KR101134653B1 - 기판 지지 유닛 및 이를 이용한 매엽식 기판 연마 장치 - Google Patents

기판 지지 유닛 및 이를 이용한 매엽식 기판 연마 장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 매엽식 기판 연마 장치를 개시한 것으로서, 본 발명의 기판을 연마하는 장치는 처리실; 상기 처리실 내에 설치되며, 기판을 지지하는 기판 지지 유닛; 상기 기판을 연마하는 연마 유닛; 및 연마된 상기 기판을 세정하는 세정 유닛을 포함하되, 상기 기판 지지 유닛은, 기판을 진공 흡착하는 진공 플레이트; 기판이 안착되는 상기 진공 플레이트 상하방향으로 승강이동되며 기판을 상기 진공 플레이트에 내려놓거나 또는 기판을 상기 진공 플레이트로부터 들어올리면서 기판을 정렬하는 얼라인 부재를 포함한다.
기판, 연마, 세정, 정렬

Description

기판 지지 유닛 및 이를 이용한 매엽식 기판 연마 장치{SUBSTRATE SUPPORTING UNIT AND SINGLE TYPE SUBSTRATE POLISHING APPARATUS USING THE SAME}
본 발명은 반도체 제조 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 반도체 기판을 매엽 처리 방식으로 지지하는 기판 지지 유닛과 이를 이용하여 기판을 연마 및 세정하는 기판 연마 장치에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 소자의 제조 공정은 박막의 형성 및 적층을 위해 증착 공정, 사진 공정, 식각 공정 등 다수의 단위 공정들을 반복 수행해야만 한다. 기판 상에 요구되는 소정의 회로 패턴이 형성될 때까지 이들 공정은 반복되며, 회로 패턴이 형성된 후 기판의 표면에는 많은 굴곡이 생기게 된다. 최근 반도체 소자는 고집적화에 따라 그 구조가 다층화되며, 기판 표면의 굴곡의 수와 이들 사이의 단차가 증가하고 있다. 기판 표면의 비평탄화는 사진 공정에서 디포커스(Defocus) 등의 문제를 발생시키므로 기판의 표면을 평탄화하기 위해 주기적으로 기판 표면을 연마하여야 한다.
기판의 표면을 평탄화하기 위해 다양한 표면 평탄화 기술이 있으나 이 중 좁은 영역뿐만 아니라 넓은 영역의 평탄화에 있어서도 우수한 평탄도를 얻을 수 있는 화학적 기계적 연마(Chemical Mechanical Polishing : CMP) 장치가 주로 사용된다. 화학적 기계적 연마 장치는 텅스텐이나 산화물 등이 입혀진 기판의 표면을 기계적 마찰에 의해 연마시킴과 동시에 화학적 연마재에 의해 연마시키는 장치로서, 아주 미세한 연마를 가능하게 한다.
또한, 반도체 소자가 고밀도, 고집적화, 고성능화됨에 따라 회로 패턴의 미세화가 급속히 진행됨으로써, 기판 표면에 잔류하는 파티클(Particle), 유기 오염물, 금속 오염물 등의 오염 물질은 소자의 특성과 생산 수율에 많은 영향을 미치게 된다. 이 때문에 기판 표면에 부착된 각종 오염 물질을 제거하기 위한 세정 공정이 반도체 제조 공정에서 매우 중요하게 대두되고 있으며, 반도체 제조를 위한 각 단위 공정들의 전후 단계에서 기판의 세정 공정이 실시되고 있다.
본 발명은 기판의 연마 공정과 후세정 공정을 매엽 방식으로 순차적으로 진행할 수 있고, 기판 로딩/언로딩과 기판 정렬이 가능한 기판 지지 유닛 및 이를 이용한 매엽식 기판 연마 장치를 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기한 과제를 달성하기 위하여 본 발명에 의한 기판 지지 유닛은 기판을 진공 흡착하는 진공 플레이트; 기판이 안착되는 상기 진공 플레이트 상하방향으로 승 강이동되며 기판을 상기 진공 플레이트에 내려놓거나 또는 기판을 상기 진공 플레이트로부터 들어올리면서 기판을 정렬하는 얼라인 부재를 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 얼라인 부재는 승강 구동부; 상기 승강 구동부에 의해 업다운되는 지지플레이트; 상기 지지플레이트에 고정 설치되고 상기 진공 플레이트의 외곽에 위치되어 기판의 가장자리를 지지하면서 정렬하는 정렬핀들을 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 정렬핀은 일부가 기판의 반경으로 벗어나게 위치된다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 진공 플레이트의 크기는 기판의 크기보다 작다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 정렬핀은 기판의 반경내에 위치되고, 기판의 가장자리 후면이 안착되는 안착면; 기판의 반경외에 위치되고 정렬이 틀어진 기판을 정렬시키는 정렬면을 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 정렬면은 기판이 미끄러져서 상기 안착면에 기판의 자장자리 후면이 안착되도록 경사지게 형성된다,.
상기한 과제를 달성하기 위한 본 발명의 기판을 연마하는 장치는 처리실; 상기 처리실 내에 설치되며, 기판을 지지하는 기판 지지 유닛; 상기 기판을 연마하는 연마 유닛; 및 연마된 상기 기판을 세정하는 세정 유닛을 포함하되, 상기 기판 지지 유닛은, 기판을 진공 흡착하는 진공 플레이트; 기판이 안착되는 상기 진공 플레이트 상하방향으로 승강이동되며 기판을 상기 진공 플레이트에 내려놓거나 또는 기 판을 상기 진공 플레이트로부터 들어올리면서 기판을 정렬하는 얼라인 부재를 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 얼라인 부재는 진공 플레이트의 외곽에 위치되어 기판의 가장자리를 지지하면서 정렬하는 정렬핀들을 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 정렬핀은 정렬이 틀어진 기판이 정위치되도록 경사진 정렬면을 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 정렬면은 정위치되는 기판의 반경외에 위치된다.
본 발명에 의하면, 기판이 진공플레이트에 정확하게 로딩될 수 있는 각별한 효과를 갖는다.
또한, 본 발명에 의하면 리프트핀이 기판을 로딩/언로딩시킬때 자동으로 기판 정렬이 이루어지는 각별한 효과를 갖는다.
또한, 본 발명은 기판을 진공 플레이트 상의 미리 정해진 정위치에 위치시킨 다음 세정 및 연마 공정을 진행할 수 있기 때문에 안정된 공정 효과를 기대할 수
있으며, 공정 완료 후 다음 공정으로의 기판 이송 시 정렬핀들에 의한 기판의 상승이 정상적으로 이루어질 수 있게 됨으로써 다음 공정으로의 원활한 진행을 기대할 수 있다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 기판 지지 유닛 및 이를 이용한 매엽식 기판 연마 장치를 상세히 설명하기로 한다. 우선 각 도면의 구성 요소들에 참조 부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성 요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.
( 실시 예 )
도 1은 본 발명에 따른 매엽식 기판 연마 장치(1)의 사시도이고, 도 2는 도 1의 처리 용기(100)와 기판 지지 유닛(200)의 측단면도이다.
본 발명에 따른 매엽식 기판 연마 장치(1)는 기판(W)의 상면에 대한 연마 공정과 이에 따르는 기판(W)의 상하면에 대한 후-세정 공정을 하나의 처리실(10) 내에서 순차적으로 진행할 수 있다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명에 따른 매엽식 기판 연마 장치(1)는 처리 용기(100), 기판 지지 유닛(200), 세정 유닛(310,320,330), 연마 유닛(400), 그리고 패드 컨디셔닝 유닛(500)을 포함한다.
처리 용기(100)는 기판(W)을 처리하기 위한 공간을 제공한다. 처리 용기(100)의 내측에는 기판 지지 유닛(200)이 수용되고, 기판 지지 유닛(200)은 기판(W)의 연마 공정과 후-세정 공정의 진행 중 처리 용기(100) 안으로 반입된 기판(W)을 고정한다. 처리 용기(100)의 일 측에는 기판의 상면을 세정하는 세정 유닛(310, 320)이 구비되고, 기판 지지 유닛(200)에는 기판의 하면을 세정하는 세정 유닛(330)이 구비된다.
세정 유닛(310,320,330)은 연마 유닛(400)에 의해 연마된 기판을 세정 처리한다. 세정 유닛(310)은 기판(W) 상면에 세정액을 공급하는 세정액 공급 부재이고, 세정 유닛(320)은 기판(W) 상면에 공급된 세정액에 초음파를 인가하여 세정 효율을 증대시키기 위한 초음파 세정 부재이며, 세정 유닛(330)은 기판(W) 하면에 세정액을 공급하는 세정액 공급 부재이다. 처리 용기(100)의 다른 일 측에는 연마 유닛(400)과 패드 컨디셔닝 유닛(500)이 구비된다.
연마 유닛(400)은 기판(W)의 상면을 화학적 기계적 방법으로 연마하고, 패드 컨디셔닝 유닛(500)은 연마 유닛(400)의 연마 패드(미도시)를 연마하여 연마 패드(미도시)의 표면 조도를 조절한다.
처리 용기(100)는 원통 형상을 갖는 제 1, 제 2 및 제 3 회수통(110, 120, 130)을 포함한다. 본 실시 예에 있어서, 처리 용기(100)는 세 개의 회수통(110, 120, 130)을 가지나, 회수통(110, 120, 130)의 개수는 증가하거나 감소할 수도 있다. 제 1 내지 제 3 회수통(110, 120, 130)은 기판(W) 처리 공정의 진행시 기판(W)으로 공급되는 세정액을 회수한다. 기판 처리 장치(1)는 기판(W)을 기판 지지 유닛(200)에 의해 회전시키면서 기판(W)을 세정 처리한다. 이 때문에, 기판(W)으로 공급된 세정액이 비산될 수 있으며, 제 1 내지 제 3 회수통(110, 120, 130)은 기판(W)으로부터 비산된 세정액을 회수한다.
제 1 내지 제 3 회수통(110, 120, 130)은 기판(W)으로부터 비산된 세정액이 유입되는 제 1 내지 제 3 회수 공간(S1, S2, S3)을 형성한다. 제 1 회수 공간(S1) 은 제1 회수통(110)에 의해 정의되고, 기판(W)을 1차적으로 처리하는 제 1 세정액을 회수한다. 제 2 회수 공간(S2)은 제 1 회수통(110)과 제 2 회수통(120) 간의 이격 공간에 의해 정의되고, 기판(W)을 2차적으로 처리하는 제 2 세정액을 회수한다. 제 3 회수 공간(S3)은 제 2 회수통(120)과 제 3 회수통(130) 간의 이격 공간에 의해 정의되고, 기판(W)을 3차적으로 처리하는 제 3 세정액을 회수한다.
제 1 회수통(110)은 제 1 회수라인(141)과 연결된다. 제 1 회수 공간(S1)에 유입된 제 1 세정액은 제 1 회수 라인(141)을 통해 외부로 배출된다. 제 2 회수통(120)은 제 2 회수 라인(143)과 연결된다. 제 2 회수 공간(S2)에 유입된 제 2 세정액은 제 2 회수 라인(143)을 통해 외부로 배출된다. 제 3 회수통(130)은 제 3 회수 라인(145)과 연결된다. 제 3 회수 공간(S3)에 유입된 제 3 세정액은 제 3 회수 라인(145)을 통해 외부로 배출된다.
한편, 처리 용기(100)에는 처리 용기(100)의 수직 위치를 변경시키는 수직 이동부(150)가 결합될 수 있다. 수직 이동부(150)는 제 3 회수통(130)의 외 측벽에 구비되고, 기판 지지 유닛(200)의 수직 위치가 고정된 상태에서 처리 용기(100)를 상/하로 이동시킨다. 이에 따라, 처리 용기(100)와 기판(W) 간의 상대적인 수직 위치가 변경된다. 따라서, 처리 용기(100)는 각 회수 공간(S1, S2, S3) 별로 회수되는 세정액의 종류를 다르게 할 수 있다.
도 3은 도 2에 도시된 기판 지지 유닛의 사시도이고, 도 4는 도 2에 도시된 기판 지지 유닛의 측면도이다. 도 5는 도 2에 도시된 기판 지지 유닛의 평면도이다.
도 3 내지 도 5를 참조하면, 기판 지지 유닛(200)은 메인 이송 로봇으로부터 이송된 기판(W)가 안착된다. 기판 지지 유닛(200)은 기판(W)의 연마 공정과 세정 공정이 이루어지는 동안 기판(W)를 지지 및 고정시킨다.
기판 지지 유닛(200)은 기판(W)가 안착되는 진공 플레이트(210), 진공 플레이트(210)를 지지하고 회전시키기 위한 회전 지지부(220) 그리고 기판을 진공 플레이트(210)에 내려놓거나 또는 기판을 진공 플레이트(210)로부터 들어올리면서 기판을 정렬하는 얼라인 부재(230)를 포함할 수 있다.
진공 플레이트(210)는 평면상에서 볼 때, 대체로 원 형상을 갖고, 상면으로부터 하면으로 점차 폭이 감소한다. 본 발명의 일례로, 진공 플레이트(210)는 기판(W)를 지지하는 상면의 크기가 기판(W)의 크기보다 작다. 따라서, 측면에서 볼 때 진공 플레이트(210)에 안착된 기판(W)는 단부(가장자리)가 진공 플레이트(210)의 상면 단부보다 외측으로 돌출된다. 진공 플레이트(210)로부터 외측으로 돌출된 기판의 단부는 얼라인 부재(230)의 정렬핀(236)에 의해 지지된다. 도시하지 않았지만, 기판은 진공 플레이트(210)에 형성된 진공홈을 통해 형성된 음압에 의해 진공 흡착된다.
진공 플레이트(210)의 아래에는 지지부(220)가 설치된다. 지지부(220)는 대체로 원기둥 형상을 가지는 샤프트(222)와, 샤프트(222) 하단에 연결된 회전 구동부(224)를 포함하며, 진공 플레이트(210)는 지지부(220)에 의해 회전한다. 회전 구동부(224)는 모터 등으로 마련될 수 있다. 기판 지지 유닛(200)은 처리 용기(100) 내부에 수용된다.
얼라인 부재(230)는 승강 구동부(232), 지지플레이트(234), 정렬핀(236)들을 포함한다.
승강 구동부(232)는 지지부(220)의 회전 구동부(224)에 설치된다. 지지플레이트(234)는 진공 플레이트(210)의 하부에 위치되는 링 형상으로 이루어지며, 승강 구동부(232)에 의해 업다운된다. 정렬핀(236)들은 기판의 가장자리 저면을 지지하여 그 수평을 유지한 상태에서 승하강되도록 90도 간격으로 총 4개가 배치된다.
도 5에서 보여주는 바와 같이, 정렬핀(236)은 기판(W)의 반경내에 위치되고, 기판의 가장자리 후면이 안착되는 안착면(238)과, 기판의 반경 밖에 위치되고 정렬이 틀어진 기판을 정렬시키는 정렬면(239)이 상단에 형성된 막대 형상의 몸체로 이루어진다. 몸체는 상단에 안착면(238)과 정렬면(239)이 형성되고 진공 플레이트(210)의 외곽에 위치하는 수직부분(237a)과, 수직부분(237a)의 하단으로부터 연장되어 형성되고 지지플레이트(234)에 고정 설치되는 수평부분(237b)을 포함한다. 정렬면(239)은 기판이 미끄러져서 안착면(238)에 기판의 자장자리 후면이 안착되도록 경사지게 형성된다. 도 6a 및 도 6b는 얼라인 부재에 의해 기판이 진공 플레이트로/로부터 로딩/언로딩된 상태를 보여주는 도면들이다.
도 7은 기판이 얼라인 부재에 의해 정렬되는 과정을 보여주는 도면이다.
도 7에서와 같이, 선행 공정에서 디척킹이나 이송 장치의 교정(calibration)이 틀어지는 등의 문제가 발생하여 정렬이 틀어진 상태로 기판이 로딩되는 경우, 점선으로 표시된 바와 같이, 기판은 불안전하게 정렬핀(236)상에 안착될 수 있으나, 정렬핀(236)들은 기판을 진공 플레이트(210)에 올려놓기 위해 하강이동하면서 정렬이 틀어진 기판을 정위치로 정렬시키게 된다. 즉, 기판(W)의 일측 가장자리 저면은 정렬핀(236)의 안착면(238)에 놓여지지 않고 정렬면(239)에 위치하게 되더라도, 기판이 정렬면(239)을 타고 미끄러지면서 정렬핀(236)의 안착면(238)에 안착됨으로써 최초 정렬이 틀어진 상태였던 기판의 정렬이 이루어진다.
이처럼, 얼라인 부재(230)는 기판의 로딩과 언로딩을 수행할 뿐만 아니라 기판을 로딩/언로딩하는 과정에서 기판을 정렬시키는 기능도 동시에 수행하게 된다.
이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시 예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시 예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
이하에 설명된 도면들은 단지 예시의 목적을 위한 것이고, 본 발명의 범위를 제한하기 위한 것이 아니다.
도 1은 본 발명에 따른 매엽식 기판 연마 장치의 사시도이다.
도 2는 도 1의 처리 용기와 기판 지지 유닛의 측단면도이다.
도 3은 도 2에 도시된 기판 지지 유닛의 사시도이다.
도 4는 도 2에 도시된 기판 지지 유닛의 측면도이다.
도 5는 도 2에 도시된 기판 지지 유닛의 평면도이다.
도 6a 및 도 6b는 얼라인 부재에 의해 기판이 진공 플레이트로/로부터 로딩/언로딩된 상태를 보여주는 도면들이다.
도 7은 기판이 얼라인 부재에 의해 정렬되는 과정을 보여주는 도면이다.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 >
100 : 처리 용기 200 : 기판 지지 유닛
210 : 진공 플레이트 230 : 얼라인 부재
236 : 정렬핀

Claims (10)

  1. 기판 지지 유닛에 있어서:
    기판을 지지하는 상면 크기가 기판의 크기보다 작은 진공 플레이트;
    상기 진공 플레이트 상하방향으로 승강이동되며 기판을 상기 진공 플레이트에 내려놓거나 또는 기판을 상기 진공 플레이트로부터 들어올리면서 기판을 정렬하는 얼라인 부재를 포함하되;
    상기 얼라인 부재는
    승강 구동부;
    진공 플레이트의 하부에 위치되고, 상기 승강 구동부에 의해 업다운되는 링 형상의 지지플레이트;
    상기 지지플레이트에 고정 설치되고 상기 진공 플레이트의 외곽에 위치되며, 상승 이동시 상기 진공 플레이트로부터 외측으로 돌출된 기판의 가장자리를 지지하면서 정렬하고, 하강 이동시 상기 지지플레이트의 상면보다 낮은 높이에서 대기하는 정렬핀들을 포함하며,
    상기 정렬핀은 기판의 가장자리 후면이 안착되는 안착면과, 기판의 반경 밖에 위치되고 정렬이 틀어진 기판이 미끄러져 상기 안착면에 안착되도록 경사진 정렬면을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 지지 유닛.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 기판을 연마하는 장치에 있어서,
    처리실;
    상기 처리실 내에 설치되며, 기판을 지지하는 기판 지지 유닛;
    상기 기판을 연마하는 연마 유닛; 및
    연마된 상기 기판을 세정하는 세정 유닛을 포함하되,
    상기 기판 지지 유닛은,
    기판을 진공 흡착하는 진공 플레이트;
    기판이 안착되는 상기 진공 플레이트 상하방향으로 승강이동되며 기판을 상기 진공 플레이트에 내려놓거나 또는 기판을 상기 진공 플레이트로부터 들어올리면서 기판을 정렬하는 얼라인 부재를 포함하며,
    상기 얼라인 부재는
    승강 구동부;
    진공 플레이트의 하부에 위치되고, 상기 승강 구동부에 의해 업다운되는 링 형상의 지지플레이트;
    상기 지지플레이트에 고정 설치되고 상기 진공 플레이트의 외곽에 위치되며, 상승 이동시 상기 진공 플레이트로부터 외측으로 돌출된 기판의 가장자리를 지지하면서 정렬하고, 하강 이동시 상기 지지플레이트의 상면보다 낮은 높이에서 대기하는 정렬핀들을 포함하고,
    상기 정렬핀은 기판의 가장자리 후면이 안착되는 안착면과, 기판의 반경 밖에 위치되고 정렬이 틀어진 기판이 미끄러져 상기 안착면에 안착되도록 경사진 정렬면을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 연마 장치.
  8. 삭제
  9. 삭제
  10. 삭제
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105762098B (zh) * 2014-12-17 2020-03-31 北京北方华创微电子装备有限公司 传片系统及半导体加工设备
KR102381041B1 (ko) * 2015-01-29 2022-03-31 삼성디스플레이 주식회사 기판 처리 장치 및 이의 작동 방법
KR101909191B1 (ko) * 2016-12-30 2018-10-17 세메스 주식회사 기판 지지 유닛 및 이를 가지는 기판 처리 장치
CN111376145A (zh) * 2018-12-27 2020-07-07 苏州维旺科技有限公司 一种抛光固定装置及抛光系统
KR102537508B1 (ko) * 2022-10-24 2023-05-26 주식회사 지에스아이 릴 환적 장치

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010103518A (ko) * 2000-05-10 2001-11-23 고석태 웨이퍼 고정척
KR20020058711A (ko) * 2000-12-30 2002-07-12 구본준, 론 위라하디락사 증착장비용 리프트 핀
KR20060032088A (ko) * 2004-10-11 2006-04-14 삼성전자주식회사 반도체 제조장치의 웨이퍼 리프트 유닛
KR20060108316A (ko) * 2005-04-12 2006-10-17 삼성전자주식회사 기판 이면 연마 장치

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010103518A (ko) * 2000-05-10 2001-11-23 고석태 웨이퍼 고정척
KR20020058711A (ko) * 2000-12-30 2002-07-12 구본준, 론 위라하디락사 증착장비용 리프트 핀
KR20060032088A (ko) * 2004-10-11 2006-04-14 삼성전자주식회사 반도체 제조장치의 웨이퍼 리프트 유닛
KR20060108316A (ko) * 2005-04-12 2006-10-17 삼성전자주식회사 기판 이면 연마 장치

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