CN110767755A - 导电膜的镀膜方法、太阳能电池的制备方法及太阳能电池 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种导电膜的镀膜方法、太阳能电池的制备方法及太阳能电池，涉及太阳能技术领域，为提高太阳能电池的光电转换效率设计。导电膜的镀膜方法包括在衬底表面的第一区域沉积第一导电膜；在衬底表面的至少包括第二区域的区域沉积第二导电膜，第一区域和第二区域位于所述衬底的同一表面上，第二区域为衬底表面上除过第一区域的其余区域，第一导电膜和第二导电膜形成导电膜，导电膜中位于衬底第一区域上方的导电膜的电导率大于第二区域上方的导电膜的电导率，导电膜中位于衬底第二区域上方的导电膜的透光率大于第一区域上方的导电膜的透光率。本发明提供的导电膜的镀膜方法、太阳能电池的制备方法及太阳能电池用于提高太阳能电池的性能。
Description
技术领域
本发明涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及一种导电膜的镀膜方法、太阳能电池的制备方法及太阳能电池。
背景技术
目前HIT太阳能电池是未来产业的一个趋势，HIT太阳能电池可以提升单位面积的发电量，还可以降低安装成本，可以进一步的提升新能源的市场占有率。而a-Si/c-Si异质结太阳电池以其高的光电转换效率和低温工艺，有望成为未来的主流光伏技术之一，所以其越来越受到众多用户的欢迎。
溅射法镀膜是制备太阳能电池的一个主要工艺环节，其目的是形成透明导电氧化物薄膜如ITO、IWO等，人们在应用透明导电氧化物薄膜时，通常要求其既要有较高的透光率，又要有良好的导电性。在太阳能电池的受光面通常需要一层透明导电氧化物薄膜用来收集光生载流子，同时让更多的太阳光辐照能量进入太阳能电池的吸收层，这层透明导电氧化物薄膜的性能对太阳能电池的性能有非常重要的影响，例如，透光率影响电池的短路电流(Isc)；电导率影响电池的填充因子(FF)。
然而，透明导电氧化物薄膜的透光率和电导率是一对矛盾的参数，电导率的提高会引起透光率的下降，同理，透光率的提高也会引起电导率的下降。例如：通常提高电导率的方法是增加透明导电氧化物薄膜中的载流子浓度，但是，载流子浓度的增加又会增加透明导电氧化物薄膜对光的吸收，特别是长波段光，这样就降低了透明导电氧化物薄膜的透光率；通常提高透光率的方法是减少透明导电氧化物薄膜的厚度，但是，透明导电氧化物薄膜厚度的增加又降低了透明导电氧化物薄膜的电导率。
目前在太阳能电池的制备过程中，是一次性完成透明导电氧化物薄膜的沉积，采用一次性沉积透明导电氧化物薄膜，要保证透明导电氧化物薄膜中位于电极下方的区域具有较高的电导率，同时也要保证透明导电氧化物薄膜中未设置电极的区域具有较高的透光性和较高的电导率是无法满足的。
发明内容
本发明的实施例提供一种导电膜的镀膜方法、异质结太阳能电池的制备方法及异质结太阳能电池，主要目的是使制得的导电膜不仅具有较高的电导率，也具有较高的透光率，以提高异质结太阳能电池的短路电流和填充因子。
为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：
一种导电膜的镀膜方法，包括：
在衬底表面的第一区域沉积第一导电膜；
在衬底表面的至少包括第二区域的区域沉积第二导电膜，其中，所述第一区域和第二区域位于所述衬底的同一表面上，所述第二区域为所述衬底表面上除过第一区域的其余区域；
所述第一导电膜和第二导电膜形成导电膜，所述导电膜中位于所述衬底第一区域上方的导电膜的电导率大于第二区域上方的导电膜的电导率，所述导电膜中位于所述衬底第二区域上方的导电膜的透光率大于第一区域上方的导电膜的透光率。
本发明实施例提供的导电膜的镀膜方法，针对导电膜的不同区域的电导率和透光率的不同需求，在衬底上的不同区域分别沉积导电膜，最终使制得的导电膜满足对电导率和透光率的要求，这样相比通过在衬底表面一次沉积导电膜的方法，有效提高导电膜的使用性能。
可选的，所述第一导电膜和所述第二导电膜的沉积方法相同或不同，所述第一导电膜和所述第二导电膜采用物理气相沉积或化学气相沉积中的其中一种进行沉积。
可选的，在沉积所述第一导电膜和沉积所述第二导电膜的过程中：采用的沉积方法和沉积工艺条件均相同的情况下，形成的所述导电膜中位于所述衬底第一区域上方的导电膜的厚度大于位于所述衬底第二区域上方的导电膜的厚度。
可选的，在沉积所述第一导电膜和沉积所述第二导电膜的过程中：采用的沉积方法相同，沉积工艺条件不相同的情况下，所述第一导电膜的电导率大于所述第二导电膜的电导率，所述第二导电膜的透光率大于所述第一导电膜的透光率。
可选的，所述第一导电膜和所述第二导电膜的组分相同或者不同，均选自氧化铟、掺钛氧化铟、氧化钨或掺硼氧化锌中的其中一种。
可选的，在所述第一导电膜和第二导电膜的过程中，采用掩膜板装置沉积相对应的所述第一导电膜和所述第二导电膜，
其中：所述掩膜板装置包括第一掩膜板和与所述第一掩膜板结构互补的第二掩膜板，所述第一掩膜板和第二掩膜板均包括框架，所述框架内设置有多个间隔布设的遮挡件，所述遮挡件将所述框架内划分成交错间隔的开口区和遮挡区，所述第一掩膜板的开口区结构和第二掩膜板的遮挡区结构相同，所述第一掩膜板的遮挡区结构和第二掩膜板的开口区结构相同，所述第一掩膜板上的开口区结构与所述衬底表面的第一区域结构相同，所述第二掩膜板的开口区结构与所述衬底表面的第二区域结构相同；
在衬底表面的第一区域沉积第一导电膜的过程中：将所述第一掩膜板放置在所述衬底表面，通过所述第一掩膜板在所述衬底表面沉积第一导电膜；
在衬底表面的第二区域沉积第二导电膜的过程中：将所述第二掩膜板放置在所述衬底表面，通过所述第二掩膜板在所述衬底表面沉积第二导电膜。
可选的，所述第一掩膜板和所述第二掩膜板的边缘轮廓均覆盖住所述衬底表面的边缘轮廓。
可选的，所述掩膜板装置还包括：承载件，所述承载件上开设有用于安装所述衬底的安装槽。
可选的，所述安装槽的槽深大于等于所述衬底的厚度。
可选的，所述第一掩膜板和第二掩膜板均通过定位结构安装在所述承载件上。
可选的，所述定位结构包括开设在所述框架上的定位孔和设置在所述承载件上的定位销。
本发明另一方面还提供了一种异质结太阳能电池的制备方法，包括：
在晶体硅的正面和背面分别沉积本征硅层；
在所述晶体硅的正面的本征硅层上沉积N型掺杂硅层，在所述晶体硅的背面的本征硅层上沉积P型掺杂硅层；
在所述N型掺杂硅层的表面和所述P型掺杂硅层的表面分别镀透明导电膜；
在两个所述透明导电膜的表面分别形成栅线电极；
其中，在所述N型掺杂硅层的表面和所述P型掺杂硅层的表面分别镀透明导电膜的过程中均采用上述所述的导电膜的镀膜方法。
本发明实施例提供的异质结太阳能电池的制备方法，由于采用了上述导电膜的镀膜方法，进而使通过该制备方法制备的异质结太阳能电池的透明导电膜中与栅线电极相接触的区域具有较高的电导率，用于透光的区域具有较高的透光率，最终提高整个异质结太阳能电池的光电转换效率。
本发明另一方面还提供了一种异质结太阳能电池，包括：
晶体硅；
本征硅层，所述本征硅层设置在所述晶体硅正面和背面；
N型掺杂硅层，所述N型掺杂硅层设置在在所述晶体硅正面的本征硅层上；
P型掺杂硅层，所述P型掺杂硅层设置在所述晶体硅背面的本征硅层上；
透明导电膜，所述透明导电膜设置在所述N型掺杂硅层和所述P型掺杂硅层上；
栅线电极，所述栅线电极设置在所述N型掺杂硅层和所述P型掺杂硅层上的所述透明导电膜上；
其中，所述透明导电膜中用于设置栅线电极的透明导电膜的电导率大于用于透光的透明导电膜的电导率，所述透明导电膜中用于透光的透明导电膜的透光率大于用于设置栅线电极的透明导电膜的透光率。
本发明实施例提供的异质结太阳能电池中的透明导电膜中与栅线电极接触的区域满足电性能要求，用于透光的区域满足透光性能要求，这样，提高了异质结太阳能电池的短路电流和填充因子，提高了异质结太阳能电池的光电转换效率。
附图说明
图1为本发明实施例提供的一种异质结太阳能电池的结构示意图；
图2为本发明实施例提供的一种在衬底表面沉积第一导电膜后的结构示意图；
图3为图2的局部放大图；
图4为本发明实施例提供的一种在衬底表面沉积第二导电膜后的结构示意图；
图5为图4的局部放大图；
图6为本发明实施例提供的另一种在衬底表面沉积第二导电膜后的结构示意图；
图7为图6的局部放大图；
图8为本发明实施例提供的一种在衬底表面沉积第一导电膜和第二导电膜后的局部结构示意图；
图9为本发明实施例提供的另一种在衬底表面沉积第一导电膜和第二导电膜后的局部结构示意图；
图10为本发明实施例提供的另一种在衬底表面沉积第一导电膜和第二导电膜后的局部结构示意图；
图11为本发明实施例提供的一种第一掩膜板的结构示意图；
图12为图11的局部放大图；
图13为图11的局部放大图；
图14为本发明实施例提供的一种第二掩膜板的结构示意图；
图15为图14的局部放大图；
图16为图14的局部放大图；
图17为本发明实施例提供的一种承载件的结构示意图；
图18为图17的局部放大图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明实施例导电膜的镀膜方法、异质结太阳能电池的制备方法及异质结太阳能电池进行详细描述。
在本发明的描述中，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内段的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
本发明实施例提供了一种导电膜的镀膜方法，所述镀膜方法包括；
在衬底表面的第一区域沉积第一导电膜；
在衬底表面的至少包括第二区域的区域沉积第二导电膜，其中，所述第一区域和第二区域位于所述衬底的同一表面上，所述第二区域为所述衬底表面上除过第一区域的其余区域；
所述第一导电膜和第二导电膜形成导电膜，所述导电膜中位于所述衬底第一区域上方的导电膜的电导率大于第二区域上方的导电膜的电导率，所述导电膜中位于所述衬底第二区域上方的导电膜的透光率大于第一区域上方的导电膜的透光率。
具体镀膜时，可根据对导电膜中两个区域的电导率和透光率的不同需求，通过在衬底表面的两次沉积完成导电膜的制备，其中，在衬底表面的第一区域沉积第一导电膜，在衬底表面的至少包括第二区域的区域沉积第二导电膜，最终使制备的导电膜中位于所述衬底第一区域上方的导电膜的电导率大于第二区域上方的导电膜的电导率，所述导电膜中位于所述衬底第二区域上方的导电膜的透光率大于第一区域上方的导电膜的透光率。
需要说明的是：沉积第一导电膜和第二导电膜的顺序是可以互换的。
示例的，所述导电膜的镀膜方法包括：
S1：在衬底表面的第一区域沉积第一导电膜；在衬底表面沉积第一导电膜的后的结构示意图为图2和图3所示；
S2：在衬底表面(已沉积有第一导电膜)的至少包括第二区域的区域沉积第二导电膜，在衬底表面沉积第二导电膜的后的结构示意图为图4至图7所示，所述第一导电膜和第二导电膜形成导电膜，参照图8～图10所示。
上述步骤S1和步骤S2可以互换，示例的，所述导电膜的镀膜方法包括：
S1：在衬底表面的至少包括第二区域的区域沉积第二导电膜；
S2：在衬底表面(沉积有第二导电膜)的第一区域沉积第一导电膜，所述第二导电膜和第一导电膜形成导电膜。
具体实施时，第一导电膜和第二导电膜的沉积顺序可根据实际情况决定。
需要说明的是：在衬底表面的至少包括第二区域的区域沉积第二导电膜包括两种情况，一种为：在衬底表面的第二区域沉积第二导电膜，参照图4和图5所示；另一种为：在衬底表面(包括第一区域和第二区域)沉积第二导电膜，参照图6和图7所示。
无论是先沉积第一导电膜还是先沉积第二导电膜，或者，沉积的第二导电膜位于衬底表面的第二区域上方还是位于衬底表面的第一区域和第二区域上方，最终使形成的导电膜中位于所述衬底第一区域上方的导电膜的电导率大于第二区域上方的导电膜的电导率，所述导电膜中位于所述衬底第二区域上方的导电膜的透光率大于第一区域上方的导电膜的透光率。
示例的，所述第一导电膜和所述第二导电膜的沉积方法相同或不同，所述第一导电膜和所述第二导电膜采用物理气相沉积或化学气相沉积中的其中一种进行沉积，可以采用磁控溅射法沉积(PVD)、低压化学气相沉积(LPCVD)、常压化学气相沉积(APCVD)或反应等离子体沉积(RPD)中的一种进行沉积，其中，磁控溅射法沉积是较常用的沉积方法。
在具体沉积第一导电膜和第二导电膜时，若采用相同的沉积方法，沉积工艺条件的不同导致沉积的第一导电膜和第二导电膜的光电性能会不同，下述对沉积方法相同时，沉积工艺条件相同或者不同进行详细描述：
示例的，采用的沉积方法和沉积工艺条件均相同的情况下，沉积的第一导电膜和第二导电膜的光电性能相同，即第一导电膜和第二导电膜的电导率和透光率均相同，所以通过将导电膜中位于所述衬底第一区域上方的导电膜的厚度大于位于所述衬底第二区域上方的导电膜的厚度实现不同区域的光电性能要求，在衬底的第一区域通过增加厚度增加电导率，衬底的第二区域厚度比第一区域厚度小，则透光率就高于第一区域的透光率，下述通过两个具体沉积方法对上述进行解释：
第一种：首先在衬底表面的第一区域沉积第一导电膜；然后在衬底表面的第二区域沉积第二导电膜；或，首先在衬底表面的第二区域沉积第二导电膜，然后在衬底表面的第一区域沉积第一导电膜，所示第一导电膜和第二导电膜形成导电膜，形成的导电膜参照图8，其中，第一导电膜的厚度h1>80nm，第二导电膜的厚度60nm＜h2＜110nm，且需要第一导电膜的厚度h1大于第二导电膜的厚度。
第二种：首先在衬底表面(包括第一区域和第二区域)沉积第二导电膜，然后在衬底表面沉积的第二导电膜上沉积第一导电膜，第一导电膜位于衬底表面第一区域的上方，参照图9，或，首先在衬底表面的第一区域沉积第一导电膜，然后在衬底的包括第二区域和第一导电膜上沉积第二导电膜，这样由于衬底表面的第一区域进行了两次沉积，位于第一区域上的导电膜厚度大于第二区域上的导电膜厚度，所以，位于第一区域上的导电膜具有较高的电导率，位于第二区域上方的导电膜相比位于第一区域上的导电膜具有较高的透光率。
例如，当采用磁控溅射法沉积(PVD)沉积所述第一导电膜和第二导电膜时，在衬底表面的第一区域沉积第一导电膜的过程中：溅射功率为10KW，溅射压强为0.5Pa，氧气的流量为12sccm，第一导电膜的厚度h1为100nm，在衬底表面的第二区域沉积第二导电膜的过程中，溅射功率为10KW，溅射压强为0.5Pa，氧气的流量为12sccm，第二导电膜的厚度h1为80nm，由于第一导电膜的厚度大于第二导电膜的厚度，则第一区域的电导率大于第二区域的电导率，第二区域的透光率大于第一区域的透光率。
示例的，采用的沉积方法相同，沉积工艺条件不相同的情况下，通过改变工艺参数使所述第一导电膜的电导率大于所述第二导电膜的电导率，所述第二导电膜的透光率大于所述第一导电膜的透光率。
例如，当采用磁控溅射法沉积(PVD)沉积所述第一导电膜和第二导电膜时，在衬底表面的第一区域沉积第一导电膜的过程中：溅射功率为0～15KW，溅射压强为0.01～2Pa，氧气的流量为10～20sccm，在衬底表面的至少包括第二区域的区域沉积第二导电膜的过程中，溅射功率为0～15KW，溅射压强为0.01～2Pa，氧气的流量为0～15sccm，由于氧气的流量的改变使沉积的第一导电膜具有较高的电导率，沉积的第二导电膜具有较高的透光率。
第一导电膜和第二导电膜的组分相同或不同均可，具体的，所述第一导电膜为ITO(氧化铟)、ITIO(掺钛氧化铟)、IWO(氧化钨)、BZO(掺硼氧化锌)等透明导电氧化物的其中一种，所述第二导电膜为ITO(氧化铟)、ITIO(掺钛氧化铟)、IWO(氧化钨)、BZO(掺硼氧化锌)等透明导电氧化物的其中一种。
示例的，当第一导电膜和第二导电膜的组分相同时，可以通过改变所述导电膜中位于所述衬底第一区域上方的导电膜的厚度和位于所述衬底第二区域上方的导电膜的厚度来实现两次镀膜后整个导电膜具有较高的有透光率和电导率，也可以通过改变沉积工艺条件实现两次镀膜后整个导电膜具有较高的透光率和电导率。
示例的，当第一导电膜和第二导电膜的组分不相同时，第一导电膜的电导率大于第二导电膜的电导率，第二导电膜的透光率大于所述第一导电膜的透光率。
本发明实施例还提供了一种掩膜板装置，参照图12～图17所示，在沉积所述第一导电膜和第二导电膜的过程中，采用掩膜板装置沉积相对应的所述第一导电膜和所述第二导电膜，其中，所述掩膜板装置包括第一掩膜板和与所述第一掩膜板结构互补的第二掩膜板；其中，所述第一掩膜板和第二掩膜板均包括框架，所述框架内设置有多个间隔布设的遮挡件，所述遮挡件将所述框架内划分成交错间隔的开口区和遮挡区，所述第一掩膜板的开口区结构和第二掩膜板的遮挡区结构相同，所述第一掩膜板的遮挡区结构和第二掩膜板的开口区结构相同，所述第一掩膜板上的开口区结构与所述衬底表面的第一区域结构相同，所述第二掩膜板的开口区结构与所述表面的第二区域结构相同。
如图11～图13所示，所述第一掩膜板1包括第一框架1-1、设置在第一框架1-1内的多个间隔布设的遮挡件，所述遮挡件包括沿第一方向设置在第一框架1-1内的第一遮挡件1-2和沿第二方向设置的第二遮挡件1-3，相邻两个所述第一遮挡件1-2和相邻两个第二遮挡件1-3之间均具有间隙，所述间隙形成第一开口区1-4，所述第一遮挡件1-2和第二遮挡件1-3形成了第一遮挡区，其中，第一掩膜板1的框架1-1的第一方向和第二方向正交。
如图14～图16所示，所述第二掩膜板2包括第二框架2-1，设置在第二框架2-1内的多个间隔布设的遮挡件，所述遮挡件包括沿第一方向设置在第二框架2-1内的第三遮挡件2-2和沿第二方向设置的第四遮挡件2-3，相邻两个所述第三遮挡件2-2之间也具有间隙，所述间隙形成了第二开口区2-4，所述第三遮挡件2-2和第四遮挡件2-3形成了第二遮挡区，第二掩膜板2的框架2-1的第一方向和第二方向正交，其中，相邻两个所述第三遮挡件2-2之间的间隙距离等于第一遮挡件1-2的宽度，所述第四遮挡件2-3的宽度等于相邻两个第二遮挡件1-3之间的间隙距离，这样就使所述第一掩膜板1的开口区结构和第二掩膜板的遮挡区结构相同，所述第一掩膜板的遮挡区结构和第二掩膜板的开口区结构相同，最终使第一掩膜板1和第二掩膜板2的结构互补。
采用掩膜板装置沉积第一导电膜和第二导电膜的具体过程为:
在衬底表面的第一区域沉积第一导电膜的过程中：将所述第一掩膜板放置在所述衬底表面，通过所述第一掩膜板在所述衬底表面沉积第一导电膜；
在衬底表面的第二区域沉积第二导电膜的过程中：将所述第二掩膜板放置在所述衬底表面，通过所述第二掩膜板在所述衬底表面沉积第二导电膜。
通过第一掩膜板和第二掩膜板在衬底表面相对应区域镀膜，即在第一区域镀膜时，第二区域被遮挡，第二区域镀膜时，第一区域则被遮挡，这样保证了最终完成的两个区域的膜层均在各自的区域内，不会出现叠加，边缘重叠的现象，保障了相对应区域的膜层所具有的特性。
在具体实施时，为了便于通过第一掩膜板和第二掩膜板沉积相对应的第一导电膜和第二导电膜，如图17所示，所述掩膜板装置还包括承载件3，所述承载件3上至少设置有一个用于放置所述衬底的安装槽3-1，优选的，所述安装槽3-1具有多个，设置多个安装槽3-1就可放置多个衬底，同理，所述第一掩膜板1和第二掩膜板2也具有多个，这样就可提高镀膜效率。
示例的，所述第一掩膜板1和第二掩膜板2均通过定位结构安装在所述承载件3上，所述定位结构包括开设在所述框架上的定位孔和设置在所述承载件上的定位销，如图11和图13所示，所示第一框架1-1上开设有第一定位孔1-5，所述第一定位孔1-5可以具有多个，多个第一定位孔1-5沿第一框架1-1的边缘设置，如图14和图16所示，所述第二框架2-1上开设有第二定位孔2-5，第二定位孔2-5可以为多个，多个所述第二定位孔2-5沿第二框架2-1的边缘设置，且当第一框架1-1和第二框架2-1层叠设置后，所述第一定位孔1-5和第二定位孔2-5相对设置，优选的，第一定位孔1-5和第二定位孔2-5的中心轴线在同一条直线上。且所述第一定位孔1-5和第二定位孔2-5的结构相同或者不同，例如，可选自腰型孔、圆孔或方形孔中的一种。如图17和图18所示，所述承载件3上设置有定位销3-2，优选的，所述定位销3-2的数量与第一定位孔1-5和第二定位孔2-5的数量相同。
示例的，所述安装槽3-1的槽深大于等于所述衬底的厚度，这样能够将所述衬底嵌入在安装槽3-1内，方便镀膜。
为了方便的将所述衬底放置在安装槽3-1内或者从安装槽3-1内拿取衬底，所述安装槽3-1的槽口轮廓超出所述衬底的边缘轮廓。
具体实施时，所述第一掩膜板1和所述第二掩膜板2的边缘轮廓均覆盖住所述衬底表面的边缘轮廓，当将所述衬底放置在所述安装槽3-1内后，所述第一掩膜板1和所述第二掩膜板2能够覆盖住所述衬底，这样设计的目的是：若第一掩膜板1或者第二掩膜板2未将衬底表面边缘完全覆盖，在进行衬底两面镀膜的时候容易出现绕镀，最终导致太阳能电池出现短路现象。
另外，所述第一掩膜板1中的遮挡件与第一框架1-1呈一体结构，所述第二掩膜板2中的遮挡件也与第二框架2-1呈一体结构，且所述第一掩膜板1、第二掩膜板2和所述承载件3为玻璃、陶瓷、石墨、铝合金、不锈钢或塑料中的其中一种。
本发明实施例还提供了一种异质结太阳能电池的制备方法，所述制备方法包括：
在晶体硅的正面和背面分别沉积本征硅层；
在所述晶体硅的正面的本征硅层上沉积N型掺杂硅层，在所述晶体硅的背面的本征硅层上沉积P型掺杂硅层；
在所述N型掺杂硅层的表面和所述P型掺杂硅层的表面分别镀透明导电膜；
在两个所述透明导电膜的表面分别形成栅线电极；
其中，在所述N型掺杂硅层的表面和所述P型掺杂硅层的表面分别镀透明导电膜的过程中均采用上述所述的导电膜的镀膜方法。
需要说明的是：当在N型掺杂硅层的表面镀透明导电膜的过程中，在N型掺杂硅层的表面的第一区域沉积第一导电膜，其中，所述第一区域包括N型掺杂硅层的表面上用于设置栅线电极的区域；在N型掺杂硅层的表面的至少包括第二区域的区域沉积第二导电膜，所述第二区域包括N型掺杂硅层的表面上除过第一区域的区域，即用于透光的区域。
通过该方法制备的异质结太阳能电池的透明导电膜不仅满足了较高电导率的要求，也满足较高透光率的要求，使异质结太阳能电池具有较高的短路电流(Isc)和较高的填充因子(FF)，进而提高异质结太阳能电池的光电转换效率。
具体的，在晶体硅的正面和背面分别沉积本征硅层之前包括：
对所述晶体硅的正面和背面分别进行预处理，所述预处理包括清洗、抛光、去除油渍和切割损伤层；
通过制绒工艺对预处理的所述晶体硅进行表面处理；
清洗经过制绒工艺后的所述晶体硅。
本发明实施例还提供了一种异质结太阳能电池，如图1所示，所述异质结太阳能电池包括：
晶体硅11；本征硅层12，所述本征硅层12设置在所述晶体硅11正面和背面；N型掺杂硅层14，所述N型掺杂硅层14设置在在所述晶体硅11正面的本征硅层12上；P型掺杂硅层13，所述P型掺杂硅层13设置在所述晶体硅11背面的本征硅层12上；透明导电膜15，所述透明导电膜15设置在所述N型掺杂硅层14和所述P型掺杂硅层13上；栅线电极16，所述栅线电极16设置在所述N型掺杂硅层14和所述P型掺杂硅层13上的所述透明导电膜15上；
其中，所述透明导电膜中用于设置栅线电极部分的电导率大于用于透光部分的电导率，所述透明导电膜中用于透光部分的透光率大于用于设置栅线电极部分的透光率。
示例的，所述透明导电膜采用上述所述的导电膜的镀膜方法制得。
具体的，所述本征硅层12可以是本征非晶硅层或本征微晶硅层中的其中一种，N型掺杂硅层14可以是N型掺杂非晶硅层或N型掺杂微晶硅层中的其中一种，P型掺杂硅层13可以是P型掺杂非晶硅层或P型掺杂微晶硅层中的其中一种。
在本说明书的描述中，具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
Claims (15)
1.一种导电膜的镀膜方法，其特征在于，所述镀膜方法包括：
在衬底表面的第一区域沉积第一导电膜；
在衬底表面的至少包括第二区域的区域沉积第二导电膜，其中，所述第一区域和第二区域位于所述衬底的同一表面上，所述第二区域为所述衬底表面上除过第一区域的其余区域；
所述第一导电膜和第二导电膜形成导电膜，所述导电膜中位于所述衬底第一区域上方的导电膜的电导率大于第二区域上方的导电膜的电导率，所述导电膜中位于所述衬底第二区域上方的导电膜的透光率大于第一区域上方的导电膜的透光率。
2.根据权利要求1所述的导电膜的镀膜方法，其特征在于，所述第一导电膜和所述第二导电膜的沉积方法相同或不同，所述第一导电膜和所述第二导电膜采用物理气相沉积或化学气相沉积中的其中一种进行沉积。
3.根据权利要求2所述的导电膜的镀膜方法，其特征在于，在沉积所述第一导电膜和沉积所述第二导电膜的过程中：采用的沉积方法和沉积工艺条件均相同的情况下，形成的所述导电膜中位于所述衬底第一区域上方的导电膜的厚度大于位于所述衬底第二区域上方的导电膜的厚度。
4.根据权利要求2所述的导电膜的镀膜方法，其特征在于，在沉积所述第一导电膜和沉积所述第二导电膜的过程中：采用的沉积方法相同，沉积工艺条件不相同的情况下，所述第一导电膜的电导率大于所述第二导电膜的电导率，所述第二导电膜的透光率大于所述第一导电膜的透光率。
5.根据权利要求1所述的导电膜的镀膜方法，其特征在于，所述第一导电膜和所述第二导电膜的组分相同或者不同，均选自氧化铟、掺钛氧化铟、氧化钨或掺硼氧化锌中的其中一种。
6.根据权利要求1所述的导电膜的镀膜方法，其特征在于，在沉积所述第一导电膜和沉积所述第二导电膜的过程中：采用掩膜板装置沉积所述第一导电膜和所述第二导电膜，
其中：所述掩膜板装置包括第一掩膜板和与所述第一掩膜板结构互补的第二掩膜板，所述第一掩膜板和第二掩膜板均包括框架，所述框架内设置有多个间隔布设的遮挡件，所述遮挡件将所述框架内划分成交错间隔的开口区和遮挡区，所述第一掩膜板的开口区结构和第二掩膜板的遮挡区结构相同，所述第一掩膜板的遮挡区结构和第二掩膜板的开口区结构相同，所述第一掩膜板上的开口区结构与所述衬底表面的第一区域结构相同，所述第二掩膜板的开口区结构与所述衬底表面的第二区域结构相同；
在衬底表面的第一区域沉积第一导电膜的过程中：将所述第一掩膜板放置在所述衬底表面，通过所述第一掩膜板在所述衬底表面沉积第一导电膜；
在衬底表面的第二区域沉积第二导电膜的过程中：将所述第二掩膜板放置在所述衬底表面，通过所述第二掩膜板在所述衬底表面沉积第二导电膜。
7.根据权利要求6所述的导电膜的镀膜方法，其特征在于，所述第一掩膜板和所述第二掩膜板的边缘轮廓均覆盖住所述衬底表面的边缘轮廓。
8.根据权利要求6所述的导电膜的镀膜方法，其特征在于，所述掩膜板装置还包括：承载件，所述承载件上开设有用于安装所述衬底的安装槽。
9.根据权利要求8所述的导电膜的镀膜方法，其特征在于，所述安装槽的槽深大于等于所述衬底的厚度。
10.根据权利要求8所述的导电膜的镀膜方法，其特征在于，所述第一掩膜板和第二掩膜板均通过定位结构安装在所述承载件上。
11.根据权利要求10所述的导电膜的镀膜方法，其特征在于，所述定位结构包括开设在所述框架上的定位孔和设置在所述承载件上的定位销。
12.一种异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
在晶体硅的正面和背面分别沉积本征硅层；
在所述晶体硅的正面的本征硅层上沉积N型掺杂硅层，在所述晶体硅的背面的本征硅层上沉积P型掺杂硅层；
在所述N型掺杂硅层的表面和所述P型掺杂硅层的表面分别镀透明导电膜；
在两个所述透明导电膜的表面分别形成栅线电极；
其中，在所述N型掺杂硅层的表面和所述P型掺杂硅层的表面分别镀透明导电膜的过程中均采用权利要求1～11任一权利要求所述的导电膜的镀膜方法。
13.根据权利要求12所述的异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，
在晶体硅的正面和背面分别沉积本征硅层之前包括：
对所述晶体硅的正面和背面分别进行预处理，所述预处理包括清洗、抛光、去除油渍和切割损伤层；
通过制绒工艺对预处理的所述晶体硅进行表面处理；
清洗经过制绒工艺后的所述晶体硅。
14.一种异质结太阳能电池，其特征在于，包括：
晶体硅；
本征硅层，所述本征硅层设置在所述晶体硅正面和背面；
N型掺杂硅层，所述N型掺杂硅层设置在在所述晶体硅正面的本征硅层上；
P型掺杂硅层，所述P型掺杂硅层设置在所述晶体硅背面的本征硅层上；
透明导电膜，所述透明导电膜设置在所述N型掺杂硅层和所述P型掺杂硅层上；
栅线电极，所述栅线电极设置在所述N型掺杂硅层和所述P型掺杂硅层上的所述透明导电膜上；
其中，所述透明导电膜中用于设置栅线电极的透明导电膜的电导率大于用于透光的透明导电膜的电导率，所述透明导电膜中用于透光的透明导电膜的透光率大于用于设置栅线电极的透明导电膜的透光率。
15.根据权利要求14所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述透明导电膜采用权利要求1～11任一权利要求所述的导电膜的镀膜方法制得。
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