CN203085136U - 有机发光显示屏薄膜晶体管像素驱动电路 - Google Patents
有机发光显示屏薄膜晶体管像素驱动电路 Download PDFInfo
- Publication number
- CN203085136U CN203085136U CN2013200611519U CN201320061151U CN203085136U CN 203085136 U CN203085136 U CN 203085136U CN 2013200611519 U CN2013200611519 U CN 2013200611519U CN 201320061151 U CN201320061151 U CN 201320061151U CN 203085136 U CN203085136 U CN 203085136U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- organic light
- transistor
- emitting display
- signal switching
- film transistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本实用新型涉及有机发光二极管显示技术。本实用新型公开了一种有机发光显示屏薄膜晶体管像素驱动电路，通过增加电容容量改进像素驱动电路的性能。本实用新型的技术方案是，有机发光显示屏薄膜晶体管像素驱动电路，包括信号切换晶体管、驱动晶体管以及连接在所述驱动晶体管栅极和源极之间的存储电容，所述信号切换晶体管栅极接扫描信号，源极接数据信号，漏极与驱动晶体管的栅极连接；所述驱动晶体管源极接电源，漏极接有机发光二极管阳极；所述有机发光二极管阴极接地；所述存储电容由两只并联的电容构成。本实用新型通过电容并联的方法提高存储电容的容量，减少消耗电力，缩短驱动晶体管的导通延时，提高电路性能。
Description
技术领域
本实用新型涉及有机发光二极管（OLED）显示技术，特别是有源矩阵有机发光显示屏（AMOLED），具体涉及一种低温多晶硅（LTPS）薄膜晶体管（TFT）像素驱动电路。
背景技术
AMOLED（Active Matrix/Organic Light Emitting Diode）为有源矩阵有机发光二极管显示屏，或称为有源矩阵有机发光显示屏，具有反应速度较快、对比度更高、视角较广等特点。AMOLED像素电路的基本结构如图1所示，主要适用于低温多晶硅薄膜晶体管像素驱动电路。在有机发光二极管显示技术中，薄膜晶体管均为场效应晶体管。图1中用于数据信号传送和切断的晶体管T2称为信号切换晶体管，与有机发光二极管D连接的晶体管T1称为驱动晶体管。通常晶体管T1的工作电流要大于晶体管T2，在结构尺寸上也有所不同。为使其具有足够的电流驱动能力，晶体管T1尺寸一般比晶体管T2大。图1中的电容Cs是一个存储电容，利用切换晶体管控制数据信号data来执行储存一个帧计时（frame timing）期间的数据信号的作用。电容Cs是薄膜电路中的结构电容，通常由硅有源层、栅金属（gate metal）及其之间的栅绝缘体（gate insulator）构成，或者由栅金属、数据线金属（data metal）及其之间绝缘层（ILD layer）构成。该电路对于顶部发光的AMOLED，能保障发光开口率，而且与基板的TFT结构无关，但对于底部发光的AMOLED，根据基板的TFT结构，发光开口率会受限制，因此对电容Cs容量有要求，虽然不能无限大但适当的容量是需要的。现有技术中，电容Cs的容量通常较小，对提高电路性能不利。根据电容容量C的表达式：
C∝A/d
式中，A为电容极板面积，d为极板间距。
为了扩充电容的容量，如果扩大极板面积，发光面会变小，因此开口率会受损失；如果缩短极板间距扩充容量，有可能发生击穿的问题。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题，就是提供一种有机发光显示屏薄膜晶体管像素驱动电路，通过增加电容容量改进像素驱动电路的性能。
本实用新型解决所述技术问题，采用的技术方案是，有机发光显示屏薄膜晶体管像素驱动电路，包括信号切换晶体管、驱动晶体管以及连接在所述驱动晶体管栅极和源极之间的存储电容，所述信号切换晶体管栅极接扫描信号，源极接数据信号，漏极与驱动晶体管的栅极连接；所述驱动晶体管源极接电源，漏极接有机发光二极管阳极；所述有机发光二极管阴极接地；其特征在于，所述存储电容由2只并联的电容构成。
进一步的，所述信号切换晶体管与驱动晶体管具有不同的结构尺寸。
具体的，所述信号切换晶体管与驱动晶体管均为P型TFT。
优选的，所述2只并联的电容均为薄膜电路结构电容。
本实用新型的有益效果是，采用2只电容并联的方法提高存储电容的容量，减少消耗电力，缩短驱动晶体管的导通延时，从而提高电路性能，并且不会影响发光开口率，也不会产生击穿故障。
附图说明
图1是现有技术结构示意图；
图2是本实用新型结构示意图。
其中，T1为驱动晶体管；T2为信号切换晶体管；Cs、C1、C2均为电容；D为有机发光二极管；VDD为电源；DATA为数据信号；SCAN为扫描信号。
具体实施方式
下面结合附图及实施例，详细描述本实用新型的技术方案。
本实用新型的有机发光显示屏薄膜晶体管像素驱动电路，在现有技术的薄膜晶体管像素驱动电路中，采用2只并联的电容作为存储电容，既不增加电容极板的面积，也不用试图降低电容极板之间的距离。一方面能够减少消耗电力，缩短驱动晶体管的导通延时，从而提高电路性能，并且不会影响OLED的发光开口率，也不会产生击穿故障。
实施例
本例有机发光显示屏薄膜晶体管像素驱动电路结构如图2所示，包括信号切换晶体管T2、驱动晶体管T1以及连接在所述驱动晶体管T1栅极和源极之间的电容C1和C2。图2中电容C1和C2并联在一起构成本例的存储电容。本例信号切换晶体管T2与驱动晶体管T1均为P型TFT，并且信号切换晶体管T2与驱动晶体管T1具有不同的结构尺寸。图2中，信号切换晶体管T2栅极接扫描信号SCAN，源极接数据信号DATA，漏极与驱动晶体管T1的栅极连接。驱动晶体管T1源极接电源VDD，漏极接有机发光二极管D的阳极；有机发光二极管D的阴极接地。
本例电路工作原理是，扫描信号SCAN到来时，信号切换晶体管T2导通，数据信号DATA输入驱动晶体管T1栅极，经过驱动晶体管T1放大后驱动有机发光二极管D显示该数据信号。由于存储电容Cs由电容C1和C2并联构成，其容量比较大，能够减少消耗电力，缩短驱动晶体管T1的导通延时，从而提高电路性能。本例中，电容C1和C2可以通过连接薄膜电路中的结构电容实现2只电容的并联。即除现有技术的电容Cs以外，还可利用数据线金属（datametal）与ITO（Indium tin oxide氧化铟锡，透明导电薄膜）形成的结构电容，通过适当的连接这些结构电容可以得到2只电容并联的结构，作为本实用新型电路中的存储电容。
本实用新型采用2只并联的电容作为存储电容，既不增加电容极板的面积，也不用试图降低电容极板之间的距离。一方面能够减少消耗电力，缩短驱动晶体管的导通延时，从而提高电路性能，并且不会影响OLED的发光开口率，也不会产生击穿故障。
Claims (4)
1.有机发光显示屏薄膜晶体管像素驱动电路，包括信号切换晶体管、驱动晶体管以及连接在所述驱动晶体管栅极和源极之间的存储电容，所述信号切换晶体管栅极接扫描信号，源极接数据信号，漏极与驱动晶体管的栅极连接；所述驱动晶体管源极接电源，漏极接有机发光二极管阳极；所述有机发光二极管阴极接地；其特征在于，所述存储电容由2只并联的电容构成。
2.根据权利要求1所述的有机发光显示屏薄膜晶体管像素驱动电路，其特征在于，所述信号切换晶体管与驱动晶体管具有不同的结构尺寸。
3.根据权利要求1所述的有机发光显示屏薄膜晶体管像素驱动电路，其特征在于，所述信号切换晶体管与驱动晶体管均为P型TFT。
4.根据权利要求1所述的有机发光显示屏薄膜晶体管像素驱动电路，其特征在于，所述2只并联的电容均为薄膜电路结构电容。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2013200611519U CN203085136U (zh) | 2013-02-04 | 2013-02-04 | 有机发光显示屏薄膜晶体管像素驱动电路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2013200611519U CN203085136U (zh) | 2013-02-04 | 2013-02-04 | 有机发光显示屏薄膜晶体管像素驱动电路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN203085136U true CN203085136U (zh) | 2013-07-24 |
Family
ID=48830954
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2013200611519U Expired - Fee Related CN203085136U (zh) | 2013-02-04 | 2013-02-04 | 有机发光显示屏薄膜晶体管像素驱动电路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN203085136U (zh) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105679241A (zh) * | 2016-03-31 | 2016-06-15 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 像素电路及其应用 |
| CN108694905A (zh) * | 2017-04-04 | 2018-10-23 | 三星显示有限公司 | 有机发光显示装置及其驱动方法 |
| CN111653577A (zh) * | 2020-06-16 | 2020-09-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板和显示装置 |
| CN114677947A (zh) * | 2022-03-22 | 2022-06-28 | Tcl华星光电技术有限公司 | 像素电路及显示面板 |
| CN114927098A (zh) * | 2022-05-07 | 2022-08-19 | 重庆邮电大学 | 一种像素驱动电路及像素驱动方法 |
-
2013
- 2013-02-04 CN CN2013200611519U patent/CN203085136U/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105679241A (zh) * | 2016-03-31 | 2016-06-15 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 像素电路及其应用 |
| CN105679241B (zh) * | 2016-03-31 | 2019-05-17 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 像素电路及其应用 |
| CN108694905A (zh) * | 2017-04-04 | 2018-10-23 | 三星显示有限公司 | 有机发光显示装置及其驱动方法 |
| CN111653577A (zh) * | 2020-06-16 | 2020-09-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板和显示装置 |
| CN111653577B (zh) * | 2020-06-16 | 2023-10-27 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板和显示装置 |
| CN114677947A (zh) * | 2022-03-22 | 2022-06-28 | Tcl华星光电技术有限公司 | 像素电路及显示面板 |
| CN114927098A (zh) * | 2022-05-07 | 2022-08-19 | 重庆邮电大学 | 一种像素驱动电路及像素驱动方法 |
| CN114927098B (zh) * | 2022-05-07 | 2024-04-19 | 重庆邮电大学 | 一种像素驱动电路及像素驱动方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN102890910B (zh) | 同异步双栅tft-oled像素驱动电路及其驱动方法 | |
| US11545088B2 (en) | Display panel and display device | |
| US11380257B2 (en) | Display panel and display device | |
| CN105931988B (zh) | Amoled像素驱动电路的制作方法 | |
| US9589995B2 (en) | TFT substrate having three parallel capacitors | |
| CN102982767B (zh) | 一种像素单元驱动电路、驱动方法及显示装置 | |
| CN105336745B (zh) | 低温多晶硅tft基板 | |
| CN103247261B (zh) | 外部补偿感应电路及其感应方法、显示装置 | |
| CN107799062B (zh) | 一种像素电路及其驱动方法、显示装置 | |
| CN103137072B (zh) | 外部补偿感应电路及其感应方法、显示装置 | |
| CN203085136U (zh) | 有机发光显示屏薄膜晶体管像素驱动电路 | |
| CN103117042B (zh) | 一种像素单元驱动电路、驱动方法、像素单元及显示装置 | |
| CN103500556B (zh) | 一种像素电路及其驱动方法、薄膜晶体管背板 | |
| US10217804B2 (en) | Driving and scanning circuit, display screen and mobile terminal | |
| CN104091818A (zh) | 一种有机发光显示面板、装置及其制造方法 | |
| CN105280141A (zh) | 一种oled显示像素电路及驱动方法 | |
| CN104318899B (zh) | 像素单元驱动电路和方法、像素单元和显示装置 | |
| CN112397565B (zh) | 显示面板及显示装置 | |
| CN113192986B (zh) | 显示面板及其制备方法 | |
| CN105789117A (zh) | Tft基板的制作方法及制得的tft基板 | |
| CN112365849A (zh) | 一种像素驱动电路及显示面板 | |
| CN103413898B (zh) | 有机发光二极管阳极连接结构及其制作方法 | |
| WO2014173011A1 (zh) | 移位寄存器单元、移位寄存器和显示装置 | |
| CN203179477U (zh) | 外部补偿感应电路及显示装置 | |
| US11538395B2 (en) | Shift register unit and driving method thereof, gate drive circuit, and display device |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20130724 Termination date: 20210204 |