CN114927098A - 一种像素驱动电路及像素驱动方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种像素驱动电路及像素驱动方法，属于电子电路领域。该像素驱动电路工作在扫描阶段和驱动阶段时，像素驱动电路通路中使用氧化物薄膜晶体管，减少电路工作过程中电路中漏电流；该像素驱动电路通过扫描阶段完成驱动薄膜晶体管源极电压的初始化和数据电压的输入，从而补偿驱动薄膜晶体管阈值电压的变化和有机发光二极管阈值电压的衰减对像素电路产生的影响；通过信号控制使得有机发光二极管仅在发光阶段有电流经过，避免了LTPO屏幕的闪烁现象，降低了功耗；该像素驱动电路将电路的工作周期分为扫描阶段和驱动阶段，该电路的扫描阶段和驱动阶段互相无影响，使得该像素驱动电路适用于高刷新率LTPO显示面板。

Description

一种像素驱动电路及像素驱动方法
技术领域
本发明属于电子电路领域，涉及一种像素驱动电路及像素驱动方法。
背景技术
低温多晶氧化物(LTPO)显示技术由于结合了低温多晶硅(LTPS)和氧化铟镓锌(IGZO)两种薄膜晶体管，因此可以使显示面板同时具有强驱动能力和低功率消耗的特点，同时适用于高频显示和低频显示，已经越来越成为显示面板中炙手可热的技术。在LTPO显示面板中，由于IGZO薄膜晶体管比LTPS薄膜晶体管的迁移率低、漏电流小，因此需要将IGZO薄膜晶体管作为像素驱动电路中易漏电处的薄膜晶体管，从而使像素驱动电路适于实现低频驱动，降低显示面板的功耗；此外，LTPO显示面板工作过程中，像素驱动电路中驱动薄膜晶体管的阈值电压漂移现象和有机发光二极管阈值电压衰减现象会影响LTPO面板的显示质量。因此，亟需一种新的像素驱动电路来满足LTPO显示面板的显示需求。
发明内容
有鉴于此，本发明的目的在于提供一种像素驱动电路及像素驱动方法。对每一个像素加补偿电路，即对每一个像素中的驱动薄膜晶体管阈值电压漂移现象和有机发光二极管阈值电压衰减现象进行补偿，使输出电流变得与这些参数无关，从而解决目前LTPO显示面板亮度不均匀的问题。
为达到上述目的，本发明提供如下技术方案：
一种像素驱动电路，该电路包括：第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2第三薄膜晶体管T3、第四薄膜晶体管T4、第五薄膜晶体管T5、第六薄膜晶体管T6、第一电容C1、第二电容C2及有机发光二极管OLED；
所述第一薄膜晶体管T1栅极接入第一扫描控制信号VSCAN1，源极电性连接于节点A，漏极接入数据电压VDATA；
所述第二薄膜晶体管T2栅极接入第二扫描控制信号VSCAN2，漏极电性连接于节点A，源极电性连接于第三薄膜晶体管T3的源极；
所述第三薄膜晶体管T3栅极接入第一扫描控制信号VSCAN1，漏极电性连接于第二薄膜晶体管T2源极，源极电性连接于第四薄膜晶体管T4的漏极；
所述第四薄膜晶体管T4栅极接入第二薄膜晶体管T2源极，漏极电性连接于驱动电压VDD，源极连接于第五薄膜晶体管T5的漏极；
所述第五薄膜晶体管T5栅极电性连接于第二扫描电压VSCAN2，漏极电性连接于节点B，源极电性连接于有机发光二极管阳极；
所述第六薄膜晶体管T6栅极电性连接与第一扫描电压VSCAN1，漏极电性连接于第五薄膜晶体管T5的漏极，源极接入地电压GND；
所述第一电容C1一端电性连接于节点A，另一端接入地电压GND；
所述第二电容C2一端电性连接于节点B，另一端接入地电压GND；
所述有机发光二极管OLED阳极接入第五薄膜晶体管T5源极电压，阴极接入地电压GND。
可选的，所述第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2、第三薄膜晶体管T3和第四薄膜晶体管T4均为低温多晶硅薄膜晶体管；
所述第五薄膜晶体管T5和所述第六薄膜晶体管T6为氧化物半导体薄膜晶体管。
可选的，所述第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2、第三薄膜晶体管T3、第四薄膜晶体管T4、所述第五薄膜晶体管T5和所述第六薄膜晶体管T6均为N型薄膜晶体管。
可选的，所述第一扫描控制信号VSCAN1和第二扫描控制信号VSCAN2、驱动电压VDD和数据电压VDATA均通过外部时序控制器提供。
可选的，所述时序控制器的驱动时序依次包括：
扫描阶段：重置阶段、阈值电压生成阶段；
驱动阶段：数据电压输入阶段、发光阶段；
在所述扫描阶段中的重置阶段，所述第一扫描控制信号VSCAN1提供高电位，所述第二扫描控制信号VSCAN2、所述数据信号VDATA、所述驱动电压VDD均提供低电位；
在所述扫描阶段中的阈值电压生成阶段，所述第一扫描控制信号VSCAN1和所述驱动电压VDD提供高电位，所述第二扫描控制信号VSCAN2和所述数据电压(VDATA)提供低电位；
在所述驱动阶段中的数据电压输入阶段，所述第一扫描控制信号VSCAN1、所述数据电压VDATA、所述驱动电压VDD均提供高电位，所述第二扫描控制信号VSCAN2提供低电位；
在所述驱动阶段中的发光阶段，所述第一扫描控制信号VSCAN1、所述数据电压VDATA和所述驱动电压VDD均提供低电位，所述第二扫描控制信号VSCAN2提供高电位。
一种像素驱动方法，该方法包括以下步骤：
步骤1：进入扫描阶段中的重置阶段；
第一扫描控制信号VSCAN1提供高电位，第二扫描控制信号VSCAN2、数据信号VDATA和驱动电压VDD均提供低电位；在电压的作用下第一薄膜晶体管T1导通，在前一阶段残留在第一电容C1中的电荷通过第一薄膜晶体管T1被释放；第六薄膜晶体管T6导通，在上一个发光周期中的发光阶段残留在第二电容C2中的电荷通过第六薄膜晶体管T6被释放；像素电路工作在此阶段能够将残存在电容中的电荷释放，从而保证电路工作的稳定性，使得OLED的亮度更加稳定；
步骤2：进入扫描阶段中的阈值电压生成阶段；
第一扫描控制信号VSCAN1和驱动电压VDD提供高电位，第二扫描控制信号VSCAN2和数据电压VDATA提供低电位；在电压的作用下第二薄膜晶体管T2、第五薄膜晶体管T5处于截止状态；第六薄膜晶体管T6、第三薄膜晶体管T3导通，第四薄膜晶体管T4处于二极管连接状态，在驱动电压高电位VDD_H的作用下有电流流过第四薄膜晶体管T4和第六薄膜晶体管T6，此时节点B被初始化为VDD_H-Vth_T4，其中Vth_T4是第四薄膜晶体管T4的阈值电压；
步骤3：进入驱动阶段中的数据电压输入阶段；
第一扫描控制信号VSCAN1、数据电压VDATA、驱动电压VDD均提供高电位，第二扫描控制信号VSCAN2提供低电位；在这些电压的作用下节点B仍为VDD_H-Vth_T4，同时第一薄膜晶体管T1开启，节点A被初始为数据电压高电位VDATA_H；
步骤4：进入驱动阶段中的发光阶段；
第一扫描控制信号VSCAN1、数据电压VDATA、驱动电压VDD均提供低电位，第二扫描控制信号VSCAN2提供高电位；在这些电压的作用下第二薄膜晶体管T2导通，在第一电容C1的存储作用下节点A仍保持为数据电压高电平VDATA_H，因此第四薄膜晶体管T4的栅极电压VG_T4等于数据电压高电平VDATA_H；在第二电容C2的存储作用下节点B处的电压保持为VDD-Vth_T4，此时第四薄膜晶体管T4的源极电压VS_T4等于VDD_H-Vth_T4，第四薄膜晶体管T4、第五薄膜晶体管T5导通，开始有恒定的电流流经有机二极管OLED，流经有机二极管OLED的电流IOLED显然和流经第四薄膜晶体管T4的电流相等，第四薄膜晶体管T4工作在饱和区，在发光阶段流经有机二极管OLED的电流在此阶段和数据电压高电位VDATA_H和驱动电压高电位VDD_H的差值有关，不受第四薄膜晶体管T4阈值电压的影响，能够补偿第四薄膜晶体管T4阈值电压变化对流经OLED电流所产生的影响。
可选的，所述扫描阶段包括：重置阶段、阈值电压生成阶段和驱动阶段：数据电压输入阶段、发光阶段之间工作状态互相独立。
本发明的有益效果在于：本发明能够有效补偿驱动薄膜晶体管阈值电压漂移和有机二极管阈值电压衰减对像素驱动电路产生的影响，使流过有机发光二极管的电流稳定，保证有机发光二极管的发光亮度均匀，改善画面的显示效果；本发明工作周期中扫描阶段和驱动阶段工作相互独立适用于高刷新率LTPO显示面板；本发明仅在扫描阶段中的发光阶段有电流流经有机二极管，可以避免LTPO屏幕的闪烁，降低其功耗；本发明适用于LTPO显示面板，当使用本发明的LTPO面板中的像素驱动电路工作在扫描阶段和驱动阶段时，像素驱动电路通路中使用氧化物薄膜晶体管，减少电路工作过程中电路中漏电流。
本发明的其他优点、目标和特征在某种程度上将在随后的说明书中进行阐述，并且在某种程度上，基于对下文的考察研究对本领域技术人员而言将是显而易见的，或者可以从本发明的实践中得到教导。本发明的目标和其他优点可以通过下面的说明书来实现和获得。
附图说明
为了使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明作优选的详细描述，其中：
图1为本发明用于6T2C像素驱动电路的电路图；
图2为本发明用于6T2C像素驱动电路的时序图；
图3为本发明的像素驱动方法扫描阶段中的重置阶段示意图；
图4为本发明的像素驱动方法扫描阶段中的阈值电压生成阶段示意图；
图5为本发明的像素驱动方法驱动阶段中的数据电压输入阶段示意图；
图6为本发明的像素驱动方法驱动阶段中的发光阶段示意图。
具体实施方式
以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。需要说明的是，以下实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，在不冲突的情况下，以下实施例及实施例中的特征可以相互组合。
其中，附图仅用于示例性说明，表示的仅是示意图，而非实物图，不能理解为对本发明的限制；为了更好地说明本发明的实施例，附图某些部件会有省略、放大或缩小，并不代表实际产品的尺寸；对本领域技术人员来说，附图中某些公知结构及其说明可能省略是可以理解的。
本发明实施例的附图中相同或相似的标号对应相同或相似的部件；在本发明的描述中，需要理解的是，若有术语“上”、“下”、“左”、“右”、“前”、“后”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此附图中描述位置关系的用语仅用于示例性说明，不能理解为对本发明的限制，对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语的具体含义。
请参阅图1，本发明设计了一种像素驱动电路，包括：第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2、第三薄膜晶体管T3、第四薄膜晶体管T4、第五薄膜晶体管T5、第六薄膜晶体管T6、第一电容C1、第二电容C2、及有机发光二极管OLED。
具体连接方式为：所述第一薄膜晶体管(T1)栅极接入第一扫描控制信号(VSCAN1)，源极电性连接于节点(A)，漏极接入数据电压(VDATA)；所述第二薄膜晶体管(T2)栅极接入第二扫描控制信号(VSCAN2)，漏极电性连接于节点(A)，源极电性连接于第三薄膜晶体管(T3)的源极；所述第三薄膜晶体管(T3)栅极接入第一扫描控制信号(VSCAN1)，漏极电性连接于第二薄膜晶体管(T2)源极，源极电性连接于第四薄膜晶体管(T4)的漏极；所述第四薄膜晶体管(T4)栅极接入第二薄膜晶体管(T2)源极，漏极电性连接于驱动电压(VDD)，源极连接于第五薄膜晶体管(T5)的漏极；所述第五薄膜晶体管(T5)栅极电性连接于第二扫描电压(VSCAN2)，漏极电性连接于节点(B)，源极电性连接于有机发光二极管阳极；所述第六薄膜晶体管(T6)栅极电性连接与第一扫描电压(VSCAN1)，漏极电性连接于第五薄膜晶体管(T5)的漏极，源极接入地电压(GND)；所述第一电容(C1)一端电性连接于节点(A)，另一端接入地电压(GND)；所述第二电容(C2)一端电性连接于节点(B)，另一端接入地电压(GND)；所述有机发光二极管(OLED)阳极接入第五薄膜晶体管(T5)源极电压，阴极接入地电压(GND)。
需要说明的是所述第一、第二、第三、第四薄膜晶体管T1、T2、T3、T4均为低温多晶硅薄膜晶体管，第五、第六薄膜晶体管T5、T6为氧化物半导体薄膜晶体管；所述扫描控制信号VSCAN1、VSCAN2、驱动电压VDD、数据电压VDATA均通过外部时序控制器提供。
进一步的，请参阅图2，所述第一扫描控制信号VSCAN1、第二扫描控制信号VSCAN2、驱动电压VDD、数据电压VDATA相组合，先后对应扫描阶段：重置阶段、阈值电压生成阶段和驱动阶段：数据电压输入阶段和发光阶段。在扫描阶段中的重置阶段：所述第一扫描控制信号(VSCAN1)提供高电位，所述第二扫描控制信号(VSCAN2)、所述数据信号(VDATA)、所述驱动电压(VDD)均提供低电位；在扫描阶段中的阈值电压生成阶段：所述第一扫描控制信号(VSCAN1)和所述驱动电压(VDD)提供高电位，所述第二扫描控制信号(VSCAN2)和所述数据电压(VDATA)提供低电位；在驱动阶段中的数据电压输入阶段：所述第一扫描控制信号(VSCAN1)、所述数据电压(VDATA)、所述驱动电压(VDD)均提供高电位，所述第二扫描控制信号(VSCAN2)提供低电位；在驱动阶段中的发光阶段：所述第一扫描控制信号(VSCAN1)、所述数据电压(VDATA)、所述驱动电压(VDD)均提供低电位，所述第二扫描控制信号(VSCAN2)提供高电位。
请结合图2～图6，本发明还提供一种像素驱动方法，包括如下步骤:
本实施例设计的像素驱动电路的像素驱动方法，具体包括如下步骤：
步骤1，进入初始化阶段扫描阶段中的重置阶段：
结合图2和图3，所述第一扫描控制信号(VSCAN1)提供高电位，所述第二扫描控制信号(VSCAN2)、所述数据信号(VDATA)、所述驱动电压(VDD)均提供低电位。在这些电压的作用下第一薄膜晶体管(T1)导通，在前一阶段残留在第一电容(C1)中的电荷通过第一薄膜晶体管(T1)被释放；第六薄膜晶体管(T6)导通，在上一个发光周期中的发光阶段残留在第二电容(C2)中的电荷通过第六薄膜晶体管(T6)被释放。该像素电路工作在此阶段能够将残存在电容中的电荷释放，从而保证电路工作的稳定性，使得OLED的亮度更加稳定。
步骤2，进入扫描阶段中的阈值电压生成阶段：
结合图2和图4，所述第一扫描控制信号(VSCAN1)和所述驱动电压(VDD)提供高电位，所述第二扫描控制信号(VSCAN2)和所述数据电压(VDATA)提供低电位。在这些电压的作用下第二薄膜晶体管(T2)、第五薄膜晶体管(T5)处于截止状态；第六薄膜晶体管(T6)、第三薄膜晶体管(T3)导通，第四薄膜晶体管(T4)处于二极管连接状态，在驱动电压高电位(VDD_H)的作用下有电流流过第四薄膜晶体管(T4)和第六薄膜晶体管(T6)，此时节点(B)被初始化为VDD_H-Vth_T4，其中Vth_T4是第四薄膜晶体管(T4)的阈值电压。
步骤3，进入驱动阶段中的数据电压输入阶段：
结合图2和图5，所述第一扫描控制信号(VSCAN1)、所述数据电压(VDATA)、所述驱动电压(VDD)均提供高电位，所述第二扫描控制信号(VSCAN2)提供低电位。在这些电压的作用下节点(B)仍为VDD_H-Vth_T4，同时第一薄膜晶体管(T1)开启，节点(A)被初始为数据电压高电位(VDATA_H)。
步骤4，进入发光阶段驱动阶段中的发光阶：
结合图2和图6，所述第一扫描控制信号(VSCAN1)、所述数据电压(VDATA)、所述驱动电压(VDD)均提供低电位，所述第二扫描控制信号(VSCAN2)提供高电位。在这些电压的作用下第二薄膜晶体管(T2)导通，在第一电容(C1)的存储作用下节点(A)仍保持为数据电压高电平(VDATA_H)，因此第四薄膜晶体管(T4)的栅极电压(VG_T4)等于数据电压高电平(VDATA_H)；在第二电容(C2)的存储作用下节点(B)处的电压保持为VDD-Vth_T4，此时第四薄膜晶体管(T4)的源极电压(VS_T4)等于VDD_H-Vth_T4，第四薄膜晶体管(T4)、第五薄膜晶体管(T5)导通，开始有恒定的电流流经有机二极管(OLED)，流经有机二极管(OLED)的电流(IOLED)显然和流经第四薄膜晶体管(T4)的电流相等，此时第四薄膜晶体管(T4)工作在饱和区，可以看出该电路在发光阶段流经有机二极管(OLED)的电流在此阶段和数据电压高电位(VDATA_H)和驱动电压高电位(VDD_H)的差值有关，不受第四薄膜晶体管(T4)阈值电压的影响，因此能够很好的补偿第四薄膜晶体管(T4)阈值电压变化对流经OLED电流所产生的影响。
需要说明的是，根据现有技术采用薄膜晶体管作为驱动薄膜晶体管时，流经有机发光二极管的电流公式：
IOLED＝K(VGS_T4-Vth_T4)2
其中，IOLED为流经有机发光二极管OLED的电流，K为驱动薄膜晶体管即第四薄膜晶体管T4的结构参数，VGS_T4为驱动薄膜晶体管即第四薄膜晶体管T4栅极和源极之间的压差，Vth_T4为第四薄膜晶体管T4的阈值电压，而此时第四薄膜晶体管T4栅极和源极之间的压差为：VDATA_H-VDD+Vth_T4，其中VDATA_H为数据电压VDATA的高电位。
因此，IOLED＝K(VGS_T4-Vth_T4)2＝K(VDATA_H-VDD_H)2，其中VDD_H为驱动电压VDD的高电位，VGS_T6为第六薄膜晶体管T6栅极和源极之间的电压之差，对于相同结构的薄膜晶体管K值相对稳定，VDATA_H和VDD_H的值为定值，从而流经有机发光二极管OLED的电流与第四薄膜晶体管T4的阈值电压无关，第四薄膜晶体管的栅极和源极电压差值不受二极管的影响，从而能有效补偿驱动薄膜晶体管T4的阈值电压漂移现象和有机二极管阈值电压衰减现象对电流的影响，保证了流过有机发光二极管OLED的电流的稳定性，保证了有机发光二极管的亮度均匀性提升了有机发光二极管的显示质量，该驱动方法工作周期的扫描阶段和驱动阶段工作状态相互独立适用于高刷新率LTPO显示面板。
综上所述，本发明提供的像素驱动电路，其是采用6T2C结构的像素驱动电路并搭配了有特定的驱动时序。该像素驱动电路在初始化阶段该像素驱动电路工作在扫描阶段和驱动阶段时，像素驱动电路通路中使用氧化物薄膜晶体管，减少电路工作过程中电路中漏电流，该像素驱动电路适用于驱动LTPO显示面板；通过时钟设计将像素驱动电路的工作周期分为扫描阶段和驱动阶段，该电路的驱动阶段和扫描阶段互相无影响，使得该像素驱动电路适用于高刷新率LTPO显示面板；通过扫描阶段中的重置阶段释放电路中上一工作周期残留在第一电容和第二电容中的电荷，从而避免其对像素驱动电路的工作产生影响，保证像素电路工作的稳定性；通过扫描阶段中的阈值电压生成阶段和驱动阶段中的数据电压输入阶段，分别完成驱动薄膜晶体管源极电压的初始化和数据电压的输入，使得像素驱动电路在发光阶段的电流仅与数据电压和驱动电压有关，因此该电路能够很好的补偿驱动薄膜晶体管阈值电压的变化和有机放光二极管阈值电压的衰减对流经驱动电路的电流产生的影响；通过信号控制使得有机发光二极管仅在发光阶段有电流经过，避免了屏幕的闪烁现象，降低了功耗；该像素驱动电路将像素驱动电路的工作周期分为扫描阶段和驱动阶段，该电路的驱动阶段和扫描阶段互相无影响，使得该像素驱动电路适用于高刷新率LTPO显示面板。
最后说明的是，以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非限制，尽管参照较佳实施例对本发明进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本技术方案的宗旨和范围，其均应涵盖在本发明的权利要求范围当中。

Claims (7)

1.一种像素驱动电路，其特征在于：该电路包括：第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2、第三薄膜晶体管T3、第四薄膜晶体管T4、第五薄膜晶体管T5、第六薄膜晶体管T6、第一电容C1、第二电容C2及有机发光二极管OLED；
所述第一薄膜晶体管T1栅极接入第一扫描控制信号VSCAN1，源极电性连接于节点A，漏极接入数据电压VDATA；
所述第二薄膜晶体管T2栅极接入第二扫描控制信号VSCAN2，漏极电性连接于节点A，源极电性连接于第三薄膜晶体管T3的源极；
所述第三薄膜晶体管T3栅极接入第一扫描控制信号VSCAN1，漏极电性连接于第二薄膜晶体管T2源极，源极电性连接于第四薄膜晶体管T4的漏极；
所述第四薄膜晶体管T4栅极接入第二薄膜晶体管T2源极，漏极电性连接于驱动电压VDD，源极连接于第五薄膜晶体管T5的漏极；
所述第五薄膜晶体管T5栅极电性连接于第二扫描电压VSCAN2，漏极电性连接于节点B，源极电性连接于有机发光二极管阳极；
所述第六薄膜晶体管T6栅极电性连接与第一扫描电压VSCAN1，漏极电性连接于第五薄膜晶体管T5的漏极，源极接入地电压GND；
所述第一电容C1一端电性连接于节点A，另一端接入地电压GND；
所述第二电容C2一端电性连接于节点B，另一端接入地电压GND；
所述有机发光二极管OLED阳极接入第五薄膜晶体管T5源极电压，阴极接入地电压GND。
2.根据权利要求1所述的一种像素驱动电路，其特征在于：所述第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2、第三薄膜晶体管T3和第四薄膜晶体管T4均为低温多晶硅薄膜晶体管；
所述第五薄膜晶体管T5和所述第六薄膜晶体管T6为氧化物半导体薄膜晶体管。
3.根据权利要求1所述的一种像素驱动电路，其特征在于：所述第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2、第三薄膜晶体管T3、第四薄膜晶体管T4、所述第五薄膜晶体管T5和所述第六薄膜晶体管T6均为N型薄膜晶体管。
4.根据权利要求1所述的一种像素驱动电路，其特征在于：所述第一扫描控制信号VSCAN1和第二扫描控制信号VSCAN2、驱动电压VDD和数据电压VDATA均通过外部时序控制器提供。
5.根据权利要求4所述的一种像素驱动电路，其特征在于：所述时序控制器的驱动时序依次包括：
扫描阶段：重置阶段、阈值电压生成阶段；
驱动阶段：数据电压输入阶段、发光阶段；
在所述扫描阶段中的重置阶段，所述第一扫描控制信号VSCAN1提供高电位，所述第二扫描控制信号VSCAN2、所述数据信号VDATA、所述驱动电压VDD均提供低电位；
在所述扫描阶段中的阈值电压生成阶段，所述第一扫描控制信号VSCAN1和所述驱动电压VDD提供高电位，所述第二扫描控制信号VSCAN2和所述数据电压(VDATA)提供低电位；
在所述驱动阶段中的数据电压输入阶段，所述第一扫描控制信号VSCAN1、所述数据电压VDATA、所述驱动电压VDD均提供高电位，所述第二扫描控制信号VSCAN2提供低电位；
在所述驱动阶段中的发光阶段，所述第一扫描控制信号VSCAN1、所述数据电压VDATA和所述驱动电压VDD均提供低电位，所述第二扫描控制信号VSCAN2提供高电位。
6.一种像素驱动方法，其特征在于：该方法包括以下步骤：
步骤1：进入扫描阶段中的重置阶段；
第一扫描控制信号VSCAN1提供高电位，第二扫描控制信号VSCAN2、数据信号VDATA和驱动电压VDD均提供低电位；在电压的作用下第一薄膜晶体管T1导通，在前一阶段残留在第一电容C1中的电荷通过第一薄膜晶体管T1被释放；第六薄膜晶体管T6导通，在上一个发光周期中的发光阶段残留在第二电容C2中的电荷通过第六薄膜晶体管T6被释放；像素电路工作在此阶段能够将残存在电容中的电荷释放，从而保证电路工作的稳定性，使得OLED的亮度更加稳定；
步骤2：进入扫描阶段中的阈值电压生成阶段；
第一扫描控制信号VSCAN1和驱动电压VDD提供高电位，第二扫描控制信号VSCAN2和数据电压VDATA提供低电位；在电压的作用下第二薄膜晶体管T2、第五薄膜晶体管T5处于截止状态；第六薄膜晶体管T6、第三薄膜晶体管T3导通，第四薄膜晶体管T4处于二极管连接状态，在驱动电压高电位VDD_H的作用下有电流流过第四薄膜晶体管T4和第六薄膜晶体管T6，此时节点B被初始化为VDD_H-Vth_T4，其中Vth_T4是第四薄膜晶体管T4的阈值电压；
步骤3：进入驱动阶段中的数据电压输入阶段；
第一扫描控制信号VSCAN1、数据电压VDATA、驱动电压VDD均提供高电位，第二扫描控制信号VSCAN2提供低电位；在这些电压的作用下节点B仍为VDD_H-Vth_T4，同时第一薄膜晶体管T1开启，节点A被初始为数据电压高电位VDATA_H；
步骤4：进入驱动阶段中的发光阶段；
第一扫描控制信号VSCAN1、数据电压VDATA、驱动电压VDD均提供低电位，第二扫描控制信号VSCAN2提供高电位；在这些电压的作用下第二薄膜晶体管T2导通，在第一电容C1的存储作用下节点A仍保持为数据电压高电平VDATA_H，因此第四薄膜晶体管T4的栅极电压VG_T4等于数据电压高电平VDATA_H；在第二电容C2的存储作用下节点B处的电压保持为VDD-Vth_T4，此时第四薄膜晶体管T4的源极电压VS_T4等于VDD_H-Vth_T4，第四薄膜晶体管T4、第五薄膜晶体管T5导通，开始有恒定的电流流经有机二极管OLED，流经有机二极管OLED的电流IOLED显然和流经第四薄膜晶体管T4的电流相等，第四薄膜晶体管T4工作在饱和区，在发光阶段流经有机二极管OLED的电流在此阶段和数据电压高电位VDATA_H和驱动电压高电位VDD_H的差值有关，不受第四薄膜晶体管T4阈值电压的影响，能够补偿第四薄膜晶体管T4阈值电压变化对流经OLED电流所产生的影响。
7.根据权利要求6所述的一种像素驱动方法，其特征在于：所述扫描阶段包括：重置阶段、阈值电压生成阶段和驱动阶段：数据电压输入阶段、发光阶段之间工作状态互相独立。
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