CN115125510A - 化学气相沉积方法、载具、电池片及异质结电池 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种化学气相沉积方法、载具、电池片及异质结电池，由于非遮蔽区的外边缘环绕有环形遮蔽区，从而能够有效的避免N层掺杂磷原子膜层绕镀到了反面与非遮蔽区上的i层钝化层及P层掺杂硼原子膜层相接触，进而能够避免N层掺杂磷原子膜层中的磷原子穿过i层钝化层而与P层掺杂硼原子膜层导通，从而能够有效的避免生产出来的异质结电池的并阻偏低的问题，在EL检测过程中也不会出现边角发黑的问题，保证产品良率。

Description

化学气相沉积方法、载具、电池片及异质结电池
技术领域
本发明涉及光伏技术领域，特别是涉及一种化学气相沉积方法、载具、电池片及异质结电池。
背景技术
异质结电池因其具有生产工序简单、电池转换效率高、弱光效应好、无光衰等优点而得到了广泛的应用。异质结电池的制作主要包括清洗制绒、CVD(Chemical VaporDeposition，化学气相沉积)工艺形成非晶硅薄膜、PVD(Physical Vapor Deposition，物理气相沉积)工艺形成透明导电氧化物薄膜(Transparent conducting oxide，TCO)及金属化电极制作这四个工艺过程。
其中，异质结电池在进行CVD工艺时，传统的镀膜顺序为I-IN-P和IN-IP两种。具体地，在I-IN-P镀膜工艺中，即使发生了绕镀，对最终的电池产品造成的影响几乎可以忽略不计。而在IN-IP镀膜工艺中，若发生了绕镀，由于绕镀到反面的N层掺杂非晶硅层中的磷原子极易穿过i层钝化层而与P层掺杂非晶硅层导通，导致最终的异质结电池的并阻偏低。
发明内容
基于此，有必要针对在IN-IP镀膜工艺中，最终的异质结电池的并阻偏低的问题，提供一种化学气相沉积方法、载具、电池片及异质结电池。
其技术方案如下：
一方面，提供了一种化学气相沉积方法，包括以下步骤：
对经过清洗制绒处理后的硅片的正面依次沉积i层钝化层和N层掺杂磷原子膜层；
对所述硅片的反面进行遮蔽处理以在所述硅片的反面形成环形遮蔽区及非遮蔽区，并在所述非遮蔽区上依次沉积i层钝化层和P层掺杂硼原子膜层；其中，所述环形遮蔽区环绕所述非遮蔽区的外边缘设置。
下面进一步对技术方案进行说明：
在其中一个实施例中，对经过清洗制绒处理后的硅片的正面依次沉积i层钝化层和N层掺杂磷原子膜层的步骤中，包括：将所述硅片正面朝上放置在实心载板的放置面上，采取从上往下的方式在正面依次沉积i层钝化层和N层掺杂磷原子膜层。
在其中一个实施例中，在所述非遮蔽区上依次沉积i层钝化层和P层掺杂硼原子膜层的步骤中，包括：将所述硅片反面朝上放置在实心载板的放置面上，采取从上往下的方式在非遮蔽区上依次沉积i层钝化层和P层掺杂硼原子膜层。
在其中一个实施例中，将所述硅片反面朝上放置在实心载板上步骤之后，采取从上往下的方式在非遮蔽区上依次沉积i层钝化层和P层掺杂硼原子膜层步骤之前，还包括：
将遮蔽环放置在反面上以对所述反面的外侧边缘进行遮蔽，其中，所述反面被所述遮蔽环所遮蔽的区域形成所述环形遮蔽区，所述反面未被所述遮蔽环所遮蔽的区域形成所述非遮蔽区。
在其中一个实施例中，对经过清洗制绒处理后的硅片的正面依次沉积i层钝化层和N层掺杂磷原子膜层的步骤中，包括：将所述硅片正面朝上放置在具有镂空槽的空心载板上，采取从上往下的方式在正面依次沉积i层钝化层和N层掺杂磷原子膜层。
在其中一个实施例中，将所述硅片正面朝上放置在具有镂空槽的空心载板上的步骤中，包括：
将所述反面的外侧边缘放置在所述空心载板的环形承托面上，其中，所述反面上与所述环形承托面相贴合的区域形成所述环形遮蔽区，所述镂空槽所对应的区域形成所述非遮蔽区。
在其中一个实施例中，在所述非遮蔽区上依次沉积i层钝化层和P层掺杂硼原子膜层的步骤中，包括：通过所述镂空槽采取从下往上的方式在非遮蔽区上依次沉积i层钝化层和P层掺杂硼原子膜层。
在其中一个实施例中，所述环形遮蔽区的单侧宽度为0.05mm～2mm。
在其中一个实施例中，所述环形遮蔽区的单侧宽度为0.5mm～1mm。
在其中一个实施例中，在硅片的正面沉积N层掺杂磷原子膜层的步骤中，包括：在硅片的正面沉积N层掺杂磷原子非晶硅膜层，或在硅片的正面沉积N层掺杂磷原子微晶硅膜层。
在其中一个实施例中，在硅片的反面沉积P层掺杂硼原子膜层的步骤中，包括：在硅片的反面沉积P层掺杂硼原子非晶硅膜层，或在硅片的反面沉积P层掺杂硼原子微晶硅膜层。
另一方面，提供了一种载具，应用于所述的化学气相沉积方法，通过所述载具对所述硅片的反面进行遮蔽处理以在所述硅片的反面形成所述环形遮蔽区及所述非遮蔽区。
在其中一个实施例中，所述载具包括实心载板及遮蔽环，所述实心载板具有用于放置硅片的放置面，所述遮蔽环能够对所述反面的外侧边缘进行遮蔽，以在所述反面形成所述环形遮蔽区及所述非遮蔽区。
在其中一个实施例中，所述载具包括空心载板，所述空心载板设有镂空槽及环绕所述镂空槽设置的环形承托面。
再一方面，提供了一种电池片，所述电池片的制备工艺包括所述的化学气相沉积方法。
又一方面，提供了一种异质结电池，所述异质结电池的制备工艺包括所述的化学气相沉积方法。
上述实施例的化学气相沉积方法、载具、电池片及异质结电池，至少具有以下几个优点：1、能够有效的避免N层掺杂磷原子膜层绕镀到了反面与非遮蔽区上的i层钝化层及P层掺杂硼原子膜层相接触，进而能够避免N层掺杂磷原子膜层中的磷原子穿过i层钝化层而与P层掺杂硼原子膜层导通，从而能够有效的避免生产出来的异质结电池的并阻偏低的问题；2、在EL检测过程中也不会出现边角发黑的问题，保证产品良率；3、能够保证制得的异质结电池具有足够的转换效率。
附图说明
构成本申请的一部分的附图用来提供对本发明的进一步理解，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为一个实施例的化学气相沉积方法的流程图；
图2为另一个实施例的化学气相沉积方法的流程图；
图3为再一个实施例的化学气相沉积方法的流程图；
图4为应用于化学气相沉积方法的一个实施例的载具的结构示意图；
图5为应用于化学气相沉积方法的另一个实施例的载具的结构示意图；
图6为采用化学气相沉积方法和PVD工艺后的硅片的结构示意图。
附图标记说明：
100、硅片；110、环形遮蔽区；120、非遮蔽区；130、正面；140、反面；200、i层钝化层；300、N层掺杂磷原子膜层；400、P层掺杂硼原子膜层；500、透明导电氧化物薄膜；600、载具；610、实心载板；611、放置面；620、遮蔽环；630、空心载板；631、环形承托面；640、镂空槽。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似改进，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。
需要进行说明的是，本申请实施例的正面与反面仅指硅片相对的两个表面。在实际使用过程中，正面可作为受光面而反面可作为背光面进行使用。在实际加工过程中，硅片相对的两个表面中，任意的一个表面可作为正面而相对的另一个表面可相应作为反面，本领域技术人员不得理解为正面或反面为硅片的一个特定的表面。
在进行CVD工艺时，具体地，在I-IN-P镀膜工艺中，先在进行了清洗制绒处理的硅片的正面与反面(正面与反面是指硅片相对的两个表面)均沉积i层钝化层(本征非晶硅层)，再在正面沉积N层掺杂非晶硅层以及在反面沉积P层掺杂非晶硅层，该种工艺即使在正面进行N层掺杂非晶硅层的沉积过程中发生了绕镀而使得N层掺杂非晶硅层绕镀到了反面，由于硅片的正面和反面均表面事先沉积了i层钝化层，i层钝化层的钝化效果非常好，对最终的异质结电池造成的影响几乎可以忽略不计。而在IN-IP镀膜工艺中，先在进行了清洗制绒处理的硅片的正面沉积i层钝化层，接着在正面沉积N层掺杂非晶硅层，然后在反面沉积i层钝化层，最后在反面沉积P层掺杂非晶硅层，当在正面进行N层掺杂非晶硅层的沉积过程中发生了绕镀而使得N层掺杂非晶硅层绕镀到了反面，使得N层掺杂非晶硅层与反面相接触，不仅影响反面的钝化效果，而且在反面沉积i层钝化层时，由于绕镀到反面的N层掺杂非晶硅层中的磷原子极易穿过i层钝化层而与P层掺杂非晶硅层导通，导致最终的异质结电池的并阻偏低。尤其是采用IN-IP镀膜工艺制备微晶硅膜层时，由于制备微晶硅(纳米晶硅)膜层所采用的电源功率、气体流量等数值成倍增加，绕镀发生的概率更大。并且，相比正常的异质结电池而言，采用IN-IP镀膜工艺并发生了绕镀的异质结电池在EL(Electroluminescent，电致发光)检测过程中会呈现边角发黑的不良图像。
基于此，如图4及图5所示，本申请的实施例提供了一种载具600，能够应用在CVD工艺中，即该载具600能够应用于化学气相沉积方法中，通过该载具600能够避免在IN-IP镀膜工艺中发生绕镀，不仅不会影响反面的钝化效果，而且能够有效的避免生产出来的异质结电池的并阻偏低的问题，在EL检测过程中也不会出现边角发黑的问题，保证产品良率。
如图1所示，具体地，化学气相沉积方法包括以下步骤：
S100、对经过清洗制绒处理后的硅片100的正面130依次沉积i层钝化层200和N层掺杂磷原子膜层300。
具体地，在经过清洗制绒处理后的硅片100的正面130先沉积i层钝化层200，再在该i层钝化层200上沉积N层掺杂磷原子膜层300。
其中，N层掺杂磷原子膜层300可以是N层掺杂磷原子非晶硅膜层，也可以是N层掺杂磷原子微晶硅膜层。
在一个实施例中，在经过清洗制绒处理后的硅片100的正面130先沉积i层钝化层200，再在该i层钝化层200上沉积N层掺杂磷原子非晶硅膜层。
在另一个实施例中，在经过清洗制绒处理后的硅片100的正面130先沉积i层钝化层200，再在该i层钝化层200上沉积N层掺杂磷原子微晶硅膜层。
需要进行说明的是，可以采用现有的工艺对原硅片进行清洗制绒处理，对原硅片的表面上的杂质脏污进行清洁并得到陷光结构，从而得到表面洁净并带有绒面结构的硅片100。此外，在正面130上沉积i层钝化层200和N层掺杂磷原子膜层300，可以采用现有的沉积方式进行，通过在正面130沉积i层钝化层200而钝化制绒后的正面130，减少载流子的复合，通过在该i层钝化层200上沉积N层掺杂磷原子膜层300，从而增加载流子的传输。
S200、对硅片100的反面140进行遮蔽处理以在硅片100的反面140形成环形遮蔽区110及非遮蔽区120。并且，在非遮蔽区120上依次沉积i层钝化层200和P层掺杂硼原子膜层。
其中，环形遮蔽区110环绕非遮蔽区120的外边缘设置。
可以理解的是，环形遮蔽区110位于反面140的外侧边缘并环绕反面140的周向延伸；非遮蔽区120处于环形遮蔽区110所围设的区域内。
具体地，在反面140的非遮蔽区120上先沉积i层钝化层200，再在该i层钝化层200上沉积P层掺杂硼原子膜层400，由于i层钝化层200沉积在非遮蔽区120上，并且P层掺杂硼原子膜层400沉积在该位于非遮蔽区120上的i层钝化层200上，同时，由于非遮蔽区120的外边缘环绕有环形遮蔽区110，从而能够有效的避免N层掺杂磷原子膜层300绕镀到了反面140与非遮蔽区120上的i层钝化层200及P层掺杂硼原子膜层400相接触，进而能够避免N层掺杂磷原子膜层300中的磷原子穿过i层钝化层200而与P层掺杂硼原子膜层400导通，从而能够有效的避免生产出来的异质结电池的并阻偏低的问题，在EL检测过程中也不会出现边角发黑的问题，保证产品良率。
其中，P层掺杂硼原子膜层400可以是P层掺杂硼原子非晶硅膜层，也可以是P层掺杂硼原子微晶硅膜层。
在一个实施例中，在反面140的非遮蔽区120上先沉积i层钝化层200，再在该i层钝化层200上沉积P层掺杂硼原子非晶硅膜层。由于i层钝化层200沉积在非遮蔽区120上，并且P层掺杂硼原子非晶硅膜层沉积在该位于非遮蔽区120上的i层钝化层200上，同时，由于非遮蔽区120的外边缘环绕有环形遮蔽区110，从而能够有效的避免N层掺杂磷原子膜层300绕镀到了反面140与非遮蔽区120上的i层钝化层200及P层掺杂硼原子非晶硅膜层相接触，进而能够避免N层掺杂磷原子膜层300中的磷原子穿过i层钝化层200而与P层掺杂硼原子非晶硅膜层导通，从而能够有效的避免生产出来的异质结电池的并阻偏低的问题，在EL检测过程中也不会出现边角发黑的问题，保证产品良率。
在另一个实施例中，在反面140的非遮蔽区120上先沉积i层钝化层200，再在该i层钝化层200上沉积P层掺杂硼原子微晶硅膜层。
其中，当在反面140的i层钝化层200上沉积P层掺杂硼原子微晶硅膜层时，即使采用的电源功率、气体流量等数值成倍增加，由于i层钝化层200沉积在非遮蔽区120上，并且P层掺杂硼原子微晶硅膜层沉积在该位于非遮蔽区120上的i层钝化层200上，同时，由于非遮蔽区120的外边缘环绕有环形遮蔽区110，从而能够有效的避免N层掺杂磷原子膜层300绕镀到了反面140与非遮蔽区120上的i层钝化层200及P层掺杂硼原子微晶硅膜层相接触，进而能够避免N层掺杂磷原子膜层300中的磷原子穿过i层钝化层200而与P层掺杂硼原子微晶硅膜层导通，从而能够有效的避免生产出来的异质结电池的并阻偏低的问题，在EL检测过程中也不会出现边角发黑的问题，保证产品良率。
需要进行说明的是，在非遮蔽区120上沉积i层钝化层200和P层掺杂硼原子膜层400，可以采用现有的沉积方式进行，通过在非遮蔽区120沉积i层钝化层200而钝化制绒后的非遮蔽区120，减少载流子的复合，通过在该i层钝化层200上沉积P层掺杂硼原子膜层400，从而形成一层PN结，利用PN结分离光生载流子。
可选地，利用载具600对硅片100的反面140进行遮蔽处理，从而在硅片100的反面140形成环形遮蔽区110和非遮蔽区120。
如图4所示，在一个实施例中，载具600包括实心载板610及遮蔽环620。其中，实心载板610具有用于放置硅片100的放置面611。
如图2所示，可选地，在步骤S100中，包括S110a、将硅片100以正面130朝上而反面140朝向放置面611的姿势放置在实心载板610上，再通过从上往下的方式在正面130上依次沉积i层钝化层200和N层掺杂磷原子膜层300。
如图2所示，可选地，在步骤S200中，包括S210a、将硅片100以反面140朝上而正面130朝向放置面611的姿势放置在实心载板610上；S220a、将遮蔽环620放置在反面140上，从而利用遮蔽环620对反面140的外侧边缘进行遮蔽，进而在反面140上形成被遮蔽环620所遮蔽的环形遮蔽区110以及未被遮蔽环620所遮蔽的非遮蔽区120，此时，环形遮蔽区110环绕非遮蔽区120的外边缘设置；S230a、再通过从上往下(如图4的A方向所示)的方式在非遮蔽区120上依次沉积i层钝化层200和P层掺杂硼原子膜层400。如此，能够有效的避免绕镀到了反面140的N层掺杂磷原子膜层300与非遮蔽区120上的i层钝化层200及P层掺杂硼原子膜层400相接触，进而能够避免N层掺杂磷原子膜层300中的磷原子穿过i层钝化层200而与P层掺杂硼原子膜层400导通，从而能够有效的避免生产出来的异质结电池的并阻偏低的问题；在EL检测过程中也不会出现边角发黑的问题，保证产品良率。
可以理解的是，将硅片100先以正面130朝上而反面140朝向放置面611的姿势放置在实心载板610上，再以反面140朝上而正面130朝向放置面611的姿势放置在实心载板610上时，需要对硅片100进行翻面，具体的翻面方式可以采取机械臂等现有的外部器械以辅助进行翻面，也可以采取人工翻面的形式。
如图5所示，在另一个实施例中，载具600包括空心载板630。
具体地，空心载板630设有镂空槽640及环绕镂空槽640设置的环形承托面631。
如图3所示，可选地，在步骤S100中，包括S110b、将硅片100以正面130朝上而反面140朝向环形承托面631的姿势放置在环形承托面631上，通过从上往下的方式在正面130依次沉积i层钝化层200和N层掺杂磷原子膜层300。
并且，在步骤S110b中，还包括S111b、将硅片100的反面140放置在环形承托面631上，使得反面140的外侧边缘放置在环形承托面631上而与环形承托面631相贴合，进而利用环形承托面631对反面140的外侧边缘进行遮蔽，从而在反面140上与环形承托面631相贴合的区域形成环形遮蔽区110，而反面140上与镂空槽640相对应的区域形成非遮蔽区120，并使得环形遮蔽区110环绕非遮蔽区120的外边缘设置。
如图3所示，可选地，在步骤S200中，包括S210b、通过镂空槽640采取从下往上(如图4的B方向所示)的方式在非遮蔽区120上依次沉积i层钝化层200和P层掺杂硼原子膜层400。如此，能够有效的避免N层掺杂磷原子膜层300绕镀到了反面140与非遮蔽区120上的i层钝化层200及P层掺杂硼原子膜层400相接触，进而能够避免N层掺杂磷原子膜层300中的磷原子穿过i层钝化层200而与P层掺杂硼原子膜层400导通，从而能够有效的避免生产出来的异质结电池的并阻偏低的问题，在EL检测过程中也不会出现边角发黑的问题，保证产品良率。
另外，环形遮蔽区110的单侧宽度(如图4及图5的D所示)可以设置为0.05mm～2mm，即非遮蔽区120的周向轮廓线与反面140的周向轮廓线之间的宽度可以设置为0.05mm～2mm，不仅能够保证N层掺杂磷原子膜层300绕镀到了反面140而无法与非遮蔽区120上的i层钝化层200及P层掺杂硼原子膜层400相接触，而且能够保证制得的异质结电池具有足够的转换效率。
具体地，环形遮蔽区110的单侧宽度可以设置为0.05mm、0.25mm、0.45mm、0.65mm、0.85mm、1.05mm、1.25mm、1.45mm、1.65mm、1.85mm或2mm。
优选地，环形遮蔽区110的单侧宽度为0.5mm～1mm，能够更加有效地保证N层掺杂磷原子膜层300绕镀到了反面140而无法与非遮蔽区120上的i层钝化层200及P层掺杂硼原子膜层400相接触，而且能够有效地保证制得的异质结电池具有足够的转换效率。
具体地，环形遮蔽区110的单侧宽度可以设置为0.5mm、0.6mm、0.7mm、0.8mm、0.9mm或1mm。
如图6所示，本领域技术人员可以理解的是，在异质结电池的制作过程中，完成上述实施例的化学气相沉积方法工艺后，还可以采用现有的PVD工艺形成透明导电氧化物薄膜500，并且，结合现有的PVD工艺中的隔离处理以及上述实施例的化学气相沉积方法，能够形成双重隔离，有效的避免绕镀导致的NG不良问题。
如图6所示，具体地，在反面140上的非遮蔽区120上沉积i层钝化层200后，在该i层钝化层200上沉积P层掺杂硼原子膜层400，然后在该P层掺杂硼原子膜层400上沉积透明导电氧化物薄膜500。
上述实施例的化学气相沉积方法，至少具有以下几个优点：1、能够有效的避免N层掺杂磷原子膜层300绕镀到了反面140与非遮蔽区120上的i层钝化层200及P层掺杂硼原子膜层400相接触，进而能够避免N层掺杂磷原子膜层300中的磷原子穿过i层钝化层200而与P层掺杂硼原子膜层400导通，从而能够有效的避免生产出来的异质结电池的并阻偏低的问题；2、在EL检测过程中也不会出现边角发黑的问题，保证产品良率；3、能够保证制得的异质结电池具有足够的转换效率。
在一个实施例中，还提供了一种电池片，该电池片的制备工艺包括上述任意实施例的化学气相沉积方法。如此，该电池片能够有效的避免并阻偏低的问题。
在一个实施例中，还提供了一种异质结电池，该异质结电池的制备工艺包括上述任意实施例的化学气相沉积方法。如此，该异质结电池能够有效的避免并阻偏低的问题。
需要说明的是，“某体”、“某部”可以为对应“构件”的一部分，即“某体”、“某部”与该“构件的其他部分”一体成型制造；也可以与“构件的其他部分”可分离的一个独立的构件，即“某体”、“某部”可以独立制造，再与“构件的其他部分”组合成一个整体。本申请对上述“某体”、“某部”的表达，仅是其中一个实施例，为了方便阅读，而不是对本申请的保护的范围的限制，只要包含了上述特征且作用相同应当理解为是本申请等同的技术方案。
需要说明的是，本申请“单元”、“组件”、“机构”、“装置”所包含的构件亦可灵活进行组合，即可根据实际需要进行模块化生产，以方便进行模块化组装。本申请对上述构件的划分，仅是其中一个实施例，为了方便阅读，而不是对本申请的保护的范围的限制，只要包含了上述构件且作用相同应当理解是本申请等同的技术方案。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。本发明中使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。
在本发明中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
在本发明中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
需要说明的是，当元件被称为“固定于”、“设置于”、“固设于”或“安设于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。进一步地，当一个元件被认为是“固定传动连接”另一个元件，二者可以是可拆卸连接方式的固定，也可以不可拆卸连接的固定，能够实现动力传递即可，如套接、卡接、一体成型固定、焊接等，在现有技术中可以实现，在此不再累赘。当元件与另一个元件相互垂直或近似垂直是指二者的理想状态是垂直，但是因制造及装配的影响，可以存在一定的垂直误差。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的，并不表示是唯一的实施方式。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
还应当理解的是，在解释元件的连接关系或位置关系时，尽管没有明确描述，但连接关系和位置关系解释为包括误差范围，该误差范围应当由本领域技术人员所确定的特定值可接受的偏差范围内。例如，“大约”、“近似”或“基本上”可以意味着一个或多个标准偏差内，在此不作限定。
以上实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (16)

1.一种化学气相沉积方法，其特征在于，包括以下步骤：
对经过清洗制绒处理后的硅片的正面依次沉积i层钝化层和N层掺杂磷原子膜层；
对所述硅片的反面进行遮蔽处理以在所述硅片的反面形成环形遮蔽区及非遮蔽区，并在所述非遮蔽区上依次沉积i层钝化层和P层掺杂硼原子膜层；其中，所述环形遮蔽区环绕所述非遮蔽区的外边缘设置。
2.根据权利要求1所述的化学气相沉积方法，其特征在于，对经过清洗制绒处理后的硅片的正面依次沉积i层钝化层和N层掺杂磷原子膜层的步骤中，包括：将所述硅片正面朝上放置在实心载板的放置面上，采取从上往下的方式在正面依次沉积i层钝化层和N层掺杂磷原子膜层。
3.根据权利要求2所述的化学气相沉积方法，其特征在于，在所述非遮蔽区上依次沉积i层钝化层和P层掺杂硼原子膜层的步骤中，包括：将所述硅片反面朝上放置在实心载板的放置面上，采取从上往下的方式在非遮蔽区上依次沉积i层钝化层和P层掺杂硼原子膜层。
4.根据权利要求3所述的化学气相沉积方法，其特征在于，将所述硅片反面朝上放置在实心载板上步骤之后，采取从上往下的方式在非遮蔽区上依次沉积i层钝化层和P层掺杂硼原子膜层步骤之前，还包括：
将遮蔽环放置在反面上以对所述反面的外侧边缘进行遮蔽，其中，所述反面被所述遮蔽环所遮蔽的区域形成所述环形遮蔽区，所述反面未被所述遮蔽环所遮蔽的区域形成所述非遮蔽区。
5.根据权利要求1所述的化学气相沉积方法，其特征在于，对经过清洗制绒处理后的硅片的正面依次沉积i层钝化层和N层掺杂磷原子膜层的步骤中，包括：将所述硅片正面朝上放置在具有镂空槽的空心载板上，采取从上往下的方式在正面依次沉积i层钝化层和N层掺杂磷原子膜层。
6.根据权利要求5所述的化学气相沉积方法，其特征在于，将所述硅片正面朝上放置在具有镂空槽的空心载板上的步骤中，包括：
将所述反面的外侧边缘放置在所述空心载板的环形承托面上，其中，所述反面上与所述环形承托面相贴合的区域形成所述环形遮蔽区，所述镂空槽所对应的区域形成所述非遮蔽区。
7.根据权利要求6所述的化学气相沉积方法，其特征在于，在所述非遮蔽区上依次沉积i层钝化层和P层掺杂硼原子膜层的步骤中，包括：通过所述镂空槽采取从下往上的方式在非遮蔽区上依次沉积i层钝化层和P层掺杂硼原子膜层。
8.根据权利要求1至7任一项所述的化学气相沉积方法，其特征在于，所述环形遮蔽区的单侧宽度为0.05mm～2mm。
9.根据权利要求1至7任一项所述的化学气相沉积方法，其特征在于，所述环形遮蔽区的单侧宽度为0.5mm～1mm。
10.根据权利要求1至7任一项所述的化学气相沉积方法，其特征在于，在硅片的正面沉积N层掺杂磷原子膜层的步骤中，包括：在硅片的正面沉积N层掺杂磷原子非晶硅膜层，或在硅片的正面沉积N层掺杂磷原子微晶硅膜层。
11.根据权利要求1至7任一项所述的化学气相沉积方法，其特征在于，在硅片的反面沉积P层掺杂硼原子膜层的步骤中，包括：在硅片的反面沉积P层掺杂硼原子非晶硅膜层，或在硅片的反面沉积P层掺杂硼原子微晶硅膜层。
12.一种载具，应用于如权利要求1至11任一项所述的化学气相沉积方法，其特征在于，通过所述载具对所述硅片的反面进行遮蔽处理以在所述硅片的反面形成所述环形遮蔽区及所述非遮蔽区。
13.根据权利要求12所述的载具，其特征在于，所述载具包括实心载板及遮蔽环，所述实心载板具有用于放置硅片的放置面，所述遮蔽环能够对所述反面的外侧边缘进行遮蔽，以在所述反面形成所述环形遮蔽区及所述非遮蔽区。
14.根据权利要求12所述的载具，其特征在于，所述载具包括空心载板，所述空心载板设有镂空槽及环绕所述镂空槽设置的环形承托面。
15.一种电池片，其特征在于，所述电池片的制备工艺包括如权利要求1至11任一项所述的化学气相沉积方法。
16.一种异质结电池，其特征在于，所述异质结电池的制备工艺包括如权利要求1至11任一项所述的化学气相沉积方法。
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