CN113299688A - 显示面板 - Google Patents

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姜哲圭
金成焕
方铉喆
吴秀姬
李东鲜
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Abstract

本发明为了将在数据线和半导体层之间可能发生的寄生电容以及寄生电容引起的串扰现象最小化，提供一种显示面板，包括：基板；驱动薄膜晶体管，配置于所述基板上，并具备驱动半导体层以及驱动栅极电极；补偿薄膜晶体管，配置于所述基板上，并具备补偿半导体层以及补偿栅极电极；节点连接线，电连接所述驱动薄膜晶体管和所述补偿薄膜晶体管；扫描线，配置于所述基板上，并向第一方向延伸；以及栅极连接线，与所述扫描线电连接，并包括所述补偿栅极电极，所述补偿半导体层在平面上比所述扫描线更相邻于所述驱动半导体层而配置。

Description

显示面板
技术领域
本发明涉及一种显示面板，更详细地涉及一种用于实现高质量以及高分辨率的图像的显示面板。
背景技术
显示装置是视觉上显示数据的装置。这样的显示装置包括显示区域和周边区域。在显示区域中扫描线和数据线相互绝缘地形成，并包括有多个像素。另外，在所述显示区域具备有具备对应于各个所述像素的薄膜晶体管以及存储电容器的像素电路。在周边区域可以具备有将电信号传递于显示区域的像素电路的各种配线、扫描驱动部、数据驱动部、控制部等。
这样的显示装置的其用途变得多样。另外，显示装置的厚度变薄，重量轻，因此是其使用的范围变得广泛的趋势。为了显示装置的高质量以及高分辨率，像素电路的设计变得多样。
发明内容
本发明的实施例要提供一种实现高质量以及高分辨率的图像的显示面板。但是，这样的课题是例示性的，本发明的范围不被其限定。
根据本发明的一观点，提供一种显示面板，包括：基板；驱动薄膜晶体管，配置于所述基板上，并具备驱动半导体层以及驱动栅极电极；补偿薄膜晶体管，配置于所述基板上，并具备补偿半导体层以及补偿栅极电极；节点连接线，电连接所述驱动薄膜晶体管和所述补偿薄膜晶体管；扫描线，配置于所述基板上，并向第一方向延伸；以及栅极连接线，与所述扫描线电连接，并包括所述补偿栅极电极，所述补偿半导体层在平面上比所述扫描线更相邻于所述驱动半导体层而配置。
根据本实施例，可以是，所述显示面板还包括：开关薄膜晶体管，配置于所述基板上，并具备开关半导体层以及开关栅极电极，所述栅极连接线还包括所述开关栅极电极。
根据本实施例，可以是，所述扫描线的电阻率值比所述驱动栅极电极的电阻率值小。
根据本实施例，可以是，所述显示面板还包括：绝缘层，介于所述栅极连接线与所述扫描线之间，所述扫描线通过所述绝缘层的接触孔接通于所述栅极连接线。
根据本实施例，可以是，所述栅极连接线和所述扫描线包括彼此不同的物质。
根据本实施例，可以是，所述栅极连接线包括：第一部分，向与所述第一方向交叉的第二方向延伸；以及第二部分，沿着所述第一方向从所述第一部分延伸。
根据本实施例，可以是，所述补偿半导体层包括以折曲点为中心向彼此不同的方向延伸的第一部分以及第二部分，所述补偿半导体层的所述第一部分与所述栅极连接线的所述第一部分重叠，所述补偿半导体层的所述第二部分与所述栅极连接线的所述第二部分重叠。
根据本实施例，可以是，彼此重叠的所述栅极连接线以及所述补偿半导体层在平面上构成四边形的闭合曲线。
根据本实施例，可以是，所述节点连接线沿着与所述第一方向交叉的第二方向延伸而与栅极连接线的第二部分交叉。
根据本实施例，可以是，所述驱动半导体层弯曲形成。
根据本发明的其它观点，提供一种显示面板，包括：扫描线，向第一方向延伸；数据线，向与所述第一方向交叉的第二方向延伸；开关薄膜晶体管，电连接于所述扫描线以及所述数据线，并具备开关半导体层以及开关栅极电极；驱动薄膜晶体管，与所述开关薄膜晶体管电连接，并具备驱动半导体层以及驱动栅极电极；补偿薄膜晶体管，具备将第一栅极绝缘层置于之间而配置的补偿半导体层以及补偿栅极电极；以及栅极连接线，与所述扫描线电连接，并包括所述补偿栅极电极，所述补偿半导体层包括：第一部分，向所述第一方向延伸；第二部分，从所述第一部分折曲，并向远离所述驱动薄膜晶体管的方向延伸。
根据本实施例，可以是，所述补偿半导体层在平面上比所述扫描线更相邻于所述驱动半导体层而配置。
根据本实施例，可以是，所述栅极连接线还包括：第一部分，向所述第二方向延伸；以及第二部分，向所述第一方向延伸，所述栅极连接线的第一部分与所述补偿半导体层的所述第一部分重叠，所述栅极连接线的第二部分与所述补偿半导体层的所述第二部分重叠。
根据本实施例，可以是，所述栅极连接线还包括所述开关栅极电极。
根据本实施例，可以是，所述显示面板还包括介于所述栅极连接线与所述扫描线之间的第二栅极绝缘层以及层间绝缘层，所述扫描线通过贯通所述层间绝缘层以及所述第二栅极绝缘层的第一接触孔接通于所述栅极连接线。
根据本实施例，可以是，所述栅极连接线包括与所述扫描线彼此不同的物质。
根据本实施例，可以是，所述显示面板还包括：第二栅极绝缘层以及层间绝缘层，介于所述栅极连接线与所述扫描线之间；节点连接线，电连接所述驱动薄膜晶体管和所述补偿薄膜晶体管，所述节点连接线的一端部通过贯通所述层间绝缘层以及所述第二栅极绝缘层的第二接触孔与所述驱动栅极电极连接，所述节点连接线的另一端部通过贯通所述层间绝缘层、所述第二栅极绝缘层以及所述第一栅极绝缘层的第三接触孔与所述补偿半导体层连接。
根据本实施例，可以是，所述节点连接线沿着所述第二方向延伸而与栅极连接线的第二部分交叉。
根据本实施例，可以是，所述节点连接线包括与所述扫描线相同的物质。
根据本实施例，可以是，所述显示面板还包括：发光控制薄膜晶体管，与所述驱动薄膜晶体管电连接，并具备发光控制半导体层以及发光控制栅极电极；以及有机发光二极管，与所述发光控制薄膜晶体管电连接。
前述之外的其它层面、特征、优点将从以下的用于实施本发明的具体内容、权利要求书以及附图变得明确。
(发明的效果)
根据本发明的一实施例，具备：栅极连接线，与扫描线电连接，并包括补偿栅极电极以及开关栅极电极；以及节点连接线，电连接驱动栅极电极和补偿半导体层，并与栅极连接线在平面上交叉，从而能够将在数据线和半导体层之间可能发生的寄生电容以及寄生电容引起的串扰现象最小化。另外，通过使用电阻比开关栅极电极低的扫描线，能够防止RC延时现象。通过此，能够提供实现高质量以及高分辨率的图像的显示面板。当然，本发明的范围不被这样的效果限定。
附图说明
图1是简要示出根据本发明的一实施例的显示面板的俯视图。
图2是根据本发明的一实施例的显示面板所包括的像素电路的等效电路图。
图3是简要示出根据本发明的一实施例的包括在像素电路中的多个薄膜晶体管以及电容器等的位置的配置图。
图4至图8是按照层简要示出图3的多个薄膜晶体管以及电容器等的结构的配置图。
图9是沿着图3的A-A'线截取的截面图。
图10是沿着图3的B-B'线以及C-C'线截取的截面图。
图11是图3的结构中以栅极连接线以及节点连接线为中心仅选取一部分结构而表现的配置图。
图12a至图12c是选取图11的XII部分而表现的放大俯视图。
(附图标记说明)
10 显示面板
110 基板
111 缓冲层
112 第一栅极绝缘层
113 第二栅极绝缘层
114 层间绝缘层
115 过孔绝缘层
116 平坦化层
117 像素界定膜
121 发光控制线
122 第一初始化电压线
123 第二初始化电压线
124 栅极连接线
124a 栅极连接线的第一部分
124b 栅极连接线的第二部分
131 扫描线
132 在先扫描线
133 在后扫描线
134 横向驱动电压线
135 节点连接线
136 连接电极
137 中间连接层
151 数据线
152 驱动电压线
153 辅助连接层
T1 驱动薄膜晶体管
T2 开关薄膜晶体管
T3 补偿薄膜晶体管
T4 第一初始化薄膜晶体管
T5 动作控制薄膜晶体管
T6 发光控制薄膜晶体管
T7 第二初始化薄膜晶体管
A3 补偿半导体层
A3a 补偿半导体层的第一部分
A3b 补偿半导体层的第二部分
BP 折曲点
具体实施方式
本发明可以施加各种变化，可以具有各种实施例，将特定实施例例示于附图并在详细说明中详细说明。若参照与附图一起详细后述的实施例，则本发明的效果及特征，以及实现它们的方法将变得明确。但是，本发明不限于以下公开的实施例，可以以各种形式实现。
以下，参照所附的附图详细说明本发明的实施例，当参照附图说明时相同或者对应的构成要件赋予相同的附图标记，将省略对此的重复说明。
在以下的实施例中，第一、第二等用语不是限定性含义，而是以将一个构成要件与其它构成要件区分的目的使用。
在以下的实施例中，单数的表述只要没有在文脉上明确不同地表示，包括多个的表述。
在以下的实施例中，包括或具有等用语意指存在说明书中记载的特征或构成要件，并不预先排除附加一个以上的其它特征或构成要件的可能性。
在以下的实施例中，当表述为膜、区域、构成要件等的部分在其它部分之上或上时，不仅包括直接在其它部分之上的情况，还包括在其中间介有其它膜、区域、构成要件等的情况。
在附图中，为了便于说明，构成要件可能放大或缩小其尺寸。例如，在附图中出现的各结构的尺寸及厚度为了便于说明而任意示出，因此本发明不是必需限于图示。
在某一实施例可以不同地实现的情况下，特定的工艺顺序也可以与说明的顺序不同地执行。例如，连续说明的两工艺也可以实质上同时执行，可以以与说明的顺序相反的顺序进行。
在本说明书中，“A以及/或B”表示A，或者B，或者A和B的情况。另外，“A以及B中至少一个”表示A，或者B，或者A和B的情况。
在以下的实施例中，当表述为膜、区域、构成要件等连接时，包括膜、区域、构成要件直接连接的情况，或/以及还包括在膜、区域、构成要件中间介有其它膜、区域、构成要件而间接连接的情况。例如，在本说明中，当表述为膜、区域、构成要件等电连接时，表示膜、区域、构成要件等直接电连接的情况，以及/或在其中间介有其它膜、区域、构成要件等而间接电连接的情况。
x轴、y轴以及z轴不限定为直角坐标系上的三轴，可以解释为包括其的宽含义。例如，x轴、y轴以及z轴也可以彼此正交，但也可以指代彼此不正交的彼此不同的方向。
图1是简要示出根据本发明的一实施例的显示面板的俯视图。
参照图1，显示面板10可以包括：显示区域DA；以及周边区域PA，位于显示区域DA的外侧。显示面板10可以通过二维排列于显示区域DA的多个像素PX的阵列提供图像。周边区域PA作为不提供图像的区域，可以整体或局部地围绕显示区域DA。在周边区域PA可以配置有用于将电信号或电源提供于像素PX的驱动器等。在周边区域PA可以配置有电子元件或印刷电路基板等可以电连接的区域即焊盘。
以下，显示面板10作为显示要件，尽管说明了包括有机发光二极管OLED，但是本发明的显示面板10不限于此。作为其它实施例，显示面板10可以是微型LED之类包括无机物的发光显示装置(Inorganic Light Emitting Display或者无机EL显示装置)，或者量子点发光显示装置(Quantum dot Light Emitting Display)之类显示装置。例如，显示面板10中所具备的显示要件的发光层可以包括有机物，或者包括无机物，或者包括量子点，或者包括有机物和量子点，或者包括无机物和量子点。
图2是根据本发明的一实施例的显示面板所包括的像素电路的等效电路图。
参照图2，显示面板10具备像素电路PC，该像素电路PC包括：信号线121、131、132、133、151；多个薄膜晶体管T1～T7，连接于信号线；存储电容器(storage capacitor，Cap)；第一初始化电压线122及第二初始化电压线123；以及驱动电压线152。另外，显示面板10作为发光要件，可以具备通过像素电路PC接收驱动电压而发光的有机发光二极管(OrganicLight Emitting Diode，OLED)。
在图2中，虽然示出了每一个像素电路PC具备信号线121、131、132、133、151、第一初始化电压线122及第二初始化电压线123以及驱动电压线152的情况，但是本发明不限于此。作为又一实施例，信号线121、131、132、133、151中至少任一个或/以及第一初始化电压线122及第二初始化电压线123可以在相邻的像素电路PC中共有。
像素电路PC可以包括多个薄膜晶体管以及存储电容器。根据一实施例，如图2所示，薄膜晶体管可以包括驱动薄膜晶体管T1、开关薄膜晶体管T2、补偿薄膜晶体管T3、第一初始化薄膜晶体管T4、动作控制薄膜晶体管T5、发光控制薄膜晶体管T6以及第二初始化薄膜晶体管T7。
信号线包括：扫描线131，传递扫描信号Sn；在先扫描线132，将在先扫描信号Sn-1传递于第一初始化薄膜晶体管T4；在后扫描线133，将在后扫描信号Sn传递于第二初始化薄膜晶体管T7；发光控制线121，将发光控制信号En传递于动作控制薄膜晶体管T5以及发光控制薄膜晶体管T6；数据线151，与扫描线131交叉，并传递数据信号Dm。可以是，驱动电压线152将驱动电压ELVDD传递于驱动薄膜晶体管T1，第一初始化电压线122及第二初始化电压线123传递将驱动薄膜晶体管T1以及像素电极初始化的初始化电压Vint。
驱动薄膜晶体管T1的驱动栅极电极G1连接于存储电容器Cap的电极，驱动薄膜晶体管T1的源极电极以及漏极电极中的一个经由动作控制薄膜晶体管T5而连接于驱动电压线152，驱动薄膜晶体管T1的源极电极以及漏极电极中的另一个经由发光控制薄膜晶体管T6而电连接于有机发光二极管OLED的像素电极。驱动薄膜晶体管T1根据开关薄膜晶体管T2的开关动作接收数据信号Dm而将驱动电流Id供应于有机发光二极管OLED。
开关薄膜晶体管T2的开关栅极电极G2连接于扫描线131，开关薄膜晶体管T2的源极电极以及漏极电极中的一个连接于数据线151，开关薄膜晶体管T2的源极电极以及漏极电极中的另一个在连接于驱动薄膜晶体管T1的同时，经由动作控制薄膜晶体管T5而连接于驱动电压线152。开关薄膜晶体管T2根据通过扫描线131接收的扫描信号Sn而导通，从而执行将向数据线151传递的数据信号Dm向驱动薄膜晶体管T1传递的开关动作。
补偿薄膜晶体管T3的补偿栅极电极G3连接于扫描线131，补偿薄膜晶体管T3的源极电极以及漏极电极中的一个在连接于驱动薄膜晶体管T1的同时，经由发光控制薄膜晶体管T6而与有机发光二极管OLED的像素电极连接，补偿薄膜晶体管T3的源极电极以及漏极电极中的另一个连接于存储电容器Cap的电极、第一初始化薄膜晶体管T4以及驱动薄膜晶体管T1。补偿薄膜晶体管T3根据通过扫描线131接收的扫描信号Sn导通，从而将驱动薄膜晶体管T1的栅极电极G1与源极电极以及漏极电极中的一个(例如，漏极电极)电连接而使驱动薄膜晶体管T1二极管连接。
第一初始化薄膜晶体管T4的第一初始化栅极电极G4连接于在先扫描线132，第一初始化薄膜晶体管T4的源极电极以及漏极电极中的一个连接于第一初始化电压线122，第一初始化薄膜晶体管T4的源极电极以及漏极电极中的另一个连接于存储电容器Cap的电极、补偿薄膜晶体管T3以及驱动薄膜晶体管T1。第一初始化薄膜晶体管T4根据通过在先扫描线132接收的在先扫描信号Sn-1而导通，从而执行将初始化电压Vint传递于驱动薄膜晶体管T1的驱动栅极电极G1而使驱动栅极电极G1的电压初始化的初始化动作。
动作控制薄膜晶体管T5的动作控制栅极电极G5连接于发光控制线121，动作控制薄膜晶体管T5的源极电极以及漏极电极中的一个与驱动电压线152连接，动作控制薄膜晶体管T5的源极电极以及漏极电极中的另一个与驱动薄膜晶体管T1以及开关薄膜晶体管T2连接。
发光控制薄膜晶体管T6的发光控制栅极电极G6连接于发光控制线121，发光控制薄膜晶体管T6的源极电极以及漏极电极中的一个连接于驱动薄膜晶体管T1以及补偿薄膜晶体管T3，发光控制薄膜晶体管T6的源极电极以及漏极电极中的另一个电连接于第二初始化薄膜晶体管T7以及有机发光二极管OLED的像素电极。
动作控制薄膜晶体管T5以及发光控制薄膜晶体管T6根据通过发光控制线121接收的发光控制信号En同时导通，从而使得驱动电压ELVDD传递于有机发光二极管OLED而驱动电流Id流动于有机发光二极管OLED。
第二初始化薄膜晶体管T7的第二初始化栅极电极G7可以连接于配置于相应的像素PX的在后行的像素PX的在后扫描线133。另外，第二初始化薄膜晶体管T7的源极电极以及漏极电极中的一个连接于发光控制薄膜晶体管T6以及有机发光二极管OLED的像素电极，第二初始化薄膜晶体管T7的源极电极以及漏极电极中的另一个连接于第二初始化电压线123。
另一方面，扫描线131和在后扫描线133通过彼此电连接，可以被施加相同的扫描信号Sn。因此，第二初始化薄膜晶体管T7可以根据通过在后扫描线133接收的扫描信号Sn导通而执行使有机发光二极管OLED的像素电极初始化的动作。
作为其它例，第一初始化薄膜晶体管T4和第二初始化薄膜晶体管T7可以一起连接于在先扫描线132。
存储电容器Cap的一个电极连接于驱动电压线152，有机发光二极管OLED的对电极连接于公共电压ELVSS。由此，有机发光二极管OLED可以从驱动薄膜晶体管T1接收驱动电流Id而发光，从而显示画像。
尽管图2说明了像素电路PC包括七个薄膜晶体管T1～T7和一个存储电容器Cap，但是本发明不限于此。薄膜晶体管以及存储电容器的数量可以根据像素电路PC的设计而进行各种变更。
图3是简要示出根据本发明的一实施例的包括在像素电路中的多个薄膜晶体管以及电容器等的位置的配置图，图4至图8是按照层简要示出图3的多个薄膜晶体管以及电容器等的结构的配置图。
如图3所示那样的配置图是一像素电路的配置图，可以向其上下左右配置相同/类似结构的像素电路。图4至图8各自示出位于相同层的配线或半导体层等的配置，在图4至图8所示的层状结构之间可以介有绝缘层等。
作为一实施例，可以是，在图4所示的层与图5所示的层之间介有第一栅极绝缘层112(图9)，在图5所示的层与图6所示的层之间介有第二栅极绝缘层113(图9)，在图6所示的层与图7所示的层之间介有层间绝缘层114(图9)，在图7所示的层与图8所示的层之间介有过孔绝缘层115(图9)。可以在所述绝缘层形成接触孔等，从而图4至图8所示的层状结构上下彼此电连接。
以下，参照图3至图6针对薄膜晶体管T1～T7的结构以及配置进行说明，参照图3至图8针对配线131、132、133、134、121、122、123、151、152、栅极连接线124以及节点连接线135的结构以及配置进行说明。
参照图3至图6，显示面板10可以包括驱动薄膜晶体管T1、开关薄膜晶体管T2、补偿薄膜晶体管T3、第一初始化薄膜晶体管T4、动作控制薄膜晶体管T5、发光控制薄膜晶体管T6、第二初始化薄膜晶体管T7、存储电容器Cap以及有机发光二极管(未图示)。
驱动薄膜晶体管T1的驱动半导体层A1、开关薄膜晶体管T2的开关半导体层A2、补偿薄膜晶体管T3的补偿半导体层A3、第一初始化薄膜晶体管T4的第一初始化半导体层A4、动作控制薄膜晶体管T5的动作控制半导体层A5、发光控制薄膜晶体管T6的发光控制半导体层A6以及第二初始化薄膜晶体管T7的第二初始化半导体层A7可以配置于相同层，并包括相同物质。
作为一例，半导体层A1～A7可以由多晶硅或非晶硅形成。或者，半导体层A1～A7可以包括氧化物半导体物质，该氧化物半导体物质包括从包括铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)、锆(Zr)、钒(V)、铪(Hf)、镉(Cd)、锗(Ge)、铬(Cr)、钛(Ti)、铝(Al)、铯(Cs)、铈(Ce)以及锌(Zn)的组选择的至少一个物质的氧化物。另外，所述半导体层A1～A7可以彼此连接，并弯曲为各种形状。
半导体层A1～A7可以包括沟道区域、沟道区域两旁的源极区域以及漏极区域。作为一例，源极区域以及漏极区域可以用杂质掺杂，杂质可以包括N型杂质或P型杂质。源极区域以及漏极区域可以各自对应于薄膜晶体管的源极电极以及漏极电极。以下，出于便利，代替源极电极或漏极电极，使用称为源极区域以及漏极区域的用语。
驱动薄膜晶体管T1的驱动栅极电极G1、开关薄膜晶体管T2的开关栅极电极G2、补偿薄膜晶体管T3的补偿栅极电极G3、第一初始化薄膜晶体管T4的第一初始化栅极电极G4、动作控制薄膜晶体管T5的动作控制栅极电极G5、发光控制薄膜晶体管T6的发光控制栅极电极G6以及第二初始化薄膜晶体管T7的第二初始化栅极电极G7可以配置于相同层，并包括相同物质。
作为一例，栅极电极G1～G7可以配置于第一栅极绝缘层112(图9)上，并与半导体层A1～A7将第一栅极绝缘层112(图9)置于中间来配置。栅极电极G1～G7可以包括钼(Mo)、钛(Ti)等，并由单层或多层构成。
驱动薄膜晶体管T1包括驱动半导体层A1以及驱动栅极电极G1。驱动半导体层A1可以弯曲形成。可以以与驱动薄膜晶体管T1重叠的方式在驱动半导体层A1之上形成存储电容器Cap。
驱动半导体层A1可以包括驱动沟道区域、驱动沟道区域两侧的驱动源极区域以及驱动漏极区域。驱动半导体层A1可以具有弯曲的形状，比其它半导体层A2～A7更长地形成。例如，驱动半导体层A1可以通过具有如欧米伽(Ω)或字母“S”那样多次弯折的形状，在窄的空间内形成长的沟道长度。由于驱动半导体层A1形成得长，施加于驱动栅极电极G1的栅极电压的驱动范围(driving range)变宽，能够更精确地控制从有机发光二极管OLED发出的光的灰度，能够提升显示质量。
可以是，驱动薄膜晶体管T1的驱动半导体层A1的一端与开关半导体层A2以及动作控制半导体层A5连接，驱动半导体层A1的另一端与补偿半导体层A3以及发光控制半导体层A6连接。
存储电容器Cap可以包括将第二栅极绝缘层113(图9)置于中间来配置的下电极Cap1和上电极Cap2。在此，驱动栅极电极G1可以同时还起到下电极Cap1的作用。即，驱动栅极电极G1可以与下电极Cap1一体形成。第二栅极绝缘层113(图9)可以作为存储电容器Cap的介电质发挥功能，在存储电容器Cap中蓄电的电荷和两电极Cap1、Cap2之间的电压可以决定存储电容(Storage Capacitance)。
下电极Cap1可以形成为岛形状的电极，可以包括与开关栅极电极G2、补偿栅极电极G3、第一初始化栅极电极G4、动作控制栅极电极G5、发光控制栅极电极G6、第二初始化栅极电极G7相同物质，并形成于相同的层。
上电极Cap2可以配置于第二栅极绝缘层113(图9)上。上电极Cap2可以配置为与下电极Cap1整体重叠，并具备存储开口部SOP。存储开口部SOP具备为与下电极Cap1重叠。存储开口部SOP可以具有贯通上电极Cap2的简单闭曲线(closed curve)的形式。在此，简单闭曲线意指如多边形、园等那样当在直线或曲线之上点一点时起点和终点相同的闭合图形。上电极Cap2可以通过接触孔与驱动电压线152连接，接收驱动电压ELVDD(图2)。
开关薄膜晶体管T2可以包括开关半导体层A2以及开关栅极电极G2。开关半导体层A2可以包括开关沟道区域两侧的开关源极区域以及开关漏极区域。开关源极区域以及开关漏极区域中的一个可以与驱动源极区域或驱动漏极区域连接。
补偿薄膜晶体管T3可以包括补偿半导体层A3以及补偿栅极电极G3。补偿半导体层A3可以包括补偿沟道区域两侧的补偿源极区域以及补偿漏极区域。形成于补偿半导体层A3的补偿薄膜晶体管T3是双薄膜晶体管，具备两个补偿沟道区域，补偿沟道区域之间的区域是掺杂有杂质的区域，可以局部地是双薄膜晶体管中的任一个的源极区域的同时，对应于另一个的漏极区域。补偿漏极区域可以通过节点连接线135(图7)与下电极Cap1连接。补偿栅极电极G3可以形成单独的双栅极电极而防止泄漏电流(leakage current)。补偿栅极电极G3可以与开关栅极电极G2连接。
第一初始化薄膜晶体管T4可以包括第一初始化半导体层A4以及第一初始化栅极电极G4。第一初始化半导体层A4可以包括第一初始化沟道区域两侧的第一初始化源极区域以及第一初始化漏极区域。形成于第一初始化半导体层A4的第一初始化薄膜晶体管T4是双薄膜晶体管，具备两个第一初始化沟道区域，第一初始化沟道区域之间的区域是掺杂有杂质的区域，可以局部地是双薄膜晶体管中的任一个的源极区域的同时，对应于另一个的漏极区域。第一初始化源极区域以及第一初始化漏极区域中的一个可以通过节点连接线135(图7)与下电极Cap1连接。
动作控制薄膜晶体管T5包括动作控制半导体层A5以及动作控制栅极电极G5。动作控制半导体层A5可以包括动作控制沟道区域两侧的动作控制源极区域以及动作控制漏极区域。动作控制源极区域以及动作控制漏极区域中的一个可以与驱动源极区域以及驱动漏极区域中与开关薄膜晶体管T2连接的区域连接。
发光控制薄膜晶体管T6包括发光控制半导体层A6以及发光控制栅极电极G6。发光控制半导体层A6可以包括发光控制沟道区域两侧的发光控制源极区域以及发光控制漏极区域。发光控制源极区域以及发光控制漏极区域中的一个可以与驱动漏极区域以及驱动源极区域中没有与动作控制薄膜晶体管T5连接的剩余一个连接。
第二初始化薄膜晶体管T7包括第二初始化半导体层A7以及第二初始化栅极电极G7。第二初始化半导体层A7包括第二初始化沟道区域两侧的第二初始化源极区域以及第二初始化漏极区域。第二初始化源极区域以及第二初始化漏极区域中的一个可以与发光控制半导体层A6连接。
参照图3至图8，显示面板10可以包括向第一方向DR1延伸的扫描线131、在先扫描线132、在后扫描线133、横向驱动电压线134、发光控制线121以及第一初始化电压线122及第二初始化电压线123，并包括向与所述第一方向DR1交叉的第二方向DR2延伸的数据线151以及驱动电压线152。另外，可以包括栅极连接线124以及节点连接线135。
第一初始化电压线122及第二初始化电压线123可以包括与半导体层A1～A7相同的物质，并配置于相同的层。第一初始化电压线122可以与第一初始化源极区域以及第一初始化漏极区域中的一个连接。第二初始化电压线123可以与第二初始化薄膜晶体管T7的第二初始化漏极区域或第二初始化源极区域连接。第一初始化电压线122及第二初始化电压线123可以沿着第一方向DR1延伸。
发光控制线121可以包括与栅极电极G1～G7相同的物质，并配置于相同的层。动作控制栅极电极G5以及发光控制栅极电极G6可以具备为发光控制线121的一部分。发光控制线121可以沿着第一方向DR1延伸。
在一实施例中，开关栅极电极G2以及补偿栅极电极G3可以具备为栅极连接线124的一部分。栅极连接线124可以包括与栅极电极G1～G7相同的物质，并配置于相同的层。栅极连接线124可以包括：第一部分124a，向与第一方向DR1交叉的第二方向DR2延伸；以及第二部分124b，沿着第一方向DR1从第一部分124a延伸。第一部分124a可以包括沿着第二方向DR2彼此位于对面的第一端部以及第二端部，第二部分124b可以从第一部分124a的第一端部和第二端部之间沿着第一方向DR1延伸为远离第一部分124a。栅极连接线124的第一部分124a的第一端部可以与参照图7将后述的扫描线131电连接。
扫描线131、在先扫描线132、在后扫描线133、横向驱动电压线134、节点连接线135、连接电极136以及中间连接层137可以由相同的物质形成，并配置于相同层。
扫描线131、在先扫描线132、在后扫描线133可以配置于与薄膜晶体管T1～T7的栅极电极G1～G7不同的层，并具备比栅极电极G1～G7的电阻小的电阻。即，扫描线131的电阻率值可以具有比栅极电极G1～G7的电阻率值小的值。通过此，能够防止或最小化基于扫描信号的施加的RC延时(delay)现象。
例如，扫描线131、在先扫描线132、在后扫描线133可以包括包含铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)、钼(Mo)等的导电物质，可以由多层或单层形成。作为一例，扫描线131、在先扫描线132、在后扫描线133可以由Ti/Al/Ti的多层结构构成。
扫描线131、在先扫描线132、在后扫描线133可以配置于层间绝缘层114(图9)上，并与上电极Cap2将层间绝缘层114(图9)置于中间来配置。即，第二栅极绝缘层113(图9)以及层间绝缘层114(图9)可以配置于扫描线131与栅极电极G1～G7之间。扫描线131、在先扫描线132、在后扫描线133配置于与和它们连接的栅极电极G1～G7不同的层，扫描线131、在先扫描线132、在后扫描线133可以通过接触孔与栅极电极G1～G7连接。
在一实施例中，扫描线131可以通过形成于层间绝缘层114(图9)以及第二栅极绝缘层113(图9)的第一接触孔CNT1与栅极连接线124电连接。扫描线131和栅极连接线124可以包括彼此不同的物质。栅极连接线124可以将通过扫描线131接收的扫描信号向开关栅极电极G2以及补偿栅极电极G3传递。
横向驱动电压线134可以向第一方向DR1延伸。横向驱动电压线134可以通过接触孔与向第二方向DR2延伸的驱动电压线152连接。因此，横向驱动电压线134和驱动电压线152可以形成网格(mesh)结构。横向驱动电压线134可以通过接触孔与动作控制半导体层A5以及存储电容器Cap的上电极Cap2连接，因此动作控制薄膜晶体管T5和上电极Cap2可以从驱动电压线152以及横向驱动电压线134被施加驱动电压ELVDD(图2)。
节点连接线135可以连接存储电容器Cap的下电极Cap1与补偿薄膜晶体管T3以及第一初始化薄膜晶体管T4。节点连接线135的一端通过第二接触孔CNT2与下电极Cap1连接。节点连接线135的另一端可以通过第三接触孔CNT3与补偿半导体层A3以及第一初始化半导体层A4一起连接。
连接电极136可以连接开关半导体层A2和数据线151。可以是，连接电极136的一端通过接触孔与开关半导体层A2连接，另一端通过接触孔与数据线151连接。连接电极136可以形成为绕过配置开关栅极电极G2的区域的形式，以在平面上不与开关栅极电极G2重叠。
中间连接层137可以通过接触孔与发光控制半导体层A6以及辅助连接层153(图8)连接。中间连接层137可以通过如后述那样的辅助连接层153电连接于有机发光二极管OLED的像素电极210。
数据线151、驱动电压线152以及辅助连接层153可以由相同的物质形成，并配置于相同层。
数据线151以及驱动电压线152可以与扫描线131将过孔绝缘层115置于中间来配置，可以沿着与第一方向DR1交叉的第二方向DR2延伸。数据线151以及驱动电压线152可以具有与所述扫描线131类似的电阻率值。例如，数据线151以及驱动电压线152可以包括包含铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)、钼(Mo)等的导电物质，可以由包括上述的材料的多层或单层形成。作为一例，数据线151以及驱动电压线152可以由Ti/Al/Ti的多层结构构成。
辅助连接层153可以通过形成于平坦化层116(图10)的接触孔电连接于有机发光二极管OLED的像素电极210。
图9是沿着图3的A-A'线截取的截面图，图10是沿着图3的B-B'线以及C-C'线截取的截面图。
如图9以及图10所示，目前为止说明的各种结构可以位于基板100上。基板100可以包括玻璃或聚合物树脂。例如，基板100的聚合物树脂可以包括聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺，聚碳酸酯或乙酸丙酸纤维素等。包括聚合物树脂的基板100可以具有柔性、可卷曲或可弯曲的特性。基板100可以是包括包含前述的聚合物树脂的层以及无机层(未图示)的多层结构。
在基板100上可以配置缓冲层111。缓冲层111可以减少或阻断异物、湿气或外部空气从基板100的下方渗透，可以在基板100上提供平坦面。缓冲层111可以包括氧化硅、氮氧化硅、氮化硅之类的无机绝缘物，可以由包括前述的物质的单层或多层结构构成。
如图4所示那样的半导体层A1～A7以及第一初始化电压线122及第二初始化电压线123可以位于缓冲层111上。第一栅极绝缘层112可以位于半导体层A1～A7以及第一初始化电压线122及第二初始化电压线123上。第一栅极绝缘层112可以包括氧化硅、氮氧化硅、氮化硅之类的无机绝缘物，可以是包括前述的物质的单层或多层结构。
如图5所示那样的栅极电极G1～G7以及发光控制线121可以位于第一栅极绝缘层112上。第二栅极绝缘层113可以位于栅极电极G1～G7以及发光控制线121上。第二栅极绝缘层113可以包括氧化硅、氮氧化硅、氮化硅之类的无机绝缘物，可以是包括前述的物质的单层或多层结构。
如图6所示那样的存储电容器Cap的上电极Cap2可以位于第二栅极绝缘层113上，覆盖上电极Cap2的层间绝缘层114可以位于第二栅极绝缘层113上。层间绝缘层114可以包括氧化硅、氮氧化硅、氮化硅之类的无机绝缘物，可以是包括前述的物质的单层或多层结构。
如图7所示那样的扫描线131、在先扫描线132、在后扫描线133、横向驱动电压线134、节点连接线135、连接电极136以及中间连接层137可以位于层间绝缘层114上。过孔绝缘层115可以位于扫描线131、在先扫描线132、在后扫描线133、横向驱动电压线134、节点连接线135、连接电极136以及中间连接层137上。
过孔绝缘层115可以包括苯并环丁烯(BCB，Benzocyclobutene)、聚酰亚胺(polyimide)、六甲基二硅氧烷(HMDSO，Hexamethyldisiloxane)、聚甲基丙烯酸甲酯(Polymethylmethacrylate，PMMA)或者聚苯乙烯(Polystylene，PS)之类的一般通用聚合物、具有酚基的聚合物衍生物、丙烯酸聚合物、酰亚胺聚合物、芳基醚聚合物、酰胺聚合物、氟聚合物、对二甲苯聚合物、乙烯醇聚合物以及它们的混合物等。过孔绝缘层115可以包括无机物质。这样的过孔绝缘层115可以包括氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)或氧化锌(ZnO2)等。在过孔绝缘层115以无机物质具备的情况下，可以根据情况进行化学平坦化抛光。另一方面，过孔绝缘层115也可以将有机物质以及无机物质全部包括。
数据线151、驱动电压线152以及辅助连接层153可以位于过孔绝缘层115上，平坦化层116可以位于数据线151、驱动电压线152以及辅助连接层153上。平坦化层116可以包括丙烯酸、苯并环丁烯(BCB，Benzocyclobutene)、聚酰亚胺(polyimide)或者六甲基二硅氧烷(HMDSO，Hexamethyldisiloxane)等的有机物。另外，平坦化层116可以包括无机物。平坦化层116可以起到大体上使覆盖薄膜晶体管T1～T7的保护膜上方平坦化的作用。平坦化层116可以具备为单层或多层。
像素电极210可以配置于平坦化层116上。像素电极210可以包括包含银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)或它们的化合物的反射膜。像素电极210可以包括：反射膜，包括前述的物质；以及透明导电膜，配置于反射膜之上或/以及之下。透明导电膜可以包括氧化铟锡(ITO；indium tin oxide)、氧化铟锌(IZO；indium zinc oxide)、氧化锌(ZnO；zinc oxide)、氧化铟(In2O3；indium oxide)、氧化铟镓(IGO；indium gallium oxide)或铝锌氧化物(AZO；aluminum zinc oxide)等。作为一实施例，像素电极210可以具有依次叠层的ITO层/Ag层/ITO层的三层结构。
在像素电极210上可以配置有像素界定膜117。像素界定膜117可以覆盖像素电极210的边缘并包括重叠于像素电极210的中心部分的开口119OP。
像素界定膜117通过增加像素电极210的边缘与像素电极210上方的对电极230之间的距离，能够起到防止在像素电极210的边缘放生电弧等的作用。像素界定膜117可以用聚酰亚胺、聚酰胺(Polyamide)、丙烯酸树脂、苯并环丁烯、六甲基二硅氧烷(HMDSO，hexamethyldisiloxane)以及酚醛树脂等之类的有机绝缘物质，通过旋涂等方法形成。
在像素界定膜117上方配置形成为对应于像素电极210的中间层220。中间层220可以包括发出预定的色相的光的高分子有机物或低分子有机物。
对电极230配置于中间层220上方。对电极230可以由功函数比较低的导电性物质构成。例如，对电极230可以包括包含银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、镍(Ni)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)或它们的合金等的(半)透明层。另外，对电极230可以在包括前述的物质的(半)透明层上还包括ITO、IZO、ZnO或In2O3之类的层。作为一实施例，对电极230可以包括银(Ag)以及镁(Mg)。对电极230可以一体形成为整体覆盖显示区域DA。
依次叠层的像素电极210、中间层220以及对电极230的叠层结构可以形成发光二极管，例如有机发光二极管OLED。有机发光二极管OLED可以发出红色、绿色或蓝色的光，各有机发光二极管OLED的发光区域对应于像素PX。
在对电极230上可以配置有薄膜封装层300。有机发光二极管OLED可以由薄膜封装层300覆盖。薄膜封装层300可以包括第一无机封装层310及第二无机封装层330以及它们之间的有机封装层320。
第一无机封装层310及第二无机封装层330可以各自包括一个以上的无机绝缘物。无机绝缘物可以包括氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅或/以及氮氧化硅。第一无机封装层310及第二无机封装层330可以通过化学气相蒸镀法形成。
有机封装层320可以包括聚合物(polymer)系列的物质。作为聚合物系列的材料，可以包括丙烯酸树脂、环氧树脂、聚酰亚胺以及聚乙烯等。例如，有机封装层320可以包括丙烯酸树脂，例如聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯酸等。有机封装层320可以硬化单体或涂敷聚合物而形成。
参照图9，栅极连接线124的第一部分124a可以与补偿栅极电极G3一体形成。第一部分124a的第二端部可以与配置于其下方的补偿半导体层A3重叠。第一部分124a的第一端部可以通过形成于第二栅极绝缘层113以及层间绝缘层114的第一接触孔CNT1而与配置于其上方的扫描线131电连接。补偿薄膜晶体管T3可以利用栅极连接线124而在平面上从扫描线131隔开而配置，其结果，如参考图11后述那样，补偿半导体层A3可以在平面上比扫描线131更相邻于驱动半导体层A1而配置。
参照图10的B-B'线的截面，节点连接线135的第一端部可以通过形成于第二栅极绝缘层113以及层间绝缘层114的第二接触孔CNT2而与下电极Cap1连接。在此，第二接触孔CNT2可以具备为配置于上电极Cap2的存储开口部SOP内。存储开口部SOP的尺寸具备为大于第二接触孔CNT2的尺寸，第二接触孔CNT2可以与下电极Cap1接通而不与上电极Cap2接触。节点连接线135的第二端部可以通过形成于第一栅极绝缘层112、第二栅极绝缘层113以及层间绝缘层114的第三接触孔CNT3而与补偿半导体层A3以及第一初始化半导体层A4一起连接。
参照图10的C-C'线的截面，配置于层间绝缘层114上的中间连接层137可以通过形成于层间绝缘层114、第二栅极绝缘层113以及第一栅极绝缘层112的第四接触孔CNT4而接通于发光控制薄膜晶体管T6的发光控制半导体层A6。在此，C-C'线不经过的发光控制半导体层A6的一部分用虚线表示。配置于过孔绝缘层115上的辅助连接层153可以通过形成于过孔绝缘层115的第五接触孔CNT5接通于中间连接层137。配置于平坦化层116上的像素电极210可以通过形成于平坦化层116的第六接触孔CNT6接通于辅助连接层153。因此，发光控制薄膜晶体管T6的发光控制半导体层A6可以与有机发光二极管OLED的像素电极210电连接。
图11是图3的结构中以栅极连接线以及节点连接线为中心仅选取一部分结构而表现的配置图，图12a至图12c是选取图11的XII部分而表现的放大俯视图。
图11示出驱动薄膜晶体管T1的驱动半导体层A1以及驱动栅极电极G1、存储电容器Cap的下电极Cap1以及上电极Cap2、开关薄膜晶体管T2的开关栅极电极G2、补偿薄膜晶体管T3的补偿半导体层A3以及补偿栅极电极G3、第一初始化薄膜晶体管T4的第一初始化半导体层A4、栅极连接线124、节点连接线135、扫描线131以及数据线151的一部分配置。图11的XII部分是补偿半导体层A3和补偿栅极电极G3重叠而形成补偿薄膜晶体管T3的部分，对此参照图12a至图12c在以下进行说明。
参照图12a，补偿半导体层A3可以包括以折曲点BP为中心向彼此不同的方向延伸的第一部分A3a以及第二部分A3b。即，补偿半导体层A3可以包括：第一部分A3a，向第一方向DR1延伸；以及第二部分A3b，从所述第一部分A3a折曲，并沿着第二方向DR2向远离驱动薄膜晶体管T1的方向延伸。
参照图12b，栅极连接线124可以包括：第一部分124a，向与第一方向DR1交叉的第二方向DR2延伸；以及第二部分124b，沿着第一方向DR1从第一部分124a延伸。可以是，第一部分124a的一部分成为补偿栅极电极G3(图11)，第二部分124b的一部分成为开关栅极电极G2(图11)。
参照图12c，可以是，补偿半导体层A3的第一部分A3a与栅极连接线124的第一部分124a重叠，补偿半导体层A3的第二部分A3b与栅极连接线124的第二部分124b重叠，构成补偿薄膜晶体管T3。
彼此重叠的栅极连接线124以及补偿半导体层A3可以在包括第一方向DR1以及第二方向DR2的平面上构成四边形的闭合曲线。在此，四边形可以是包括正方形、矩形、菱形、梯形等各种形式的四边形的含义。
再次参照图11，在一实施例中，栅极连接线124的第一部分124a沿着第二方向DR2延伸为远离扫描线131，第一部分124a的一部分成为补偿薄膜晶体管T3的补偿栅极电极G3，因此补偿薄膜晶体管T3可以在平面上比扫描线131更相邻于驱动薄膜晶体管T1而配置。
另外，节点连接线135可以沿着第二方向DR2延伸而与栅极连接线124的第二部分124b交叉。
作为比较例，在不具备如前面所说明那样的栅极连接线124以及节点连接线135的情况下，补偿薄膜晶体管T3的补偿半导体层A3为了与驱动薄膜晶体管T1的驱动栅极电极G1连接，具备朝向驱动薄膜晶体管T1延伸的半导体层的部分。在这样的半导体层的部分与数据线151之间可能形成寄生电容，随着数据线151的信号供应，驱动薄膜晶体管T1等的特性可能变化。
但是，根据本发明的一实施例，通过具备如前面所说明那样的栅极连接线124以及节点连接线135，补偿薄膜晶体管T3可以在平面上比扫描线131更相邻于驱动薄膜晶体管T1而配置，能够将在数据线151和半导体层A1～A7之间可能产生的寄生电容以及寄生电容引起的串扰现象最小化。通过此，能够提供实现高质量的图像的显示面板。
另外，在本发明的一实施例中，不需要比较例的所述半导体层的部分或用于防止寄生电容的单独结构，因此能够更密集地配置像素电路PC，通过此能够提供实现高分辨率的图像的显示面板。
尽管本发明将示出于附图的实施例作为参考进行了说明，但是这仅是例示，在所属技术领域中具有通常知识的人员会理解从此的各种变形以及等同的其它实施例是可能的。因此，本发明的真正的技术保护范围应通过随附的权利要求书的技术构思来确定。

Claims (10)

1.一种显示面板，包括：
基板；
驱动薄膜晶体管，配置于所述基板上，并具备驱动半导体层以及驱动栅极电极；
补偿薄膜晶体管，配置于所述基板上，并具备补偿半导体层以及补偿栅极电极；
节点连接线，电连接所述驱动薄膜晶体管和所述补偿薄膜晶体管；
扫描线，配置于所述基板上，并向第一方向延伸；以及
栅极连接线，与所述扫描线电连接，并包括所述补偿栅极电极，
所述补偿半导体层在平面上比所述扫描线更相邻于所述驱动半导体层而配置。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其中，
所述显示面板还包括：开关薄膜晶体管，配置于所述基板上，并具备开关半导体层以及开关栅极电极，
所述栅极连接线还包括所述开关栅极电极。
3.根据权利要求1所述的显示面板，其中，
所述扫描线的电阻率值比所述驱动栅极电极的电阻率值小。
4.根据权利要求1所述的显示面板，其中，
所述显示面板还包括：绝缘层，介于所述栅极连接线与所述扫描线之间，
所述扫描线通过所述绝缘层的接触孔接通于所述栅极连接线。
5.根据权利要求1所述的显示面板，其中，
所述栅极连接线和所述扫描线包括彼此不同的物质。
6.根据权利要求1所述的显示面板，其中，
所述栅极连接线包括：
第一部分，向与所述第一方向交叉的第二方向延伸；以及
第二部分，沿着所述第一方向从所述第一部分延伸。
7.根据权利要求6所述的显示面板，其中，
所述补偿半导体层包括以折曲点为中心向彼此不同的方向延伸的第一部分以及第二部分，
所述补偿半导体层的所述第一部分与所述栅极连接线的所述第一部分重叠，
所述补偿半导体层的所述第二部分与所述栅极连接线的所述第二部分重叠。
8.根据权利要求7所述的显示面板，其中，
彼此重叠的所述栅极连接线以及所述补偿半导体层在平面上构成四边形的闭合曲线。
9.根据权利要求1所述的显示面板，其中，
所述节点连接线沿着与所述第一方向交叉的第二方向延伸而与栅极连接线的第二部分交叉。
10.根据权利要求1所述的显示面板，其中，
所述驱动半导体层弯曲形成。
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