CN114959558B - 一种金属掺杂二硫化钼耐高温复合薄膜及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种金属掺杂二硫化钼耐高温复合薄膜及其制备方法。所述金属掺杂二硫化钼耐高温复合薄膜是利用多靶共溅射的方式制备，先在基底上沉积一层Cr过渡层，然后通过共溅射Cr靶和MoS2‑Ag镶嵌复合靶沉积MoS2‑Cr‑Ag复合薄膜。所述金属掺杂二硫化钼耐高温复合薄膜掺杂有Cr元素和Ag元素，薄膜总厚度为1.90～3.6μm。本发明还公开了该复合薄膜的制备方法。该金属掺杂二硫化钼耐高温复合薄膜在高温环境下的耐磨性能好，薄膜中金属掺杂含量容易控制且工艺简单。

Description

一种金属掺杂二硫化钼耐高温复合薄膜及其制备方法
技术领域
本发明属于固体保护涂层领域，具体涉及一种金属掺杂二硫化钼耐高温复合薄膜及其制备方法。
背景技术
随着全球经济的迅速增长，人们对各种机械设备的依赖越来越大，对于设备的使用工况的要求也越来越高，比如：高温环境等。为了提高设备的性能和使用安全，人们致力于研究相互作用表面的摩擦规律，降低摩擦磨损，提高其摩擦学性能。在摩擦领域，对零件表面进行强化也是目前的发展趋势，在零件表面制备一层固体涂层是强化零件的手段之一，这样可以改善零件表面的性能、提高耐磨性能，减少零件表面的磨损，大幅度提高零件的使用寿命。MoS2作为一种润滑性能优异的固体涂层，人们已经进行了大量研究，并且在工业生产中得到广泛应用。但是日益恶劣的服役环境，使得MoS2固体涂层的性能已经不能满足工业需求，发展金属掺杂的复合涂层也已经成为获得高性能涂层的重点方向。
所谓金属掺杂的涂层指的是在MoS2中掺杂进一种或者多种金属材料复合而成的复合涂层。MoS2薄膜在金属掺杂的作用下能提高薄膜的致密程度，有效提升其力学性能、促进(002)晶面择优取向生长，最终使得复合薄膜具有优异的摩擦学性能。
Cr元素掺杂制备的MoS2-Cr复合薄膜具有硬度高，耐磨性能优异等优点被广泛研究使用，Cr元素掺杂提高了薄膜的致密程度，有效提升了薄膜的硬度、同时促进(002)晶面择优取向生长，使得复合薄膜具有优异的摩擦学性能。Ag是一种具有润滑性能的软金属，并且Ag元素与MoS2在特定条件下能够生成Ag2MoO4、Ag2Mo2O7、Ag2Mo4O13等润滑相，因此，Ag元素掺杂是一种能够提高MoS2固体薄膜摩擦学性能的方法
目前，MoS2固体涂层能够和金属元素共溅射形成高硬度、高耐磨性等具有优良性能的复合涂层。将MoS2涂层与Cr元素以及Ag元素结合起来形成MoS2-Cr-Ag复合薄膜具有潜在的应用价值。
通过查文献得知，目前关于金属掺杂MoS2的复合涂层有MoS2-Au，MoS2-Ag，MoS2-Ni等，通过查询，检索到有以下关于制备金属掺杂MoS2的复合涂层的中国专利：
中国专利申请公开了一种金属掺杂二硫化钼超滑薄膜及其制备方法，所制备的固体润滑膜选用的银、铜、金中的一种与二硫化钼共溅射制备金属掺杂二硫化钼复合薄膜，摩擦系数低于0.01，在大气环境中，实现超滑。然而，该发明仅通过软金属Au掺杂MoS2制备的复合薄膜，存在硬度低，耐磨性能差的不足。
发明内容
针对目前设备在高温环境下使用时存在的问题，本发明的目的在于提供一种金属掺杂二硫化钼耐高温复合薄膜及其制备方法，该金属掺杂二硫化钼耐高温复合薄膜在高温环境下耐磨性能高，能够很好地提高零件在高温环境下的使用性能。
本发明的上述目的通过以下技术方案实现。
本发明提供一种金属掺杂二硫化钼耐高温复合薄膜，所述金属掺杂二硫化钼耐高温复合薄膜由Cr过渡层和MoS2-Cr-Ag工作层所构成；所述金属掺杂二硫化钼耐高温复合薄膜是先在基底上沉积一层Cr过渡层，然后MoS2-Cr-Ag工作层是通过同时开启射频磁控溅射电源和直流磁控溅射电源进行双靶共溅射沉积在Cr过渡层上，靠近基体一层为Cr过渡层，最上层为MoS2-Cr-Ag工作层。
优选地，所述MoS2-Cr-Ag工作层为MoS2与Cr、Ag两种元素共掺杂，其中Cr含量为5at％～7.5at％，Ag含量为4.5at％～12.5at％，其余成分为MoS2。
优选地，所述金属掺杂二硫化钼耐高温复合薄膜的总厚度为1.90～3.60μm，其中Cr过渡层的厚度为0.5～0.6μm，MoS2-Cr-Ag工作层的厚度为1.35～3.0μm。
本发明还提供了所述金属掺杂二硫化钼耐高温复合薄膜的制备方法，所述制备方法操作简单，容易控制掺杂元素的含量，实现多元复合结构，并结合直流磁控溅射电源与射频磁控溅射电源的特点，易于制备性能更优的复合涂层。
本发明采用复合多功能离子镀膜设备，该复合多功能离子镀膜设备主要包括真空室、直流磁控溅射电源、射频磁控溅射电源、加热源、转动单元、进气单元、分子泵和直流叠加脉冲偏压电源、霍尔离子源，其中，真空室内壁设有均匀对称分布的直流磁控溅射电源、射频磁控溅射电源，真空室中设有可公转、自转的转架。
进一步地，本发明所述直流磁控溅射电源安装Cr靶，射频磁控溅射电源上安装MoS2-Ag镶嵌复合靶，基体安装在转架上。
所述金属掺杂二硫化钼耐高温复合薄膜的制备方法，具体包括如下步骤：
(1)基体清洗
首先将经过打磨、抛光处理后的基体进行超声清洗，然后将所得基体放入多靶磁控溅射设备真空室中进行氩离子辉光清洗；
(2)Cr过渡层的沉积
待步骤(1)将基体进行氩离子辉光清洗之后，关闭霍尔离子源，通入氩气，同时调节直流偏压、脉冲偏压、占空比，设置Cr靶电流，利用直流磁控溅射进行Cr过渡层的沉积；
(3)共溅射沉积MoS2-Cr-Ag工作层
在步骤(2)进行Cr过渡层沉积完成以后，接着进行MoS2-Cr-Ag工作层的沉积。MoS2-Cr-Ag工作层采用MoS2-Ag镶嵌复合靶和Cr靶双靶共溅射制备，其中MoS2-Ag镶嵌复合靶采用射频磁控溅射、Cr靶采用直流磁控溅射。同时开启射频磁控溅射电源和直流磁控溅射电源进行共溅射沉积，得到金属掺杂二硫化钼耐高温复合薄膜。
优选地，步骤(1)所述基体清洗是将经过打磨、抛光处理后的基体放入超声波清洗设备中，在乙醇溶液中，利用超声波进行清洗，清洗时间为20～30分钟；然后在复合多功能离子镀膜设备中进行辉光清洗，具体操作为：将基体放入多靶溅射设备真空室，抽真空低于1.5×10-3Pa以后，再通入氩气，并且维持真空度为0.5～1.0Pa，氩气的流量为60～90sccm，同时调节基体直流偏压为0～100V，脉冲偏压为500～600V，占空比为60％～80％，开启霍尔离子源，对基体进行20～30min的氩离子辉光清洗。
优选地，步骤(1)所述基体清洗是将经过打磨、抛光处理后的基体放入超声波清洗设备中，在乙醇溶液中，利用超声波进行清洗，清洗时间为20～30分钟；然后在复合多功能离子镀膜设备中进行辉光清洗，具体操作为：将基体放入多靶溅射设备真空室，抽真空低于1.5×10-3Pa以后，再通入氩气，并且维持真空度为0.8～1.0Pa，氩气的流量为70～90sccm，同时调节基体直流偏压为0～100V，脉冲偏压为500～600V，占空比为60％～80％，开启霍尔离子源，对基体进行20～30min的氩离子辉光清洗。
优选地，步骤(2)中，通入氩气后气压维持在0.5～1.0Pa，所述直流偏压为50～100V；所述脉冲偏压为200～250V；所述占空比为20％～30％；所述Cr靶电流设置为2～2.5A；所述沉积的时间为20-30min。
优选地，步骤(2)中，通入氩气后气压维持在0.8～1.0Pa。
优选地，步骤(2)和步骤(3)所述Cr靶的纯度为99.99％，直径为120mm，厚度为6mm。
优选地，步骤(3)所述的MoS2-Ag镶嵌复合靶由MoS2、Ag两种材料组成的，其中MoS2-Ag镶嵌复合靶是在MoS2靶的溅射轨道环上镶嵌Ag棒而制成的，其中，Ag棒直径为5mm，图1为MoS2-Ag镶嵌复合靶示意图，MoS2与Ag纯度均为99.99％；所述MoS2-Ag镶嵌复合靶的直径为120mm，厚度为6mm。
优选地，步骤(3)中，所述射频磁控溅射电源的功率设置为200～300W；所述直流磁控溅射电源的电流调节为0.15～0.3A；所述沉积的时间为2～3h；工作气压保持为0.5～1.0Pa。
优选地，步骤(3)中，所述射频磁控溅射电源的功率设置为200～250W；所述直流磁控溅射电源的电流调节为0.15～0.25A；所述沉积的时间为2～3h；工作气压保持为0.8～1.0Pa。
优选地，步骤(2)中，沉积过程工件架的转速为0.5～1rpm；步骤(3)中，沉积过程工件架的转速为4～5rpm。
与现有技术相比较，本发明具有如下优点：
(1)本发明所制备的金属掺杂二硫化钼耐高温复合薄膜可以很好的将Cr和Ag的性能结合起来，发挥出两种元素的优势，得到高温环境下耐磨性能良好的复合薄膜。
(2)本发明通过控制Ag棒镶嵌的数量来控制MoS2-Ag镶嵌复合靶中Ag元素的含量，掺杂含量容易控制且工艺简单。
(3)本发明所制备的金属掺杂二硫化钼耐高温复合薄膜，薄膜致密程度高，具有优异的摩擦学性能。
(4)本发明的金属掺杂二硫化钼耐高温复合薄膜是采用射频磁控溅射电源和直流磁控溅射电源共同制备的，既能够发挥直流磁控溅射离化率高的优点，又能够发挥射频磁控溅射电源避免靶中毒现象的优势。
(5)本发明采用的复合多功能离子镀膜设备，与工业生产中的镀膜设备类似，并且操作简单，利于工业应用。
附图说明
图1是MoS2-Ag镶嵌复合靶的结构示意图。
图2是实施例2所得MoS2-Cr-Ag复合薄膜的能量分散X射线能谱分析(EDS)图谱。
图3是实施例2所得MoS2-Cr-Ag复合薄膜横截面的扫描电子显微镜(SEM)照片。
图4分别是350℃大气环境下对照例1中MoS2-Cr薄膜的磨痕形貌与实施例2中的MoS2-Cr-Ag复合薄膜的磨痕形貌对比照片。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明的具体实施做进一步说明，但本发明的实施方式不限于此。
图1是MoS2-Ag镶嵌复合靶的结构示意图。
实施例1
本实施例的金属掺杂二硫化钼耐高温复合薄膜具体的制备方法如下：
(1)基体清洗
将经过打磨、抛光处理的不锈钢基体，用分析纯的乙醇在超声波中清洗干净，清洗的时间为25分钟，烘干后检查基体表面是否干净，确定不锈钢基体表面无污染后安装在多靶溅射设备真空室的转架上，关闭真空室的门，进行抽真空操作，气压低于1.5×10-3Pa后，向真空室中通入氩气，维持气压在0.5Pa，氩气的流量为60sccm，同时调节不锈钢基体直流偏压为50V，脉冲偏压为500V，占空比为60％，开启霍尔离子源，对不锈钢基体进行25min的氩离子辉光清洗；
(2)Cr过渡层的沉积
将不锈钢基体进行氩离子辉光清洗之后，关闭霍尔离子源，通入氩气，气压维持在0.5Pa，同时调节直流偏压为80V，脉冲偏压为230V，占空比为25％，利用直流磁控溅射进行Cr过渡层的沉积，靶电流设置为2A，沉积时间为20min，沉积过程工件架的转速为0.8rpm，所述Cr过渡层的厚度为0.5μm；
(3)共溅射沉积MoS2-Cr-Ag工作层
在步骤(2)进行Cr过渡层沉积完成以后，接着进行MoS2-Cr-Ag工作层的沉积。MoS2-Cr-Ag工作层采用MoS2-Ag镶嵌复合靶和Cr靶双靶共溅射制备，其中MoS2-Ag镶嵌复合靶由MoS2、Ag两种材料组成的，在MoS2靶的溅射轨道环上镶嵌4颗直径为5mm的Ag棒而制成的，MoS2-Ag镶嵌复合靶采用射频磁控溅射、Cr靶采用直流磁控溅射，同时开启射频磁控溅射电源和直流磁控溅射电源进行共溅射沉积，射频磁控溅射电源的功率设置为250W，直流磁控溅射电源的电流调节为0.15A，沉积时间为2.5h，沉积过程工件架的转速为4rpm，工作气压保持为0.5Pa，制备结束后随炉自然冷却，得到MoS2-Cr-Ag复合薄膜。
实施例1所得金属掺杂二硫化钼耐高温复合薄膜(MoS2-Cr-Ag复合薄膜)经过检测，Ag含量为4.5at％，Cr含量为5at％，所述MoS2-Cr-Ag复合薄膜Cr过渡层厚度为0.50μm，MoS2-Cr-Ag工作层的厚度为2.00μm，MoS2-Cr-Ag复合薄膜总厚度约为2.5μm。
实施例2
本实施例的金属掺杂二硫化钼耐高温复合薄膜具体的制备方法如下：
(1)基体清洗
将经过打磨、抛光处理的不锈钢基体，用分析纯的乙醇在超声波中清洗干净，清洗的时间为20分钟，烘干后检查基体表面是否干净，确定不锈钢基体表面无污染后安装在多靶溅射设备真空室的转架上，关闭真空室的门，进行抽真空操作，气压低于1.5×10-3Pa后，向真空室中通入氩气，维持气压在1.0Pa，氩气的流量为90sccm，同时调节不锈钢基体直流偏压为0V，脉冲偏压为600V，占空比为80％，开启霍尔离子源，对不锈钢基体进行20min的氩离子辉光清洗；
(2)Cr过渡层的沉积
将不锈钢基体进行氩离子辉光清洗之后，关闭霍尔离子源，通入氩气，气压维持在1.0Pa，同时调节直流偏压为50V，脉冲偏压为200V，占空比为20％，利用直流磁控溅射进行Cr过渡层的沉积，靶电流设置为2.5A，沉积时间为20min，沉积过程工件架的转速为0.5rpm，所述Cr过渡层的厚度为0.55μm；
(3)共溅射沉积MoS2-Cr-Ag工作层
在步骤(2)进行Cr过渡层沉积完成以后，接着进行MoS2-Cr-Ag工作层的沉积。MoS2-Cr-Ag工作层采用MoS2-Ag镶嵌复合靶和Cr靶双靶共溅射制备，其中MoS2-Ag镶嵌复合靶由MoS2、Ag两种材料组成的，在MoS2靶的溅射轨道环上镶嵌8颗直径为5mm的Ag棒而制成的，MoS2-Ag镶嵌复合靶采用射频磁控溅射、Cr靶采用直流磁控溅射，同时开启射频磁控溅射电源和直流磁控溅射电源进行共溅射沉积，射频磁控溅射电源的功率设置为200W，直流磁控溅射电源的电流调节为0.2A，沉积时间为2h，工作气压保持为1.0Pa，沉积过程工件架的转速为5rpm，制备结束后随炉自然冷却，得到MoS2-Cr-Ag复合薄膜。
实施例2所得金属掺杂二硫化钼耐高温复合薄膜(MoS2-Cr-Ag复合薄膜)，EDS图谱如图2所示，Ag含量为9.2at％，Cr含量为6.5at％。图3为实施例2所制得MoS2-Cr-Ag复合薄膜的断面形貌SEM图，放大倍数为40000倍，由图3可知实施例2所制得MoS2-Cr-Ag复合薄膜致密程度高，其中靠近基体的暗黑色层依次为Cr过渡层、最上面为MoS2-Cr-Ag工作层，经测量，所述MoS2-Cr-Ag复合薄膜Cr过渡层厚度为0.55μm，MoS2-Cr-Ag工作层的厚度为1.35μm，MoS2-Cr-Ag复合薄膜总厚度约为1.90μm；在350℃大气环境，相同摩擦试验条件下，实施例2所得金属掺杂二硫化钼耐高温复合薄膜(MoS2-Cr-Ag复合薄膜)的磨痕形貌与对照例1所得MoS2-Cr薄膜磨痕形貌的对比图分别如图4中的(b)和图4中的(a)所示，相比于MoS2-Cr薄膜，该金属掺杂二硫化钼耐高温复合薄膜(MoS2-Cr-Ag复合薄膜)的磨痕宽度比较小，磨痕深度相对较浅，而MoS2-Cr薄膜已露出基底材料，部分磨穿失效。
实施例3
本实施例的金属掺杂二硫化钼耐高温复合薄膜具体的制备方法如下：
(1)基体清洗
将经过打磨、抛光处理的不锈钢基体，用分析纯的乙醇在超声波中清洗干净，清洗的时间为30分钟，烘干后检查基体表面是否干净，确定不锈钢基体表面无污染后安装在多靶溅射设备真空室的转架上，关闭真空室的门，进行抽真空操作，气压低于1.5×10-3Pa后，向真空室中通入氩气，维持气压在0.8Pa，氩气的流量为80sccm，同时调节不锈钢基体直流偏压为100V，脉冲偏压为550V，占空比为70％，开启霍尔离子源，对不锈钢基体进行30min的氩离子辉光清洗；
(2)Cr过渡层的沉积
将不锈钢基体进行氩离子辉光清洗之后，关闭霍尔离子源，通入氩气，气压维持在0.8Pa，同时调节直流偏压为100V，脉冲偏压为250V，占空比为30％，利用直流磁控溅射进行Cr过渡层的沉积，靶电流设置为2.3A，沉积时间为30min，沉积过程工件架的转速为1rpm所述Cr过渡层的厚度为0.60μm；
(3)共溅射沉积MoS2-Cr-Ag工作层
在步骤(2)进行Cr过渡层沉积完成以后，接着进行MoS2-Cr-Ag工作层的沉积。MoS2-Cr-Ag工作层采用MoS2-Ag镶嵌复合靶和Cr靶双靶共溅射制备，其中MoS2-Ag镶嵌复合靶由MoS2、Ag两种材料组成的，在MoS2靶的溅射轨环道上镶嵌12颗直径为5mm的Ag棒而制成的，MoS2-Ag镶嵌复合靶采用射频磁控溅射、Cr靶采用直流磁控溅射，同时开启射频磁控溅射电源和直流磁控溅射电源进行共溅射沉积，射频磁控溅射电源的功率设置为300W，直流磁控溅射电源的电流调节为0.3A，沉积时间为3h，工作气压保持为0.8Pa，沉积过程工件架的转速为4.5rpm，制备结束后随炉自然冷却，得到MoS2-Cr-Ag复合薄膜。
实施例1所得金属掺杂二硫化钼耐高温复合薄膜(MoS2-Cr-Ag复合薄膜)经过检测，Ag含量为12.5at％，Cr含量为7.5at％，所述MoS2-Cr-Ag复合薄膜Cr过渡层厚度为0.60μm，MoS2-Cr-Ag工作层的厚度为3.0μm，MoS2-Cr-Ag复合薄膜总厚度约为3.6μm。
对照例1
本实施例的MoS2-Cr复合薄膜具体的制备方法如下：
(1)基体清洗
将经过打磨、抛光处理的不锈钢基体，用分析纯的乙醇在超声波中清洗干净，清洗的时间为20分钟，烘干后检查基体表面是否干净，确定不锈钢基体表面无污染后安装在多靶溅射设备真空室的转架上，关闭真空室的门，进行抽真空操作，气压低于1.5×10-3Pa后，向真空室中通入氩气，维持气压在1.0Pa，氩气的流量为90sccm，同时调节不锈钢基体直流偏压为0V，脉冲偏压为600V，占空比为80％，开启霍尔离子源，对不锈钢基体进行20min的氩离子辉光清洗；
(2)Cr过渡层的沉积
将不锈钢基体进行氩离子辉光清洗之后，关闭霍尔离子源，通入氩气，气压维持在1.0Pa，同时调节直流偏压为50V，脉冲偏压为200V，占空比为20％，利用直流磁控溅射进行Cr过渡层的沉积，靶电流设置为2.5A，沉积时间为20min，沉积过程工件架的转速为0.5rpm，所述Cr过渡层的厚度为0.55μm；
(3)沉积MoS2-Cr工作层
在步骤(2)进行Cr过渡层沉积完成以后，接着进行MoS2-Cr工作层的沉积。MoS2-Cr工作层采用MoS2靶和Cr靶双靶共溅射制备，其中MoS2靶采用射频磁控溅射、Cr靶采用直流磁控溅射，同时开启射频磁控溅射电源和直流磁控溅射电源进行共溅射沉积，射频磁控溅射电源的功率设置为200W，直流磁控溅射电源的电流调节为0.2A，沉积时间为2h，工作气压保持为1.0Pa，沉积过程工件架的转速为5rpm制备结束后随炉自然冷却，得到MoS2-Cr复合薄膜。
对照例1所得金属掺杂二硫化钼耐高温复合薄膜(MoS2-Cr复合薄膜)经过检测，Ag含量为0at％，Cr含量为6.8at％。所述MoS2-Cr复合薄膜Cr过渡层厚度为0.55μm，MoS2-Cr工作层的厚度为1.45μm，MoS2-Cr复合薄膜总厚度约为2.0μm。

Claims (8)

1.一种金属掺杂二硫化钼耐高温复合薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1)基体清洗
首先将经过打磨、抛光处理后的基体进行超声清洗，然后将所得基体放入多靶磁控溅射设备真空室中进行氩离子辉光清洗；
(2)Cr过渡层的沉积
待步骤(1)将基体进行氩离子辉光清洗之后，关闭霍尔离子源，通入氩气，同时调节直流偏压、脉冲偏压、占空比，设置Cr靶电流，利用直流磁控溅射进行Cr过渡层的沉积；
(3)共溅射沉积MoS2-Cr-Ag工作层
在步骤(2)进行Cr过渡层沉积完成以后，接着进行MoS2-Cr-Ag工作层的沉积，MoS2-Cr-Ag工作层采用MoS2-Ag镶嵌复合靶和Cr靶双靶共溅射制备，其中MoS2-Ag镶嵌复合靶采用射频磁控溅射、Cr靶采用直流磁控溅射，同时开启射频磁控溅射电源和直流磁控溅射电源进行双靶共溅射沉积，得到金属掺杂二硫化钼耐高温复合薄膜，所述金属掺杂二硫化钼耐高温复合薄膜由Cr过渡层和MoS2-Cr-Ag工作层所构成，靠近基体一层为Cr过渡层，最上层为MoS2-Cr-Ag工作层，所述MoS2-Cr-Ag工作层为MoS2与Cr、Ag两种元素共掺杂，其中Cr含量为5at％～7.5at％，Ag含量为4.5at％～12.5at％，其余成分为MoS2。
2.根据权利要求1所述的一种金属掺杂二硫化钼耐高温复合薄膜的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述基体清洗是将经过打磨、抛光处理后的基体放入超声波清洗设备中，在乙醇溶液中，利用超声波进行清洗，清洗时间为20～30分钟；然后在复合多功能离子镀膜设备中进行辉光清洗，具体操作为：将基体放入多靶溅射设备真空室，抽真空低于1.5×10-3Pa以后，再通入氩气，并且维持真空度为0.5～1.0Pa，氩气的流量为60～90sccm，同时调节基体直流偏压为0～100V，脉冲偏压为500～600V，占空比为60％～80％，开启霍尔离子源，对基体进行20～30min的氩离子辉光清洗。
3.根据权利要求1所述的一种金属掺杂二硫化钼耐高温复合薄膜的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，通入氩气后气压维持在0.5～1.0Pa，所述直流偏压为50～100V。
4.根据权利要求1所述的一种金属掺杂二硫化钼耐高温复合薄膜的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，所述脉冲偏压为200～250V；所述占空比为20％～30％；所述Cr靶电流设置为2～2.5A；所述沉积的时间为20-30min。
5.根据权利要求1所述的一种金属掺杂二硫化钼耐高温复合薄膜的制备方法，其特征在于，步骤(3)中，所述射频磁控溅射电源的功率设置为200～300W；所述直流磁控溅射电源的电流调节为0.15～0.3A。
6.根据权利要求1所述的一种金属掺杂二硫化钼耐高温复合薄膜的制备方法，其特征在于，步骤(3)中，所述沉积的时间为2～3h；工作气压保持为0.5～1.0Pa。
7.根据权利要求1-6任一项所述的一种金属掺杂二硫化钼耐高温复合薄膜的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，沉积过程工件架的转速为0.5～1rpm；步骤(3)中，沉积过程工件架的转速为4～5rpm。
8.根据权利要求1所述的一种金属掺杂二硫化钼耐高温复合薄膜的制备方法，其特征在于，步骤(3)中，所述金属掺杂二硫化钼耐高温复合薄膜的总厚度为1.90～3.60μm，其中Cr过渡层的厚度为0.5～0.6μm，MoS2-Cr-Ag工作层的厚度为1.35～3.0μm。
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