CN112713170A - 显示装置 - Google Patents

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文晟薰
孙世完
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Abstract

提供了一种显示装置。为了实现提高了可靠性的显示装置，本发明提供如下显示装置，配备有：基板，包括第一区域和配备有透过部的第二区域；主像素，位于所述第一区域上，并且包括第一像素电极、第一对向电极以及布置在所述第一像素电极与所述第一对向电极之间的第一中间层；辅助像素，位于所述第二区域上，并且包括第二像素电极、第二对向电极以及布置在所述第二像素电极与所述第二对向电极之间的第二中间层；以及金属图案层，以包围所述透过部的方式布置在所述第二区域上。

Description

显示装置
技术领域
本发明涉及显示装置，更加详细地，涉及提高了产品的可靠性的显示装置。
背景技术
近来，显示装置的用途正在变得多样化。并且，由于显示装置的厚度变薄，重量轻，其使用范围具有变得逐渐广泛的趋势。
随着显示装置被多样地应用，可以用多种方法设计显示装置的形态，并且，能够结合或者关联到显示装置的功能正在增加。
发明内容
作为增加能够结合或者关联到显示装置的功能的方法，本发明的实施例可以提供在显示区域的内侧具备能够布置传感器等的区域的显示装置。然而，这种技术问题仅为示例性的，本发明的范围并不被此限定。
根据本发明的一观点，提供一种显示装置，配备有：基板，包括第一区域和配备有透过部的第二区域；主像素，位于所述第一区域上，并且包括第一像素电极、第一对向电极以及布置在所述第一像素电极与所述第一对向电极之间的第一中间层；辅助像素，位于所述第二区域上，并且包括第二像素电极、第二对向电极以及布置在所述第二像素电极与所述第二对向电极之间的第二中间层；以及金属图案层，以包围所述透过部的方式布置在所述第二区域上。
在本实施例中，还可以包括：第一导电层，布置在所述基板上；层间绝缘层，布置在所述第一导电层上；以及第二导电层，布置在所述层间绝缘层上。
在本实施例中，所述金属图案层可以与所述第二导电层形成为一体。
在本实施例中，所述金属图案层可以至少局部地重叠于所述第二像素电极。
在本实施例中，所述第二导电层可以是驱动电压线。
在本实施例中，所述金属图案层可以与所述第一导电层形成为一体。
在本实施例中，所述金属图案层可以至少局部地重叠于所述第二像素电极。
在本实施例中，所述金属图案层和所述第一导电层可以在同一层彼此相隔地布置。
在本实施例中，所述金属图案层可以通过限定在所述层间绝缘层的第一接触孔而与所述第二导电层电连接。
在本实施例中，所述金属图案层可以与所述第二像素电极形成为一体。
在本实施例中，所述金属图案层可以至少局部地重叠于所述第一导电层和所述第二导电层。
在本实施例中，还可以包括：另一主像素的第三像素电极，位于所述第一区域上，并且与所述第一像素电极相隔地布置；以及另一辅助像素的第四像素电极，位于所述第二区域上，并且与所述第二像素电极相隔地布置。
在本实施例中，定义为从所述第一像素电极到所述第三像素电极的最短距离的第一距离可以大于定义为从所述第二像素电极到所述第四像素电极的最短距离的第二距离。
在本实施例中，所述透过部可以为圆形或者椭圆形的形状。
根据本发明的另一观点，提供一种显示装置，包括：基板，包括第一区域和配备有透过部的第二区域；第一主像素，位于所述第一区域上，并且包括第一像素电极、第一对向电极以及布置在所述第一像素电极与所述第一对向电极之间的第一中间层；第一辅助像素，位于所述第二区域上，并且包括第二像素电极、第二对向电极以及布置在所述第二像素电极与所述第二对向电极之间的第二中间层；金属图案层，以包围所述透过部的方式布置在所述第二区域上；以及元件，以与所述第二区域对应的方式布置在所述基板下方，并且包括发光或者接收光的电子要素。
在本实施例中，还可以包括：第一导电层，布置在所述基板上；层间绝缘层，布置在所述第一导电层上；以及第二导电层，布置在所述层间绝缘层上。
在本实施例中，所述金属图案层可以至少局部地重叠于所述第二像素电极。
在本实施例中，所述金属图案层可以与所述第二导电层形成为一体。
在本实施例中，所述金属图案层可以与所述第一导电层形成为一体。
在本实施例中，所述金属图案层可以与所述第二像素电极形成为一体。
在先所述以外的其他侧面、特征、优点将通过用于实施发明的具体内容、权利要求范围以及附图而变得明确。
根据如上所述地构成的本发明的一实施例，可以实现以在布置有元件的区域也能够呈现图像的方式扩张显示区域的显示装置。本发明的范围必然不被这些效果限定。
附图说明
图1是示意性地示出根据本发明的一实施例的显示装置的立体图。
图2是示意性地示出根据本发明的一实施例的显示装置的剖面图。
图3是示意性地示出根据本发明的一实施例的显示装置的平面图。
图4和图5是示出可以包括在根据本发明的一实施例的显示装置的像素的等效电路图。
图6是将图3的A部分放大的图。
图7a至图7d是示意性地示出根据本发明的一实施例的显示装置的剖面图。
图8a和图8b是示意性地示出根据本发明的一实施例的显示装置的剖面图。
图9是将图3的A部分放大的图。
图10a至图10d是示意性地示出根据本发明的一实施例的显示装置的剖面图。
符号说明
DA：显示区域 1A：第一区域
2A：第二区域 TA：透过部
1：显示装置 10：显示面板
20：元件 100：基板
108：第一导电层 109：第二导电层
111：金属图案层 200：显示要素层
210a、210b、210c、210d：第一像素电极至第四像素电极
具体实施方式
本发明可以进行多种变换，并且可以具有多种实施例，但是将特定实施例示出于附图中并在具体说明中详细地说明。本发明的效果和特征以及实现这些的方法将通过参照与附图一起详细地后述的实施例而变得明确。然而，本发明并不限于以下公开的实施例，而是可以以多种形态实现。
以下，将参照附图对本发明的实施例进行详细说明，在参照附图说明时，对相同或者相应的构成要素赋予相同的附图符号并省略对其的重复说明。
在以下实施例中，第一、第二等术语并不被使用为限定性含义，而是被使用为将一个构成要素与其他构成要素进行区分的目的。
并且，只要在上下文中没有明确表示其他含义，则单数的表述包括复数的表述。
并且，包括或者具有等术语表示说明书上记载的特征或者构成要素的存在，并不预先排除附加一个以上的其他特征或者构成要素的可能性。
在以下的实施例中，提及膜、区域、构成要素等的部分位于另一部分“上”或者“之上”时，不仅包括在另一部分的“紧邻的上面”或者“紧邻的上方”的情形，还包括其中间存在其他膜、区域、构成要素等的情形。
为了便于说明，附图中的构成要素的大小可以被夸大或者缩小。例如，为了便于说明，在附图中示出的各个构成的大小以及厚度被任意地示出，因此本发明并不一定限于图示的内容。
x轴、y轴以及z轴并不限于直角坐标系上的三个轴，可以被解释为包括其的广义含义。例如，x轴、y轴以及z轴可以彼此垂直相交，但也可以指代彼此不垂直相交的彼此不同的方向。
在某个实施例能够以不同方式实现的情形下，特定工序顺序可以按不同于所说明的顺序而执行。例如，连续说明的两个工序可以实质上同时进行，也可以按与说明的顺序相反的顺序进行。
图1是示意性地示出根据本发明的一实施例的显示装置的立体图。
参照图1，显示装置1包括呈现图像的显示区域DA和不呈现图像的非显示区域NDA。显示区域DA包括：第一区域1A；第二区域2A，配备有透过部TA。显示装置1可以利用从布置在第一区域1A的多个主像素Pm发出的光提供主图像，并利用从布置在第二区域2A的多个辅助像素Pa发出的光提供辅助图像。
如将参照图2后述，第二区域2A可以是在其下部布置有包括光学元件等的元件的区域。第二区域2A可以包括从元件向外部输出或者从外部向元件传播的光和/或声音能够透过的透过部TA。作为本发明的一实施例，在紫外线通过第二区域2A透过的情形下，透光率可以为大约30％以上，更加优选地，可以为50％以上、75％以上、80％以上、85％以上或者90％以上。
在本实施例中，在第二区域2A可以布置有多个辅助像素Pa，并且可以利用从多个辅助像素Pa发出的光提供预定的图像。由第二区域2A提供的图像为辅助图像，相比第一区域1A提供的图像，其分辨率可能较低。即，第二区域2A具有光和/或声音能够透过的透过部TA，因此，第二区域2A的每单位面积内能够布置的辅助像素Pa的数量可能少于第一区域1A的每单位面积内布置的主像素Pm的数量。
虽然以下将有机发光显示装置作为根据本发明的一实施例的显示装置1进行说明，但本发明的显示装置并不限于此。作为一实施例，可以使用诸如无机发光显示器(Inorganic Light Emitting Display)、量子点发光显示器(Quantum dot LightEmitting Display)等多种方式的显示装置。
虽然图1中示出了第二区域2A布置在四边形的显示区域DA的上侧的情形，但本发明并不限于此。显示区域DA的形状可以是诸如圆形、椭圆形或者三角形等多边形，并且第二区域2A的位置和数量也可以实现多种变更。
图2是示意性地示出根据本发明的一实施例的显示装置的剖面图。
参照图2，显示装置1可以包括：显示面板10，包括显示要素；以及元件20，位于显示面板10下部，并且与第二区域2A对应地布置。
显示面板10可以包括基板100、布置在基板100上的显示要素层200、作为密封显示要素层200的密封部件的薄膜封装层300。并且，显示面板10还可以包括布置在基板100的下部的下部保护膜175。
基板100可以包括玻璃或者高分子树脂，高分子树脂可以包括聚醚砜(polyethersulfone)、聚丙烯酸酯(polyacrylate)、聚醚酰亚胺(polyether imide)、聚萘二甲酸(polyethylene napthalate)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(polyethyeleneterepthalate)、聚苯硫醚(polyphenylene sulfide)、聚芳酯(polyarylate)、聚酰亚胺(polyimide)、聚碳酸酯(polycarbonate)或者醋酸丙酸纤维素(cellulose acetatepropionate)等。包括高分子树脂的基板100可以具有柔性、可卷曲性或者可弯曲性的特性。基板100可以是包括包含前述的高分子树脂的层以及无机层(未示出)的多层结构。
显示要素层200为包括包含薄膜晶体管TFT、TFT'的电路层、作为显示要素的有机发光二极管OLED、OLED'以及它们之间的绝缘层IL。在第一区域1A可以布置有包括主薄膜晶体管TFT和与此连接的主有机发光二极管OLED的主像素Pm，在第二区域2A可以布置有包括辅助薄膜晶体管TFT'和与此连接的辅助有机发光二极管OLED'的辅助像素Pa。
并且，在第二区域2A可以布置有没有布置辅助薄膜晶体管TFT'和显示要素的透过部TA。透过部TA可以理解为使从元件20发出的光/信号或者入射到元件20的光/信号被透过(传输)的区域。
元件20可以位于第二区域2A。元件20可以是利用光或者声音的电子要素。例如，元件20可以是如光学元件、红外线传感器等接收光而利用的传感器、输出光或者声音并感测而测定距离或者识别指纹等的传感器、输出光的小型灯具或者输出声音的扬声器等。
薄膜封装层300可以包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。与此相关地，图2示出了第一无机封装层310、第二无机封装层330和它们之间的有机封装层320。
第一无机封装层310和第二无机封装层330可以包括氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅和氧氮化硅中的一个以上的无机绝缘物。有机封装层320可以包括聚合物(polymer)类物质。聚合物类的材料可以包括丙烯酸系树脂、环氧系树脂、聚酰亚胺以及聚乙烯等。
下部保护膜175可以贴附在基板100的下部而起到支撑并保护基板100的作用。下部保护膜175可以配备有与第二区域2A对应的开口175OP。通过在下部保护膜175配备开口175OP，可以提高第二区域2A的透光率。下部保护膜175可以配备为包括聚对苯二甲酸乙二醇酯(polyethyelene terepthalate)或者聚酰亚胺(polyimide)。
第二区域2A的面积可以配备为大于布置有元件20的面积。据此，配备在下部保护膜175的开口175OP的面积可以不与所述第二区域2A的面积一致。例如，开口175OP的面积可以配备为小于第二区域2A的面积。
并且，在第二区域2A可以布置有多个元件20。所述多个元件20可以具有彼此不同的功能。
虽然未示出，但在显示面板10上还可以布置有诸如感测触摸输入的输入感测部件、包括偏光片(polarizer)和延迟片(retarder)或者滤光片和黑色矩阵的防反射部件、透明窗等构成要素。
此外，虽然在本实施例中示出了利用薄膜封装层300作为密封显示要素层200的封装部件的情形，但本发明并不限于此。例如，作为密封显示要素层200的部件，可以利用通过密封剂或者玻璃料与基板100粘合的密封基板。
图3是示意性地示出根据本发明的一实施例的显示装置的平面图。
参照图3，构成显示装置1的各种构成要素布置在基板100上。基板100包括显示区域DA以及包围显示区域DA的非显示区域NDA。显示区域DA包括第一区域1A以及第二区域2A。显示区域DA被在先参照图2说明的封装部件覆盖，从而可以免受外气或者水分等的影响。
显示装置1包括布置在第一区域1A的多个主像素Pm。主像素Pm分别可以包括诸如有机发光二极管等显示要素。各主像素Pm可以通过有机发光二极管发出例如，红色、绿色、蓝色或者白色的光。如前所述，本说明书中的主像素Pm可以被理解为发出红色、绿色、蓝色、白色中的某一个颜色的光的像素。
第二区域2A可以被布置在第一区域1A的一侧，并且在第二区域2A布置有多个辅助像素Pa。辅助像素Pa分别可以包括诸如有机发光二极管等显示要素。各辅助像素Pa可以通过有机发光二极管发出例如，红色、绿色、蓝色或者白色的光。如前所述，本说明书中的辅助像素Pa可以被理解为发出红色、绿色、蓝色、白色中的某一个颜色的光的像素。此外，在第二区域2A可以配备有布置在辅助像素Pa之间的透过部TA。显示装置1中的与第二区域2A的下部对应的部分可以布置有至少一个元件20(图2)。
在一实施例中，一个主像素Pm和一个辅助像素Pa可以包括相同的像素电路。然而，本发明并不限于此。主像素Pm包括的像素电路和辅助像素Pa所包括的像素电路也可以互不相同。
第二区域2A配备有透过部TA，第二区域2A的分辨率可能小于第一区域1A的分辨率。例如，第二区域2A的分辨率可以为第一区域1A的分辨率的大约1/2。在一部分实施例中，第一区域1A的分辨率可以为400ppi以上，第二区域2A的分辨率可以为大约200ppi。
各像素Pm、Pa可以与布置在非显示区域NDA的外廓电路电连接。在非显示区域NDA可以布置有第一扫描驱动电路110、第一发光驱动电路115、第二扫描驱动电路120、端子140、数据驱动电路150、第一电源供应布线160以及第二电源供应布线170。
第一扫描驱动电路110可以通过扫描线SL向各像素Pm、Pa提供扫描信号。第一发光驱动电路115可以通过发光控制线EL向各像素提供发光控制信号。第二扫描驱动电路120与第一扫描驱动电路110可以将显示区域DA置于两者之间而平行地布置。布置在显示区域DA的像素Pm、Pa中的一部分可以与第一扫描驱动电路110电连接，其他可以与第二扫描驱动电路120连接。作为一实施例，第二发光驱动电路(未示出)与第一发光驱动电路115可以将显示区域DA置于两者之间而平行地布置。
第一发光驱动电路115可以在x方向上与第一扫描驱动电路110相隔，并且布置在非显示区域NDA上。作为一实施例，第一发光驱动电路115可以与第一扫描驱动电路110在y方向上交替而布置。
端子140可以布置在基板100的一侧。端子140可以暴露而与印刷电路基板PCB电连接，而并非被绝缘层覆盖。印刷电路基板PCB的端子PCB-P可以与显示装置1的端子140电连接。印刷电路基板PCB将控制部(未示出)的信号或者电源传递到显示装置1。在控制部产生的控制信号可以通过印刷电路基板PCB分别被传递到第一扫描驱动电路110和第二扫描驱动电路120以及第一发光驱动电路115。控制部可以通过第一连接布线161和第二连接布线171分别向第一电源供应布线160和第二电源供应布线170提供第一电源和第二电源。第一电源电压ELVDD可以通过与第一电源供应布线160连接的驱动电压线PL被提供到各像素Pm、Pa，第二电源电压ELVSS(或者公共电压)可以被提供到与第二电源供应布线170连接的各像素Pm、Pa的对向电极。
数据驱动电路150与数据线DL电连接。数据驱动电路150的数据信号可以通过与端子140连接的连接布线151和与连接布线151连接的数据线DL提供到各像素Pm、Pa。虽然图3示出了数据驱动电路150布置在印刷电路基板PCB的情形，但作为一实施例，数据驱动电路150可以被布置在基板100上。例如，数据驱动电路150可以被布置在端子140与第一电源供应布线160之间。
第一电源供应布线160可以包括将显示区域DA置于中间而在x方向上平行地延伸的第一辅助布线162和第三辅助布线163。第二电源供应布线170可以以一侧被开放的环形而局部地包围显示区域DA。
图4和图5是示出可以包括在根据本发明的一实施例的显示装置的像素的等效电路图。
参照图4，各像素Pm、Pa包括与扫描线SL和数据线DL连接的像素电路PC和与像素电路PC连接的有机发光元件OLED(为了便于说明，“有机发光元件”采用与后述的“主有机发光二极管”相同的附图符号)。
像素电路PC包括驱动薄膜晶体管T1、开关薄膜晶体管T2以及存储电容器Cst。开关薄膜晶体管T2与扫描线SL和数据线DL连接，并且根据通过扫描线SL输入的扫描信号Sn向驱动薄膜晶体管T1传递通过数据线DL输入的数据信号Dm。
存储电容器Cst与开关薄膜晶体管T2和驱动电压线PL连接，储存相当于从开关薄膜晶体管T2接收到的电压与供应到驱动电压线PL的第一电源电压ELVDD(或者驱动电压)之间的差值的电压。
驱动薄膜晶体管T1与驱动电压线PL和存储电容器Cst连接，可以与储存在存储电容器Cst的电压值对应地控制从驱动电压线PL流向有机发光元件OLED的驱动电流。有机发光元件OLED可以通过驱动电流而发出具有预定辉度的光。
虽然图4说明了像素电路PC包括两个薄膜晶体管和一个存储电容器的情形，但本发明并不限于此。如图5所示，像素电路PC可以包括7个薄膜晶体管和一个存储电容器。
参照图5，各像素Pm、Pa包括像素电路PC和与像素电路PC连接的有机发光元件OLED。像素电路PC可以包括多个薄膜晶体管和存储电容器(storage capacitor)。薄膜晶体管和存储电容器可以与信号线SL、SL-1、EL、DL、初始化电压线VL以及驱动电压线PL连接。
虽然图5示出了各像素Pm、Pa与信号线SL、SL-1、EL、DL、初始化电压线VL以及驱动电压线PL连接的情形，但本发明并不限于此。作为一实施例，可以与相邻的像素共享信号线SL、SL-1、EL、DL中的至少一个、初始化电压线VL以及驱动电压线PL等。
多个薄膜晶体管可以包括：驱动薄膜晶体管(driving TFT)T1、开关薄膜晶体管(switching TFT)T2、补偿薄膜晶体管T3、第一初始化薄膜晶体管T4、操作控制薄膜晶体管T5、发光控制薄膜晶体管T6以及第二初始化薄膜晶体管T7。
信号线包括：扫描线SL，传递扫描信号Sn；前一扫描线SL-1，向第一初始化薄膜晶体管T4和第二初始化薄膜晶体管T7传递前一扫描信号Sn-1；发光控制线EL，向操作控制薄膜晶体管T5和发光控制薄膜晶体管T6传递发光控制信号En；数据线DL，与扫描线SL交叉并传递数据信号Dm。驱动电压线PL向驱动薄膜晶体管T1传递驱动电压ELVDD，初始化电压线VL传递初始化驱动薄膜晶体管T1和像素电极的初始化电压Vint。
驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极G1与存储电容器Cst的第一存储蓄电板Cst1连接，驱动薄膜晶体管T1的驱动源电极S1经过操作控制薄膜晶体管T5而与下部驱动电压线PL连接，驱动薄膜晶体管T1的驱动漏电极D1经过发光控制薄膜晶体管T6而与有机发光元件OLED的像素电极电连接。驱动薄膜晶体管T1根据开关薄膜晶体管T2的开关操作而接收数据信号Dm并向有机发光元件OLED供应驱动电流IOLED。
开关薄膜晶体管T2的开关栅电极G2与扫描线SL连接，开关薄膜晶体管T2的开关源电极S2与数据线DL连接，开关薄膜晶体管T2的开关漏电极D2与驱动薄膜晶体管T1的驱动源电极S1连接，并且经过操作控制薄膜晶体管T5而与下部驱动电压线PL连接。开关薄膜晶体管T2可以根据通过扫描线SL接收到的扫描信号Sn而被导通，从而执行将传递到数据线DL的数据信号Dm传递到驱动薄膜晶体管T1的驱动源电极S1的开关操作。
补偿薄膜晶体管T3的补偿栅电极G3与扫描线SL连接，补偿薄膜晶体管T3的补偿源电极S3与驱动薄膜晶体管T1的驱动漏电极D1连接，并且经过发光控制薄膜晶体管T6而与有机发光元件OLED的像素电极连接，补偿薄膜晶体管T3的补偿漏电极D3与存储电容器Cst的第一存储蓄电板Cst1、第一初始化薄膜晶体管T4的第一初始化漏电极D4以及驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极G1连接。补偿薄膜晶体管T3根据通过扫描线SL接收到的扫描信号Sn而被导通而将驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极G1和驱动漏电极D1电连接，从而以二极管方式连接驱动薄膜晶体管T1。
第一初始化薄膜晶体管T4的第一初始化栅电极G4与前一扫描线SL-1连接，第一初始化薄膜晶体管T4的第一初始化源电极S4与第二初始化薄膜晶体管T7的第二初始化漏电极D7和初始化电压线VL连接，第一初始化薄膜晶体管T4的第一初始化漏电极D4与存储电容器Cst的第一存储蓄电板Cst1、补偿薄膜晶体管T3的补偿漏电极D3以及驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极G1连接。第一初始化薄膜晶体管T4根据通过前一扫描线SL-1接收到的前一扫描信号Sn-1而被导通，从而执行将初始化电压Vint传递到驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极G1而初始化驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极G1的电压的初始化操作。
操作控制薄膜晶体管T5的操作控制栅电极G5与发光控制线EL连接，操作控制薄膜晶体管T5的操作控制源电极S5与下部驱动电压线PL连接，并且操作控制薄膜晶体管T5的操作控制漏电极D5与驱动薄膜晶体管T1的驱动源电极S1和开关薄膜晶体管T2的开关漏电极D2连接。
发光控制薄膜晶体管T6的发光控制栅电极G6与发光控制线EL连接，发光控制薄膜晶体管T6的发光控制源电极S6与驱动薄膜晶体管T1的驱动漏电极D1和补偿薄膜晶体管T3的补偿源电极S3连接，并且发光控制薄膜晶体管T6的发光控制漏电极D6与第二初始化薄膜晶体管T7的第二初始化源电极S7和有机发光元件OLED的像素电极电连接。
操作控制薄膜晶体管T5和发光控制薄膜晶体管T6根据通过发光控制线EL接收到的发光控制信号En而被同时导通，从而使驱动电压ELVDD被传递到有机发光元件OLED，以使有机发光元件OLED中流过驱动电流IOLED。
第二初始化薄膜晶体管T7的第二初始化栅电极G7与前一扫描线SL-1连接，第二初始化薄膜晶体管T7的第二初始化源电极S7与发光控制薄膜晶体管T6的发光控制漏电极D6以及有机发光元件OLED的像素电极连接，第二初始化薄膜晶体管T7的第二初始化漏电极D7与第一初始化薄膜晶体管T4的第一初始化源电极S4和初始化电压线VL连接。第二初始化薄膜晶体管T7根据通过前一扫描线SL-1接收到的前一扫描信号Sn-1而被导通，从而初始化有机发光元件OLED的像素电极。
虽然图5示出了第一初始化薄膜晶体管T4和第二初始化薄膜晶体管T7与前一扫描线SL-1连接的情形，但本发明并不限于此。作为一实施例，第一初始化薄膜晶体管T4可以与前一扫描线SL-1连接而根据前一扫描信号Sn-1而被驱动，并且第二初始化薄膜晶体管T7与额外的信号线(例如，后一扫描线)连接，从而根据传递到所述信号线的信号而被驱动。
存储电容器Cst的第二存储蓄电板Cst2与驱动电压线PL连接，并且有机发光元件OLED的对向电极与公共电压ELVSS连接。据此，有机发光元件OLED可以从驱动薄膜晶体管T1接收到驱动电流IOLED而发光，从而显示图像。
虽然图5示出了补偿薄膜晶体管T3和第一初始化薄膜晶体管T4具有双栅电极的情形，但补偿薄膜晶体管T3和第一初始化薄膜晶体管T4可以具有一个栅电极。
在本实施例中，主像素Pm和辅助像素Pa可以配备相同的像素电路PC。然而，并不限于此。主像素Pm和辅助像素Pa也可以配备不同结构的像素电路PC。例如，可以实现主像素Pm采用图5的像素电路且辅助像素Pa采用图4的像素电路等多种变形。
图6是放大示出图3的A部分的图。如将后述的图7a至图7d所示，虽然在图6的金属图案层111上可以布置有层间绝缘层107、平坦化层113、像素限定膜180、第二对向电极230b等，但为了便于说明而进行了省略。
参照图6，根据本发明的一实施例的显示装置1配备有：基板100，包括第一区域1A和配备有透过部TA的第二区域2A；主像素Pm，位于第一区域1A上，并且包括第一像素电极210a、第一对向电极230a、布置在第一像素电极210a与第一对向电极230a之间的第一中间层220a；辅助像素Pa，位于第二区域2A上，并且包括第二像素电极210b、第二对向电极230b以及布置在第二像素电极210b与第二对向电极230b之间的第二中间层220b；以及金属图案层111，以包围透过部TA的方式布置在第二区域2A上。在第一区域1A上可以与第一像素电极210a相隔地布置有第三像素电极210c，在第二区域2A上可以与第二像素电极210b相隔地布置有第四像素电极210d。
在第一区域1A和第二区域2A可以布置有像素组Pg。在像素组Pg可以包括有至少一个像素Pm、Pa。在图6中，示出了一个像素组Pg包括布置为1列的三个像素Pm、Pa的情形。然而，本发明并不限于此。一个像素组Pg包括的像素Pm、Pa的数量和布置可以实现多种变形。例如，在一个像素组Pg可以包括有布置为2列的4个像素Pm、Pa或者布置为4列的8个像素Pm、Pa。在本说明书中，像素Pm、Pa可以表示发出红色、绿色或者蓝色的光的像素。
透过部TA为没有布置有显示要素而透光率高的区域，可以在第二区域2A布置为多个。透过部TA可以布置为包围像素组Pg。或者，透过部TA可以沿x方向和/或y方向与像素组Pg交替地布置。透过部TA为没有布置有金属图案层111的区域，可以表示在第二区域2A中与金属图案层111的开口对应的区域。作为一实施例，透过部TA可以是圆形或者椭圆形的形状。
透过部TA的尺寸可以配备为大于至少一个像素Pm、Pa的发光区域。在一部分实施例中，透过部TA的尺寸可以配备为大于或者等于一个像素组Pg的尺寸。在本实施例中，透过部TA可以配备为多个，在此情形下，透过部TA可以配备有彼此不同的尺寸。
图7a至图7d是示意性地示出根据本发明的一实施例的显示装置的剖面图。
以下，参照图7a至图7d观察根据本发明的一实施例的显示装置的叠层结构。图7a至图7d为沿图6的II-II'线和III-III'线截取的示意性的剖面图，示出了第一区域1A和第二区域2A的局部剖面。
参照图7a，根据本发明的一实施例的显示装置包括第一区域1A和第二区域2A。在第一区域1A布置有主像素Pm，在第二区域2A布置有辅助像素Pa和透过部TA。
主像素Pm可以包括主薄膜晶体管TFT、主存储电容器Cst以及主有机发光二极管OLED。辅助像素Pa可以包括辅助薄膜晶体管TFT'、辅助存储电容器Cst'以及辅助有机发光二极管OLED'。
以下，对根据本发明的一实施例的显示装置包括的构成被层叠的结构进行说明。
基板100可以包括玻璃或者高分子树脂，高分子树脂可以包括聚醚砜(polyethersulfone)、聚丙烯酸酯(polyacrylate)、聚醚酰亚胺(polyether imide)、聚萘二甲酸(polyethylene napthalate)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(polyethyeleneterepthalate)、聚苯硫醚(polyphenylene sulfide)、聚芳酯(polyarylate)、聚酰亚胺(polyimide)、聚碳酸酯(polycarbonate)或者醋酸丙酸纤维素(cellulose acetatepropionate)等。包括高分子树脂的基板100可以具有柔性、可卷曲性或者可弯曲性的特性。基板100可以是包括前述的高分子树脂的层以及无机层(未示出)的多层结构。
缓冲层101位于基板100上，从而可以减少或者阻断来自基板100的下部的异物、湿气或者外气的渗透，并且可以在基板100上提供平坦面。缓冲层101可以包括诸如氧化物或者氮化物等的无机物、有机物或者有无机复合物，并且可以由无机物和有机物的单层结构或者多层结构构成。在基板100与缓冲层101之间还可以包括阻断外气的渗透的阻挡层(未示出)。
在缓冲层101上部可以布置有主薄膜晶体管TFT和辅助薄膜晶体管TFT'。主薄膜晶体管TFT包括第一半导体层134a、第一栅电极136a、第一源电极137a以及第一漏电极138a，辅助薄膜晶体管TFT'包括第二半导体层134b、第二栅电极136b、第二源电极137b以及第二漏电极138b。主薄膜晶体管TFT与第一区域1A的主有机发光二极管OLED连接，从而可以驱动主有机发光二极管OLED。辅助薄膜晶体管TFT'与第二区域2A的辅助有机发光二极管OLED'连接，从而可以驱动辅助有机发光二极管OLED'。
第一半导体层134a和第二半导体层134b布置在缓冲层101上，并且可以包括与第一栅电极136a和第二栅电极136b分别重叠的第一沟道区域131a和第二沟道区域131b、布置在第一沟道区域131a和第二沟道区域131b的两侧且包含高于第一沟道区域131a和第二沟道区域131b的浓度的杂质的第一源极区域132a和第二源极区域132b以及第一漏极区域133a和第二漏极区域133b。此处，杂质可以包括N型杂质或者P型杂质。第一源极区域132a和第二源极区域132b与第一漏极区域133a和第二漏极区域133b可以分别与主薄膜晶体管TFT、辅助薄膜晶体管TFT'的第一源电极137a、第二源电极137b以及第一漏电极138a、第二漏电极138b电连接。
第一半导体层134a和第二半导体层134b可以包括氧化物半导体和/或硅半导体。在第一半导体层134a和第二半导体层134b利用氧化物半导体形成的情形下，例如可以包括选自包含铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)、锆(Zr)、钒(V)、铪(Hf)、镉(Cd)、锗(Ge)、铬(Cr)、钛(Ti)以及锌(Zn)的群中的一个以上的物质的氧化物。例如，第一半导体层134a和第二半导体层134b可以是ITZO(InSnZnO)、IGZO(InGaZnO)等。在第一半导体层134a和第二半导体层134b利用硅半导体形成的情形下，例如可以包括非晶硅(a-Si)或者将非晶硅(a-Si)结晶化的低温多晶硅(LTPS：Low Temperature Poly-Silicon)。
第一栅电极136a和第二栅电极136b可以利用选自铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)、铜(Cu)中的一个以上的金属构成为单层或者多层。第一栅电极136a和第二栅电极136b可以与向第一栅电极136a和第二栅电极136b施加电信号的栅极线连接。
在第一半导体层134a与第一栅电极136a之间以及第二半导体层134b与第二栅电极136b之间可以布置有第一栅极绝缘层103。第一栅极绝缘层103可以包括选自包含硅氧化物(SiO2)，硅氮化物(SiNx)，硅氮氧化物(SiON)，铝氧化物(Al2O3)，钛氧化物(TiO2)，钽氧化物(Ta2O5)，铪氧化物(HfO2)以及锌氧化物(ZnO2)的组中的一个以上的无机绝缘物。第一栅极绝缘层103可以是包括前述的无机绝缘物的单层或者多层。
第二栅极绝缘层105可以配备为覆盖第一栅电极136a和第二栅电极136b。第二栅极绝缘层105可以选自包含硅氧化物(SiO2)，硅氮化物(SiNx)，硅氮氧化物(SiON)，铝氧化物(Al2O3)，钛氧化物(TiO2)，钽氧化物(Ta2O5)，铪氧化物(HfO2)以及锌氧化物(ZnO2)的组中的一个以上的无机绝缘物。第二栅极绝缘层105可以是包括前述的无机绝缘物的单层或者多层。
在第二栅极绝缘层105上可以布置有主存储电容器Cst和辅助存储电容器Cst'。主存储电容器Cst可以包括第一下部电极144a和第一上部电极146a，主存储电容器Cst与主薄膜晶体管TFT重叠，并且主存储电容器Cst的第一下部电极144a可以与主薄膜晶体管TFT的第一栅电极136a布置为一体。作为一实施例，主存储电容器Cst可以不与主薄膜晶体管TFT重叠，并且第一下部电极144a可以是与主薄膜晶体管TFT的第一栅电极136a分离的独立构成要素。辅助存储电容器Cst'可以包括第二下部电极144b和第二上部电极146b，辅助存储电容器Cst'与辅助薄膜晶体管TFT'重叠，并且辅助存储电容器Cst'的第二下部电极144b可以与辅助薄膜晶体管TFT'的第二栅电极136b布置为一体。作为一实施例，辅助存储电容器Cst'可以不与辅助薄膜晶体管TFT'重叠，并且第二下部电极144b可以是与辅助薄膜晶体管TFT'的第二栅电极136b分离的独立构成要素。
第一上部电极146a和第二上部电极146b可以包括铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和/或铜(Cu)，并且可以是前述物质的单层或者多层。
层间绝缘层107可以形成为覆盖第一上部电极146a和第二上部电极146b。层间绝缘层107可以包括硅氧化物(SiO2)，硅氮化物(SiNx)，硅氮氧化物(SiON)，铝氧化物(Al2O3)，钛氧化物(TiO2)，钽氧化物(Ta2O5)，铪氧化物(HfO2)或锌氧化物(ZnO2)等。
第一源电极137a、第二源电极137b以及第一漏电极138a、第二漏电极138b可以布置在层间绝缘层107上。第一源电极137a、第二源电极137b以及第一漏电极138a、第二漏电极138b可以包括包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等的导电物质，并且可以形成为包括所述材料的多层或者单层。作为一例，第一源电极137a、第二源电极137b以及第一漏电极138a、第二漏电极138b可以构成为Ti/Al/Ti的多层结构。
平坦化层113可以布置为覆盖第一源电极137a、第二源电极137b以及第一漏电极138a、第二漏电极138b。平坦化层113可以具有平坦的上面，以能够使布置在其上部的像素电极平坦地形成。
平坦化层113可以形成为由有机物质或者无机物质构成的单层或者多层的膜。这种平坦化层113可以包括诸如苯并环丁烯(BCB：Benzocyclobutene)、聚酰亚胺(polyimide)、六甲基二硅氧烷(HMDSO：Hexamethyldisiloxane)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA：Polymethylmethacrylate)或者聚苯乙烯(PS：Polystylene)等通用聚合物、具有酚基的聚合物衍生物、丙烯酸系聚合物、酰亚胺系聚合物、芳基醚系聚合物、酰胺系聚合物、氟系聚合物、对二甲苯系聚合物、乙烯醇系聚合物及其混合物等。此外，平坦化层113可以包括硅氧化物(SiO2)，硅氮化物(SiNx)，硅氮氧化物(SiON)，铝氧化物(Al2O3)，钛氧化物(TiO2)，钽氧化物(Ta2O5)，铪氧化物(HfO2)或锌氧化物(ZnO2)等。在形成平坦化层113后，为了提供平坦的上表面，可以进行化学机械抛光。
在平坦化层113存在暴露主薄膜晶体管TFT的第一源电极137a和第一漏电极138a中的某一个的开口部，第一像素电极210a可以通过所述开口部与第一源电极137a或者第一漏电极138a连接，从而与主薄膜晶体管TFT电连接。
并且，平坦化层113包括暴露辅助薄膜晶体管TFT'的第二源电极137b和第二漏电极138b中的某一个的开口部，第二像素电极210b可以通过所述开口部与第二源电极137b或者第二漏电极138b连接而与辅助薄膜晶体管TFT'电连接。
在基板100的第一区域1A中，平坦化层113上可以布置有主有机发光二极管OLED，其包括：第一像素电极210a；第一中间层220a；以及第一对向电极230a，将第一中间层220a置于中间而与第一像素电极210a对向地布置。
在基板100的第二区域2A中，平坦化层113上可以布置有辅助有机发光二极管OLED'，其包括：第二像素电极210b；第二中间层220b；以及第二对向电极230b，将第二中间层220b置于中间而与第二像素电极210b对向地布置。
在平坦化层113上可以布置有第一像素电极210a和第二像素电极210b。第一像素电极210a和第二像素电极210b可以是(半)透光性电极或者反射电极。第一像素电极210a和第二像素电极210b可以配备有由Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr以及它们的化合物等形成的反射膜和形成在反射膜上的透明或者半透明电极层。透明或者半透明电极层可以配备有选自包括铟锡氧化物(ITO：indium tin oxide)、铟锌氧化物(IZO：indium zinc oxide)、锌氧化物(ZnO：zinc oxide)、铟氧化物(In2O3：indium oxide)、铟镓氧化物(IGO：indiumgallium oxide)以及铝锌氧化物(AZO：aluminum zinc oxide)的组中的一个以上。第一像素电极210a和第二像素电极210b可以配备为利用ITO/Ag/ITO叠层的结构。
在平坦化层113上可以布置有像素限定膜180，像素限定膜180可以具有暴露第一像素电极210a的至少一部分的开口和暴露第二像素电极210b的至少一部分的开口。像素限定膜180通过增大第一像素电极210a的边缘与第一像素电极210a上部的第一对向电极230a之间的距离，从而可以防止在第一像素电极210a的边缘发生电弧等，并且通过增大第二像素电极210b的边缘与第二像素电极210b上部的第二对向电极230b之间的距离，可以防止在第二像素电极210b的边缘发生电弧等。像素限定膜180例如可以利用聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯、六甲基二硅氧烷(HMDSO：hexamethyldisiloxane)以及酚醛树脂等有机绝缘物质通过旋涂等方法形成。
在通过像素限定膜180暴露至少一部分的第一像素电极210a上可以布置有第一中间层220a，在第二像素电极210b上可以布置有第二中间层220b。第一中间层220a和第二中间层220b可以包括发光层，在发光层的下方或者上方还可以选择性地包括诸如空穴传输层(HTL：hole transport layer)、空穴注入层(HIL：hole injection layer)、电子传输层(ETL：electron transport layer)以及电子注入层(EIL：electron injection layer)等功能层。
发光层可以包括包含发出红色、绿色、蓝色或者白色的光的荧光或者磷光物质的有机物。发光层可以是低分子有机物或者高分子有机物。例如，第一中间层220a和第二中间层220b包括的发光层可以包含发出绿色的光的物质。
在发光层包括低分子物质的情形下，第一中间层220a和第二中间层220b可以具有空穴注入层(HIL：hole injection layer)、空穴传输层(HTL：hole transport layer)、发光层(EML：Emission Layer)、电子传输层(ETL：electron transport layer)、电子注入层(EIL：electron injection layer)等以单一结构或者复合结构层叠的结构，并且可以包括诸如酞菁铜(CuPc：copper phthalocyanine)、N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基-联苯胺(NPB：N,N'-Di(napthalene-1-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine)、三-8-羟基喹啉铝(Alq3：tris-8-hydroxyquinoline aluminum)等低分子有机物质的多种有机物质。这些层可以通过真空沉积的方法形成。
在发光层包括高分子物质的情形下，第一中间层220a和第二中间层220b大致可以具有包括空穴传输层(HTL)和发光层(EML)的结构。此时，空穴传输层可以包括PEDOT，发光层可以包括聚苯乙炔(PPV：Poly-Phenylene vinylene)系和聚芴(Polyfluorene)系等高分子物质。这种发光层可以通过丝网印刷、喷墨印刷、激光诱导热成像(LITI：Laser inducedthermal imaging)等形成。
在第一中间层220a上可以布置有第一对向电极230a。第一对向电极230a可以布置在第一中间层220a上，并且可以布置为覆盖整个第一中间层220a的形态。第一对向电极230a布置在第一区域1A上部，并且可以布置为覆盖整个第一区域1A的形态。即，第一对向电极230a可以以覆盖布置在第一区域1A的多个主像素Pm的方式形成为一体。
在第二中间层220b上可以布置有第二对向电极230b。第二对向电极230b可以布置在第二中间层220b上，并且可以布置为覆盖整个第二中间层220b的形态。第二对向电极230b布置在第二区域2A上部，可以布置为覆盖整个第二区域2A的形态。即，第二对向电极230b可以以覆盖布置在第二区域2A的多个辅助像素Pa的方式形成为一体，并且还可以布置在配备于第二区域2A的透过部TA上。
作为一实施例，第一对向电极230a和第二对向电极230b可以形成为一体。例如，布置在第一区域1A上的第一对向电极230a可以向第二区域2A侧延伸而还布置在第二区域2A上。
第一对向电极230a和第二对向电极230b可以包括低功函数的导电性物质。例如，第一对向电极230a和第二对向电极230b可以包括包含银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)或者它们的合金等的(半)透明层。或者，第一对向电极230a和第二对向电极230b在包括前述物质的(半)透明层上还包括诸如ITO、IZO、ZnO或者In2O3等的层。
在第二区域2A的第二栅极绝缘层105上可以布置有第一导电层108，在层间绝缘层107上可以布置有第二导电层109。第一导电层108和第二导电层109可以是前述的扫描线、发光控制线、数据线和驱动电压线中的至少一个。第一导电层108和第二导电层109可以利用选自铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)、铜(Cu)中的一个以上的金属形成为单层或者多层。
在第二区域2A的层间绝缘层107上可以布置有金属图案层111。金属图案层111与第二导电层109可以由同一物质形成在同一层。作为一实施例，金属图案层111可以与第二导电层109形成为一体。例如，金属图案层111可以是第二导电层109向透过部TA侧延伸的部分。
金属图案层111可以布置为包围配备在第二区域2A的透过部TA，从而改善或者防止在布置于第二区域2A下部的元件20产生的光通过透过部TA时发生衍射。
图7b的实施例在金属图案层111与第一导电层108形成为一体的方面与图7a的实施例有差异。在图7b的构成中，省略针对与图7a相同的构成的说明，以下以差异点为主进行说明。
参照图7b，在第二区域2A的第二栅极绝缘层105上可以布置有第一导电层108，并且在层间绝缘层107上可以布置有第二导电层109。第一导电层108和第二导电层109可以是前述的扫描线、发光控制线、数据线以及驱动电压线中的至少一个。第一导电层108和第二导电层109可以利用选自铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)、铜(Cu)中的一个以上的金属形成为单层或者多层。
在第二区域2A的第二栅极绝缘层105上可以布置有金属图案层111。金属图案层111与第一导电层108可以由同一物质形成在同一层。作为一实施例，金属图案层111可以与第一导电层108形成为一体。例如，金属图案层111可以是第一导电层108向透过部TA侧延伸的部分。
金属图案层111可以布置为包围配备在第二区域2A的透过部TA，从而改善或者防止在布置于第二区域2A下部的元件20产生的光通过透过部TA时发生衍射。
图7c的实施例在金属图案层111与第一导电层108相隔地布置且通过第一接触孔CNT1与第二导电层109电连接的方面与图7a的实施例有差异。在图7c的构成中，省略针对与图7a相同的构成的说明，以下以差异点为主进行说明。
参照图7c，在第二区域2A的第二栅极绝缘层105上可以布置有第一导电层108，并且在层间绝缘层107上可以布置有第二导电层109。第一导电层108和第二导电层109可以是前述的扫描线、发光控制线、数据线以及驱动电压线中的至少一个。第一导电层108和第二导电层109可以利用选自铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)、铜(Cu)中的一个以上的金属形成为单层或者多层。
在第二区域2A的第二栅极绝缘层105上可以布置有金属图案层111。金属图案层111与第一导电层108可以由同一物质形成在同一层。金属图案层111和第一导电层108可以彼此相隔而布置。金属图案层111可以布置为包围配备在第二区域2A的透过部TA，从而改善或者防止在布置于第二区域2A下部的元件20产生的光通过透过部TA时发生衍射。
作为一实施例，金属图案层111可以通过限定在层间绝缘层107的第一接触孔CNT1而与第二导电层109电连接。通过将金属图案层111利用限定在层间绝缘层107的第一接触孔CNT1而与第二导电层109电连接，可以防止金属图案层111浮置，并且可以防止在金属图案层111与周围布线之间发生耦合。
图7d的实施例在金属图案层111与第二像素电极210b形成为一体的方面与图7a的实施例有差异。在图7d的构成中，省略针对与图7a相同的构成的说明，以下以差异点为主进行说明。
参照图7d，在第二区域2A的第二栅极绝缘层105上可以布置有第一导电层108，在层间绝缘层107上可以布置有第二导电层109，在第二导电层109上可以布置有平坦化层113，并且在平坦化层113上可以布置有第二像素电极210b。第一导电层108和第二导电层109可以是前述的扫描线、发光控制线、数据线以及驱动电压线中的至少一个。第一导电层108和第二导电层109可以利用选自铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)、铜(Cu)中的一个以上的金属形成为单层或者多层。
在第二区域2A的平坦化层113上可以布置有金属图案层111。金属图案层111可以至少局部地重叠于第一导电层108和第二导电层109，并且可以布置在平坦化层113上。金属图案层111与第二像素电极210b可以由同一物质形成在同一层。作为一实施例，金属图案层111可以与第二像素电极210b形成为一体。例如，金属图案层111可以是第二像素电极210b向透过部TA侧延伸的部分。
金属图案层111可以布置为包围配备在第二区域2A的透过部TA，从而改善或者防止在布置于第二区域2A下部的元件20产生的光通过透过部TA时发生衍射。
图8a和图8b是示意性地示出根据本发明的一实施例的显示装置的剖面图。
更具体地，图8a作为用于说明布置在除了第一区域1A和透过部TA以外的第二区域2A上的基板100的图，是将图7a的B部分放大的图，图8b作为用于说明与透过部TA对应地布置的基板100的图，是将图7a的C部分放大的图。
参照图8a和图8b，布置在除了第一区域1A和透过部TA以外的第二区域2A上的基板100可以包括：第一基板100a；第一阻挡层100b，布置在第一基板100a上；第二基板100c，布置在第一阻挡层100b上；以及第二阻挡层100d，布置在第二基板100c上。与透过部TA对应地布置的基板100可以包括：第一基板100a；第一阻挡层100b，布置在第一基板100a上。通过使与透过部TA对应地布置的基板100不包括第二基板100c和布置在第二基板100c上的第二阻挡层100d，从而可以提高透过部TA的透过率。
第一基板100a和第二基板100c可以包括聚酰亚胺(polyimide)。第一阻挡层100b可以布置在第一基板100a与缓冲层101之间而起到阻断外气的渗透的作用，并且第二阻挡层100d可以布置在第二基板100c与缓冲层101之间而起到阻断外气的渗透的作用。
图9是将图3的A部分放大的图。
图9的实施例在将布置在第二区域2A上的像素电极更宽地布置的方面与图6的实施例有差异。在图9的构成中，省略针对与图6相同的构成的说明，以下以差异点为主进行说明。
在图9的金属图案层111上可以如图10a至图10d所示地布置有层间绝缘层107、平坦化层113、像素限定膜180、第二对向电极230b等，但为了便于说明而进行了省略。
布置在第二区域2A上的第二像素电极210b和第四像素电极210d可以布置为比布置在第一区域1A上的第一像素电极210a和第三像素电极210c更宽。更具体地，通过将布置在第二区域2A上的第二像素电极210b和第四像素电极210d比布置在第一区域1A上的第一像素电极210a和第三像素电极210c更宽地布置，定义为从第一像素电极210a到第三像素电极210c的最短距离的第一距离d1可以大于定义为从第二像素电极210b到第四像素电极210d的最短距离的第二距离d2。
通过将布置在第二区域2A上的第二像素电极210b和第四像素电极210d比布置在第一区域1A上的第一像素电极210a和第三像素电极210c更宽地布置，从而可以防止由布置在第二区域2A下部的元件20产生的光从辅助像素Pa和布线之间透过。
图10a至图10d是示意性地示出根据本发明的一实施例的显示装置的剖面图。图10a至图10d为沿图9的IV-IV'线和V-V'线截取的示意性的剖面图，示出第一区域1A和第二区域2A的局部剖面。
图10a的实施例在布置在第二区域2A上的第二像素电极210b和第四像素电极210d比布置在第一区域1A上的第一像素电极210a和第三像素电极210c更宽地布置的方面与图7a的实施例有差异。在图10a的构成中，省略与图7a相同的构成，以下以差异点为主进行说明。
参照图10a，在第一区域1A上可以与第一像素电极210a相隔而布置有第三像素电极210c，在第二区域2A上可以与第二像素电极210b相隔而布置有第四像素电极210d。在第二像素电极210b上可以布置有第二中间层220b，并且在第二中间层220b上可以布置有第二对向电极230b。在第四像素电极210d上可以布置有第四中间层220d，并且在第四中间层220d上可以布置有第二对向电极230b。作为一实施例，第一对向电极230a和第二对向电极230b可以形成为一体。
布置在第二区域2A上的第二像素电极210b和第四像素电极210d可以布置为比布置在第一区域1A上的第一像素电极210a和第三像素电极210c更宽。更具体地，通过将布置在第二区域2A上的第二像素电极210b和第四像素电极210d比布置在第一区域1A上的第一像素电极210a和第三像素电极210c更宽地布置，定义为从第一像素电极210a到第三像素电极210c的最短距离的第一距离d1可以大于定义为从第二像素电极210b到第四像素电极210d的最短距离的第二距离d2。作为一实施例，第一区域1A的透过率可以高于除了透过部TA以外的第二区域2A的透过率。
通过在第二区域2A上较宽地布置第二像素电极210b和第四像素电极210d而覆盖第二像素电极210b和第四像素电极210d的下部，从而可以降低除了透过部TA以外的第二区域2A的透过率，并且可以使从布置在第二区域2A的下部的元件20产生的光仅通过透过部TA发出。
在第二区域2A的第二栅极绝缘层105上可以布置有第一导电层108，并且在层间绝缘层107上可以布置有第二导电层109。第一导电层108和第二导电层109可以是前述的扫描线、发光控制线、数据线以及驱动电压线中的至少一个。第一导电层108和第二导电层109可以利用选自铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)、铜(Cu)中的一个以上的金属形成为单层或者多层。第二像素电极210b可以至少局部地重叠于第一导电层108和第二导电层109。
在第二区域2A的层间绝缘层107上可以布置有金属图案层111。金属图案层111可以至少局部地重叠于第二像素电极210b，并且可以布置在层间绝缘层107上。金属图案层111与第二导电层109可以由同一物质形成在同一层。作为一实施例，金属图案层111可以与第二导电层109形成为一体。例如，金属图案层111可以是第二导电层109向透过部TA侧延伸的部分。
金属图案层111可以布置为包围配备在第二区域2A的透过部TA，从而改善或者防止在布置于第二区域2A下部的元件20产生的光通过透过部TA时发生衍射。
图10b的一实施例在金属图案层111与第一导电层108形成为一体的方面与图10a的实施例有差异。在图10b的构成中，省略针对与图10a相同的构成的说明，以下以差异点为主进行说明。
参照图10b，布置在第二区域2A上的第二像素电极210b和第四像素电极210d可以布置为比布置在第一区域1A上的第一像素电极210a和第三像素电极210c更宽。更具体地，通过将布置在第二区域2A上的第二像素电极210b和第四像素电极210d比布置在第一区域1A上的第一像素电极210a和第三像素电极210c更宽地布置，定义为从第一像素电极210a到第三像素电极210c的最短距离的第一距离d1可以大于定义为从第二像素电极210b到第四像素电极210d的最短距离的第二距离d2。作为一实施例，第一区域1A的透过率可以高于除了透过部TA以外的第二区域2A的透过率。
通过在第二区域2A上较宽地布置第二像素电极210b和第四像素电极210d而覆盖第二像素电极210b和第四像素电极210d的下部，从而可以降低除了透过部TA以外的第二区域2A的透过率，并且可以使从布置在第二区域2A的下部的元件20产生的光仅通过透过部TA发出。
在第二区域2A的第二栅极绝缘层105上可以布置有第一导电层108，并且在层间绝缘层107上可以布置有第二导电层109。第一导电层108和第二导电层109可以是前述的扫描线、发光控制线、数据线以及驱动电压线中的至少一个。第一导电层108和第二导电层109可以利用选自铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)、铜(Cu)中的一个以上的金属形成为单层或者多层。
在第二区域2A的第二栅极绝缘层105上可以布置有金属图案层111。金属图案层111与第一导电层108可以由同一物质形成在同一层。作为一实施例，金属图案层111可以与第一导电层108形成为一体。例如，金属图案层111可以是第一导电层108向透过部TA侧延伸的部分。
金属图案层111可以布置为包围配备在第二区域2A的透过部TA，从而改善或者防止在布置于第二区域2A下部的元件20产生的光通过透过部TA时发生衍射。
图10c的实施例在金属图案层111与第一导电层108相隔地布置，且通过第一接触孔CNT1而与第二导电层109电连接的方面与图10a的实施例有差异。在图10c的构成中，省略针对与图10a相同的构成的说明，以下以差异点为主进行说明。
参照图10c，布置在第二区域2A上的第二像素电极210b和第四像素电极210d可以布置为比布置在第一区域1A上的第一像素电极210a和第三像素电极210c更宽。更具体地，通过将布置在第二区域2A上的第二像素电极210b和第四像素电极210d比布置在第一区域1A上的第一像素电极210a和第三像素电极210c更宽地布置，定义为从第一像素电极210a到第三像素电极210c的最短距离的第一距离d1可以大于定义为从第二像素电极210b到第四像素电极210d的最短距离的第二距离d2。作为一实施例，第一区域1A的透过率可以高于除了透过部TA以外的第二区域2A的透过率。
通过在第二区域2A上较宽地布置第二像素电极210b和第四像素电极210d而覆盖第二像素电极210b和第四像素电极210d的下部，从而可以降低除了透过部TA以外的第二区域2A的透过率，并且可以使从布置在第二区域2A的下部的元件20产生的光仅通过透过部TA发出。
在第二区域2A的第二栅极绝缘层105上可以布置有第一导电层108，并且在层间绝缘层107上可以布置有第二导电层109。第一导电层108和第二导电层109可以是前述的扫描线、发光控制线、数据线以及驱动电压线中的至少一个。第一导电层108和第二导电层109可以利用选自铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)、铜(Cu)中的一个以上的金属形成为单层或者多层。
在第二区域2A的第二栅极绝缘层105上可以布置有金属图案层111。金属图案层111与第一导电层108可以由同一物质形成在同一层。金属图案层111和第一导电层108可以彼此相隔而布置。金属图案层111可以布置为包围配备在第二区域2A的透过部TA，从而改善或者防止在布置于第二区域2A下部的元件20产生的光通过透过部TA时发生衍射。
作为一实施例，金属图案层111可以通过限定在层间绝缘层107的第一接触孔CNT1而与第二导电层109电连接。通过将金属图案层111利用限定在层间绝缘层107的第一接触孔CNT1而与第二导电层109电连接，可以防止金属图案层111浮置，并且可以防止在金属图案层111与周围布线之间发生耦合。
图10d的实施例在金属图案层111与第二像素电极210b形成为一体的方面与图10a的实施例有差异。在图10d的构成中，省略针对与图10a相同的构成的说明，以下以差异点为主进行说明。
参照图10d，布置在第二区域2A上的第二像素电极210b和第四像素电极210d可以布置为比布置在第一区域1A上的第一像素电极210a和第三像素电极210c更宽。更具体地，通过将布置在第二区域2A上的第二像素电极210b和第四像素电极210d比布置在第一区域1A上的第一像素电极210a和第三像素电极210c更宽地布置，定义为从第一像素电极210a到第三像素电极210c的最短距离的第一距离d1可以大于定义为从第二像素电极210b到第四像素电极210d的最短距离的第二距离d2。作为一实施例，第一区域1A的透过率可以高于除了透过部TA以外的第二区域2A的透过率。
通过在第二区域2A上较宽地布置第二像素电极210b和第四像素电极210d而覆盖第二像素电极210b和第四像素电极210d的下部，从而可以降低除了透过部TA以外的第二区域2A的透过率，并且可以使从布置在第二区域2A下部的元件20产生的光仅通过透过部TA发出。
在第二区域2A的第二栅极绝缘层105上可以布置有第一导电层108，在层间绝缘层107上可以布置有第二导电层109，在第二导电层109上可以布置有平坦化层113，并且在平坦化层113上可以布置有第二像素电极210b。第一导电层108和第二导电层109可以是前述的扫描线、发光控制线、数据线以及驱动电压线中的至少一个。第一导电层108和第二导电层109可以利用选自铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)、铜(Cu)中的一个以上的金属形成为单层或者多层。
在第二区域2A的平坦化层113上可以布置有金属图案层111。金属图案层111可以至少局部地重叠于第一导电层108和第二导电层109，并且可以布置在平坦化层113上。金属图案层111与第二像素电极210b可以由同一物质形成在同一层。作为一实施例，金属图案层111可以与第二像素电极210b形成为一体。例如，金属图案层111可以是第二像素电极210b向透过部TA侧延伸的部分。
金属图案层111可以布置为包围配备在第二区域2A的透过部TA，从而改善或者防止在布置于第二区域2A下部的元件20产生的光通过透过部TA时发生衍射。
在现有的包括布置元件20的区域的显示装置中，将用于防止外部光到达包括辅助薄膜晶体管TFT'等的辅助像素Pa且防止从元件20产生的光通过透过部TA而发生衍射的金属图案布置在基板与缓冲层之间。
然而，在基板与缓冲层之间布置金属图案的情形下，相比以往，进一步需要额外的用于图案化金属图案的工序以及用于制备向掩模和金属图案施加电压的接触孔的工序和掩模，因此具有用于制造显示装置的工序和掩模数量增加的问题。
因此，本发明用于解决如上所述的问题，可以利用现有的信号布线，以不需要额外的工序和掩模的方式形成用于防止从元件20产生的光的衍射的金属图案层111，而不是利用额外的工序和掩模而形成金属图案层111。
作为一实施例，在层间绝缘层107上形成第二导电层109时，可以同时在层间绝缘层107上形成金属图案层111，从而以不需要额外的工序和掩模的方式形成用于防止从元件20产生的光的衍射的金属图案。并且，通过在第二区域2A上较宽地布置像素电极，可以降低除了透过部TA以外的第二区域2A的透过率。
作为一实施例，当在第二栅极绝缘层105上形成第一导电层108时，可以同时地在第二栅极绝缘层105上形成金属图案层111，从而不需要额外的工序和掩模而形成用于防止从元件20产生的光的衍射的金属图案。
作为一实施例，当在第二区域2A的平坦化层113上形成像素电极时，可以同时地在平坦化层113上形成金属图案层111，从而不需要额外的工序和掩模而形成用于防止从元件20产生的光的衍射的金属图案。
根据本发明的一实施例，为了解决在现有的显示装置中如果在布置有元件的区域上形成防止衍射的金属图案则需要额外的工序和掩膜等问题，可以提供能够利用现有的信号布线而以不需要额外的工序和掩模的方式形成金属图案层，并且同时提高了产品的可靠性的显示装置。
本发明虽然参考附图中示出的实施例进行了说明，但其仅为示例性的，只要是在本领域中具有普通知识的技术人员，便可以理解能够据此实现多种变形以及等同的其他实施例。因此，本发明的真正的技术保护范围应当根据所记载的权利要求书的技术思想而被确定。

Claims (15)

1.一种显示装置，配备有：
基板，包括第一区域和配备有透过部的第二区域；
主像素，位于所述第一区域上，并且包括第一像素电极、第一对向电极以及布置在所述第一像素电极与所述第一对向电极之间的第一中间层；
辅助像素，位于所述第二区域上，并且包括第二像素电极、第二对向电极以及布置在所述第二像素电极与所述第二对向电极之间的第二中间层；以及
金属图案层，以包围所述透过部的方式布置在所述第二区域上。
2.如权利要求1所述的显示装置，其中，还包括：
第一导电层，布置在所述基板上；
层间绝缘层，布置在所述第一导电层上；以及
第二导电层，布置在所述层间绝缘层上。
3.如权利要求2所述的显示装置，其中，
所述金属图案层与所述第二导电层形成为一体。
4.如权利要求3所述的显示装置，其中，
所述金属图案层至少局部地重叠于所述第二像素电极。
5.如权利要求3所述的显示装置，其中，
所述第二导电层是驱动电压线。
6.如权利要求2所述的显示装置，其中，
所述金属图案层与所述第一导电层形成为一体。
7.如权利要求6所述的显示装置，其中，
所述金属图案层至少局部地重叠于所述第二像素电极。
8.如权利要求2所述的显示装置，其中，
所述金属图案层和所述第一导电层在同一层彼此相隔地布置。
9.如权利要求8所述的显示装置，其中，
所述金属图案层通过限定在所述层间绝缘层的第一接触孔而与所述第二导电层电连接。
10.如权利要求2所述的显示装置，其中，
所述金属图案层与所述第二像素电极形成为一体。
11.如权利要求10所述的显示装置，其中，
所述金属图案层至少局部地重叠于所述第一导电层和所述第二导电层。
12.如权利要求1所述的显示装置，其中，还包括：
另一主像素的第三像素电极，位于所述第一区域上，并且与所述第一像素电极相隔地布置；以及
另一辅助像素的第四像素电极，位于所述第二区域上，并且与所述第二像素电极相隔地布置。
13.如权利要求12所述的显示装置，其中，
定义为从所述第一像素电极到所述第三像素电极的最短距离的第一距离大于定义为从所述第二像素电极到所述第四像素电极的最短距离的第二距离。
14.如权利要求1所述的显示装置，其中，
所述透过部为圆形或者椭圆形的形状。
15.如权利要求1至14中的任一项所述的显示装置，还配备有：
元件，以与所述第二区域对应的方式布置在所述基板下方，并且包括发光或者接收光的电子要素。
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