部包括具有半导体层和栅电极的薄膜晶体管以及所述薄膜晶体管上的无机绝缘膜，
所述第二显示区域在所述多个像素区域和所述多个透过区域之中的至少一个中还包括贯通所述无机绝缘膜的虚设接触孔。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述有机发光元件包括像素电极、所述像素电极上的公共电极和位于所述像素电极与所述公共电极之间且具备发光层的中间层，
在所述多个像素区域中一体地具备所述公共电极，并且所述公共电极不位于所述多个透过区域。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，
在所述第二显示区域，所述多个像素区域构成格子图案，所述多个透过区域位于所述多个像素区域之间，
所述虚设接触孔位于分别包括于所述多个像素区域的所述多个子像素之中与两个所述透过区域相邻的子像素。
4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，
所述虚设接触孔在所述像素电路部内不与包括于所述像素电路部的多个金属层重叠。
5.根据权利要求1所述的显示装置，还包括：
在所述无机绝缘膜上与所述半导体层连接的连接金属和所述连接金属上的平坦化层，
所述有机发光元件位于所述平坦化层上，所述平坦化层填充所述虚设接触孔。
6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述半导体层位于基板上，
所述显示装置还包括：阻断层，在所述第二显示区域，与所述多个像素区域重叠并位于所述基板与所述半导体层之间。
7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，
在所述基板上还设置有层叠了包括彼此不同的材质的第一缓冲层与第二缓冲层的缓冲层，
所述阻断层配置在所述第一缓冲层与所述第二缓冲层之间。
8.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
在与所述像素区域相邻的位置处，沿着所述透过区域的边缘位置设置多个所述虚设接触孔。
9.根据权利要求1所述的显示装置，还包括：
输入感知单元，与所述第一显示区域和所述第二显示区域对应地配置，
所述输入感知单元包括多个第一感知电极和多个第二感知电极，
在所述透过区域彼此被分离的所述多个第一感知电极通过第一连接布线彼此被连接，并且在所述透过区域彼此被分离的所述多个第二感知电极通过在与所述第一连接布线垂直的方向上延伸的第二连接布线而彼此被连接，
所述第一连接布线和所述第二连接布线位于彼此不同的层。
10.根据权利要求9所述的显示装置，其中，
所述第一连接布线和所述第二连接布线设置成与所述虚设接触孔重叠。
11.一种显示装置，包括：
显示面板，包括分辨率彼此不同的第一显示区域和第二显示区域；以及
输入感知单元，位于所述显示面板上，
所述第二显示区域包括多个像素区域和作为不同于所述多个像素区域的区域的多个透过区域，
所述输入感知单元包括彼此被电连接的多个第一感知电极和彼此被电连接的多个第二感知电极，
在所述透过区域彼此被分离的所述多个第一感知电极通过第一连接布线被电连接，在所述透过区域彼此被分离的所述多个第二感知电极通过在与所述第一连接布线垂直的方向上延伸的第二连接布线被电连接，
所述第一连接布线和所述第二连接布线位于彼此不同的层。
12.根据权利要求11所述的显示装置，其中，
所述多个第一感知电极和所述多个第二感知电极位于彼此相同的层，
所述第一连接布线和所述第二连接布线中的一个位于与所述多个第一感知电极相同的层且另一个位于与所述多个第一感知电极不同的层。
13.根据权利要求11所述的显示装置，其中，
所述多个第一感知电极和所述多个第二感知电极位于彼此不同的层，
所述第一连接布线位于与所述多个第一感知电极相同的层，并且所述第二连接布线位于与所述多个第二感知电极相同的层。
14.根据权利要求11所述的显示装置，其中，
所述多个像素区域分别包括多个子像素，每个所述子像素包括像素电路部和与所述像素电路部电连接的有机发光元件，
所述像素电路部包括具有半导体层和栅电极的薄膜晶体管以及所述薄膜晶体管上的无机绝缘膜，
所述第二显示区域在所述多个像素区域和所述多个透过区域之中的至少一个中还包括贯通所述无机绝缘膜的虚设接触孔。
15.根据权利要求14所述的显示装置，其中，
在所述第二显示区域，所述多个像素区域构成格子图案，所述多个透过区域位于所述多个像素区域之间，
在与所述多个像素区域相邻的位置处，沿着所述多个透过区域的边缘位置设置多个所述虚设接触孔，
所述第一连接布线和所述第二连接布线配置成与所述虚设接触孔重叠。
16.根据权利要求14所述的显示装置，还包括：
在所述无机绝缘膜上与所述半导体层连接的连接金属和所述连接金属上的平坦化层，
所述有机发光元件位于所述平坦化层上，所述平坦化层填充所述虚设接触孔。
17.根据权利要求16所述的显示装置，其中，
所述有机发光元件包括与所述连接金属连接的像素电极、所述像素电极上的公共电极和位于所述像素电极与所述公共电极之间且具备发光层的中间层，
在所述第一显示区域和所述第二显示区域的整体上一体地具备所述公共电极，且所述公共电极不位于所述多个透过区域。
18.根据权利要求14所述的显示装置，其中，
在所述第二显示区域，所述多个像素区域构成格子图案，所述多个透过区域位于所述多个像素区域之间，
所述虚设接触孔位于分别包括于所述多个像素区域中的所述多个子像素之中与两个所述透过区域相邻的子像素。
19.根据权利要求18所述的显示装置，其中，
所述虚设接触孔在所述像素电路部内不与包括于所述像素电路部的金属层重叠。
20.根据权利要求14所述的显示装置，其中，
所述半导体层位于基板上，
所述显示装置还包括：阻断层，与所述多个像素区域重叠，且位于所述基板与所述半导体层之间；以及构件，在与所述多个像素区域和所述多个透过区域重叠的位置处配置在所述基板的下部，且感知外部的信号。
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