CN114994975B - 阵列基板及其制作方法、显示面板 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种阵列基板及其制作方法和显示面板，包括：衬底，衬底上设有阵列排布的多个像素区域，各像素区域包括多个子像素区域，各子像素区域均包括开口区和非开口区，非开口区内设有薄膜晶体管；第一子像素区域内的薄膜晶体管为第一薄膜晶体管；阵列基板还包括依次形成在衬底上的第一色阻层和光吸收层，第一色阻层位于第一薄膜晶体管远离衬底的一侧，第一色阻层的至少部分位于第一子像素区域的开口区内，光吸收层位于第一子像素区域的非开口区内，且覆盖第一薄膜晶体管，其中，光吸收层的激发波长大于第一色阻层的激发波长。本方案的阵列基板及其制作方法和显示面板降低了光引发剂吸附于薄膜晶体管上的可能。

Description

阵列基板及其制作方法、显示面板

技术领域

本申请属于显示技术领域，具体涉及一种阵列基板及其制作方法、显示面板。

背景技术

液晶显示器件（TFT-LCD）通常由彩膜工艺、阵列工艺、成盒工艺及模组工艺进行制备。其中，目前流行的彩膜工艺常采用COA技术，即利用黄光工艺将色阻层制备于阵列基板上。

其中，业界采用的曝光工艺常使用365nm-395nm之间的激发波长。因此，若色阻层的发射波长接近365nm-395nm，且使用365nm-395nm之间的激发波长的黄光曝光该色阻层时，由于两者的波长相近，故容易使得大部分黄光穿过该色阻层，进而直接照射在TFT（薄膜晶体管）上的金属层上，最终引发光生电现象；并且，黄光穿过该色阻层直接照射在TFT（薄膜晶体管）上的金属界面层后，会将该色阻层内部的光引发剂吸附于TFT上的金属界面层上，造成靠近金属界面层的色阻层能够引发聚合反应，远离金属界面层上方的色阻层不能引发饱和聚合反应，最终导致TFT上方的色阻层发生Peeling（分离）问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种阵列基板及其制作方法和显示面板，降低了光引发剂吸附于薄膜晶体管上的可能。

本发明第一方面公开了一种阵列基板，包括：衬底，所述衬底上设有阵列排布的多个像素区域，各所述像素区域包括多个子像素区域，各所述子像素区域均包括开口区和非开口区，所述非开口区内设有薄膜晶体管；

所述多个子像素区域包括第一子像素区域，所述第一子像素区域内的所述薄膜晶体管为第一薄膜晶体管；

所述阵列基板还包括依次形成在所述衬底上的第一色阻层和光吸收层，所述第一色阻层位于所述第一薄膜晶体管远离所述衬底的一侧，所述第一色阻层的至少部分位于所述第一子像素区域的开口区内，所述光吸收层位于所述第一子像素区域的非开口区内，且覆盖所述第一薄膜晶体管，其中，

所述光吸收层的激发波长大于所述第一色阻层的激发波长。

在本发明的一种示例性实施例中，所述第一色阻层为蓝色色阻层。

在本发明的一种示例性实施例中，所述多个子像素区域还包括第二子像素区域，所述第二子像素区域内的所述薄膜晶体管为第二薄膜晶体管，所述阵列基板还包括第二色阻层，所述第二色阻层的至少部分位于所述第二子像素区域的开口区内，其中，

所述第二色阻层与所述光吸收层为相同颜色的色阻层，且所述第二色阻层与所述光吸收层同层设置。

在本发明的一种示例性实施例中，所述子像素区域还包括第三子像素区域，所述第三子像素区域内的所述薄膜晶体管为第三薄膜晶体管，所述阵列基板还包括第三色阻层，所述第三色阻层的至少部分位于所述第三子像素区域的开口区内；其中，

所述第二色阻层和所述第三色阻层中一者为红色色阻层，另一者为绿色色阻层。

在本发明的一种示例性实施例中，所述第一色阻层还位于所述第一子像素区域的非开口区内，且所述第一色阻层完全覆盖所述光吸收层。

在本发明的一种示例性实施例中，所述第二色阻层的上表面与所述第一色阻层的上表面以及所述第三色阻层的上表面均相齐平。

本发明第二方面公开了一种显示面板，包括上述的阵列基板，所述显示面板还包括液晶层和对置基板，所述对置基板与所述阵列基板相对设置，且所述液晶层设于所述对置基板与所述阵列基板之间。

本发明第三方面公开了一种阵列基板的制作方法，包括；

提供衬底，所述衬底包括多个像素区域，所述像素区域包括多个子像素区域，所述多个子像素区域包括第一子像素区域；

在各所述子像素区域的非开口区内形成薄膜晶体管，所述第一子像素区域内的所述薄膜晶体管为第一薄膜晶体管；

在所述第一子像素区域内的非开口区内形成覆盖所述第一薄膜晶体管的光吸收层；

在所述第一子像素区域内形成第一色阻层，所述第一色阻层的至少部分位于所述第一子像素区域的开口区；

所述光吸收层的激发波长大于所述第一色阻层的激发波长。

在本发明的一种示例性实施例中，所述子像素区域还包括第二子像素区域，所述第二子像素区域内的所述薄膜晶体管为第二薄膜晶体管；其中，

在所述第一子像素区域内的非开口区内形成覆盖所述第一薄膜晶体管的光吸收层包括：

在所述衬底上形成整面的第一光刻胶薄膜；

采用第一灰阶掩模板对所述第一光刻胶薄膜进行曝光，对所述第一光刻胶薄膜显影，其中，位于所述第二子像素区域内的第一光刻胶薄膜完全保留以形成第二色阻层，位于所述第一子像素区域的非开口区内的第一光刻胶薄膜部分保留以形成所述光吸收层，除了所述第一子像素区域的非开口区和所述第二子像素区域之外的其他区域内的第一光刻胶薄膜则完全去除。

在本发明的一种示例性实施例中，在所述第一子像素区域内形成第一色阻层包括：

在所述衬底上形成整面的第二光刻胶薄膜；

采用第二灰阶掩模板对所述第二光刻胶薄膜进行曝光，对所述第二光刻胶薄膜进行显影，其中，位于所述第一子像素区域的开口区内的第二光刻胶薄膜完全保留以形成第一色阻部，位于所述第一子像素区域的非开口区内的第二光刻胶薄膜完全保留以形成第二色阻部，除了所述第一子像素区域之外的其他区域内的第二光刻胶薄膜则完全去除；其中，

所述第一色阻部与所述第二色阻部共同形成所述第一色阻层，且所述第二色阻部的厚度小于所述第一色阻部的厚度。

本申请方案具有以下有益效果：

在本发明实施例中，在对第一子像素区域内的第一色阻层进行曝光时，若曝光机发出的光的波长与第一色阻层的激发波长相接近，或者曝光机发出的光的波长大于第一色阻层的激发波长。此时，由于光吸收层的激发波长大于第一色阻层的激发波长，且光吸收层位于第一子像素区域的非开口区内，并覆盖第一薄膜晶体管。因此，曝光机向着第一薄膜晶体管发出的光能能够通过光吸收层更好地吸收，增加光吸收层引发饱和的聚合反应的几率，进而减少了黄光制程中黄光直接照射到第一薄膜晶体管的几率，最终防止显示面板在工艺制程后出现色阻层分离造成的显示不良的现象。

应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本申请。

附图说明

此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本发明的实施例，并与说明书一起用于解释本发明的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1示出了本发明实施例一所述的阵列基板的局部平面结构示意图。

图2示出了本发明实施例一所述的阵列基板的制作方法中步骤S3中的部分制作流程结构图。

图3示出了本发明实施例一所述的阵列基板设有第二色阻层和光吸收层后的局部平面结构示意图。

图4示出了本发明实施例一沿图3中沿A-A处的截面结构示意图。

图5示出了本发明实施例一所述的阵列基板设有第三色阻层后的局部平面结构示意图。

图6示出了本发明实施例一沿图5中沿B-B处的截面结构示意图。

图7示出了本发明实施例一所述的阵列基板的制作方法中步骤S5中的部分制作流程结构图。

图8示出了本发明实施例一所述的阵列基板设有第一色阻层后的局部平面结构示意图。

图9示出了本发明实施例一沿图8中沿C-C处的截面结构示意图。

图10示出了本发明实施例二所述的阵列基板的局部平面结构示意图。

图11示出了本发明实施例二所述的阵列基板设有第三色阻层后的局部平面结构示意图。

图12示出了本发明实施例二沿图11中沿D-D处的截面结构示意图。

图13示出了本发明实施例二所述的阵列基板的制作方法中步骤S4′中的部分制作流程结构图。

图14示出了本发明实施例二所述的阵列基板设有第二色阻层和光吸收层后的局部平面结构示意图。

图15示出了本发明实施例二沿图14中沿E-E处的截面结构示意图。

图16示出了本发明实施例二所述的阵列基板的制作方法中步骤S5′中的部分制作流程结构图。

图17示出了本发明实施例二所述的阵列基板设有第一色阻层后的局部平面结构示意图。

图18示出了本发明实施例二沿图17中沿F-F处的截面结构示意图。

图19示出了本发明实施例四所述的显示面板的局部截面结构示意图。

附图标记说明：

10、衬底；10a、像素区域；11、第一子像素区域；112、非开口区；111、开口区；12、第二子像素区域；13、第三子像素区域；21、第一薄膜晶体管；22、第二薄膜晶体管；23、第三薄膜晶体管；30、第一光刻胶薄膜；31、第二色阻层；32、光吸收层；40、第二光刻胶薄膜；41、第一色阻层；411、第一色阻部；412、第二色阻部；51、第三色阻层；60、第一灰阶掩模板；61、第一全透光区；62、第一半透光区；63、第一不透光区；70、第二灰阶掩模板；71、第二全透光区；72、第二半透光区；73、第二不透光区；81、数据线；82、扫描线；83、对置基板；84、液晶层。

具体实施方式

现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的范例；相反，提供这些实施方式使得本发明将更加全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。

此外，所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施例中。在下面的描述中，提供许多具体细节从而给出对本申请的实施例的充分理解。然而，本领域技术人员将意识到，可以实践本申请的技术方案而没有特定细节中的一个或更多，或者可以采用其它的方法、组元、装置、步骤等。在其它情况下，不详细示出或描述公知方法、装置、实现或者操作以避免模糊本申请的各方面。

下面结合附图和具体实施例对本申请作进一步详述。在此需要说明的是，下面所描述的本申请各个实施例中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互组合。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本申请，而不能理解为对本申请的限制。

实施例一

请参照图1至图9所示，本实施例提供一种阵列基板的制作方法，其中，制作方法包括：

提供衬底10。其中，衬底10包括多个像素区域10a，多个像素区域10a阵列设于衬底10上，像素区域10a包括多个子像素区域。每一子像素区域均包括开口区111和非开口区112，非开口区112内设有薄膜晶体管等。

可选地，各子像素区域包括第一子像素区域11、第二子像素区域12和第三子像素区域13。

进一步地，在各子像素区域的非开口区112内形成薄膜晶体管。

应理解的是，位于第一子像素区域11的非开口区112内的薄膜晶体管为第一薄膜晶体管21；位于第二子像素区域12的非开口区112内的薄膜晶体管为第二薄膜晶体管22；位于第三子像素区域13的非开口区112内的薄膜晶体管为第三薄膜晶体管23。

进一步地，在第一子像素区域11内的非开口区112内形成覆盖第一薄膜晶体管21的光吸收层32。

可选地，如图2、图3和图4所示，在第一子像素区域11内的非开口区112内形成覆盖第一薄膜晶体管21的光吸收层32包括：

在衬底10上形成整面的第一光刻胶薄膜30；（例如为负性光刻胶薄膜），并在100℃下预烘烤100秒后冷却至室温。

采用第一灰阶掩模板60使用30mj/cm²对第一光刻胶薄膜30进行曝光，其中，第一灰阶掩模板60包括第一全透光区61、第一半透光区62和第一不透光区63，第一全透光区61对应第二子像素区域12，第一半透光区62对应第一子像素区域11的非开口区112，第一不透光区63至少对应除第二子像素区域12以及第一子像素区域11的非开口区112以外的其他区域。

对第一光刻胶薄膜30进行显影，除了第一子像素区域11的非开口区112和第二子像素区域12以外的其他区域内的第一光刻胶薄膜30完全去除，位于第二子像素区域12内的第一光刻胶薄膜30完全保留以形成第二色阻层31，位于第一子像素区域11的非开口区112内的第一光刻胶薄膜30部分保留以形成光吸收层32。

应理解的是，光吸收层32的厚度小于第二色阻层31的厚度，以便于在光吸收层32上设置第一色阻层41。

其中，曝光后使用0.042％的KOH显影液进行喷射显影，以去除第一不透光区63对应的第一光刻胶薄膜30，并保留第一全透光区61和第一半透光区62对应的第一光刻胶薄膜30。而第一全透光区61对应的第一光刻胶薄膜30的厚度大于第一半透光区62对应的第一光刻胶薄膜30。

然后，在200-250℃下烘烤30min，得到第一全透光区61对应的2.5um的第二色阻层31，以及第一半透光区62对应的0.3-0.5um的光吸收层32。

进一步地，如图5和图6所示，在第三子像素区域13内形成第三色阻层51包括：

在衬底10上形成整面的第三光刻胶薄膜（例如为负性光刻胶薄膜），并在100℃下预烘烤100秒后冷却至室温。

采用普通掩模板使用30mj/cm²对第三光刻胶薄膜进行曝光，其中，普通掩模板包括第三全透光区和第三不透光区，第三全透光区对应第三子像素区域13，第三不透光区对应除第三子像素区域13以外的其他区域。

对第三光刻胶薄膜进行显影，去除第三子像素区域13以外的其他区域内的第三光刻胶薄膜，留下第三子像素区域13内的第三光刻胶薄膜以形成第三色阻层51。

其中，曝光后使用0.042％的KOH显影液进行喷射显影，以去除第三不透光区对应的第三光刻胶薄膜，并保留全透光区对应的第三光刻胶薄膜。

然后，在200-250℃下烘烤30min，得到第三全透光区对应的2.5um的第三色阻层51。

进一步地，如图7至图9所示，在第一子像素区域11内形成第一色阻层41包括：

在衬底10上形成整面的第二光刻胶薄膜40（例如为负性光刻胶薄膜），并在100℃下预烘烤100秒后冷却至室温。

采用第二灰阶掩模板70使用30mj/cm²对第二光刻胶薄膜40进行曝光，其中，第二灰阶掩模板70包括第二全透光区71、第二半透光区72和第二不透光区73，第二全透光区71对应第一子像素区域11的开口区111，第二半透光区72对应第一子像素区域11的非开口区112，第二不透光区73至少对应除第一子像素区域11以外的其他区域。

对第二光刻胶薄膜40进行显影，其中，位于第一子像素区域11以外的其他区域内的第二光刻胶薄膜40完全去除，位于第一子像素区域11的开口区111内的第二光刻胶薄膜40完全保留以形成第一色阻部411，留下第一子像素区域11的非开口区112内的第二光刻胶薄膜40完全保留以形成第二色阻部412，第一色阻部411与第二色阻部412共同形成第一色阻层41。

应理解的是，第二色阻部412完全覆盖光吸收层32，以保证出射光自阵列基板的一侧经过光吸收层32后，还会经过第二色阻部412，进而使得出射光的颜色为第二色阻部412的颜色。

示例的，曝光后使用0.042％的KOH显影液进行喷射显影，以去除第二不透光区73对应的第二光刻胶薄膜40，并保留第二全透光区71和第二半透光区72对应的第二光刻胶薄膜40。其中，第二全透光区71对应的第二光刻胶薄膜40的厚度大于第二半透光区72对应的第二光刻胶薄膜40。

然后，在200-250℃下烘烤30min，如图9，得到第二全透光区71对应的2.5um的第一色阻部411，以及第二半透光区72对应的第二色阻部412，第二色阻部412的厚度小于第一色阻部411的厚度，且第二色阻部412的厚度与光吸收层32的厚度等于2.5um，第一色阻部411与第二色阻部412共同形成第一色阻层41，第二色阻部412覆盖在光吸收层32上。

其中，第一色阻层41位于第一子像素区域11的非开口区112以及开口区111内，光吸收层32位于第一色阻层41与第一薄膜晶体管21之间，且光吸收层32的激发波长大于第一色阻层41的激发波长。

进一步地，光吸收层32完全覆盖第一薄膜晶体管21。

可选地，光吸收层32可完全覆盖第一子像素区域11的非开口区112。

应理解的是，形成第二色阻层31以及光吸收层32的第一光刻胶薄膜30可以为红色色阻（红色光刻胶）或绿色色阻（绿色光刻胶）形成。其中，当第二色阻层31以及光吸收层32为红色色阻层时，第三色阻层51为绿色色阻层；当第二色阻层31以及光吸收层32为绿色色阻层时，第三色阻层51为红色色阻层。而无论形成第二色阻层31以及光吸收层32的第一光刻胶薄膜30为红色色阻（红色光刻胶）还是绿色色阻（绿色光刻胶）形成，其制程原理和方法相同。

进一步地，第二色阻部412完全覆盖光吸收层32。保证出射光自衬底10的一侧经过光吸收层32后，还会经过第二色阻部412，进而使得出射光经过光吸收层32后出射的颜色仍然为第二色阻部412的颜色，因此，光吸收层32的存在不会改变阵列基板原有的色域。

为方便理解，下面将以第二色阻层31以及光吸收层32为红色色阻层时，第三色阻层51为绿色色阻层时，对阵列基板的制作方法的步骤S3开始进行举例说明：

S1：如图1所示，提供衬底10。衬底10包括多个像素区域10a，像素区域10a包括多个子像素区域。

可选地，各子像素区域包括第一子像素区域11、第二子像素区域12和第三子像素区域13。

S2：在各子像素区域的非开口区112内形成薄膜晶体管。

应理解的是，位于第一子像素区域11的非开口区112内的薄膜晶体管为第一薄膜晶体管21；位于第二子像素区域12的非开口区112内的薄膜晶体管为第二薄膜晶体管22；位于第三子像素区域13的非开口区112内的薄膜晶体管为第三薄膜晶体管23。

S3：如图2至图4所示，在衬底10上形成整面的第一光刻胶薄膜30（例如为红色的负性光刻胶薄膜），并在100℃下预烘烤100秒后冷却至室温。

采用第一灰阶掩模板60使用30mj/cm²对第一光刻胶薄膜30进行曝光，其中，第一灰阶掩模板60包括第一全透光区61、第一半透光区62和第一不透光区63，第一全透光区61对应第二子像素区域12，第一半透光区62对应第一子像素区域11的非开口区112，第一不透光区63至少对应除第二子像素区域12以及第一子像素区域11的非开口区112以外的其他区域。

对第一光刻胶薄膜30进行显影，除了第一子像素区域11的非开口区和第二子像素区域12以外的其他区域内的第一光刻胶薄膜30完全去除，位于第二子像素区域12内的第一光刻胶薄膜30完全保留以形成红色的第二色阻层31，即R色阻；位于第一子像素区域11的非开口区112内的第一光刻胶薄膜30部分保留以形成红色的光吸收层32。

示例的，曝光后使用0.042％的KOH显影液进行喷射显影，以去除第一不透光区63对应的第一光刻胶薄膜30，并保留第一光全透光区和第一光半透光区对应的第一光刻胶薄膜30。其中，第一光全透光区对应的第一光刻胶薄膜30的厚度大于第一半透光区62对应的第一光刻胶薄膜30。

然后，在200-250℃下烘烤30min，得到第一全透光区61对应的2.5um的第二色阻层31，以及第一半透光区62对应的0.3-0.5um的光吸收层32。

S4：如图5和图6所示，在衬底10上形成整面的第三光刻胶薄膜；（例如为绿色的负性光刻胶薄膜），并在100℃下预烘烤100秒后冷却至室温。

采用普通掩模板使用30mj/cm²对第三光刻胶薄膜进行曝光，其中，普通掩模板包括第三全透光区和第三不透光区，第三全透光区对应第三子像素区域13，第三不透光区对应除第三子像素区域13以外的其他区域。

对第三光刻胶薄膜进行显影，去除第三子像素区域13以外的其他区域内的第三光刻胶薄膜，留下第三子像素区域13内的第三光刻胶薄膜以形成绿色的第三色阻层51，即G色阻。

示例的，曝光后使用0.042％的KOH显影液进行喷射显影，以去除第三不透光区对应的第三光刻胶薄膜，并保留全透光区对应的第三光刻胶薄膜。

然后，在200-250℃下烘烤30min，得到第三全透光区对应的2.5um的第三色阻层51。

S5：如图7至图9所示，在衬底10上形成整面的第二光刻胶薄膜40（例如为蓝色的负性光刻胶薄膜），并在100℃下预烘烤100秒后冷却至室温。

采用第二灰阶掩模板70使用30mj/cm²对第二光刻胶薄膜40进行曝光，其中，第二灰阶掩模板70包括第二全透光区71、第二半透光区72和第二不透光区73，第二全透光区71对应第一子像素区域11的开口区111，第二半透光区72对应第一子像素区域11的非开口区112，第二不透光区73至少对应除第一子像素区域11以外的其他区域。

对第二光刻胶薄膜40进行显影，其中，位于第一子像素区域11以外的其他区域内的第二光刻胶薄膜40完全去除，位于第一子像素区域11的开口区111内的第二光刻胶薄膜40完全保留以形成第一色阻部411，留下第一子像素区域11的非开口区112内的第二光刻胶薄膜40完全保留以形成第二色阻部412，第一色阻部411与第二色阻部412共同形成蓝色的第一色阻层41，即B色阻。

应理解的是，第二色阻部412完全覆盖光吸收层32。

示例的，曝光后使用0.042％的KOH显影液进行喷射显影，以去除第二不透光区73对应的第二光刻胶薄膜40，并保留第二全透光区71和第二半透光区72对应的第二光刻胶薄膜40。其中，第二全透光区71对应的第二光刻胶薄膜40的厚度大于第二半透光区72对应的第二光刻胶薄膜40。

然后，在200-250℃下烘烤30min，得到第二全透光区71对应的2.5um的第一色阻部411，以及第二半透光区72对应的第二色阻部412，第二色阻部412的厚度小于第一色阻部411的厚度，且第二色阻部412的厚度与光吸收层32的厚度等于2.5um，第一色阻部411与第二色阻部412共同形成第一色阻层41。

应理解的是，第二色阻部412在第一子像素区域11内的正投影与光吸收层32在第一子像素区域11内的正投影相重合，即第二色阻部412完全覆盖光吸收层32，能够保证自光吸收层32向着第二色阻部412发出的光的颜色为第二色阻部412的颜色，而不是光吸收层32的颜色，即不会改变其色域。

综上，当本实施例中的第一色阻层41不能充分的吸收曝光机发射出的黄光的能量时，透射过第一色阻层41的黄光会照射到第一薄膜晶体管21与第一色阻层41之间的光吸收层32，但由于光吸收层32的波长大于第一色阻层41，进而使得透射过第一色阻层41的黄光的能量几乎能够被光吸收层32充分吸收，并引发饱和的聚合反应，大大减少了黄光直接照射到第一薄膜晶体管21的几率，最终在一定程度上防止了色阻层分离而造成的显示不良。

同时，通过第二灰阶掩膜板进行一次构图工艺形成第一色阻层41，可以使得第一色阻层41与光吸收层32的总厚度等于第二色阻层31的总厚度，也可以使得第一色阻层41与光吸收层32的总厚度等于第三色阻层51的总厚度，进而能够保证了第一色阻层41、第二色阻层31与第三色阻层51上表面的几乎平整，以方便阵列基板在后续的制程中的膜层能够平整的设置在第一色阻层41、第二色阻层31与第三色阻层51上表面上。

实施例二

请参照图10至图18所示，本实施例二提供一种阵列基板的制作方法，其制作方法与实施例一点方法大致相同，不同点在于第二色阻层31以及光吸收层32为绿色色阻层。

为方便理解，下面将以第二色阻层31以及光吸收层32为绿色色阻层时，第三色阻层51为红色色阻层时，对阵列基板的制作方法的步骤开始进行详细举例说明：

S1′：如图10所示，提供衬底10。衬底10包括多个像素区域10a，像素区域10a包括多个子像素区域。

可选地，各子像素区域包括第一子像素区域11、第二子像素区域12和第三子像素区域13。

S2′：在各子像素区域的非开口区112内形成薄膜晶体管。

应理解的是，位于第一子像素区域11的非开口区112内的薄膜晶体管为第一薄膜晶体管21；位于第二子像素区域12的非开口区112内的薄膜晶体管为第二薄膜晶体管22；位于第三子像素区域13的非开口区112内的薄膜晶体管为第三薄膜晶体管23。

S3′：如图11和图12所示，在衬底10上形成整面的第三光刻胶薄膜；（例如为红色的负性光刻胶薄膜），并在100℃下预烘烤100秒后冷却至室温。

采用普通掩模板使用30mj/cm²对第三光刻胶薄膜进行曝光，其中，普通掩模板包括第三全透光区和第三不透光区，第三全透光区对应第三子像素区域13，第三不透光区对应除第三子像素区域13以外的其他区域。

对第三光刻胶薄膜进行显影，去除第三子像素区域13以外的其他区域内的第三光刻胶薄膜，留下第三子像素区域13内的第三光刻胶薄膜以形成红色的第三色阻层51，即R色阻。

示例的，曝光后使用0.042％的KOH显影液进行喷射显影，以去除第三不透光区对应的第三光刻胶薄膜，并保留全透光区对应的第三光刻胶薄膜。

然后，在200-250℃下烘烤30min，得到第三全透光区对应的2.5um的第三色阻层51。

S4′：如图13和图15所示，在衬底10上形成整面的第一光刻胶薄膜30（例如为绿色的负性光刻胶薄膜），并在100℃下预烘烤100秒后冷却至室温。

采用第一灰阶掩模板60使用30mj/cm²对第一光刻胶薄膜30进行曝光，其中，第一灰阶掩模板60包括第一全透光区61、第一半透光区62和第一不透光区63，第一全透光区61对应第二子像素区域12，第一半透光区62对应第一子像素区域11的非开口区112，第一不透光区63至少对应除第二子像素区域12以及第一子像素区域11的非开口区112以外的其他区域。

对第一光刻胶薄膜30进行显影，除了第一子像素区域11的非开口区和第二子像素区域12以外的其他区域内的第一光刻胶薄膜30完全去除，位于第二子像素区域12内的第一光刻胶薄膜30完全保留以形成绿色的第二色阻层31，即G色阻；位于第一子像素区域11的非开口区112内的第一光刻胶薄膜30部分保留以形成绿色的光吸收层32。

示例的，曝光后使用0.042％的KOH显影液进行喷射显影，以去除第一不透光区63对应的第一光刻胶薄膜30，并保留全透光区和半透光区对应的第一光刻胶薄膜30。其中，全透光区对应的第一光刻胶薄膜30的厚度大于第一半透光区62对应的第一光刻胶薄膜30。

然后，在200-250℃下烘烤30min，得到第一全透光区61对应的2.5um的第二色阻层31，以及第一半透光区62对应的0.3-0.5um的光吸收层32。

S5′：如图16至图18所示，在衬底10上形成整面的第二光刻胶薄膜40（例如为蓝色的负性光刻胶薄膜），并在100℃下预烘烤100秒后冷却至室温。

采用第二灰阶掩模板70使用30mj/cm²对第二光刻胶薄膜40进行曝光，其中，第二灰阶掩模板70包括第二全透光区71、第二半透光区72和第二不透光区73，第二全透光区71对应第一子像素区域11的开口区111，第二半透光区72对应第一子像素区域11的非开口区112，第二不透光区73至少对应除第一子像素区域11以外的其他区域。

对第二光刻胶薄膜40进行显影，其中，位于第一子像素区域11以外的其他区域内的第二光刻胶薄膜40完全去除，位于第一子像素区域11的开口区111内的第二光刻胶薄膜40完全保留以形成第一色阻部411，留下第一子像素区域11的非开口区112内的第二光刻胶薄膜40完全保留以形成第二色阻部412，第一色阻部411与第二色阻部412共同形成蓝色的第一色阻层41，即B色阻。

应理解的是，第二色阻部412完全覆盖光吸收层32。

示例的，曝光后使用0.042％的KOH显影液进行喷射显影，以去除第二不透光区73对应的第二光刻胶薄膜40，并保留第二全透光区71和第二半透光区72对应的第二光刻胶薄膜40。其中，第二全透光区71对应的第二光刻胶薄膜40的厚度大于第二半透光区72对应的第二光刻胶薄膜40。

然后，在200-250℃下烘烤30min，得到第二全透光区71对应的2.5um的第一色阻部411，以及第二半透光区72对应的第二色阻部412，第二色阻部412的厚度小于第一色阻部411的厚度，且第二色阻部412的厚度与光吸收层32的厚度等于2.5um，第一色阻部411与第二色阻部412共同形成第一色阻层41。

应理解的是，第二色阻部412在第一子像素区域11内的正投影与光吸收层32在第一子像素区域11内的正投影相重合，即第二色阻部412完全覆盖光吸收层32，能够保证自光吸收层32向着第二色阻部412发出的光的颜色为第二色阻部412的颜色，而不是光吸收层32的颜色，即不会改变其色域。

综上，当本实施例中的第一色阻层41不能充分的吸收曝光机发射出的黄光的能量时，透射过第一色阻层41的黄光会照射到第一薄膜晶体管21与第一色阻层41之间的光吸收层32，但由于光吸收层32的波长大于第一色阻层41，进而使得透射过第一色阻层41的黄光的能量几乎能够被光吸收层32充分吸收，并引发饱和的聚合反应，大大减少了黄光直接照射到第一薄膜晶体管21的几率，最终防止显示面板在工艺制程后出现色阻层分离造成的显示不良的现象。

同时，通过第二灰阶掩膜板进行一次构图工艺形成第一色阻层41，可以使得第一色阻层41与光吸收层32的总厚度等于第二色阻层31的总厚度，也可以使得第一色阻层41与光吸收层32的总厚度等于第三色阻层51的总厚度，进而能够保证了第一色阻层41、第二色阻层31与第三色阻层51上表面的几乎平整，以方便阵列基板在后续的制程中的膜层能够平整的设置在第一色阻层41、第二色阻层31与第三色阻层51上表面上。

实施例三

结合实施一中的图1、图8和图9所示或结合实施二中图10、图17、图18所示，本发明实施例提供一种由实施例一或实施二的制作方法形成的阵列基板。

阵列基板包括衬底10和多个薄膜晶体管。其中，衬底10包括呈阵列排布的多个像素区域10a，各像素区域10a包括多个子像素区域。每一子像素区均包括开口区111和非开口区112。

应理解的是，各子像素区域的非开口区112内至少设有一个薄膜晶体管（TFT）。

示例的，多个子像素区域包括第一子像素区域11，第一子像素区域11内的薄膜晶体管为第一薄膜晶体管21。

进一步地，阵列基板还包括第一色阻层41和光吸收层32，第一色阻层41位于第一薄膜晶体管21远离衬底10的一侧，第一色阻层41至少部分位于第一子像素区域11的开口区111内，光吸收层32位于第一子像素区域11的非开口区112内，且覆盖第一薄膜晶体管21。

其中，光吸收层32的激发波长大于第一色阻层41的激发波长。

在本发明实施例中，在对第一子像素区域11内的第一色阻层41进行曝光时，若曝光机发出的光的波长与第一色阻层41的激发波长相接近，或者曝光机发出的光的波长大于第一色阻层41的激发波长。此时，由于光吸收层32的激发波长大于第一色阻层41的激发波长，且光吸收层位于第一子像素区域11的非开口区112内，并覆盖第一薄膜晶体管21。因此，曝光机向着第一薄膜晶体管21发出的光能能够通过光吸收层32更好地吸收，增加光吸收层32引发饱和的聚合反应的几率，进而减少了黄光制程中黄光直接照射到第一薄膜晶体管21的几率，最终防止显示面板在工艺制程后出现色阻层分离造成的显示不良的现象。

在本实施例中，第一薄膜晶体管21在衬底10上的正投影位于光吸收层32在衬底10上的正投影内。即光吸收层完全覆盖第一薄膜晶体管21。

在一些实施例中，第一色阻层41为蓝色色阻层。

应理解的是，蓝色色阻层的激发波长为420nm，相较于其他的彩色色阻层的激发波长较短（例如绿色色阻层的激发波长为520nm、红色色阻层的激发波长为620nm）。而常用的曝光机的波长几乎都是365nm-395nm，其与蓝色色阻层的激发波长十分接近，相对其他彩色色阻层更容易使得曝光机发出的黄光穿透为蓝色色阻层的第一色阻层41，以照射到其对应的第一薄膜晶体管21上。因此，至少在蓝色色阻层与其对应的第一薄膜晶体管21之间设有光吸收层32。

在一些实施例中，各像素区域10a还包括与第一子像素区域11相邻的第二子像素区域12，第二子像素区域12内的薄膜晶体管为第二薄膜晶体管22，且第二子像素区域12还包括位于其开口区111和非开口区112内的第二色阻层31，第二色阻层31为红色色阻层或绿色色阻层。

其中，第二色阻层31与光吸收层32为相同颜色的色阻层，且第二色阻层31与光吸收层32同层设置。

进一步地，光吸收层32与第二色阻层31均为红色色阻层或绿色色阻层。因此，当光吸收层32与第二色阻层31均为红色色阻层或绿色色阻层时，一方面能够方便与第二色阻层31共同采用一次构图工艺形成，另一方面，由于红色色阻层的激发波长为620nm，且绿色色阻层的激发波长为520nm，均大于蓝色色阻层的激发波长，且比曝光机的365nm-395nm波长长，因此，光吸收层32在采用该曝光机曝光的过程中能充分的吸收曝光机发射出的光的能量，引发饱和的聚合反应。

应理解的是，当第二色阻层31与光吸收层32同层设置后，且光吸收层32与第二色阻层31均为红色色阻层或绿色色阻层时，光吸收层32与第二色阻层31可以是连接在一起的整面的色阻层，即该色阻层一部分位于第二子像素区域12内形成第二色阻层31，另一部分延伸至第一子像素区域11的非开口区112内形成光吸收层32；光吸收层32与第二色阻层31可以间隔设置的。进一步地，各像素区域10a还包括与第一子像素区域11相邻的第三子像素区域13，第三子像素区域内的薄膜晶体管为第三薄膜晶体管23，其第三子像素区域还包括位于其开口区111和非开口区112内的第三色阻层51，第三色阻层51为红色色阻层或绿色色阻层。

应理解的是，第一色阻层41、第二色阻层31、第三色阻层51和光吸收层32均为彩色光刻胶形成。

示例的，第二色阻层31与第三色阻层51中一者为红色色阻层，另一者为绿色色阻层。即，当第二色阻层31为红色色阻层时，第三色阻层51为绿色色阻层；当第二色阻层31为绿色色阻层时，第三色阻层51为红色色阻层。

在一些实施例中，第一色阻层41还覆盖在第一子像素区域11的非开口区112内，且光吸收层32在衬底10上的正投影位于第一色阻层41在衬底10上的正投影内。

应理解的是，由于光吸收层32与第一色阻层41不是同一颜色的彩色光刻胶形成，因此，当第一色阻层41覆盖光吸收层32后，可以使得自衬底10的一侧穿过光吸收层32的光会经过第一色阻层41后再出光，保证自衬底10的一侧射出的光为第一色阻层41的颜色，进而不会改变阵列基板原有的色域。

在一些实施例中，第二色阻层31的上表面与第一色阻层41的上表面以及第三色阻层51的上表面相齐平。

应理解的是，自阵列基板的衬底10朝向第一色阻层41或第二色阻层31的方向为上方，自阵列基板的第一色阻层41或第二色阻层31朝向衬底10的方向为下方。当第二色阻层31的上表面与第一色阻层41的上表面以及第三色阻层51的上表面相齐平后，能够方便阵列基板在后续的制程中也能制备平坦的膜层。

可选地，第一色阻层41与光吸收层32的总厚度为2.5um，其中，光吸收层32的厚度为0.3-0.5um；第二色阻层31的厚度为2.5um；第三色阻层51的厚度为2.5um。

在一些实施例中，阵列基板还包括设置在衬底10上的栅极和扫描线82，栅极与扫描线82导电连接。其中，栅极和扫描线82均位于非开口区112内。

示例的，薄膜晶体管位于栅极上方，且薄膜晶体管与栅极之间设有绝缘层，用于使薄膜晶体管与栅极绝缘设置。

进一步地，薄膜晶体管包括源极、漏极和半导体层。其中，半导体层连接在源极与漏极之间。

示例的，源极的至少部分与漏极的至少部分叠设于半导体层上，即源极在衬底10上的正投影与半导体层在衬底10上的正投影存在部分交叠，漏极在衬底10上的正投影与半导体层在衬底10上的正投影存在部分交叠。

进一步地，阵列基板还包括数据线81和设置在开口区111内的像素电极，漏极与像素电极导电连接，源极与数据线81导电连接。其中，第一色阻层41、第二色阻层31以及第三色阻层51一一对应设置在像素电极的上方，用于将开口区111内射出的光调整为相应的颜色。

应理解的是，栅极和扫描线82为第一金属层形成，源极、漏极为第二金属层形成，半导体层可为非晶硅形成。

综上，当第一色阻层41不能充分的吸收曝光机发射出的黄光的能量时，透射过第一色阻层41的黄光会照射到第一薄膜晶体管21与第一色阻层41之间的光吸收层32，但由于光吸收层32的波长大于第一色阻层41，进而使得透射过第一色阻层41的黄光的能量几乎能够被光吸收层32充分吸收，并引发饱和的聚合反应。

因此，本实施例中的阵列基板大大防止了黄光直接照射在半导体层上方的第二金属层上，并降低了曝光机对第二金属层的光生电现象的几率，也即几乎可以避免第二金属层、半导体层及第一金属层之间产生电势，并诱导产生电荷而吸附第一色阻层41中的光引发剂聚集在第二金属层表面，以使得第二金属层上方的第一色阻层41发生Peeling现象（分离现象）。

同时，通过将第二色阻层31与光吸收层32同层设置，且光吸收层32与第二色阻层31均为红色色阻层或绿色色阻层，方便光吸收层32与第二色阻层31共同采用一次构图工艺，进而无需增加新的光罩制程，故节省了成本。

实施例四

如图19所示，本发明实施例四提供了一种显示面板。包括上述的阵列基板，显示面板还包括液晶层84和对置基板83，对置基板83与阵列基板相对设置，且液晶层84设于对置基板83与阵列基板之间。

应理解的是，对置基板83与阵列基板采用封框胶固定连接成一个盒体，其液晶层84密封与对置基板83与阵列基板之间。

此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

在本申请中，“同层设置”指的是采用同一成膜工艺形成用于形成特定图形的膜层，然后利用同一掩模板通过一次构图工艺形成的层结构。即一次构图工艺对应一道掩模板(mask，也称光罩)。根据特定图形的不同，一次构图工艺可能包括多次曝光、显影或刻蚀工艺，而形成的层结构中的特定图形可以是连续的也可以是不连续的，这些特定图形还可能处于不同的高度或者具有不同的厚度。从而简化制作工艺，节省制作成本，提高生产效率。

此外，除非另有明确的规定和限定，术语“装配”、“连接”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。

在本说明书的描述中，参考术语“一些实施例”、“示例地”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本申请的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。

尽管上面已经示出和描述了本申请的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本申请的限制，本领域的普通技术人员在本申请的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型，故但凡依本申请的权利要求和说明书所做的变化或修饰，皆应属于本申请专利涵盖的范围之内。

Claims (9)

1.一种阵列基板，包括：衬底，所述衬底上设有阵列排布的多个像素区域，各所述像素区域包括多个子像素区域，各所述子像素区域均包括开口区和非开口区，所述非开口区内设有薄膜晶体管；其特征在于，所述多个子像素区域包括第一子像素区域、第二子像素区域和第三子像素区域，所述第一子像素区域、第二子像素区域和第三子像素区域内的所述薄膜晶体管分别为第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管；

所述阵列基板还包括依次形成在所述衬底上的光吸收层和第一色阻层，所述第一色阻层位于所述第一薄膜晶体管远离所述衬底的一侧，所述第一色阻层的至少部分位于所述第一子像素区域的开口区内，所述光吸收层位于所述第一子像素区域的非开口区内，所述光吸收层仅覆盖所述第一薄膜晶体管；

所述阵列基板还包括形成于第二子像素区域内的第二色阻层和形成于第三子像素区域内的第三色阻层；

其中，所述光吸收层的激发波长大于所述第一色阻层的激发波长；

所述第一色阻层为采用曝光波长为365nm-395nm的曝光机曝光而成的蓝色色阻层，所述第一色阻层的激发波长大于所述曝光机的曝光波长，所述光吸收层用于吸收所述曝光机所发出的光能。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，

所述多个子像素区域还包括第二子像素区域，所述第二子像素区域内的所述薄膜晶体管为第二薄膜晶体管，所述阵列基板还包括第二色阻层，所述第二色阻层的至少部分位于所述第二子像素区域的开口区内，其中，

所述第二色阻层与所述光吸收层为相同颜色的色阻层，且所述第二色阻层与所述光吸收层同层设置。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述子像素区域还包括第三子像素区域，所述第三子像素区域内的所述薄膜晶体管为第三薄膜晶体管，所述阵列基板还包括第三色阻层，所述第三色阻层的至少部分位于所述第三子像素区域的开口区内；其中，

所述第二色阻层和所述第三色阻层中一者为红色色阻层，另一者为绿色色阻层。

4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第一色阻层还位于所述第一子像素区域的非开口区内，且所述第一色阻层完全覆盖所述光吸收层。

5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述第二色阻层的上表面与所述第一色阻层的上表面以及所述第三色阻层的上表面均相齐平。

6.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1-5任一项所述的阵列基板，所述显示面板还包括液晶层和对置基板，所述对置基板与所述阵列基板相对设置，且所述液晶层设于所述对置基板与所述阵列基板之间。

7.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括；提供衬底，所述衬底包括多个像素区域，所述像素区域包括多个子像素区域，所述多个子像素区域包括第一子像素区域；

在各所述子像素区域的非开口区内形成薄膜晶体管，所述第一子像素区域内的所述薄膜晶体管为第一薄膜晶体管；

在所述第一子像素区域内的非开口区内形成仅覆盖所述第一薄膜晶体管的光吸收层；

在所述第一子像素区域内形成第一色阻层，所述第一色阻层的至少部分位于所述第一子像素区域的开口区；

所述光吸收层的激发波长大于所述第一色阻层的激发波长；

所述第一色阻层为采用曝光波长为365nm-395nm的曝光机曝光而成的蓝色色阻层，所述第一色阻层的激发波长大于所述曝光机的曝光波长，所述光吸收层用于吸收所述曝光机所发出的光能。

8.根据权利要求7所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，

所述子像素区域还包括第二子像素区域，所述第二子像素区域内的所述薄膜晶体管为第二薄膜晶体管；其中，

在所述第一子像素区域内的非开口区内形成覆盖所述第一薄膜晶体管的光吸收层包括：

在所述衬底上形成整面的第一光刻胶薄膜；

采用第一灰阶掩模板对所述第一光刻胶薄膜进行曝光，对所述第一光刻胶薄膜显影，其中，位于所述第二子像素区域内的第一光刻胶薄膜完全保留以形成第二色阻层，位于所述第一子像素区域的非开口区内的第一光刻胶薄膜部分保留以形成所述光吸收层，除了所述第一子像素区域的非开口区和所述第二子像素区域之外的其他区域内的第一光刻胶薄膜则完全去除。

9.根据权利要求8所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，在所述第一子像素区域内形成第一色阻层包括：

在所述衬底上形成整面的第二光刻胶薄膜；

采用第二灰阶掩模板对所述第二光刻胶薄膜进行曝光，对所述第二光刻胶薄膜进行显影，其中，位于所述第一子像素区域的开口区内的第二光刻胶薄膜完全保留以形成第一色阻部，位于所述第一子像素区域的非开口区内的第二光刻胶薄膜完全保留以形成第二色阻部，除了所述第一子像素区域之外的其他区域内的第二光刻胶薄膜则完全去除；其中，

所述第一色阻部与所述第二色阻部共同形成所述第一色阻层，且所述第二色阻部的厚度小于所述第一色阻部的厚度。

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