KR102190908B1 - Oled 메탈마스크 코팅 방법 - Google Patents

Oled 메탈마스크 코팅 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR102190908B1
KR102190908B1 KR1020200019382A KR20200019382A KR102190908B1 KR 102190908 B1 KR102190908 B1 KR 102190908B1 KR 1020200019382 A KR1020200019382 A KR 1020200019382A KR 20200019382 A KR20200019382 A KR 20200019382A KR 102190908 B1 KR102190908 B1 KR 102190908B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
input step
metal mask
coating layer
gas
oled
Prior art date
Application number
KR1020200019382A
Other languages
English (en)
Inventor
오흥식
이창호
박상원
한상진
Original Assignee
(주)위지트
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by (주)위지트 filed Critical (주)위지트
Priority to KR1020200019382A priority Critical patent/KR102190908B1/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102190908B1 publication Critical patent/KR102190908B1/ko
Priority to CN202180015053.9A priority patent/CN115104195A/zh
Priority to PCT/KR2021/002000 priority patent/WO2021167334A1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H01L51/56—
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C16/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/12—Production of screen printing forms or similar printing forms, e.g. stencils
    • H01L51/001—
    • H01L51/0011—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/164—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using vacuum deposition
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/166—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

본 발명은 마스크본체와, 상기 마스크본체를 감싸도록 코팅되는 코팅층을 포함하는 OLED 메탈마스크 코팅 방법에 있어서;
트리메틸알루미늄 가스를 투입하는 제1 투입단계와,
상기 제1 투입단계에서 불활성 기체가 포함된 수증기를 투입하는 제2 투입단계와,
상기 제2 투입단계로부터 발생하는 퍼지를 배출하는 배출단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 OLED 메탈마스크 코팅 방법에 관한 것이다.

Description

OLED 메탈마스크 코팅 방법{Coating Method Of OLED Metal Mask}
본 발명은 OLED 메탈마스크 코팅 방법에 관한 것으로, 메탈마스크의 표면을 균일한 박막으로 코팅하여 우수한 내부식성, 내파티클성, 내아킹성을 가지는 OLED 메탈마스크 코팅 방법에 관한 것이다.
현재 OLED 제조공정에서는 메탈기재에 테플론(teflon)이 코팅되어 있는 메탈마스크(metal mask)가 사용되고 있다.
도 1은 메탈마스크(10)를 도시한 평면도이며, 도 2는 종래의 메탈마스크(10)를 이루는 마스크본체(11)와 코팅층(12)을 도시한 단면도이다.
통상적인 테플론 코팅 메탈마스크는 약 40㎛ 두께 메탈기재의 평면과 측면에 테플론이 덮여 있는데, OLED 제조공정 중 테플론 코팅층이 식각되면서 파티클(particle)이 발생한다. 특히 메탈마스크 측면에서 테플론 코팅층이 쉽게 식각되고, 그 식각된 영역에서 도 2와 같은 아킹이 발생하게 된다. 따라서, 이러한 아킹 현상이 발생하기 전에 테플론 코팅 메탈마스크를 전체적으로 교체하여야 하며, 그 교체 주기는 약 1~2주 정도이다. 즉, 상기 테플론 코팅 메탈마스크를 교체하기 위하여 OLED 공정장비를 1~2주에 한 번씩 가동을 중지하여야 하므로 번거로울 뿐만 아니라, 생산성에도 지대한 영향을 미치게 된다.
한편, 메탈기재의 평면과 측면을 바인더(binder)와 세라믹의 혼합물로 덮은 메탈마스크의 경우, OLED 제조공정 중에 발생하는 플라즈마(plasma) 및 고온으로 인하여 메탈마스크의 내부식성을 확보할 수 없는 문제점이 있기 때문에 OLED 제조공정에서 상기 메탈마스크 적용은 불가하다.
따라서, 얇은 두께의 측면부에서도 최소의 식각율을 갖고, 절연성이 유지되어 OLED 제조공정에 효율적으로 적용할 수 있는 메탈마스크가 필요하다.
또한, OLED 디스플레이는 색 표현을 위해 R(red), G(green), B(blue)의 3원색 화소 형성공정을 거쳐야 하며, 메탈마스크는 3원색 화소 형성공정에서 사용되는 핵심부품이다. 화소 형성을 위해 메탈마스크를 사용하는 방식은 진공 챔버 안에서 메탈마스크를 소정의 OLED 기판에 정렬시켜 밀착시킨 후, 원하는 영역에만 유기물을 증착하여 화소를 형성하는 방식이다. 이 방식의 경우 RGB의 삼원색을 각각의 발광층에 직접 형성하여 활용함으로써 그 소자의 특성이 우수하고 빛의 이용효율이 높은 장점을 갖고 있다. 메탈마스크의 재료로는 저열팽창 계수를 나타내는 Fe-Ni계의 인바(INVAR) 또는 Fe-Ni-Co계의 수퍼인바(Super INVAR) 합금 등이 대표적으로 사용되고 있다.
메탈마스크를 제작하는 종래의 방식은 레이저 가공방식에 의한 방법과 금속 식각을 이용한 방법 등이 있다.
산업현장에서는 레이저 가공방식이 사용되는데 일반적으로 YAG 레이저나 엑시머(excimer) 레이저를 이용하여 금속 박판을 패터닝하게 된다. 이러한 레이저 가공방식은 레이저로 절단하는 부분의 온도 제어가 어려워서 금속 박판의 열변형을 초래하고 개구부의 벽면의 형태 변화로 인하여 조도가 저하되며, 100㎛ 이하의 극미세 패턴의 구현이 불가능하거나 대량생산이 어려운 문제점이 있다.
한편, 금속 식각기술은 금속 박판에 포토레지스트를 코팅하고(photo resist coating), 리소그래피 공정을 이용하여 노광(exposure)하고, 현상(development)하여, 구현하고자 하는 패턴의 형태를 금속 기판의 선택적 식각(etching) 공정을 통해 메탈마스크를 제조하는 방법이나, 식각 속도제어의 어려움이 있고 개구부의 벽면의 요철이 발생할 수 있으며, 또한 에칭 깊이나 정밀도의 제어가 어려운 단점이 있다.
대한민국 등록특허공보 제10-1456099호(2014.10.23.) 대한민국 등록특허공보 제10-1786548호(2017.10.11.)
본 발명은 상기와 같은 종래 기술이 가지는 문제점을 해결하기 위하여 제안된 것으로, 메탈마스크의 표면을 균일하게 박막으로 코팅하여 공정 중 플라즈마에 의한 아킹을 방지하며, 내부식성, 내파티클성이 향상되어 메탈마스크의 수명을 연장시켜 OLED 제조공정의 생산 효율이 증대되는 OLED 메탈마스크 코팅 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 마스크본체와, 상기 마스크본체를 감싸도록 코팅되는 코팅층을 포함하는 OLED 메탈마스크 코팅 방법에 있어서;
트리메틸알루미늄 가스를 투입하는 제1 투입단계와,
상기 제1 투입단계에서 불활성 기체가 포함된 수증기를 투입하는 제2 투입단계와,
상기 제2 투입단계로부터 발생하는 기체를 배출하는 배출단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 OLED 메탈마스크 코팅 방법을 제공한다.
상기에서, 제2 투입단계에서는 불활성 기체가 포함된 수증기가 투입되며, 상기 제1 투입단계에서 발생되는 기체가 배출되는 동시에 수증기와 알루미늄이 반응하는 것을 특징으로 하는 한다.
상기에서 코팅층은 산화알루미늄으로 이루어지며, 코팅층의 두께는 3㎛이하로 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기에서, 코팅층 생성은 진공 상태에서 이루어지며, 80℃∼150℃ 범위인 온도에서 15시간 이상 가열되어 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기에서, 코팅층은 산화이트륨으로 이루어지며;
상기 제1 투입단계에서는 트리메틸이트륨 가스가 투입되고, 상기 제2 투입단계에서는 불활성 기체가 포함된 수증기가 투입되며, 상기 배출단계에서는 제2 투입단계로부터 발생하는 기체가 배출되는 것을 특징으로 한다,
상기에서, 코팅층의 두께는 3㎛ 이하로 형성되는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르는 OLED 메탈마스크 코팅 방법은 메탈마스크의 표면을 균일한 박막으로 코팅하여 공정 중 플라즈마에 의한 아킹을 방지하며, 내부식성, 내파티클성이 향상되어 메탈마스크의 수명을 연장시켜 OLED 제조공정의 생산 효율이 증대되는 효과가 있다.
도 1은 OLED 메탈마스크의 평면도이고,
도 2는 종래의 코팅층이 형성된 도 1의 A-A 부의 단면을 도시한 단면도이며,
도 3은 본 발명에 따른 코팅층이 형성된 도 1의 A-A 부의 단면을 도시한 단면도이다.
이하에서, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따르는 OLED 메탈마스크 코팅 방법에 대하여 상세하게 설명한다.
도 3은 본 발명에 따른 코팅층이 형성된 도 1의 A-A 부의 단면을 도시한 단면도이다.
도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따르는 OLED 메탈마스크 코팅 방법으로 형성된 OLED 메탈마스크는 마스크본체(110)와 코팅층(130)을 포함하여 이루어진다.
상기 마스크본체(110)는 도 1에 도시된 바와 같이 격자형태로 구비되었으나, 상기 마스크본체(110)는 격자 형태로 한정되지 않고, 다각, 원형, 빗살형 등 각종 기하학적인 형상 등이 모두 적용될 수 있다. 마스크본체(110)의 두께는 10㎛∼2,000㎛ 범위로 이루어진다.
상기 마스크본체(110)의 소재로는 열팽창계수가 낮은 Fe-Ni계의 인바(INVAR) 합금 또는 Fe-Ni-Co계의 수퍼 인바(Super INVAR) 합금 등이 있다. 상기 마스크본체(110)의 소재에 대한 내용은 종래에 대한 것으로 상세한 설명은 생략한다.
상기 코팅층(130)은 상기 마스크본체(110)를 감싸도록 코팅되어 구비된다. 상기 코팅층(130)은 산화알루미늄(Al2O3)으로 이루어지며, 산화이트륨(Y2O3)으로 대체될 수도 있다. 상기 코팅층(130)은 상기 마스크본체(10)를 균일한 두께로 감싸도록 구비된다. 상기 코팅층(130)의 두께는 3㎛이하로 형성되며, 바람직하게는 0.5㎛∼3㎛ 범위로 형성되는 것이 바람직하다.
상기 마스크본체(110)를 코팅하기 위한 방법으로는 화학기상 증착 방법(CVD)을 이용한다. 화학기상(CVD) 증착 방법은 반응성을 가지는 가스(gas)를 챔버(chamber)에 주입하여 적당한 활성 및 반응에너지를 가하여 기판 표면에 원하는 박막을 형성하는 방법이다. 화학기상 증착 방법은 종래에 관한 것으로 상세한 설명은 생략한다.
본 발명에 따르는 OLED 메탈마스크 코팅 방법은 마스크본체 준비단계와, 제1 투입단계와, 제2 투입단계와, 배출단계로 이루어진다.
상기 마스크본체 준비단계에서는 마스크본체(110)를 챔버(도시하지 않음) 안에 넣고, 챔버 내부는 진공상태가 되도록 한다.
상기 제1 투입단계에서는 마스크본체(110)가 구비된 챔버 내로 트리메틸알루미늄(2Al(CH3)3) 가스를 투입하고 가열한다. 챔버의 온도는 80℃∼150℃ 범위가 유지되도록 한다. 이 단계에서 트리메틸알루미늄(2Al(CH3)3) 가스의 가열에 의해 알루미늄(Al)과 트리메틸기(2(CH3)3)가 분리되며, 알루미늄(Al)은 마스크본체(110)의 외면에 결합되며 트리메틸기(2(CH3)3)가 발생된다.
Figure 112020016859465-pat00001
상기 제2 투입단계에서는 불활성 기체가 포함된 수증기(H2O)를 투입하여 상기 제1 투입단계에서 생성된 트리메틸기(2(CH3)3)를 배출한다. 상기 불활성 기체로는 질소(N2), 아르곤(Ar) 등이 있다. 상기 제2 투입단계에서 챔버 내부는 진공 상태가 유지되며, 챔버 내 온도는 80℃∼150℃ 범위가 유지된다.
상기 제2 투입단계에서는 불활성 기체와 함께 수증기(H2O)가 투입됨으로써 제1 투입단계에서 생성된 퍼지(2(CH3)3)가 불활성 기체와 함께 배출되는 동시에 알루미늄(Al)과 수증기(H2O)의 반응이 이루어진다. 알루미늄(Al)과 수증기(H2O)의 반응에 의해 마스크본체(10)의 외면에는 산화알루미늄(Al2O3)이 균일하게 형성되며 코팅되고, 수소(H2)가스가 발생한다.
Figure 112020016859465-pat00002
상기 제2 투입단계에서는 상기 제1 투입단계에서 생성된 트리메틸기(2(CH3)3)가 아르곤(Ar)과 함께 배출되는 동시에 알루미늄(Al)과 수증기(H2O)의 반응이 이루어짐으로써 반응 과정이 간소화되며, 반응 시간이 짧아져 효율적이다.
상기 제2 투입단계에서는 수증기(H2O) 대신 산소(O2)나 오존(O3)이 투입될 수도 있다. 산소(O2)나 오존(O3)이 투입되는 경우에는 불활성 기체를 먼저 투입하여 제1 투입단계에서 생성된 퍼지(2(CH3)3)를 배출시킨 후, 산소(O2) 또는 오존(O3)을 투입하고, 투입된 산소(O2) 또는 오존(O3)과 알루미늄(Al)의 반응이 이루어진다. 마스크본체(10)의 외면에는 알루미늄(Al)과 산소(O2) 또는 오존(O3)의 반응에 의해 산화알루미늄(Al2O3)이 균일하게 박막을 형성하며 코팅되고, 여분의 산소(O2) 또는 오존(O3)이 남게된다.
상기 배출단계에서는 상기 제2 투입단계에서 생성된 수소(H2) 가스를 배출시킨다. 상기 배출단계에서는 챔버 내로 불활성 기체를 투입하여 수소(H2) 가스를 배출시킨다. 상기 불활성 기체로는 질소(N2), 아르곤(Ar) 등이 있다. 상기 배출단계에서 챔버 내부는 진공 상태가 유지되며, 챔버 내 온도는 80℃∼150℃ 범위가 유지된다.
상기 제2 투입단계에서 수증기(H2O) 대신 산소(O2) 또는 오존(O3)이 투입되는 경우, 배출단계에서는 상기 제2 투입단계에서 생성된 여분의 산소(O2) 또는 오존(O3)을 배출시킨다. 상기 배출단계에서는 챔버 내로 불활성기체인 아르곤(Ar)을 투입하여 여분의 산소(O2) 또는 오존(O3)을 배출시킨다.
Figure 112020016859465-pat00003
상기와 같은 반응에 의해 마스크본체(110)에는 산화알루미늄(Al2O3)인 코팅층(130)이 형성된다. 상기 코팅층(130)의 두께는 1㎛ 이하로 균일하게 형성된다. 상기 코팅층(130)은 0.5㎛∼1㎛ 범위로 형성되는 것이 바람직하다.
상기 코팅층(130)은 상기와 같은 반응이 여러 번 반복되어 형성되며, 코팅층(130)의 두께를 0.5㎛로 하는 경우 챔버 내 반응 시간은 15시간 이상 소요되며, 코팅층(130)의 두께를 1㎛로 하는 경우 챔버 내 반응 시간은 24시간∼48시간 소요되었다.
상기 코팅층(130)은 두께가 1㎛ 이하로 균일하게 형성됨으로써, 공정 중 플라즈마에 의한 아킹을 방지하며, 우수한 절연성, 내부식성, 내파티클성이 향상되어 메탈마스크의 수명을 연장시킨다.
상기 코팅층(130)은 상기 제1 투입단계에서 트리메틸이트륨(2Y(CH3)3) 가스가 투입되어 반응이 이루어질 수 있다. 상기 트리메틸이트륨(2Y(CH3)3)이 투입되면 상기 마스크본체(110)에는 산화이트륨(Y2O3)이 코팅된다.
지금까지 본 발명에 따른 OLED 메탈마스크 코팅 방법은 도면에 도시된 실시 예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당업자라면 누구든지 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시 예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 진정한 기술적 보호범위는 첨부된 청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
10: OLED 메탈마스크
110: 마스크본체 130: 코팅층

Claims (6)

  1. 마스크본체(110)와, 상기 마스크본체(110)를 감싸도록 코팅되는 코팅층(130)을 포함하는 OLED 메탈마스크 코팅 방법에 있어서;
    트리메틸알루미늄(Al(CH3)3) 가스를 투입하는 제1 투입단계와, 불활성 기체가 포함된 수증기(H2O)를 투입하는 제2 투입단계와, 상기 제2 투입단계로부터 발생하는 기체를 배출하는 배출단계로 이루어지며;
    상기 제2 투입단계에서는 불활성 기체가 포함된 수증기가 투입되며, 상기 제1 투입단계에서 발생되는 기체가 배출되는 동시에 수증기(H20)와 알루미늄(Al)이 반응하는 것을 특징으로 하는 OLED 메탈마스크 코팅 방법.
  2. 마스크본체(110)와, 상기 마스크본체(110)를 감싸도록 코팅되는 코팅층(130)을 포함하는 OLED 메탈마스크 코팅 방법에 있어서;
    트리메틸알루미늄(Al(CH3)3) 가스를 투입하는 제1 투입단계와,
    불활성 기체를 먼저 투입하여 제1 투입단계에서 생성된 퍼지(2(CH3)3)를 배출시킨 후 산소(O2)나 오존(O3)이 투입되는 제2 투입단계와,
    상기 제2 투입단계로부터 발생하는 기체를 배출하는 배출단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 OLED 메탈마스크 코팅 방법.
  3. 삭제
  4. 제1 항 또는 제2 항에 있어서, 상기 코팅층(130)은 산화알루미늄(Al2O3)으로 이루어지며, 코팅층의 두께는 3㎛이하로 형성되는 것을 특징으로 하는 OLED 메탈마스크 코팅 방법.
  5. 제1 항에 있어서, 상기 코팅층(130) 생성은 진공 상태에서 이루어지며, 80℃∼150℃ 범위인 온도에서 15시간 이상 가열되어 형성되는 것을 특징으로 하는 OLED 메탈마스크 코팅 방법.
  6. 제1 항에 있어서, 상기 코팅층(130)은 산화이트륨(Y2O3)으로 이루어지며;
    상기 제1 투입단계에서는 트리메틸이트륨(Al(CH3)3) 가스가 투입되고, 상기 제2 투입단계에서는 불활성 기체가 포함된 수증기(H2O)가 투입되며, 상기 배출단계에서는 제2 투입단계로부터 발생하는 기체가 배출되는 것을 특징으로 하는 OLED 메탈마스크 코팅 방법.
KR1020200019382A 2020-02-18 2020-02-18 Oled 메탈마스크 코팅 방법 KR102190908B1 (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200019382A KR102190908B1 (ko) 2020-02-18 2020-02-18 Oled 메탈마스크 코팅 방법
CN202180015053.9A CN115104195A (zh) 2020-02-18 2021-02-17 Oled金属掩模涂布方法
PCT/KR2021/002000 WO2021167334A1 (ko) 2020-02-18 2021-02-17 Oled 메탈마스크 코팅 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200019382A KR102190908B1 (ko) 2020-02-18 2020-02-18 Oled 메탈마스크 코팅 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR102190908B1 true KR102190908B1 (ko) 2020-12-14

Family

ID=73780037

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020200019382A KR102190908B1 (ko) 2020-02-18 2020-02-18 Oled 메탈마스크 코팅 방법

Country Status (3)

Country Link
KR (1) KR102190908B1 (ko)
CN (1) CN115104195A (ko)
WO (1) WO2021167334A1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021167334A1 (ko) * 2020-02-18 2021-08-26 (주)위지트 Oled 메탈마스크 코팅 방법

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101456099B1 (ko) 2013-05-13 2014-11-03 주식회사 펨빅스 무 바인더 세라믹 코팅 메탈마스크
KR101786548B1 (ko) 2016-04-11 2017-10-18 정해상 Oled 제조용 금속 마스크 및 이의 제조 방법
KR20190094366A (ko) * 2016-12-15 2019-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 구조물을 형성하는 방법

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4638550B2 (ja) * 2008-09-29 2011-02-23 東京エレクトロン株式会社 マスクパターンの形成方法、微細パターンの形成方法及び成膜装置
JP6020339B2 (ja) * 2013-04-26 2016-11-02 コニカミノルタ株式会社 プラズマｃｖｄ成膜用マスク、及びプラズマｃｖｄ成膜方法
KR101480113B1 (ko) * 2013-05-08 2015-01-07 (주)화인솔루션 유기 발광 소자 제조용 마스크 및 그 제조 방법
KR102190908B1 (ko) * 2020-02-18 2020-12-14 (주)위지트 Oled 메탈마스크 코팅 방법

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101456099B1 (ko) 2013-05-13 2014-11-03 주식회사 펨빅스 무 바인더 세라믹 코팅 메탈마스크
KR101786548B1 (ko) 2016-04-11 2017-10-18 정해상 Oled 제조용 금속 마스크 및 이의 제조 방법
KR20190094366A (ko) * 2016-12-15 2019-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 구조물을 형성하는 방법

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021167334A1 (ko) * 2020-02-18 2021-08-26 (주)위지트 Oled 메탈마스크 코팅 방법

Also Published As

Publication number Publication date
WO2021167334A1 (ko) 2021-08-26
CN115104195A (zh) 2022-09-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5567486B2 (ja) 窒化シリコン−二酸化シリコン高寿命消耗プラズマ処理構成部品
KR100352770B1 (ko) 식각균일도개선을 위한 표면기복유도 플라즈마 향상기술
TW445301B (en) A shadow mask, a method of forming the shadow mask, and a method of manufacturing a semiconductor device using the shadow mask
US5005075A (en) X-ray mask and method of manufacturing an X-ray mask
JP4524354B2 (ja) マイクロ波プラズマ処理装置、それに用いる誘電体窓部材および誘電体窓部材の製造方法
US4008111A (en) AlN masking for selective etching of sapphire
CN108735915A (zh) 用于oled蒸镀的荫罩及其制作方法、oled面板的制作方法
KR102190908B1 (ko) Oled 메탈마스크 코팅 방법
TW200414350A (en) Plasma treatment device
KR20160100835A (ko) Mocvd 반응공정을 개선하는 공정 부품 및 그 방법
JP5458920B2 (ja) 半導体光デバイスの製造方法
TWI768367B (zh) 用於電漿腔室內部的部件的製作方法
JPH088232A (ja) プラズマ処理方法
US20160349621A1 (en) Methods for texturing a chamber component and chamber components having a textured surface
AU744883B2 (en) Method of forming a silicon layer on a surface
US5096735A (en) Process for producing a thin film electroluminescent device
US20020172897A1 (en) Non-mechanical fabrication of carbon-containing work pieces
KR100458851B1 (ko) 반도체소자의소자분리방법
KR100323442B1 (ko) 반도체소자의제조방법
JPH04196321A (ja) 成膜方法および装置
JP2012126113A (ja) 金属デポジションを用いたナノインプリント金型の製造方法
JP7202489B2 (ja) プラズマ処理方法
US20230360920A1 (en) Pulsed etch process
CN115247257B (zh) 成膜装置及膜层的制备方法
WO2020100339A1 (ja) プラズマ処理方法

Legal Events

Date Code Title Description
GRNT Written decision to grant