CN115000095A - 显示设备 - Google Patents

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Abstract

提供一种显示设备，所述显示设备包括：基底；发射层，位于基底上；平坦化层，位于基底与发射层之间；薄膜晶体管，位于基底与平坦化层之间。发射层包括电连接到薄膜晶体管的发光二极管(LED)和围绕LED并与LED的侧表面接触的像素分隔构件，其中，所述像素分隔构件包括弹性材料。

Description

显示设备
本申请是申请日为2016年8月2日、申请号为201610624446.0、题为“显示设备及其制造方法”的专利申请的分案申请。
技术领域
一个或更多个示例性实施例涉及一种显示设备及其制造方法。
背景技术
发光二极管(LED)根据化合物半导体的特性将电信号转变成诸如红外线或可见光线的光。LED已经用于家用电器、远程控制、电子显示板和各种自动装置等。LED已经广泛使用于诸如小型化的手持电子装置和相对大的显示设备的电子装置中。
发明内容
一个或更多个示例性实施例包括一种显示设备及其制造方法。
根据一个或更多个示例性实施例，一种显示设备包括：基底；发射层，位于基底上；平坦化层，位于基底与发射层之间；薄膜晶体管，位于基底与平坦化层之间。发射层包括电连接到薄膜晶体管的发光二极管(LED)以及围绕LED并与LED的侧表面接触的像素分隔构件。像素分隔构件可包括弹性材料。
像素分隔构件可以是阻光构件。
发射层可限定发射层的平坦的上表面。
LED可包括第一半导体层、第二半导体层以及位于第一半导体层与第二半导体层之间的中间层。发射层还可包括位于第一半导体层下面的第一电极焊盘和位于第二半导体层上的第二电极焊盘。
显示设备还可包括位于平坦化层与发光二极管之间并电连接到薄膜晶体管的第一电极。第一电极焊盘可与第一电极接触。
显示设备还可包括位于发射层上并与第二电极焊盘接触的第二电极。
第二电极可位于整个发射层的全部上。
显示设备还可包括位于平坦化层和LED之间并与位于平坦化层和LED之间的第一电极分隔开的第二电极。第一电极焊盘和第二电极焊盘可位于LED的同一侧处，第一电极焊盘可与第一电极接触，第二电极焊盘可与第二电极接触。
在俯视平面图中，第二半导体层的平面面积可比第一半导体层的平面面积大，并可以比中间层的平面面积大。与第二电极接触的第二电极焊盘可不与第一半导体层和中间层叠置。
根据一个或更多个示例性实施例，一种制造显示设备的方法，所述方法包括以下步骤：在载体基底上设置以第一间隔彼此分隔开的显示设备的发射层的多个发光二极管(LED)；在载体基底上形成位于相邻LED之间并与相邻LED的侧表面接触的发射层的伸长构件；使载体基底与多个LED以及与位于相邻LED之间并与相邻LED接触的伸长构件分离；拉长位于相邻LED之间并与相邻LED接触的伸长构件伸长，以将第一间隔改变成与第一间隔不同的第二间隔；将以第二间隔彼此分隔开的多个LED传送到显示设备的显示基底上。
形成伸长构件的步骤可包括在多个LED之间填充弹性材料，以将多个LED固定在载体基底上。
传送多个LED的步骤可包括将以第二间隔彼此分隔开的多个LED连同被拉长的伸长构件一起传送到显示基底上，传送到显示基底上的被拉长的伸长构件可限定发射层的像素分隔构件。
伸长构件可具有阻光性质。
显示基底可包括基底、位于基底上的第一电极、位于基底与第一电极之间并在其中限定有通孔的平坦化层以及位于基底与平坦化层之间的薄膜晶体管。该方法还可包括将第一电极通过限定在平坦化层中的通孔电连接到薄膜晶体管。传送多个发光二极管的步骤可包括使第二间隔的多个LED与位于显示基底的基底上的第一电极叠置。
LED中的每个可包括第一半导体层、第二半导体层以及位于第一半导体层与第二半导体层之间的中间层。该方法还可包括将发射层的第一电极焊盘设置在第一半导体层下面，并将其与第一电极接触。
该方法还可包括：将第二电极设置在发射层上，以及将发射层的第二电极焊盘设置在第二半导体层上，并将其与发射层的第二电极焊盘接触。
形成第二电极的步骤可包括将第二电极设置在整个发射层上。
该方法还可包括：将第二电极设置在基底上，以将平坦化层设置在基底与第二电极之间，使得第二电极与第一电极分隔开；将发射层的第二电极焊盘设置在第二半导体层下面，并将其与第二电极接触。
该方法还可包括通过去除第一半导体层和中间层的一部分使第二半导体层从第一半导体和中间层暴露。在设置第二电极的步骤中，将第二电极设置在第二半导体层的暴露的部分下面，使得第二电极焊盘与第一电极焊盘位于LED的同一侧处。
附图说明
通过下面结合附图对示例性实施例的描述，这些和/或其它优点将变得明显且更容易理解，在附图中：
图1示出根据本发明的显示设备的示例性实施例的俯视平面图；
图2示出根据本发明的示例性实施例的沿线I-I’截取的图1的显示设备的剖视图；
图3示出根据本发明的沿线I-I’截取的图1的显示设备的另一示例性实施例的剖视图；
图4A和图4B至图6示出根据本发明的制造显示设备的方法的示例性实施例。
具体实施方式
本发明可允许各种变化或修改以及在形式上的各种变化，并且具体的实施例将在附图中示出且在说明书中详细描述。然而，应理解的是，具体的实施例不将本发明限制于具体的公开形式，而是包括在本发明的精神和技术范围内的各个修改、等同物或替换物。在以下描述中，不详细地描述公知的功能或结构，以免使用不必要的细节使本发明不清楚。
尽管可使用诸如“第一”和“第二”的术语来描述各种元件，但是元件不会受术语限制。术语可用于将某个元件与另一元件分类。
在本申请中使用的术语仅用于描述特定的实施例，而不具有限制本发明的任何意图。单数形式的表述包括复数形式的表述，除非它们在上下文中明显地彼此不同。在附图中，为了方便和描述的清楚，夸大了一些组件、省略了一些组件或示意性地示出了一些组件，并且组件的尺寸并没有充分地反应组件的实际尺寸。
当各组件形成“在”某一组件“上”或“下”时，术语“在……上”和“在……下”包括直接地或经由在中间的另一组件在……上或在……下，并且关于“在……上”和“在……下”的参考参照附图来描述。相反，当元件被称作“直接在”另一元件“上”或“直接在”另一元件“下”时，则不存在中间元件。
现在将详细地参照在附图中示出其示例的示例性实施例，在附图中，同样的附图标记始终指示同样的元件。就这点而言，本示例性实施例可具有不同的形式并且不应被解释为局限于在此所阐述的描述。因此，通过参照附图，以下仅描述了示例性实施例，以解释本描述的特征。
如在此使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关所列项目的任何和所有组合。诸如“……中的至少一个(种)”的表述在一列元件(要素)之后时，修饰整列的元件(要素)，而不是修饰该列中的个别元件(要素)。还将理解的是，当在本说明书中使用术语“包括”或者“包含”时，说明存在陈述的特征、区域、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存在或附加一个或更多个其它特征、区域、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。
另外，可在此使用诸如“下”或“底”与“上”或“顶”的相对术语来描述如图中所示的一个元件与另一元件的关系。将理解的是，除了包括附图中描绘的方位之外，相对术语旨在包括装置的不同方位。例如，如果附图之一中的装置被翻转，那么被描述为在其它元件的“下”侧上的元件将随后被定位为在其它元件的“上”侧上。示例性术语“下”根据附图的具体方位可因此包括“下”和“上”两种方位。相似地，如果附图之一中的装置被翻转，那么被描述为“在”其它元件“下方”或者“之下”的元件将随后被定位为“在”其它元件“上方”。示例性术语“在……下方”或者“在……之下”可因此包括在……上方和在……下方两种方位。
除非另有定义，否则这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员所通常理解的意思相同的意思。还将理解的是，除非这里明确如此定义，否则术语(诸如在通用字典中定义的术语)应该被解释为具有与相关领域的环境和本公开中它们的意思一致的意思，而不将以理想的或者过于正式的含义来进行解释。
图1示出根据本发明的显示设备10的示例性实施例的俯视平面图，图2示出根据本发明的示例性实施例的沿线I-I’截取的图1的显示设备10的剖视图，图3示出根据本发明的沿线I-I’截取的图1的显示设备10的另一示例性实施例的剖视图。
参照图1和图2，显示设备10可包括显示基底100和位于显示基底100上的发射层110。
显示基底100可包括基底101、位于基底101上的薄膜晶体管TFT和位于薄膜晶体管TFT上的平坦化层105。第一电极111可设置在或形成在平坦化层105上，并可通过通孔连接到薄膜晶体管TFT。参照图2和图3，第一电极111在平坦化层105中限定的通孔处物理连接和/或电连接到薄膜晶体管TFT。
显示图像的显示区DA和围绕显示区DA设置且不显示图像的非显示区可限定在基底101上。发射层110可设置在或形成在显示区DA中，电源布线等可置于非显示区中。此外，焊盘单元150可置于非显示区中。
基底101可包括各种材料。在示例性实施例中，例如，基底101可包括主要组分是氧化硅(SiO2)的透明玻璃材料。然而，基底101不必局限于此，基底101可包括塑料材料并因此具有柔性。塑料材料可以是包括聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯(PAR)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯(PC)、三乙酸纤维素(TAC)或乙酸丙酸纤维素(CAP)等的绝缘有机材料。
显示设备10可以是朝向基底101的方向实现图像的底发射型。在底发射型显示设备10中，基底101包括透明材料或者由透明材料形成。可选择地，显示设备10可以是沿与基底101相反的方向实现图像的顶发射型。在顶发射型显示设备10中，基底101不包括透明材料或者不由透明材料形成，但可包括诸如金属的非透明材料。
当基底101包括金属时，基底101可包括铁(Fe)、铬(Cr)、锰(Mn)、镍(Ni)、钛(Ti)、钼(Mo)、不锈钢(SUS)、因瓦合金(Invar alloy)、因科镍合金(Inconel alloy)和可伐合金(Kovar alloy)中的至少一种，但不局限于此。
缓冲层102可设置在或形成在基底101上。缓冲层102可在基底101的上部处提供平坦的表面，并可阻挡穿过基底101的外来物质或湿气的渗透。在示例性实施例中，例如，缓冲层102可包括诸如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氮化铝、氧化钛或氮化钛的无机材料以及诸如聚酰亚胺、聚酯或亚克力的有机材料。可使用包括上述多种材料的堆叠体来形成缓冲层102。
薄膜晶体管TFT可包括有源层107、栅电极108、源电极109a和漏电极109b。
在下文中，将描述在其中有源层107、栅电极108、源电极109a和漏电极109b顺序地设置或形成的作为顶栅极型的薄膜晶体管TFT。然而，本发明不局限于此，可采用诸如底栅极型的各种类型的薄膜晶体管TFT。
有源层107可包括半导体材料，例如非晶硅或多晶硅。然而，本发明不局限于此，有源层107可包括各种材料。在一个或更多个实施例中，有源层107可包括有机半导体材料等。
在一个或更多个其它实施例中，有源层107可包括氧化物半导体材料。在示例性实施例中，例如，有源层107可包括从诸如锌(Zn)、铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)、镉(Cd)和锗(Ge)的12族金属元素、13族金属元素和14族金属元素及其组合中选择的材料的氧化物。
栅极绝缘层103可设置在或形成在有源层107上。栅极绝缘层103使栅电极108与有源层107绝缘。栅极绝缘层103可以是包括诸如氧化硅和/或氮化硅的无机材料的单层(例如，单层结构)或者多层结构。
栅电极108可设置在或形成在栅极绝缘层103上。栅电极108可连接到位于显示区DA中并经由其向薄膜晶体管TFT施加导通/截止信号的栅极线(未示出)。栅极线和薄膜晶体管TFT可以以多个设置在显示区DA中。
栅电极108可包括相对低电阻的金属材料。考虑到这样的低电阻的金属材料相对于相邻层的粘附、将要堆叠在低电阻的金属材料上的层的表面平坦度和低电阻的金属材料的可加工性等，栅电极108可包括包含例如铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和铜(Cu)中的至少一种的单层或多层，或者可形成为包括例如铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和铜(Cu)中的至少一种的单层或多层。
层间绝缘层104可设置在或形成在栅电极108上。层间绝缘层104使源电极109a和漏电极109b中的每个与栅电极108绝缘。层间绝缘层104可包括包含无机材料的单层或多层，或者可形成为包括无机材料的单层或多层。在示例性实施例中，例如，无机材料可以是金属氧化物或金属氮化物。在示例性实施例中，无机材料可包括氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)或氧化锆(ZrO2)等。
源电极109a和漏电极109b可设置在或形成在层间绝缘层104上。源电极109a和漏电极109b可包括包含Al、Pt、Pd、Ag、Mg、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、Mo、Ti、W和Cu中的至少一种的单层或多层，或者可形成为包括Al、Pt、Pd、Ag、Mg、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、Mo、Ti、W和Cu中的至少一种的单层或多层。源电极109a和漏电极109b可设置为或形成为与有源层107的区域接触。
平坦化层105可设置在或形成在薄膜晶体管TFT上。平坦化层105可设置为或形成为覆盖多个薄膜晶体管TFT使得由于薄膜晶体管TFT导致的水平差得到补偿，并且平坦化层105的上表面是平坦的，从而防止由于发射层110下方的粗糙导致的发射层110的故障。
平坦化层105可包括包含有机材料的单层或多层，或者可形成为包括有机材料的单层或多层。有机材料可包括诸如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS)的通用聚合物、具有酚基的聚合物衍生物、丙烯酸聚合物、酰亚胺类聚合物、芳醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物或者它们的混合物等。可选择地，平坦化层105可包括无机绝缘层和有机绝缘层的复合的堆叠体，或者通过无机绝缘层和有机绝缘层的复合的堆叠体形成。
第一电极111和发射层110位于平坦化层105上。
第一电极111可物理连接和/或电连接到薄膜晶体管TFT。在示例性实施例中，第一电极111可通过限定在或形成在平坦化层105中的接触孔电连接到漏电极109b。第一电极111可以在限定在或形成在平坦化层105中的接触孔处物理连接和/或电连接到漏电极109b。
在俯视平面图中，第一电极111可具有各种形状。在示例性实施例中，例如，第一电极111可以被设置成离散的岛状形状，或者可以通过以离散的岛状形状被图案化来形成。
发射层110可包括电连接到薄膜晶体管TFT的发光二极管(LED)130和围绕LED 130的像素分隔构件205。
LED 130可通过使用荧光材料发射红光、绿光或蓝光，或者可通过组合不同的颜色实现白光。LED 130可包括第一半导体层131、第二半导体层132以及位于第一半导体层131与第二半导体层132之间的中间层133。
第一半导体层131可通过例如p型半导体层来实现。p型半导体层可包括具有实验式InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)并掺杂有诸如Mg、Zn、Ca、锶(Sr)或钡(Ba)的p型掺杂剂的半导体材料，或者可使用所述半导体材料形成，所述实验式InxAlyGa1-x-yN从例如GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN和AlInN等中选择。
第二半导体层132可通过例如n型半导体层来实现。n型半导体层可包括具有实验式InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)并掺杂有诸如Si、Ge或Sn的n型掺杂剂的半导体材料，或者可使用所述半导体材料形成，所述实验式InxAlyGa1-x-yN从例如GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN和AlInN等中选择。
然而，本发明不局限于此。在可选示例性实施例中，第一半导体层131可包括n型半导体层，第二半导体层132可包括p型半导体层。
中间层133是电子和空穴彼此再结合的区域，电子和空穴的再结合引起向低能级的跃迁，使得产生具有与能量跃迁对应的波长的光。中间层133可包括具有例如实验式InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的半导体材料，或者使用所述半导体材料形成。中间层133可以以单量子阱(SQW)结构或多量子阱(MQW)结构形成。可选择地，中间层133可包括量子布线结构或量子点结构。
像素分隔构件205可包括弹性的和/或可变形的材料(在下文中被称作“伸长材料”)，并可设置为或形成为与LED 130的侧表面接触，从而降低或有效地防止LED 130的位置的翘曲。像素分隔构件205可包括例如弹性硅树脂、弹性聚氨酯或弹性聚异戊二烯等，并且还可包括分散在其中的诸如炭黑的吸光颗粒。
像素分隔构件205可用作阻光构件以阻挡朝向LED 130的侧表面发射的光，从而降低或有效地防止由相邻的LED 130产生的光的颜色混合。此外，像素分隔构件205可吸收或阻挡从显示设备10的外部入射的光，从而改善显示设备10的实际对比度。
第一电极焊盘135可设置在或形成在第一半导体层131下方，第二电极焊盘137可设置在或形成在第二半导体层132上(例如，上方)。第一电极焊盘135可以与第一电极111接触。此外，当LED 130具有竖直结构时，第二电极焊盘137可位于与第一电极焊盘135相对的一侧处，并且与第二电极焊盘137接触的第二电极112可设置在或形成在发射层110上。为了描述的目的，第一电极焊盘135和第二电极焊盘137可被认为是LED 130的一部分或发射层110的一部分。
第一电极111可包括包含Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或它们的组合的反射层以及设置在或形成在反射层上的透明或半透明电极层。透明或半透明电极层可包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)和氧化铝锌(AZO)中的至少一种。
第二电极112可在整个发射层110的上方延伸地设置或形成。第二电极112可以是透明或半透明电极，并可包括具有相对小的逸出功并包含Li、Ca、氟化锂(LiF)/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg或它们的组合的金属薄膜。此外，诸如可通过使用诸如ITO、IZO、ZnO或In2O3的透明电极形成材料在金属薄膜上进一步设置或形成辅助电极层或汇流电极。因此，第二电极112可透射LED 130发射的光。
然而，显示设备10不局限于顶发射型，并且可以是从LED 130发射的光朝向基底101发射的底发射型。在底发射型显示设备10中，第一电极111可以是透明或半透明电极，第二电极112可以是反射电极。可选择地，显示设备10可以是光沿诸如前表面方向(朝向第二电极112)和后表面方向(朝向基底101)的两个相反方向发射的顶底均发射型。
尽管已参照图2对第一电极焊盘135和第二电极焊盘137位于彼此相对侧处的垂直型LED 130进行了描述，但本发明不局限于此。即，如图3所示，LED 130可以是第一电极焊盘135和第二电极焊盘138被定位为沿同一方向定向(诸如在LED 130的同一侧处)的侧边型LED 130或倒装型LED 130。
参照图3，LED 130可包括第一半导体层131、第二半导体层132以及位于第一半导体层131与第二半导体层132之间的中间层133。第一电极焊盘135可设置在或形成在第一半导体层131下面，第二电极焊盘138可设置在或形成在第二半导体层132下面。第一电极焊盘135和第二电极焊盘138均可定位为沿同一方向定向，诸如位于LED 130的同一侧处。为了描述的目的，第一电极焊盘135和第二电极焊盘138可被认为是LED 130的一部分或发射层110的一部分。
为此，参照图3，第二半导体层132的一部分可通过第一半导体层131和中间层133暴露，第二电极焊盘138可设置在或形成在第二半导体层132的暴露的部分下面。即，第二半导体层132的平面面积可比第一半导体层131的平面面积和中间层133的平面面积大，第二电极焊盘138可设置在或形成在第二半导体层132的在俯视平面图中突出于第一半导体层131和中间层133的外部边界的暴露的部分下面。即，在俯视平面图中，第二电极焊盘138不与第一半导体层131和中间层133叠置。
与第二电极焊盘138接触的第二电极113以及第一电极111可设置在或形成在平坦化层105上。在设置在基底101上的层中，第二电极113可形成在与第一电极111分隔开的位置处，并可与第一电极111形成在同一层中和/或同一层上。
作为另一示例，绝缘层(未示出)可设置在第二电极113与第一电极111之间，绝缘层可限定第二电极113和第一电极111的开口，通过此开口暴露第一电极111和/或第二电极113的一部分。对这种结构而言，设置在或形成在第一半导体层131下面的第一电极焊盘135可连接到第一电极111的暴露的部分，设置在或形成在第二半导体层132下面的第二电极焊盘138可连接到第二电极113的暴露的部分。
图4A和图4B至图6示出根据本发明的制造显示设备10的方法的示例性实施例。现在将参照图2至图6描述该方法。
参照图2、图4A和图4B至图6，该方法可包括在载体基底203上将多个LED 130布置成彼此分隔开、在载体基底203上形成与多个LED 130的侧表面接触的伸长构件206、使多个LED 130和伸长构件206与载体基底203分离、拉长其间具有LED 130的伸长构件206，然后将多个LED 130传送到诸如显示基底100的目标基底。
如图4A所示，可在基体基底201上形成多个LED 130。基体基底201可以是包括例如蓝宝石(Al2O3)、碳化硅(SiC)、Si、砷化镓GaAs、GaN、ZnO、磷化镓(GaP)、InP、Ge和Ga2O3中的至少一种的导电或绝缘基底。
多个LED 130中的每个可包括第一半导体层131、第二半导体层132以及位于第一半导体层131与第二半导体层132之间的中间层133。可利用诸如金属有机化学气相沉积(MOCVD)、化学气相沉积(CVD)、等离子体增强化学气相沉积(PECVD)、分子束外延(MBE)或氢化物气相外延(HVPE)的方法形成第一半导体层131、第二半导体层132和中间层133。
参照图2，例如，在形成LED 130的过程中，可在第一半导体层131下面形成第一电极焊盘135，可在第二半导体层132上(例如，上方)形成第二电极焊盘137。为了描述的目的，第一电极焊盘135和第二电极焊盘137可被认为是LED 130的一部分或者发射层110的一部分。
参照图4B，可以使形成在基体基底201上的多个LED 130与基体基底201分离并可以将多个LED 130在载体基底203上布置成彼此分隔开。多个LED 130在载体基底203上的位置通过粘合层等临时固定。载体基底203上的LED 130之间的间隔可与位于基体基底201上的LED 130之间的间隔不同。
之后，如图5所示，通过在彼此分隔开的多个LED 130之间填充伸长材料来形成伸长构件206，并将伸长构件206临时固定在载体基底203上。伸长构件206可以与多个LED 130的侧表面接触，并可以固定多个LED 130相对于彼此的位置。在从载体基底203的上表面截取的截面厚度方向中，伸长构件206可形成为比多个LED 130厚，但本发明不局限于此。
伸长材料可以是弹性硅树脂、弹性聚氨酯或弹性聚异戊二烯等，并还可包括分散在其中的诸如炭黑的吸光颗粒。因此，伸长构件206可具有阻光性质。
之后，如图6所示，使多个LED 130和伸长构件206与载体基底203分离，拉长或拉伸分离的伸长构件206，然后将位于分离的伸长构件206的被拉长的部分之间的多个LED 130传送到显示基底100。
可以利用已知的物理方法或化学方法使载体基底203与多个LED 130和伸长构件206分离。在示例性实施例中，例如，可以利用激光剥离(LLO)方法使载体基底203与多个LED130和伸长构件206分离。
在位于载体基底203上的多个LED 130被伸长构件206围绕并通过伸长构件206彼此连接的情况下，即使从载体基底203分离的伸长构件206被拉长或拉伸(参照图6中的箭头)，也可以在不与伸长构件206分离的情况下保持多个LED 130的相对位置。
伸长构件206可以例如被二维地拉长。即，伸长构件206的平面面积增大，因此，相邻LED 130之间的初始间隔也可增大。在相邻LED 130之间的初始间隔通过拉长伸长构件206而增大的情况下(对比图6，参照图5)，可拉长伸长构件206使得多个LED 130之间的间隔与形成在显示基底100上的多个第一电极111的间隔对应。在多个LED 130之间的间隔与形成在显示基底100上的多个第一电极111的间隔或位置对应的情况下，然后可将多个LED130传送到显示基底100的第一电极111上。
作为另一示例，可划分伸长构件206，使得形成一列或一行的多个LED 130，并且诸如沿其长度一维地拉长被一LED列或一LED行划分的伸长构件206，使得多个LED 130之间的间隔与形成在显示基底100上的多个第一电极111的间隔对应。在位于被一LED列或一LED行划分的伸长构件206上的多个LED 130之间的间隔与形成在显示基底100上的多个第一电极111的间隔或位置对应的情况下，然后可将多个LED 130传送到显示基底100。
可在拉长状态下将伸长构件206连同其上的多个LED 130一起传送到显示基底100，以形成像素分隔构件205。因此，因为被拉长的伸长构件206形成像素分隔构件205，所以避免了用于分离或限定显示区DA内的像素的另一构造或工艺。此外，如上所述，因为伸长构件206具有阻光性质，所以像素分隔构件205可降低或有效地防止由相邻的LED 130产生的光的颜色混合，并可吸收或阻挡从显示设备10的外部入射的光，从而改善显示设备10的实际对比度。
当拉长伸长构件206时，伸长构件206的截面厚度可从其初始厚度减小。因此，位于多个LED 130之间并由被拉长的伸长构件206限定的最终形成的像素分隔构件205的截面厚度可比多个LED 130的厚度小。因此，考虑到这个因素，可以将未被拉长的伸长构件206形成为具有比多个LED 130的厚度大的初始厚度。因此，像素分隔构件205的最终形成的厚度可与多个LED 130的厚度基本相同，因此，发射层110可具有平坦的上表面。发射层110的平坦的上表面可通过LED 130和像素分隔构件205的共面的表面来限定。因此，因为发射层110具有平坦的上表面，所以减小了或有效地防止了将要形成在发射层110上的层的阶梯差。
在根据本发明的制造显示设备10的方法的另一示例性实施例中，可通过以下方法将多个LED 130从载体基底203传送：将在其间具有多个LED 130的、处于其拉长状态的伸长构件206首次传送到辊的表面；然后，根据其上具有被拉长的伸长构件206和多个LED 130的辊的转动，将被拉长的伸长构件206和在其间的多个LED 130其次地传送到显示基底100。然而，本发明不局限于此，可使用各种方法来将多个LED 130从载体基底203传送到显示基底100。
参照图2，例如，在将多个LED 130传送到显示基底100之后，可在发射层110上形成第二电极焊盘137，并可在发射层110上形成第二电极112以与第二电极焊盘137接触。第二电极112可例如形成在整个发射层110上。
如上所述，因为所有的多个LED 130可以诸如在单个制造工艺内同时被传送到显示基底100而不是被单独地传送，所以可改善显示设备10的制造效率。
尽管已描述了传送第一电极焊盘135和第二电极焊盘137位于彼此相对侧处的垂直型LED 130的方法，但是本发明不局限于此。即，参照图3，根据本发明的制造显示设备10的方法的另一示例性实施例可包括将侧边型LED 130或倒装型LED 130传送到显示基底100。
图3中示出的侧边型LED 130和倒装型LED 130中的每个包括第一半导体层131、第二半导体层132和位于第一半导体层131与第二半导体层132之间的中间层133。可在第一半导体层131下面形成第一电极焊盘135，并且可在第二半导体层132下面形成第二电极焊盘138，使得第一电极焊盘135和第二电极焊盘138均可定位为沿同一方向定向，诸如位于LED130的同一侧处。为了描述的目的，第一电极焊盘135和第二电极焊盘138可被认为是LED130的一部分或者发射层110的一部分。
为此，当形成多个侧边型或倒装型LED 130时，可通过诸如反应离子蚀刻等方法执行台面刻蚀，以去除从第一半导体层131的下表面开始的第一半导体层131的厚度部分、穿过中间层133并部分地到达第二半导体层132的厚度，从而暴露第二半导体层132的一部分。在暴露第二半导体层132的情况下，然后可在暴露的第二半导体层132下面形成第二电极焊盘138。
此外，在显示基底100上形成第一电极111和第二电极113两者。第二电极113形成在与第一电极111分隔开的位置处。在设置在基底101上的层中，第二电极113可与第一电极111形成在同一层上和/或同一层中。在示例性实施例中，绝缘层(未示出)位于彼此分隔开的第二电极113与第一电极111上并设置在它们之间，并且可在绝缘层中形成开口，通过此开口暴露第一电极111和/或第二电极113。关于位于彼此分隔开的第二电极113与第一电极111上并设置在它们之间的绝缘层的结构，设置在或形成在第一半导体层131下面的第一电极焊盘135可连接到第一电极111的暴露的部分，设置在或形成在第二半导体层132下面的第二电极焊盘138可连接到第二电极113的暴露的部分。
参照图4A至图6，可通过与上述相同的方法在基体基底上形成侧边型LED 130或倒装型LED 130并可以将其传送到诸如显示基底100的目标基底。在将侧边型LED 130或倒装型LED 130从基体基底传送到目标基底的过程中，可以将第一电极焊盘135设置为与第一电极111接触，可以将第二电极焊盘138设置为与第二电极113接触。
根据一个或更多个实施例，因为可以将多个LED同时传送到诸如显示基底的目标基底，所以可改善显示设备的制造效率。因为在将LED从基体基底传送到目标基底时还形成了像素分隔构件，所以避免了用于在显示区内分离或限定像素的另一构造或工艺。
应该理解的是，应该仅以描述的意义而非限制目的来考虑这里描述的示例性实施例。对每个示例性实施例中的特征的描述应被典型地认为可用于其它示例性实施例中的其它相似的特征。
尽管已参照附图描述了一个或更多个示例性实施例，但将理解的是，在不脱离由权利要求所限定的精神和范围的情况下，本领域普通技术人员可在此做出形式和细节上的各种改变。

Claims (9)

1.一种显示设备，所述显示设备包括：
基底；
发射层，位于所述基底上；
平坦化层，位于所述基底与所述发射层之间；以及
薄膜晶体管，位于所述基底与所述平坦化层之间，
其中，所述发射层包括：
发光二极管，电连接到所述薄膜晶体管，以及
像素分隔构件，围绕所述发光二极管并与所述发光二极管的侧表面接触，并且
其中，所述像素分隔构件包括弹性材料。
2.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述像素分隔构件是阻光构件。
3.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述发射层限定所述发射层的平坦的上表面。
4.根据权利要求1所述的显示设备，其中，
所述发光二极管包括：
第一半导体层，
第二半导体层，以及
中间层，位于所述第一半导体层与所述第二半导体层之间，并且
所述发射层还包括：
第一电极焊盘，位于所述第一半导体层下面，以及
第二电极焊盘，位于所述第二半导体层上。
5.根据权利要求4所述的显示设备，所述显示设备还包括位于所述平坦化层与所述发光二极管之间并电连接到所述薄膜晶体管的第一电极，并且
其中，所述第一电极焊盘与所述第一电极接触。
6.根据权利要求5所述的显示设备，所述显示设备还包括位于所述发射层上并与所述第二电极焊盘接触的第二电极。
7.根据权利要求6所述的显示设备，其中，所述第二电极位于整个发射层的全部上。
8.根据权利要求1所述的显示设备，其中，
所述发光二极管包括：
第一半导体层，
第二半导体层，以及
中间层，位于所述第一半导体层与所述第二半导体层之间，并且
所述发射层还包括：
第一电极焊盘，位于所述第一半导体层的下面，以及
第二电极焊盘，位于所述第二半导体层的下面，并且
所述显示设备还包括位于所述平坦化层和所述发光二极管之间的第一电极以及位于所述平坦化层和所述发光二极管之间并与所述第一电极分隔开的第二电极，
其中，所述第一电极焊盘和所述第二电极焊盘位于所述发光二极管的同一侧处，
所述第一电极焊盘与所述第一电极接触，并且
所述第二电极焊盘与所述第二电极接触。
9.根据权利要求8所述的显示设备，其中，在俯视平面图中，
所述第二半导体层的平面面积比所述第一半导体层的平面面积大，且比所述中间层的平面面积大，并且
与所述第二电极接触的所述第二电极焊盘不与所述第一半导体层和所述中间层叠置。
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