JPS5848428A - 炭素被膜を有する複合体およびその作製方法 - Google Patents
炭素被膜を有する複合体およびその作製方法Info
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- JPS5848428A JPS5848428A JP56146930A JP14693081A JPS5848428A JP S5848428 A JPS5848428 A JP S5848428A JP 56146930 A JP56146930 A JP 56146930A JP 14693081 A JP14693081 A JP 14693081A JP S5848428 A JPS5848428 A JP S5848428A
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Classifications
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/26—Deposition of carbon only
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/16—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic System
- H01L29/1604—Amorphous materials
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2217/00—Coatings on glass
- C03C2217/20—Materials for coating a single layer on glass
- C03C2217/28—Other inorganic materials
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- C03C2218/00—Methods for coating glass
- C03C2218/10—Deposition methods
- C03C2218/15—Deposition methods from the vapour phase
- C03C2218/152—Deposition methods from the vapour phase by cvd
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は光学的バンド巾が２． ＯｅＶ以上特に２．６
〜４．５ｅＶを有する炭素または炭素を主成分とする被
膜をガラス、金属またはセラミックの表面にコーティン
グすることによシ、ガラス板の補強材、また機械ストレ
スに対するス護材を得んとしている複合体に関する。
〜４．５ｅＶを有する炭素または炭素を主成分とする被
膜をガラス、金属またはセラミックの表面にコーティン
グすることによシ、ガラス板の補強材、また機械ストレ
スに対するス護材を得んとしている複合体に関する。
本発明は基板上に炭素被膜をコーティングしその機械的
強度を補強しようというものであり特にアセチレン、メ
タンのような炭化水素気体をプラズマ雰囲気中に導入し
分解せしめることによｐｃ−’ｃＣ結合作シ、結果とし
てグラファイトのような導電性または不良導電性の炭素
を作るのではなく、光学的エネルギバンド巾（Ｅｇして
いる。さらにこの本発明の炭素はその硬度も４ｋｇ、／
ｍｍＬｍｍ化表的には６５．０＋ＯＫｇ／ｍｍＬという
ダイヤモンド類似の硬さを有するアモルファス（非晶質
）−または５−、−２００ Ａの大きさの微結晶性を有
するセミアモルファス（半非晶質）構造を有する炭素ま
たはこの炭素中に水素、ハロゲン元素が２５モルチ以下
または凹側またはＶ価の不純物が５モルチ以下、また珪
素がＳ ｉ／Ｃ≦０．２５の濃度に添加されたいわゆる
炭素を主成分とする炭素（以下本発明においては単に炭
素という）を基板上に設けた複合体を設けんとしたもの
である。
強度を補強しようというものであり特にアセチレン、メ
タンのような炭化水素気体をプラズマ雰囲気中に導入し
分解せしめることによｐｃ−’ｃＣ結合作シ、結果とし
てグラファイトのような導電性または不良導電性の炭素
を作るのではなく、光学的エネルギバンド巾（Ｅｇして
いる。さらにこの本発明の炭素はその硬度も４ｋｇ、／
ｍｍＬｍｍ化表的には６５．０＋ＯＫｇ／ｍｍＬという
ダイヤモンド類似の硬さを有するアモルファス（非晶質
）−または５−、−２００ Ａの大きさの微結晶性を有
するセミアモルファス（半非晶質）構造を有する炭素ま
たはこの炭素中に水素、ハロゲン元素が２５モルチ以下
または凹側またはＶ価の不純物が５モルチ以下、また珪
素がＳ ｉ／Ｃ≦０．２５の濃度に添加されたいわゆる
炭素を主成分とする炭素（以下本発明においては単に炭
素という）を基板上に設けた複合体を設けんとしたもの
である。
本発明はさらにこの炭素が形成される基板を１．５０７
Ｊ ５０’Ｃの従来よシ知られたＯＶＤ法に比べて５０
０〜１−５００°Ｃも低い温度で形成したことを他の特
徴とする。
Ｊ ５０’Ｃの従来よシ知られたＯＶＤ法に比べて５０
０〜１−５００°Ｃも低い温度で形成したことを他の特
徴とする。
また本発明はこの炭素ＫＭ価の不純物であるホウ素を０
．１〜５モルチの濃度に添加し、Ｐ型の炭素を設け、ま
たＶ価の不純物であるリンをにしたことを他の特徴とし
ている。
．１〜５モルチの濃度に添加し、Ｐ型の炭素を設け、ま
たＶ価の不純物であるリンをにしたことを他の特徴とし
ている。
さらに本発明はこの基、板上にＰ工Ｎ接合またはＮ工Ｐ
接合を有する炭素を設けることにょシ、ダイオード特性
を有する半導体的特性を有せしめること番特徴としてい
る。
接合を有する炭素を設けることにょシ、ダイオード特性
を有する半導体的特性を有せしめること番特徴としてい
る。
また本発明は基板特にガラスまたはセラミツ出し用ノズ
ルとして設けること、またガラス基板上に選択的に設け
、電子ビーム露光装置または紫外線の露光装置のフォト
マスクとして用いることを他の特徴としている。さらに
本発明の複合体はバルブ、耐摩耗材料ζＰＩＮ型を有す
る半導体としての装置例えば手元または発光素子へも応
用が可能である。
ルとして設けること、またガラス基板上に選択的に設け
、電子ビーム露光装置または紫外線の露光装置のフォト
マスクとして用いることを他の特徴としている。さらに
本発明の複合体はバルブ、耐摩耗材料ζＰＩＮ型を有す
る半導体としての装置例えば手元または発光素子へも応
用が可能である。
以下に図面に従って本発明に用いられた複合体またはそ
の複合体の作製方法を記す。
の複合体の作製方法を記す。
実施例１
第１図は本発明の炭素を形成するためのプラズマＣＶＤ
装置の概要を示す。
装置の概要を示す。
図面において反応性気体である炭化水系気体例えばアセ
チレン１１ （８）よシバルプ、流量計（５）をへて反
応系中の励起室（４）に導入される。さらに必要に応じ
てキャリアガスを水素ｔｆｃはへリュームによ多（７）
よシバルブ、流量計（６）をへて同様に励起室に７る。
チレン１１ （８）よシバルプ、流量計（５）をへて反
応系中の励起室（４）に導入される。さらに必要に応じ
てキャリアガスを水素ｔｆｃはへリュームによ多（７）
よシバルブ、流量計（６）をへて同様に励起室に７る。
ここに■価またはＶ価の不純物例えばジボランまたはフ
オスヒンを導入する場合はさらに同様にこの系に加えれ
ばよい〇これらの反応性気体は２．４５ＧＨｚのマイク
ロ波による電磁エネルギによｌ）ｏ。１〜５ＫＷのエネ
ルギを加えられ、励起室にて活性化、分解または反応さ
せられる。さらにこの反応性気体は反応炉（１）にて加
熱炉（９）により１５０〜４５０°ｃＫ加熱させ、さら
Ｋ ’１３．５６ＭＨｚの高周波エネルギ（２）により
反応、重合され、Ｃ−Ｃ結合を多数形成がヒータ０］）
により電源ａ→により加熱され、この上面に被膜として
形成される。反応後の不純物は排気口αつよりロータリ
ーポンプをへて排気される。反応系はＯ，ＯＯ，］、ｔ
ｐｒｒ〜１０ｔｏｒｒ代表的には０．１〜０．５ｔｏｒ
ｒに保持されており、マイクロ波（３）、高周波（２）
のエネルギにより反応系内はプラズマ状態が生成される
。特に１ＧＨｚ以上の周波数にあっては、ａ、−Ｈ結合
より水系を分離し０．１〜５０ＭＨｚの周波数にあって
はａＸ Ｃ結合、Ｃ：Ｃ結合を分解し、’：ｃ−ｃで結
合または−Ｃ−Ｃ−結合を作シ、炭素の不対結合手同志
を互いに衝突させて共有結合させ、安定なダイヤモンド
構造を局部的に歪特に格子歪を有して構造させる。
オスヒンを導入する場合はさらに同様にこの系に加えれ
ばよい〇これらの反応性気体は２．４５ＧＨｚのマイク
ロ波による電磁エネルギによｌ）ｏ。１〜５ＫＷのエネ
ルギを加えられ、励起室にて活性化、分解または反応さ
せられる。さらにこの反応性気体は反応炉（１）にて加
熱炉（９）により１５０〜４５０°ｃＫ加熱させ、さら
Ｋ ’１３．５６ＭＨｚの高周波エネルギ（２）により
反応、重合され、Ｃ−Ｃ結合を多数形成がヒータ０］）
により電源ａ→により加熱され、この上面に被膜として
形成される。反応後の不純物は排気口αつよりロータリ
ーポンプをへて排気される。反応系はＯ，ＯＯ，］、ｔ
ｐｒｒ〜１０ｔｏｒｒ代表的には０．１〜０．５ｔｏｒ
ｒに保持されており、マイクロ波（３）、高周波（２）
のエネルギにより反応系内はプラズマ状態が生成される
。特に１ＧＨｚ以上の周波数にあっては、ａ、−Ｈ結合
より水系を分離し０．１〜５０ＭＨｚの周波数にあって
はａＸ Ｃ結合、Ｃ：Ｃ結合を分解し、’：ｃ−ｃで結
合または−Ｃ−Ｃ−結合を作シ、炭素の不対結合手同志
を互いに衝突させて共有結合させ、安定なダイヤモンド
構造を局部的に歪特に格子歪を有して構造させる。
かくしてガラス、金属、セラミックスよりなる被形成面
を有する基板上に炭素ｉｉに炭素中に水素を２５モルチ
以下含有する炭素寸たＰ、 ＩまたはＮ型の導電型を有
する炭素を形成させた実施例２ 第２図（Ａ）は第１図の製造装置によシ作られた複合体
の一例である。第２図（Ａ）はガラスの上にＰまたはＮ
型の導電型を有する炭紫膜を形成させた。この炭素は１
０〜１０ ｖｃ ｍ−’を着’ Ｌ 、自動車の内表面
に設け、ここに電流を０．０１〜ＩＡ流すことによシ発
熱せしめ、雨等の環境によろくもシ止めを冥施せしめた
。
を有する基板上に炭素ｉｉに炭素中に水素を２５モルチ
以下含有する炭素寸たＰ、 ＩまたはＮ型の導電型を有
する炭素を形成させた実施例２ 第２図（Ａ）は第１図の製造装置によシ作られた複合体
の一例である。第２図（Ａ）はガラスの上にＰまたはＮ
型の導電型を有する炭紫膜を形成させた。この炭素は１
０〜１０ ｖｃ ｍ−’を着’ Ｌ 、自動車の内表面
に設け、ここに電流を０．０１〜ＩＡ流すことによシ発
熱せしめ、雨等の環境によろくもシ止めを冥施せしめた
。
これは自動車のみならず、多くの分野においてその応用
が可能である。
が可能である。
実施例３
第２図（Ｂ）は実施例１を用いた本発明方法によるもの
で、この炭素（イ）を表面全面に形成したものである。
で、この炭素（イ）を表面全面に形成したものである。
これは板状のみならず任意の形状を有せしめ得る基板ま
たは基体翰を有する複合体である。これは切さく機の歯
、耐摩耗性表面を有せしめる金属、セラミックの表面に
設けたものである。
たは基体翰を有する複合体である。これは切さく機の歯
、耐摩耗性表面を有せしめる金属、セラミックの表面に
設けたものである。
実施例４
第２図（Ｃ）は実施例１０作製方法によって得られた炭
素を用いた複合体の例である。すなわち円すい状の穴が
あけられた被形成面を有するセラミックまたは金属の基
板の表面に炭素（イ）を０．１〜３μの厚さに設けであ
る。穴（至）、凶はインクジェットまたは光通信用の石
英のぼうすいジグとする場合、その太き・さけ０．０５
〜５μの大きさこの炭素をコーティングしないものに比
べて、１０〜１０倍もの耐久性を有していた。
素を用いた複合体の例である。すなわち円すい状の穴が
あけられた被形成面を有するセラミックまたは金属の基
板の表面に炭素（イ）を０．１〜３μの厚さに設けであ
る。穴（至）、凶はインクジェットまたは光通信用の石
英のぼうすいジグとする場合、その太き・さけ０．０５
〜５μの大きさこの炭素をコーティングしないものに比
べて、１０〜１０倍もの耐久性を有していた。
実施例５
第２図（Ｄ）は実施例１に示される方法で形成される炭
素を用いた本発明の他の複合体の実施例を示す。すなわ
ち基板翰上にＰｌ、Ｎ接合またはＮ工Ｐ接合を有する炭
素を設けたものである。す（財）である。このＰまたは
Ｎ型の炭素［０（、： ０．１〜５チ例えば１〜３％の
濃厳にホウ素またはリンを添゛加した。これは（ハ）の
部分にリフトオフ用の材料を選択的に設け、全面に形成
した後リフトオフを第３図の如くにして得−たもめであ
る。全゛面に形成してもまたはＰＮ接合またはその他の
構造をたてまたは接合面に設けてもよい。
素を用いた本発明の他の複合体の実施例を示す。すなわ
ち基板翰上にＰｌ、Ｎ接合またはＮ工Ｐ接合を有する炭
素を設けたものである。す（財）である。このＰまたは
Ｎ型の炭素［０（、： ０．１〜５チ例えば１〜３％の
濃厳にホウ素またはリンを添゛加した。これは（ハ）の
部分にリフトオフ用の材料を選択的に設け、全面に形成
した後リフトオフを第３図の如くにして得−たもめであ
る。全゛面に形成してもまたはＰＮ接合またはその他の
構造をたてまたは接合面に設けてもよい。
この半導体のうち（ハ）のエネルギバンド巾は他の炭素
（ハ）、＠に比べて小さく、珪素またはゲルマニューム
を添加して形成し、ここＫ ’Ｗ極翰を設け、たて方向
に電流を基板との間に流すことによシ炭素の発光素子を
基板上に集積化して設けることができた。かかる発光素
子とする複合体にあっては、基板はステンレス等の導体
であることが必要である。この場合層（ハ）、＠はエネ
ルギバンド巾が２．６〜４．５ｅＶであわ、また層に）
は２〜３ｅＶとすることによって白色または緑、青等の
色の発光素子を基板上に設けることができた０実施例６ 第３図はフォトマスクを設けた場合のヅ１造である。す
なわち第３図（Ａ）におい巧は、ガラス特に石英ガラス
（イ）上に選択的にエツチングして林膜翰を設け、この
上面に炭素被膜を０．１〜１μの厚さに実施例１の方法
で形成した。この後リフトオフを行うことによシ、選択
的に炭素被膜Ｑつ（２］）層を設けた。これは超ＬＳＩ
等の半導体用のマスクとしてきわめてすぐれたものであ
り、電子ビームまたは起票外光に対してマスク効果を有
するとともに、耐摩耗性にすぐれており、また半永久的
に使用が可能である。
（ハ）、＠に比べて小さく、珪素またはゲルマニューム
を添加して形成し、ここＫ ’Ｗ極翰を設け、たて方向
に電流を基板との間に流すことによシ炭素の発光素子を
基板上に集積化して設けることができた。かかる発光素
子とする複合体にあっては、基板はステンレス等の導体
であることが必要である。この場合層（ハ）、＠はエネ
ルギバンド巾が２．６〜４．５ｅＶであわ、また層に）
は２〜３ｅＶとすることによって白色または緑、青等の
色の発光素子を基板上に設けることができた０実施例６ 第３図はフォトマスクを設けた場合のヅ１造である。す
なわち第３図（Ａ）におい巧は、ガラス特に石英ガラス
（イ）上に選択的にエツチングして林膜翰を設け、この
上面に炭素被膜を０．１〜１μの厚さに実施例１の方法
で形成した。この後リフトオフを行うことによシ、選択
的に炭素被膜Ｑつ（２］）層を設けた。これは超ＬＳＩ
等の半導体用のマスクとしてきわめてすぐれたものであ
り、電子ビームまたは起票外光に対してマスク効果を有
するとともに、耐摩耗性にすぐれており、また半永久的
に使用が可能である。
マスクの作製方法として多少の色調をつけるため、着色
用不純物が添加された炭素のこの被膜に対しては、他の
製造方法を用いることもできる。
用不純物が添加された炭素のこの被膜に対しては、他の
製造方法を用いることもできる。
すなわち基板上全面に設けられた炭素に対し酸化物雰囲
気中にてレーザ光を選択的にコンピュータ制御によシ行
い、不要の部分の炭素を酸化して炭酸ガスとして放出し
てしまい、結果として第３図（Ｂ）の如きマスクを作る
ことができた。
気中にてレーザ光を選択的にコンピュータ制御によシ行
い、不要の部分の炭素を酸化して炭酸ガスとして放出し
てしまい、結果として第３図（Ｂ）の如きマスクを作る
ことができた。
このレーザ光による選択エツチングは実施例グ
２〜−６に対しても、その工業的応用に関して任意に用
いることができる。
いることができる。
以上の説明より明らかな如く、本発明はガラス、金属ま
たはセラミックの表面または内部に炭素または炭素を主
成分とした被−膜をコーティングして設けたものである
０この複合体を他の多くの実施例にみられる如きその応
用は計り知れないものであり、特にこの炭素が４°５０
ｔ′Ｃ以下の低温で形成できるのに対し、その硬度また
基板に対する密着性がきわめてすぐれているのが特徴で
ある。
たはセラミックの表面または内部に炭素または炭素を主
成分とした被−膜をコーティングして設けたものである
０この複合体を他の多くの実施例にみられる如きその応
用は計り知れないものであり、特にこの炭素が４°５０
ｔ′Ｃ以下の低温で形成できるのに対し、その硬度また
基板に対する密着性がきわめてすぐれているのが特徴で
ある。
本発明におけるセラミックはアルミナ、ジルる０また金
属にあってはステンレス、モリブデン、タングステン等
の少くとも３００〜４５０”Ｃの温度に耐えられる材料
ならばすべてに応用可能である。またガラスは石英のみ
ならずソーダガ曾 ラス【に対しても被膜化可能であり、その応用はきわめ
て広い。
属にあってはステンレス、モリブデン、タングステン等
の少くとも３００〜４５０”Ｃの温度に耐えられる材料
ならばすべてに応用可能である。またガラスは石英のみ
ならずソーダガ曾 ラス【に対しても被膜化可能であり、その応用はきわめ
て広い。
第１図は本発明の炭素を被形成固止に作製する製造装置
の概要を示す。 第２図（Ａ）〜（Ｄ）および第３図は本発明の複合体の
実施例を示す。 ：１ ｋｊ、２図
の概要を示す。 第２図（Ａ）〜（Ｄ）および第３図は本発明の複合体の
実施例を示す。 ：１ ｋｊ、２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、光学的エネルギバンド巾が２．６〜４．５ｅＶを有
する炭素または炭素を主成分とする被膜がガラス、金属
またはセラミックスの會面または内部に設けられたこと
を特徴とする炭素被膜を有する複合体。 ２、アセチレンまたはメチレンの如き炭化物気体をプラ
ズマ放電雰囲気内に導入し分解または反応せし、、める
ことによシ、光学的□エネルギバンド巾が２．６〜４．
５ｅＶを有する被膜を前記雰囲気内に設置させたガラス
、金属またはセラミックス上に形成することを特徴とす
る炭素被膜を有する複合体の作製方法。 ３、特許請求の範囲第１項において、１価または７価の
不純物が０．０１〜５モルチ添加されたことを特徴とす
る炭素被膜を有する複合体。 ４、特許請求の範囲第１項において、５〜２００Ａの大
きさの微結晶性を有するセミアモルファスまたはアモル
ファス構造を有するとともに、水素またはハロゲン元素
が２５モルチ以下の量添加された炭素または炭素を主成
分とする被膜が表面または内部に設けられたことを特徴
とする炭素被膜を有する複合体。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56146930A JPS5848428A (ja) | 1981-09-17 | 1981-09-17 | 炭素被膜を有する複合体およびその作製方法 |
| JP61277518A JPS62162366A (ja) | 1981-09-17 | 1986-11-19 | 炭素被膜を有する複合体 |
| JP27751586A JPS62161960A (ja) | 1981-09-17 | 1986-11-19 | 炭素被膜を有する複合体の作成方法 |
| JP27752186A JPS62167883A (ja) | 1981-09-17 | 1986-11-19 | 炭素被膜を有する複合体の作成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56146930A JPS5848428A (ja) | 1981-09-17 | 1981-09-17 | 炭素被膜を有する複合体およびその作製方法 |
Related Child Applications (10)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61277518A Division JPS62162366A (ja) | 1981-09-17 | 1986-11-19 | 炭素被膜を有する複合体 |
| JP61277520A Division JPS62162367A (ja) | 1986-11-19 | 1986-11-19 | 炭素被膜を有する複合体 |
| JP27751986A Division JPS62167886A (ja) | 1986-11-19 | 1986-11-19 | 炭素被膜を有する複合体 |
| JP61277516A Division JPS62167884A (ja) | 1986-11-19 | 1986-11-19 | 炭素被膜を有する複合体 |
| JP27751586A Division JPS62161960A (ja) | 1981-09-17 | 1986-11-19 | 炭素被膜を有する複合体の作成方法 |
| JP27751786A Division JPS62167885A (ja) | 1986-11-19 | 1986-11-19 | 炭素被膜を有する複合体の作製方法 |
| JP27752186A Division JPS62167883A (ja) | 1981-09-17 | 1986-11-19 | 炭素被膜を有する複合体の作成方法 |
| JP63292201A Division JPH01157411A (ja) | 1988-11-18 | 1988-11-18 | 炭素の除去方法 |
| JP63292202A Division JPH01152621A (ja) | 1988-11-18 | 1988-11-18 | ダイヤモンド構造を有する炭素被膜の作製方法 |
| JP1120964A Division JPH02283078A (ja) | 1989-05-15 | 1989-05-15 | 発光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5848428A true JPS5848428A (ja) | 1983-03-22 |
Family
ID=15418783
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56146930A Pending JPS5848428A (ja) | 1981-09-17 | 1981-09-17 | 炭素被膜を有する複合体およびその作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5848428A (ja) |
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59208821A (ja) * | 1983-05-13 | 1984-11-27 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 気相合成によるダイヤモンド半導体およびその製造方法 |
| JPS59213126A (ja) * | 1983-05-19 | 1984-12-03 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ダイヤモンド半導体素子の製造法 |
| JPS6068664A (ja) * | 1983-06-24 | 1985-04-19 | デ ビア−ズ インダストリアル ダイアモンド デイビイジヨン（プロプライエタリイ）リミテツド | 半導体ダイアモンド及びそれを用いた電力発生装置 |
| JPS60124258A (ja) * | 1983-12-08 | 1985-07-03 | Mitsubishi Metal Corp | 表面被覆印字用ドツトピン |
| JPS61223186A (ja) * | 1985-03-22 | 1986-10-03 | Sharp Corp | 炭素薄膜の製造方法 |
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| JPH01161722U (ja) * | 1988-04-30 | 1989-11-10 | ||
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| AU614090B2 (en) * | 1987-08-03 | 1991-08-22 | Siemens Aktiengesellschaft | Semiconductor base material |
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| US6224952B1 (en) | 1988-03-07 | 2001-05-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electrostatic-erasing abrasion-proof coating and method for forming the same |
-
1981
- 1981-09-17 JP JP56146930A patent/JPS5848428A/ja active Pending
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
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| US6224952B1 (en) | 1988-03-07 | 2001-05-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electrostatic-erasing abrasion-proof coating and method for forming the same |
| US6265070B1 (en) | 1988-03-07 | 2001-07-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electrostatic-erasing abrasion-proof coating and method for forming the same |
| US6583481B2 (en) | 1988-03-07 | 2003-06-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electrostatic-erasing abrasion-proof coating and method for forming the same |
| US7144629B2 (en) | 1988-03-07 | 2006-12-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electrostatic-erasing abrasion-proof coating and method for forming the same |
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