CN117096222B - 正面不设置掺杂硅晶层的联合钝化背接触电池及制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明属于背接触电池制备技术领域，具体涉及一种正面不设置掺杂硅晶层的联合钝化背接触电池及制备方法，方法包括：S101、在双面抛光的硅片背面依次形成第一半导体层、掩膜层；S102、在背面进行第一刻蚀开口，形成第二半导体开口区；S103、通过制绒清洗；S104、在正面沉积第一本征非晶硅层，并在背面沉积第二半导体层；S105、在背面的第二半导体层上进行第二刻蚀开口；S106、在背面采用磁控溅射工艺沉积第二透明导电膜层，并在正面直接沉积第一透明导电膜层。本发明能够有效避免电池产生PID效应而导致的功率衰减问题，能减少一次PECVD镀膜，有效降低正面反射率、反射损耗，膜层质量高，提高转换效率。
Description
技术领域
本发明属于背接触电池制备技术领域，具体涉及一种正面不设置掺杂硅晶层的联合钝化背接触电池及制备方法。
背景技术
目前，背接触电池中的正面钝化层及减反层一般采用PECVD（化学气相沉积技术）设备制作；且正面钝化层包括钝化膜层和掺杂硅晶层，其钝化膜层是为了保证正面钝化效果，掺杂硅晶层的设置是为了增大带隙宽度，增强钝化效果。如本申请人的早期专利申请CN115312633B公开了一种无掩膜层联合钝化背接触电池及其制备方法，方法包括以下步骤：S101、提供硅片基底，对硅片基底依次进行抛光、清洗；S102、在所述硅片基底的背面依次形成第一半导体层、掩膜层，S103、在S102所得背面对第一半导体层进行第一刻蚀，形成间隔分布的第一开口区W1；S104、通过制绒清洗，在背面的第一开口区W1内形成绒面；S105、之后去除掩膜层；S106、之后在S105所得背面上形成第二半导体层，S107、然后在S106所得背面的抛光区域进行第二刻蚀，以裸露第一半导体层，形成与第一开口区W1间隔排列的第二开口区W2；S108、在S107所得背面全覆盖地形成导电膜层。
然而，背接触电池制备中，采用PECVD（化学气相沉积技术）设备制备正面钝化层及减反层，电池制备设备投入成本大。而且，其正面结构容易出现PID效应（PotentialInduced Degradation），中文全称为电势诱导衰减，PID对电池组件的直接危害是大量电荷聚集在电池片表面，使电池表面钝化效果加剧，从而导致电池片的填充因子、开路电压及短路电流降低，电池组件功率衰减，衰减程度可达50%。
需要说明的是，本发明的该部分内容仅提供与本发明有关的背景技术，而并不必然构成现有技术或公知技术。
发明内容
本发明的目的是为了克服现有技术的背接触电池出现的功率衰减、电池制备设备投入成本大的缺陷，提供一种正面不设置掺杂硅晶层的联合钝化背接触电池及制备方法，该方法制得的联合钝化背接触电池，能够有效地避免电池产生PID效应而导致的功率衰减问题，能减少一次PECVD镀膜，可较大程度的减少设备投入成本，同时本发明所提供的正面结构有效降低了电池正面的反射率，有效降低电池反射损耗，且膜层质量高，提高了电池的光电转换效率。
为了实现上述目的，第一方面，本发明提供了一种正面不设置掺杂硅晶层的联合钝化背接触电池的制备方法，包括以下步骤：
S101、在双面抛光的硅片背面依次形成第一半导体层、掩膜层，第一半导体层包括隧穿氧化层和第一掺杂多晶层；
S102、在S101所得背面进行第一刻蚀开口，形成间隔分布的第二半导体开口区；
S103、通过制绒清洗，在硅片正面形成绒面，之后去除全部掩膜层；
S104、在S103所得正面沉积第一本征非晶硅层，并在背面沉积第二半导体层；所述第二半导体层包括第二本征非晶硅层和第二掺杂硅晶层；
S105、在S104所得背面的第二半导体层上进行第二刻蚀开口，以裸露第一半导体层，形成与第二半导体开口区间隔排列的第一半导体开口区，然后进行硅片清洗；
S106、之后在背面采用磁控溅射工艺沉积第二透明导电膜层，控制磁控溅射工艺的溅射靶电压为220V-300V；并在正面的第一本征非晶硅层表面直接沉积第一透明导电膜层，所述沉积第一透明导电膜层采用等离子体增强化学气相沉积工艺。
在本发明的一些优选实施方式中，所述第二透明导电膜层与第一透明导电膜层的厚度比为1：1-1.35、优选1：1.02-1.2。
优选地，所述第二透明导电膜层的厚度为50-150nm、优选90-150nm。
优选地，第一透明导电膜层的厚度为80-200nm、优选100-200nm。
在本发明的一些优选实施方式中，所述第一透明导电膜层、第二透明导电膜层各自独立地选自掺锡氧化铟、掺铝氧化锌、掺钨氧化铟中的至少一种。
更优选地，所述第二透明导电膜层选自掺锡氧化铟和/或掺铝氧化锌，第一透明导电膜层为掺铝氧化锌。
在本发明的一些优选实施方式中，所述第一本征非晶硅层与第一透明导电膜层的厚度比为1：12.5-21.5、优选1：15-19。
优选地，所述第一本征非晶硅层的厚度为5-10nm、优选6-10nm。
优选地，S106中所述等离子体增强化学气相沉积工艺的条件包括：控制气压为200Pa-1000Pa，温度为100-200℃，沉积功率为500W-3000W。在本发明的一些优选实施方式中，所述制备方法还包括：
S107、在S106所得背面的位于第一半导体开口区与第二半导体开口区之间的第一透明导电膜层部分进行第三刻蚀开口，形成绝缘槽；
S108、在S107所得背面的第一半导体开口区与第二半导体开口区处分别形成绝缘油墨层和主栅电极。
第二方面，本发明提供一种正面不设置掺杂硅晶层的联合钝化背接触电池，其包括硅片，在所述硅片的背面设置的第一半导体层和第二半导体层、第二透明导电膜层，在所述硅片的正面设置第一本征非晶硅层；还包括：在所述第一本征非晶硅层表面设置的第一透明导电膜层且直接接触，且其由第一方面所述的制备方法制得。
在本发明的一些优选实施方式中，在第一半导体开口区与第二半导体开口区之间的区域内，在垂直于硅片的方向上，所述第一半导体层和第二半导体层之间直接接触。
有益效果：
本发明通过上述技术方案，尤其是在联合钝化结构的后制绒方法中，特别的在正面采用第一本征非晶硅层和第一透明导电膜层的叠加结构而不设置掺杂硅晶层及常规减反层，并在正面和背面分别采用不同方法制备相应的透明导电膜层，能够在保证钝化效果的同时，有效地避免电池产生PID效应，即在高压偏压条件下不存在积累电荷的绝缘层，不会产生PID现象；且由于不设置掺杂硅晶层，能减少一次PECVD镀膜，可较大程度的减少设备投入成本，同时本发明所提供的正面结构能够保证足够的正面钝化效果，同时有效降低了电池正面的反射率，有效降低电池反射损耗，从而提高了电池的光电转换效率。其中，采用适宜低范围的溅射靶电压，利于尽可能减少因离子轰击造成的膜层损伤；而在相同条件下，若溅射靶电压不在上述范围，如过大则会增大因离子轰击造成的膜层损伤，过小则无法沉积到所需厚度。
相比较于常规热蒸镀方法制备透明导电膜层，本发明在背面采用磁控溅射工艺沉积第二透明导电膜层、在正面采用等离子体增强化学气相沉积工艺形成第一透明导电膜层的方式，其采用不同的制备工艺，由于正面膜层结构单一，采用等离子体增强化学气相沉积工艺使得正面背面的相应膜层界面附着力均好，形成相应膜层的密度高且均匀性好、针孔较少，整体膜层质量高，避免采用磁控溅射的离子轰击造成正面膜层损伤；而且，本发明在正面采用等离子体增强化学气相沉积工艺形成第一透明导电膜层的方式，其在低温下成膜，热损伤程度低，减少对第一本征非晶硅层的损伤，最大程度保留电池体少子寿命；从而提高了电池的光电转换效率。背面由于是多膜层叠加结构，且膜层厚度较厚，可采用磁控溅射工艺，磁控溅射整体设备成本低于化学气相沉积设备，且性能上利于提升电池的短路电流。本发明的制备方法设备成本低，膜层损伤小。而在相同条件下，若正面和背面采用相同的方法沉积相应透明导电膜层，如均采用磁控溅射工艺则会导致膜层损伤大，会影响产品的钝化效果，最直接的是电池的开路电压变低，如均采用等离子体增强化学气相沉积工艺则主要会导致设备成本高。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本发明的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
图1为本发明制备方法的工艺流程图。
图2为本发明实施例1的联合钝化背接触电池沉积第二透明导电膜层的结构示意图；
图3为本发明实施例1制备得到的联合钝化背接触电池的结构示意图。
图4为对比例1的常规联合钝化背接触电池的结构示意图。
附图标记说明
1、硅片，2a、隧穿氧化层，2b、N型掺杂多晶硅层，3、减反层，4、第一本征非晶硅层，5a、第二本征非晶硅层，5b、P型掺杂非晶硅层，6、第二透明导电膜层，7、第一透明导电膜层，8、主栅电极，9、N型掺杂非晶硅。
具体实施方式
在本发明中，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
在本文中所披露的范围的端点和任何值都不限于该精确的范围或值，这些范围或值应当理解为包含接近这些范围或值的值。对于数值范围来说，各个范围的端点值之间、各个范围的端点值和单独的点值之间，以及单独的点值之间可以彼此组合而得到一个或多个新的数值范围，这些数值范围应被视为在本文中具体公开。其中，术语“可选的”、“任选的”均是指可以包括，也可以不包括（或可以有，也可以没有）。
第一方面，本发明提供了一种正面不设置掺杂硅晶层的联合钝化背接触电池的制备方法，包括以下步骤：
S101、在双面抛光的硅片背面依次形成第一半导体层、掩膜层，第一半导体层包括隧穿氧化层和第一掺杂多晶层；
S102、在S101所得背面进行第一刻蚀开口，形成间隔分布的第二半导体开口区；
S103、通过制绒清洗，在硅片正面形成绒面，之后去除全部掩膜层；
S104、在S103所得正面沉积第一本征非晶硅层，并在背面沉积第二半导体层；所述第二半导体层包括第二本征非晶硅层和第二掺杂硅晶层；
S105、在S104所得背面的第二半导体层上进行第二刻蚀开口，以裸露第一半导体层，形成与第二半导体开口区间隔排列的第一半导体开口区，然后进行硅片清洗；
S106、之后在背面采用磁控溅射工艺沉积第二透明导电膜层，控制磁控溅射工艺的溅射靶电压为220V-300V；并在正面的第一本征非晶硅层表面直接沉积第一透明导电膜层，所述沉积第一透明导电膜层采用等离子体增强化学气相沉积工艺。
本发明中，所述正面不设置掺杂硅晶层中掺杂硅晶层是指掺杂非晶硅或掺杂微晶硅。由于不设置掺杂硅晶层，能减少一次PECVD镀膜，可较大程度的减少设备投入成本。
在本发明的一些优选实施方式中，所述第二透明导电膜层与第一透明导电膜层的厚度比为1：1-1.35、优选1：1.02-1.2、优选1：1.02-1.10。该优选方案，在正面和背面采用适宜厚度比的第二透明导电膜层与第一透明导电膜层，能够有效保证膜层的减反效果，更有利于电池载流子的收集，进一步提高了电池的转换效率和短路电流密度。
在满足上述厚度比的基础上，优选地，所述第二透明导电膜层的厚度为50-150nm、优选90-150nm。优选地，第一透明导电膜层的厚度为80-200nm、优选100-200nm。
本领域中透明导电膜层的具体种类均可以用于本发明中。在本发明的一些优选实施方式中，所述第一透明导电膜层、第二透明导电膜层各自独立地选自掺锡氧化铟、掺铝氧化锌、掺钨氧化铟中的至少一种。
更优选地，所述第二透明导电膜层选自掺锡氧化铟和/或掺铝氧化锌，第一透明导电膜层为掺铝氧化锌。
在本发明的一些优选实施方式中，所述第一本征非晶硅层与第一透明导电膜层的厚度比为1：12.5-21.5、优选1：15-19。该优选方案，正面的相应层厚度适宜，能够最有效保证正面的钝化效果以及减反效果，进一步提高了电池的转换效率和短路电流密度。
在满足上述厚度比的情况下，优选地，所述第一本征非晶硅层的厚度为5-10nm。
本发明S101中掩膜层的种类和厚度均可以按照现有技术中的相应范围来选择。例如，所述掩膜层为氮化硅、氧化硅、氮氧化硅中的至少一种。
本发明S102中第一刻蚀开口用于去除第二半导体开口区内的第一半导体层和掩膜层，期间可能会残留部分第一半导体层未去除。该残留部分可以在S103的制绒清洗中进行去除。
本发明S103中，可以理解的是，在制绒清洗过程中，不仅在硅片正面形成绒面，同时还会在第二半导体开口区内形成绒面。S103中所述绒面为金字塔绒面。
S104中第一本征非晶硅层、第二半导体层的沉积均可以采用PECVD方式。可以理解的是，第一本征非晶硅层和第二半导体层中的第二本征非晶硅层可以采用同一台设备采用相同方法进行分别沉积，例如可以先沉积第一本征非晶硅层，然后再沉积第二半导体层。
本发明中第一半导体层和第二半导体层中各层的厚度和相应掺杂浓度均可以按照现有技术中的相应范围来选择，如本申请人的早期联合钝化电池中的相应范围，例如，所述隧穿氧化层的厚度为1.5-2.5nm，第一掺杂多晶层的厚度为150-300nm；第二本征非晶硅层的厚度为5-15nm，第二掺杂硅晶层的厚度为10-20nm。
S105中，本领域技术人员可以根据需求选择所述第一半导体开口区和第二半导体开口区的尺寸，例如，所述第一半导体开口区的宽度W1可以为100-300μm，第二半导体开口区的宽度W2可以为300-700μm，第一半导体开口区与第二半导体开口区之间的间距Wg可以为50-400μm。
S106中磁控溅射工艺的溅射时间可以根据所需厚度来确定。
优选地，S106中所述等离子体增强化学气相沉积工艺的条件包括：控制气压为200Pa-1000Pa，温度为100-200℃，沉积功率为500W-3000W。该优选方案中，能在低温下沉积第一透明导电膜层，且热损伤少，沉积速率快，成膜质量好。
本发明中还可以设置其他常规层及其步骤。在本发明的一些实施方式中，所述制备方法还包括：S107、在S106所得背面的位于第一半导体开口区与第二半导体开口区之间的第一透明导电膜层部分进行第三刻蚀开口，形成绝缘槽；S108、在S107所得背面的第一半导体开口区与第二半导体开口区处分别形成绝缘油墨层和主栅电极。
其中，绝缘槽宽度W3可以为30-200μm。
可以理解的是，绝缘油墨层设置在第二透明导电膜层和主栅电极之间且间隔排布，第一半导体开口区与第二半导体开口区内均设置主栅电极且不同开口区内的电极极性不同，绝缘油墨层用于隔离同一列中极性不同的第二透明导电膜层和主栅电极，主栅电极用于将第一半导体开口区与第二半导体开口区内的相应第二透明导电膜层串联，其相互结构均可以按照现有技术中的结构进行，只要能形成两种不同极性的电极以传输电流即可，本发明对此没有限制。所述绝缘油墨层可以通过印刷或喷涂的方式形成，绝缘油墨层的厚度可以为5-50μm。
本发明所述第一刻蚀开口、第二刻蚀开口和第三刻蚀开口均可以采用激光或化学腐蚀的方式进行，本领域技术人员可以根据需求自由选择。
第二方面，本发明提供一种正面不设置掺杂硅晶层的联合钝化背接触电池，其包括硅片，在所述硅片的背面设置的第一半导体层和第二半导体层、第二透明导电膜层，在所述硅片的正面设置第一本征非晶硅层；还包括：在所述第一本征非晶硅层表面设置的第一透明导电膜层且直接接触，且其由第一方面所述的制备方法制得。本发明制备方法制得的联合钝化背接触电池，其中的第一透明导电膜层、第二透明导电膜层与相邻膜层的界面附着力好，形成相应膜层的密度高且均匀性好、针孔较少，整体膜层质量高，从而利于提高电池转换效率。
在本发明的一些优选实施方式中，在第一半导体开口区与第二半导体开口区之间的区域内，在垂直于硅片的方向上，所述第一半导体层和第二半导体层之间直接接触。
本发明的其他电池结构均同本申请人的早期专利CN115312633B。
下面详细描述本发明的实施例，是示例性的，仅用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。
实施例1
一种正面不设置掺杂硅晶层的联合钝化背接触电池，其通过如下制备方法获得：如图1所示，
S101、双面抛光硅片1背面依次镀第一半导体层及掩膜层，所述第一半导体层为隧穿氧化层2a与N型掺杂多晶硅层2b，掩膜层为氮化硅；
S102、在硅片1背面进行第一刻蚀开口，去除掩膜层及部分第一半导体层，形成第二半导体开口区；
S103、硅片1制绒清洗，在硅片1正面形成金字塔绒面，同时硅片1背面去除第二半导体开口区内的残留第一半导体层，之后去除全部掩膜层，形成单面制绒、单面抛光结构的硅片1；
S104、在硅片1正面沉积厚度为7nm的第一本征非晶硅层4，背面沉积形成第二半导体层，所述第二半导体层为第二本征非晶硅层5a与P型掺杂非晶硅层5b，沉积方式均采用PECVD方式形成；
S105、在硅片1背面进行第二刻蚀开口，以裸露第一半导体层，形成与第二半导体开口区间隔排列的第一半导体开口区，所述第一半导体开口区宽度W1为200μm，第二半导体开口区宽度W2为400μm，第一半导体开口区与第二半导体开口区之间的间距为Wg为80μm，如图2所示；然后硅片1清洗；
S106、硅片1背面沉积第二透明导电膜层6，所述第二透明导电膜层6是通过磁控溅射PVD工艺沉积，第二透明导电膜层6为掺锡氧化铟（ITO），溅射靶电压250V，溅射时间使得第二透明导电膜层6厚度为100nm；
正面沉积第一透明导电膜层7，第一透明导电膜层7是通过PECVD（等离子体增强化学气相沉积工艺）方式沉积，如图2所示，等离子体增强化学气相沉积工艺中，控制气压为500Pa，温度为150℃，沉积功率为1000W。第一透明导电膜层7为掺铝氧化锌（AZO），第一透明导电膜层7的厚度为106nm，第二透明导电膜层与第一透明导电膜层的厚度比为1：1.06，此沉积方式低温下成膜，热损伤程度低，减少对本征非晶硅层的损伤，最大程度保留电池体少子寿命。
S107、在S106所得背面的位于第一半导体开口区与第二半导体开口区之间的第一透明导电膜层7部分进行第三刻蚀开口，形成绝缘槽，绝缘槽宽度W3为50μm；如图2所示。
S108、在硅片1背面第二透明导电膜层6上形成间隔排列的绝缘油墨层，所述绝缘油墨通过印刷方式形成，绝缘油墨厚度为10μm；
如图3所示，在硅片1背面印刷主栅电极8，分别将第一半导体开口区与第二半导体开口区上的第一透明导电膜层7和第二透明导电膜层6串联在一起形成银浆栅线电极。
实施例2
参照实施例1的方法进行，不同的是，第二透明导电膜层制备中控制溅射靶电压为240V，使得第二透明导电膜层的厚度为80nm，其他不变。
实施例3
参照实施例1的方法进行，不同的是，改变第一透明导电膜层的厚度为100nm，为获得该厚度需要调整等离子体增强化学气相沉积工艺中的条件：气压为800Pa，温度为180℃，沉积功率为1500W。
实施例4
参照实施例1的方法进行，不同的是，改变第一本征非晶硅层的厚度为5nm。
对比例1
参照实施例1的方法进行，不同的是，硅片1正面结构不同，如图4所示，正面依次设置第一本征非晶硅层4、N型掺杂非晶硅9和减反层3，减反层3为氮化硅。第一本征非晶硅层4的厚度同实施例1，N型掺杂非晶硅9的厚度为10nm，减反层3的厚度为100nm。
对比例2
参照实施例1的方法进行，不同的是，S106的第二透明导电膜层是通过热蒸镀方式沉积，厚度同实施例1。
对比例3
参照实施例1的方法进行，不同的是，S106的第二透明导电膜层是通过活化等离子溅射RPD方式沉积，等离子体处理功率100W，阳极放电电压80V，厚度同实施例1。
测试例
将上述实施例和对比例分别制备的联合钝化背接触电池，采集不同制备工艺指标参数，并采用同一方法测试其相关性能，结果如下表1所示。其中PID损失率的测试方法为电压应力法。
表1
注：设备投资以GW为单位，其他实例均以对比例1作为参考，对比例1按“1”计算，即，其他实例的相应设备投资值/对比例的设备投资值即为上述表中的相应数据；
通过上述效果数据可以看出，相比于常规的正面设置掺杂硅晶层的对比例1，采用本发明的方法制得的联合钝化背接触电池，能够有效地避免电池产生PID效应而导致的功率衰减问题，能减少一次PECVD镀膜，可较大程度的减少设备投入成本，同时本发明所提供的正面结构有效降低了电池正面的反射率，有效降低电池反射损耗，且膜层质量高，提高了电池的转换效率和短路电流密度。而常规结构的对比例1，不采用本发明方法的对比例2-3，均无法达到本发明的优异综合效果。
进一步的，根据本发明实施例1和实施例2-4可以看出，采用本发明优选的第二透明导电膜层与第一透明导电膜层的厚度比方案或第一本征非晶硅层与第一透明导电膜层的厚度比方案，更利于进一步同时提升电池的转换效率和短路电流密度。
以上详细描述了本发明的优选实施方式，但是，本发明并不限于此。在本发明的技术构思范围内，可以对本发明的技术方案进行多种简单变型，包括各个技术特征以任何其它的合适方式进行组合，这些简单变型和组合同样应当视为本发明所公开的内容，均属于本发明的保护范围。
Claims (10)
1.一种正面不设置掺杂硅晶层的联合钝化背接触电池的制备方法，包括以下步骤：
S101、在双面抛光的硅片背面依次形成第一半导体层、掩膜层，第一半导体层包括隧穿氧化层和第一掺杂多晶层；
S102、在S101所得背面进行第一刻蚀开口，形成间隔分布的第二半导体开口区；
S103、通过制绒清洗，在硅片正面形成绒面，之后去除全部掩膜层；其特征在于：
S104、在S103所得正面沉积第一本征非晶硅层，并在背面沉积第二半导体层；所述第二半导体层包括第二本征非晶硅层和第二掺杂硅晶层；
S105、在S104所得背面的第二半导体层上进行第二刻蚀开口，以裸露第一半导体层，形成与第二半导体开口区间隔排列的第一半导体开口区，然后进行硅片清洗；
S106、之后在背面采用磁控溅射工艺沉积第二透明导电膜层，控制磁控溅射工艺的溅射靶电压为220V-300V；并在正面的第一本征非晶硅层表面直接沉积第一透明导电膜层，所述沉积第一透明导电膜层采用等离子体增强化学气相沉积工艺。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第二透明导电膜层与第一透明导电膜层的厚度比为1：1-1.35。
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述第二透明导电膜层的厚度为50-150nm，第一透明导电膜层的厚度为80-200nm。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一透明导电膜层、第二透明导电膜层各自独立地选自掺锡氧化铟、掺铝氧化锌、掺钨氧化铟中的至少一种。
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述第二透明导电膜层选自掺锡氧化铟和/或掺铝氧化锌，第一透明导电膜层为掺铝氧化锌。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一本征非晶硅层与第一透明导电膜层的厚度比为1：12.5-21.5，所述第一本征非晶硅层的厚度为5-10nm。
7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，S106中所述等离子体增强化学气相沉积工艺的条件包括：控制气压为200Pa-1000Pa，温度为100-200℃，沉积功率为500W-3000W。
8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：
S107、在S106所得背面的位于第一半导体开口区与第二半导体开口区之间的第一透明导电膜层部分进行第三刻蚀开口，形成绝缘槽；
S108、在S107所得背面的第一半导体开口区与第二半导体开口区处分别形成绝缘油墨层和主栅电极。
9.一种正面不设置掺杂硅晶层的联合钝化背接触电池，其包括硅片，在所述硅片的背面设置的第一半导体层和第二半导体层、第二透明导电膜层，在所述硅片的正面设置第一本征非晶硅层；其特征在于，还包括：在所述第一本征非晶硅层表面设置的第一透明导电膜层且直接接触，且其由如权利要求1-8中任一项所述的制备方法制得。
10.根据权利要求9所述的联合钝化背接触电池，其特征在于，在第一半导体开口区与第二半导体开口区之间的区域内，在垂直于硅片的方向上，所述第一半导体层和第二半导体层之间直接接触。
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