CN115104195A - Oled金属掩模涂布方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种OLED金属掩模涂布方法，OLED金属掩模包括掩模本体和以包裹掩模本体的形式涂布的涂层，OLED金属掩模涂布方法的特征在于，包括：第一投入步骤，投入三甲基铝气体；第二投入步骤，向第一投入步骤投入包括惰性气体的水蒸气；排出步骤，将从第二投入步骤产生的弛放气排出。

Description

OLED金属掩模涂布方法
技术领域
本发明涉及一种OLED金属掩模涂布方法，用均匀的薄膜涂布金属掩模的表面，从而具有优秀的耐腐蚀性、耐颗粒磨损性、耐电弧性。
背景技术
目前OLED制造工艺中正使用在金属基材上涂布有聚四氟乙稀(teflon)的金属掩模(metal mask)。
图1是示出OLED金属掩模10的平面图，图2是示出现有的形成金属掩模10的掩模本体11和涂层12的截面图。
一般的聚四氟乙烯涂层金属掩模在大约40μm厚度金属基材的平面和侧面覆盖有聚四氟乙烯，在OLED制造工艺中蚀刻聚四氟乙烯涂层的同时产生颗粒。尤其在金属掩模侧面容易蚀刻聚四氟乙烯涂层，在其蚀刻的区域产生如图2所示的电弧。因此，在这样的电弧现象产生前应整体替换聚四氟乙烯涂层金属掩模，其替换周期约为1～2周左右。换句话说，为了替换所述聚四氟乙烯涂层金属掩模，应将OLED工艺装备每1～2周中止运转一次，因此不仅麻烦，而且对生产性造成极大的影响。
另外，通过粘合剂(binder)和陶瓷的混合物覆盖金属基材的平面和侧面的金属掩模的情况，存在因OLED制造工艺中产生的等离子体(plasma)及高温造成无法确保金属掩模的耐腐蚀性的问题，因此在OLED制造工艺中不能适用所述金属掩模。
因此，需要如下一种金属掩模，在较薄厚度的侧面部分也具有最小的蚀刻率，维持绝缘性从而可有效地适用于OLED制造工艺。
此外，为了表现色彩，OLED显示器需要经过R(红，red)、G(绿，green)、B(蓝，blue)的三原色像素形成工艺，金属掩模是在三原色像素形成工艺中使用的核心部件。为了形成像素，使用金属掩模的方式是在真空腔室内使得金属掩模排列并紧贴在规定的OLED基板后，仅在想要的区域蒸镀有机物而形成像素。这种方式的情况，直接在各个发光层形成RGB的三原色并使用，从而具有其元件的特性优秀且光的利用效率高的优点。金属掩模的材料代表性地使用表现出低热膨胀系数的Fe-Ni系的因瓦(INVAR)或Fe-Ni-Co系的超因瓦(Super INVAR)合金等。
制作金属掩模的以往的方式有利用激光加工方式的方法和利用金属蚀刻的方法等。
在工业现场使用激光加工方式时，通常使用YAG激光或准分子(excimer)激光来使得金属薄板图案化。这样的激光加工方式问题在于，难以对通过激光切断的部分的温度进行控制，从而导致金属薄板的热变形，由于开口部的壁面的形态变化导致光照度低下，不能实现100μm以下的极细微图案或难以大量生产。
另外，金属蚀刻技术是在金属薄板进行光致抗蚀剂涂布(photoresist coating)，使用平板印刷工艺进行曝光(exposure)和显影(development)，通过金属基板的选择性蚀刻(etching)工艺以欲实现的图案的形态制造金属掩模的方法，缺点在于，难以控制蚀刻速度，可能产生开口部的壁面的凹凸，此外也难以控制蚀刻深度或精密度。
发明内容
本发明是为了解决如上所述现有技术具有的问题而提出的，其目的在于提供一种OLED金属掩模涂布方法，用薄膜均匀地涂布金属掩模的表面，从而防止工艺中因等离子产生的电弧，提高耐腐蚀性、耐颗粒磨损性，使得金属掩模的寿命延长并增大OLED制造工艺的生产效率。
本发明提供一种OLED金属掩模涂布方法，OLED金属掩模包括掩模本体和以包裹掩模本体的形式涂布的涂层，OLED金属掩模涂布方法的特征在于，包括：
第一投入步骤，投入三甲基铝气体；
第二投入步骤，向第一投入步骤投入包括惰性气体的水蒸气；
排出步骤，将从第二投入步骤产生的气体排出。
特征在于，在第二投入步骤投入包括惰性气体的水蒸气，将在第一投入步骤产生的气体排出的同时，水蒸气和铝进行反应。
特征在于，涂层由氧化铝形成，涂层的厚度形成为3μm以下。
特征在于，涂层在真空状态下形成，在80℃～150℃范围的温度中加热15个小时以上而形成。
特征在于，涂层由氧化钇形成；
在第一投入步骤投入三甲基钇气体，在第二投入步骤投入包括惰性气体的水蒸气，在排出步骤将从第二投入步骤产生的气体排出。
特征在于，涂层的厚度形成为3μm以下。
根据本发明的OLED金属掩模涂布方法，效果在于，用均匀的薄膜涂布金属掩模的表面，从而防止工艺中因等离子产生的电弧，提高耐腐蚀性、耐颗粒磨损性，使得金属掩模的寿命延长并增大OLED制造工艺的生产效率。
附图说明
图1是OLED金属掩模的平面图。
图2是示出现有的形成有涂层的图1的A-A部分的截面的截面图。
图3是示出根据本发明的形成有涂层的图1的A-A部分的截面的截面图。
具体实施方式
以下，参照附图对根据本发明的OLED金属掩模涂布方法进行详细地说明。
图3是示出根据本发明的形成有涂层的图1的A-A部分的截面的截面图。
如图3所示，通过根据本发明的OLED金属掩模涂布方法形成的OLED金属掩模包括掩模本体110和涂层130。
如图1所示，掩模本体110形成为格子形态，但掩模本体110不限定为格子形态，可适用多角、圆形、梳齿形等各种几何学的形状。掩模本体110的厚度设置为10μm～2,000μm范围。
掩模本体110的材料有低热膨胀系数的Fe-Ni系的因瓦(INVAR)合金或Fe-Ni-Co系的超因瓦(Super INVAR)合金等。关于掩模本体110的材料的内容涉及现有技术，省略其详细的说明。
涂层130以包裹掩模本体110的形式涂布而形成。涂层130由氧化铝(Al2O3)形成，也可用氧化钇(Y2O3)代替。涂层130以用均匀的厚度包裹掩模本体10的形式设置。涂层130的厚度形成为3μm以下，优选地以0.5μm～3μm范围形成。
用于涂布掩模本体110的方法使用化学气相沉积方法(CVD，chemical vapordeposition)。化学气相沉积方法是在腔室(chamber)内注入具有反应性的气体(gas)，施加适当的活性及反应能，从而在基板表面形成想要的薄膜的方法。化学气相沉积方法涉及现有技术，省略其详细的说明。
根据本发明的OLED金属掩模涂布方法包括掩模本体准备步骤、第一投入步骤、第二投入步骤和排出步骤。
在掩模本体准备步骤中，将掩模本体110放入腔室(未示出)内，腔室内部成为真空状态。
在第一投入步骤，向设置有掩模本体110的腔室内投入三甲基铝(2Al(CH3)3)气体并加热。腔室的温度维持80℃～150℃范围。第一投入步骤中，腔室的温度也可以维持80℃～400℃范围。
在此步骤中，通过加热三甲基铝(2Al(CH3)3)气体分离为铝(A1)和三甲基(2(CH3)3)，铝(A1)与掩模本体110的外面结合并生成三甲基(2(CH3)3)。
Figure BDA0003801681100000041
在第二投入步骤投入包括惰性气体的水蒸气(H2O)并将在第一投入步骤生成的三甲基(2(CH3)3)排出。惰性气体有氮气(N2)、氩气(Ar)等。在第二投入步骤中腔室内部维持真空状态，腔室内温度维持80℃～150℃范围。第二投入步骤中，腔室的温度也可以维持80℃～400℃范围。
在第二投入步骤中一起投入惰性气体和水蒸气(H2O)，从而将在第一投入步骤产生的弛放气(2(CH3)3)和惰性气体一起排出的同时，实现铝(A1)和水蒸气(H2O)的反应。通过铝(A1)和水蒸气(H2O)的反应，氧化铝(Al2O3)均匀地形成并涂布于掩模本体10的外面，并产生氢气(H2)。
2Al+2(CH3)3→Al2O3(S)+3H2(g)
在表示第二投入步骤的上面的化学反应中，投入3H2O(g)和Ar(g)，排出三甲基(2(CH3)3)和氩气(Ar)。
在第二投入步骤，将在第一投入步骤产生的三甲基(2(CH3)3)和氩气(Ar)一起排出的同时，实现铝(A1)和水蒸气(H2O)的反应，从而简化反应过程，缩短反应时间，提高效率。
在第二投入步骤中代替水蒸气(H2O)也可投入氧气(O2)或臭氧(O3)。投入氧气(O2)或臭氧(O3)的情况，首先投入惰性气体使得第一投入步骤中生成的弛放气(2(CH3)3)排出后，投入氧气(O2)或臭氧(O3)，实现投入的氧气(O2)或臭氧(O3)和铝(Al)的反应。通过铝(Al)和氧气(O2)或臭氧(O3)的反应，氧化铝(Al2O3)均匀地形成薄膜并涂布于掩模本体10的外面，留下剩余的氧气(O2)或臭氧(O3)。
在排出步骤将在第二投入步骤生成的氢气(H2)排出。在排出步骤通过向腔室内部投入惰性气体而使得氢气(H2)排出。惰性气体有氮气(N2)、氩气(Ar)等。在排出步骤中腔室内部维持真空状态，腔室内温度维持80℃～150℃范围。排出步骤中，腔室的温度也可以维持80℃～400℃范围。
在第二投入步骤代替水蒸气(H2O)而投入氧气(O2)或臭氧(O3)的情况，在排出步骤将在第二投入步骤中生成的多余的氧气(O2)或臭氧(O3)排出。在排出步骤通过向腔室内部投入作为惰性气体的氩气(Ar)而使得多余的氧气(O2)或臭氧(O3)排出。
Al2O3(s)+3H2(g)→Al2O3(s)
上面的化学反应中，投入Ar(g)，排出3H2(g)和氩气(Ar)。
根据如上所述的反应，在掩模本体110形成氧化铝(Al2O3)涂层130。涂层130的厚度均匀地形成为1μm以下。优选地，涂层130形成为0.5μm～1μm范围。
多次反复进行如上所述的反应而形成涂层130，将涂层130的厚度设置为0.5μm时，腔室内反应时间需要15个小时以上，将涂层130的厚度设置为1μm时，腔室内反应时间需要24～48个小时。
涂层130的厚度均匀地形成为1μm以下，从而防止工艺中因等离子产生的电弧，提高优秀的绝缘性、耐腐蚀性、耐颗粒磨损性，使得金属掩模的寿命延长。
就涂层130而言，在第一投入步骤投入三甲基钇(2Y(CH3)3)气体，从而可实现反应。如果投入三甲基钇(2Y(CH3)3)，则在掩模本体110涂布氧化钇(Y2O3)。
目前为止，以附图所示的实施例为参考对根据本发明的OLED金属掩模涂布方法进行了说明，但这不过是例示性的，可理解为任何从业者都可由此实施多样的变形及均等的其他实施例。因此，真正的技术保护范围通过权利要求书的技术思想而得以确定。
产业上可利用性
根据本发明的OLED金属掩模涂布方法，用均匀的薄膜涂布金属掩模的表面，防止因等离子产生的电弧，提高耐腐蚀性、耐颗粒磨损性，使得金属掩模的寿命延长并增大OLED制造工艺的生产效率。

Claims (6)

1.一种OLED金属掩模涂布方法，OLED金属掩模包括掩模本体(110)和以包裹掩模本体(110)的形式涂布的涂层(130)，OLED金属掩模涂布方法的特征在于，包括：
第一投入步骤，投入三甲基铝(2Al(CH3)3)气体；
第二投入步骤，向第一投入步骤投入包括惰性气体的水蒸气(H2O)；
排出步骤，将从第二投入步骤产生的气体排出。
2.一种OLED金属掩模涂布方法，OLED金属掩模包括掩模本体(110)和以包裹掩模本体(110)的形式涂布的涂层(130)，OLED金属掩模涂布方法的特征在于，包括：
第一投入步骤，投入三甲基铝(2Al(CH3)3)气体；
第二投入步骤，首先投入惰性气体，将在第一投入步骤生成的弛放气(2(CH3)3)排出后，投入氧气(O2)或臭氧(O3)；
排出步骤，将从第二投入步骤产生的气体排出。
3.根据权利要求1所述的OLED金属掩模涂布方法，其特征在于，
在第二投入步骤投入包括惰性气体的水蒸气，将在第一投入步骤产生的气体排出的同时，水蒸气(H2O)和铝(A1)进行反应。
4.根据权利要求1或2所述的OLED金属掩模涂布方法，其特征在于，
涂层(30)由氧化铝(Al2O3)形成，涂层的厚度形成为3μm以下。
5.根据权利要求1所述的OLED金属掩模涂布方法，其特征在于，
涂层(30)在真空状态下形成，在80℃～400℃范围的温度中加热15个小时以上而形成。
6.根据权利要求3所述的OLED金属掩模涂布方法，其特征在于，
涂层(30)由氧化钇(Y2O3)形成，
在第一投入步骤投入三甲基钇(2Y(CH3)3)气体，在第二投入步骤投入包括惰性气体的水蒸气(H2O)，在排出步骤将从第二投入步骤产生的气体排出。
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