CN115236903A - 电光装置及电子设备 - Google Patents

Abstract

电光装置及电子设备。抑制由离子性杂质引起的显示不良的发生。液晶装置(100)在显示区域(E)具备第1像素电极(15)，在显示区域(E)的外侧具备第2像素电极(19)和扫描线驱动电路(102)等电路，与第2像素电极(19)对应地设置的TFT(30)与电路隔离地设置，第2像素电极(19)向与电路重叠的区域延伸。

Description

电光装置及电子设备

技术领域

本发明涉及电光装置及电子设备。

背景技术

以往，作为光调制装置已知有使用液晶装置等电光装置的投影仪。在这样的投影仪中，入射到液晶装置的光束密度比直视型液晶装置的光束密度大。因此，来自密封材料等的离子性杂质容易溶出到液晶装置的液晶层中。离子性杂质滞留在液晶层中，诱发液晶取向的紊乱或驱动速度和电压保持率的降低，成为使液晶装置的显示品质降低的主要原因。

例如，专利文献1公开了在显示区域的外侧具备虚设像素区域和捕捉离子性杂质的离子捕获电极的电光装置。另外，专利文献2公开了在显示用像素组和密封材料之间具备虚设像素组的液晶图像显示装置。

专利文献1：日本特开2020-201397号公报

专利文献2：日本特开平1-293317号公报

但是，在专利文献1的电光装置中，存在这样的问题：在显示区域的角部容易发生斑状的显示不良。详细地说，在不能充分确保虚设像素区域的宽度、显示区域和离子捕获电极接近的情况下，被离子捕获电极吸引的离子性杂质有时溢出到显示区域。因此，如专利文献2记载的液晶图像显示装置那样，想到在显示区域外广泛地配置虚设像素组的结构。但是，虚设像素组的各个虚设像素需要各自驱动用的开关元件，所以，难以在显示区域和密封材料之间将驱动用、检查用的周边电路和虚设像素组重叠地配置成平面。即，需要抑制由离子性杂质引起的显示不良的发生的电光装置。

发明内容

电光装置在显示区域具有第1像素电极，所述电光装置在所述显示区域的外侧具有第2像素电极、与所述第2像素电极对应地设置的晶体管、以及与所述晶体管隔离地设置的电路，所述第2像素电极被设置成在俯视时与所述电路重叠。

电子设备具备上述的电光装置。

附图说明

图1是示出作为第1实施方式的电光装置的液晶装置的结构的概略俯视图。

图2是示出液晶装置的结构的概略剖视图。

图3是示出液晶装置的电气结构的等效电路图。

图4是示出取向膜的结构的概略剖视图。

图5是示出第1像素电极及第2像素电极等的配置的概略俯视图。

图6是示出第2实施方式的周边电极、第1像素电极以及第2像素电极等的配置的概略俯视图。

图7是示出第3实施方式的周边电极和第2像素电极的形态的概略俯视图。

图8是示出作为第4实施方式的电子设备的投影型显示装置的结构的示意图。

标号说明

1B、1G、1R液晶装置；3扫描线；15第1像素电极；18、22取向膜；18a第1蒸镀膜；18b第2蒸镀膜；19、19a、19b、19c、19d、219b、219c、219d、319b、319c、319d第2像素电极；30、30b、30c、30d作为驱动用晶体管的TFT；50液晶层；50a液晶；100、200、300作为电光装置的液晶装置；102作为周边电路的扫描线驱动电路；103作为周边电路的检查电路；211、311周边电极；311px、311py突出部；1000作为电子设备的投影型显示装置；E显示区域；S周边区域。

具体实施方式

在以下的各图中，根据需要而标注XYZ轴作为相互正交的坐标轴，设各箭头所指的方向为+方向，设与+方向相反的方向为-方向。有时也设+Z方向为上方，设-Z方向为下方，设从+Z方向观察为俯视观察或俯视。另外，为了将各层、各部件设为能够识别的程度的大小，使各层、各部件的尺度与实际不同。

另外，设置在基板上的膜或层等结构物的厚度是基板的法线方向即沿着Z轴的方向上的距离。

1.第1实施方式

在本实施方式中，例示具有薄膜晶体管(TFT：ThinFilm Transistor)的有源驱动型的液晶装置作为电光装置。关于作为本实施方式中的电光装置的液晶装置100的结构，参照图1～图3进行说明。图2示出包含图1的线段H-H'且沿着YZ平面的剖面。在图2中，为了图示的方便，使包含于液晶层的液晶的大小、数量与实际不同，并且省略后述的检查电路及布线的图示。

如图1所示，液晶装置100具备元件基板10、对置基板20以及未图示的液晶层。元件基板10及对置基板20俯视时为大致矩形。元件基板10和对置基板20通过沿着对置基板20的外缘配置的密封材料60重叠接合。在密封材料60的内侧设置有包含多个像素P的显示区域E。显示区域E的外周为大致长方形，1对长边沿着X轴，1对短边沿着Y轴。多个像素P在沿着X轴及Y轴的方向上配置成矩阵状。

密封材料60包含具有热硬化性或紫外线硬化性等硬化性的树脂。由此，在将密封材料60的原材料涂敷于元件基板10、对置基板20之后使树脂固化，能够将密封材料60形成为期望的形状。密封材料60有时含有来源于树脂或树脂的固化剂等原材料的离子性杂质。这样的离子性杂质有时溶出到液晶层。在液晶装置100中，具备后述的第2像素电极等，所以，抑制离子性杂质向液晶层的扩散。

元件基板10具有数据线驱动电路101、多个外部连接用端子104、2个扫描线驱动电路102以及检查电路103。元件基板10在俯视时比对置基板20大。多个外部连接用端子104位于元件基板10上，设置于不与对置基板20重叠的区域。数据线驱动电路101设置在多个外部连接用端子104与密封材料60之间。

液晶装置100具备显示区域E和周边区域S。周边区域S配置在密封材料60和显示区域E之间。周边区域S为大致矩形，框状地包围显示区域E。周边区域S在俯视时与对置基板20的分隔部24重叠，所以，无助于液晶装置100的显示。

在显示区域E的元件基板10上，对应于多个像素P配置未图示的第1像素电极。在周边区域S的元件基板10上配置未图示的第2像素电极。在后面叙述第1像素电极和第2像素电极的详细情况。

在元件基板10上设置作为周边电路的2个扫描线驱动电路102及检查电路103。2个扫描线驱动电路102和检查电路103在俯视时与周边区域S重叠配置。另外，本发明的外围电路不限于上述情况。在周边区域S也重叠配置布线107。

2个扫描线驱动电路102分别沿着显示区域E外周的1对短边设置。2个扫描线驱动电路102通过布线107进行电连接。布线107沿着显示区域E外周的1对长边中的+Y方向的1边设置。与布线107同样，检查电路103也沿着上述+Y方向的1边设置。检查电路103与后述的数据线电连接。

数据线驱动电路101及2个扫描线驱动电路102与外部连接用端子104电连接。在对置基板20的四个角设置上下导通部106。

如图2所示，元件基板10和对置基板20隔着密封材料60在沿着Z轴的方向上对置地分离配置。液晶层50设置在元件基板10与对置基板20之间，被元件基板10、对置基板20以及密封材料60包围。液晶层50包含液晶50a。液晶50a具有正或负的介电各向异性。在本实施方式中采用具有负的介电各向异性的液晶50a。在此，液晶50a是构成液晶50a的各个液晶分子或各个液晶分子的集合体。

元件基板10具备作为基板主体的基板10s、包含作为驱动用晶体管的TFT30等的布线层、第1像素电极15、第2像素电极19以及取向膜18。在元件基板10中，朝向液晶层50依次配置基板10s、上述布线层、第1像素电极15以及第2像素电极19，进而在其上方设置取向膜18。

第1像素电极15和第2像素电极19设置于在沿着元件基板10的Z轴的方向上层叠的各层中的同一层，由同样的材料构成。作为该材料，例如可举出ITO(Indium Tin Oxide)或IZO(Indium Zinc Oxide)等的透明导电膜。第1像素电极15及第2像素电极19通过在将上述透明导电膜成膜后进行构图而形成。由此，能够用与第1像素电极相同的工序制造第2像素电极，能够简化液晶装置100的制造工序。

对置基板20具有作为基板主体的基板20s、分隔部24、绝缘层25、公共电极21及取向膜22。在对置基板20中，朝向液晶层50，按基板20s、分隔部24、绝缘层25及公共电极21的顺序配置，进而在其-Z方向设置取向膜22。

取向膜18的上方的面朝向液晶层50，配置在第1像素电极15以及第2像素电极19与液晶层50之间。取向膜18包含第1蒸镀膜18a和第2蒸镀膜18b。取向膜22下方的面朝向液晶层50，配置于公共电极21与液晶层50之间。取向膜22包含第3蒸镀膜22a和第4蒸镀膜22b。

取向膜18、22基于液晶装置100的光学设计而形成。取向膜18、22具有使液晶层50的液晶50a取向的功能。液晶50a的取向状态根据与后述的图像信号对应地施加的电压而变化。

取向膜18、22使具有负的介电各向异性的液晶50a大致垂直取向。取向膜18、22例如采用氧化硅等无机材料。取向膜18不限于由第1蒸镀膜18a和第2蒸镀膜18b这2层构成。取向膜22不限于由第3蒸镀膜22a和第4蒸镀膜22b这2层构成。取向膜18、22也可以分别具有3层以上的层。

取向膜18、22赋予预倾斜而使液晶50a垂直取向。预倾斜的倾斜方向沿着与X轴及Y轴交叉的方向。在液晶层50被驱动时，对取向膜18、22赋予预倾斜而垂直取向的液晶50a的取向状态在上述倾斜方向上变化。在反复进行液晶层50的导通和断开的驱动时，液晶50a反复进行向预倾斜的倾斜方向倾倒，或返回到初始的取向状态的动作。在此，相对于取向膜18、22的表面所沿着的XY平面，具有负的介电各向异性的液晶50a被赋予小于90°的预倾角而倒立的取向状态被称为大致垂直取向。在后面叙述关于取向膜18、22的详细情况。

基板10s、20s例如采用玻璃基板、石英基板等具有透光性和绝缘性的平板。在本说明书中，透光性是可见光的透过率为50％以上。

液晶装置100为透射型，从作为对置基板20侧的+Z方向入射光L，经由液晶层50从元件基板10出射。光L在透过液晶层50时，根据液晶50a的取向状态进行调制。光L相对于液晶装置100的入射方向不限于上述方向，也可以是从元件基板10入射光L的结构。另外，液晶装置100不限于透射型，也可以是反射型。液晶装置100采用常白模式、常黑模式的光学设计。液晶装置100也可以在光L的入射侧和射出侧具备偏振元件。

如图3所示，液晶装置100分别具有多个数据线6、扫描线3及电容线8作为相互绝缘的信号布线。扫描线3沿X轴延伸，数据线6及电容线8沿Y轴延伸。另外，电容线8不限于沿着Y轴的结构，也可以是沿着X轴的结构。

第1像素电极15、TFT30及电容元件16在由扫描线3、数据线6及电容线8划分的区域按每个像素P设置，构成像素P的像素电路。扫描线3、数据线6及电容线8等信号布线设置在上述布线层。

扫描线3与作为开关元件的TFT30的栅极电连接。数据线6与TFT30的数据线侧源漏区域电连接。扫描线3同时控制设置在同一行的TFT30的导通和截止。第1像素电极15与TFT30的像素电极侧源漏区域电连接。

数据线6与上述的数据线驱动电路101电连接，将从数据线驱动电路101供给的图像信号供给至像素P。图像信号既可以依次供给至各数据线6，也可以以组为单位供给至相邻的多个数据线6。

扫描线3与上述的扫描线驱动电路102电连接，将从扫描线驱动电路102供给的扫描信号供给至像素P。扫描信号在规定时刻以脉冲方式按线顺序供给至扫描线3。

通过扫描信号的输入，TFT30在一定期间成为导通状态，图像信号在规定时刻施加到第1像素电极15。图像信号经由第1像素电极15以规定电平写入液晶层50，在第1像素电极15和夹着液晶层50的公共电极21之间保持一定期间。此时，根据与图像信号对应地施加的电压，液晶50a的取向状态发生变化。为了防止所保持的图像信号泄漏，电容元件16与设置在第1像素电极15和公共电极21之间的液晶电容电气并联连接。电容元件16设置在TFT30和电容线8之间的层上。

这里，虽然省略了图示，但上述第2像素电极19与第1像素电极15同样，与作为驱动用晶体管的TFT30、电容元件16、扫描线3、数据线6以及电容线8一起构成周边区域S中的像素电路。该像素电路具有与包含第1像素电极15的像素电路相同的电路结构，但无助于液晶装置100的显示，具备将液晶层50中的离子性杂质向周边区域S诱导的功能。

关于液晶装置100中的取向膜18、22等的结构，参照图4进行说明。图4是在图1所示的液晶装置100中包含数据线驱动电路101附近的密封材料60和液晶层50的区域的剖面。该剖面沿着在俯视时包含第2蒸镀膜18b以及第4蒸镀膜22b的斜向蒸镀方向且与XY平面正交的面。斜向蒸镀的方向例如是在俯视时包括显示区域E的右上角和左下角的方向。在图4中，省略元件基板10及对置基板20中的一部分的结构的图示。此外，在图4中，为了便于图示，将第2像素电极19表示为一体，但实际上，在上述剖面中，第2像素电极19在多个部位断开。

如图4所示，元件基板10的取向膜18包含第1蒸镀膜18a以及配置在第1蒸镀膜18a与液晶层50之间的第2蒸镀膜18b。第1蒸镀膜18a覆盖未图示的第1像素电极15以及与第1像素电极15同层设置的第2像素电极19，配置在它们的上方。

对置基板20的取向膜22包含第3蒸镀膜22a以及配置在第3蒸镀膜22a和液晶层50之间的第4蒸镀膜22b。第3蒸镀膜22a覆盖公共电极21，配置在公共电极21的-Z方向。

第1蒸镀膜18a通过从+Z方向进行真空蒸镀而形成于元件基板10的主面。第1蒸镀膜18a包含长轴方向沿着Z轴的多个柱。第3蒸镀膜22a通过从-Z方向进行真空蒸镀而形成于对置基板20的主面。第3蒸镀膜22a包含长轴方向沿着Z轴的多个柱。第1蒸镀膜18a和第3蒸镀膜22a的形成材料采用氧化硅、氧化铝、氧化镁等。

第2蒸镀膜18b覆盖第1蒸镀膜18a的上方而配置。第2蒸镀膜18b的厚度即沿着Z轴的方向的距离比第1蒸镀膜18a的厚度薄。第2蒸镀膜18b包含长轴方向相对于元件基板10的主面以角度θα交叉的多个柱。第2蒸镀膜18b的柱的长轴方向与沿着作为液晶层50的厚度方向的Z轴的方向以角度(90-θα)°交叉。

第2蒸镀膜18b的柱是氧化硅的柱状结晶体。该柱通过真空蒸镀法形成。具体而言，从与角度θα的方向成锐角的方向斜向蒸镀氧化硅，由此，形成第2蒸镀膜18b的柱。

第4蒸镀膜22b覆盖第3蒸镀膜22a的-Z方向而配置。第4蒸镀膜22b的厚度即沿着Z轴的方向的距离比第3蒸镀膜22a的厚度薄。第4蒸镀膜22b包含长轴方向相对于对置基板20的主面以角度θβ交叉的多个柱。第4蒸镀膜22b的柱的长轴方向与沿着作为液晶层50的厚度方向的Z轴的方向以角度(90-θβ)°交叉。

第4蒸镀膜22b的柱是氧化硅的柱状结晶体。该柱通过真空蒸镀法形成。具体而言，通过从与角度θβ的方向成锐角的方向斜向蒸镀氧化硅，形成第4蒸镀膜22b的柱。另外，角度θβ也可以是与角度θα相等的角度。

根据取向膜18、22的结构，通过第2蒸镀膜18b以及第4蒸镀膜22b的多个柱，可以使液晶50a取向。另外，可以通过干式工艺形成取向膜18、22。

液晶50a的预倾的倾斜方向例如设定为与Y轴所成的方位角为45°。预倾的倾斜方向由通过斜向蒸镀而形成第2蒸镀膜18b以及第4蒸镀膜22b时的蒸镀方向规定。

在液晶装置100中，在上述的光L的入射侧及出射侧分别配置使用未图示的偏振元件。2个偏振元件以一个偏振元件的透射轴或吸收轴与X轴或Y轴平行、2个偏振元件的透射轴或吸收轴相互正交的方式配置在液晶装置100中。

形成第2蒸镀膜18b以及第4蒸镀膜22b时的斜向蒸镀的蒸镀方向在俯视时与希望的液晶50a的预倾的倾斜方向一致。在本实施方式中，以使液晶50a的预倾的方位角以45°与2个偏振元件的透射轴或者吸收轴交叉的方式配置第2蒸镀膜18b以及第4蒸镀膜22b。由此，如果在第1像素电极15和公共电极21之间施加驱动电压而驱动液晶层50，则液晶50a倒向预倾斜的倾斜方向，可得到高的透射率。

对元件基板10及对置基板20的表面实施利用硅烷偶联剂的表面处理。具体而言，在元件基板10的第2蒸镀膜18b和对置基板20的第4蒸镀膜22b的表面，使用硅烷偶联剂设置有机聚硅氧烷膜。

硅烷偶联剂的硅烷醇基与第2蒸镀膜18b以及第4蒸镀膜22b的氧化硅结合而脱水缩合。由此，在与作为表面侧的液晶层50的界面形成疏水基取向的有机聚硅氧烷膜。通过该表面处理，第2蒸镀膜18b以及第4蒸镀膜22b的表面相对于水的接触角变大。因此，能够抑制液晶50a和取向膜18、22之间的光化学反应，提高液晶装置100的耐光性。作为利用硅烷偶联剂进行表面处理的方法，可采用公知的方法。

通过上述表面处理，使取向膜18、22的朝向液晶层50的表面相对于水的接触角为50°以上。由此，能够进一步抑制液晶50a和取向膜18、22之间的光化学反应，提高液晶装置100的耐光性。上述接触角优选为60°以上90°以下。在上述接触角为60°以上时，取向膜18、22的疏水性增大，可进一步提高耐光性。在上述接触角为90°以下时，可抑制离子性杂质的不均匀，提高液晶装置100的显示品质。取向膜18、22相对于水的接触角根据JISR 3257；1999测定。

对置基板20具有由具有遮光性的金属膜等形成的分隔部24。分隔部24相对于公共电极21配置于+Z方向。在俯视时，分隔部24与第2像素电极19重叠。因此，即使驱动第2像素电极19，液晶层50的离子性杂质被第2像素电极19吸引，也能够确保液晶装置100的显示品质。

参照图5说明第1像素电极15和第2像素电极19等的配置。在图5中，放大显示图1的区域F。另外，在图5中为了容易观察附图，省略扫描线驱动电路102等的一部分结构的图示。进而，在图5中，为了图示的方便，使后述的TFT30b、30c、30d的形状以及大小与实际不同。另外，关于图5的以下说明，只要没有特别说明，则是对俯视的状态进行叙述。

如图5所示，在液晶装置100中，包围显示区域E而配置周边区域S。周边区域S是显示区域E的外周的边缘与密封材料60的内周的边缘之间的区域。在周边区域S，作为第2像素电极19，配置第2像素电极19a、19b、19c、19d。第2像素电极19a、19b、19c、19d分别由TFT30和后述的TFT30b、30c、30d交流驱动。

多个第2像素电极19a配置成框状地包围显示区域E。第2像素电极19a在俯视时是大致正方形，具有与第1像素电极15相同的形状。与多个第2像素电极19a各自对应地配置作为驱动用晶体管的未图示的TFT30。第2像素电极19a的TFT30设置于俯视时不与扫描线驱动电路102、检查电路103等周边电路以及布线107等布线重叠的位置。

在显示区域E的-X方向以及未图示的显示区域E的+X方向，隔着第2像素电极19a配置多个第2像素电极19b。详细地说，在多个第2像素电极19a中的位于最靠-X方向、沿着Y轴排列的第2像素电极19a各自的-X方向，配置第2像素电极19b。此外，在多个第2像素电极19a中的位于最靠+X方向、沿着Y轴排列的第2像素电极19a各自的+X方向，也配置第2像素电极19b。

第2像素电极19b是在沿着X轴的方向上细长的矩形状。第2像素电极19b的沿着Y轴方向的长度与第2像素电极19a的沿着Y轴方向的长度相等，沿着X轴方向的长度比第2像素电极19a的沿着X轴方向的长度长。

与多个第2像素电极19b各自对应地配置作为驱动用晶体管的TFT30b。第2像素电极19b的TFT30b设置于俯视时不与扫描线驱动电路102等周边电路重叠的位置。具体地，在位于显示区域E的-X方向的第2像素电极19b中，在+X方向的端部附近设置TFT30b。并且，虽然省略图示，但是在位于显示区域E的+X方向的第2像素电极19b中，在-X方向的端部附近设置TFT30b。

在此，只要在俯视时不与扫描线驱动电路102等周边电路重叠，则TFT30b的配置不限于上述情况。TFT30b例如在位于显示区域E的-X方向的第2像素电极19b中，可以设置在-X方向的端部附近，在位于显示区域E的+X方向的第2像素电极19b中，可以设置在+X方向的端部附近。各个第2像素电极19b也可以由设置在不与上述周边电路重叠的位置的多个TFT30b驱动。

第2像素电极19c配置在周边区域S的四个角。详细而言，第2像素电极19c在上述四个角分别各配置1个，合计设置4个。第2像素电极19c是矩形状，沿着X轴的方向的长度与第2像素电极19b的沿着X轴的方向的长度相等，沿着Y轴的方向的长度与后述的第2像素电极19d的沿着Y轴的方向的长度相等。

与周边区域S的四个角的第2像素电极19c各自对应地配置作为驱动用晶体管的TFT30c。第2像素电极19c的TFT30c设置于俯视时不与扫描线驱动电路102等周边电路重叠的位置。具体地，在图5所示的第2像素电极19c中，TFT30c配置在作为显示区域E的四个角附近的+X方向且+Y方向的角处。与未图示的其他3个第2像素电极19c对应的TFT30c与上述同样，配置在显示区域E的四个角附近。

4个第2像素电极19c也可以分别与设置在不与上述周边电路重叠的位置的多个TFT30c电连接。第2像素电极19c与第2像素电极19a、19b、19d相比，平面面积变大。因此，通过与多个驱动用晶体管TFT30c电连接，能够降低驱动的负荷。

与第2像素电极19c电连接的多个TFT30c优选在沿着X轴的方向上相邻。虽然省略了图示，但是，沿X轴的方向是在液晶装置100中与TFT30c的源极区域电连接的扫描线3延伸的方向。由此，多个驱动用晶体管TFT30c在扫描线3延伸的方向上相邻，所以，能够容易地进行四个角的第2像素电极19c的驱动控制。与第2像素电极19c电连接的TFT30c的个数不限于2个，也可以为3个以上。

在显示区域E的-Y方向以及未图示的显示区域E的+Y方向，隔着第2像素电极19a配置多个第2像素电极19d。详细地说，在多个第2像素电极19a中的位于最靠-Y方向、沿着X轴排列的第2像素电极19a各自的-Y方向，配置第2像素电极19d。此外，在多个第2像素电极19a中的位于最靠+Y方向、沿着X轴排列的第2像素电极19a各自的+Y方向，配置第2像素电极19b。

第2像素电极19d是在沿着Y轴的方向上细长的矩形状。在第2像素电极19d中，沿X轴方向的长度与第2像素电极19a的沿X轴方向的长度相等，沿Y轴方向的长度比第2像素电极19a的沿Y轴方向的长度长。

与多个第2像素电极19d各自对应地配置作为驱动用晶体管的TFT30d。第2像素电极19d的TFT30d设置于俯视时不与扫描线驱动电路102、检查电路103等周边电路以及布线107等布线类重叠的位置。具体而言，在位于显示区域E的-Y方向的第2像素电极19d，在+Y方向的端部附近设置TFT30d。并且，虽然省略图示，但是在位于显示区域E的+Y方向的第2像素电极19d中，在-Y方向的端部附近设置TFT30d。各个第2像素电极19d也可以由设置于不与上述的周边电路及布线类重叠的位置的多个TFT30d驱动。

只要俯视时不与扫描线驱动电路102等周边电路重叠，TFT30d的配置不限于上述情况。TFT30d例如在位于显示区域E的-Y方向的第2像素电极19d中，可以设置在-Y方向的端部附近，在位于显示区域E的+Y方向的第2像素电极19d中，可以设置在+Y方向的端部附近。

TFT30b、30c、30d的配置不限于上述情况，只要俯视时不与周边电路、布线类重叠，可以配置在任意位置。由此，第2像素电极19b、19c、19d从俯视时不与扫描线驱动电路102等周边电路重叠的区域向与该周边电路重叠的区域延伸。在此，第2像素电极19b、19c、19d也可以相对于上述周边电路及布线类，从俯视时不重叠的区域向重叠的区域延伸，进而向不重叠的区域延伸。

在液晶装置100中也可以省略第2像素电极19a。即，也可以与显示区域E的外周的边缘相邻地配置第2像素电极19b、19c、19d。

根据本实施方式，能够得到以下的效果。

能够抑制由离子性杂质引起的显示不良的发生。详细而言，作为第2像素电极19的驱动用晶体管的TFT30、30b、30c、30d设置于俯视时不与周边电路重叠的位置。第2像素电极19b、19c、19d从俯视时不与周边电路重叠的区域向重叠的区域延伸设置。因此，即使将扫描线驱动电路102、检查电路103等周边电路和第2像素电极19b、19c、19d配置成俯视时重叠，也能驱动第2像素电极19。但是，离子性杂质一般通过驱动像素电极而容易被引导到显示区域E的角部。因此，通过在周边区域S配置交流驱动的第2像素电极19，将离子性杂质引导到显示区域E的外侧。由此，可抑制由离子性杂质引起的显示不良的发生。因此，能够提供抑制由离子性杂质引起的显示不良的发生的液晶装置100。

2.第2实施方式

在本实施方式中，例示具备TFT的有源驱动型液晶装置作为电光装置。本实施方式中的液晶装置200与第1实施方式的液晶装置100的不同之处在于，在周边区域S具备周边电极。在以下的说明中，对与第1实施方式相同的结构部位使用相同的标号，省略重复的说明。

参照图6说明本实施方式的液晶装置200的结构。在图6中，放大示出了液晶装置200中的相当于第1实施方式的图5的区域。另外，在图6中，为了容易看图，省略了扫描线驱动电路102等的一部分结构的图示。另外，关于图6的以下的说明，只要没有特别说明，则叙述俯视的状态。

如图6所示，在液晶装置200中，包围显示区域E而配置周边区域S。在周边区域S配置周边电极211和第2像素电极19a、219b、219c、219d。第2像素电极219b、219c、219d包围第2像素电极19a。相对于第2像素电极19a，在-X方向及未图示的+X方向上分别配置多个第2像素电极219b，在-Y方向及未图示的+Y方向上分别配置多个第2像素电极219d。在周边区域S的四个角，分别各配置1个第2像素电极219c。

第2像素电极219b是在沿着X轴的方向上细长的矩形。在第2像素电极219b中，沿着Y轴方向的长度与第2像素电极19a的沿着Y轴方向的长度相等，沿着X轴方向的长度比第2像素电极19a的沿着X轴方向的长度长。

第2像素电极219d是在沿着Y轴的方向上细长的矩形。在第2像素电极219d中，沿着X轴方向的长度与第2像素电极19a的沿着X轴方向的长度相等，沿着Y轴方向的长度比第2像素电极19a的沿着Y轴方向的长度长。

第2像素电极219c为矩形，沿X轴方向的长度与第2像素电极219b沿X轴方向的长度相等，沿Y轴方向的长度与第2像素电极219d的沿Y轴方向的长度相等。

周边电极211框状地包围第2像素电极219b、219c、219d。即，在周边区域S中，在显示区域E侧配置第2像素电极19a、219b、219c、219d，在密封材料60侧配置周边电极211。

第1像素电极15、第2像素电极19a、219b、219c、219d以及周边电极211设置于在沿着元件基板10的Z轴的方向上层叠的各层中的同一层，由同样的材料构成。能够用与第1像素电极15相同的工序制造第2像素电极19a、219b、219c、219d和周边电极211，能够简化液晶装置200的制造工序。

第2像素电极219b、219c、219d由未图示的作为驱动用晶体管的TFT交流驱动。第2像素电极219b、219c、219d的TFT分别设置在与第1实施方式的TFT30b、30c、30d同样的位置。该TFT在俯视时不与扫描线驱动电路102及检查电路103等周边电路、布线107等布线类重叠。即，第2像素电极219b、219c、219d从俯视时不与周边电路重叠的区域向与周边电路重叠的区域延伸。另外，第2像素电极219b、219c、219d也可以与多个TFT电连接。

周边电极211设置在配置第2像素电极219b、219c、219d的区域和密封材料60之间。周边电极211的外周沿着密封材料60的内周。虽然省略了图示，但周边电极211与不同于和上下导通部106电连接的外部连接用端子的、外部连接用端子104中的某一个电连接。由此，在周边电极211处，相对于施加在公共电极21上的公共电极电位，施加正极性或负极性的直流电位。

上述直流电位是根据成为引导对象的离子性杂质而设定极性的固定电位。具体而言，在离子性杂质为负离子的情况下施加正极性的直流电位，在离子性杂质为正离子的情况下施加负极性的直流电位。向周边电极211施加直流电位可以在液晶装置200的工作中始终实施，也可以间歇地实施。

在液晶装置200工作时，如果对周边电极211施加直流电位，则在第2像素电极219b、219c、219d和周边电极211之间产生横向电场。通过驱动第2像素电极19a、219b、219c、219d，从显示区域E向周边区域S侧引导离子性杂质。而且，离子性杂质被上述横向电场向周边电极211引导，以从显示区域E离开的方式移动。

周边电极211的宽度在俯视时比配置第2像素电极19a、219b、219c、219d的区域的宽度窄。这里所说的宽度是相对于对象沿着X轴横穿的距离和沿着Y轴横穿的距离。即，周边电极211的宽度相对于配置第2像素电极19a、219b、219c、219d的区域的宽度，在整周上形成得较短。由此，引导到周边电极211的离子性杂质不易溢出到显示区域E。

根据本实施方式，除了第1实施方式的效果之外，由于向周边电极211引导离子性杂质，所以，能够进一步抑制由离子性杂质引起的显示不良的发生。

3.第3实施方式

在本实施方式中，例示具备TFT的有源驱动型液晶装置作为电光装置。本实施方式的液晶装置300相对于第2实施方式的液晶装置200，变更了第2像素电极219b、219d以及周边电极211的方式。在以下的说明中，对与第1实施方式以及第2实施方式相同的结构部位使用相同的标号，省略重复的说明。

关于本实施方式的液晶装置300的结构，参照图7进行说明。在图7中，放大示出了液晶装置300中的相当于第1实施方式的图5的区域。另外，在图7中，为了容易看图，省略了扫描线驱动电路102等的一部分结构的图示。另外，关于图7的以下的说明，只要没有特别说明，则叙述俯视的状态。

如图7所示，在周边区域S配置周边电极311和第2像素电极19a、319b、319c、319d。第2像素电极319b、319c、319d配置在第2像素电极19a的外周侧。相对于第2像素电极19a，在-X方向及未图示的+X方向分别配置多个第2像素电极319b，在-Y方向及未图示的+Y方向分别配置多个第2像素电极319d。在周边区域S的四个角分别各配置1个第2像素电极319c。

第2像素电极319b是在沿着X轴的方向上细长的矩形状。在第2像素电极319b中，沿着Y轴方向的长度与第2像素电极19a的沿着Y轴方向的长度相等，沿着X轴方向的长度比第2像素电极19a的沿着X轴方向的长度长。

第2像素电极319d是在沿着Y轴的方向上细长的矩形状。在第2像素电极319d中，沿着X轴方向的长度与第2像素电极19a的沿着X轴方向的长度相等，沿着Y轴方向的长度比第2像素电极19a的沿着Y轴方向的长度长。

第2像素电极319c是矩形状，沿着X轴方向的长度与第2像素电极319b的沿着X轴方向的长度相等，沿着Y轴方向的长度与第2像素电极319d的沿着Y轴方向的长度相等。

周边电极311配置在密封材料60和第2像素电极19a之间的区域，框状地包围第2像素电极19a。周边电极311具有向配置第2像素电极319b的区域突出的多个突出部311px，具有向配置第2像素电极319d的区域突出的多个突出部311py。

多个突出部311px设置为从周边电极311的内周的边缘向+X方向呈梳齿状突出。虽然省略了图示，但是在显示区域E的+X方向上，多个突出部311px从周边电极311的内周边缘向-X方向呈梳齿状地突出设置。各个突出部311px是在沿着X轴的方向上细长的矩形状，一个端部与周边电极311主体连续地形成。在突出部311px中，沿X轴方向的长度与第2像素电极319b的沿X轴方向的长度相等，沿Y轴方向的长度与第2像素电极19a的沿Y轴方向的长度相等。多个突出部311px和多个第2像素电极319b在沿着Y轴的方向上交错地配置。

多个突出部311py从周边电极311的内周边缘向+Y方向以梳齿状突出设置。虽然省略了图示，但在显示区域E的+Y方向上，多个突出部311py从周边电极311的内周边缘向-Y方向呈梳齿状地突出设置。各个突出部311py是在沿着Y轴的方向上细长的矩形状，一个端部与周边电极311主体连续地形成。在突出部311py中，沿Y轴方向的长度与第2像素电极319d的沿Y轴方向的长度相等，沿X轴方向的长度与第2像素电极19a的沿X轴方向的长度相等。多个突出部311py与多个第2像素电极319d在沿X轴的方向上交错地配置。

在此，突出部311px、311py的数量及平面形状并不限于上述情况。另外，在配置第2像素电极319c的区域，也可以代替第2像素电极319c而配置周边电极。对该周边电极施加正极性或负极性的直流电位。

第1像素电极15、第2像素电极19a、319b、319c、319d及包括突出部311px、311py的周边电极311设置于在沿元件基板10的Z轴的方向上叠层的各层中的同一层，由同样的材料构成。能够用与第1像素电极15相同的工序制造第2像素电极19a、319b、319c、319d以及周边电极311，能够简化液晶装置300的制造工序。

第2像素电极319b、319c、319d由未图示的作为驱动用晶体管的TFT交流驱动。第2像素电极319b、319c、319d的TFT分别设置在与第1实施方式的TFT30b、30c、30d相同的位置。该TFT在俯视时不与扫描线驱动电路102及检查电路103等周边电路、布线107等布线类重叠。即，第2像素电极319b、319c、319d从俯视时不与周边电路重叠的区域向与周边电路重叠的区域延伸。第2像素电极319b、319c、319d也可以与多个TFT电连接。

周边电极311设置在配置第2像素电极19a的区域和密封材料60之间。周边电极311的外周沿着密封材料60的内周。虽然省略了图示，但周边电极311与不同于和上下导通部106电连接的外部连接用端子的、外部连接用端子104中的某一个电连接。由此，在周边电极311处，相对于施加于公共电极21的公共电极电位，施加正极性或负极性的直流电位。由此，周边电极311与第2实施方式的周边电极211同样，具有引导离子性杂质的功能。

根据本实施方式，除了第2实施方式的效果之外，还能够得到以下的效果。在周边电极311和第2像素电极19a、319b、319c、319d的边界附近，能够抑制离子性杂质烧屏现象的发生。详细而言，在周边电极311中，多个突出部311px、311py分别进入第2像素电极319b、319d的区域而配置。因此，与第2像素电极319b、319d和周边电极311的边界线在俯视时为直线状的情况相比，上述边界线的延伸长度变长。因此，引导到周边电极311的离子性杂质的不均匀分布得到缓和，抑制上述烧屏现象的发生。

4.第4实施方式

例示投影型显示装置1000作为本实施方式的电子设备。

如图8所示，投射型显示装置1000具备灯单元1001、色分离光学系统的分色镜1011、1012、3个液晶装置1B、1G、1R、反射镜1111、1112、1113、中继透镜1121、1122、1123、色合成光学系统的分色棱镜1130、投射光学系统的投射透镜1140。

灯单元1001例如是放电型的光源。光源的方式不限于此，也可以采用发光二极管、激光器等固体光源。

从灯单元1001射出的光通过分色镜1011、1012分离为各自不同波长区域的3色的色光。3色的色光是大致红色的红色光R、大致绿色的绿色光G、大致蓝色的蓝色光B。

分色镜1011透过红色光R，反射波长比红色光R短的绿色光G以及蓝色光B。透过分色镜1011的红色光R由反射镜1111反射，入射到液晶装置1R。分色镜1011反射的绿色光G在被分色镜1012反射后，入射到液晶装置1G。分色镜1011反射后的蓝色光B透过分色镜1012，入射到中继透镜系统1120。

中继透镜系统1120具有中继透镜1121、1122、1123、反射镜1112、1113。由于蓝色光B的光路比绿色光G和红色光R长，所以，光束容易变大。因此，使用中继透镜1122抑制光束的扩大。入射到中继透镜系统1120的蓝色光B一边被中继透镜1121会聚一边被反射镜1112反射，在中继透镜1122的附近会聚。然后，蓝色光B经过反射镜1113及中继透镜1123，入射于液晶装置1B。

在投影型显示装置1000中的作为光调制装置的液晶装置1R、1G、1B中，应用作为上述实施方式的电光装置的液晶装置。上述实施方式的液晶装置只要对液晶装置1R、1G、1B应用1个以上即可，更优选全部应用。

液晶装置1R、1G、1B分别与投影型显示装置1000的上位电路电连接。因此，如果指定红色光R、绿色光G、蓝色光B的灰度等级的各图像信号从外部电路供给于上位电路而被处理，则液晶装置1R、1G、1B被驱动而调制各色光。

由液晶装置1R、1G、1B调制后的红色光R、绿色光G、蓝色光B从3个方向入射到分色棱镜1130。分色棱镜1130将入射的红色光R、绿色光G、蓝色光B合成。在分色棱镜1130中，红色光R及蓝色光B反射90度，绿色光G透过。由此，红色光R、绿色光G、蓝色光B作为显示彩色图像的显示光被合成而入射到投射透镜1140。

投射透镜1140朝向投射型显示装置1000的外侧配置。显示光经由投射透镜1140放大后射出，向作为投射对象的屏幕1200投射投射图像。

在本实施方式中，例示了通过上述表面处理使取向膜18、22的朝向液晶层50的表面相对于水的接触角为50°以上的例子，但不限于此。表面处理的接触角有时为30°～40°，另外，根据表面处理的内容，有时为20°左右。

在本实施方式中，作为电子设备例示了投影型显示装置1000，但不限于此。本发明的电光装置也可以应用于例如投射型的HUD(Head-Up Display)、直视型的HMD(HeadMounted Display)、个人计算机、数字照相机、液晶电视等电子设备。

根据本实施方式，液晶层50中的离子性杂质的扩散被抑制，液晶装置1R、1G、1B的显示品质提高。因此，能够提供投影图像的品质优异的投影型显示装置1000。

Claims (11)

1.一种电光装置，其中，

所述电光装置在显示区域具有第1像素电极，

所述电光装置在所述显示区域的外侧具有第2像素电极、与所述第2像素电极对应地设置的晶体管、以及与所述晶体管隔离地设置的电路，

所述第2像素电极被设置成在俯视时与所述电路重叠。

2.根据权利要求1所述的电光装置，其中，

在设置有所述第2像素电极的区域的外侧具有电极。

3.根据权利要求2所述的电光装置，其中，

所述第1像素电极、所述第2像素电极以及所述电极设置在同一层，包含相同的材料。

4.根据权利要求2或3所述的电光装置，其中，

在俯视时，设置有所述第2像素电极的区域的宽度比所述电极的宽度宽。

5.根据权利要求1～3中的任意一项所述的电光装置，其中，

所述电光装置具有：

液晶层；以及

取向膜，

所述取向膜包含第1蒸镀膜和设置在所述第1蒸镀膜与所述液晶层之间的第2蒸镀膜，

在所述第2蒸镀膜上设有有机聚硅氧烷膜。

6.根据权利要求5所述的电光装置，其中，

所述取向膜相对于水的接触角为50°以上。

7.根据权利要求6所述的电光装置，其中，

所述接触角为60°以上90°以下。

8.根据权利要求1～3中的任意一项所述的电光装置，其中，

所述电光装置具有密封材料，

所述第2像素电极在俯视时设置在所述显示区域和所述密封材料之间的区域的角部，与多个晶体管电连接。

9.根据权利要求8所述的电光装置，其中，

所述多个晶体管在扫描线延伸的方向上相邻。

10.根据权利要求2或3所述的电光装置，其中，

所述电极具有以沿着所述第2像素电极的方式向设置有所述第2像素电极的区域突出的多个突出部。

11.一种电子设备，其具备权利要求1～10中的任意一项所述的电光装置。

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