CN115141370A

CN115141370A - 聚酰亚胺、金属包覆层叠板及电路基板

Info

Publication number: CN115141370A
Application number: CN202210297165.4A
Authority: CN
Inventors: 安达康弘; 髙村真辉
Original assignee: Nippon Steel and Sumikin Chemical Co Ltd
Current assignee: Nippon Steel Chemical and Materials Co Ltd
Priority date: 2021-03-30
Filing date: 2022-03-24
Publication date: 2022-10-04
Also published as: KR20220136222A; TW202237705A; JP2022154637A

Abstract

本发明提供一种聚酰亚胺、金属包覆层叠板及电路基板，所述聚酰亚胺作为用于形成制造FPC时使用的金属包覆层叠板的聚酰亚胺层的聚酰亚胺，显示出低的介电损耗角正切，而且与金属层之间表现出良好的剥离强度，进而，制造金属包覆层叠板时，可抑制发泡现象的产生。聚酰亚胺含有自四羧酸二酐成分衍生的酸二酐残基、以及自二胺成分衍生的二胺残基。在全部二胺残基中含有下述式(1)所表示的自二胺化合物衍生的二胺残基。在全部酸二酐残基中含有自均苯四甲酸二酐衍生的酸二酐残基以及自分子内具有酮基的四羧酸二酐衍生的酸酐残基。使用动态粘弹性测定装置测定的300℃下的聚酰亚胺的存储弹性模量E'为1.0×10⁸Pa以上，且350℃下的存储弹性模量E'为1.0×10⁷Pa以上。[化1]

Description

聚酰亚胺、金属包覆层叠板及电路基板

技术领域

本发明涉及一种密接性优异且可减少高频区域中的传输损失的聚酰亚胺、使用所述聚酰亚胺的金属包覆层叠板及电路基板。

背景技术

柔性电路基板(柔性印刷电路板(FPC：Flexible Printed Circuit Board))被广泛用于各种电子零件中，在其制造时，广泛使用了在铜箔等金属层上层叠单层或多层的聚酰亚胺层作为绝缘树脂层而成的金属包覆层叠板。此处，在将金属包覆层叠板用于高频信号传输用的电路基板的情况下，对于与金属层直接相接的聚酰亚胺层，为了抑制FPC中的介电损耗而要求低介电损耗角正切，另外，要求在与金属层之间表现出良好的剥离强度。

但是，关于此种金属包覆层叠板，考虑到生产性或制造成本等，已知有一种所谓浇铸(cast)法，其对在金属层上反复进行聚酰胺酸溶液的涂布、干燥而成膜所得的层叠体的所述聚酰胺酸层，在高温下进行热处理以进行酰亚胺化，由此制成聚酰亚胺层。例如，在专利文献1中，作为与金属层相接的聚酰亚胺层，提出了利用浇铸法来设置使用均苯四甲酸二酐(pyromellitic dianhydride，PMDA)以及2,2-双[4-(4-氨基苯氧基)苯基丙烷(2,2-bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]propane，BAPP)的聚酰亚胺层，在专利文献2中，作为与金属层相接的聚酰亚胺层，提出了利用浇铸法来设置300℃下的存储弹性模量为1×10⁸Pa以上、350℃下的存储弹性模量为1×10⁷Pa以上、且在酸二酐残基中含有40摩尔％的含酮基的四羧酸二酐残基的聚酰亚胺层。

[现有技术文献]

[专利文献]

[专利文献1]日本专利特开2006-051800号公报

[专利文献2]日本专利特开2020-104340号公报

发明内容

[发明所要解决的问题]

然而，在如专利文献1、专利文献2那样利用浇铸法形成金属包覆层叠板的聚酰亚胺层的情况下，是在超过溶媒沸点的温度下进行热处理，另外，热塑性聚酰亚胺层的浇铸面被金属层被覆，因此根据聚酰胺酸层的干燥状态或残溶媒量等，在金属层和与其相接的聚酰亚胺层之间、或与金属层相接的聚酰亚胺层和所述聚酰亚胺层上进一步层叠的聚酰亚胺层之间，存在由于气化的溶媒、或由酰亚胺化带来的水(酰亚胺化水)的体积膨胀而产生鼓起或剥落、发泡等现象(以下，有时将这些现象统称为“发泡现象”)的情况，在此种情况下，存在很有可能使金属包覆层叠板及使用其的电路基板的良率或可靠性降低的问题。

本发明的目的在于解决以上所说明的问题，且提供一种新颖的聚酰亚胺，其作为用于形成制造FPC时使用的金属包覆层叠板的聚酰亚胺层的聚酰亚胺，可兼顾低介电损耗角正切化和与金属层之间的良好剥离强度表现，而且，当通过利用浇铸法将聚酰胺酸层酰亚胺化以制成聚酰亚胺层来制造金属包覆层叠板时，可抑制发泡现象的产生。

[解决问题的技术手段]

本发明人等人进行了努力研究，结果发现，聚酰亚胺由特定的二胺残基以及酸二酐残基构成、而且将它们的含量限定为规定比例、进而将300℃及350℃下的存储弹性模量设为特定数值的所述聚酰亚胺作为用于形成制造FPC时使用的金属包覆层叠板的聚酰亚胺层的聚酰亚胺，可兼顾低介电损耗角正切化和与金属层之间的良好剥离强度表现，而且，当利用浇铸法制造金属包覆层叠板时，可抑制发泡现象的产生，从而完成了本发明。

即，本发明提供一种聚酰亚胺，含有自二胺成分衍生的二胺残基、以及自四羧酸二酐成分衍生的酸二酐残基，所述聚酰亚胺中，

在全部二胺残基中，以5摩尔％以上且90摩尔％以下的比例含有下述通式(1)所表示的自二胺化合物衍生的二胺残基，

在全部酸二酐残基中，含有5摩尔％以上且90摩尔％以下的自均苯四甲酸二酐衍生的酸二酐残基(PMDA残基)、10摩尔％以上且95摩尔％以下的自分子内具有酮基(-CO-)的四羧酸二酐衍生的酸二酐残基，且以合计80摩尔％以上的比例含有PMDA残基与自分子内具有酮基(-CO-)的四羧酸二酐衍生的酸二酐残基，

使用动态粘弹性测定装置(动力学分析(dynamic mechanical analysis，DMA))测定的300℃下的存储弹性模量E'为1.0×10⁸Pa以上且350℃下的存储弹性模量E'为1.0×10⁷Pa以上。

[化1]

在式(1)中，连结基X表示选自单键或-CONH-中的二价基，Y独立地表示氢、碳数1～3的一价烃基或烷氧基，n表示0～2的整数，p及q独立地表示0～4的整数。

另外，作为另一实施方式，本发明提供一种金属包覆层叠板，包括绝缘树脂层、以及层叠于所述绝缘树脂层的单面或两面的金属层，所述金属包覆层叠板中，

所述绝缘树脂层具有包含与所述金属层相接的聚酰亚胺层(A)的多个聚酰亚胺层，

构成聚酰亚胺层(A)的聚酰亚胺为上述本发明的聚酰亚胺。

进而，作为另一实施方式，本发明提供一种电路基板，具有上述本发明的金属包覆层叠板，所述电路基板中，构成金属包覆层叠板的至少一个金属层被加工成金属配线层。

[发明的效果]

本发明的聚酰亚胺分别以规定比例含有特定的残基作为二胺残基及酸二酐残基，进而，300℃及350℃下的存储弹性模量被限定为特定数值。因此，本发明的聚酰亚胺显示出低介电损耗角正切，并且在为了形成制造FPC时使用的金属包覆层叠板的聚酰亚胺层而应用的情况下，可在与金属层之间表现出良好的剥离强度。进而，当通过利用浇铸法将聚酰胺酸层制成聚酰亚胺层来制造金属包覆层叠板时，可抑制产生发泡现象的情况。因此，可提高使用利用了本发明的聚酰亚胺的金属包覆层叠板制造FPC等电路基板时的良率或所获得的电路基板的可靠性。

具体实施方式

以下，对本发明的实施方式进行详细叙述。

[聚酰亚胺]

本发明的聚酰亚胺是使二胺成分与四羧酸二酐成分反应而得，且含有来源于二胺成分的二胺残基、以及来源于四羧酸二酐成分的酸二酐残基。

(二胺残基)

构成本发明的聚酰亚胺的二胺残基在全部二胺残基中含有下述通式(1)所表示的自二胺化合物衍生的二胺残基。

[化2]

在通式(1)中，连结基X表示选自单键或-CONH-中的二价基，Y独立地表示氢、碳数1～3的一价烃基或烷氧基，n表示0～2的整数，p及q独立地表示0～4的整数。此外，在通式(1)中，末端的两个氨基中的氢原子可经取代，例如可为-NR₂R₃(此处，R₂、R₃独立地指代烷基等任意的取代基)。

作为通式(1)的自二胺化合物衍生的二胺残基的具体例，可列举自对苯二胺、2,2'-二甲基-4,4'-二氨基联苯、2,2'-正丙基-4,4'-二氨基联苯、2'-甲氧基-4,4'-二氨基苯酰替苯胺、4,4'-二氨基苯酰替苯胺等衍生的二胺残基。其中，就介电特性的方面而言，可优选地列举自2,2'-二甲基-4,4'-二氨基联苯(2,2'-dimethyl-4,4'-diamino biphenyl，m-TB)衍生的二胺残基。

通式(1)所表示的自二胺化合物衍生的二胺残基可通过提高聚酰亚胺的平面性以及刚性来提高分子链间的堆积(stacking)性。因此，可使二胺残基的运动性降低。其结果，可降低聚酰亚胺的介电损耗角正切。另外，还可提高聚酰亚胺的分子骨架的平面性，因此可降低面方向的热膨胀系数。

在全部二胺残基中，含有5摩尔％以上且90摩尔％以下、优选为20摩尔％以上且80摩尔％以下的此种通式(1)所表示的自二胺化合物衍生的二胺残基。通式(1)所表示的自二胺化合物衍生的二胺残基在全部二胺残基中的含量若低于所述范围，则难以降低聚酰亚胺的介电损耗角正切或面方向的热膨胀系数，若超过所述范围，则二胺残基的刚性变得过高，分子链的缠绕量变少，因此剥离强度降低。另外，由于二胺残基部分的排列规则性增高，从而对电场的响应性发生变化，介电损耗角正切变得容易劣化。

本发明的聚酰亚胺优选为在全部二胺残基中，除了含有通式(1)所表示的自二胺化合物衍生的二胺残基以外，还含有下述通式(2)～通式(5)所表示的自二胺化合物衍生的二胺残基。下述通式(2)～通式(5)所表示的自二胺化合物衍生的二胺残基独立地具有选自-O-、-S-、-CO-、-SO-、-SO₂-、-CH₂-、-C(CH₃)₂-、-NH-中的二价基作为芳香环的连结基。另外，氨基所连结的芳香环具有对位键结。因此，聚酰亚胺分子链的旋转或弯曲的自由度高，通过提高聚酰亚胺分子链的柔软性，可取得分子链间的相互作用与缠绕量的平衡，因此容易兼顾对高温区域的存储弹性模量E'降低的抑制与膜强度的提高。

[化3]

通式(2)～通式(5)中，R₁独立地表示碳数1～6的一价烃基或烷氧基，连结基A独立地表示选自-O-、-S-、-CO-、-SO-、-SO₂-、-CH₂-、-C(CH₃)₂-、-NH-中的二价基，n1独立地表示0～4的整数。另外，不具有与氨基的键结的芳香环的连结位为邻位以外的位置。

通式(2)～通式(5)所表示的自二胺化合物衍生的二胺残基在全部二胺残基中的含量优选为10摩尔％以上且95摩尔％以下，更优选为20摩尔％以上且80摩尔％以下。若低于所述范围，则分子链间的缠绕量因分子链的弯曲性的降低而减少，剥离强度降低。另一方面，若超过所述范围，则聚酰亚胺分子链的旋转或弯曲的自由度变得过高，分子的运动抑制变得困难，介电损耗角正切有变高的倾向。

作为通式(2)～通式(5)所表示的自二胺化合物衍生的二胺残基的具体例，可优选地列举自4,4'-二氨基二苯基甲烷、4,4'-二氨基二苯基丙烷、4,4'-二氨基二苯基硫醚、4,4'-二氨基二苯基砜、4,4'-二氨基二苯基醚、4,4'-二氨基二苯甲酮、(4,4'-双氨基)二苯基胺、4,4'-亚甲基二-邻甲苯胺、4,4'-亚甲基二-2,6-二甲苯胺、4,4'-亚甲基-2,6-二乙基苯胺、1,4-双(4-氨基苯氧基)苯、1,3-双(4-氨基苯氧基)苯、1,4-双[2-(4-氨基苯基)-2-丙基]苯、1,3-双[2-(4-氨基苯基)-2-丙基]苯、双[4-(4-氨基苯氧基)]苯酰替苯胺、双[4-(4-氨基苯氧基)苯基]醚、2,2-双[4-(4-氨基苯氧基)苯基]丙烷、2,2-双-[4-(4-氨基苯氧基)苯基]六氟丙烷、双[4-(4-氨基苯氧基)苯基]砜、双[4-(4-氨基苯氧基)苯基]酮、双[4-(4-氨基苯氧基)苯基]甲烷、4,4'-双(4-氨基苯氧基)联苯衍生的二胺残基。其中，就芳香族数、连结基及连结位置的方面而言，可优选地列举自1,3-双(4-氨基苯氧基)苯(1,3-bis(4-aminophenoxy)benzene，TPE-R)、1,3-双[2-(4-氨基苯基)-2-丙基]苯衍生的二胺残基。

(其他二胺残基)

本发明的聚酰亚胺可在不损害本发明效果的范围内含有自一般用作聚酰亚胺原料的二胺成分衍生的二胺残基。作为此种二胺残基，可列举：自1,3-二氨基苯、4-氨基苯基-4'-氨基苯甲酸酯(4-amino phenyl-4'-amino benzoate，APAB)、3,3'-二氨基二苯基甲烷、3,3'-二氨基二苯基丙烷、3,3'-二氨基二苯基硫醚、3,3'-二氨基二苯基砜、3,3'-二氨基二苯基醚、3,4'-二氨基二苯基醚、3,4'-二氨基二苯基甲烷、3,4'-二氨基二苯基丙烷、3,4'-二氨基二苯基硫醚、3,4'-二氨基二苯基砜、3,3'-二氨基二苯甲酮、3,4'-二氨基二苯甲酮、(3,3'-双氨基)二苯基胺、(3,4'-双氨基)二苯基胺、1,4-双(3-氨基苯氧基)苯、1,3-双(3-氨基苯氧基)苯、3-[4-(4-氨基苯氧基)苯氧基]苯胺、3-[3-(4-氨基苯氧基)苯氧基]苯胺、4,4'-[2-甲基-(1,3-亚苯基)双氧基]双苯胺、4,4'-[4-甲基-(1,3-亚苯基)双氧基]双苯胺、4,4'-[5-甲基-(1,3-亚苯基)双氧基]双苯胺、双[4,4'-(3-氨基苯氧基)]苯酰替苯胺、4-[3-[4-(4-氨基苯氧基)苯氧基]苯氧基]苯胺、4,4'-[氧基双(3,1-亚苯基氧基)]双苯胺、双[4-(4-氨基苯氧基)苯基]醚(bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]ether，BAPE)、双[4-(4-氨基苯氧基)苯基]砜(bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]sulfone，BAPS)、双[4-(4-氨基苯氧基)苯基]酮(bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]ketone，BAPK)、2,2-双-[4-(3-氨基苯氧基)苯基]丙烷、2,2-双[4-(4-氨基苯氧基)苯基]丙烷(2,2-bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]propane，BAPP)、双[4-(3-氨基苯氧基)苯基]砜、双[4-(3-氨基苯氧基)苯基]甲烷、双[4-(3-氨基苯氧基)苯基]醚、双[4-(3-氨基苯氧基)]二苯甲酮、9,9-双[4-(3-氨基苯氧基)苯基]芴、2,2-双-[4-(4-氨基苯氧基)苯基]六氟丙烷、2,2-双-[4-(3-氨基苯氧基)苯基]六氟丙烷、3,3'-二甲基-4,4'-二氨基联苯、4,4'-亚甲基二-邻甲苯胺、4,4'-亚甲基二-2,6-二甲苯胺、4,4'-亚甲基-2,6-二乙基苯胺、3,3'-二氨基二苯基乙烷、3,3'-二氨基联苯、3,3'-二甲氧基联苯胺、3,3”-二氨基-对三联苯、4,4'-[1,4-亚苯基双(1-甲基亚乙基)]双苯胺、4,4'-[1,3-亚苯基双(1-甲基亚乙基)]双苯胺、双(对氨基环己基)甲烷、双(对-β-氨基-叔丁基苯基)醚、双(对-β-甲基-δ-氨基戊基)苯、对-双(2-甲基-4-氨基戊基)苯、对-双(1,1-二甲基-5-氨基戊基)苯、1,5-二氨基萘、2,6-二氨基萘、2,4-双(β-氨基-叔丁基)甲苯、2,4-二氨基甲苯、间二甲苯-2,5-二胺、对二甲苯-2,5-二胺、间亚二甲苯基二胺、对亚二甲苯基二胺、2,6-二氨基吡啶、2,5-二氨基吡啶、2,5-二氨基-1,3,4-恶二唑、哌嗪、2'-甲氧基-4,4'-二氨基苯酰替苯胺、4,4'-二氨基苯酰替苯胺、1,3-双[2-(4-氨基苯基)-2-丙基]苯、1,4-双[2-(4-氨基苯基)-2-丙基]苯、1,4-双(4-氨基苯氧基)-2,5-二-叔丁基苯、6-氨基-2-(4-氨基苯氧基)苯并恶唑、2,6-二氨基-3,5-二乙基甲苯、2,4-二氨基-3,5-二乙基甲苯、2,4-二氨基-3,3'-二乙基-5,5'-二甲基二苯基甲烷、双(4-氨基-3-乙基-5-甲基苯基)甲烷等芳香族二胺化合物衍生的二胺残基；自二聚酸的两个末端羧酸基被取代为一级氨基甲基或氨基而成的二聚酸型二胺等脂肪族二胺化合物衍生的二胺残基等。

(酸二酐残基)

构成本发明的聚酰亚胺的酸二酐残基在全部酸二酐残基中含有自均苯四甲酸二酐衍生的酸二酐残基(PMDA残基)、以及自分子内具有酮基(-CO-)的四羧酸二酐衍生的酸二酐残基(以下，有时记为“含酮基的残基”)。

此处，PMDA残基在结构上平面性与刚性优异，可增大分子链间的堆积性，从而可降低聚酰亚胺的介电损耗角正切。另外，可将高温下的弹性模量维持在比较高的水平，可期待抑制发泡现象的产生。然而，若仅为PMDA残基，则分子链的缠绕少，与金属层的剥离强度容易降低，另外，与其他聚酰亚胺层之间的层间粘接降低，因此容易产生发泡现象。另一方面，含酮基的残基具有酮基，因此通过与邻接地层叠的聚酰亚胺层中所含的官能基的相互作用或化学反应而提高聚酰亚胺层间的粘接性，可抑制发泡现象的产生。另外，通过并用两种以上的酸二酐残基而提高分子链的缠绕，可期待剥离强度提高。另外，由于分子排列的规则性降低，对电场的运动性受到抑制，也可期待低介电损耗角正切化。

因此，在本发明的聚酰亚胺中，为了均衡地实现低介电损耗角正切、抑制发泡现象以及提高剥离强度而并用PMDA残基以及含酮基的残基作为酸二酐残基。

在全部酸二酐残基中，含有5摩尔％以上且90摩尔％以下、优选为20摩尔％以上且80摩尔％以下的此种PMDA残基。PMDA残基在全部酸二酐残基中的含量若低于所述范围，则担心介电特性、300℃及350℃下的存储弹性模量的降低，若超过所述范围，则容易产生发泡现象，另外，剥离强度有降低的倾向。

另外，在全部酸二酐残基中，含有10摩尔％以上且95摩尔％以下、优选为20摩尔％以上且80摩尔％以下的含酮基的残基。含酮基的残基在全部酸二酐残基中的含量若低于所述范围，则发泡现象的抑制、剥离强度的提高变得困难，若超过所述范围，则介电特性有降低的倾向。

此处，作为含酮基的残基，例如可列举自3,3',4,4'-二苯甲酮四羧酸二酐(3,3',4,4'-benzophenone tetracarboxylic dianhydride，BTDA)、2,3',3,4'-二苯甲酮四羧酸二酐、2,2',3,3'-二苯甲酮四羧酸二酐、4,4'-(对苯二羰基)二邻苯二甲酸二酐、4,4'-(间苯二羰基)二邻苯二甲酸二酐等衍生的酸二酐残基。它们中，优选为自3,3',4,4'-二苯甲酮四羧酸二酐(BTDA)衍生的酸二酐残基。另外，作为具有与酮基进行相互作用的性质的官能基，只要为可与酮基之间产生例如基于分子间力的物理性相互作用、或基于共价键的化学性相互作用等的官能基，则并无特别限制，作为其代表例，可列举氨基(-NH₂)。

在本发明的聚酰亚胺中，全部酸二酐残基中的PMDA残基以及含酮基的残基的各自的含量如上所述，但为了均衡地实现低介电损耗角正切化、抑制发泡现象的产生以及提高剥离强度，两者的合计优选为80摩尔％以上，更优选为90摩尔％以上。

(其他酸二酐残基)

本发明的聚酰亚胺可在不损害本发明效果的范围内含有除PMDA残基与含酮基的残基以外的、自一般用作聚酰亚胺原料的酸二酐衍生的酸二酐残基。作为此种酸二酐残基，例如可列举自1,4-亚苯基双(偏苯三甲酸单酯)二酐(1,4-phenylene bis(trimelliticacid monoester)dianhydride，TAHQ)、2,3,6,7-萘四羧酸二酐(2,3,6,7-naphthalenetetracarboxylic dianhydride，NTCDA)、3,3',4,4'-二苯基砜四羧酸二酐、4,4'-氧基二邻苯二甲酸二酐、2,2',3,3'-二苯甲酮四羧酸二酐、2,3,3',4'-二苯甲酮四羧酸二酐、2,3',3,4'-二苯基醚四羧酸二酐、双(2,3-二羧基苯基)醚二酐、3,3”,4,4”-对三联苯四羧酸二酐、2,3,3”,4”-对三联苯四羧酸二酐或2,2”,3,3”-对三联苯四羧酸二酐、2,2-双(2,3-二羧基苯基)-丙烷二酐或2,2-双(3,4-二羧基苯基)-丙烷二酐、双(2,3-二羧基苯基)甲烷二酐或双(3,4-二羧基苯基)甲烷二酐、双(2,3-二羧基苯基)砜二酐或双(3,4-二羧基苯基)砜二酐、1,1-双(2,3-二羧基苯基)乙烷二酐或1,1-双(3,4-二羧基苯基)乙烷二酐、1,2,7,8-菲-四羧酸二酐、1,2,6,7-菲-四羧酸二酐或1,2,9,10-菲-四羧酸二酐、2,3,6,7-蒽四羧酸二酐、2,2-双(3,4-二羧基苯基)四氟丙烷二酐、2,3,5,6-环己烷二酐、1,2,5,6-萘四羧酸二酐、1,4,5,8-萘四羧酸二酐、4,8-二甲基-1,2,3,5,6,7-六氢萘-1,2,5,6-四羧酸二酐、2,6-二氯萘-1,4,5,8-四羧酸二酐或2,7-二氯萘-1,4,5,8-四羧酸二酐、2,3,6,7-(或1,4,5,8-)四氯萘-1,4,5,8-(或2,3,6,7-)四羧酸二酐、2,3,8,9-苝-四羧酸二酐、3,4,9,10-苝-四羧酸二酐、4,5,10,11-苝-四羧酸二酐或5,6,11,12-苝-四羧酸二酐、环戊烷-1,2,3,4-四羧酸二酐、吡嗪-2,3,5,6-四羧酸二酐、吡咯烷-2,3,4,5-四羧酸二酐、噻吩-2,3,4,5-四羧酸二酐、4,4'-双(2,3-二羧基苯氧基)二苯基甲烷二酐、乙二醇双偏苯三酸酐等芳香族四羧酸二酐衍生的酸二酐残基。

(酸二酐残基与二胺残基的比率)

在本发明的聚酰亚胺中，相对于全部酸二酐残基的含量与全部二胺残基的含量的合计，作为刚性单体的通式(1)所表示的自二胺化合物衍生的二胺残基的含量与PMDA残基的含量的合计(T1)理想的是90摩尔％以上。若为90摩尔％以上，则通过平面性的提高以及分子链间的堆积性的提高，可将高温下的存储弹性模量维持得高。另外，理想的是相对于作为弯曲性单体的通式(2)～通式(5)所表示的自二胺化合物衍生的二胺残基的至少一种二胺残基的含量(T2)，所述作为刚性单体的通式(1)所表示的自二胺化合物衍生的二胺残基的含量与PMDA残基的含量的合计(T1)的比率(T1/T2)大于1。通过所述比率超过1，与弯曲性单体相比，刚性的单体比例变多，分子链的运动受到抑制，因此可将介电损耗角正切抑制得更低。

(聚酰亚胺的任意成分)

本发明的聚酰亚胺根据需要可含有无机填料或有机填料。具体而言，例如可列举：二氧化硅、氧化铝、氧化镁、氧化铍、氮化硼、氮化铝、氮化硅、氟化铝、氟化钙等无机填料或者氟系聚合物粒子或液晶聚合物粒子等有机填料。它们可使用一种或混合使用两种以上。

(聚酰亚胺的存储弹性模量)

本发明的聚酰亚胺的使用动态粘弹性测定装置(DMA)测定的、在300℃下的存储弹性模量E'为1.0×10⁸Pa以上，优选为5.0×10⁸Pa以上，且350℃下的存储弹性模量E'为1.0×10⁷Pa以上。另外，通过将300℃下的存储弹性模量E'设为1.0×10⁸Pa以上、且将350℃下的存储弹性模量E'设为1.0×10⁷Pa以上，可抑制在热处理时因溶媒或酰亚胺化水的气化引起的体积膨胀而产生发泡现象。

(聚酰亚胺的重量平均分子量)

本发明的聚酰亚胺的重量平均分子量优选为10,000以上且400,000以下，更优选为50,000以上且350,000以下。重量平均分子量若低于所述范围，则聚酰亚胺的膜容易脆化，若超过所述范围，则粘度增加，担心在涂敷时导致厚度不均、条纹等不良。重量平均分子量的测定可利用凝胶渗透色谱装置进行。

(聚酰亚胺的介电损耗角正切与相对介电常数)

本发明的聚酰亚胺在10GHz下的介电损耗角正切(Tanδ)优选为0.006以下，更优选为0.0055以下，进而优选为0.005以下。通过将介电损耗角正切设为0.006以下，在将聚酰亚胺用作电路基板的绝缘树脂层的情况下，可减少高频信号传输时的介电损耗。关于聚酰亚胺的介电损耗角正切(Tanδ)的调整，主要可利用构成聚酰亚胺的聚酰亚胺中的酸二酐残基及二胺残基的种类或存在比例、酰亚胺基比例、酰亚胺化步骤中的热处理条件来进行调节。介电损耗角正切的测定可使用分离柱电介质谐振器(split post dielectric resonator，SPDR)来进行。此外，10GHz下的介电损耗角正切的下限值并无特别限制。

另外，本发明的聚酰亚胺的相对介电常数可与介电损耗角正切同样地使用分离柱电介质谐振器(SPDR)来测定，10GHz下的相对介电常数优选为4.0以下，更优选为3.8以下。通过将利用SPDR测得的相对介电常数设为4.0以下，在将聚酰亚胺用作电路基板的绝缘树脂层的情况下，可抑制介电损耗的劣化，从而抑制高频信号的传输路径上的电信号的损失。聚酰亚胺的相对介电常数主要可利用构成聚酰亚胺的聚酰亚胺中的酸二酐残基及二胺残基的种类或存在比例、酰亚胺基比例、酰亚胺化步骤中的热处理条件来调节。

(聚酰亚胺的热膨胀系数)

本发明的聚酰亚胺的热膨胀系数(coefficient of thermal expansion，CTE)优选为60ppm/K以下，更优选为30ppm/K以上且55ppm/K以下。通过将热膨胀系数设为60ppm/K以下，金属包覆层叠板的尺寸变化率的控制变得容易。关于聚酰亚胺的热膨胀系数(CTE)的调整，主要可利用构成聚酰亚胺的聚酰亚胺中的酸二酐残基及二胺残基的种类或存在比例、酰亚胺化步骤中的热处理条件来调节。热膨胀系数的测定可利用热机械分析装置(thermomechanical analysis，TMA)来进行。

(聚酰亚胺的制造)

本发明的聚酰亚胺可通过常规方法来制造。例如，可通过使酸二酐成分与二胺成分在溶媒中反应，生成聚酰胺酸后使其加热闭环来制造。具体而言，通过使酸二酐成分与二胺成分以约0.8～1.2的摩尔比率溶解于有机溶媒中，在0℃～100℃的范围内的温度下搅拌30分钟～24小时来进行聚合反应，由此获取作为聚酰亚胺的前体的聚酰胺酸。进行此反应时，以要生成的前体在有机溶媒中成为5重量％～30重量％的范围内、优选为10重量％～20重量％的范围内的方式溶解反应成分。作为聚合反应中使用的有机溶媒，例如可使用：N,N-二甲基甲酰胺(N,N-dimethyl formamide，DMF)、N,N-二甲基乙酰胺(N,N-dimethylacetamide，DMAc)、N,N-二乙基乙酰胺、N-甲基-2-吡咯烷酮(N-methyl-2-pyrrolidone，NMP)、2-丁酮、二甲基亚砜(dimethyl sulfoxide，DMSO)、六甲基磷酰胺、N-甲基己内酰胺、硫酸二甲酯、环己酮、二恶烷、四氢呋喃、二乙二醇二甲醚、三乙二醇二甲醚、甲酚等。也可将这些溶媒并用两种以上来使用，也可进而并用二甲苯、甲苯之类的芳香族烃。另外，此种有机溶媒的使用量并无特别限制，优选为调整为通过聚合反应而获得的聚酰胺酸溶液的浓度成为5重量％～30重量％左右的使用量来使用。

所获得的聚酰胺酸通常有利地用作反应溶媒溶液，但视需要可进行浓缩、稀释或者置换为其他有机溶媒。另外，聚酰胺酸一般而言溶媒可溶性优异，因此可有利地使用。聚酰胺酸的溶液的粘度优选为500cps～100,000cps的范围内。若脱离所述范围，则在利用涂布机等进行涂敷作业时，膜上容易产生厚度不均、条纹等不良。使聚酰胺酸进行酰亚胺化而合成聚酰亚胺的方法并无特别限制，例如可优选地采用如下的热处理：在所述溶媒中，在80℃～400℃的范围内的温度条件下历时0.1小时～24小时进行加热。

[金属包覆层叠板]

本发明的金属包覆层叠板为包括绝缘树脂层、以及层叠于所述绝缘树脂层的单面或两面的金属层的金属包覆层叠板，所述绝缘树脂层具有包含与所述金属层相接的聚酰亚胺层(A)的多个聚酰亚胺层，构成聚酰亚胺层(A)的聚酰亚胺为上述本发明的聚酰亚胺。因此，本发明的金属包覆层叠板继承了本发明的聚酰亚胺的效果，从而显示出低的介电损耗角正切，在金属层与绝缘树脂层之间表现出良好的剥离强度(例如0.8kN/m以上)，进而，当利用浇铸法将聚酰胺酸层制成聚酰亚胺层时，可抑制产生发泡现象的情况。因此，可提高使用本发明的金属包覆层叠板制造FPC等电路基板时的良率或所获得的电路基板的可靠性。

本发明的绝缘树脂层可还具有直接层叠于聚酰亚胺层(A)的聚酰亚胺层(B)。由此，可增厚绝缘树脂层厚，且可通过层叠热膨胀系数(CTE)低的聚酰亚胺层(B)来控制金属包覆层叠板的尺寸变化率。此处，为了降低聚酰亚胺层整体的介电损耗角正切，理想的是构成聚酰亚胺层(B)的聚酰亚胺含有自四羧酸二酐成分衍生的酸二酐残基、以及自二胺成分衍生的二胺残基，且在全部酸二酐残基与全部二胺残基的合计中，含有优选为55摩尔％以上、更优选为60摩尔％以上且80摩尔％以下的具有联苯骨架的残基(含联苯骨架的酸二酐残基、含联苯骨架的二胺残基)。若由此种成分构成聚酰亚胺，则透气性会劣化，在与聚酰亚胺层(A)之间滞留溶剂或酰亚胺化水，因此容易产生发泡，但通过应用本发明的聚酰亚胺，即便聚酰亚胺层(B)的透气性低，也可有效地抑制发泡现象的产生。

作为具有联苯骨架的残基，例如可列举自2,2'-二甲基-4,4'-二氨基联苯(m-TB)、2,2'-二乙基-4,4'-二氨基联苯(2,2'-diethyl-4,4'-diamino biphenyl，m-EB)、2,2'-二乙氧基-4,4'-二氨基联苯(2,2'-diethoxy-4,4'-diamino biphenyl，m-EOB)、2,2'-二丙氧基-4,4'-二氨基联苯(2,2'-dipropoxy-4,4'-diamino biphenyl，m-POB)、2,2'-二丙基-4,4'-二氨基联苯(2,2'-dipropyl-4,4'-diamino biphenyl，m-NPB)、2,2'-二乙烯基-4,4'-二氨基联苯(2,2'-divinyl-4,4'-diamino biphenyl，VAB)、4,4'-二氨基联苯、3,3',4,4'-联苯四羧酸二酐、2,3',3,4'-联苯四羧酸二酐、2,2',3,3'-联苯四羧酸二酐、双(1,3-二氧代-1,3-二氢异苯并呋喃-5-羧酸)-1,1-联苯-4,4'-二基、双(1,3-二氧代-1,3-二氢异苯并呋喃-5-羧酸)-2,2',3,3',5,5'-六甲基联苯-4,4'-二基等衍生的二胺残基或酸二酐残基。

本发明的金属包覆层叠板中的聚酰亚胺层(A)的厚度并无特别限制，例如优选为1μm～15μm的范围内，更优选为2μm～10μm的范围内。

聚酰亚胺层(B)除了含有具有联苯骨架的残基之外，也可含有自构成聚酰亚胺层(A)的本发明的聚酰亚胺的酸二酐残基及二胺残基中适当选择的残基。关于其厚度，具有相对于绝缘树脂层的总厚度而优选为50％以上、更优选为60％以上的厚度。另外，为了确保绝缘树脂层整体的尺寸稳定性，聚酰亚胺层(B)优选为热膨胀系数(CTE)为30ppm/K以下、优选为-5ppm/K～25ppm/K的范围内的低热膨胀性树脂层。

(金属层)

构成本发明的金属包覆层叠板的金属层并无特别限制，例如可列举：铜、不锈钢、铁、镍、铍、铝、锌、铟、银、金、锡、锆、钽、钛、铅、镁、锰及它们的合金等。其中，特别优选为铜或铜合金。此外，后述的电路基板中的配线层的材质也与金属层相同。

金属层的厚度并无特别限定，例如在使用以铜箔为代表的金属箔的情况下，优选为35μm以下，更优选为以5μm以上且25μm以下的范围内为宜。就生产稳定性及处理性的观点而言，金属箔的厚度的下限值优选为设为5μm。此外，在使用铜箔的情况下，可为压延铜箔，也可为电解铜箔。另外，作为铜箔，可使用市售的铜箔。

另外，金属层的与聚酰亚胺层(A)相接的面的十点平均粗糙度(Rzjis)优选为1.2μm以下，更优选为1.0μm以下。在金属层以金属箔为原料的情况下，通过将表面粗糙度Rzjis设为1.2μm以下，可进行与高密度安装对应的微细配线加工，另外，可减少高频信号传输时的传输损失，因此可应用于高频信号传输用的电路基板。

另外，关于金属层，例如也可预先实施防锈处理或以提高粘接力为目的而利用例如壁板(siding)、烃氧基铝、铝螯合物、硅烷偶合剂等实施表面处理。

本发明的金属包覆层叠板可依照常规方法来制造，例如，可例示以下的[1]、[2]的方法。

[1]在作为金属层的金属箔上进行一次或重复进行多次聚酰胺酸溶液的涂布、干燥后，进行酰亚胺化，从而制造形成有聚酰亚胺绝缘层的金属包覆层叠板的方法。

[2]在作为金属层的金属箔上，通过多层挤出而以同时层叠多层的状态进行聚酰胺酸溶液的涂布、干燥后，进行酰亚胺化，由此制造形成有聚酰亚胺绝缘层的金属包覆层叠板的方法(以下称为多层挤出法)。

所述[1]的方法例如可包括以下的步骤(1a)、步骤(1b)：

(1a)在金属箔上涂布聚酰胺酸溶液并使其干燥的步骤；以及

(1b)在金属箔上对聚酰胺酸进行热处理以进行酰亚胺化，由此形成聚酰亚胺层(A)的步骤。

此情况下，通过调整步骤(1a)的干燥步骤中的加热条件、以及特别是步骤(1b)的酰亚胺化时的加热条件，可控制聚酰亚胺的面内取向，从而控制聚酰亚胺的双折射率或CTE等特性。

在所述[1]的方法中，关于作为构成聚酰亚胺层(A)的聚酰亚胺的前体的聚酰胺酸溶液与作为构成聚酰亚胺层(B)的聚酰亚胺的前体的聚酰胺酸溶液，通过反复进行步骤(1a)，可在金属箔上形成聚酰胺酸的层叠结构体。此外，将聚酰胺酸溶液涂布于金属箔上的方法并无特别限制，例如可利用缺角轮涂布机、模涂机、刮刀涂布机、模唇涂布机等进行涂布。

关于所述[2]的方法，除了在所述[1]的方法的步骤(1a)中，通过多层挤出而同时涂布作为构成聚酰亚胺层(A)的聚酰亚胺的前体的聚酰胺酸溶液与作为构成聚酰亚胺层(B)的聚酰亚胺的前体的聚酰胺酸溶液并使它们干燥以外，可与所述[1]的方法同样地实施。

像这样制造的金属包覆层叠板是在金属箔上完成聚酰胺酸的酰亚胺化，由此，聚酰胺酸的树脂层在固定于金属箔的状态下被酰亚胺化，因此可抑制酰亚胺化过程中的聚酰亚胺层的伸缩变化，从而维持聚酰亚胺绝缘层的厚度或尺寸精度。

[电路基板]

本发明的金属包覆层叠板主要有效用作FPC等的电路基板材料。通过常规方法将金属包覆层叠板的金属层加工成图案状而形成配线层，由此可制造作为本发明实施的一个形态的电路基板。即，将本发明的金属包覆层叠板的金属层加工成配线的电路基板也成为本发明的一个实施方式。

[实施例]

以下示出实施例，对本发明的特征进行更具体说明。但是，本发明的范围并不限定于实施例。此外，在以下的实施例中，只要无特别说明，则各种测定、评价基于下述内容。

[粘度测定]

关于树脂的粘度，使用E型粘度计(博勒菲(Brookfield)公司制造，商品名：DV-II+Pro)来测定25℃下的粘度。以扭矩成为10％～90％的方式设定转速，在开始测定起经过2分钟后，读取粘度稳定时的值。

[相对介电常数与介电损耗角正切的测定]

使用向量网络分析仪(vector network analyzer)(安捷伦(Agilent)公司制造，商品名：E8363C)及分离柱电介质谐振器(SPDR谐振器)，测定频率10GHz下的聚酰亚胺膜的相对介电常数及介电损耗角正切。此外，测定中所使用的聚酰亚胺膜是在温度：24℃～26℃、湿度：45％～55％的条件下放置24小时后的聚酰亚胺膜。

[存储弹性模量的测定]

存储弹性模量是对于5mm×35mm的大小的聚酰亚胺膜，使用动态粘弹性测定装置(DMA：TA仪器(TA Instruments)公司制造，商品名：RSA3)，在将30℃至400℃的升温速度设为4℃/min、频率1Hz的条件下进行测定。

[剥离强度的测定]

准备将单面铜包覆层叠板(铜箔/聚酰亚胺层)的铜箔电路加工成宽1.0mm的样品，利用两面胶带将聚酰亚胺层的表面固定于铝板上，使用滕喜龙(Tensilon)试验机(东洋精机制作所制造，商品名：斯特格拉夫(Strograph)VE-1D)进行测定。将铜箔在180°方向上以50mm/min的速度来拉伸，求出剥离了10mm时的中央值强度。

[热膨胀系数(CTE)的测定]

对于3mm×20mm的大小的聚酰亚胺膜，使用热机械分析装置(日立高新技术科学(Hitachi High-Tech Science)公司制造，商品名：TMA6100)，一边施加5.0g的荷重，一边以一定的升温速度自30℃升温至270℃，进而在所述温度下保持10分钟后，以5℃/min的速度进行冷却，求出自250℃至100℃的平均热膨胀系数(热膨胀系数)。

[表面粗糙度的测定]

依据日本工业标准(Japanese Industrial Standards，JIS)B 0601，使用触针式表面粗糙度测定器(科天(KLA-TENCOR)公司制造，商品名：P-10)，在测定宽度80μm的条件下测定Rz。

在以下的合成例、实施例及比较例中使用的代号表示以下化合物。

m-TB：2,2'-二甲基-4,4'-二氨基联苯

TPE-R：1,3-双(4-氨基苯氧基)苯

4,4'-DAPE：4,4'-二氨基二苯基醚

PMDA：均苯四甲酸二酐

BPDA：3,3',4,4'-联苯四羧酸二酐

BTDA：3,3',4,4'-二苯甲酮四羧酸二酐

DMAc：N,N-二甲基乙酰胺

[合成例1]

(聚酰胺酸溶液A的制备)

向1000ml的可分离式烧瓶中投入45.989g的m-TB(216.63mmol)、15.832g的TPE-R(54.16mmol)、680g的DMAc，在室温、氮气流下进行搅拌。在完全溶解后，添加58.179g的PMDA(266.73mmol)，在室温下搅拌4小时而获得聚酰胺酸溶液A。所获得的聚酰胺酸溶液A的粘度为22,000cP。

[合成例2]

(聚酰胺酸溶液B的制备)

向300ml的可分离式烧瓶中投入9.746g的TPE-R(33.34mmol)、1.769g的m-TB(8.33mmol)、176g的DMAc，在室温、氮气流下进行搅拌。在完全溶解后，添加10.678g的BTDA(33.14mmol)、1.807g的PMDA(8.28mmol)，在室温下搅拌4小时而获得聚酰胺酸溶液B。所获得的聚酰胺酸溶液B的粘度为3,016cP。将所获得的聚酰胺酸溶液B涂布于铜箔上后，在140℃以下进行加热干燥而去除溶媒。进而，自150℃至360℃为止进行阶段性的热处理，完成酰亚胺化。对于所获得的金属包覆层叠板，使用氯化铁水溶液对铜箔进行蚀刻去除，从而获得厚度20μm的聚酰亚胺膜。将所获得的聚酰亚胺膜的物性示于表1中。

[合成例3]

(聚酰胺酸溶液C的制备)

向300ml的可分离式烧瓶中投入10.301g的TPE-R(35.24mmol)、1.870g的m-TB(8.81mmol)、176g的DMAc，在室温、氮气流下进行搅拌。在完全溶解后，添加7.054g的BTDA(21.89mmol)、4.775g的PMDA(21.89mmol)，在室温下搅拌4小时而获得聚酰胺酸溶液C。所获得的聚酰胺酸溶液C的粘度为3,058cP。将与合成例2同样地制作的聚酰亚胺膜的物性示于表1中。

[合成例4]

(聚酰胺酸溶液D的制备)

向300ml的可分离式烧瓶中投入10.923g的TPE-R(37.37mmol)、1.983g的m-TB(9.34mmol)、176g的DMAc，在室温、氮气流下进行搅拌。在完全溶解后，添加2.992g的BTDA(9.29mmol)、8.101g的PMDA(37.14mmol)，在室温下搅拌4小时而获得聚酰胺酸溶液D。所获得的聚酰胺酸溶液D的粘度为2,453cP。将与合成例2同样地制作的聚酰亚胺膜的物性示于表1中。

[合成例5]

(聚酰胺酸溶液E的制备)

向300ml的可分离式烧瓶中投入7.162g的TPE-R(24.50mmol)、5.201g的m-TB(24.50mmol)、176g的DMAc，在室温、氮气流下进行搅拌。在完全溶解后，添加3.139g的BTDA(9.74mmol)、8.499g的PMDA(38.96mmol)，在室温下搅拌4小时而获得聚酰胺酸溶液E。所获得的聚酰胺酸溶液E的粘度为8,541cP。将与合成例2同样地制作的聚酰亚胺膜的物性示于表1中。

[合成例6]

(聚酰胺酸溶液F的制备)

向300ml的可分离式烧瓶中投入2.658g的TPE-R(9.09mmol)、7.721g的m-TB(36.37mmol)、176g的DMAc，在室温、氮气流下进行搅拌。在完全溶解后，添加11.649g的BTDA(36.15mmol)、1.971g的PMDA(9.04mmol)，在室温下搅拌4小时而获得聚酰胺酸溶液F。所获得的聚酰胺酸溶液F的粘度为4,651cP。将与合成例2同样地制作的聚酰亚胺膜的物性示于表1中。

[合成例7]

(聚酰胺酸溶液G的制备)

向300ml的可分离式烧瓶中投入2.830g的TPE-R(9.68mmol)、8.221g的m-TB(38.73mmol)、176g的DMAc，在室温、氮气流下进行搅拌。在完全溶解后，添加7.721g的BTDA(23.96mmol)、5.227g的PMDA(23.96mmol)，在室温下搅拌4小时而获得聚酰胺酸溶液G。所获得的聚酰胺酸溶液G的粘度为5,690cP。将与合成例2同样地制作的聚酰亚胺膜的物性示于表1中。

[合成例8]

(聚酰胺酸溶液H的制备)

向300ml的可分离式烧瓶中投入3.019g的TPE-R(10.33mmol)、8.768g的m-TB(41.30mmol)、176g的DMAc，在室温、氮气流下进行搅拌。在完全溶解后，添加3.294g的BTDA(10.22mmol)、8.919g的PMDA(40.89mmol)，在室温下搅拌4小时而获得聚酰胺酸溶液H。所获得的聚酰胺酸溶液H的粘度为6,890cP。将与合成例2同样地制作的聚酰亚胺膜的物性示于表1中。

[合成例9]

(聚酰胺酸溶液I的制备)

向300ml的可分离式烧瓶中投入5.415g的4,4'-DAPE(27.04mmol)、5.740g的m-TB(27.04mmol)、176g的DMAc，在室温、氮气流下进行搅拌。在完全溶解后，添加3.464g的BTDA(10.75mmol)、9.380g的PMDA(43.01mmol)，在室温下搅拌4小时而获得聚酰胺酸溶液I。所获得的聚酰胺酸溶液I的粘度为7,956cP。将与合成例2同样地制作的聚酰亚胺膜的物性示于表1中。

[合成例10]

(聚酰胺酸溶液J的制备)

向300ml的可分离式烧瓶中投入10.841g的TPE-R(37.09mmol)、1.389g的m-TB(6.54mmol)、176g的DMAc，在室温、氮气流下进行搅拌。在完全溶解后，添加8.932g的BPDA(30.36mmol)、2.838g的PMDA(13.01mmol)，在室温下搅拌4小时而获得聚酰胺酸溶液J。所获得的聚酰胺酸溶液J的粘度为6,862cP。将与合成例2同样地制作的聚酰亚胺膜的物性示于表1中。

[合成例11]

(聚酰胺酸溶液K的制备)

向300ml的可分离式烧瓶中投入11.452g的TPE-R(39.18mmol)、176g的DMAc，在室温、氮气流下进行搅拌。在完全溶解后，添加12.548g的BTDA(38.94mmol)，在室温下搅拌4小时而获得聚酰胺酸溶液K。所获得的聚酰胺酸溶液K的粘度为3,794cP。将与合成例2同样地制作的聚酰亚胺膜的物性示于表1中。

[合成例12]

(聚酰胺酸溶液L的制备)

向300ml的可分离式烧瓶中投入12.064g的TPE-R(41.27mmol)、176g的DMAc，在室温、氮气流下进行搅拌。在完全溶解后，添加9.252g的BTDA(28.71mmol)、2.684g的PMDA(12.31mmol)，在室温下搅拌4小时而获得聚酰胺酸溶液L。所获得的聚酰胺酸溶液L的粘度为3,699cP。将与合成例2同样地制作的聚酰亚胺膜的物性示于表1中。

[合成例13]

(聚酰胺酸溶液M的制备)

向300ml的可分离式烧瓶中投入12.509g的TPE-R(42.79mmol)、176g的DMAc，在室温、氮气流下进行搅拌。在完全溶解后，添加6.853g的BTDA(21.27mmol)、4.639g的PMDA(21.27mmol)，在室温下搅拌4小时而获得聚酰胺酸溶液M。所获得的聚酰胺酸溶液M的粘度为3,534cP。将与合成例2同样地制作的聚酰亚胺膜的物性示于表1中。

[合成例14]

(聚酰胺酸溶液N的制备)

向300ml的可分离式烧瓶中投入13.242g的TPE-R(45.30mmol)、176g的DMAc，在室温、氮气流下进行搅拌。在完全溶解后，添加2.902g的BTDA(9.01mmol)、7.857g的PMDA(36.02mmol)，在室温下搅拌4小时而获得聚酰胺酸溶液N。所获得的聚酰胺酸溶液N的粘度为3,396cP。将与合成例2同样地制作的聚酰亚胺膜的物性示于表1中。

[合成例15]

(聚酰胺酸溶液O的制备)

向300ml的可分离式烧瓶中投入7.492g的TPE-R(25.63mmol)、5.440g的m-TB(25.63mmol)、176g的DMAc，在室温、氮气流下进行搅拌。在完全溶解后，添加11.068g的PMDA(50.74mmol)，在室温下搅拌4小时而获得聚酰胺酸溶液O。所获得的聚酰胺酸溶液O的粘度为7,811cP。将与合成例2同样地制作的聚酰亚胺膜的物性示于表1中。

[合成例16]

(聚酰胺酸溶液P的制备)

向300ml的可分离式烧瓶中投入10.656g的m-TB(50.19mmol)、176g的DMAc，在室温、氮气流下进行搅拌。在完全溶解后，添加7.958g的BTDA(24.70mmol)、5.387g的PMDA(24.70mmol)，在室温下搅拌4小时而获得聚酰胺酸溶液P。所获得的聚酰胺酸溶液P的粘度为7,923cP。将与合成例2同样地制作的聚酰亚胺膜的物性示于表1中。

[表1]

[实施例1]

在厚度为12μm、表面粗糙度Rz为0.4μm的铜箔上，以硬化后的厚度成为2μm的方式涂布聚酰胺酸溶液B后，在140℃以下进行加热干燥而去除溶媒。自其上，以硬化后的厚度成为21μm的方式涂布聚酰胺酸溶液A后，在140℃以下进行加热干燥而去除溶媒。进而，自其上，以硬化后的厚度成为2μm的方式涂布聚酰胺酸溶液B后，在140℃以下进行加热干燥而去除溶媒。之后，自140℃至360℃为止进行阶段性的升温以进行酰亚胺化，从而制备铜包覆层叠板1a。对所获得的铜包覆层叠板1a进行与铜箔的粘接性评价，结果剥离强度为0.70kN/m。另外，作为发泡评价，将自140℃至360℃为止的升温时间设为一半，除此以外，与铜包覆层叠板1a同样地制备铜包覆层叠板1b，但并未确认到发泡。

[实施例2]

使用聚酰胺酸溶液C代替聚酰胺酸溶液B，除此以外，与实施例1同样地进行与铜箔的粘接性、发泡的评价，结果剥离强度为0.76kN/m。另外，未确认到发泡现象。

[实施例3]

使用聚酰胺酸溶液D代替聚酰胺酸溶液B，除此以外，与实施例1同样地进行与铜箔的粘接性、发泡的评价，结果剥离强度为0.70kN/m。另外，未确认到发泡现象。

[实施例4]

使用聚酰胺酸溶液E代替聚酰胺酸溶液B，除此以外，与实施例1同样地进行与铜箔的粘接性、发泡的评价，结果剥离强度为0.85kN/m。另外，未确认到发泡现象。

[实施例5]

使用聚酰胺酸溶液F代替聚酰胺酸溶液B，除此以外，与实施例1同样地进行与铜箔的粘接性、发泡的评价，结果剥离强度为0.70kN/m。另外，未确认到发泡现象。

[实施例6]

使用聚酰胺酸溶液G代替聚酰胺酸溶液B，除此以外，与实施例1同样地进行与铜箔的粘接性、发泡的评价，结果剥离强度为0.71kN/m。另外，未确认到发泡现象。

[实施例7]

使用聚酰胺酸溶液H代替聚酰胺酸溶液B，除此以外，与实施例1同样地进行与铜箔的粘接性、发泡的评价，结果剥离强度为0.72kN/m。未确认到发泡现象。

[实施例8]

使用聚酰胺酸溶液I代替聚酰胺酸溶液B，除此以外，与实施例1同样地进行与铜箔的粘接性、发泡的评价，结果剥离强度为0.80kN/m。另外，未确认到发泡现象。

[比较例1]

使用聚酰胺酸溶液J代替聚酰胺酸溶液B，除此以外，与实施例1同样地进行与铜箔的粘接性、发泡的评价，结果剥离强度为0.89kN/m，但确认到发泡现象。

[比较例2]

使用聚酰胺酸溶液K代替聚酰胺酸溶液B，除此以外，与实施例1同样地进行与铜箔的粘接性、发泡的评价，结果剥离强度为0.57kN/m。此外，未确认到发泡现象。

[比较例3]

使用聚酰胺酸溶液L代替聚酰胺酸溶液B，除此以外，与实施例1同样地进行与铜箔的粘接性、发泡的评价，结果剥离强度为0.78kN/m。此外，未确认到发泡现象。

[比较例4]

使用聚酰胺酸溶液M代替聚酰胺酸溶液B，除此以外，与实施例1同样地进行与铜箔的粘接性、发泡的评价，结果剥离强度为0.77kN/m。此外，未确认到发泡现象。

[比较例5]

使用聚酰胺酸溶液N代替聚酰胺酸溶液B，除此以外，与实施例1同样地进行与铜箔的粘接性、发泡的评价，结果剥离强度为0.78kN/m。此外，确认到发泡现象。

[比较例6]

使用聚酰胺酸溶液O代替聚酰胺酸溶液B，除此以外，与实施例1同样地进行与铜箔的粘接性、发泡的评价，结果剥离强度为0.50kN/m。另外，确认到发泡现象。

[比较例7]

使用聚酰胺酸溶液P代替聚酰胺酸溶液B，除此以外，与实施例1同样地进行与铜箔的粘接性、发泡的评价，结果剥离强度为0.50kN/m。此外，未确认到发泡现象。

根据以上的结果，在与铜箔相接的聚酰亚胺层在规定的单体比率内形成、300℃下的存储弹性模量E'为1.0×10⁸Pa以上且350℃下的存储弹性模量E'为1.0×10⁷Pa以上的实施例1～实施例8中，介电特性、剥离强度良好，且未确认到发泡现象。

另一方面，在不包含自分子内具有酮基的四羧酸二酐衍生的酸二酐残基的比较例1中确认到发泡现象，未以规定的比例包含m-TB、TPE-R作为二胺成分的比较例2～比较例5、比较例7的介电特性并不良好。另外，未使用BTDA作为酸二酐成分的比较例5中确认到发泡现象。另外，仅包含单一成分作为酸二酐成分的比较例2、比较例6、及仅包含比较刚性的m-TB作为二胺成分的比较例7相对于本实施例中所使用的那样的低粗糙度的铜箔而显示出明显低的剥离强度。认为其原因在于：聚酰亚胺分子链彼此的缠绕变少，聚酰亚胺树脂的撕裂阻力降低。

以上，出于例示的目的而详细地说明了本发明的实施方式，但本发明并不受所述实施方式的限制。

Claims

1.一种聚酰亚胺，含有自二胺成分衍生的二胺残基、以及自四羧酸二酐成分衍生的酸二酐残基，所述聚酰亚胺中，

在全部酸二酐残基中，含有5摩尔％以上且90摩尔％以下的自均苯四甲酸二酐衍生的酸二酐残基、10摩尔％以上且95摩尔％以下的自分子内具有酮基(-CO-)的四羧酸二酐衍生的酸二酐残基，其中，所述自均苯四甲酸二酐衍生的酸二酐残基为均苯四甲酸二酐残基，且以合计80摩尔％以上的比例含有均苯四甲酸二酐残基与自分子内具有酮基(-CO-)的四羧酸二酐衍生的酸二酐残基，

使用动态粘弹性测定装置进行动态热机械分析而测定的300℃下的存储弹性模量E'为1.0×10⁸Pa以上且350℃下的存储弹性模量E'为1.0×10⁷Pa以上，

2.根据权利要求1所述的聚酰亚胺，其中，在全部二胺残基中，含有20摩尔％以上且80摩尔％以下的所述通式(1)所表示的二胺残基。

3.根据权利要求1或2所述的聚酰亚胺，其中，在全部酸二酐残基中，含有20摩尔％以上且80摩尔％以下的均苯四甲酸二酐残基。

4.根据权利要求1或2所述的聚酰亚胺，其中，在全部二胺残基中，含有10摩尔％以上且95摩尔％以下的下述通式(2)～通式(5)所表示的自二胺化合物衍生的二胺残基，

在式(2)～式(5)中，R₁独立地表示碳数1～6的一价烃基或烷氧基，连结基A独立地表示选自-O-、-S-、-CO-、-SO-、-SO₂-、-CH₂-、-C(CH₃)₂-、-NH-中的二价基，n1独立地表示0～4的整数；另外，不具有与氨基的键结的芳香环的连结位为邻位以外的位置。

5.根据权利要求1或2所述的聚酰亚胺，其特征在于，相对于全部酸二酐残基的含量与全部二胺残基的含量的合计，所述通式(1)所表示的自二胺化合物衍生的二胺残基及均苯四甲酸二酐残基的合计(T)为90摩尔％以上，且相对于所述通式(2)～通式(5)所表示的自二胺化合物衍生的二胺残基的至少一种，所述合计(T)的比率大于1。

6.根据权利要求1或2所述的聚酰亚胺，重量平均分子量为10,000～400,000。

7.根据权利要求1或2所述的聚酰亚胺，其中，利用分离柱电介质谐振器测定的10GHz下的介电损耗角正切为0.006以下。

8.根据权利要求1或2所述的聚酰亚胺，其中，热膨胀系数为60ppm/K以下。

9.一种金属包覆层叠板，包括绝缘树脂层、以及层叠于所述绝缘树脂层的单面或两面的金属层，所述金属包覆层叠板中，

所述绝缘树脂层具有包含与所述金属层相接的聚酰亚胺层A的多个聚酰亚胺层，

构成聚酰亚胺层A的聚酰亚胺为如权利要求1至8中任一项所述的聚酰亚胺。

10.根据权利要求9所述的金属包覆层叠板，其中，绝缘树脂层还具有直接层叠于聚酰亚胺层A的聚酰亚胺层B，构成聚酰亚胺层B的聚酰亚胺含有自四羧酸二酐成分衍生的酸二酐残基、以及自二胺成分衍生的二胺残基，且在全部酸二酐残基与全部二胺残基的合计中，含有55摩尔％以上的具有联苯骨架的残基。

11.根据权利要求9或10所述的金属包覆层叠板，其中，金属层与绝缘树脂层的剥离强度为0.8kN/m以上。

12.一种电路基板，具有如权利要求9至11中任一项所述的金属包覆层叠板，所述电路基板中，构成金属包覆层叠板的至少一个金属层被加工成金属配线层。