CN114952576A - 一种半导体双面抛光装置及半导体抛光方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及半导体加工技术领域，公开了一种半导体双面抛光装置及半导体抛光方法，其包括上磨盘、下磨盘、起片部件、第一升降机构、第二升降机构以及控制器，上磨盘和下磨盘相对设置，当需要对晶圆片进行抛光时，起片部件处于第一状态，第一支撑条位于第一容纳槽内并随下磨盘转动，不会影响晶圆片的下表面抛光，当需要对晶圆片进行抬升清洗时，第二升降机构驱动多个第一支撑条同步上升，从而带动位于支撑位上的晶圆片上升至清洗位置，此时由于多个第一支撑条之间存在间隙，不会影响晶圆片下表面的冲洗，从而无需再单独对晶圆片下表面进行冲洗，可同时对晶圆片的上表面和下表面进行冲洗，冲洗效率高，避免机械类损伤，提高了晶圆的成品率。

Description

一种半导体双面抛光装置及半导体抛光方法

技术领域

本发明涉及半导体加工技术领域，特别是涉及一种半导体双面抛光装置及半导体抛光方法。

背景技术

晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆，在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能的集成电路产品。抛光是指利用机械、化学或电化学的作用，使工件表面粗糙度降低，以获得光亮、平整表面的加工方法。是利用抛光工具和磨料颗粒或其他抛光介质对工件表面进行的修饰加工。在半导体技术突飞猛进的当下，人们对晶圆的质量要求越来越高，通常需要对晶圆的两面均进行抛光，在完成抛光加工后，通常需要对晶圆的两个表面进行冲水，以防止任何一面出现药水药引缺陷。

现有的半导体双面抛光装置在对晶圆的双面进行抛光后，晶圆由于平整度较高，通常会与下磨盘紧密贴合，难以取出，导致晶圆的下表面容易出现药水药引，需要单独再进行下表面的抛光，更容易造成机械类损伤，晶圆的成品率低。部分作业人员会采用起子撬起晶圆后再用真空吸笔取出，但该种方法容易对晶圆的边缘造成损坏。

发明内容

本发明的目的是提供一种半导体双面抛光装置。

为了实现上述目的，本发明提供了一种半导体双面抛光装置，其包括：

上磨盘；

下磨盘，所述上磨盘和所述下磨盘相对设置，所述下磨盘的顶面设置有多个槽口朝上的第一容纳槽，多个所述第一容纳槽间隔设置；

起片部件，所述起片部件包括与所述第一容纳槽数量相对且一一对应的第一支撑条，多个所述第一支撑条共同形成有支撑位，用于放置晶圆；

第一升降机构，与所述上磨盘相连接，用于升降所述上磨盘；

第二升降机构，与所述起片部件相连接，用于升降所述起片部件；

控制器，与所述上磨盘、所述下磨盘、所述第一升降机构以及所述第二升降机构均电连接；

其中，所述起片部件可达到第一状态和第二状态，当所述起片部件处于所述第一状态时，所述第一支撑条位于所述第一容纳槽内，当所述起片部件处于所述第二状态时，所述第一支撑条位于所述第一容纳槽外，所述支撑位位于所述下磨盘的顶面上方。

在本申请的一些实施例中，任意相邻的两个所述第一容纳槽之间的距离为8-14mm。

在本申请的一些实施例中，多个所述第一容纳槽沿第一方向均匀排列。

在本申请的一些实施例中，所述第一容纳槽呈环形，且所述第一容纳槽与所述下磨盘同轴心设置，自所述下磨盘的轴心至其边缘排列的布置的所述第一容纳槽的内径依次增大。

在本申请的一些实施例中，所述下磨盘的顶面设置有多个槽口朝上的第二容纳槽，多个所述第二容纳槽间隔设置并沿第二方向均匀排列，所述第二容纳槽与所述第一容纳槽相互交错设置，且二者相连通；

所述起片部件包括与所述第二容纳槽数量相对且一一对应的第二支撑条，所述第二支撑条与所述第一支撑条交错设置且互相连接，多个所述第一支撑条和所述第二支撑条共同形成有所述支撑位；

当所述起片部件处于所述第一状态时，所述第二支撑条位于所述第二容纳槽内，当所述起片部件处于所述第二状态时，所述第二支撑条位于所述第二容纳槽外。

在本申请的一些实施例中，所述起片部件还包括支撑环，所述第一支撑条和所述第二支撑条均设置于所述支撑环上，所述支撑环套设于所述下磨盘外。

在本申请的一些实施例中，还包括晶圆旋转机构，所述晶圆旋转机构包括旋转驱动装置、齿轮轴、转动架和齿轮环，所述齿轮轴设于所述下磨盘的中心轴线处，所述齿轮环的内壁具有内齿部，所述齿轮环与所述下磨盘的外周壁之间形成有避空位，所述避空位内设有所述支撑环和所述第二升降机构；

所述转动架设于所述第一容纳槽的上方，所述转动架具有外齿部，所述转动架与所述齿轮轴、所述齿轮环均啮合，所述转动架具有若干个放置孔，所述放置孔用于放置所述晶圆；

所述旋转驱动装置用于驱动所述齿轮轴转动，所述齿轮轴的转动方向与所述下磨盘的转动方向相反，或，

所述旋转驱动装置用于驱动所述齿轮环转动，所述齿轮环的转动方向与所述下磨盘的转动方向相反。

在本申请的一些实施例中，所述第二升降机构包括升降气缸和升降杆，所述升降气缸用于驱动所述升降杆伸入所述避空位内，并顶推所述支撑环。

在本申请的一些实施例中，还包括喷淋部件，所述喷淋部件包括喷淋管和用于控制所述喷淋管开闭的控制阀，所述喷淋管具有第一喷淋口和第二喷淋口，所述第一喷淋口和所述第二喷淋口上下设置，二者均位于所述下磨盘的顶面上方，所述第一喷淋口朝向下方倾斜设置，所述第二喷淋口朝向上方倾斜设置；

所述控制阀与所述控制器电连接。

本发明的另一目的还在于提供一种半导体抛光方法，其包括如下步骤：

控制第二升降机构使起片部件达到第一状态；

将晶圆放入保持架的放置位中；

控制第一升降机构使上磨盘下降至工作位置；

控制上磨盘和下磨盘旋转抛光；

控制第一升降机构使上磨盘上升；

控制第二升降机构使起片部件达到第二状态，并使支撑位位于第一喷淋口和第二喷淋口之间；

控制喷淋部件进行喷淋。

本发明提供一种半导体双面抛光装置，与现有技术相比，其有益效果在于：

本发明提供的半导体双面抛光装置包括上磨盘、下磨盘、起片部件、第一升降机构、第二升降机构以及控制器，上磨盘和下磨盘相对设置，下磨盘的顶面设置有多个槽口朝上的第一容纳槽，多个第一容纳槽间隔设置，起片部件包括与第一容纳槽数量相对且一一对应的第一支撑条，多个第一支撑条共同形成有支撑位，用于放置晶圆，第一升降机构与上磨盘相连接，用于升降上磨盘，第二升降机构与起片部件相连接，用于升降起片部件，控制器与上磨盘、下磨盘、第一升降机构以及第二升降机构均电连接；其中，起片部件可达到第一状态和第二状态，当起片部件处于第一状态时，第一支撑条位于第一容纳槽内，当起片部件处于第二状态时，第一支撑条位于第一容纳槽外，支撑位位于下磨盘的顶面上方。基于上述结构，当需要对晶圆片进行抛光时，起片部件处于第一状态，第一支撑条位于第一容纳槽内并随下磨盘转动，不会影响晶圆片的下表面抛光，当需要对晶圆片进行抬升清洗时，第二升降机构驱动多个第一支撑条同步上升，从而带动位于支撑位上的晶圆片上升至清洗位置，此时由于多个第一支撑条之间存在间隙，不会影响晶圆片下表面的冲洗，从而无需再单独对晶圆片下表面进行冲洗，可同时对晶圆片的上表面和下表面进行冲洗，冲洗效率高，避免机械类损伤，提高了晶圆的成品率。

附图说明

图1为本发明实施例的半导体双面抛光装置的分体结构示意图；

图2为图1中A区域的局部示意图；

图3为本发明实施例的半导体双面抛光装置的俯视示意图；

图4为图3沿A-A方向的局部剖视示意图；

图5为本发明实施例的起片部件的俯视示意图；

图6为本发明另一实施例的起片部件的俯视示意图；

图7为本发明实施例的半导体双面抛光装置的结构示意图；

图8为本发明实施例的半导体抛光方法的流程示意图。

图中：1、上磨盘；2、下磨盘；21、第一容纳槽；22、第二容纳槽；3、起片部件；31、第一支撑条；32、第二支撑条；33、支撑环；331、定位凸台；4、第一升降机构；5、第二升降机构；51、升降气缸；511、缸体；512、伸缩气囊；513、抵接板；514、复位弹簧；6、控制器；71、旋转驱动装置；72、齿轮轴；73、转动架；731、放置孔；74、齿轮环；741、连接壁；8、喷淋部件；81、第一喷淋口；82、第二喷淋口；83、控制阀；9、第一驱动装置；10、第二驱动装置；100、支撑位；200、避空位；300、晶圆。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。

需要理解的是，在本申请的描述中，术语“中心”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量，也即，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。此外，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。

需要说明的是，在本申请的描述中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。

如图1所示，本发明实施例提供了一种半导体双面抛光装置，其包括上磨盘1、下磨盘2、起片部件3、第一升降机构4、第二升降机构5以及控制器6，上磨盘1和下磨盘2相对设置，下磨盘2的顶面设置有多个槽口朝上的第一容纳槽21，多个第一容纳槽21间隔设置，起片部件3包括与第一容纳槽21数量相对且一一对应的第一支撑条31，多个第一支撑条31共同形成有支撑位100，用于放置晶圆300，第一升降机构4与上磨盘1相连接，用于升降上磨盘1，第二升降机构5与起片部件3相连接，用于升降起片部件3，控制器6与上磨盘1、下磨盘2、第一升降机构4以及第二升降机构5均电连接，具体地，控制器6与控制上磨盘1旋转的第一驱动装置9电连接，控制器6与控制下磨盘2旋转的第二驱动装置10电连接；其中，起片部件3可达到第一状态和第二状态，当起片部件3处于第一状态时，第一支撑条31位于第一容纳槽21内，当起片部件3处于第二状态时，第一支撑条31位于第一容纳槽21外，支撑位100位于下磨盘2的顶面上方。具体地，第一支撑条31可为直径较小的杆状体、条状体、丝状体或线状体，例如钢丝、细杆、绳、网线等。

基于上述结构，当需要对晶圆300片进行抛光时，起片部件3处于第一状态，第一支撑条31位于第一容纳槽21内并随下磨盘2转动，不会影响晶圆300片的下表面抛光，当需要对晶圆300片进行抬升清洗时，第二升降机构5驱动多个第一支撑条31同步上升，从而带动位于支撑位100上的晶圆300片上升至清洗位置，此时由于多个第一支撑条31之间存在间隙，不会影响晶圆300片下表面的冲洗，从而无需再单独对晶圆300片下表面进行冲洗，可同时对晶圆300片的上表面和下表面进行冲洗，冲洗效率高，避免机械类损伤，提高了晶圆300的成品率。

可选地，如图1所示，在本实施例中，任意相邻的两个第一容纳槽21之间的距离为8-14mm。基于此，可对市面上主要规格尺寸大小的晶圆300片形成支撑。

可选地，如图1所示，在本实施例中，多个第一容纳槽21沿第一方向均匀排列。第一方向可为任意方向，也可为下磨盘2的周向或径向，只要使得任意相邻的两个第一容纳槽21之间的距离最大不超过15mm即可。

可选地，在另一实施例中，第一容纳槽21呈环形，且第一容纳槽21与下磨盘2同轴心设置，自下磨盘2的轴心至其边缘排列的布置的第一容纳槽21的内径依次增大。

可选地，如图1所示，在本实施例中，下磨盘2的顶面设置有多个槽口朝上的第二容纳槽22，多个第二容纳槽22间隔设置，第二容纳槽22与第一容纳槽21相互交错设置，且二者相连通；

起片部件3包括与第二容纳槽22数量相对且一一对应的第二支撑条32，第二支撑条32与第一支撑条31交错设置且互相连接，多个第一支撑条31和第二支撑条32共同形成有支撑位100；

当起片部件3处于第一状态时，第二支撑条32位于第二容纳槽22内，当起片部件3处于第二状态时，第二支撑条32位于第二容纳槽22外。基于此，第一支撑条31和第二支撑条32形成网状的支撑位100，从而保证对处于下磨盘2上任意位置的晶圆300片均可提供足够的支撑；此外，当起片部件3处于第一状态时，第一支撑条31和第二支撑条32均位于槽内，不会对晶圆300片的抛光造成影响。

可选地，如图1所示，在本实施例中，起片部件3还包括支撑环33，第一支撑条31和第二支撑条32均设置于支撑环33上，支撑环33套设于下磨盘2外。如此设置一方面便于第一支撑条31和第二支撑条32的连接和安装，另一方面便于第二升降机构5通过抬升支撑环33从而实现晶圆300片的抬升；此外，支撑环33套设于下磨盘2外，也起到了辅助定位固定的作用，防止第一支撑条31和第二支撑条32松动。当然，也可不设置支撑环33，将第一支撑条31和第二支撑条32直接通过焊接等方式固定连接，并由第二升降机构5直接抬升第一支撑条31和第二支撑条32。

可选地，晶圆300通常需要设置在支架的放置位中，以保证抛光过程中不会产生滑移，为了进一步优化抛光的效果，如图1所示，在本实施例中，半导体抛光装置还包括晶圆300旋转机构，晶圆300旋转机构包括旋转驱动装置71、齿轮轴72、转动架73和齿轮环74，齿轮轴72设于下磨盘2的中心轴线处，应当理解的是，齿轮轴72与下磨盘2之间具有预定间隙，起片部件3具有可供齿轮轴72穿过的通孔；齿轮环74的内壁具有内齿部，齿轮环74与下磨盘2的外周壁之间形成有避空位200，避空位200内设有支撑环33和第二升降机构5；

转动架73设于第一容纳槽21的上方，转动架73具有外齿部，转动架73与齿轮轴72、齿轮环74均啮合，转动架73具有若干个放置孔731，放置孔731用于放置晶圆300，旋转驱动装置71用于驱动齿轮轴72转动，齿轮轴72的转动方向与下磨盘2的转动方向相反。优选地，转动架73设为多个，多个转动架73沿齿轮轴72的周向分布设置。基于此，将晶圆300放置在放置位中以保证抛光过程中的工作位置，转动架73设置于齿轮轴72和齿轮环74之间，并可绕齿轮轴72转动，从而使得晶圆300在抛光的过程中绕齿轮轴72转动，进一步优化了抛光效果。当然，也可以为旋转驱动装置71用于驱动齿轮环74转动，齿轮环74的转动方向与下磨盘2的转动方向相反。

可选地，考虑到在下磨盘2、齿轮轴72或齿轮环74都是旋转部件，支撑环33的升降需要考虑升降的实现方式不干涉下磨盘2、齿轮轴72或齿轮环74的工作，如图1所示，在本实施例中，第二升降机构5包括升降气缸51和升降杆，升降气缸51用于驱动升降杆伸入避空位200内，并顶推支撑环33。具体地，第二升降机构5包括用于升降齿轮环74的升降部件，具体可为蜗轮蜗杆、气缸推杆、机械夹持臂或其他可实现升降的部件，升降部件与控制器6电连接，齿轮环74的底部具有连接壁741，连接壁741具有连接孔，升降气缸51设为多个且沿下磨盘2的轴向分布设置，升降气缸51包括依次连接设置的缸体511以及与缸体511连接的伸缩气囊512，缸体511与连接壁741固定连接，并通过连接孔伸入齿轮环74内，升降杆可滑动地设于缸体511中，并可伸入避空位200内，以顶推支撑环33；气囊位于连接壁741的底部外侧并与缸体511相连通，气囊的底部设有抵接板513，抵接板513用于抵接地面或支撑平台。气囊外套设有复位弹簧514，复位弹簧514的一端与连接壁741相连接，复位弹簧514的另一端与抵接板513相连接，用于对抵接板513施加朝向下方的弹性力，以使抵接板513带动气囊充气复位。基于此，本半导体抛光装置的第二升降机构5不需要外接气管，不会干涉下磨盘2、齿轮轴72或齿轮环74的工作，在抛光的过程中，升降气缸51以及升降杆可随齿轮环74转动，不会影响下磨盘2或齿轮环74、齿轮轴72的转动，当抛光结束后，升降部件控制齿轮环74下降，并挤压伸缩气囊512和抵接板513，抵接板513与地面或支撑平台抵接，从而使得伸缩气囊512被压缩，缸体511内压力增大，从而推动升降杆上升并顶推支撑环33，从而使得起片部件3达到第二状态，以便于对晶圆300的顶面和地面进行冲洗；当冲洗结束后，升降部件控制齿轮环74上升，使得抵接板513与地面或支撑平台相脱开，此时复位弹簧514顶推抵接板513，从而使得伸缩气囊512被拉伸充气并复位，缸体511内压力减小，从而推动升降杆下降并使得起片部件3达到第一状态。由于支撑环33与下磨盘2直径相近，二者相贴合可能带来顶推的精准度问题，优选地，支撑环33的外壁设有向外凸出的环形定位凸台331，环形定位凸台331的外径小于齿轮环74的内径，升降杆在上升和下降的过程中均与环形定位凸台331的底面相抵接，从而使得顶推更为精准。

可选地，如图1所示，在本实施例中，半导体抛光装置还包括喷淋部件8，喷淋部件8包括喷淋管和用于控制喷淋管开闭的控制阀83，喷淋管具有第一喷淋口81和第二喷淋口82，第一喷淋口81和第二喷淋口82上下设置，二者均位于下磨盘2的顶面上方，第一喷淋口81朝向下方倾斜设置，第二喷淋口82朝向上方倾斜设置，控制阀83与控制器6电连接。基于此，第一喷淋口81可冲洗晶圆300的顶面，第二喷淋口82可冲洗晶圆300的底面，从而实现晶圆300的顶面和底面同时冲洗。

本发明的另一目的还在于提供一种半导体抛光方法，其包括如下步骤：

S1、控制第二升降机构5使起片部件3达到第一状态；

S2、将晶圆300放入转动架73的放置位中；

S3、控制第一升降机构4使上磨盘1下降至工作位置；

S4、控制上磨盘1、下磨盘2和齿轮轴72旋转抛光，其中，齿轮轴72和下磨盘2的旋转方向相反；

S5、控制第一升降机构4使上磨盘1上升；

S6、控制第二升降机构5使起片部件3达到第二状态，并使支撑位100位于第一喷淋口81和第二喷淋口82之间；

S7、控制喷淋部件8进行喷淋。

综上，本发明实施例提供了一种半导体双面抛光装置，其主要由上磨盘1、下磨盘2、起片部件3、第一升降机构4、第二升降机构5以及控制器6构成，上磨盘1和下磨盘2相对设置，下磨盘2的顶面设置有多个槽口朝上的第一容纳槽21，多个第一容纳槽21间隔设置，起片部件3包括与第一容纳槽21数量相对且一一对应的第一支撑条31，多个第一支撑条31共同形成有支撑位100，用于放置晶圆300，第一升降机构4与上磨盘1相连接，用于升降上磨盘1，第二升降机构5与起片部件3相连接，用于升降起片部件3，控制器6与上磨盘1、下磨盘2、第一升降机构4以及第二升降机构5均电连接；其中，起片部件3可达到第一状态和第二状态，当起片部件3处于第一状态时，第一支撑条31位于第一容纳槽21内，当起片部件3处于第二状态时，第一支撑条31位于第一容纳槽21外，支撑位100位于下磨盘2的顶面上方。与现有技术相比，该半导体双面抛光装置具有抛光效果好、冲洗效率高、晶圆成品率高等优点。

以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可以做出若干改进和替换，这些改进和替换也应视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种半导体双面抛光装置，其特征在于，包括：

上磨盘；

下磨盘，所述上磨盘和所述下磨盘相对设置，所述下磨盘的顶面设置有多个槽口朝上的第一容纳槽，多个所述第一容纳槽间隔设置；

起片部件，所述起片部件包括与所述第一容纳槽数量相对且一一对应的第一支撑条，多个所述第一支撑条共同形成有支撑位，用于放置晶圆；

第一升降机构，与所述上磨盘相连接，用于升降所述上磨盘；

第二升降机构，与所述起片部件相连接，用于升降所述起片部件；

控制器，与所述上磨盘、所述下磨盘、所述第一升降机构以及所述第二升降机构均电连接；

其中，所述起片部件可达到第一状态和第二状态，当所述起片部件处于所述第一状态时，所述第一支撑条位于所述第一容纳槽内，当所述起片部件处于所述第二状态时，所述第一支撑条位于所述第一容纳槽外，所述支撑位位于所述下磨盘的顶面上方。

2.如权利要求1所述的半导体双面抛光装置，其特征在于：

任意相邻的两个所述第一容纳槽之间的距离为8-14mm。

3.如权利要求2所述的半导体双面抛光装置，其特征在于：

多个所述第一容纳槽沿第一方向排列。

4.如权利要求2所述的半导体双面抛光装置，其特征在于：

所述第一容纳槽呈环形，且所述第一容纳槽与所述下磨盘同轴心设置，自所述下磨盘的轴心至其边缘排列的布置的所述第一容纳槽的内径逐渐增大。

5.如权利要求3或4所述的半导体双面抛光装置，其特征在于：

所述下磨盘的顶面设置有多个槽口朝上的第二容纳槽，多个所述第二容纳槽间隔设置并沿第二方向，所述第二容纳槽与所述第一容纳槽相互交错设置，且二者相连通；

所述起片部件包括与所述第二容纳槽数量相对且一一对应的第二支撑条，所述第二支撑条与所述第一支撑条交错设置且互相连接，多个所述第一支撑条和所述第二支撑条共同形成有所述支撑位；

当所述起片部件处于所述第一状态时，所述第二支撑条位于所述第二容纳槽内，当所述起片部件处于所述第二状态时，所述第二支撑条位于所述第二容纳槽外。

6.如权利要求5所述的半导体双面抛光装置，其特征在于：

所述起片部件还包括支撑环，所述第一支撑条和所述第二支撑条均设置于所述支撑环上，所述支撑环套设于所述下磨盘外，所述第二升降机构用于顶推所述支撑环。

7.如权利要求6所述的半导体双面抛光装置，其特征在于：

还包括晶圆旋转机构，所述晶圆旋转机构包括旋转驱动装置、齿轮轴、转动架和齿轮环，所述齿轮轴设于所述下磨盘的中心轴线处，所述齿轮环的内壁具有内齿部，所述齿轮环与所述下磨盘的外周壁之间形成有避空位，所述避空位内设有所述支撑环和所述第二升降机构；

所述转动架设于所述第一容纳槽的上方，所述转动架具有外齿部，所述转动架与所述齿轮轴、所述齿轮环均啮合，所述转动架具有若干个放置孔，所述放置孔用于放置所述晶圆；

所述旋转驱动装置用于驱动所述齿轮轴转动，所述齿轮轴的转动方向与所述下磨盘的转动方向相反，或，

所述旋转驱动装置用于驱动所述齿轮环转动，所述齿轮环的转动方向与所述下磨盘的转动方向相反。

8.如权利要求7所述的半导体双面抛光装置，其特征在于：

所述第二升降机构包括升降气缸和升降杆，所述升降气缸用于驱动所述升降杆伸入所述避空位内，并顶推所述支撑环。

9.如权利要求1所述的半导体双面抛光装置，其特征在于：

还包括喷淋部件，所述喷淋部件包括喷淋管和用于控制所述喷淋管开闭的控制阀，所述喷淋管具有第一喷淋口和第二喷淋口，所述第一喷淋口和所述第二喷淋口上下设置，二者均位于所述下磨盘的顶面上方，所述第一喷淋口朝向下方倾斜设置，所述第二喷淋口朝向上方倾斜设置；

所述控制阀与所述控制器电连接。

10.一种半导体抛光方法，其特征在于，包括如下步骤：

控制第二升降机构使起片部件达到第一状态；

将晶圆放入保持架的放置位中；

控制第一升降机构使上磨盘下降至工作位置；

控制所述上磨盘、下磨盘和齿轮轴旋转抛光；

控制第一升降机构使所述上磨盘上升；

控制第二升降机构使起片部件达到第二状态，并使支撑位位于第一喷淋口和第二喷淋口之间；

控制喷淋部件进行喷淋。

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