CN114975887B - 用于干法电极膜的加工方法和用于干法电极膜的加工设备 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及用于干法电极膜的加工方法和用于干法电极膜的加工设备。该加工方法包括：采用成膜机构将物料辊压成型为所述干法电极膜；采用减薄机构对成型后的所述干法电极膜辊压减薄；采用检测机构检测成型后的所述干法电极膜的挠度；将测得的所述挠度与第一预设挠度进行比较；基于比较结果调整所述成膜机构的辊缝，和/或者基于所述比较结果调整所述减薄机构的辊速。该加工方法能够方便且精准地调节干法电极膜的张力，防止其断带而影响生产效率和产品质量。
Description
技术领域
本发明涉及电池技术领域，具体地涉及用于干法电极膜的加工方法和用于干法电极膜的加工设备。
背景技术
锂离子电池(俗称“锂电池”)是目前最常见的二次电池之一，它主要依靠锂离子在正负电极片上往返嵌入和脱嵌来实现重复充放电。锂离子电池具有电压高、比能量大、循环寿命长、无记忆性等诸多优点，因此它在智能手机、便携式电脑、电动汽车、医疗器械、航空航天等众多领域都得到了广泛地应用。
根据封装方式的不同，可以将锂离子电池分为方形电池、圆柱电池和软包电池等类型。无论何种类型，锂离子电池都具有壳体、布置在壳体内的电芯和电解液等部件。其中，电芯是由正极片、负极片和布置在两者之间的隔膜构成的。正极片通过在正极集流体(例如铝箔等)上涂布正极电极膜加工而成，负极片通过在负极集流体(例如铜箔等)上涂布负极电极膜加工而成。
无论是正极电极膜还是负极电极膜，一般都包括活性材料、导电剂、粘结剂等物质。根据加工工艺的不同，可以将制备电极膜的方法分为湿法工艺和干法工艺两种。湿法工艺是先将导电剂、粘结剂等物质进行混合搅拌后再加入活性材料搅拌分散，最后加入适量溶剂进行粘度调整以满足涂布要求。干法工艺是将活性材料、导电剂和粘结剂直接搅拌分散纤维化后再通过辊压成型。由于干法成型工艺过程中不使用溶剂，粘结剂以纤维状态存在，活性材料之间、活性材料与导电剂之间接触更为紧密。因此，干法电极膜具有电极密度大、导电性好、电容量高、循环寿命长等优点。
然而，干法电极膜能够承受的张力比湿法电极膜小得多。例如，200mm幅宽的干法电极膜仅能承受5N左右的张力，而同样幅宽的湿法电极膜能够承受20N-80N左右的张力。干法电极膜的这一特性，使得在加工干法电极膜时极易产生断带的现象，严重影响了生产效率和产品质量。
因此，本领域需要一种新的技术方案来解决上述问题。
发明内容
为了改善或在一定程度上解决现有技术中加工干法电极膜时容易产生断带的技术问题，本发明提供一种用于干法电极膜的加工方法。所述加工方法包括：
采用成膜机构将物料辊压成型为所述干法电极膜；
采用减薄机构对成型后的所述干法电极膜辊压减薄；
采用检测机构检测成型后的所述干法电极膜的挠度；
将测得的所述挠度与第一预设挠度进行比较；
基于比较结果调整所述成膜机构的辊缝，和/或者基于所述比较结果调整所述减薄机构的辊速。
在本发明用于干法电极膜的加工方法中，首先采用成膜机构将用于加工干法电极膜的活性材料、导电剂、粘结剂等物料辊压成型，初步加工出干法电极膜。接着，采用减薄机构对成型后的干法电极膜进行进一步辊压减薄，以满足设计的尺寸要求。另外，减薄机构能够使干法电极膜的各种物料之间形成更加紧密的连接，以提高产品的结构稳定性。与此同时，采用检测机构对成型后的干法电极膜的挠度进行检测。需要指出的是，在本文中术语“挠度”是指物体沿垂直于其长度方向所产生的最大线位移。在加工过程中，干法电极膜的挠度主要受自身重力和牵引力的影响。当挠度过大时，说明干法电极膜的变形量较大，干法电极膜因自身重力作用产生的张力较大；当挠度过小时，虽然干法电极膜的变形量较小，但是干法电极膜可能受到较大的牵引力，导致干法电极膜内部的张力也较大。因此，将测得的挠度与第一预设挠度进行比较，并基于比较结果调整成膜机构的辊缝，和/或调整减薄机构的辊速。通过调整成膜机构的辊缝，能够有效控制物料的进料量，调节成型后干法电极膜的重力大小，使干法电极膜具有适中的挠度。另外，通过调整减薄机构的辊速，能够有效调节施加在干法电极膜上的牵引力大小，也可以使干法电极膜具有适中的挠度。因此，本发明用于干法电极膜的加工方法能够对干法电极膜的张力实现精度调节，满足干法电极膜承受张力小的特性，防止其因张力异常而产生断带，提高了加工效率和产品质量。进一步地，本发明用于干法电极膜的加工方法通过对成膜机构的辊缝和/或减薄机构的辊速进行调节来实现对干法电极膜张力控制，无需借用其它额外的张力控制设备，降低了控制成本。
在上述用于干法电极膜的加工方法的优选技术方案中，所述基于比较结果调整所述成膜机构的辊缝的步骤包括：
当所述挠度大于所述第一预设挠度时，控制所述成膜机构减小第一辊缝；
当所述挠度等于所述第一预设挠度时，保持所述成膜机构的当前辊缝；和
当所述挠度小于所述第一预设挠度时，控制所述成膜机构增大第二辊缝。当挠度大于第一预设挠度时，说明此时干法电极膜的变形量较大，因重力作用产生的张力也较大，因此控制成膜机构减小第一辊缝，降低物料的进料量。当挠度等于第一预设挠度时，说明此时干法电极膜的张力适中，保持成膜机构的当前辊缝即可。当挠度小于第一预设挠度时，控制成模机构增大第二辊缝，适当地增加物料的进料量，以增加干法电极膜内部物料之间的连接的牢固程度，从而提高干法电极膜承受张力的能力。
在上述用于干法电极膜的加工方法的优选技术方案中，所述基于所述比较结果调整所述减薄机构的辊速的步骤包括：
当所述挠度大于所述第一预设挠度时，控制所述减薄机构增加第一辊速；
当所述挠度等于所述第一预设挠度时，保持所述减薄机构的当前辊速；和
当所述挠度小于所述第一预设挠度时，控制所述减薄机构减小第二辊速。当挠度大于第一预设挠度时，说明此时干法电极膜的变形量较大，因重力作用产生的张力也较大，因此控制减薄机构增加第一辊速，从而减少干法电极膜的变形量，降低张力。当挠度等于第一预设挠度时，说明此时干法电极膜的张力适中，保持减薄机构的当前辊速即可。当挠度小于第一预设挠度时，控制减薄机构减小第二辊速，适当地减少对干法电极膜的牵引力，从而调节干法电极膜的张力。
在上述用于干法电极膜的加工方法的优选技术方案中，所述减薄机构包括彼此间隔的多个减薄组件，所述检测机构还包括布置在相邻的所述减薄组件之间的检测单元，并且所述加工方法还包括：
采用每个所述检测单元检测对应的相邻的所述减薄组件之间的所述干法电极膜的挠度；
将测得的所述挠度与第二预设挠度进行比较；
基于比较结果调整对应的所述检测单元的下游的所述减薄组件的辊速，
其中，所述第二预设挠度大于等于所述第一预设挠度。多个彼此间隔的减薄组件的设置，能够满足对干法电极膜的厚度进行均匀减薄的需要。在相邻的减薄组件之间设置检测单元，能够方便地检测对应工段的干法电极膜的挠度。基于挠度与第二预设挠度的比较结果，调整对应的检测单元的下游的减薄组件的辊速，能够对减薄过程中干法电极膜的张力实现全工段调节，进一步保证加工效率。另外，经过辊压减薄处理后，干法电极膜能够承受的张力逐渐增加，因此将第二预设挠度设置成大于等于第一预设挠度，能够减少控制成本，满足收卷需要。
在上述用于干法电极膜的加工方法的优选技术方案中，所述基于比较结果调整对应的所述检测单元的下游的所述减薄组件的辊速的步骤包括：
当所述挠度大于所述第二预设挠度时，控制所述减薄组件增加第三辊速；
当所述挠度等于所述第二预设挠度时，保持所述减薄组件的当前辊速；和
当所述挠度小于所述第二预设挠度时，控制所述减薄组件减小第四辊速。当挠度大于第二预设挠度时，说明此时干法电极膜的变形量较大，因此控制对应的减薄组件增加第三辊速，减少干法电极膜的变形量，降低张力。当挠度等于第二预设挠度时，说明此时干法电极膜的张力适中，保持对应的减薄组件的当前辊速即可。当挠度小于第二预设挠度时，控制对应的减薄组件减小第四辊速，适当地减少对干法电极膜的牵引力，从而调节干法电极膜的张力。
在上述用于干法电极膜的加工方法的优选技术方案中，
当控制所述减薄组件增加第一辊速后，经过第一预设时间段重新检测所述干法电极膜的挠度；
将当前的所述干法电极膜的挠度与上一次测得的所述挠度进行比较；
当当前的所述挠度大于上一次测得的所述挠度时，控制所述减薄组件增加第五辊速，
其中，所述第五辊速大于所述第三辊速。经过第一预设时间段后，重新检测干法电极膜的挠度，并且将当前测得的挠度与上一次测得的挠度进行比较。当当前的挠度大于上一次测得的挠度时，说明此时干法电极膜的张力不仅较大而且存在逐渐增加的趋势，因此控制减薄组件以大于第三辊速的第五辊速来增加辊速，从而快速调节干法电极膜的张力。
在上述用于干法电极膜的加工方法的优选技术方案中，当当前的所述挠度小于等于上一次测得的所述挠度时，将当前的所述挠度与所述第二预设挠度进行比较；
基于比较结果，重复调整对应的所述检测单元的下游的所述减薄组件的辊速的步骤。当当前的挠度小于等于上一次测得的挠度时，说明经过调节后干法电极膜的张力已经得到改善。因此，将当前的挠度与第二预设挠度进行比较，并基于比较结果重复调整对应的减薄组件的辊速的步骤即可。
在上述用于干法电极膜的加工方法的优选技术方案中，所述第一预设挠度的范围为0.5mm-1mm，并且所述第二预设挠度的范围为0.5mm-2mm。通过上述的设置，能够使第一预设挠度和第二预设挠度具有适中的范围，以满足连续加工的设计需要。
在上述用于干法电极膜的加工方法的优选技术方案中，所述检测机构为激光测距仪或CCD测距仪。通过上述的设置，可以精准检测干法电极膜的挠度，同时丰富检测的多样性。
为了改善或在一定程度上解决现有技术中加工干法电极膜时容易产生断带的技术问题，本发明提供一种用于干法电极膜的加工设备。所述加工设备采用上面任一项所述的用于干法电极膜的加工方法来加工所述干法电极膜。通过采用上面任一项所述的用于干法电极膜的加工方法，本发明用于干法电极膜的加工设备能够在加工干法电极膜过程中方便且精准地调节干法电极膜的张力，防止其断带而影响生产效率和产品质量。
附图说明
下面结合附图来描述本发明的优选实施方式，附图中：
图1是本发明用于干法电极膜的加工设备的实施例的结构示意图；
图2是本发明用于干法电极膜的加工方法的流程示意图；
图3是本发明用于干法电极膜的加工方法的第一实施例的流程示意图；
图4是本发明用于干法电极膜的加工方法的第二实施例的流程示意图；
图5是本发明用于干法电极膜的加工方法的第三实施例的流程示意图；
图6是本发明用于干法电极膜的加工方法的第四实施例的流程示意图；
图7是本发明用于干法电极膜的加工方法的第五实施例的流程示意图。
附图标记列表：
1、加工设备；10、下料机构；20、成型机构；21、第一成膜辊；22、第二成膜辊；23、第三成膜辊；30、减薄机构；31、第一减薄组件；311、第一减薄辊；312、第二减薄辊；313、第三减薄辊；32、第二减薄组件；321、第四减薄辊；322、第五减薄辊；40、检测机构；41、第一检测单元；42、第二检测单元；50、跟踪机构；51、第一跟踪辊；52、第二跟踪辊；53、第三跟踪辊；54、第四跟踪辊；55、第五跟踪辊；56、第六跟踪辊；60、收卷机构；2、干法电极膜。
具体实施方式
下面参照附图来描述本发明的优选实施方式。本领域技术人员应当理解的是，这些实施方式仅仅用于解释本发明的技术原理，并非旨在限制本发明的保护范围。
需要说明的是，在本发明的描述中，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。此外，还需要说明的是，在本发明的描述中，除非另有明确的规定和限定，术语“设置”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，还可以是两个元件内部的连通。对于本领域技术人员而言，可根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
为了改善或在一定程度上解决现有技术中加工干法电极膜时容易产生断带的技术问题，本发明提供一种用于干法电极膜的加工设备1。在一种或多种实施例中，该加工设备1包括下料机构10、成型机构20、减薄机构30、检测机构40、跟踪机构50和收卷机构60等部件。
如图1所示，在一种或多种实施例中，下料机构10为单螺杆给料器。替代地，下料机构10也可为双螺杆给料器、气动给料器、电子振动给料器或者其它合适的给料装置。下料机构10配置成用于将经过混合、搅拌、分散后物料输送给成型机构20，以便加工干法电极膜2。物料包括但不限于活性材料、导电剂和粘结剂等。活性材料可以是正极活性材料，例如LCO(即钴酸锂)、LFP(即磷酸铁锂)、LMO(即锰酸锂)、NCM(即镍钴锰三元材料)、NCA(即镍钴铝三元材料)等。活性材料也可以是负极活性材料，例如天然石墨、硅碳、硬碳、软碳等。
如图1所示，在一种或多种实施例中，成型机构20包括彼此相配的第一成型辊21、第二成型辊22和第三成型辊23。即，成型机构20为三压辊。替代地，成型机构20也可为五压辊、七压辊或者其它合适的形式。需要指出的是，成型机构20的辊缝、线性压力、表面温度等工艺参数可以根据实际需要进行调整。通过成型机构20的机械作用，能够方便地将物料辊压成型，以初步加工出预定厚度的干法电极膜2。
如图1所示，在一种或多种实施例中，减薄机构30包括彼此间隔开的第一减薄组件31和第二减薄组件32。其中，第一减薄组件31位于成型机构20的下游，并且第二减薄组件32位于第一减薄组件31的下游。
在一种或多种实施例中，第一减薄组件31包括彼此相配的第一减薄辊311、第二减薄辊312和第三减薄管313。即，第一减薄组件31为三压辊。替代地，第一减薄组件31也可为五压辊、七压辊或者其它合适的形式。
在一种或多种实施例中，第二减薄组件32包括彼此相配的第四减薄辊321和第五减薄辊322。即，第二减薄组件32为立式二压辊。替代地，第二减薄组件32也可设置成三压辊、五压辊或者其它合适的形式。第一减薄组件31和第二减薄组件32的设置，能够将成型后的干法电极膜2均匀地辊压减薄，以加工出满足工艺设计要求的干法电极膜2。替代地，减薄组件的数量也可根据实际需要配置成比2个多或少的其它合适的数量，例如1个、3个等。另外，每个减薄组件中辊缝、辊速、表面温度等工艺参数可以根据实际需要进行调整。
如图1所示，在一种或多种实施例中，检测机构40包括彼此间隔开的第一检测单元41和第二检测单元42。其中，第一检测单元41位于成膜机构20和第一减薄组件31之间，以检测介于成膜机构20和减薄组件31之间的干法电极膜2的挠度。第二检测单元42位于第一减薄组件31和第二减薄组件32之间，以检测介于第一减薄组件31和第二减薄组件32之间的干法电极膜2的挠度。在一种或多种实施例中，第一检测单元41为激光测距仪。替代地，第一检测单元41也可为CCD(Charge Coupled Device，即电荷耦合器件)测距仪或者其它合适的测量仪器。相应地，第二检测单元42也可为激光测距仪、CCD测距仪或者其它合适的测量仪器。替代地，检测单元的数量也可设置成2个多或少的其它合适的数量，只要能够与成型机构20和减薄机构30相配以检测每个工段的干法电极膜2的挠度即可。
如图1所示，在一种或多种实施例中，跟踪机构50包括分别彼此相配的第一跟踪辊51和第二跟踪辊52、第三跟踪辊53和第四跟踪辊54、第五跟踪辊55和第六跟踪辊56。其中，第一跟踪辊51和第二跟踪辊52定位在成膜机构20和第一减薄组件31之间。第三跟踪辊53和第四跟踪辊54定位在第一减薄组件31和第二减薄组件32之间。第五跟踪辊55和第六跟踪辊56定位在第二减薄组件32和收卷机构60之间。跟踪机构50可以紧贴每个工段的干法电极膜2，保证张力的稳定性，实现平整收卷的目的。另外，第六跟踪辊56可以向收卷机构60施加一定的压力，及时排除收卷时膜层间的空气，防止母卷变松。
如图1所示，在一种或多种实施例中，收卷机构60包括收卷辊、驱动电机(图中未示出)、张力检测辊(图中未示出)等部件。收卷辊在驱动电机的驱动下转动，以便将加工好的干法电极膜2进行收卷。同时，张力检测辊实时检测收卷张力，以精准调节驱动电机的转速，从而保证收卷张力处于合适的范围。
下面，结合上述用于干法电极膜2的加工设备1的任一实施例详细介绍本发明用于干法电极膜2的加工方法。该加工方法在上述加工设备1中执行，以加工出干法电极膜2。
图2是本发明用于干法电极膜的加工方法的流程示意图。如图2所示，在一种或多种实施例中，在本发明用于干法电极膜2的加工方法开始后，首先执行步骤S1，即采用成膜机构20将物料辊压成型为干法电极膜2。接着，执行步骤S2，采用减薄机构30对成型后的干法电极膜2辊压减薄。然后，采用检测机构40检测成型后的干法电极膜2的挠度(步骤S3)。当步骤S3完成后，将测得的挠度与第一预设挠度进行比较(步骤S4)。在一种或多种实施例中，第一预设挠度的范围为0.5mm-1mm。需要指出的是，第一预设挠度可以是一个具体的数值，例如0.5mm、0.7mm、1mm等，也可以是一个数值范围，例如0.5mm-0.7mm、0.7mm-1mm等。基于比较结果控制成膜机构20的辊缝，和/或者基于比较结果控制减薄机构30的辊速(步骤S5)。
图3是本发明用于干法电极膜的加工方法的第一实施例的流程示意图。如图3所示，在一种或多种实施例中，当本发明用于干法电极膜2的加工方法开始后，首先执行步骤S1，即采用成膜机构20将物料辊压成型为干法电极膜2。接着，执行步骤S2，采用减薄机构30对成型后的干法电极膜2辊压减薄。然后，采用检测机构40检测成型后的干法电极膜2的挠度(步骤S3)。当步骤S3完成后，执行步骤S41，即判断测得的挠度是否大于第一预设挠度。当判断结果为否时，执行步骤S42，继续判断测得的挠度是否小于第一预设挠度。当判断结果为否时，说明此时挠度与第一预设挠度相等(或者落入第一预设挠度的区间范围内)，则执行步骤S511，保持成膜机构20的当前辊缝即可。当步骤S511完成后，控制方法结束。
继续参见图3，在执行步骤S41后，当判断结果为是时，说明此时干法电极膜2的挠度较大，干法电极膜2的变形量较大，存在断带的风险，因此执行步骤S512，即控制成膜机构20减小第一辊缝，以降低物料的进料量。第一辊缝可以是0.5mm或者比0.5mm大或小的其它合适的数值。接着，执行步骤S514，即经过第二预设时间段后，重新检测干法电极膜2的挠度。在一种或多种实施例中，第二预设时间段为2s。替代地，第二预设时间段也可设置成比2s长或短的其它合适的时间。当步骤S514完成后，加工方法重复执行步骤S41，即重新判断挠度是否大于第一预设挠度，直至干法电极膜2的挠度与第一预设挠度相等为止。
继续参见图3，在执行步骤S42后，当判断结果为是时，说明此时干法电极膜2的挠度较小，干法电极膜2虽然变形量较小，但是干法电极膜2存在因牵引力过大而导致断带的风险。因此，执行步骤S513，控制成膜机构20增大第二辊缝，以适当地增加物料的进料量，使物料内部之间连接更加牢固，从而提高承受张力的能力。第二辊缝可以是0.4mm或者比0.4mm大或小的其它合适的数值。接着，执行步骤S514，即经过第二预设时间段后，重新检测干法电极膜2的挠度。当步骤S514完成后，加工方法重复执行步骤S41，即重新判断挠度是否大于第一预设挠度，直至干法电极膜2的挠度与第一预设挠度相等为止。
图4是本发明用于干法电极膜的加工方法的第二实施例的流程示意图。如图4所示，在一种或多种实施例中，当本发明用于干法电极膜2的加工方法开始后，首先执行步骤S1，即采用成膜机构20将物料辊压成型为干法电极膜2。接着，执行步骤S2，采用减薄机构30对成型后的干法电极膜2辊压减薄。然后，采用检测机构40检测成型后的干法电极膜2的挠度(步骤S3)。当步骤S3完成后，执行步骤S41，即判断测得的挠度是否大于第一预设挠度。当判断结果为否时，执行步骤S42，继续判断测得的挠度是否小于第一预设挠度。当判断结果为否时，说明此时挠度与第一预设挠度相等，则执行步骤S521，保持减薄机构30的当前辊速即可。当步骤S521完成后，控制方法结束。
继续参见图4，在执行步骤S41后，当判断结果为是时，说明此时干法电极膜2的挠度较大，干法电极膜2的变形量较大，存在断带的风险，因此执行步骤S522，即控制减薄机构30增加第一辊速。第一辊速可以是10rpm(转每分钟)，或者比10rpm大或小的其它合适的数值。接着，执行步骤S524，即经过第二预设时间段后，重新检测干法电极膜2的挠度。当步骤S524完成后，加工方法重复执行步骤S41，即重新判断挠度是否大于第一预设挠度，直至干法电极膜2的挠度与第一预设挠度相等为止。
继续参见图4，在执行步骤S42后，当判断结果为是时，说明此时干法电极膜2的挠度较小，干法电极膜2虽然变形量较小，但是干法电极膜2存在因牵引力过大而导致断带的风险。因此，执行步骤S523，控制减薄机构30减小第二辊速。第二辊速可以是8rpm或者比8rpm大或小的其它合适的数值。接着，执行步骤S524，即经过第二预设时间段后，重新检测干法电极膜2的挠度。当步骤S524完成后，加工方法重复执行步骤S41，即重新判断挠度是否大于第一预设挠度，直至干法电极膜2的挠度与第一预设挠度相等为止。
需要指出的是，在一种或多种实施例中，本发明用于干法电极膜2的加工方法还可以基于挠度与第一预设挠度的比较结果，同时调节成膜机构20的辊缝和减薄机构30的辊速，在此不再赘述。
图5是本发明用于干法电极膜的加工方法的第三实施例的流程示意图。如图5所示，在一种或多种实施例中，用于干法电极膜2的加工设备1中的减薄机构包括多个减薄组件，并且在相邻的减薄组件之间设有一个检测单元。该检测单元可以检测对应的相邻的减薄组件之间的干法电极膜2的挠度。本发明用于干法电极膜2的加工方法还执行步骤S1，即采用成膜机构20将物料辊压成型为干法电极膜2。接着，执行步骤S20，采用多个减薄组件对成型后的干法电极膜2辊压减薄。然后，执行步骤S30，采用检测单元检测对应的相邻的减薄组件之间的干法电极膜2的挠度。当步骤S30完成后，加工方法执行步骤S40，将测得的挠度与第二预设挠度进行比较，其中，第二预设挠度大于等于第一预设挠度。在一种或多种实施例中，第二预设挠度的范围为0.5mm-2mm。需要指出的是，第二预设挠度可以是一个具体的数值，例如0.5mm、1mm、1.5mm、2mm等，也可以是一个数值范围，例如0.5mm-1mm、1mm-1.5mm、1.5mm-2mm等。最后，基于比较结果调整对应的检测单元的下游的减薄组件的辊速(布置S50)。通过上述的设置，一方面可以利用多个彼此间隔的减薄组件对干法电极膜2进行均匀减薄；另一方面通过检测单元检测对应的相邻的减薄组件之间的干法电极膜2的挠度，并基挠度与第二预设挠度的比较结果来调整检测单元下游的减薄组件的辊速，能够对减薄过程中各工段的干法电极膜2的张力进行调整，确保整个加工过程顺利地、连续地进行。
图6是本发明用于干法电极膜的加工方法的第四实施例的流程示意图。如图6所示，在一种或多种实施例中，本发明用于干法电极膜2的加工方法还执行步骤S1，即采用成膜机构20将物料辊压成型为干法电极膜2。接着，执行步骤S20，采用多个减薄组件对成型后的干法电极膜2辊压减薄。然后，执行步骤S30，采用检测单元检测对应的相邻的减薄组件之间的干法电极膜2的挠度。当步骤S30完成后，加工方法执行步骤S401，判断测得的挠度是否大于第二预设挠度。当判断结果为否时，执行步骤S402，继续判断测得的挠度是否小于第二预设挠度。当判断结果为否时，说明此时挠度与第二预设挠度相等(或者落入第二预设挠度的区间范围内)，则保持对应的检测单元的下游的减薄组件的当前辊速(步骤S501)即可。当步骤S501完成后，控制方法结束。
继续参见图6，在执行步骤S401后，当判断结果为是时，说明此时对应的相邻的减薄组件之间的干法电极膜2的挠度较大，存在断带的风险，因此执行步骤S502，即控制对应的检测单元的下游的减薄组件增加第三辊速。第三辊速可以是12rpm(转每分钟)，或者比12rpm大或小的其它合适的数值。接着，执行步骤S504，即经过第一预设时间段后，重新检测对应的相邻的减薄组件之间的干法电极膜2的挠度。在一种或多种实施例中，第一预设时间段为1s。替代地，第一预设时间段也可设置成比1s长或短的其它合适的时间。当步骤S504完成后，加工方法重复执行步骤S401，即重新判断挠度是否大于第二预设挠度，直至干法电极膜2的挠度与第二预设挠度相等为止。
继续参见图6，在执行步骤S402后，当判断结果为是时，说明此时对应的相邻的减薄组件之间的干法电极膜2的挠度较小，干法电极膜2存在因牵引力过大而导致断带的风险。因此，执行步骤S503，控制减薄机构30减小第四辊速。第四辊速可以是11rpm或者比11rpm大或小的其它合适的数值。接着，执行步骤S504，即经过第一预设时间段后，重新检测对应的相邻的减薄组件之间的干法电极膜2的挠度。当步骤S504完成后，加工方法重复执行步骤S401，即重新判断挠度是否大于第二预设挠度，直至干法电极膜2的挠度与第二预设挠度相等为止。
图7是本发明用于干法电极膜的加工方法的第五实施例的流程示意图。如图7所示，在一种或多种实施例中，本发明用于干法电极膜2的加工方法在执行步骤S401后，当判断结果为是时，执行步骤S502，即控制对应的检测单元的下游的减薄组件增加第三辊速。接着，执行步骤S505，经过第一预设时间段后，重新检测对应的相邻的减薄组件之间的干法电极膜2的挠度。然后，判断当前的挠度是否大于上一次测得的挠度(步骤S506)。当判断结果为是时，说明干法电极膜2的挠度有增大的趋势，存在极大的断带风险。因此，执行步骤S507，即控制对应的检测单元的下游的减薄组件增加第五辊速，其中，第五辊速大于第三辊速。在一种或多种实施例中，第五辊速为20rpm。替代地，第五辊速也可设置成比20rpm大或小的其它合适的数值。通过大幅度增加辊速，可以快速且及时地降低干法电极膜2的挠度，防止干法电极膜2因张力过大而产生断带。当步骤S507完成后，加工方法重复执行步骤S401，即重新判断挠度是否大于第二预设挠度，直至干法电极膜2的挠度与第二预设挠度相等为止。另外，在执行步骤S506后，当判断结果为否时，说明此时干法电极膜2的挠度经过调节后已经得到改善，则重复执行步骤S401，即重新判断挠度是否大于第二预设挠度，直至干法电极膜2的挠度与第二预设挠度相等为止。需要指出的是，第五实施例中未提及的部分可以与第四实施例配置相同，在此不再赘述。
至此，已经结合附图所示的优选实施方式描述了本发明的技术方案，但是，本领域技术人员容易理解的是，本发明的保护范围显然不局限于这些具体实施方式。在不偏离本发明的原理的前提下，本领域技术人员可以对相关技术特征作出等同的更改或替换，这些更改或替换之后的技术方案都将落入本发明的保护范围之内。
Claims (8)
1.一种用于干法电极膜的加工方法，其特征在于，所述加工方法包括：
采用成膜机构将物料辊压成型为所述干法电极膜；
采用减薄机构对成型后的所述干法电极膜辊压减薄；
采用检测机构检测成型后的所述干法电极膜的挠度；
将测得的所述挠度与第一预设挠度进行比较；
基于比较结果调整所述成膜机构的辊缝，和/或者基于所述比较结果调整所述减薄机构的辊速，
其中，所述基于比较结果调整所述成膜机构的辊缝的步骤包括：当所述挠度大于所述第一预设挠度时，控制所述成膜机构减小第一辊缝；当所述挠度等于所述第一预设挠度时，保持所述成膜机构的当前辊缝；和当所述挠度小于所述第一预设挠度时，控制所述成膜机构增大第二辊缝；
其中，所述基于所述比较结果调整所述减薄机构的辊速的步骤包括：当所述挠度大于所述第一预设挠度时，控制所述减薄机构增加第一辊速；当所述挠度等于所述第一预设挠度时，保持所述减薄机构的当前辊速；和当所述挠度小于所述第一预设挠度时，控制所述减薄机构减小第二辊速。
2.根据权利要求1所述的用于干法电极膜的加工方法，其特征在于，所述减薄机构包括彼此间隔的多个减薄组件，所述检测机构还包括布置在相邻的所述减薄组件之间的检测单元，并且所述加工方法还包括：
采用所述检测单元检测对应的相邻的所述减薄组件之间的所述干法电极膜的挠度；
将测得的所述挠度与第二预设挠度进行比较；
基于比较结果调整对应的所述检测单元的下游的所述减薄组件的辊速，
其中，所述第二预设挠度大于等于所述第一预设挠度。
3.根据权利要求2所述的用于干法电极膜的加工方法，其特征在于，所述基于比较结果调整对应的所述检测单元的下游的所述减薄组件的辊速的步骤包括：
当所述挠度大于所述第二预设挠度时，控制所述减薄组件增加第三辊速；
当所述挠度等于所述第二预设挠度时，保持所述减薄组件的当前辊速；和
当所述挠度小于所述第二预设挠度时，控制所述减薄组件减小第四辊速。
4.根据权利要求3所述的用于干法电极膜的加工方法，其特征在于，
当控制所述减薄组件增加第三辊速后，经过第一预设时间段重新检测所述干法电极膜的挠度；
将当前的所述干法电极膜的挠度与上一次测得的所述挠度进行比较；
当当前的所述挠度大于上一次测得的所述挠度时，控制所述减薄组件增加第五辊速，
其中，所述第五辊速大于所述第三辊速。
5.根据权利要求4所述的用于干法电极膜的加工方法，其特征在于，
当当前的所述挠度小于等于上一次测得的所述挠度时，将当前的所述挠度与所述第二预设挠度进行比较；
基于比较结果，重复调整对应的所述检测单元的下游的所述减薄组件的辊速的步骤。
6.根据权利要求2所述的用于干法电极膜的加工方法，其特征在于，所述第一预设挠度的范围为0.5mm-1mm，并且所述第二预设挠度的范围为0.5mm-2mm。
7.根据权利要求1所述的用于干法电极膜的加工方法，其特征在于，所述检测机构为激光测距仪或CCD测距仪。
8.一种用于干法电极膜的加工设备，其特征在于，所述加工设备采用根据权利要求1-7任一项所述的用于干法电极膜的加工方法来加工所述干法电极膜。
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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| GR01 | Patent grant | ||
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