CN1150559C - 集成半导体电路内连接线上补偿不同电压的电路装置 - Google Patents

集成半导体电路内连接线上补偿不同电压的电路装置 Download PDF

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Abstract

本发明涉及用于补偿在集成半导体电路内在连接线上不同电压的电路装置，其中在位线和板极线之间提供一只电压补偿晶体管，该晶体管在半导体电路正常运行时通过控制信号是可以低欧姆连接的，以便补偿在线上不同的电压。

Description

集成半导体电路内连接线上补偿不同电压的电路装置
技术领域
本发明涉及用于补偿在铁电RAM存储器位线上高电平位线电压和铁电RAM存储器的板极线上高电平板极线电压之间电压差的电路装置。
背景技术
迄今，在铁电RAM存储器的板极线和位线上的读和写电压由对板极线和位线供电的发生器系统以相等分量产生。
如果这种电压发生器产生一个唯一的输出电压，则可能以较高概率出现：经分离的位线和板极线到多个存储器单元或存储器段分配的电压，在某些点在存储器电路某些运行状态下具有区别的电平，它例如可以用测试模式检测。
DE 691 19679 T2描述了半导体存储器读出放大器的输出电路。其中半导体存储器的输出信号短时稳定地保持在一固定电平，也就是说即使出现补偿脉冲，即出现信号不精确性时，半导体存储器的输出信号短时稳定地保持在一固定电平。
为此目的，在已知的输出电路中，在两反相输出信号线之间连接一传输门电路，它在短时间内导通。已知输出电路的上述两根输出信号线通常原理上总是存在相反的电位，该电位由两互补连接的差分放大器产生。因此在已知的输出电路应当补偿的并非可能具有一定差异的、名义上相等的两电压电平，而是短时地在两反相输出信号之间产生一平均电位。
发明内容
本发明的任务是，如此提供用于补偿在集成半导体电路内连接线上不同电压、尤其是补偿铁电RAM-存储器的高电平位线电压和高电平板极线电压，使得在标准运行时补偿各种电压(尤其是读、写电压)，此外可以用测试模式彼此独立地评价。
本任务根据发明通过在位线和板极线间提供电压补偿晶体管解决，该晶体管在半导体电路正常运行时，在位线和板极线上写或读电压都具有高电平时，为了补偿在位线和板极线之间的电压差通过一控制信号是可以低电阻连接的。
电压补偿晶体管补偿在铁电RAM存储器板极线和位线上不同电压电平并能在测试模式高电阻连接，因此独立的检测板极线和位线电压是可能的。
根据本发明的一种电路装置，该电路装置是为了补偿从电压发生器分别经由一条位线和一条板极线分配到一个铁电随机存储器的多个存储单元的高电平位线电压和高电平板极线电压之间的电压差而安置在所述位线和该板极线之间的，其特征在于，所述电路装置由一个以其源极-漏极段直接连接在所述位线和板极线之间的电压补偿晶体管构成，该电压补偿晶体管在所述铁电随机存储器正常运行时，在所述位线和板极线上的写或读电压都具有高电平时，通过一个控制信号是可以持续地、导通地连接的，并且在所述位线和板极线之间形成一个导通桥。
最好电压补偿晶体管是一只MOS晶体管，它以其源极接头和漏极接头各自与位线和板极线连接，并且控制信号，即在正常运行时反相测试模式信号，是可加在其栅极接头上。
按照这种方式电压补偿晶体管在测试模式是可以高电阻连接的，因此在测试模式可达到板极线电压和位线电压分开。因此在铁电RAM存储器情况下，铁电存储单元更佳的描述特性是可能的。
附图说明
图1示出在集成铁电RAM存储器内提供的本发明的电路装置的方框图。
具体实施方式
本发明的电路装置的实施例依靠一个唯一附图详细说明如下。
该图示出-部分作为方框图-在集成铁电RAM存储器10内提供的本发明的电路装置。由VBL_H发生器3和与其分开的VPL发生器4分别产生应经位线1分配的高电平VBL_H位线电压和应经板极线2分配的高电平VPL_H板极线电压。VBL_H发生器3和VPL发生器4由外电压Vext7和8馈电。
根据本发明提供一只电压补偿晶体管5，该晶体管在正常运行时在位线1和板极线2之间形成低电阻侨，并且它是可以在测试模式通过其控制极接头6输入的信号TESTMODE高电阻连接的，使得在测试模式板极线电压和位线电压是分开的。因比板极线电压和位线电压可以分开检测并因此与位线和板极线连接的铁电存储单元(在图内未示出)可更佳描述特性。
在实施例内，电压补偿晶体管是一只MOS晶体管5，它以图中描述的方式以其源极接头和漏极接头分别在位线1和板极线2上连接。MOS晶体管5在其栅极接头上在正常运行时得到反相的测试模式信号TESTMODE-C，并因此以低电阻连接。
参考符号表
1位线，
2板极线，
3VBL_H发生器，
4VPL发生器，
5电压补偿晶体管，
6控制信号TESTMODE-C，
7，8外电压Vext，
10铁电RAM存储器，
VBL_H高电平位线电压，
VPL_H高电平板极线电压。

Claims (5)

1.一种电路装置，该电路装置是为了补偿从电压发生器(3、4)分别经由一条位线(1)和一条板极线(2)分配到一个铁电随机存储器(10)的多个存储单元的高电平位线电压(VBL_H)和高电平板极线电压(VPL_H)之间的电压差而安置在所述位线(1)和该板极线(2)之间的，
其特征在于，
所述电路装置由一个以其源极-漏极段直接连接在所述位线(1)和板极线(2)之间的电压补偿晶体管构成，该电压补偿晶体管在所述铁电随机存储器正常运行时，在所述位线(1)和板极线(2)上的写或读电压都具有高电平时，通过一个控制信号(6)是可以持续地、导通地连接的，并且在所述位线(1)和板极线(2)之间形成一个导通桥。
2.根据权利要求1所述的电路装置，
其特征在于，
所述电压补偿晶体管(5)是一个MOS晶体管，其源极接头和漏极接头各自直接连接到所述位线(1)和板极线(2)，并且所述控制信号(6)加在其栅极接头上。
3.根据权利要求1或2所述的电路装置，
其特征在于，
所述控制信号(6)是一个测试模式-信号的反相形式(TESTMODE-C)，该测试模式-信号指明一个不符合所述铁电随机存储器正常运行的测试模式。
4.根据权利要求1或2所述的电路装置，
其特征在于，
如果所述铁电随机存储器存在非正常运行，则在所述测试模式中所述电压补偿晶体管(5)通过非反相的测试模式-信号非导通连接。
5.根据权利要求3所述的电路装置，
其特征在于，
如果铁电随机存储器存在非正常运行，则在所述测试模式中所述电压补偿晶体管(5)通过非反相的测试模式-信号非导通连接。
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