CN115236910A - 显示面板及显示装置 - Google Patents

显示面板及显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN115236910A
CN115236910A CN202211166064.XA CN202211166064A CN115236910A CN 115236910 A CN115236910 A CN 115236910A CN 202211166064 A CN202211166064 A CN 202211166064A CN 115236910 A CN115236910 A CN 115236910A
Authority
CN
China
Prior art keywords
emitting elements
light emitting
light
electrodes
adjacent
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202211166064.XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN115236910B (zh
Inventor
李泽尧
李荣荣
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
HKC Co Ltd
Original Assignee
HKC Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by HKC Co Ltd filed Critical HKC Co Ltd
Priority to CN202211166064.XA priority Critical patent/CN115236910B/zh
Publication of CN115236910A publication Critical patent/CN115236910A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN115236910B publication Critical patent/CN115236910B/zh
Priority to US18/207,692 priority patent/US11916053B1/en
Priority to PCT/CN2023/100249 priority patent/WO2024060707A1/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/167Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483Containers
    • H01L33/486Containers adapted for surface mounting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • H01L33/501Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502Wavelength conversion materials
    • H01L33/504Elements with two or more wavelength conversion materials

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

本申请提供一种显示面板及显示装置。该显示面板包括驱动基板、键合层和多个发光元件。其中,驱动基板包括多组焊盘,每组焊盘包括第一焊盘和第二焊盘;键合层设置于多组焊盘上;每个发光元件包括半导体发光层,第一电极和第二电极,第一电极和第二电极分别设置于半导体发光层的相对两端;第一电极通过键合层与对应的第一焊盘电连接,第二电极通过键合层与对应的第二焊盘电连接;其中,至少部分相邻的发光元件的第二电极相互靠近,且相互靠近的第二电极通过同一键合层和/或同一第二焊盘短接。该显示面板可克服发光元件转移精度的限制,有效提高分辨率。

Description

显示面板及显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板及显示装置。
背景技术
无机微发光二极管(Micro Light Emitting Diode,Micro LED)因具有信赖性高、功耗低、亮度高、响应速度快等优点,Micro LED显示面板成为当今显示领域研究的热点之一。
目前,Micro LED显示面板的发光元件一般是通过巨量转移方式键合至驱动基板上,使发光元件呈阵列方式排列在驱动基板上,从而形成显示面板。
然而,发光元件受巨量转移精度的影响,导致发光元件之间的距离受到很大限制,无法满足显示面板更高分辨率(Pixels Per Inch,PPI)的需求。
发明内容
本申请提供的显示面板及显示装置,旨在解决发光元件受转移精度极限的影响,导致发光元件之间的距离受到较大限制,无法满足显示面板更高分辨率的需求的问题。
为解决上述技术问题,本申请采用的一个技术方案是:提供一种显示面板。该显示面板包括:
驱动基板,包括多组焊盘;每组焊盘包括第一焊盘和第二焊盘;
键合层,设置于多组所述焊盘上;
多个发光元件,每个所述发光元件包括半导体发光层,第一电极和第二电极,所述第一电极和所述第二电极分别设置于所述半导体发光层的相对两端;所述第一电极通过所述键合层与对应的所述第一焊盘电连接,所述第二电极通过所述键合层与对应的所述第二焊盘电连接;
其中,至少部分相邻的所述发光元件的所述第二电极相互靠近,且相互靠近的所述第二电极通过同一所述键合层和/或同一所述第二焊盘短接。
其中,所述显示面板包括呈阵列方式排列多个像素单元,每个所述像素单元包括三个不同颜色的所述发光元件;其中,
同一所述像素单元的两个或三个所述发光元件的部分所述第二电极相互靠近;或
相邻两行所述像素单元中相邻的两个所述发光元件的所述第二电极相互靠近;或
相邻两列所述像素单元中相邻的两个所述发光元件的所述第二电极相互靠近。
其中,每个所述像素单元包括三个不同颜色的第一发光元件、第二发光元件和第三发光元件;同一行像素单元中,多个所述第一发光元件设置成第一行发光元件,多个所述第二发光元件和多个所述第三发光元件交替设置成第二行发光元件,且相邻两行像素单元中的一行所述像素单元中的所述第二行发光元件沿列方向设置于所述第一行发光元件的第一侧,另一行像素单元中的所述第二行发光元件沿列方向设置于所述第一行发光元件的第二侧;其中,
相邻两行像素单元中相邻的两个所述第一发光元件的所述第二电极相互靠近;和/或
相邻两行像素单元中相邻的两个所述第二发光元件的所述第二电极相互靠近,且相邻两行像素单元中相邻的两个所述第三发光元件的所述第二电极相互靠近。
其中,所述第一发光元件的所述第一电极和所述第二电极沿着行方向间隔设置,所述第二发光元件的所述第一电极和所述第二电极沿着列方向间隔设置,所述第三发光元件的所述第一电极和所述第二电极沿着列方向间隔设置;其中,
相邻两行像素单元中相邻的两个所述第一发光元件在行方向部分错位设置,使得相邻两行像素单元中相邻的两个所述第一发光元件的所述第二电极相互靠近;和/或
相邻两行像素单元中相邻的两个所述第二发光元件的所述第二电极相互靠近且在列方向重叠,且相邻两行像素单元中相邻的两个所述第三发光元件的所述第二电极相互靠近且在列方向重叠;
相邻两行像素单元中相邻的两个所述第二发光元件的所述第二电极相互靠近且在行方向重叠,且相邻两行像素单元中相邻的两个所述第三发光元件的所述第二电极相互靠近且在行方向重叠。
其中,同一所述像素单元的其中两个所述发光元件的所述第二电极相互靠近,且对应的两个所述发光元件的所述第一电极和所述第二电极沿着行方向间隔设置,另一所述发光元件的所述第一电极和所述第二电极沿着列方向间隔设置。
其中,同一所述像素单元的三个所述发光元件的所述第二电极相互靠近,且同一所述像素单元的三个所述发光元件沿周向设置,同一所述像素单元的其中一个所述发光元件与相邻的所述发光元件之间的夹角为90°-180°之间。
其中,同一所述像素单元的三个所述发光元件的所述第二电极相互靠近,且同一像素单元的三个所述发光元件沿着周向等间隔设置。
其中,所述显示面板包括呈阵列方式排列多个像素单元,每个所述像素单元包括三个不同颜色的发光元件;每个所述发光元件还包括量子点层,三个不同颜色的所述发光元件的所述发光半导体层的颜色相同,三个不同颜色的所述发光元件的所述量子点层为三种不同的量子点层;其中,
每行所述像素单元的多个发光元件沿行方向按预设颜色顺序交替设置成同一行,且所述发光元件的所述第一电极和所述第二电极沿着列方向间隔设置;每行所述像素单元与其中一行相邻的所述像素单元中相邻的两个所述发光元件的第二电极相互靠近。
其中,所述键合层包括多个间隔设置的子键合层;其中,相互靠近的多个所述第二电极通过同一所述子键合层分别与一一对应的多个所述第二焊盘对位键合;或,
相互靠近的多个所述第二电极分别通过一一对应的多个所述子键合层与同一所述第二焊盘对位键合;或,
相互靠近的多个所述第二电极通过同一所述子键合层与同一所述第二焊盘对位键合。
为解决上述技术问题,本申请采用的另一个技术方案是:提供一种显示装置。该显示装置包括上述技术方案所涉及的显示面板、用于驱动所述显示面板的驱动模块以及外壳。
本申请提供的显示面板及显示装置,该显示面板包括驱动基板键合层和多个发光元件,驱动基板包括多组与发光元件第一电极和第二电极分别对应的第一焊盘和第二焊盘,以将多个发光元件通过键合层键合至驱动基板上,实现驱动基板与发光元件之间的电连接,以使驱动基板向发光元件传递相应的驱动信号,从而使发光元件发光显示相应的图像。由于发光元件的第二电极可接入相同信号,通过使第一电极和第二电极分别设置于半导体发光层的两端,并使至少部分相邻的发光元件的第二电极相互靠近,且使相互靠近的第二电极通过同一键合层和/或同一第二焊盘短接,使得第二电极接入的是相同信号,不会对显示面板的正常工作产生影响,而且通过使相互靠近的第二电极通过同一键合层和/或同一第二焊盘短接,以将发光元件键合至驱动基板上,可以克服发光元件转移的制程极限的限制,从而使得相邻的发光元件之间的距离更近,减少了发光元件之间的距离,使得单位面积内的显示面板可包含更多数量的发光元件,从而提高该显示面板的分辨率,以满足更高分辨率的需求。
附图说明
图1a为本申请第一实施例提供的显示面板的剖视结构示意图;
图1b为本申请第二实施例提供的显示面板的剖视结构示意图;
图1c为本申请第三实施例提供的显示面板的剖视结构示意图;
图2为本申请第一实施例提供的像素单元的排列结构示意图;
图3为本申请第二实施例提供的像素单元的排列结构示意图;
图4为本申请第三实施例提供的像素单元的排列结构示意图;
图5为本申请第四实施例提供的像素单元的排列结构示意图;
图6为本申请第五实施例提供的像素单元的排列结构示意图;
图7为本申请第六实施例提供的像素单元的排列结构示意图;
图8为本申请第七实施例提供的像素单元的排列结构示意图;
图9为本申请第八实施例提供的像素单元的排列结构示意图;
图10为本申请第九实施例提供的像素单元的排列结构示意图;
图11为本申请第十实施例提供的像素单元的排列结构示意图;
图12为本申请第十一实施例提供的像素单元的排列结构示意图;
图13为本申请一实施例提供的显示装置的结构示意图。
附图标记:
100-显示面板;1-驱动基板;11-衬底;12-像素驱动电路层;20-焊盘;21-第一焊盘;22-第二焊盘;30-键合层;40-发光元件;401-第一发光元件;402-第二发光元件;403-第三发光元件;41-第一电极;42-第二电极;43-发光半导体层;50-第一行发光元件;51-第一侧;52-第二侧;60-第二行发光元件;70-像素单元;200-驱动模块;300-外壳。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅是本申请的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。
本申请中的术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”、“第三”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。本申请的描述中,“多个”的含义是至少两个,例如两个,三个等,除非另有明确具体的限定。本申请实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等,如果该特定姿态发生改变时,则该方向性指示也相应地随之改变。此外,术语“包括”和“具有”以及它们任何变形,意图在于覆盖不排他的包含。例如包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备没有限定于已列出的步骤或单元,而是可选地还包括没有列出的步骤或单元,或可选地还包括对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
在本文中提及“实施例”意味着,结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本申请的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语并不一定均是指相同的实施例,也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是,本文所描述的实施例可以与其它实施例相结合。
下面结合附图和实施例对本申请进行详细的说明。
请参阅图1a、图1b和图1c,图1a为本申请第一实施例提供的显示面板的剖视结构示意图,图1b为本申请第二实施例提供的显示面板的剖视结构示意图,图1c为本申请第三实施例提供的显示面板的剖视结构示意图。本实施例提供一种显示面板100,该显示面板100包括驱动基板1、键合层30和多个发光元件40。其中,驱动基板1包括衬底11、设置于衬底11一侧的像素驱动电路层12和设置于像素驱动电路层12背离衬底11的一侧的多组焊盘20。键合层30设置于多组焊盘20上,发光元件40通过键合层30与对应的一组焊盘20电连接,以使像素驱动电路层12可向发光元件40提供相应的驱动信号,使发光元件40发光,从而使该显示面板100显示相应图像。
具体地,每组焊盘20包括第一焊盘21和第二焊盘22,第一焊盘21和第二焊盘22上分别设有键合层30。焊盘20的材质包括导电材质,例如铜、银、铝、铁、锡等金属中的一种或几种或其合金,或者氧化铟锡(ITO)等导电材质,具体可根据实际需求进行设置。焊盘20的大小和形状可与发光元件40的电极相匹配,第一焊盘21和第二焊盘22的排列方式可根据发光元件40的排列结构进行设置,以使每组焊盘20与发光元件40能够相匹配,从而将对应的驱动信号传递至发光元件40,显示相应的图像。
在本实施例中,发光元件40包括半导体发光层、第一电极41和第二电极42。其中,发光元件40的第一电极41可为阳极,第二电极42可为阴极;当然,在其他实施例中,也可以将第一电极41作为阴极,第二电极42作为阳极,具体可根据实际需求进行设置,对此不作具体限制。具体地,第一电极41和第二电极42分别设置于半导体发光层的相对两端,且与半导体发光层电连接,以形成发光元件40。其中,第一电极41通过键合层30与对应的第一电极41电连接,第二电极42通过键合层30与对应的第二焊盘22电连接,从而使得发光元件40与驱动基板1对应连接,以使驱动信号通过对应组的焊盘20传递至发光元件40,使发光元件40发光而显示相应的图像。具体地,发光元件40可为LED等电流驱动型发光元件40,例如MicroLED、Mini LED等;其中Mini LED的尺寸为50微米-200微米,Micro LED的尺寸小于50微米。在本实施例中,优选Micro LED作为发光元件40,以得到Micro LED显示面板100。
在具体实施例中,显示面板100还包括盖板或封装层(图未示),盖板或封装层设置于多个发光元件40背离驱动基板1的一侧,且覆盖多个发光元件40,以将发光元件40和驱动基板1与外界环境隔离,保护发光元件40和驱动基板1不受外界环境的影响和破坏。
在本实施例中,至少部分相邻的发光元件40的第二电极42相互靠近,使得显示面板100中的至少部分发光元件40之间距离更近,减少了发光元件40之间的距离,从而提高该显示面板100的分辨率,以满足更高分辨率的需求。
需要说明的是,相邻的发光元件40的第二电极42相互靠近,表示相邻的发光元件40的第二电极42之间的距离小于第一电极41之间的距离。同时,相互靠近的第二电极42可接收相同的信号,例如,相互靠近的第二电极42均接收VSS信号;也可以理解为,将相邻发光元件40可接收相同信号的第二电极42相互靠近,从而使得两个相互靠近的第二电极42之间即使发生短路,也不会发生信号异常导致发光元件40显示异常的问题,因此,发光元件40进行巨量转移时,无需担心焊盘20之间的信号因焊盘20之间的距离过近发生短路的问题,从而使得发光元件40之间的距离不再受转移精度极限的影响,可有效减少发光元件40之间的距离,从而提高该显示面板100的分辨率,以满足更高分辨率的需求。
进一步地,在具体实施例中,至少部分相邻的发光元件40的第二电极42相互靠近,且相互靠近的第二电极42通过同一键合层30和/或同一第二焊盘短接,即,相邻的发光元件40的第二电极42相互靠近,且相互靠近的第二电极42共用同一键合层30,并通过同一键合层30键合至一一对应的第二焊盘22上,或相互靠近的第二电极42分别通过一一对应的键合层30对位键合至同一第二焊盘22上,又或者是相互靠近的第二电极42通过同一键合层30对位键合至同一第二焊盘22上;从而将发光元件40转移至驱动基板1上,克服发光元件40转移的制程极限的限制,使得相邻的发光元件40之间的距离减小,进而提高该显示面板100的分辨率,以满足更高分辨率的需求。
具体地,显示面板100的键合层30包括多个间隔设置的子键合层;其中,相互靠近的多个第二电极42通过同一所述子键合层分别与一一对应的多个第二焊盘22对位键合;或,相互靠近的多个第二电极42分别通过一一对应的多个子键合层与同一焊盘对位键合;或相互靠近的多个第二电极42通过同一子键合层与同一第二焊盘22对位键合。
如图1a所示,在第一实施例中,相互靠近的多个第二电极42分别通过一一对应的多个子键合层与同一个第二焊盘22对位键合,即相互靠近的第二电极42共用一个第二焊盘22。如图1b所示,在第二实施例中,相互靠近的多个第二电极42通过同一子键合层与同一第二焊盘22对位键合,即相互靠近的第二电极42共用一个子键合层和一个第二焊盘22。如图1c所示,在第三实施例中,相互靠近的多个第二电极42通过同一键合层30分别与一一对应的第二焊盘22对位键合,即相互靠近的第二电极42共用一个键合层30。
当然,在其他实施例中,相互靠近的多个第二电极42也可以分别通过一一对应的多个子键合层分别与一一对应的多个第二焊盘22对位键合,即相互靠近的多个第二电极42分别与各自对应的子键合层以及对应的第二焊盘22对位键合。
上述实施例中,相邻的发光元件40可采用整体转移方式与对应组的焊盘20对位键合,或者也可采用分别转移的方式与对应组的焊盘20对位键合,以使相邻的两个或三个发光元件40之间的距离缩短,从而有效提高显示面板100的分辨率。具体采用整体转移方式或分别转移方式可根据实际需要选择,对此不做具体限制。
可以理解,本申请实施例中所涉及的使至少部分相邻的发光元件40的第二电极42相互靠近,以及使相互靠近的第二电极42可通过相同键合层30分别与一一对应的第二焊盘22对位键合,或者分别通过一一对应的键合层30与同一第二焊盘22对位键合的方案,可适用于显示面板100的各种像素单元70的排列结构,适用范围较广,通过该设置方案可提升各种像素单元70排列结构的显示面板100的分辨率。且以上实施例所涉及的显示面板100可应用于多种显示装置。其中,显示面板100的像素单元70的各种排列结构具体参见下文实施例。
具体地,显示面板100包括呈阵列方式排列的多个像素单元70,每个像素单元70包括三个不同颜色的发光元件40,不同颜色的发光元件40可为红色发光元件、绿色发光元件和蓝色发光元件,从而使像素单元70可通过红光、绿光和蓝光合成不同颜色的光,呈现出不同颜色的光,使得显示面板100可显示相应图像;发光元件40的具体排列结构请参见下文具体介绍。
在第一实施例中,请参见图2,图2为本申请第一实施例提供的像素单元的排列结构示意图;在该实施例中,两行像素单元70中相邻的两个发光元件40的第二电极42相互靠近。具体地,每个像素单元70包括不同颜色的第一发光元件401、第二发光元件402和第三发光元件403,第一发光元件401、第二发光元件402和第三发光元件403可分别为绿色发光元件、蓝色发光元件和红色发光元件。同一行像素单元70中,多个第一发光元件401设置成第一行发光元件50,多个第二发光元件402和多个第三发光元件403交替设置成第二行发光元件60,且相邻两行像素单元70中的一行像素单元70中的第二行发光元件60沿列方向设置于第一行发光元件50的第一侧51,另一行像素单元70中的第二行发光元件60沿列方向设置于第一行发光元件50的第二侧52,使得相邻两行像素单元70中的两行第二行发光元件60相邻或两行第一行发光元件50相邻。更具体地,相邻两行中的第二发光元件402和第三发光元件403每两个相邻,或相邻两行中的第一发光元件401每两个相邻。
在该实施例中,第一发光元件401的第一电极41和第二电极42沿着行方向间隔设置,第二发光元件402的第一电极41和第二电极42沿着列方向间隔设置,第三发光元件403的第一电极41和第二电极42沿着列方向间隔设置。如图2所示,第一发光元件401的第一电极41和第二电极42所在直线平行于行方向,第二发光元件402和第三发光元件403的第一电极41和第二电极42所在直线平行于列方向。
其中,相邻两行像素单元70中相邻的两个第二发光元件402的第二电极42相互靠近且在列方向重叠,且相邻两行像素单元70中相邻的两个第三发光元件403的第二电极42相互靠近且在列方向重叠。即,相邻两行像素单元70中相邻的两个第二发光元件402在列方向位于同一直线,且两个第三发光元件403的第二电极42相互靠近,可以理解为两个相邻的第二发光元件402采用头碰头相接方式进行排列,碰头的一端为第二电极42所在的一端。同样,相邻两行像素单元70中相邻的两个第三发光元件403在列方向位于同一直线,且两个第三发光元件403的第二电极42相互靠近。可以理解为,相邻的两个第二发光元件402采用“头碰头”相接的方式进行排列,相邻的两个第三发光元件403同样采用“头碰头”相接的方式进行排列,碰头的一端为第二电极42所在的一端。具体地,在本实施例中,沿着列方向,相邻两行像素单元70中的两个第二发光元件402相邻,每两行像素单元70中的两个第三发光元件403相邻;即,相邻两行像素单元70中相邻的两个发光元件40为相同颜色的发光元件40,该设置方式有利于发光元件40的巨量转移制程,减少巨量转移的次数。
在本实施例中,通过使第一发光元件401的第一电极41和第二电极42沿着行方向间隔设置,第二发光元件402的第一电极41和第二电极42沿着列方向间隔设置,第三发光元件403的第一电极41和第二电极42沿着列方向间隔设置;并使相邻两行像素单元70中相邻的两个第二发光元件402的第二电极42相互靠近且在列方向重叠,且相邻两行像素单元70中相邻的两个第三发光元件403的第二电极42相互靠近且在列方向重叠,使得相邻的第二发光元件402和相邻的第三发光元件403分别在列方向上的距离更近,即,在列方向上缩短了发光元件40之间的距离,使得发光元件40在列方向上排列地更为紧凑,从而有效提高该显示面板100的分辨率,以满足更高分辨率的要求。
在第二实施例中,请参阅图3,图3为本申请第二实施例提供的像素单元的排列结构示意图。与第一实施例不同的是,在本实施例中,相邻两行像素单元70中,其中一行像素单元70中第二行发光元件60为多个第二发光元件402和多个第三发光元件403交替排列,另一行像素单元70中的第二行发光元件60为多个第三发光元件403和多个第二发光元件402交替排列;即,相邻两行像素单元70中,其中一行像素单元70中的第二行发光元件60的颜色排列顺序为“蓝-红”交替排列,另一行像素单元70中的第二行发光元件60的颜色排列顺序为“红-蓝”交替排列,使得相邻的两行第二行发光元件60中,其中一行的第二发光元件402与另一行第三发光元件403相邻,即相邻两行第二行发光元件60中相邻的发光元件40为不同颜色的发光元件40(第二发光元件402和第三发光元件403),且相邻的第二发光元件402和第三发光元件403的第二电极42相互靠近,且在列方向重叠。
在本实施例中,通过使相邻的两行第二行发光元件60中第二发光元件402与第三发光元件403相邻,且相邻的第二发光元件402和第三发光元件403的第二电极42相互靠近,且在列方向重叠,使得相邻的第二发光元件402和第三发光元件403在列方向上的距离更近,即,在列方向上缩短了发光元件40之间的距离,使得发光元件40在列方向上排列地更为紧凑,从而有效提高该显示面板100的分辨率,以满足更高分辨率的要求。同时,通过使相邻两行像素单元70中的相邻的两行第二行发光元件60的第二发光元件402与第三发光元件403交替排列的顺序相反,使得各颜色的发光元件40在显示面板100上分布地更为均匀,从而提高该显示面板100的像素单元70之间的混色效果,提高图像显示效果。
在第三实施例中,请参阅图4,图4为本申请第三实施例提供的像素单元的排列结构示意图。与第一实施例和第二实施例中不同的是,在该实施例中,相邻两行像素单元70中相邻的两个第二发光元件402的第二电极42相互靠近且在行方向重叠,且相邻两行像素单元70中相邻的两个第三发光元件403的第二电极42相互靠近且在行方向重叠。即,相邻两行像素单元70中相邻的两个第二发光元件402在列方向部分错位设置,以使相邻的两个第二发光元件402的第二电极42相互靠近且在行方向重叠;同样,相邻两行像素单元70中相邻的两个第三发光元件403在列方向部分错位设置,以使相邻的两个第三发光元件403的第二电极42相互靠近且在行方向重叠。相较于第一实施例和第二实施例,该实施例的设置方式使得相邻的两个第二发光元件402和相邻的两个第三发光元件403分别在列方向上的距离进一步缩短,使得发光元件40进一步在列方向上排列地更加紧凑,从而进一步有效提高该显示面板100的分辨率,以满足更高分辨率的要求。
在第四实施例中,请参阅图5,图5为本申请第四实施例提供的像素单元的排列结构示意图。进一步地,在该实施例中,相邻两行像素单元70中相邻的两个第一发光元件401的第二电极42相互靠近。具体地,第一发光元件401的第一电极41和第二电极42沿行方向间隔设置,相邻两行像素单元70中相邻的两个第一发光元件401在行方向部分错位设置,使得相邻两个像素单元70中相邻的两个第一发光元件401的第二电极42相互靠近。即,相邻两行像素单元70中相邻的两个第一发光元件401在行方向部分错位设置,在列方向相互靠近,使得相邻的两个第一发光元件401的第二电极42相互靠近。
在该实施例中,通过使第一发光元件401的第一电极41和第二电极42沿行方向间隔设置,相邻两行像素单元70中相邻的两个第一发光元件401在行方向部分错位设置,使得相邻两个像素单元70中相邻的两个第一发光元件401的第二电极42相互靠近,从而使得相邻的两个第一发光元件401之间在列方向上的距离缩短,使得在列方向上,发光元件40排列地较为紧凑,从而有效提高该显示面板100的分辨率,以满足更高分辨率的要求。同时,相邻两行像素单元70中相邻的两个第一发光元件401在行方向部分错位设置,使得同一极性的可共用信号的第二焊盘22可以相应缩短距离,也可避免不同信号的焊盘20间发生短路的问题,从而有利于显示面板100的分辨率的提升。在具体实施例中,可同时通过使第一发光元件401的第一电极41和第二电极42沿行方向间隔设置,相邻两行像素单元70中相邻的两个第一发光元件401在行方向部分错位设置,使得相邻两个像素单元70中相邻的两个第一发光元件401的第二电极42相互靠近;以及,使相邻两行像素单元70中相邻的两个第二发光元件402的第二电极42相互靠近,相邻两行像素单元70中相邻的两个第三发光元件403的第二电极42相互靠近;从而使得该显示面板100上的发光元件40排列地更加紧凑,像素单元70所占面积更小,从而进一步提高该显示面板100的分辨率。
在第五实施中,请参见图6,图6为本申请第五实施例提供的像素单元的排列结构示意图。在本实施例中,相邻两列像素单元70中相邻的两个发光元件40的第二电极42相互靠近。具体地,第一发光元件401、第二发光元件402和第三发光元件403的第一电极41和第二电极42均沿着行方向间隔设置。具体地,在同一行像素单元70中,多个第一发光元件401设置成第一行发光元件50,多个第二发光元件402和多个第三发光元件403交替设置成第二行发光元件60;且沿着列方向,第一行发光元件50与第二行发光元件60交替设置。在具体实施例中,沿着行方向,相邻两列像素单元70中相邻的两个第二发光元件402或相邻的两个第三发光元件403的第二电极42相互靠近,且在行方向或列方向重叠。本实施例中,沿着行方向,相邻两列像素单元70中相邻的两个第二发光元件402或相邻的两个第三发光元件403的第二电极42相互靠近,且在行方向重叠。在其他实施例中,相邻两列像素单元70中相邻的两个第二发光元件402或相邻的两个第三发光元件403可在列方向部分错位设置,以使相邻的个第二发光元件402或相邻的两个第三发光元件403的第二电极42相互靠近。
本实施例中,通过使相邻两列像素单元70中相邻的两个发光元件40的第二电极42相互靠近,使得相邻的两个发光元件40之间在列方向上的距离缩短,从而使得显示面板100上发光元件40在列方向上的排列更为紧凑,有效提高了该显示面板100的分辨率。
在第六实施例中,请参阅图7,图7为本申请第六实施例提供的像素单元的排列结构示意图。与第四实施例类似,在该实施例中,相邻两行像素单元70中相邻的两个第一发光元件401的第二电极42相互靠近。相邻两行像素单元70中的一行像素单元70中的第二行发光元件60沿列方向设置于第一行发光元件50的第一侧51,另一行像素单元70中的第二行发光元件60沿列方向设置于第一行发光元件50的第二侧52,使得相邻两行像素单元70中的两行第一行发光元件50相邻;同时,相邻两行像素单元70中相邻的两个第一发光元件401在行方向部分错位设置,使得相邻两行像素单元70中相邻的两个第一发光元件401的第二电极42相互靠近,从而使得相邻的两个第一发光元件401之间在列方向上的距离缩短,使得在列方向上,发光元件40排列地较为紧凑,从而有效提高该显示面板100的分辨率;同时,还可使相邻两列像素单元70中相邻的两个第二发光元件402的第二电极42相互靠近,相邻两列像素单元70中相邻的两个第三发光元件403的第二电极42相互靠近;从而使得该显示面板100上的发光元件40排列地更加紧凑,像素单元70所占面积更小,从而进一步提高该显示面板100的分辨率。
在第七实施例中,请参阅图8,图8为本申请第七实施例提供的像素单元的排列结构示意图。在本实施例中,同一像素单元70的两个或三个发光元件40的部分第二电极42相互靠近。具体地,同一像素单元70的其中两个发光元件40的第一电极41和第二电极42沿着行方向间隔设置,且第二电极42相互靠近,另一发光元件40的第一电极41和第二电极42沿着列方向设置。或者,在另一实施例中,同一像素单元70的其中两个发光元件40的第一电极41和第二电极42沿着列方向间隔设置,且第二电极42相互靠近,另一发光元件40的第一电极41和第二电极42沿着行方向设置。即,在同一行像素单元70中,多个第一发光元件401设置为一行,多个第二发光元件402和多个第三发光元件403交替设置为一行;且第一发光元件401的第一电极41和第二电极42沿列方向间隔设置,第二发光元件402和第三元件的第一电极41和第二电极42沿行方向间隔设置;或者,在同一列像素单元70中,多个第一发光元件401设置为一列,多个第二发光元件402和多个第三发光元件403交替设置为一列;且第一发光元件401的第一电极41和第二电极42沿行方向间隔设置,第二发光元件402和第三发光元件403的第一电极41和第二电极42沿列方向间隔设置。
在该实施例中,通过使同一像素单元70中的其中两个发光元件40的第二电极42相互靠近,使得同一像素中其中两个发光元件40之间的距离缩短,从而减少了同一像素的面积,使得显示面板100上像素之间排列地更加紧凑,从而有效提高该显示面板100的分辨率。
请参见图9,图9为本申请第八实施例提供的像素单元的排列结构示意图。在本实施例中,同一像素单元70的三个发光元件40的第二电极42相互靠近,且同一像素单元70的三个发光元件40沿周向设置,同一像素单元70的其中一个发光元件40与相邻的发光元件40之间的夹角θ为90°-180°之间。即,同一像素单元70的三个发光元件40呈“Y”字型排列,且同一像素单元70的其中一个发光元件40与相邻的发光元件40之间的夹角θ可根据实际需要进行设置,以使显示面板100达到更好的显示效果。
在该实施例中,通过使同一像素单元70中的三个发光元件40的第二电极42相互靠近,且同一像素单元70的三个发光元件40沿周向设置,使得同一像素中其中三个发光元件40相互之间的距离缩短,从而进一步减少了同一像素的面积,使得显示面板100上像素之间排列地更加紧凑,从而进一步有效提高该显示面板100的分辨率。
请参见图10,图10为本申请第九实施例提供的像素单元的排列结构示意图。在该实施例中,同一像素单元70的三个发光元件40的第二电极42相互靠近,且同一像素单元70的三个发光元件40沿着周向等间隔设置;即,同一像素单元70的三个发光元件40呈“Y”字型排列,且其中的一个发光元件40与相邻的发光元件40之间的夹角θ为120°。与第八实施例相比,该实施中同一像素单元70中的三个发光元件40分布的更为均衡,使得显示面板100中不同颜色的发光元件40分布更加均衡,混色效果更好,提高了该显示面板100的图像显示效果。
请参见图11,图11为本申请第十实施例提供的像素单元的排列结构示意图。在该实施例中,显示面板100包括呈阵列方式排列的多个阵列子单元A,在相邻阵列子单元A的十字交叉点上,三个相同的发光元件40以交叉点为圆心,沿着周向间隔设置,且三个相同的发光元件40的第二电极相互靠近,形成以交叉点为中心的子像素组B,且沿着行方向和/或列方向的多个交叉点上,子像素组B按第一发光元件401、第二发光元件402和第三发光元件403的预设顺序依次交替排列,预设顺序可以是“第一发光元件401-第二发光元件402-第三发光元件403”,或者是“第二发光元件402-第三发光元件403-第一发光元件401”,也可以是“第三发光元件403-第一发光元件401-第二发光元件402”;例如,在第一行交叉点中,子像素组B按“第一发光元件401-第二发光元件402-第三发光元件403”的顺序交替排列,在第二行交叉点中,子像素组B按“第二发光元件402-第三发光元件403-第一发光元件401”的顺序交替排列,在第三行交叉点中,子像素组B按“第三发光元件403-第一发光元件401-第二发光元件402”的顺序交替排列,第一行至第三行为一个循环周期,第一行至最后一行按照第一行至第三行的循环周期循环排列;通过该种排列方式,使得在每一阵列子单元A中,均设置有第一发光元件401、第二发光元件402和第三发光元件403,使得显示面板100中不同颜色的发光元件40分布更加均衡,混色效果更好,提高了该显示面板100的图像显示效果。
请参见图12,图12为本申请第十一实施例提供的像素单元的排列结构示意图。与上述实施例不同的是,在本实施例中,显示面板100包括呈阵列方式排列多个像素单元70,每个像素单元70包括三个不同颜色的发光元件40;每个发光元件40还包括量子点层(图未示),三个不同颜色的发光元件40的发光半导体层43的颜色相同,三个不同颜色的发光元件40的量子点层为三种不同的量子点层,不同的量子点层可将发光半导体层43的光转换为不同的颜色,从而使不同颜色的光进行混光,以得到更多颜色的光。
具体地,每行像素单元70的多个发光元件40沿行方向按预设颜色顺序交替设置成一行,且所述发光元件40的所述第一电极41和所述第二电极42沿着列方向间隔设置;每行所述像素单元70与其中一行相邻的所述像素单元70中相邻的两个所述发光元件40的第二电极42相互靠近。即,所有发光元件40的第一电极41和第二电极42均沿列方向间隔设置,且沿行方向按预设颜色顺序交替排列,例如每行像素单元70的多个发光元件40按“红-绿-蓝”顺序交替排列呈一行。
在该实施中,将每行像素单元70的多个发光元件40沿行方向按预设颜色顺序交替设置成一行,使得发光元件40的排列方式更为简单,相比于上述实施例,该设置方式可使得像素单元70中发光元件40之间更为紧凑,可进一步提高显示面板100的分辨率;同时,使不同颜色的发光元件40的发光半导体层43的颜色相同,即使用相同颜色的LED,且排列方式更为简单,可将LED一次性转移至驱动基板1,有效保证转移对位精度。同时,通过使每行所述像素单元70与其中一行相邻的所述像素单元70中相邻的两个所述发光元件40的第二电极42相互靠近,不仅可使得相邻发光原价之间的距离缩短,在列方向的排列更为紧凑,从而有效提高显示面板100的分辨率;而且相邻靠近的两行发光元件40还可共用同一公共信号线(如VSS信号线),从而可较大程度上减少驱动基板1上公共信号线的数量,减少了公共信号线所占的面积,从而为其他走线或元器件提供更多的设计空间。
容易理解,在上述第一实施至第十实施例中,发光元件40也可为第十一实施例中的发光元件40,即发光元件40还包括量子点层(图未示),第一发光元件401的发光半导体层43、第二发光元件402的发光半导体层43和第三发光元件403的发光半导体层43的颜色均相同,第一发光元件401、第二发光元件402和第三发光元件403的量子点层分别为三种不同的量子点层,不同的量子点层可将发光半导体层43的光转换为不同的颜色,从而使不同颜色的光进行混光,以使像素单元70能够发出更多颜色的光。
以上所有实施例中,不同颜色的发光元件40均可采用第二电极42相互靠近的设置方式,以提升该显示面板100的分辨率。相邻发光元件40的第二电极42因接入的信号相同(例如VSS信号),因此可不比考虑相邻发光元件40对应的第二焊盘22之间的距离过近导致短路的问题,从而可以克服发光元件40巨量转移的制程极限的限制。其中,第一电极41和第二电极42可分别为阳极和阴极,或者也可以是,第一电极41和第二电极42分别为阴极和阳极,对此不作限制。
具体地,请再次参阅图1a、图1b和图1c,以上实施例中,相互靠近的发光元件40的第二电极42相互靠近,相互靠近的第二电极42可接入相同信号,因此,为方便转移和对位键合,相互靠近的第二电极42可通过相同键合层30分别与一一对应的第二焊盘22对位键合,或者分别通过一一对应的键合层30与同一第二焊盘22对位键合。
请参阅图13,图13为本申请一实施提供的显示装置的结构示意图。在本实施例中,提供一种显示装置,该显示装置包括显示面板100和与显示面板100电连接的驱动模块200。其中,显示面板100用于显示图像。具体的,该显示面板100可为上述实施例中所涉及的显示面板100,其显示面板100的具体结构和功能与上述实施例中所涉及的显示面板100的结构和功能相同或相似,且可实现相同的技术效果,此处不再赘述,具体可参见上文。
其中,驱动模块200用于向显示面板100的驱动基板1提供驱动扫描信号,从而使驱动基板1驱动发光元件40显示图像;具体地,驱动模块200可包括栅极驱动模块和源极驱动模块,栅极驱动模块向驱动基板1提供栅极扫描信号,源极驱动模块向驱动基板1提供源极扫描信号。
进一步地,该显示装置还包括外壳300,显示面板100和驱动模块200均设置于外壳300中,用于包括显示面板100和驱动模块200不受外界环境的影响和破坏。
以上所述仅为本申请的实施方式,并非因此限制本申请的专利范围,凡是利用本申请说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换,或直接或间接运用在其他相关的技术领域,均同理包括在本申请的专利保护范围内。

Claims (10)

1.一种显示面板,包括:
驱动基板,包括多组焊盘;每组焊盘包括第一焊盘和第二焊盘;
键合层,设置于多组所述焊盘上;
多个发光元件,每个所述发光元件包括半导体发光层,第一电极和第二电极,所述第一电极和所述第二电极分别设置于所述半导体发光层的相对两端;所述第一电极通过所述键合层与对应的所述第一焊盘电连接,所述第二电极通过所述键合层与对应的所述第二焊盘电连接;
其特征在于,至少部分相邻的所述发光元件的所述第二电极相互靠近,且相互靠近的所述第二电极通过同一所述键合层和/或同一所述第二焊盘短接。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板包括呈阵列方式排列的多个像素单元,每个所述像素单元包括三个不同颜色的所述发光元件;其中,
同一所述像素单元的两个或三个所述发光元件的部分所述第二电极相互靠近;或
相邻两行所述像素单元中相邻的两个所述发光元件的所述第二电极相互靠近;或
相邻两列所述像素单元中相邻的两个所述发光元件的所述第二电极相互靠近。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,每个所述像素单元包括三个不同颜色的第一发光元件、第二发光元件和第三发光元件;同一行像素单元中,多个所述第一发光元件设置成第一行发光元件,多个所述第二发光元件和多个所述第三发光元件交替设置成第二行发光元件,且相邻两行像素单元中的一行所述像素单元中的所述第二行发光元件沿列方向设置于所述第一行发光元件的第一侧,另一行像素单元中的所述第二行发光元件沿列方向设置于所述第一行发光元件的第二侧;其中,
相邻两行像素单元中相邻的两个所述第一发光元件的所述第二电极相互靠近;和/或
相邻两行像素单元中相邻的两个所述第二发光元件的所述第二电极相互靠近,且相邻两行像素单元中相邻的两个所述第三发光元件的所述第二电极相互靠近。
4.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述第一发光元件的所述第一电极和所述第二电极沿着行方向间隔设置,所述第二发光元件的所述第一电极和所述第二电极沿着列方向间隔设置,所述第三发光元件的所述第一电极和所述第二电极沿着列方向间隔设置;其中,
相邻两行像素单元中相邻的两个所述第一发光元件在行方向部分错位设置,使得相邻两行像素单元中相邻的两个所述第一发光元件的所述第二电极相互靠近;和/或
相邻两行像素单元中相邻的两个所述第二发光元件的所述第二电极相互靠近且在列方向重叠,且相邻两行像素单元中相邻的两个所述第三发光元件的所述第二电极相互靠近且在列方向重叠;
相邻两行像素单元中相邻的两个所述第二发光元件的所述第二电极相互靠近且在行方向重叠,且相邻两行像素单元中相邻的两个所述第三发光元件的所述第二电极相互靠近且在行方向重叠。
5.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,同一所述像素单元的其中两个所述发光元件的所述第一电极和所述第二电极沿着行方向间隔设置,且第二电极相互靠近,另一所述发光元件的所述第一电极和所述第二电极沿着列方向间隔设置。
6.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,同一所述像素单元的三个所述发光元件的所述第二电极相互靠近,且同一所述像素单元的三个所述发光元件沿周向设置,同一所述像素单元的其中一个所述发光元件与相邻的所述发光元件之间的夹角为90°-180°之间。
7.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,同一所述像素单元的三个所述发光元件的所述第二电极相互靠近,且同一像素单元的三个所述发光元件沿着周向等间隔设置。
8.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板包括呈阵列方式排列多个像素单元,每个所述像素单元包括三个不同颜色的发光元件;每个所述发光元件还包括量子点层,三个不同颜色的所述发光元件的所述半导体发光层的颜色相同,三个不同颜色的所述发光元件的所述量子点层为三种不同的量子点层;其中,
每行所述像素单元的多个发光元件沿行方向按预设颜色顺序交替设置成同一行,且所述发光元件的所述第一电极和所述第二电极沿着列方向间隔设置;每行所述像素单元与其中一行相邻的所述像素单元中相邻的两个所述发光元件的第二电极相互靠近。
9.根据权利要求1-8中任一项所述的显示面板,其特征在于,所述键合层包括多个间隔设置的子键合层;其中,相互靠近的多个所述第二电极通过同一所述子键合层分别与一一对应的多个所述第二焊盘对位键合;或,
相互靠近的多个所述第二电极分别通过一一对应的多个所述子键合层与同一所述第二焊盘对位键合;或,
相互靠近的多个所述第二电极通过同一所述子键合层与同一所述第二焊盘对位键合。
10.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1-9中任一项所述的显示面板、用于驱动所述显示面板的驱动模块以及外壳。
CN202211166064.XA 2022-09-23 2022-09-23 显示面板及显示装置 Active CN115236910B (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202211166064.XA CN115236910B (zh) 2022-09-23 2022-09-23 显示面板及显示装置
US18/207,692 US11916053B1 (en) 2022-09-23 2023-06-09 Display panel and display device
PCT/CN2023/100249 WO2024060707A1 (zh) 2022-09-23 2023-06-14 显示面板及显示装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202211166064.XA CN115236910B (zh) 2022-09-23 2022-09-23 显示面板及显示装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN115236910A true CN115236910A (zh) 2022-10-25
CN115236910B CN115236910B (zh) 2023-01-31

Family

ID=83667531

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202211166064.XA Active CN115236910B (zh) 2022-09-23 2022-09-23 显示面板及显示装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US11916053B1 (zh)
CN (1) CN115236910B (zh)
WO (1) WO2024060707A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2024060707A1 (zh) * 2022-09-23 2024-03-28 惠科股份有限公司 显示面板及显示装置

Citations (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040126911A1 (en) * 2002-09-26 2004-07-01 Seiko Epson Corporation Method of manufacturing electro-optical device, electro-optical device, transferred chip, transfer origin substrate, and electronic apparatus
JP2006173265A (ja) * 2004-12-14 2006-06-29 Opnext Japan Inc 半導体レーザおよびその製造方法
US20100224872A1 (en) * 2009-03-05 2010-09-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
CN103314488A (zh) * 2011-01-26 2013-09-18 松下电器产业株式会社 半导体发光元件及发光装置
CN207425855U (zh) * 2017-08-22 2018-05-29 山东晶泰星光电科技有限公司 一种四连体8引脚型rgb-led封装模组及其显示屏
US20180198020A1 (en) * 2017-01-10 2018-07-12 PlayNitride Inc. Micro light emitting diode chip and display panel
CN108646451A (zh) * 2018-04-28 2018-10-12 上海中航光电子有限公司 显示面板和显示装置
CN109037270A (zh) * 2018-07-26 2018-12-18 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置
US20190302917A1 (en) * 2018-03-27 2019-10-03 Shaoher Pan Integrated light-emitting pixel arrays based devices by bonding
US20200035748A1 (en) * 2018-07-27 2020-01-30 Shanghai Tianma Micro-electronics Co., Ltd. Display panel and fabrication method, and display device thereof
US20200035146A1 (en) * 2018-07-27 2020-01-30 Shaoher Pan Integrated laser arrays based devices
CN111430339A (zh) * 2020-03-31 2020-07-17 佛山市国星光电股份有限公司 一种led显示单元组及显示面板
US20210005582A1 (en) * 2019-07-04 2021-01-07 Boe Technology Group Co., Ltd. Mass transfer method for light-emitting unit, array substrate, and display device
CN112242476A (zh) * 2019-07-16 2021-01-19 佛山市国星光电股份有限公司 一种led显示单元组及显示面板
WO2021017499A1 (zh) * 2019-07-26 2021-02-04 成都辰显光电有限公司 显示面板及其制作方法
US20210202601A1 (en) * 2019-05-27 2021-07-01 Hefei Boe Joint Technology Co., Ltd. Array substrate and display device
CN113421893A (zh) * 2021-06-22 2021-09-21 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及其制作方法、显示装置
US20210295761A1 (en) * 2017-08-31 2021-09-23 Kunshan Go-Visionox Opto-Electronics Co., Ltd. Display panel and display device
WO2021197188A1 (zh) * 2020-03-31 2021-10-07 佛山市国星光电股份有限公司 Led显示单元组及显示面板
US20210343230A1 (en) * 2020-04-30 2021-11-04 Xiamen Tianma Micro-Electronics Co., Ltd. Display panel and display device
US20210384176A1 (en) * 2020-06-05 2021-12-09 Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Micro light-emitting diode display device and method for fabricating same
US20210398954A1 (en) * 2018-08-10 2021-12-23 Foshan Nationstar Optoelectronics Co., Ltd. Led display unit group and display panel
CN114038951A (zh) * 2021-08-26 2022-02-11 重庆康佳光电技术研究院有限公司 发光元件的转移方法以及显示面板
US20220216183A1 (en) * 2020-10-21 2022-07-07 Boe Technology Group Co., Ltd. Display substrate and display device
CN114823635A (zh) * 2022-06-29 2022-07-29 惠科股份有限公司 驱动基板及显示面板
CN114975507A (zh) * 2022-05-26 2022-08-30 重庆惠科金渝光电科技有限公司 阵列基板和显示面板
CN114975740A (zh) * 2022-08-02 2022-08-30 惠科股份有限公司 显示面板及其制备方法
WO2022188107A1 (zh) * 2021-03-11 2022-09-15 京东方科技集团股份有限公司 显示基板以及显示装置

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104731405B (zh) 2015-03-09 2018-01-19 上海天马微电子有限公司 一种触控显示装置及其制造方法
TWI631694B (zh) * 2017-06-26 2018-08-01 錼創科技股份有限公司 顯示面板
CN109300886B (zh) 2018-09-04 2020-07-17 深圳市光脉电子有限公司 一种六边形芯片平面级联显示屏及其生产工艺
CN111653584B (zh) * 2020-06-18 2022-08-05 厦门天马微电子有限公司 显示面板及其制作方法、显示装置
CN112908196B (zh) * 2021-01-29 2023-12-19 厦门天马微电子有限公司 一种显示面板以及显示装置
CN113593428A (zh) * 2021-07-20 2021-11-02 Tcl华星光电技术有限公司 显示面板和电子设备
CN115084346A (zh) * 2022-06-14 2022-09-20 深圳雷曼光电科技股份有限公司 阵列线路板、器件阵列、发光器件及显示屏
CN115236910B (zh) * 2022-09-23 2023-01-31 惠科股份有限公司 显示面板及显示装置

Patent Citations (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040126911A1 (en) * 2002-09-26 2004-07-01 Seiko Epson Corporation Method of manufacturing electro-optical device, electro-optical device, transferred chip, transfer origin substrate, and electronic apparatus
JP2006173265A (ja) * 2004-12-14 2006-06-29 Opnext Japan Inc 半導体レーザおよびその製造方法
US20100224872A1 (en) * 2009-03-05 2010-09-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
CN103314488A (zh) * 2011-01-26 2013-09-18 松下电器产业株式会社 半导体发光元件及发光装置
US20180198020A1 (en) * 2017-01-10 2018-07-12 PlayNitride Inc. Micro light emitting diode chip and display panel
CN207425855U (zh) * 2017-08-22 2018-05-29 山东晶泰星光电科技有限公司 一种四连体8引脚型rgb-led封装模组及其显示屏
US20210295761A1 (en) * 2017-08-31 2021-09-23 Kunshan Go-Visionox Opto-Electronics Co., Ltd. Display panel and display device
US20190302917A1 (en) * 2018-03-27 2019-10-03 Shaoher Pan Integrated light-emitting pixel arrays based devices by bonding
CN108646451A (zh) * 2018-04-28 2018-10-12 上海中航光电子有限公司 显示面板和显示装置
CN109037270A (zh) * 2018-07-26 2018-12-18 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置
US20200035748A1 (en) * 2018-07-27 2020-01-30 Shanghai Tianma Micro-electronics Co., Ltd. Display panel and fabrication method, and display device thereof
US20200035146A1 (en) * 2018-07-27 2020-01-30 Shaoher Pan Integrated laser arrays based devices
US20210398954A1 (en) * 2018-08-10 2021-12-23 Foshan Nationstar Optoelectronics Co., Ltd. Led display unit group and display panel
US20210202601A1 (en) * 2019-05-27 2021-07-01 Hefei Boe Joint Technology Co., Ltd. Array substrate and display device
US20210005582A1 (en) * 2019-07-04 2021-01-07 Boe Technology Group Co., Ltd. Mass transfer method for light-emitting unit, array substrate, and display device
CN112242476A (zh) * 2019-07-16 2021-01-19 佛山市国星光电股份有限公司 一种led显示单元组及显示面板
WO2021017499A1 (zh) * 2019-07-26 2021-02-04 成都辰显光电有限公司 显示面板及其制作方法
WO2021197188A1 (zh) * 2020-03-31 2021-10-07 佛山市国星光电股份有限公司 Led显示单元组及显示面板
CN111430339A (zh) * 2020-03-31 2020-07-17 佛山市国星光电股份有限公司 一种led显示单元组及显示面板
US20210343230A1 (en) * 2020-04-30 2021-11-04 Xiamen Tianma Micro-Electronics Co., Ltd. Display panel and display device
US20210384176A1 (en) * 2020-06-05 2021-12-09 Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Micro light-emitting diode display device and method for fabricating same
US20220216183A1 (en) * 2020-10-21 2022-07-07 Boe Technology Group Co., Ltd. Display substrate and display device
WO2022188107A1 (zh) * 2021-03-11 2022-09-15 京东方科技集团股份有限公司 显示基板以及显示装置
CN113421893A (zh) * 2021-06-22 2021-09-21 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及其制作方法、显示装置
CN114038951A (zh) * 2021-08-26 2022-02-11 重庆康佳光电技术研究院有限公司 发光元件的转移方法以及显示面板
CN114975507A (zh) * 2022-05-26 2022-08-30 重庆惠科金渝光电科技有限公司 阵列基板和显示面板
CN114823635A (zh) * 2022-06-29 2022-07-29 惠科股份有限公司 驱动基板及显示面板
CN114975740A (zh) * 2022-08-02 2022-08-30 惠科股份有限公司 显示面板及其制备方法

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
ZHANG CHAOQIANG: "Strain Relaxation Effect on the Peak Wavelength of Blue InGaN/GaN Multi-Quantum Well Micro-LEDs", 《APPLIED SCIENCES》 *
严子雯等: "高度集成的μLED显示技术研究进展", 《发光学报》 *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2024060707A1 (zh) * 2022-09-23 2024-03-28 惠科股份有限公司 显示面板及显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN115236910B (zh) 2023-01-31
US11916053B1 (en) 2024-02-27
WO2024060707A1 (zh) 2024-03-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11688336B2 (en) Array substrate, display panel, spliced display panel and display driving method
EP3333906B1 (en) Led component, led panel and led display screen
US10847548B2 (en) Led display device having TFT substrate provided with LED driver units
KR102446768B1 (ko) 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법
US10573227B2 (en) LED display unit group and display panel
KR102227085B1 (ko) 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치
US11882743B2 (en) Display panel and display apparatus
US11444066B2 (en) Display apparatus and manufacturing method thereof
CN111653584B (zh) 显示面板及其制作方法、显示装置
US20230207743A1 (en) Micro led package and display module comprising same
CN115236910B (zh) 显示面板及显示装置
CN114830221A (zh) 显示面板及显示装置
CN114975740B (zh) 显示面板及其制备方法
US20200219862A1 (en) Display apparatus and method of manufacturing display apparatus thereof
KR102393071B1 (ko) 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치
KR20150047365A (ko) 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치
US20220293577A1 (en) Display device and display unit
US11881154B1 (en) Drive substrate and display panel
CN115084213A (zh) 一种显示面板、显示装置
US20230253386A1 (en) Display apparatus using semiconductor light-emitting device
KR102328944B1 (ko) 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치
US20220302218A1 (en) Chip and display module with the same
US20230326929A1 (en) Display device using semiconductor light-emitting diodes
KR20240058074A (ko) 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 그 제조 방법
WO2023150902A1 (zh) 显示面板及显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant