CN115105955A - 一种用于去除水体中耐药性风险物质的不对称聚电解质纳滤膜及其应用 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种用于去除水体中耐药性风险物质的不对称聚电解质纳滤膜及其应用,该纳滤膜由具有疏松结构的聚电解质底层和具有致密结构的聚电解质顶层构成。本发明通过调控聚电解质涂覆溶液中聚电解质和盐的浓度,调控聚电解质‑盐的相互作用,从而分别获得了具有疏松结构和致密结构的聚电解质层,将疏松层作为底层填补超滤膜表面的孔隙,使用致密层作为顶层提升PEM膜的截留性能,从而获得兼顾良好渗透性和截留性能的不对称PEM纳滤膜;该不对称PEM纳滤膜可高效去除水体中的抗生素和抗生素抗性基因,同时具有良好的透水性能,有利于环境友好的低能耗水处理。
Description
技术领域
本发明涉及一种用于去除水体中耐药性风险物质的不对称聚电解质纳滤膜及其应用,属于膜技术领域。
背景技术
近年来,抗生素的广泛使用和滥用加剧了抗生素耐药菌(ARB)和抗生素耐药基因(ARG)的出现和转移,对人体健康和生态环境构成了威胁。城市污水处理厂(WWTPs)是这些抗生素耐药性风险物质的主要汇集地之一。然而,由于大多数抗生素难降解且具有生物毒性,很难通过传统的废水处理工艺将其去除。此外,虽然超滤、消毒等废水处理工艺能够去除ARB和其中的胞内抗性基因。但ARB被灭活后,胞内抗性基因可能会转化为胞外抗性基因(eARG),从而更容易被非抗生素耐药细菌吸收,并导致ARG的转移。含有抗生素和eARG的污水排放到自然环境中,将会对废水回用系统和饮用水系统带来潜在的安全风险。因此,迫切需要制定一个有效的策略来去除污水处理厂出水中的抗生素和eARG。
膜分离技术具有节能、环保、高效的优点,被广泛应用于废水处理和资源回收等领域。其中,微滤和超滤工艺被应用于污水处理并能去除水体中的细菌和胞内抗性基因,但由于膜孔径较大,难以截留水体中的抗生素和eARG。为了去除水体中的抗生素和eARG,具有亚纳米级分离性能的纳滤膜是一种可行的选择。目前,截留分子量小于1000Da的疏松纳滤膜已被证明可有效截留水体中的抗生素(如盐酸四环素和红霉素)和eARG。然而,废水中常见的抗生素的分子大小和电荷特性存在很大差异。对于分子量较小的抗生素,如磺胺甲恶唑(253Da)和磺胺嘧啶(250Da),使用疏松纳滤膜很难实现理想的去除效果。因此,膜结构相对致密的纳滤膜可能是去除水体耐药性风险物质的必要选择。但由于渗透性-选择性权衡的限制,致密纳滤膜的渗透性较差,这势必会增加能耗。因此,在不牺牲渗透性的情况下,开发具有良好截留性能的新型纳滤膜以去除水体中的抗生素和eARG等污染物具有广阔的应用场景。
逐层组装(LBL)法是用于制备纳滤膜的一种常用方法。该方法具有操作简单、灵活可控、环境友好的优点。将聚阳离子电解质和聚阴离子电解质交替沉积在超滤膜上可获得具有纳滤性能的聚电解质多层(PEM)。通过对聚电解质层数、终止层类型以及聚电解质涂覆溶液中聚电解质-盐相互作用的系统性设计,可灵活的调控PEM膜的孔径和表面电荷。然而,由于渗透性-选择性权衡问题的限制,兼顾PEM膜的渗透性和对抗生素耐药性风险物质的截留性能十分困难。检索发现,目前未见有相关高渗透性-选择性PEM膜应用于去除水体中耐药性风险物质的研究。
发明内容
针对水体中的抗生素耐药性风险物质的去除问题,本发明提供了一种具有不对称聚电解质层结构的聚电解质多层纳滤膜及其制备方法与应用。该纳滤膜不仅能够实现对水体中抗生素和抗生素抗性基因的高效去除,同时兼具良好的渗透性。此外,可通过对聚电解质层沉积方案(疏松聚电解质部分和/或致密聚电解质部分所包含的聚电解质层的层数)的系统设计,进一步强化不对称聚电解质膜的渗透性-选择性和对抗生素耐药性风险物质的去除。
本发明为实现目的,采用如下技术方案:
一种用于去除水体中耐药性风险物质的不对称聚电解质纳滤膜,所述不对称聚电解质纳滤膜是利用聚阳离子电解质涂覆溶液和聚阴离子电解质涂覆溶液,在作为底膜的超滤膜表面通过逐层自组装法交替沉积有聚阳离子电解质层和聚阴离子电解质层;其特点在于:
所述超滤膜表面沉积的聚电解质层分为上下两部分,靠近超滤膜的下部分为疏松聚电解质部分、远离超滤膜的上部分为致密聚电解质部分;位于所述致密聚电解质部分的各层聚电解质层(聚电解质层为聚阳离子电解质层和聚阴离子电解质层的统称)的涂覆溶液中聚电解质和盐的浓度皆大于位于所述疏松聚电解质部分的各层聚电解质层的涂覆溶液中聚电解质和盐的浓度。本发明通过调控聚电解质涂覆溶液中的聚电解质-盐的相互作用以分别获得具有疏松结构和致密结构的聚电解质层,将疏松层作为底层填补超滤膜表面孔隙,使用致密层作为顶层提升PEM膜的截留性能,可获得同时具有良好渗透性并能高效截留水体中耐药性风险物质的新型PEM膜。
进一步地:位于所述疏松聚电解质部分的各层聚电解质层的涂覆溶液中聚电解质浓度为0.05-0.15g/L、氯化钠浓度为5.85-11.7g/L,在此情形下,聚阴/阳离子电解质的电荷主要被带相反电荷的聚电解质中和,因此当聚电解质吸附在底膜上时,聚电解质链伸展从而形成薄且疏松的聚电解质层。位于所述致密聚电解质部分的各层聚电解质层的涂覆溶液中聚电解质浓度为0.2-0.4g/L、氯化钠浓度为29.25-58.5g/L,在此情形下,聚电解质的电荷主要被带相反电荷的盐离子中和,聚电解质链间的静电排斥作用减弱、沉积量增加、由延展结构转变为相互缠绕的结构,从而形成厚且致密的聚电解质层。最优选的:位于所述疏松聚电解质部分的各层聚电解质层的涂覆溶液中聚电解质浓度为0.1g/L、氯化钠浓度为5.85g/L;位于所述致密聚电解质部分的各层聚电解质层的涂覆溶液中聚电解质浓度为0.2g/L、氯化钠浓度为29.25g/L。
进一步地,通过调整疏松聚电解质部分和/或致密聚电解质部分所包含的聚电解质层的层数,调整所得不对称聚电解质纳滤膜的截留性能。优选的,所述疏松聚电解质部分由4~8层聚电解质层构成,所述致密聚电解质部分由2~4层聚电解质层构成。最优选的,所述疏松聚电解质部分由6层聚电解质层(即3层聚阳离子电解质层和3层聚阴离子电解质层)构成,所述致密聚电解质部分由4层聚电解质层(即2层聚阳离子电解质层和2层聚阴离子电解质层)构成。
进一步地,所述不对称聚电解质纳滤膜的膜截留分子量为260-342Da,平均孔径为0.63-0.69nm。
进一步地:作为底膜的所述超滤膜为PES超滤膜,是以无纺布为基底,以200-400μmPES活性层为顶层的商品超滤膜。聚阳离子电解质可选用聚二甲基二烯丙基氯化铵(PDADMAC),聚阴离子电解质可选用聚苯乙烯磺酸钠(PSS)。
本发明所述的不对称聚电解质纳滤膜的制备方法为:
(1)将作为底膜的超滤膜(如截留分子量为100kDa的商品聚醚砜(PES)超滤膜)浸泡于异丙醇中清洗30分钟,并用去离子水多次漂洗,获得去除表面杂质的超滤支撑膜。
(2)将步骤(1)得到的清洗后的支撑膜活性层朝上贴于干净的玻璃板上并用特氟龙框夹紧以作为PEM膜的基底。
(3)以0.05-0.15g/L的目标浓度,分别将聚阳离子电解质(如PDADMAC,400000–500000Da)和聚阴离子电解质(如PSS,70000Da)充分溶解于氯化钠浓度为5.85-11.7g/L的水溶液中,以作为疏松聚电解质部分的涂覆溶液;以0.2-0.4g/L的目标浓度,分别将聚阳离子电解质和聚阴离子电解质充分溶解于氯化钠浓度为29.25-58.5g/L的水溶液中,以作为致密聚电解质部分的涂覆溶液。
(4)通过逐层自组装法,将步骤(3)中配制的低浓度聚阳离子电解质涂覆溶液和聚阴离子电解质涂覆溶液交替沉积在基底表面,直至获得所需的聚电解质层数,即为疏松聚电解质部分,每层的沉积方法是:将低浓度聚阳离子电解质涂覆溶液或聚阴离子电解质涂覆溶液倒在超滤基底上,均匀接触30min后倒掉涂覆溶液,并用与涂覆溶液中氯化钠浓度相同的氯化钠溶液冲洗两次并浸泡30min以将膜表面未吸附的聚电解质彻底去除。
(5)通过逐层自组装法,将步骤(3)中配制的高浓度聚阳离子电解质涂覆溶液和聚阴离子电解质涂覆溶液交替沉积在疏松聚电解质部分的上方,直至获得所需的聚电解质层数,即为致密聚电解质部分,每层的沉积方法是:将高浓度聚阳离子电解质涂覆溶液或聚阴离子电解质涂覆溶液倒在基底上,均匀接触30min后倒掉涂覆溶液,并用与涂覆溶液中氯化钠浓度相同的氯化钠溶液冲洗两次并浸泡30min以将膜表面未吸附的聚电解质彻底去除。
本发明的不对称聚电解质纳滤膜可在膜分离技术中作为新型高渗透性-选择性聚电解质纳滤膜使用,如可以用于去除水体耐药性风险物质。
与现有技术相比,本发明的有益效果是:
1、本发明利用LBL技术的可控性,通过调控聚电解质涂覆溶液中聚电解质和盐的浓度,调控聚电解质-盐的相互作用,从而分别获得了具有疏松结构和致密结构的聚电解质层,将疏松层作为底层填补超滤膜表面的孔隙,使用致密层作为顶层提升PEM膜的截留性能,从而获得兼顾良好渗透性和截留性能的不对称PEM纳滤膜。该不对称PEM纳滤膜可高效去除水体中的抗生素和抗生素抗性基因,同时具有良好的透水性能,有利于环境友好的低能耗水处理。
2、本发明通过调整疏松聚电解质部分和/或致密聚电解质部分所包含的聚电解质层的层数,可以调整所得不对称聚电解质纳滤膜的截留性能。基于此,本发明确定了具有最佳抗生素和抗生素抗性基因截留性能对应的PEM膜聚电解质层数后,进一步通过优化底部疏松层和顶部致密层的数量以改善膜的水渗透性和对耐药性风险物质的去除性能。
附图说明
图1为本发明以实施例1中具有不对称聚电解质层结构(底部具有4个疏松聚电解质层,顶部具有4个致密聚电解质层)的PEM膜为例的膜结构示意图。
图2为本发明对比例1中的空白对照纳滤膜NF270和实施例1、2、3、4中具有不同聚电解质层结构的PEM纳滤膜对不同分子量中性有机物分子的截留曲线和膜截留分子量;
图3为本发明对比例1中的空白对照纳滤膜NF270和实施例1、2、3、4、5、6中具有不同聚电解质层结构的PEM纳滤膜的纯水通量;
图4为本发明对比例1中的空白对照纳滤膜NF270和实施例2、3、4、5、6中具有不同聚电解质层结构的PEM纳滤膜对Na2SO4的截留性能;
图5为本发明对比例1中的空白对照纳滤膜NF270和实施例2、3、6中具有不同聚电解质层结构的PEM纳滤膜对模拟废水中的磺胺甲恶唑和磺胺嘧啶的去除性能;
图6为本发明对比例1中的空白对照纳滤膜NF270、对比例2中PES超滤膜和实施例1、2、3、4、5、6中具有不同聚电解质层结构的PEM纳滤膜对模拟废水中胞外抗生素抗性基因(floR、tetC、SulI)的对数去除率。
具体实施方式
为使本发明要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图及具体实施例进行详细描述,但不仅限于此,本发明未详尽说明的,均按本领域常规技术。
下述实施例中所用试剂、聚二甲基二烯丙基氯化铵(PDADMAC)、聚阴离子电解质聚苯乙烯磺酸钠(PSS)均为市售产品。PES商品超滤膜购置于美国Synder公司。
实施例1
本实施例按如下步骤制备一种用于去除水体中耐药性风险物质的不对称聚电解质纳滤膜:
(1)将截留分子量为100kDa的商品聚醚砜(PES)超滤膜浸泡于异丙醇中清洗30分钟,用去离子水充分清洗3次并浸泡一夜,获得去除表面杂质的PES超滤膜。
(2)将步骤(1)得到的清洗后的PES膜活性层朝上贴于干净的玻璃板上并用特氟龙框夹紧以作为PEM膜的基底。
(3)分别将0.1g的聚阳离子聚电解质PDADMAC和聚阴离子电解质PSS溶解于含有5.85g氯化钠的1000mL去离子水中,充分搅拌3h,以作为疏松聚电解质部分的涂覆溶液;将0.2g的PDADMAC和PSS溶解于含有29.25g氯化钠的1000mL去离子水中,充分搅拌3h,以作为致密聚电解质部分的涂覆溶液。
(4)通过逐层自组装法,将步骤(3)中配制的低浓度(聚电解质浓度为0.1g/L、氯化钠浓度为5.85g/L)聚阳离子电解质涂覆溶液和聚阴离子电解质涂覆溶液交替沉积在基底表面,直至获得4层聚电解质层(2层聚阳离子电解质层和2层聚阴离子电解质层),即为疏松聚电解质部分,每层的沉积方法是:将低浓度聚阳离子电解质涂覆溶液或聚阴离子电解质涂覆溶液倒在超滤基底上,均匀接触30min后倒掉涂覆溶液,并用与涂覆溶液中氯化钠浓度相同的氯化钠溶液冲洗两次并浸泡30min以将膜表面未吸附的聚电解质彻底去除。
(5)通过逐层自组装法,将步骤(3)中配制的高浓度(聚电解质浓度为0.2g/L、氯化钠浓度为29.25g/L)聚阳离子电解质涂覆溶液和聚阴离子电解质涂覆溶液交替沉积在疏松聚电解质部分的上方,直至获得4层聚电解质层(2层聚阳离子电解质层和2层聚阴离子电解质层),即为致密聚电解质部分,每层的沉积方法是:将高浓度聚阳离子电解质涂覆溶液或聚阴离子电解质涂覆溶液倒在基底上,均匀接触30min后倒掉涂覆溶液,并用与涂覆溶液中氯化钠浓度相同的氯化钠溶液冲洗两次并浸泡30min以将膜表面未吸附的聚电解质彻底去除。
(6)完成步骤(5)后,即获得不对称聚电解质纳滤膜,其疏松聚电解质部分含4层聚电解质层、致密聚电解质部分含4层聚电解质层。
经测试,本实施例所得不对称聚电解质膜的纯水通量为17.1L·m-2·h-1·bar-1,膜的截留分子量为306Da。
实施例2
本实施例按实施例1相同的方法和条件制备聚电解质纳滤膜,区别在于:所得聚电解质膜的疏松聚电解质部分含10层聚电解质层,且不含致密聚电解质部分。
经测试,本实施例所得聚电解质纳滤膜的纯水通量为20.4L·m-2·h-1·bar-1,膜的截留分子量为342Da,硫酸钠截留率为93.1%。
实施例3
本实施例按实施例1相同的方法和条件制备不对称聚电解质纳滤膜,区别在于:所得不对称聚电解质膜的疏松聚电解质部分含6层聚电解质层,致密聚电解质部分含4层聚电解质层。
经测试,本实施例所得聚电解质纳滤膜的纯水通量为15.3L·m-2·h-1·bar-1,膜的截留分子量为273Da,硫酸钠截留率为96.2%。
实施例4
本实施例按实施例1相同的方法和条件制备聚电解质纳滤膜,区别在于:所得聚电解质膜不含疏松聚电解质部分,致密聚电解质部分含10层聚电解质层。
经测试,本实施例所得聚电解质纳滤膜的纯水通量为10.8L·m-2·h-1·bar-1,膜的截留分子量为260Da,硫酸钠截留率为88.0%。
实施例5
本实施例按实施例1相同的方法和条件制备聚电解质纳滤膜,区别在于:所得聚电解质膜的疏松聚电解质部分含12层聚电解质层,且不含致密聚电解质部分。
经测试,本实施例所得聚电解质纳滤膜的纯水通量为15.3L·m-2·h-1·bar-1,硫酸钠截留率为93.0%。
实施例6
本实施例按实施例1相同的方法和条件制备不对称聚电解质膜,区别在于:所得不对称聚电解质膜的疏松聚电解质部分含6层聚电解质层,致密聚电解质部分含3层聚电解质层(即以聚阳离子电解质PDADMAC为终止层)。
经测试,本实施例所得聚电解质膜的纯水通量为13.2L·m-2·h-1·bar-1,硫酸钠截留率为35.1%。
对比例1
以市售的商品纳滤膜NF270作为空白对照纳滤膜,空白对照纳滤膜NF270为薄膜复合聚酰胺纳滤膜,该膜以致密的聚酰胺层作为纳滤活性层。空白对照纳滤膜NF270的纯水通量为15.7L·m-2·h-1·bar-1,膜的截留分子量为362Da,硫酸钠截留率为95.0%。
对比例2
以本发明中作为聚电解质纳滤膜基底膜的市售商品PES超滤膜作为空白对照膜,该膜以以无纺布为基底,以200-400μm厚的PES活性层为顶层,其截留分子量为100kDa。
实验例1
采用错流纳滤装置测定制备好的用于去除水体中耐药性风险物质的不对称聚电解质纳滤膜的截留分子量,评估具有不同聚电解质层结构的聚电解质的孔结构差异。
将对比例1中的空白对照纳滤膜NF270和实施例1、2、3、4中具有不同聚电解质层结构的聚电解质纳滤膜裁剪为适合过滤系统的大小(3.125cm2),浸入去离子水中浸泡过夜。在150psi压力下压实膜,使膜通量稳定。随后,分别使用含有200mg/L甘油(92Da)、葡萄糖(180Da)、蔗糖(342Da)、PEG600(600Da)和β-环糊精(1135Da)的溶液为进料溶液,在温度为25℃、压力为100psi、流速为100LPH条件下稳定过滤1.5小时,收集进料液和膜渗滤液,计算膜对这些小分子有机物的截留率并拟合得到纳滤膜在溶质截留率为90%时对应的膜截留分子量。如附图2所示,实施例1、2、3、4中具有不同聚电解质层结构的聚电解质纳滤膜表现出不同的截留分子量和溶质截留行为,说明不对称聚电解质纳滤膜的设计方案可灵活地调控聚电解质纳滤膜的孔结构。
实验例2
采用错流纳滤装置测定制备好的用于去除水体中耐药性风险物质的不对称聚电解质膜的水渗透性和盐截留性能,评估具有不同聚电解质层结构的聚电解质纳滤膜的渗透性-选择性差异。
将对比例1中的空白对照纳滤膜NF270和实施例1、2、3、4、5、6中具有不同聚电解质层结构的聚电解质纳滤膜裁剪为适合过滤系统的大小(3.125cm2),浸入去离子水中浸泡过夜。用去离子水测定其纯水通量,首先在150psi压力下压实膜,使膜通量稳定。随后在100psi压力下,测试膜的纯水通量。如附图3所示,实施例1、2、3、4、5、6中具有不同聚电解质层结构的聚电解质纳滤膜具有不同的水通量。其中具有6层疏松聚电解质层和4层致密聚电解质层的PEM纳滤膜具有与对比例1中的空白对照纳滤膜NF270相当的水通量,说明通过调控疏松聚电解质层和致密聚电解质层的数量可以灵活地控制PEM纳滤膜的水渗透性。
将对比例1中的空白对照纳滤膜NF270和实施例2、3、4、5、6中具有不同聚电解质层结构的聚电解质纳滤膜裁剪为适合过滤系统的大小(3.125cm2),浸入去离子水中浸泡过夜。在150psi压力下压实膜,使膜通量稳定。随后,以10mM的Na2SO4盐溶液为进料溶液,在温度为25℃,压力为100psi,流速为100LPH条件下稳定过滤1.5小时,收集进料液和膜渗滤液,并计算膜对Na2SO4的截留率。如附图4所示,实施例2、3、4、5、6中具有不同聚电解质层结构的聚电解质纳滤膜表现出不同的Na2SO4截留性能。在所有PEM纳滤膜中具有6层疏松聚电解质层和4层致密聚电解质层的纳滤膜展现出比对比例1中的空白对照纳滤膜NF270更高的Na2SO4截留率,说明不对称聚电解质纳滤膜的设计方案提升了聚电解质纳滤膜对Na2SO4的截留性能。
实验例3
采用错流纳滤装置测定制备好的用于去除水体中耐药性风险物质的不对称聚电解质膜对模拟污水处理厂出水中抗生素的截留性能。
将对比例1中的空白对照纳滤膜NF270和实施例2、3、6中具有不同聚电解质层结构的聚电解质纳滤膜裁剪为适合过滤系的统大小(3.125cm2),浸入去离子水中浸泡过夜。在150psi压力下压实膜,使膜通量稳定。随后,以序批式生物反应器出水为基质,分别配制浓度为1mg/L的磺胺甲恶唑(SMX)溶液和磺胺嘧啶(SDZ)溶液作为进料溶液,在温度为25℃、压力为100psi、流速为100LPH条件下稳定过滤1.5小时,收集进料液和膜渗滤液,并计算膜对抗生素的截留率。如附图5所示,实施例2、3、6中具有不同聚电解质层结构的聚电解质纳滤膜表现出不同的抗生素截留性能。在所有PEM纳滤膜中具有6层疏松聚电解质层和4层致密聚电解质层的纳滤膜展现出比对比例1中的空白对照纳滤膜NF270更高的SMX和SDZ截留率,说明使用不对称聚电解质纳滤膜的设计方案可制备出能够高效截留水体中抗生素的聚电解质纳滤膜。
实验例4
采用错流纳滤装置测定制备好的用于去除水体中耐药性风险物质的不对称聚电解质膜对模拟污水处理厂出水中的胞外抗生素抗性基因的截留性能。
将对比例1中的空白对照纳滤膜NF270、对比例2中PES超滤膜和实施例1、2、3、4、5、6中具有不同聚电解质层结构的聚电解质纳滤膜裁剪为适合过滤系统的大小(3.125cm2),浸入去离子水中浸泡过夜。在150psi压力下压实膜,使膜通量稳定。随后,以经0.22μm滤膜过滤去除ARB后的序批式生物反应器出水作为进料溶液,在温度为25℃、压力为100psi、流速为100LPH条件下稳定过滤4小时,收集进料液和膜渗滤液,并计算膜对胞外抗生素抗性基因(floR、tetC、SulI)的对数去除率。如附图6所示,对比例2中的超滤膜对水中的胞外抗生素抗性基因几乎没有去除效果,而对比例1中的空白对照纳滤膜NF270和实施例1、2、3、4、5、6中具有不同聚电解质层结构的聚电解质纳滤膜对该模拟废水中的胞外抗生素抗性基因都表现出3以上的对数去除率,说明不对称聚电解质纳滤膜可以高效去除水体中的胞外抗生素抗性基因。
Claims (7)
1.一种用于去除水体中耐药性风险物质的不对称聚电解质纳滤膜,所述不对称聚电解质纳滤膜是利用聚阳离子电解质涂覆溶液和聚阴离子电解质涂覆溶液,在作为底膜的超滤膜表面通过逐层自组装法交替沉积有聚阳离子电解质层和聚阴离子电解质层;其特征在于:
所述超滤膜表面沉积的聚电解质层分为上下两部分,靠近超滤膜的下部分为疏松聚电解质部分、远离超滤膜的上部分为致密聚电解质部分;位于所述致密聚电解质部分的各层聚电解质层的涂覆溶液中聚电解质和盐的浓度皆大于位于所述疏松聚电解质部分的各层聚电解质层的涂覆溶液中聚电解质和盐的浓度。
2.根据权利要求1所述的不对称聚电解质纳滤膜,其特征在于:位于所述疏松聚电解质部分的各层聚电解质层的涂覆溶液中聚电解质浓度为0.05-0.15g/L、氯化钠浓度为5.85-11.7g/L;位于所述致密聚电解质部分的各层聚电解质层的涂覆溶液中聚电解质浓度为0.2-0.4g/L、氯化钠浓度为29.25-58.5g/L。
3.根据权利要求1所述的不对称聚电解质纳滤膜,其特征在于:通过调整疏松聚电解质部分和/或致密聚电解质部分所包含的聚电解质层的层数,调整所得不对称聚电解质纳滤膜的截留性能。
4.根据权利要求1或3所述的不对称聚电解质纳滤膜,其特征在于:所述疏松聚电解质部分由4~8层聚电解质层构成,所述致密聚电解质部分由2~4层聚电解质层构成。
5.根据权利要求4所述的不对称聚电解质纳滤膜,其特征在于:所述不对称聚电解质纳滤膜的膜截留分子量为260-342Da,平均孔径为0.63-0.69nm。
6.根据权利要求1所述的不对称聚电解质纳滤膜,其特征在于:作为底膜的所述超滤膜为PES超滤膜。
7.一种权利要求1~6中任意一项所述不对称聚电解质纳滤膜在去除水体耐药性风险物质中的应用。
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