KR101004436B1 - 기판 연마 장치 및 이를 이용한 기판 연마 방법 - Google Patents

Abstract

기판 연마 장치는 기판을 지지하는 기판 지지부재, 기판의 처리 공정이 이루어지는 공간을 제공하는 용기 유닛, 기판을 연마하는 연마 유닛 및 기판에 세정 유체를 분사하는 분사 유닛을 구비한다. 기판 지지부재는 기판의 배면에 세정 유체를 분사하는 백 노즐을 구비하고, 용기 유닛은 다수의 처리 용기를 구비한다. 처리 용기들은 서로 이격되어 겹구조로 배치되며, 상면이 일부분 개방된다. 이와 같이, 기판 연마 장치는 다수의 처리 용기를 구비하므로, 하나의 용기 유닛 안에서 연마 공정과 세정 공정을 실시할 수 있고, 풋 프린트를 감소시킬 수 있다.

Description

기판 연마 장치 및 이를 이용한 기판 연마 방법{SUBSTRATE POLISHING APPARATUS AND METHOD OF POLISHING SUBSTRATE USING THE SAME}

본 발명은 반도체 제조 장치 및 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 반도체 기판을 매엽 처리 방식으로 연마 및 세정하는 기판 연마 장치 및 이를 이용한 기판 연마 방법에 관한 것이다.

일반적으로 반도체 소자의 제조 공정은 박막의 형성 및 적층을 위해 증착 공정, 사진 공정, 식각 공정 등 다수의 단위 공정들을 반복 수행해야만 한다. 웨이퍼 상에 요구되는 소정의 회로 패턴이 형성될 때까지 이들 공정은 반복되며, 회로 패턴이 형성된 후 웨이퍼의 표면에는 많은 굴곡이 생기게 된다. 최근 반도체 소자는 고집적화에 따라 그 구조가 다층화되며, 웨이퍼 표면의 굴곡의 수와 이들 사이의 단차가 증가하고 있다. 웨이퍼 표면의 비평탄화는 사진 공정에서 디포커스(Defocus) 등의 문제를 발생시키므로 웨이퍼의 표면을 평탄화하기 위해 주기적으로 웨이퍼 표면을 연마하여야 한다.

웨이퍼의 표면을 평탄화하기 위해 다양한 표면 평탄화 기술이 있으나 이 중 좁은 영역뿐만 아니라 넓은 영역의 평탄화에 있어서도 우수한 평탄도를 얻을 수 있 는 화학적 기계적 연마(Chemical Mechanical Polishing : CMP) 장치가 주로 사용된다. 화학적 기계적 연마 장치는 텅스텐이나 산화물 등이 입혀진 웨이퍼의 표면을 기계적 마찰에 의해 연마시킴과 동시에 화학적 연마재에 의해 연마시키는 장치로서, 아주 미세한 연마를 가능하게 한다.

또한, 반도체 소자가 고밀도, 고집적화, 고성능화됨에 따라 회로 패턴의 미세화가 급속히 진행됨으로써, 기판 표면에 잔류하는 파티클(Particle), 유기 오염물, 금속 오염물 등의 오염 물질은 소자의 특성과 생산 수율에 많은 영향을 미치게 된다. 이 때문에 기판 표면에 부착된 각종 오염 물질을 제거하기 위한 세정 공정이 반도체 제조 공정에서 매우 중요하게 대두되고 있으며, 반도체 제조를 위한 각 단위 공정들의 전후 단계에서 기판의 세정 공정이 실시되고 있다.

본 발명의 목적은 공정 효율을 향상시킬 수 있는 기판 연마 장치를 제공하는 것이다.

또한, 본 발명의 목적은 상기한 기판 연마 장치를 이용하여 기판을 연마하는 방법을 제공하는 것이다.

상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 하나의 특징에 따른 기판 연마 장치는 기판 지지부재, 용기 유닛, 연마 유닛 및 분사 유닛으로 이루어진다.

기판 지지부재는 상면에 기판이 안착되고, 상기 상면의 중앙부에 설치되어 상기 기판의 배면에 세정 유체를 분사하는 백 노즐을 구비하며, 회전 가능하다. 용기 유닛은 각각 상기 기판 지지부재를 둘러싸고 서로 이격되어 겹구조로 배치되며 각각 기둥 형상을 갖고 상면이 일부분 개방된 다수의 처리 용기를 구비하고, 상기 기판의 연마 공정 및 세정 공정이 이루어지는 공정 공간을 제공한다. 연마 유닛은 상기 용기 유닛의 일측에 구비되고, 상기 기판 지지부재에 안착된 기판을 연마한다. 분사 유닛은 상기 용기 유닛의 일측에 구비되고, 상기 기판 지지부재에 안착된 기판에 세정 유체를 분사한다.

여기서, 상기 기판 지지부재 및 상기 용기 유닛 중 적어도 어느 하나는 수직 이동이 가능하며, 상기 다수의 처리 용기의 각 상면에 형성된 개구부의 크기는 상기 기판의 크기 보다 크다.

또한, 상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 하나의 특징에 따른 기판 연마 방법은 다음과 같다. 먼저, 용기 유닛 안에 수용된 기판 지지부재에 기판을 안착시킨다. 상기 용기 유닛 및 상기 기판 지지부재 중 어느 하나를 수직 이동시켜 상기 기판 지지부재에 안착된 기판을 상기 용기 유닛의 다수의 처리 용기 중 가장 내측에 설치된 제1 처리 용기 내에 위치시킨다. 상기 기판을 연마한다. 상기 용기 유닛 및 상기 기판 지지부재 중 어느 하나를 수직 이동시켜 상기 기판 지지부재에 안착된 기판을 상기 제1 처리 용기의 상부에서 상기 처리 용기들 중 상기 제1 처리 용기를 감싸는 제2 처리 용기 내에 배치시킨다. 상기 기판을 세정한다.

상술한 본 발명에 따르면, 기판 연마 장치는 다수의 처리 용기를 구비함으로써, 연마 공정과 세정 공정을 서로 다른 공간에서 실시할 수 있고 하나의 용기 유닛 안에서 연마 공정과 세정 공정을 실시할 수 있다. 이에 따라, 기판 연마 장치는 사용된 처리액과 세정 공정에서 사용된 처리액을 서로 분리하여 회수할 수 있고, 풋 프린트를 감소시킬 수 있다.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명한다. 이하에서는, 웨이퍼를 반도체 기판의 일례로 설명하나, 본 발명의 기술적 사상과 범위는 이에 한정되지 않는다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 매엽식 연마 시스템을 개략적으로 나타 낸 도면이고, 도 2는 도 1에 도시된 매엽식 연마 시스템을 나타낸 측면도이다.

도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 기판 처리 시스템(2000)은 로딩/언로딩부(10), 인덱스 로봇(Index Robot)(20), 버퍼부(30), 메인 이송 로봇(Main Transfer Robot)(50), 다수의 기판 연마부(1000) 및 제어부(60)를 포함할 수 있다.

상기 로딩/언로딩부(10)는 다수의 로드 포트(11a, 11b, 11c, 11d)를 포함한다. 이 실시예에 있어서, 상기 로딩/언로딩부(11)는 네 개의 로드 포트(11a, 11b, 11c, 11d)를 구비하나, 상기 로드 포트(11a, 11b, 11c, 11d)의 개수는 상기 기판 처리 시스템(2000)의 공정 효율 및 풋 프린트(Foot print) 조건에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다.

상기 로드 포트들(11a, 11b, 11c, 11d)에는 웨이퍼들이 수납되는 풉들(Front Open Unified Pods: FOUPs)(12a, 12b, 12c, 12d)이 안착된다. 각 풉(12a, 12b, 12c, 12d)은 웨이퍼들을 지면에 대해 수평하게 배치한 상태로 수납하기 위한 다수의 슬롯이 형성된다. 상기 풉(12a, 12b, 12c, 12d)에는 각 기판 연마부(1000)에서 처리가 완료된 웨이퍼들 또는 상기 각 기판 연마부(1000)에 투입할 웨이퍼들을 수납한다. 이하, 설명의 편의를 위해, 상기 각 기판 연마부(1000)에 의해 처리가 완료된 웨이퍼를 가공 웨이퍼라 하고, 아직 처리되지 않은 웨이퍼를 원시 웨이퍼라 한다.

상기 로딩/언로딩부(11)와 상기 버퍼부(30) 사이에는 제1 이송 통로(41)가 형성되고, 상기 제1 이송 통로(41)에는 제1 이송 레일(42)이 설치된다. 상기 인덱스 로봇(20)은 상기 제1 이송 레일(42)에 설치되고, 상기 제1 이송 레일(42)을 따 라 이동하면서 상기 로딩/언로딩부(11)와 상기 버퍼부(30) 간에 웨이퍼들을 이송한다. 즉, 상기 인덱스 로봇(20)은 상기 로딩/언로딩부(11)에 안착된 풉(12a, 12b, 12c, 12d)으로부터 적어도 한 매의 원시 웨이퍼를 인출하여 상기 버퍼부(30)에 적재한다. 또한, 상기 인덱스 로봇(20)은 상기 버퍼부(30)로부터 적어도 한 매의 가공 웨이퍼를 인출하여 상기 로딩/언로딩부(11)에 안착된 풉(12a, 12b, 12c, 12d)에 적재한다.

한편, 상기 버퍼부(30)는 상기 제1 이송 통로(41)의 일측에 설치된다. 상기 버퍼부(30)는 상기 인덱스 로봇(20)에 의해 이송된 원시 웨이퍼들을 수납하고, 상기 기판 연마부들에서 처리된 가공 웨이퍼들을 수납한다.

상기 메인 이송 로봇(50)은 제2 이송 통로(43)에 설치된다. 상기 제2 이송 통로(43)에는 제2 이송 레일(44)이 구비되고, 상기 제2 이송 레일(44)에는 상기 메인 이송 로봇(50)이 설치된다. 상기 메인 이송 로봇(50)은 상기 제2 이송 레일(44)을 따라 이동하면서, 상기 버퍼부(30)와 상기 기판 연마부들 간에 웨이퍼를 이송한다. 즉, 상기 메인 이송 로봇(50)은 상기 버퍼부(30)로부터 적어도 한 매의 원시 웨이퍼를 인출하여 상기 기판 연마부(1000)에 제공하고, 상기 기판 연마부(1000)에서 처리된 웨이퍼, 즉 가공 웨이퍼를 상기 버퍼부(30)에 적재한다.

상기 제2 이송 통로(43)의 양측에는 상기 기판 연마부들이 배치되고, 각 기판 연마부(1000)는 상기 원시 웨이퍼를 연마 및 세정하여 상기 가공 웨이퍼로 만든다. 상기 기판 연마부들은 적어도 두 개 이상의 기판 연마부가 상기 제2 이송 통로(43)를 사이에 두고 서로 마주하게 배치된다. 본 발명의 일례로, 기판 연마부들 은 평면상에서 볼 때 상기 제2 이송 통로(43) 양측에 각각 두 개씩 상기 제2 이송 통로(43)를 따라 병렬 배치되나, 상기 제2 이송 통로(43)의 양 측에 각각 배치되는 기판 연마부의 개수는 상기 기판 연마 시스템(2000)의 공정 효율 및 풋 프린트에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다.

또한, 상기 기판 연마부들은 다층으로 배치될 수 있다. 본 발명의 일 례로, 상기 기판 연마부들은 한 층에 두 개씩 두 개의 층으로 적층된다.

즉, 상기 기판 연마부들은 8개의 기판 연마부들로 이루어지고, 한층에 두 개씩 이층으로 배치된 4개의 기판 연마부들이 상기 제2 이송 통로(43)의 양 측에 각각 배치된다. 상기 기판 연마부들이 적층되는 층의 개수, 각 층에 배치되는 기판 연마부의 개수 및 상기 기판 연마부들이 연속하여 병렬 배치되는 열의 개수는 상기 기판 연마 시스템(1000)의 공정 효율 및 풋 프린트에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다. 상기 기판 연마부들이 병렬 배치되는 열의 개수가 증가할 경우, 상기 제2 이송 통로(43) 및 상기 메인 이송 로봇(50)의 개수 또한 증가한다. 또한, 상기 기판 연마부들이 적층되는 층의 개수가 증가할 경우, 상기 메인 이송 로봇(50)의 개수 또한 증가할 수 있다.

이와 같이, 상기 기판 연마부들이 다수의 층 및 다수의 열로 배치되므로, 상기 기판 연마 시스템(2000)은 동시에 다수의 웨이퍼를 연마 및 세정할 수 있다. 이에 따라, 상기 기판 연마 시스템(2000)은 공정 효율 및 생상성이 향상되고, 풋 프린트를 감소시킬 수 있다.

한편, 각 기판 연마부(1000)는 상기 제어부(60)와 연결되고, 상기 제어 부(60)의 제어에 따라 원시 웨이퍼를 연마 및 세정한다. 즉, 상기 제어부(60)는 상기 기판 연마부(1000)에 의한 원시 웨이퍼의 연마량이 국부적으로 조절되도록 상기 기판 연마부(1000)를 제어하여 상기 기판 연마부(1000)의 연마 균일도를 향상시킨다. 상기 제어부(60)가 상기 기판 연마부(1000)의 연마량을 제어하는 과정은 후술하는 도 15 내지 도 18에서 구체적으로 설명하기로 한다.

이하, 도면을 참조하여 상기 기판 연마부(1000)의 구성에 대해 구체적으로 설명한다.

도 3은 도 1에 도시된 기판 연마 장치를 나타낸 사시도이고, 도 4는 도 3에 도시된 기판 지지 유닛 및 처리 용기를 구체적으로 나타낸 부분 절개 사시도이다.

도 1, 도 3 및 도 4를 참조하면, 상기 기판 연마 시스템(2000)은 웨이퍼(70)의 상면을 연마하는 연마 공정 및 연마 공정 후 웨이퍼(70)의 표면을 세정하는 세정 공정을 하나의 기판 연마부(1000) 내에서 순차적으로 진행할 수 있다.

구체적으로, 상기 기판 연마부(1000)는 기판 지지 유닛(100), 용기 유닛(bowl unit)(200), 연마 유닛(300), 제1 및 제2 처리액 공급 유닛(400, 500), 브러쉬 유닛(600), 에어로졸 유닛(700) 및 패드 컨디셔닝 유닛(800)을 포함할 수 있다.

상기 기판 지지 유닛(100)은 상기 메인 이송 로봇(50)으로부터 이송된 웨이퍼(70)가 안착된다. 상기 기판 지지 유닛(100)은 상기 웨이퍼(70)의 연마 공정과 세정 공정이 이루어지는 동안 상기 웨이퍼(70)를 지지 및 고정시킨다. 상기 기판 지지 유닛(100)은 상기 웨이퍼(70)가 안착되는 스핀 헤드(110) 및 상기 스핀 헤드(110)를 지지하는 지지부(120)를 포함할 수 있다.

상기 스핀 헤드(110)는 평면상에서 볼 때, 대체로 원 형상을 갖고, 상면으로부터 하면으로 갈수록 점차 폭이 감소한다. 본 발명의 일례로, 상기 스핀 헤드(110)는 상기 웨이퍼(70)를 지지하는 상면의 크기가 상기 웨이퍼(70)의 크기보다 작다. 따라서, 측면에서 볼 때 상기 스핀 헤드(110)에 안착된 웨이퍼(70)는 단부가 상기 스핀 헤드(110)의 상면 단부보다 외측으로 돌출된다.

상기 스핀 헤드(110)는 상기 웨이퍼(70)의 배면에 세정액 및 건조 가스를 분사하는 백 노즐(111)을 구비할 수 있다. 상기 백 노즐(111)은 상기 스핀 헤드(110)의 상면에서 중앙부에 설치된다.

상기 스핀 헤드(110)의 아래에는 상기 지지부(120)가 설치된다. 상기 지지부(120)는 대체로 원기둥 형상을 가지며, 상기 스핀 헤드(110)와 결합하고, 연마 공정 및 세정 공정이 진행되는 동안 상기 스핀 헤드(110)를 회전시킨다. 상기 지지부(120)의 내부에는 상기 백 노즐(111)에 연결된 중공관(130)이 설치된다. 상기 중공관(130)은 상기 지지부(120)의 길이 방향으로 연장되고, 상기 백 노즐(111)에 상기 세정액 및 건조 가스를 제공한다.

상기 기판 지지유닛(100)은 상기 용기 유닛(200) 내부에 수용된다. 상기 용기 유닛(200)은 제1 및 제2 처리 용기(process bowl)(210, 220), 제1 및 제2 회수통(recovery vat)(230, 240), 제1 및 제2 회수관(251, 252), 및 승강부재(260)를 포함할 수 있다.

구체적으로, 상기 제1 및 제2 처리 용기(210, 220)는 상기 기판 지지유닛(100)을 둘러싸고, 상기 웨이퍼(70)의 연마 공정 및 세정 공정이 이루어지는 공정 공간을 제공한다. 상기 제1 및 제2 처리 용기(210, 220)는 각각 상부가 개방되며, 상기 제1 및 제2 처리 용기(210, 220)의 개방된 상부를 통해 상기 스핀 헤드(110)가 노출된다. 이 실시예에 있어서, 상기 제1 및 제2 처리 용기(210, 220)는 원형의 링 형상을 가지나, 상기 제1 및 제2 처리 용기(210, 220)의 형상은 이에 국한되지 않고 다양한 형상을 가질 수 있다.

구체적으로, 상기 제1 처리 용기(210)는 측벽(211), 상판(212) 및 가이드부(213)를 포함할 수 있다. 상기 측벽(211)은 대체로 원형의 링 형상을 갖고, 상기 기판 지지 유닛(100)을 둘러싼다.

상기 측벽(211)의 상단부는 상기 상판(212)과 연결된다. 상기 상판(212)은 상기 측벽(211)으로부터 연장되어 형성되고, 상기 측벽(211)으로부터 멀어질수록 상향 경사진 경사면으로 이루어진다. 상기 상판(212)은 대체로 원형의 링 형상을 갖고, 평면상에서 볼 때 상기 스핀 헤드(110)로부터 이격되어 상기 스핀 헤드(110)를 둘러싼다.

상기 가이드부(213)는 제1 및 제2 가이드 벽(213a, 213b)을 포함한다. 상기 제1 가이드 벽(213a)은 상기 측벽(211)의 내벽으로부터 돌출되어 상기 상판(212)과 마주하며, 상기 측벽으로부터 멀어질수록 하향 경사진 경사면으로 이루어지고, 원형의 링 형상을 갖는다. 상기 제2 가이드 벽(213b)은 상기 제1 가이드 벽(213a)으로부터 아래로 수직하게 연장되고, 상기 측벽(211)과 마주하며, 원형의 링 형상을 갖는다. 상기 가이드부(213)는 상기 웨이퍼(70)의 연마 공정중 상기 제1 처리 용기(210)의 측벽(211)과 상판(212)의 내면들측으로 비산된 처리액이 상기 제1 회수통(230) 측으로 흐르도록 가이드한다.

상기 제1 처리 용기(210)의 외측에는 상기 제2 처리 용기(220)가 설치된다. 상기 제2 처리 용기(220)는 상기 제1 처리 용기(210)를 둘러싸고, 상기 제1 처리 용기(210)보다 큰 크기를 갖는다.

구체적으로, 상기 제2 처리 용기(220)는 측벽(221) 및 상판(222)을 포함할 수 있다. 상기 측벽(221)은 대체로 원형의 링 형상을 갖고, 상기 제1 처리 용기(210)의 측벽(211)을 둘러싼다. 상기 측벽(221)은 상기 제1 처리 용기(210)의 측벽(211)과 이격되어 위치하며, 상기 제1 처리 용기(210)와 연결된다.

상기 측벽(221)의 상단부는 상기 상판(222)과 연결된다. 상기 상판(222)은 상기 측벽(221)으로부터 연장되어 형성되고, 상기 측벽(221)으로부터 멀어질수록 상향 경사진 경사면으로 이루어진다. 상기 상판(222)은 대체로 원형의 링 형상을 갖고, 평면상에서 볼 때 상기 스핀 헤드(110)로부터 이격되어 상기 스핀 헤드(110)를 둘러싼다. 상기 상판(222)은 상기 제1 처리 용기(210)의 상판(211) 상부에서 상기 제1 처리 용기(210)의 상판(211)과 마주하며, 상기 제1 처리 용기(210)의 상판(211)과 이격되어 위치한다.

상기 제1 및 제2 처리 용기(210, 220)의 아래에는 연마 공정 및 세정 공정에서 사용된 처리액들을 회수하는 상기 제1 및 제2 회수통(230, 240)이 설치된다. 상기 제1 및 제2 회수통(230, 240)은 대체로 원형의 링 형상을 갖고, 상부가 개방된 다. 이 실시예에 있어서, 상기 제1 및 제2 회수통(230, 240)은 원형의 링 형상을 가지나, 상기 제1 및 제2 회수통(230, 240)의 형상은 이에 국한되지 않고 다양하게 형성될 수 있다.

상기 제1 회수통(230)은 상기 제1 처리 용기(210)의 아래에 설치되고, 연마 공정에서 사용된 처리액을 회수한다. 제2 회수통(240)은 상기 제2 처리 용기(220)의 아래에 설치되고, 세정 공정에서 사용된 처리액을 회수한다.

구체적으로, 상기 제1 회수통(230)은 바닥판(231), 제1 측벽(232), 제2 측벽(233) 및 연결부(234)를 포함할 수 있다. 상기 바닥판(231)은 대체로 원형의 링 형상을 갖고, 상기 지지부(220)를 둘러싼다. 본 발명의 일례로, 상기 바닥판(231)은 상기 제1 회수통(230)에 회수된 처리액의 배출을 용이하게 하기 위해 종단면이 'V' 형상을 갖는다. 이에 따라, 상기 바닥판(231)에는 링 형상의 회수 유로(231a)가 형성되며, 상기 처리액의 배출 및 회수가 용이하다.

상기 제1 측벽(232)은 상기 바닥판(231)으로부터 수직하게 연장되어 처리액을 회수하는 제1 회수 공간(RS1)을 형성한다. 상기 제2 측벽(233)은 상기 제1 측벽(232)으로부터 이격되어 상기 제1 측벽(232)과 마주한다. 상기 연결부(234)는 상기 제1 측벽(232)의 상단부 및 상기 제2 측벽(233)의 상단부와 연결되고, 상기 제1 측벽(232)으로부터 상기 제2 측벽(233)으로 갈수록 상향 경사진 경사면으로 이루어진다. 상기 연결부(234)는 상기 제1 회수 공간(RS1) 밖으로 떨어진 처리액이 상기 제1 회수 공간(RS1)에 유입되도록 상기 제1 회수 공간(RS1) 측으로 가이드한다.

상기 제1 회수통(230)의 외측에는 상기 제2 회수통(240)이 설치된다. 상기 제2 회수통(240)은 상기 제1 회수통(230)을 둘러싸고, 상기 제1 회수통(230)으로부터 이격되어 위치한다. 구체적으로, 상기 제2 회수통(240)은 바닥판(241), 제1 측벽(242) 및 제2 측벽(243)을 포함할 수 있다. 상기 바닥판(241)은 대체로 원형의 링 형상을 갖고, 상기 제1 회수통(230)의 바닥판(231)을 둘러싼다. 본 발명의 일례로, 상기 바닥판(241)은 상기 제2 회수통(240)에 회수된 처리액의 배출을 용이하게 하기 위해 종단면이 'V' 형상을 갖는다. 이에 따라, 상기 바닥판(241)에는 링 형상의 회수 유로(241a)가 형성되며, 처리액의 배출 및 회수가 용이하다.

상기 제1 및 제2 측벽(242, 243)은 상기 바닥판(241)으로부터 수직하게 연장되어 처리액을 회수하는 제2 회수 공간(RS2)을 형성하며, 원형의 링 형상을 갖는다. 상기 제1 측벽(242)은 상기 제1 회수통(230)의 제1 측벽(232)과 제2 측벽(233)과의 사이에 위치하고, 상기 제1 회수통(230)의 제1 측벽(232)을 둘러싼다. 상기 제2 회수통(240)의 제2 측벽(243)은 상기 바닥판(241)을 사이에두고 상기 제1 측벽(242)과 마주하고, 상기 제1 측벽(242)을 둘러싼다. 상기 제2 회수통(240)의 제2 측벽(243)은 상기 제1 회수통(230)의 제2 측벽(233)을 둘러싸며, 상단부가 상기 제2 처리 용기(220)의 측벽(222) 외측에 위치한다.

상기 웨이퍼(70)의 연마 및 세정 공정시, 각 공정에 따라 상기 스핀 헤드(110)와 상기 제1 및 제2 처리 용기(210, 220) 간의 수직 위치가 변경되며, 상기 제1 및 제2 회수통(230, 240)은 서로 다른 공정에서 사용된 처리액을 회수한다.

구체적으로, 상기 연마 공정시 상기 스핀 헤드(110)는 제1 처리 용기(210) 안에 배치되며, 상기 제1 처리 용기(210) 내부에서 상기 웨이퍼(70)의 연마 공정이 이루어진다. 연마 공정이 이루어지는 동안 상기 스핀 헤드(110)의 회전에 의해 상기 웨이퍼(70)가 회전한다. 이에 따라, 상기 연마 공정 시 상기 웨이퍼(70)에 분사된 처리액이 상기 웨이퍼(70)의 회전력에 의해 상기 제1 처리 용기(210)의 측벽(211) 내면 및 상판(212) 내면측으로 비산된다. 상기 제1 처리 용기(210)의 측벽(211)과 상판(212)의 내면들에 묻은 처리액은 상기 제1 처리 용기(210)의 상판(212) 및 측벽(211)을 따라 중력 방향으로 흘러 상기 가이드부(213)에 도달하고, 상기 가이드부(213)의 내면을 따라 중력 방향으로 흘러 상기 제1 회수통(230)에 회수된다.

연마 공정 후 세정 공정시, 상기 스핀 헤드(110)는 상기 제1 처리 용기(210)의 상부에서 상기 제2 처리 용기(220)의 상판(222) 아래에 배치되며, 세정 공정이 이루어지는 동안 회전한다. 이에 따라, 세정 공정에서 상기 웨이퍼에 제공된 처리액이 상기 제2 처리 용기(220)의 상판(222) 내면과 측벽(221) 내면 및 상기 제1 처리 용기(210)의 외면측으로 비산된다. 상기 제1 처리 용기(210)의 측벽(211)은 상기 제2 회수통(240)의 바닥판(241) 상부에 위치하며, 상기 제1 처리 용기(210)의 외면에 묻은 처리액은 상기 제1 처리 용기(210)의 외면을 따라 중력 방향으로 흘러 상기 제2 회수통(240)에 회수된다. 또한, 상기 제2 처리 용기(220)의 내면에 묻은 처리액은 상기 제2 처리 용기(220)의 내면을 따라 중력 방향으로 흘러 상기 제2 회수통에 회수된다.

이와 같이, 상기 제1 회수통(230)은 연마 공정에서 사용된 처리액을 회수하고, 상기 제2 회수통(240)은 세정 공정에서 사용된 처리액을 회수한다. 이에 따라, 상기 용기 유닛(200)은 용기 유닛(200) 내에서 이루어진 각 공정 단계별로 처리액을 분리 회수할 수 있으므로, 처리액의 재이용이 가능하고, 처리액의 회수가 용이하다.

상기 제1 회수통(230)은 상기 제1 회수관(251)과 연결되고, 상기 제2 회수통(240)은 상기 제2 회수관(252)이 연결된다. 상기 제1 회수관(251)은 상기 제1 회수통(230)의 바닥판(231)에 결합되고, 상기 제1 회수통(230)의 바닥판(231)에는 상기 제1 회수관(251)과 연통되는 제1 회수홀(231b)이 형성된다. 상기 제1 회수통(230)의 제1 회수 공간(RS1)에 회수된 처리액은 상기 제1 회수홀(231b)을 경유하여 상기 제1 회수관(251)을 통해 외부로 배출된다.

이 실시예에 있어서, 상기 용기 유닛(200)은 두 개의 처리 용기(210, 220)와 두 개의 회수통(230, 240)을 구비하나, 상기 처리 용기(210, 220)와 상기 회수통(230, 240)의 개수는 연마 공정 및 세정 공정에서 사용되는 처리액들의 종류수 및 분리 회수할 처리액의 종류수에 따라 증가할 수도 있다.

상기 제2 회수관(252)은 상기 제2 회수통(240)의 바닥판(241)에 결합되고, 상기 제2 회수통(240)의 바닥판(241)에는 상기 제2 회수관(252)과 연통되는 제2 회수홀(241b)이 형성된다. 상기 제2 회수통(240)의 제2 회수 공간(RS2)에 회수된 처리액은 상기 제2 회수홀(241b)을 경유하여 상기 제2 회수관(252)을 통해 외부로 배출된다.

이 실시예에 있어서, 상기 제1 회수관(251)과 상기 제2 회수관(252)은 각각 한 개씩 구비되나, 상기 제1 및 제2 회수관(251, 252)의 개수는 상기 제1 및 제2 회수통(230, 240)의 크기 및 회수 효율에 따라 증가할 수도 있다.

한편, 상기 제2 처리 용기(220)의 외측에는 수직 이동이 가능한 상기 승강 부재(260)가 설치된다. 상기 승강 부재(260)는 상기 제2 처리 용기(220)의 측벽(221)에 결합되고, 상기 제1 및 제2 처리 용기(210, 220)의 수직 위치를 조절한다. 구체적으로, 상기 승강 부재(260)는 브라켓(261), 이동축(262) 및 구동기(263)를 포함할 수 있다. 브라켓(261)은 상기 제2 처리 용기(220)의 외측벽(221)에 고정 설치되고, 상기 이동축(262)과 결합한다. 상기 이동축(262)은 상기 구동기(263)에 연결되고, 상기 구동기(263)에 의해 상하 방향으로 이동된다.

상기 승강 부재(260)는 웨이퍼(70)가 스핀 헤드(110)에 안착되거나, 스핀 헤드(110)로부터 들어 올려질 때 스핀 헤드(110)가 상기 제1 및 제2 처리 용기(210, 220)의 상부로 돌출되도록 상기 제1 및 제2 처리 용기(210, 220)를 하강시킨다. 하강시, 상기 제1 회수통(230)의 제1 및 제2 측벽(232, 233)과 연결부(234)는 상기 제1 처리 용기(210)의 측벽(211)과 제1 및 제2 가이드 벽(213a, 213b)에 의해 형성된 공간 안으로 인입된다.

또한, 승강 부재(260)는 웨이퍼(10)의 연마 공정 및 세정 공정 진행시, 상기 연마 공정에서 사용된 처리액과 상기 세정 공정에서 사용된 처리액을 분리 회수하기 위해 상기 제1 및 제2 처리 용기(210, 220)를 승강 및 하강시켜 각 처리 용기(210, 220)와 상기 스핀 헤드(110) 간의 상대적인 수직 위치를 조절한다.

이 실시예에 있어서, 상기 기판 연마부(1000)는 상기 제1 및 제2 처리 용기(210, 220)를 수직 이동시켜 제1 및 제2 처리 용기(210, 220)와 상기 스핀 헤 드(110) 간의 상대적인 수직 위치를 변경시키나, 상기 스핀 헤드(110)를 수직 이동시켜 상기 제1 및 제2 처리 용기(210, 220)와 상기 스핀 헤드(110) 간의 상대적인 수직 위치를 변경시킬 수도 있다.

한편, 상기 용기 유닛(200)의 외측에는 상기 연마 유닛(300), 제1 및 제2 처리 유체 공급 유닛(400, 500), 상기 브러쉬 유닛(600), 상기 에어로졸 유닛(700), 및 상기 패드 컨디셔닝 유닛(800)이 설치된다.

상기 연마 유닛(300)은 상기 기판 지지유닛(100)에 고정된 웨이퍼(70)의 표면을 화학적 기계적 방법으로 연마하여 상기 웨이퍼(70)의 표면을 평탄화한다. 구체적으로, 상기 연마 유닛(300)은 상기 용기 유닛(200)의 일측에 설치된다. 상기 연마 유닛(300)은 연마 공정시 상기 스핀 헤드(110)에 고정된 웨이퍼(70)의 상면에 배치되는 가압부(310)를 포함할 수 있다.

상기 가압부(310)는 상기 웨이퍼(70)의 상면을 연마하는 연마 패드 및 약액을 분사하는 약액 노즐을 구비할 수 있다. 상기 연마 패드는 상기 웨이퍼(70)의 크기 보다 작은 크기를 갖고, 하면에 상기 웨이퍼(70)를 연마하는 연마 패턴이 형성된다. 상기 약액 노즐은 상기 연마 패드의 상부에 설치되고, 상기 웨이퍼(70)의 연마 공정에 사용되는 제1 및 제2 약액을 상기 웨이퍼(70)에 분사한다. 연마 공정 시, 상기 가압부(310)는 중심축을 기준으로 회전하면서 상기 웨이퍼(70)를 가압하여 상기 웨이퍼(70)의 상면을 연마한다.

상기 제1 및 제2 처리 유체 공급 유닛(400, 500)은 상기 웨이퍼(70)의 연마 공정 및 세정 공정에 필요한 처리 유체를 상기 기판 지지유닛(100)에 고정된 웨이 퍼(70)에 분사한다. 상기 제1 처리 유체 공급 유닛(400)은 상기 용기 유닛(200)을 사이에 두고 상기 연마 유닛(300)과 마주하게 설치되며, 상기 제2 처리 용기(220)의 측벽(221)에 고정 설치된다. 연마 공정 또는 세정 공정 시, 상기 제1 처리 유체 공급 유닛(400)은 상기 스핀 헤드(110)에 고정된 웨이퍼(70)에 처리 유체를 분사하여 상기 웨이퍼(70)를 세정한다. 상기 제1 처리 유체 공급 유닛(400)은 상기 제2 처리 용기(220)의 측벽(221) 상단에 고정된 다수의 분사 노즐을 구비할 수 있고, 각 분사 노즐은 웨이퍼(70)의 중앙부측으로 처리 유체를 분사한다. 상기 분사 노즐에서 분사되는 처리 유체는 웨이퍼(70)의 세정 또는 건조를 위한 처리액일 수도 있고, 건조를 위한 건조 가스일 수도 있다.

본 발명의 일례로, 상기 제1 처리 유체 공급 유닛(400)은 네 개의 분사 노즐을 구비하나, 상기 분사 노즐의 개수는 웨이퍼(70) 세정에 사용되는 상기 처리 유체의 종류수에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다.

상기 제2 처리 유체 공급 유닛(500)은 상기 용기 유닛(200) 및 상기 제1 처리 유체 공급 유닛(400)을 사이에 두고 상기 연마 유닛(300)과 마주하게 설치된다. 상기 제2 처리 유체 공급 유닛(500)은 처리액을 분사하는 약액 노즐을 구비하고, 세정 공정 시 상기 스핀 헤드(110)에 고정된 웨이퍼(70)에 처리액을 분사하여 상기 웨이퍼(70)를 세정한다. 상기 제2 처리 유체 공급 유닛(500)은 스윙이 가능하며, 세정 공정시 스윙 동작을 통해 상기 약액 노즐을 상기 스핀 헤드(110)의 상부에 배치시킨 상태에서 처리액을 분사한다.

상기 브러쉬 유닛(600)은 연마 공정 후 웨이퍼(70) 표면의 이물을 물리적으 로 제거한다. 상기 브러쉬 유닛(600)은 상기 웨이퍼(70)에 표면에 접촉되어 상기 웨이퍼(70) 표면의 이물을 물리적으로 닦아 내는 브러쉬 패드를 구비하고, 스윙이 가능하다. 세정 공정시, 상기 브러쉬 유닛(600)은 스윙 동작을 통해 상기 브러쉬 패드를 상기 스핀 헤드(110)의 상부에 배치시킨 상태에서 상기 브러쉬 패드를 회전시켜 상기 스핀 헤드(110)에 고정된 웨이퍼(70)를 세정한다.

상기 브러쉬 유닛(600)의 일측에는 상기 에어로졸 유닛(700)이 배치된다. 상기 에어로졸 유닛(700)은 상기 스핀 헤드(110)에 고정된 웨이퍼(70)에 처리액을 미세 입자형태로 고압 분무하여 상기 웨이퍼(70) 표면의 이물을 제거한다. 본 발명의 일례로, 상기 에어로졸 유닛(700)은 초음파를 이용하여 상기 처리액을 작은 입자 형태로 분무한다. 상기 브러쉬 유닛(600)은 비교적 큰 입자의 이물을 제거하는 데 사용되며, 상기 에어로졸 유닛(700)은 상기 브러쉬 유닛(600)에 비해 비교적으로 작은 입자의 이물을 제거하는 데 사용된다.

한편, 상기 패드 컨디셔닝 유닛(800)은 상기 연마 유닛(300)이 홈 포트(home port)에서 대기 중일 때, 상기 연마 유닛(300)을 세정 및 재생시킨다.

상술한 바와 같이, 상기 기판 연마 시스템(2000)은 각 기판 연마부(1000)에서 웨이퍼(70)의 연마 공정 및 세정 공정이 모두 이루어지므로, 연마 공정 후 세정 공정용 챔버로 웨이퍼를 이송할 필요가 없고, 별도의 세정 공정용 챔버를 구비할 필요가 없다. 이에 따라, 상기 기판 연마 시스템(2000)은 웨이퍼(70)의 이송 시간 및 공정 시간을 단축시키고, 생산성을 향상시키며, 풋 프린트를 감소시킬 수 있다.

이하, 도면을 참조하여 상기 기판 연마부(1000)가 상기 웨이퍼를 연마하는 과정에 대해 구체적으로 설명한다.

도 5a 내지 도 5f는 도 3에 도시된 기판 연마부에서 웨이퍼를 연마 및 세정하는 과정을 나타낸 단면도이다.

도 1 및 도 5a를 참조하면, 메인 이송 로봇(50)이 버퍼부(30)로부터 웨이퍼(70)를 인출하여 기판 지지유닛(100)의 스핀 헤드(110) 상에 웨이퍼(70)를 안착시키고, 상기 승강 부재(260)가 제1 및 제2 처리 용기(210, 220)를 승강시켜 상기 스핀 헤드(10)를 상기 제1 처리 용기(210) 안에 위치시킨다.

이어, 연마 유닛(300)의 구동부(340)는 상기 가압부(310)를 상기 웨이퍼(70)의 상부에 상기 웨이퍼(70)와 인접하게 위치시킨다.

상기 연마 유닛(300)은 제1 및 제2 약액(CL1, CL2)을 상기 웨이퍼(70)에 분사하고, 이와 동시에 상기 가압부(310)를 상기 웨이퍼(70)의 표면에 접촉시킨 상태에서 중심축을 중심으로 회전시켜 상기 웨이퍼(70)를 연마한다. 연마 공정시, 상기 제1 및 제2 약액(CL1, CL2)은 상기 가압부(310)의 약액 노즐에서 분사되며, 상기 연마 패드는 자전과 동시에 스윙한다. 연마 공정시, 상기 가압부(310)는 상기 웨이퍼(70)와 동일한 방향으로 회전할 수도 있고, 서로 다른 방향으로 회전할 수도 있다.

이 실시예에 있어서, 상기 기판 연마부(1000)는 상기 연마 유닛(300)이 상기 제1 및 제2 약액(CL1, CL2)을 분사하면서 상기 웨이퍼(70)를 연마한다. 그러나, 상기 연마 유닛(300)이 상기 제1 및 제2 약액을 분사하지 않고, 별도의 약액 분사 유 닛, 예컨대, 상기 제1 처리액 공급 유닛(400)(도 3 참조)이나 상기 제2 처리액 공급 유닛(500)(도 3 참조)에서 상기 웨이퍼(70) 연마를 위한 상기 제1 및 제2 약액(CL1, CL2)이 분사될 수도 있다.

도 5a 및 도 5b를 참조하면, 상기 연마 유닛(300)에 의한 연마 공정이 완료된 웨이퍼(70)의 상면에 브러쉬 유닛(600)을 배치시킨다. 상기 스핀 헤드(110)의 회전에 의해 상기 웨이퍼(70)가 회전하는 동안 상기 브러쉬 유닛(600)이 회전하면서 상기 웨이퍼(70)의 상면을 물리적으로 닦아낸다. 이때, 상기 스핀 헤드(110)는 상기 제1 처리 용기(210) 내에 위치한다. 상기 브러쉬 유닛(600)이 상기 웨이퍼(70)를 세정하는 동안 상기 제2 처리액 공급 유닛(500)은 상기 웨이퍼(70)의 상부에 초순수를 분사한다. 이 실시예에 있어서, 상기 브러쉬 유닛(600)에 의한 웨이퍼(70) 세정시 상기 제2 처리액 공급 유닛(500)이 상기 초순수를 상기 웨이퍼(70)의 상면에 분사하나, 제1 처리액 공급 유닛(400)(도 3 참조)으로부터 초순수가 분사될 수도 있다.

도 5b 및 도 5c를 참조하면, 상기 승강 부재(260)는 상기 제1 및 제2 처리 용기(210, 220)를 하향 이동시켜 상기 스핀 헤드(110)에 고정된 웨이퍼(70)를 상기 제1 처리 용기(210)의 상부에서 상기 제2 처리 용기(220) 내에 배치시킨다. 즉, 상기 웨이퍼(70)는 상기 제1 처리 용기(210)의 상부에서 상기 제2 처리 용기(220)의 상면(222) 아래에 배치된다.

이어, 상기 웨이퍼(70)의 중앙부 상부에 상기 제2 처리액 공급 유닛(500)을 배치시키고, 상기 제2 처리액 공급 유닛(500)이 초순수를 상기 웨이퍼(70)의 상면 에 분사하여 상기 웨이퍼(70)를 1차 린스 처리한다. 이 실시예에 있어서, 상기 제2 처리액 공급 유닛(500)이 상기 초순수를 상기 웨이퍼(70)의 상면에 분사하여 웨이퍼(70)의 상면을 1차 린스 처리 하나, 제1 처리액 공급 유닛(400)(도 3 참조)으로부터 초순수가 분사될 수도 있다.

도 5d 및 도 5e를 참조하면, 1차 린스 처리된 웨이퍼(70)의 상면에 상기 제1 처리액 공급 유닛(400)이 세정액을 분사한다. 이와 함께, 상기 백 노즐(111)이 상기 웨이퍼(70)의 배면에 제1 이면 세정액을 분사하여 상기 웨이퍼(70)의 배면을 세정한다. 이때, 상기 스핀 헤드(110)는 회전하여 상기 웨이퍼(70)를 회전시킨다. 상기 세정액 및 상기 제1 이면 세정액으로는 불화수소산 용액이 사용될 수 있다.

이어, 상기 에어로졸 유닛(700)이 처리 유체(CF)를 상기 웨이퍼(70)에 분무하여 상기 웨이퍼(70)에 잔존하는 비교적 작은 이물을 제거한다. 상기 에어로졸 유닛(700)이 상기 처리 유체(CF)를 분무하는 동안 상기 백 노즐(111)은 상기 웨이퍼(70)의 배면에 제2 이면 세정액, 예컨대, 초순수를 분사하고, 상기 스핀 헤드(110)는 상기 웨이퍼(70)를 회전시킨다.

도 1 및 도 5f를 참조하면, 상기 웨이퍼(70)의 상부에 상기 제2 처리액 공급 유닛(500)을 배치시키고, 상기 제2 처리액 공급 유닛(500)은 회전중인 웨이퍼(70)의 상면에 초순수를 분사하여 상기 웨이퍼(70)의 상면을 2차 린스 처리한다. 이와 동시에, 상기 백 노즐(111)은 상기 웨이퍼(70)의 배면에 제2 이면 세정액, 예컨대, 초순수를 분사하여 상기 웨이퍼(70)의 배면을 린스 처리한다.

이어, 상기 웨이퍼(70)의 상면에 건조 가스를 분사함과 동시에 상기 백 노 즐(111)이 상기 웨이퍼(70)의 배면에 건조 가스를 분사하여 상기 웨이퍼(70)를 건조시킨다.

이와 같이, 상기 기판 연마부(1000)는 하나의 용기 유닛(200) 내에서 상기 웨이퍼(70)의 연마 공정과 세정 공정이 순차적으로 이루어지므로, 웨이퍼(70)의 이송 시간 및 공정 시간을 단축시키고, 생산성을 향상시킬 수 있다.

또한, 상기 기판 연마부(1000)는 상기 웨이퍼(70)의 연마 공정 및 브러쉬 공정이 유체를 이용한 웨이퍼(70)의 세정 공정과 서로 다른 처리 용기에서 이루어진다. 이에 따라, 상기 기판 연마부(1000)는 연마 공정에 사용된 처리액과 세정 공정에서 사용된 처리액을 서로 분리하여 회수할 수 있다.

상기 세정 공정이 완료되면, 상기 메인 이송 로봇(50)이 상기 스핀 헤드(110) 상의 웨이퍼(70)를 언로딩하여 버퍼부(30)에 적재한다. 인덱스 로봇(20)(도 1 참조)은 기판 연마부(1000)에서 공정 완료된 웨이퍼(70)를 버퍼부(30)로부터 인출하여 로딩/언로딩부(10)에 안착된 풉(12a, 12b, 12c, 12d)(도 1 참조)에 적재한다. 연마 공정 및 세정 공정이 완료된 웨이퍼들은 상기 풉(12a, 12b, 12c, 12d) 단위로 외부로 이송된다.

이상 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 매엽식 연마 시스템을 개략적으로 나타낸 도면이다.

도 2는 도 1에 도시된 매엽식 연마 시스템을 나타낸 측면도이다.

도 3은 도 1에 도시된 기판 연마부를 나타낸 사시도이다.

도 4는 도 3에 도시된 기판 지지 유닛 및 처리 용기를 구체적으로 나타낸 부분 절개 사시도이다.

도 5a 내지 도 5f는 도 3에 도시된 기판 연마부에서 웨이퍼를 연마 및 세정하는 과정을 나타낸 단면도이다.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호 설명 *

100 : 기판 지지부재 200 : 용기 유닛

300 : 연마 유닛 400 : 제1 처리액 공급 유닛

500 : 제2 처리액 공급 유닛 600 : 브러쉬 유닛

700 : 에어로졸 유닛 800 : 패드 컨디셔닝 유닛

1000 : 기판 연마부

Claims (9)

1. 상면에 기판이 안착되고, 상기 상면의 중앙부에 설치되어 상기 기판의 배면에 세정 유체를 분사하는 백 노즐을 구비하며, 회전 가능한 기판 지지부재;

   각각 상기 기판 지지부재를 둘러싸고 서로 이격되어 겹구조로 배치되며 각각 기둥 형상을 갖고 상면이 일부분 개방된 다수의 처리 용기를 구비하고, 상기 기판의 연마 공정 및 세정 공정이 이루어지는 공정 공간을 제공하는 용기 유닛;

   상기 용기 유닛의 일측에 구비되고, 상기 기판 지지부재에 안착된 기판을 연마하는 연마 유닛; 및

   상기 용기 유닛의 일측에 구비되고, 상기 기판 지지부재에 안착된 기판에 세정 유체를 분사하는 분사 유닛을 포함하고,

   상기 기판 지지부재 및 상기 용기 유닛 중 적어도 어느 하나는 수직 이동이 가능하며,

   상기 다수의 처리 용기의 각 상면에 형성된 개구부는 상기 기판의 크기 보다 큰 것을 특징으로 하는 기판 연마 장치.
2. 삭제
3. 제1항에 있어서,

   상기 용기 유닛의 외측에 설치되고, 상기 기판 지지부재에 안착된 기판을 물리적으로 세정하는 브러쉬 유닛; 및

   상기 용기 유닛의 외측에 설치되고, 상기 기판 지지부재에 안착된 기판에 세정 유체를 분무하는 에어로졸 유닛을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 연마 장치.
4. 제1항 또는 3항에 있어서,

   상기 분사 유닛은,

   상기 용기 유닛의 일측에 고정 설치되고, 세정 유체를 상기 기판 지지부재에 고정된 기판에 분사하는 제1 처리유체 공급유닛; 및

   상기 용기 유닛의 일측에 상기 용기 유닛으로부터 이격되어 설치되고, 스윙이 가능하며, 세정 유체를 상기 기판 지지부재에 고정된 기판에 분사하는 제2 처리유체 공급유닛을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 연마 장치.
5. 용기 유닛 안에 수용된 기판 지지부재에 기판을 안착시키는 단계;

   상기 용기 유닛 및 상기 기판 지지부재 중 어느 하나를 수직 이동시켜 상기 기판 지지부재에 안착된 기판을 상기 용기 유닛의 다수의 처리 용기 중 가장 내측에 설치된 제1 처리 용기 내에 위치시키는 단계;

   상기 기판을 연마하는 단계;

   상기 용기 유닛 및 상기 기판 지지부재 중 어느 하나를 수직 이동시켜 상기 기판 지지부재에 안착된 기판을 상기 제1 처리 용기의 상부에서 상기 처리 용기들 중 상기 제1 처리 용기를 감싸는 제2 처리 용기 내에 배치시키는 단계; 및

   상기 기판을 세정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 연마 방법.
6. 제5항에 있어서,

   상기 기판을 연마하는 단계는,

   연마 유닛의 연마 패드를 상기 기판의 상면에 배치시키는 단계; 및

   상기 연마 유닛이 상기 기판에 연마 약액을 분사하면서 상기 연마 패드를 회전시켜 상기 기판을 연마하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 연마 방법.
7. 제6항에 있어서,

   상기 기판을 세정하는 단계는,

   상기 기판 지지부재가 회전하여 상기 기판을 회전시키고, 이와 함께 상기 기판의 상면에 린스액을 분사하는 단계;

   상기 기판 지지부재에 의해 회전중인 상기 기판의 배면에 세정액을 분사하 고, 이와 함께 상기 기판의 상면에 세정액을 분사하는 단계; 및

   상기 기판 지지부재에 의해 회전중인 상기 기판의 상면 및 배면에 건조 가스를 제공하여 상기 기판을 건조하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 연마 방법.
8. 제7항에 있어서,

   상기 기판을 세정하는 단계 이전에,

   상기 기판의 연마 공정이 완료된 후, 상기 기판이 상기 제1 처리 용기내에 배치된 상태에서, 상기 기판의 상면에 브러쉬 유닛을 배치시키는 단계; 및

   상기 기판 지지부재가 상기 기판을 회전시키고, 이와 함께 상기 브러쉬 유닛이 회전하면서 상기 기판의 상면에 잔존하는 이물을 물리적으로 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 연마 방법.
9. 제8항에 있어서,

   상기 기판을 세정하는 단계는,

   상기 기판을 건조하는 단계 이전에, 상기 기판의 상부에 에어로졸 유닛을 배치시키는 단계; 및

   상기 기판 지지부재에 의해 회전중인 상기 기판의 상면에 상기 에어로졸 유닛이 세정 유체를 분무하고, 이와 함께 상기 기판의 배면에 세정 유체를 분사하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 연마 방법.

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